CN102208161A - 信号处理装置、方法及程序，及显示装置、电子装置 - Google Patents

Abstract

本申请披露了一种信号处理装置、方法及程序，及显示装置、电子装置。该信号处理装置包括：亮度劣化信息生成部，用于根据发光时的温度条件来生成关于亮度劣化的亮度劣化信息；亮度劣化值计算部，用于计算与每个像素电路的亮度劣化有关的亮度劣化值；以及校正部，用于根据亮度劣化值来校正待输入至像素电路的图像信号的灰度值。

Description

信号处理装置、方法及程序,及显示装置、电子装置

技术领域

本发明涉及信号处理装置，具体而言，涉及校正重影的信号处理装置、显示装置、电子装置、以及信号处理方法及使计算机执行该方法的程序。

背景技术

近年来，有机EL(电致发光)元件被用作发光元件的平板自发光型显示装置已经被越来越多地开发。有机EL元件响应于显示目标的图像数据通过改变发光量而表现出灰度。因此，有机EL元件的劣化度在构成显示装置的显示屏幕的不同像素电路中不同。由于劣化度在不同像素电路中如此不同，所以随着时间流逝，经受相对较大劣化的那些像素与经受相对较小劣化的那些像素在显示屏幕上混合共存。如果经受相对较大劣化的像素与经受相对较小劣化的像素以这种方式的混合状态存在，则经受相对较大劣化的像素变得比周围像素更暗，并且之前刚被显示过的图像随后看上去继续存在的被称作重影现象(ghosting phenomenon)的现象出现。

已经提出了具有用于防止这种重影功能的显示装置，其中，例如，在显示装置未被使用的时段内，经受相对较小劣化的那些发光元件的劣化被促进，使得劣化度与经受相对较大劣化的那些发光元件的劣化度一致。例如，日本专利公开第2008-176274中公开了刚刚描述的这种类型的显示装置(图1)。

发明内容

通过上述相关技术的显示设备，能够通过在不使用显示装置的时段内执行劣化度的均一化处理来校正重影。但是，关于显示装置，在每次执行重影校正时，遵照劣化度高的发光元件的劣化度来促进劣化度低的发光元件的劣化。因此，存在所有发光元件的劣化会被促进的可能性。此外，由于在不使用显示装置的时段内执行重影校正，所以在使用显示装置过程中，不能执行这种校正。因此，可能的办法就是使用通过在使用显示装置过程中考虑每个发光元件自身的劣化来改变图像信号的灰度值的重影校正方法。

例如，这样一种校正方法似乎是可行的，其中，根据要通过其显示图像信号的像素电路的劣化度来改变图像信号的灰度值，并且使用经改变的灰度值的图像信号以使得像素电路的发光元件发光。但是，由于发光元件亮度的劣化度在不同像素电路中不同，所以改变灰度值从而以高精度校正重影很重要。

因此，期望提供能够以高精度校正由于发光元件的劣化而引起的重影的信号处理装置、显示装置、电子装置、信号处理方法及程序。

根据本发明，提供一种信号处理装置，包括：亮度劣化信息生成部，用于根据像素电路的环境温度和以特定灰度值被驱动发光的特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值来生成与该像素电路中的发光元件所发出的光的、对应于发光时的温度条件的亮度劣化有关的亮度劣化信息；亮度劣化值计算部，用于根据表示被提供给处于预定状态的像素电路的图像信号与响应于该图像信号而从像素电路发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及亮度劣化信息生成部所生成的亮度劣化信息，来计算关于每个像素电路的亮度劣化的亮度劣化值；以及校正部，用于根据亮度劣化值来校正待输入至像素电路的图像信号的劣化值。根据本发明，还提供了结合了该信号处理装置的显示装置和电子装置，并且还提供了应用于该信号处理装置的信号处理方法及用于使计算机执行该方法的程序。在该信号处理装置、显示装置、电子装置、信号处理方法、及程序中，通过考虑像素电路的环境温度生成亮度劣化信息，并且使用亮度劣化信息校正待输入至像素电路的图像信号的灰度值。

亮度劣化信息生成部可以包括：亮度劣化特性生成部，用于根据测量亮度值时的测量温度和亮度值来生成关于特定温度下的像素电路亮度劣化的亮度劣化特性；以及加算部，用于根据环境温度、亮度劣化特性、在校正前对像素电路生成的亮度劣化信息、以及输入至像素电路的图像信号的灰度值将关于像素电路的亮度劣化的新劣化量依次与亮度劣化信息相加，从而生成新的亮度劣化信息。在该信号处理装置中，根据亮度劣化特性、环境温度、亮度劣化信息、及图像信号的灰度值的新劣化量进行相加，以生成新的亮度劣化信息。在这种情况下，亮度劣化特性生成部可以根据当测量亮度值时的测量温度和亮度值来生成在与测量温度不同的温度条件下的亮度劣化特性。在该信号处理装置中，根据测量温度和亮度值生成在与测量温度不同的温度条件下的亮度劣化特性。或者，所述信号处理装置可以进一步包括：图像信号供给部，用于响应于测量温度将图像信号提供至特定发光元件；当测量温度变成指定温度时，亮度劣化特性生成部根据指定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值来生成指定温度下的像素电路的亮度劣化特性。在该信号处理装置中，根据发光并且响应于测量温度而劣化的特定发光元件的亮度值来生成亮度劣化特性。否则，在特定发光元件的环境温度是特定温度的状态下，亮度劣化特性生成部根据特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值来生成特定温度下的像素电路的亮度劣化特性。在信号处理装置中，在特定发光元件的环境温度为特定温度的状态下，根据发光并且劣化的特定发光元件的亮度值来生成亮度劣化特性。

预定状态可以为像素电路没有经受亮度劣化的状态。在该信号处理装置中，像素电路没有经受亮度劣化的状态被设定为预定状态。

通过该信号处理装置、显示装置、电子装置、信号处理方法、及程序，能够实现的较大优势是能够以高精度校正使用发光元件的显示装置的重影。

下面，结合附图，根据下列描述和所附权利要求，本发明的上述和其他特征和优点将变得显而易见，附图中，相同的参考标号表示相同的部件或元件。

附图说明

图1是示出根据本发明第一实施方式的显示装置的结构实例的框图；

图2是示意性地示出图1的显示装置的像素电路的结构实例的电路图；

图3是示出图2的像素电路的基本操作实例的定时图；

图4A至图4C、图5A至图5C及图6是示出在不同时段内图2的像素电路的不同操作状态的示意性电路图；

图7是示出当用预定灰度值的图像信号驱动像素电路发光时图2的像素电路的使用时间与亮度劣化量之间的关系的示图；

图8是示出当在预定温度条件下驱动像素电路发光时图2的像素电路的使用时间与亮度劣化量之间的关系的示图；

图9是示出图1中所示的虚设的(dummy)像素阵列部的结构实例的框图；

图10A和图10B是分别示意性地示出关于图9中所示的虚设像素电路的亮度传感器的位置实例的截面图和平面图；

图11是示出图1中所示的重影校正部的功能结构实例的框图；

图12是示出图11中所示的亮度劣化特性供给块的功能结构实例的框图；

图13A至图13C是分别示出在图1的显示装置中所使用的通过三个亮度传感器的亮度测量实例、虚设像素劣化信息实例及温度信息实例的示图；

图14A和图14B是分别示出通过图12中所示的温度条件转换部的温度条件转换的实例和通过图12中所示的劣化特性生成部的劣化特性生成的实例的示图；

图15A至图15C是示意性对示出通过图12中所示的劣化特性生成部所生成的各个温度的劣化特性实例的示图；

图16是示出通过图11中所示的亮度劣化信息更新部的亮度劣化信息的生成实例的示图；

图17是示出通过图11中所示的亮度劣化校正值计算部的亮度劣化校正模式的生成实例的概略图；

图18A和图18B是分别示出在未生成每个温度的劣化特性的情况下的像素电路亮度劣化的校正实例和图1的显示装置中像素电路亮度劣化的校正实例的示图；

图19A和图19B是示出通过本发明第一实施方式的图像信号的校正效果的示意图；

图20是示出通过图12的亮度劣化特性供给块的劣化特性的生成处理过程实例的流程图；

图21是示出通过图11所示的亮度劣化信息集成块的亮度劣化信息的更新处理过程实例的流程图；

图22是示出通过图11所示的亮度劣化校正模式生成块的亮度劣化校正模式的生成处理过程实例的流程图；

图23是示出通过图11所示的亮度劣化校正运算块的图像信号的校正处理程序实例的流程图；

图24是示出根据本发明第二实施方式的显示装置的结构实例的框图；

图25是示出图24中所示的虚设像素阵列部的结构实例的框图；

图26是示出图24中所示的亮度劣化特性供给块的功能结构实例的框图；

图27是示出通过在图24的显示装置中所使用的就个亮度传感器的亮度测量实例的示图；

图28是示出在图24的显示装置中所使用的虚设像素劣化信息实例的示图；

图29A至图29C是示意性示出用于通过图26中所示的劣化特性生成部所生成的各个温度的劣化特性实例的示图；

图30是示出通过图26的亮度劣化特性供给块的劣化特性的生成处理过程实例的流程图；

图31是示出通过图24中所示的虚设像素发光信号生成部的发光信号的生成处理过程实例的流程图；

图32是示出根据本发明第三实施方式的显示装置的虚设像素阵列部的结构实例的框图；

图33A至图33C是示出图32中所示的温度控制块的结构实例的框图以及分别示出薄膜加热器相对于图32中所示的虚设像素电路的位置关系的俯视图和截面图；

图34是示出通过在根据本发明第三实施方式的显示装置中所使用的九个亮度传感器的亮度测量实例的示图；

图35是示出在根据本发明第三实施方式的显示装置中所使用的虚设像素劣化信息实例的示图；

图36A至图36C是示意性地示出了用于通过根据本发明第三实施方式的显示装置的劣化特性生成部所生成的各个温度的劣化特性实例的示图；

图37是示出将本发明的实施方式应用于电视机的实例的透视图；

图38是示出将本发明的实施方式应用于数码像机的实例的前后立体图；

图39是示出将本发明的实施方式应用于笔记本式个人计算机的实例的透视图；

图40是分别示出了将本发明的实施方式应用于便携终端装置的实例的在未折叠和折叠状态下的正面立体图；以及

图41是示出将本发明的实施方式应用于摄像机的实例的透视图。

具体实施方式

下面，描述本发明的优选实施方式。以下面的顺序给出描述。

1.第一实施方式(显示控制：使用温度条件转换部执行温度条件转换从而计算每个温度的劣化特性的实例)

2.第二实施方式(仅在特定温度下劣化的虚设像素电路被用于计算每个温度的劣化特性的实例)

3.第三实施方式(保持虚设像素电路的温度固定在预定温度从而计算每个温度的劣化特性的实例)

4.发明的应用(显示控制：电子装置的实例)

<1.第一实施方式>

显示装置的结构实例

图1示出了根据本发明第一实施方式的显示装置100的结构实例。参照图1，显示装置100包括重影校正部200、写入扫描器(WSCN：WriteSCaNner)110、及水平选择器(HSEL：Horizontal SELector)120。显示器100进一步包括电源扫描器(DSCN：Drive SCaNner)130、像素阵列部140、虚设像素发光信号生成部150、及虚设像素阵列部300。像素阵列部140包括以二维矩阵方式所排列的n×m(m和n为大于等于2的整数)个像素电路600至605。为了便于说明和描述，在图1中，示出了第一、第二、和第m行中的第一列和第n列中所设置的六个像素电路600至605。

像素阵列部140进一步包括温度传感器141。温度传感器141测量像素电路的周围环境温度，并经信号线208将所测量的温度信息提供至重影校正部200。应当注意，假定所有像素电路中像素电路的温度相同。换句话说，假设像素阵列部140和虚设像素阵列部300的温度彼此相等。

显示装置100进一步包括用于将像素电路600至605与写入扫描器(WSCN)100彼此连接的扫描线(WSL：Write Scan Line)160。应当注意，扫描线(WSL)160还将虚设像素阵列部300的虚设像素电路与写入扫描器(WSCN)110彼此连接。在图1中，为了便于说明，示出了第一、第二、及第m行的扫描线(WSL)161至163。

显示装置100进一步包括将像素电路600至605与水平选择器(HSEL)120彼此连接的数据线(DTL：Data Line)170。应当注意，数据线(DTL)170还将虚设像素阵列部300的虚设像素电路和水平选择器(HSEL)120彼此连接。在图1中，为了便于说明，示出了第一和第n列的数据线(DTL)171和172以及被连接至虚设像素电路的数据线(DTL)173。

此外，显示装置100包括将像素电路600至605与电源扫描器(DSCN)130彼此连接的电源线(DSL：Drive Scan Line)180。应当注意，电源线(DSL)180还将虚设像素阵列部300的虚设像素电路与电源扫描器(DSCN)130彼此连接。在图1中，为了便于说明，分别示出第一、第二、及第m行的电源线(DSL)181至183。

重影校正部200响应于像素电路600至605中的每一个的劣化度来改变图像信号的灰度值以校正重影。重影校正部200基于经信号线390向其提供的虚设像素电路的亮度、经信号线208向其提供的温度信息、及图像信号的灰度值来计算像素电路600至605中的每一个的劣化度。然后，重影校正部200基于所计算的像素电路600至605中的每一个的劣化度来改变经信号线201向其提供的图像信号的灰度值。此处，图像信号的灰度值是指明发光亮度的大小状态的图像信号的灰度值。同时，虚设像素电路是实际上并不被用于显示而是被用于测量像素电路劣化度的像素。

此处，假设发光亮度大小被表示为256阶或级。此外，假设由于像素电路600的劣化，基于灰度值为“100”的图像信号的发光亮度从200nit劣化至100nit，并且基于灰度值为“200”的图像信号的发光亮度从300nit劣化至200nit。在这种情况下，为了使像素电路600发射具有200nit的光，重影校正部200将图像信号的灰度值从“100”变为“200”，从而校正重影。

重影校正部200将经校正的图像信号(即，经校正灰度值的图像信号)经信号线209提供至水平选择器(HSEL)120。应当注意，下文中，参照图10A至图19B等详细描述本发明第一实施方式中的重影校正部200。

写入扫描器(WSCN)110执行以行为单位顺序扫描像素电路600至605的线序扫描。写入扫描器(WSCN)110以行为单位控制要将提供自数据线(DTL)170的数据信号写入像素电路600至605的定时。此外，写入扫描器(WSCN)110对虚设像素阵列部300的虚设像素电路执行线序扫描，从而以行为单位控制要将提供自数据线(DTL)170的数据信号写入虚设像素电路的定时。写入扫描器(WSCN)110生成用于写入数据信号的导通电位或用于停止数据信号写入的截止电位作为扫描信号。写入扫描器(WSCN)110将所生成的扫描信号提供至扫描线(WSL)160。

水平选择器(HSEL)120将用于设定待被发射的光的亮度大小的数据信号提供至像素阵列部140的像素电路600至605和虚设像素阵列部300的虚设像素电路。水平选择器(HSEL)120包括显示像素选择块121和虚设像素选择块122。

显示像素选择块121与通过写入扫描器(WSCN)110的线序扫描同步地将用于设定即将从像素电路600至605所发射的光的亮度大小的数据信号提供至每列中的像素电路600至605。水平选择器(HSEL)120生成用于设定待被发射的光的亮度大小的图像信号的电位(即，信号电位)和用于执行作为像素电路600至605的组件的驱动晶体管的阈值电压的校正(即，阈值校正)的另一个电位(即，参考电位)，作为数据信号。水平选择器(HSEL)120将所生成的数据信号提供至数据线(DTL)170。

虚设像素选择块122与通过写入扫描器(WSCN)110的线序扫描同步地提供用于设定虚设像素阵列部300的虚设像素电路的发光亮度大小的数据信号。虚设像素选择块122响应于从虚设像素发光信号生成部150提供的发光信号而生成待被提供至虚设像素的信号电位或参考电位作为数据信号。虚设像素选择块122将所生成的数据信号提供至数据线(DTL)170。

电源扫描器(DSCN)130与通过写入扫描器110的线序扫描同步地以行为单位生成用于驱动像素电路600至605的电源信号。电源扫描器(DSCN)130生成用于驱动像素电路600至605的电源电位或用于初始化像素电路600至605的初始化电位来作为电源信号。此外，电源扫描器(DSCN)130与像素电路600至605类似地生成电源电位或初始化电位作为虚设像素电路的电源。电源扫描器(DSCN)130将所生成的电源信号提供至电源线(DSL)180。

虚设像素发光信号生成部150生成用于确定即将从虚设像素电路发射的光的亮度大小的发光信号。虚设像素发光信号生成部150生成对应于用于测量虚设像素的劣化的亮度的发光信号，并且将所生成的发光信号提供至虚设像素选择块122。应当注意，虚设像素发光信号生成部150是图像信号供给部的一个实例。

虚设像素阵列部300包括虚设像素电路。下文中，参照图9详细描述虚设像素阵列部300。

像素电路600至605基于来自扫描线(WSL)160的扫描信号保持来自数据线(DTL)170的图像信号的电位，并且响应于所保持的电位在预定时段内发光。此处，参照图2描述像素电路600至605的结构实例。

像素电路的结构实例

图2示意性示出了本发明第一实施方式中的像素电路600至605的结构实例。应当注意，像素电路600至605具有相同结构，因此，本文在参照图2等给出的下列描述中，主要给出像素电路600的描述，而省略像素电路601至605的描述。

参照图2，像素电路600包括写入晶体管610、驱动晶体管620、保持电容器630、及发光元件640。此处，假设写入晶体管610和驱动晶体管620中的每一个均为n沟道晶体管。

在像素电路600中，扫描线(WSL)160和数据线(DTL)170分别连接至写入晶体管610的栅极端子和漏极端子。此外，驱动晶体管620的栅极端子(g)和保持电容器630的其中一个电极(即，一个端子)连接至写入晶体管610的源极端子。此处，它们的连接部表示为第一节点(ND1)650。同时，电源线(DSL)180连接至驱动晶体管620的漏极端子(d)，并且保持电容器630的另一个电极或端子和发光元件640的正电极被连接至驱动晶体管620的源极端子(s)。此处，连接部被表示为第二节点(ND2)660。

写入晶体管610根据来自扫描线(WSL)160的扫描信号将来自数据线(DTL)170的数据信号提供至第一节点(ND1)650。写入晶体管610为了消除像素电路600的驱动晶体管620的阈值电压的差异(dispersion)而将数据信号的参考电位提供至保持电容器630的一个端子。此处，参考电位是被用作用于使对应于驱动晶体管620的阈值电压的电压进入保持电容器630的参考的固定电位。

此处，写入晶体管610在对应于驱动晶体管620的阈值电压的电压被保持在保持电容器630后将数据信号的信号电位依次写入保持电容器630的这一个端子。

驱动晶体管620为了驱动发光元件640发光基于响应于信号电位而保持在保持电容器630中的信号电压来将驱动电流输出至发光元件640。驱动晶体管620在从电源线(DSL)180施加用于驱动该驱动晶体管620的电源电位的状态下将与在保持电容器630中所保持的信号电压对应的驱动电流输出至发光元件640。

保持电容器630保持与从写入晶体管610向其提供的数据信号对应的电压。换句话说，保持电容器630的作用是保持与由写入晶体管610写入其中的信号电位对应的信号电压。

发光元件640响应于从驱动晶体管620向其输出的驱动电流的大小来发光。发光元件640的输出端子连接至阴极线680。从阴极线680提供作为发光元件640的参考电位的阴极电位(Vcat)。能够(例如)使用有机EL元件来实现发光元件640。

应当注意，虽然在本实例中假设写入晶体管610和驱动晶体管620中的每一个为n沟道晶体管，但是写入晶体管610和驱动晶体管620的类型的组合不限于此。例如，写入晶体管610和驱动晶体管620中的每一个可以为p沟道晶体管。此外，所提及的晶体管可以为增强型、耗尽型、或双栅极型。

此外，尽管像素电路600的结构实例为驱动电流从2个晶体管610和620及一个保持电容器630被提供至发光元件640，但是像素电路的结构不限于此。例如，可以采用任意结构，只要其包括驱动晶体管620和发光元件640即可。例如，此外在像素电路包括用于控制发光的三个或更多个晶体管的情况下，像素电路在其包括驱动晶体管620和发光元件640的条件下就能够被应用。现在，参照图3详细描述上文所述的像素电路600的操作实例。

像素的基本操作的实例

图3是示出具有参照图2在上面所述的结构的像素电路600的基本操作的实例的定时图。参照图3，横轴为公共时间轴，并且示出了扫描线(WSL)160、电源线(DSL)180、数据线(DTL)170、第一节点(ND1)650、及第二节点(ND2)660的电位变化。应当注意，表示时间的横轴的长度是示意性表示的，而不指示不同时段中的时间长度比率。

在图3的定时图中，为了便于示出和描述，像素电路600的操作转换被划分为时段TP1至TP6。首先，在发光时段TP6内，发光元件640处于发光状态。在这个发光时段TP6内，扫描线(WSL)160的扫描信号的电位被设定为截止电位(Voff)。此外，在这个发光时段TP6内，电源线(DSL)180的电源信号的电位被设定为电源电位(Vcc)。

此后，进入线序扫描的新场(new field)，并且在阈值校正准备时段TP1内，电源线(DSL)180的电位被设定为用于初始化第二节点(ND2)660的初始化电位(Vss)。随后，第一节点(ND1)650和第二节点(ND2)660的电位下降。

然后，在另一个阈值校正准备时段TP2内，扫描线(WSL)160的电位被设定为导通电位(Von)，使得第一节点(ND1)650的电位被初始化为参考电位(Vofs)。随后，第二节点(ND2)660的电位被初始化为初始化电位(Vss)。随着第一节点(ND1)650和第二节点(ND2)660分别以这种方式被初始化，完成用于阈值校正操作的准备。

随后，在阈值校正时段TP3内，执行用于校正像素电路600的驱动晶体管620的阈值电压的阈值校正操作。此时，电源线(DSL)180的电源电压被设定为电源电位(Vcc)，使得第一节点(ND1)650与第二节点(ND2)660之间保持对应于驱动晶体管620的阈值电压的电压(Vth)。换句话说，在保持电容器630中保持与驱动晶体管620的阈值电压对应的电压(Vth)。

此后，在时段TP4内，在被提供至扫描线(WSL)160的扫描信号电位变成截止电位(Voff)之后，数据线(DTL)170的数据信号从参考电位(Vofs)变成信号电位(Vsig)。

然后，在写入时段/迁移率校正(mobility correction)时段TP5内，执行图像信号的写入操作和用于执行驱动晶体管620的迁移率校正的迁移率校正操作。此时，扫描线(WSL)160的扫描信号电位变成导通电位(Von)，随后，第一节点(ND1)650的电位升高至信号电位(Vsig)。随后，信号电位(Vsig)由写入晶体管610写入第一节点(ND1)650。

另一方面，第二节点(ND2)660的电位相对于阈值校正时段TP3内所提供的阈值电位(Vofs-Vth)根据驱动晶体管620的对应于信号电位(Vsig)的迁移率而升高了上升量(ΔV)。换句话说，第二节点(ND2)660的电位升高了“ΔV”作为迁移率校正操作的结果。

通过这种方式，在写入时段/迁移率校正时段TP5内，信号电位(Vsig)被施加至保持电容器630的一个端子，同时，作为上升量(ΔV)与阈值电位(Vofs-Vth)的相加的结果的电位((Vofs-Vth)+ΔV)被施加至保持电容器630的另一个端子。换句话说，值“Vsig-((Vofs-Vth)+ΔV)”作为根据图像信号的信号电压(Vgs1)被保持在保持电容器630中。由此，在保持电容器630中所保持的信号电压(Vsig-Vofs+Vth-ΔV)通过对应于驱动晶体管620的阈值电压的电压(Vth)和通过迁移率校正操作的上升量(ΔV)被校正。因此，获得了消除每个像素电路600的驱动晶体管620的阈值电压和迁移率的差异的影响的信号电压。

此后，在随后的发光时段TP6内，扫描线(WSL)160的扫描信号电位被设定为截止电位(Voff)，随后，第一节点(ND1)650被置于浮置状态。然后，第二节点(ND2)660的电位相对于在写入时段/迁移率校正时段TP5内所给出的电位(Vofs-Vth+ΔV)升高了量“Vel”。第二节点(ND2)660的这个电位上升量“Vel”随着图像信号的电位(Vsig)的升高而增大。此时，由于第二节点(ND2)660的电位超过了依赖于发光元件640的阈值电压(Vthel)和阴极线680的阴极电位(Vcat)的发光电位(Vthel+Vcat)，所以发光元件640发光。

另一方面，第一节点(ND1)650的电位还经保持电容器630的耦合从信号电位(Vsig)以跟随第二节点(ND2)660的电位升高的这种方式而升高“Vel’”。处于浮置状态的第一节点(ND1)650的电位以这种方式响应于第二节点(ND2)660的电位升高通过保持电容器630的耦合而上升的操作被称作自举(bootstrap)操作。

在这个自举操作中，第一节点(ND1)650的电位上升量(Vel’)与第二节点(ND2)660的电位上升量(Vel)相比被抑制。第二节点(ND2)660的电位上升量(Vel)和第一节点(ND1)650的电位上升量(Vel’)之间的关系能够通过下面的表达式1来表示：

Vel’＝Gb×Vel...表达式1

其中，Gb为小于“1.0”的值，并且能够通过下面的表达式2来表示。应当注意，Gb为自举增益。

Gb＝Cs/(Cs+Cp)...表达式2

其中，Cs为保持电容器630的电容值，而Cp为写入晶体管610的栅极与源极端子之间的寄生电容(即，写入晶体管gs寄生电容)与驱动晶体管620的栅极与漏极端子之间的寄生电容(即，驱动晶体管gd寄生电容)的总和。此处应当注意，就减小自举增益Gb的寄生电容而言，仅考虑写入晶体管gs寄生电容和驱动晶体管gd寄生电容

从表达式2中可以看出，通过写入晶体管gs寄生电容和驱动晶体管gd寄生电容，自举增益Gb具有小于“1.0”的值。这个自举增益Gb响应写入晶体管gs寄生电容和驱动晶体管gd寄生电容的电容值Cp的大小而改变。换句话说，随着写入晶体管gs寄生电容和驱动晶体管gd寄生电容的电容值Cp增大，自举增益Gb减小。此外，由于电容值Cp的大小在不同像素电路600至605中不同，所以自举增益Gb的大小在不同像素电路600至605中也不同。

通过这种方式，由于写入晶体管gs寄生电容和驱动晶体管gd寄生电容的电容值Cp，自举增益Gb具有小于“1.0”的值。因此，第一节点(ND1)650的电位上升量(Vel’)小于第二节点(ND2)660的电位上升量(Vel)。随后，在发光时段TP6内的信号电压(Vgs2)变得比写入时段/迁移率校正时段TP5中的信号电位(Vgs1)低“Vel-Vel’＝Vel(1-Gb)”。应当注意，在发光时段TP6的中间，数据线(DTL)170的数据信号从信号电位(Vsig)变成参考电位(Vofs)。因此，在发光时段TP6内，发光元件640发射具有对应于信号电压(Vsig-Vofs+Vth-ΔV-(Vel-Vel’))的亮度的光。

像素操作状态的细节

现在，将参照附图详细描述上述像素电路600的操作转换实例。

图4A至图6示出了本发明第一实施方式中像素电路600的操作转换实例。在下面描述中所参考的图4A至图6中，示出了与图3所示的定时图的时段TP1至TP6对应的像素电路600的操作状态。此外，为了便于示出，示出了发光元件640的寄生电容641。此外，将写入晶体管610作为开关示出，并且省略了扫描线(WSL)160。

图4A至图4C是分别示出对应于时段TP6、TP1及TP2的像素电路600的操作状态的示意性电路图。首先，在发光时段TP6中，如图4A所示，写入晶体管610处于截止或不导电状态，并且从电源线(DSL)180向驱动晶体管620施加电源电位(Vcc)。随后，由于从驱动晶体管620向发光元件640提供了驱动电流(Ids’)，所以发光元件640发射具有对应于驱动电流(Ids’)的亮度的光。

随后，在阈值校正准备时段TP1内，如图4B所示，电源线(DSL)180的电源信号从电源电位(Vcc)变成初始化电位(Vss)。因此，由于第二节点(ND2)660电位下降，所以发光元件640被置于不发光状态。此时，由于第一节点(ND1)650处于浮置状态，所以第一节点(ND1)650的电位也以跟随第二节点(ND2)660电位下降的这种方式下降。

然后，在阈值校正准备时段TP2内，扫描线(WSL)160(图2中所示)的电位变成导通电位(Von)。因此，如图4C所示，写入晶体管610被置于导通或导电状态。结果，第一节点(ND1)650的电位被初始化为从数据线(DTL)170提供的参考电位(Vofs)。

另一方面，第二节点(ND2)660的电位被初始化为电源线(DSL)180的初始化电位(Vss)。因此，第一节点(ND1)650和第二节点(ND2)660之间的电位差变为“Vofs-Vss”。此处应当注意，假定了电源线(DSL)180的初始化电位(Vss)被设定为足够低于参考电位(Vofs)的电位。

图5A至图5C为分别示出与时段TP3至TP5对应的像素电路600操作状态的示意性电路图。

在阈值校正准备时段TP2之后的阈值校正时段TP3中，如图5A所示，电源线(DSL)180的电源信号变成电源电位(Vcc)。随后，驱动晶体管620被置于导通状态，并且电流从驱动晶体管620被提供至第二节点(ND2)660。结果，第二节点(ND2)660的电位上升。在这种情况下，第二节点(ND2)660的电位上升，直至第一节点(ND1)650与第二节点(ND2)660之间的电位差变得等于与驱动晶体管620的阈值电压对应的电位差(Vth)为止。

与驱动晶体管620的阈值电压对应的电位差(Vth)以如上所述的这种方式被保持在保持电容器630中。换句话说，这就是阈值校正操作。应当注意，阴极线680的阴极电位(Vcat)和来自数据线(DTL)170的参考电位(Vofs)被预先设定，使得电流不会从驱动晶体管620流向发光元件640。

此后，在时段TP4内，如图5B所示，从扫描线(WSL)160提供的扫描信号变成截止电位(Voff)，并且写入晶体管610被置于截止状态。随后，数据线(DTL)170的数据信号电位从参考电位(Vofs)变成图像信号的电位(Vsig)。此处，考虑数据线(DTL)170的瞬态特性，写入晶体管610被保持在截止状态一段时间，直至数据信号达到图像信号的电位(Vsig)为止。

此后，在写入时段/迁移率校正时段TP5内，如图5C所示，扫描线(WSL)160的扫描信号电位变成导通电位(Von)，并且写入晶体管610被置于导通状态。随后，图像信号电位(Vsig)通过写入晶体管610被写入保持电容器630的一个端子，结果，第一节点(ND1)650的电位被设定为图像信号电位(Vsig)。

此时，由于依赖于驱动晶体管620的迁移率的电流从驱动晶体管620流至第二节点(ND2)660，所以保持电容器630和寄生电容641被充电，并且第二节点(ND2)660的电位升高。具体地，第二节点(ND2)660的电位相对于阈值电位(Vofs-Vth)升高了根据驱动晶体管620的迁移率的上升量(ΔV)。换句话说，这就是迁移率校正操作。

因此，作为第一节点(ND1)650与第二节点(ND2)660之间的电位差的信号电压(Vgs1)变为“Vsig-Vofs+Vth-ΔV”。换句话说，保持电容器630保持“Vsig-Vofs+Vth-ΔV”作为信号电压(Vgs1)。

在写入时段/迁移率校正时段TP5内，以这种方式执行图像信号的电位(Vsig)的写入和通过迁移率校正的上升量(ΔV)的调节。此时，由于来自驱动晶体管620的电流随着图像信号电位(Vsig)升高而增大，所以通过迁移率校正的上升量(ΔV)也增大。因此，能够执行响应亮度水平(即，响应图像信号的电位)的迁移率校正。

此外，在像素电路600至605的图像信号的电位(Vsig)被固定的情况下，作为迁移率校正的结果，像素电路600至605中的其驱动晶体管620的迁移率高的那一个像素电路表现出大上升量(ΔV)。具体地，在像素电路600至605中的其驱动晶体管620的迁移率高的那一个像素电路中，来自驱动晶体管620的电流比像素电路600至605中的其驱动晶体管620的迁移率较低的另一个像素电路更高，并且驱动晶体管620的栅源极电压也降低同样多。因此，在驱动晶体管620的迁移率高的像素电路600中，从驱动晶体管620输出的驱动电流被调节为基本等于其驱动晶体管620的迁移率较小的像素电路601至605的驱动电流的大小。以这种方式消除了对于像素电路600至605中的每一个的驱动晶体管620的迁移率的差异。

图6为示出对应于时段TP6的像素电路600的操作状态的示意性电路图。

在发光时段TP6内，从扫描线(WSL)160提供的扫描信号的电位变成截止电位(Voff)，因此，写入晶体管610被置于截止状态。然后，第二节点(ND2)660的电位相对于在写入时段/迁移率校正时段TP6所给出的电位(Vofs-Vth+ΔV)升高了根据来自驱动晶体管620的驱动电流大小的电位(Vel)。

相反，第一节点(ND1)650的电位通过保持电容器630的自举操作以由表达式1所给出的比率而升高。此时，第一节点(ND1)650的电位上升量(Vel’)为通过将第二节点(ND2)660的电位上升量(Vel)乘以小于“1.0”的自举增益Gb所获取的值。具体地，由于第一节点(ND1)650的电位上升量(Vel’)响应于写入晶体管gs寄生电容和驱动晶体管gd寄生电容的电容值Cp而被抑制，所以其小于第二节点(ND2)660的电位上升量(Vel)。

因此，作为第一节点(ND1)650与第二节点(ND2)660之间电位差的信号电压(Vgs2)比刚好在写入时段/迁移率校正时段TP5结束前的时间点时的信号电位(Vgs1)低“Vel-Vel’”。换句话说，刚好在发光时段TP6结束前的时间点时的信号电位(Vgs2)变成比写入时段/迁移率校正时段TP5内的信号电压(Vgs1)更低的“Vgs1-(Vel-Vel’)”。因此，发光元件640发射具有根据与发光时段TP6内的信号电压(Vgs2)对应的驱动电流Ids的亮度的光。

如上文中参照图3至图6的描述，本发明第一实施方式中的显示装置100的像素电路600当与经数据线(DTL)170所提供的信号电位对应的驱动电流被提供至发光元件640时发射具有对应于驱动电流的亮度的光。具体地，如果构成像素电路600的发光元件640等劣化，则根据信号电位的亮度值从初始状态被偏移了发光等的变化量。如果这种偏移在所有像素电路中等量发生，则之前刚被显示的图像之后看起来继续存在的现象(即，重影现象)不会发生。

但是，由于有机EL元件通过响应于待被显示的图像数据来改变待被发射的光量而表现出灰度级，所以有机EL元件的劣化度在显示屏幕的不同像素电路中不同。因此，随着经受更大劣化的像素电路的显示变得比周围像素电路的显示更暗，重影现象发生。

像素电路劣化的实例

现在，参照图7和图8描述本发明第一实施方式中的像素电路的劣化特性。

图7示出了用预定灰度值的图像信号进行驱动以发光的像素电路600的使用时段与本发明第一实施方式中像素电路的亮度劣化量之间的关系。

在图7中，纵轴表示像素电路600的亮度的劣化量，即，亮度劣化量，而横轴表示像素电路600的使用时段，即，发光时段。因此，图7示出了三个劣化特性，即，劣化特性691至693。应当注意，在图7中，假定了表现出三个劣化特性时的像素电路600的温度彼此相等。

劣化特性(灰度值100)691是指示用灰度值为“100”的图像信号发光的像素电路600的劣化的特性。劣化特性(灰度值100)691显示出基于灰度值“100”的图像信号的劣化在使用刚刚开始之后迅速地进行，而在使用开始之后经过发光时间之后平缓地进行。

劣化特性(灰度值150)692是指示用灰度值为“150”的图像信号发光的像素电路600的劣化的特性。劣化特性(灰度值150)692显示出劣化比像素电路600在用灰度值为“100”的图像信号来驱动以发光的情况下的劣化更迅速地进行。

劣化特性(灰度值200)693是指示用灰度值为“200”的图像信号发光的像素电路600的劣化的特性。劣化特性(灰度值200)693显示出劣化比像素电路600在用灰度值为“150”的图像信号来驱动以发光的情况下劣化的更迅速地进行。

如图7所示，如果像素电路600用具有低灰度值的图像信号来驱动以发光，则其劣化平缓地进行，但如果其用具有高灰度值的图像信号来驱动以发光，则其劣化快速地进行。此外，像素电路600的劣化在像素电路600使用刚开始后迅速地进行，而在使用开始之后经过发光时间之后平缓地进行。

图8是示出在本发明第一实施方式中在预定温度条件下驱动像素电路600发光的情况下像素电路600的使用时段与像素电路600的亮度劣化量之间的关系的示图。

在图8中，纵轴表示像素电路600的亮度的劣化量，即，亮度劣化量，横轴表示像素电路600的使用时段，即，发光时间。因此，图8示出了三个劣化特性694至696。应当注意，在图8中，假定了表现出三个劣化特性的被提供至像素电路600的图像信号的灰度值彼此相同。

劣化特性(温度20℃)694指示像素电路600在“20℃”的温度条件下被驱动以发光的情况下的劣化。类似于上文中参照图7描述的三种劣化特性691至693，劣化特性694(温度20℃)显示出劣化在使用刚刚开始之后迅速地进行，而在使用开始之后经过发光时间之后平缓地进行。

劣化特性(温度30℃)695是指示像素电路600在“30℃”的温度条件下被驱动以发光的情况下的劣化的特性。劣化特性(温度30℃)695显示出劣化比像素电路600在“20℃”的温度条件下被驱动以发光的情况下的劣化更迅速地进行。

劣化特性(温度40℃)696是指示像素电路600在“40℃”的温度条件下被驱动以发光的情况下的劣化的特性。劣化特性(温度40℃)696显示出劣化比像素电路600在“30℃”的温度条件下被驱动以发光的情况下的劣化更迅速地进行。

如图8所示，如果像素电路600在较低温度条件下被驱动以发光，则其劣化平缓地进行。另一方面，如果像素电路600在较高温度条件下被驱动以发光，则其劣化迅速地进行。

换句话说，温度上的差别与像素电路600劣化进行速度上的差异相关。因此，在本发明第一实施方式中，描述了显示装置的实例，其中，基于显示装置的温度条件来校正使用虚设像素测量的亮度劣化以校正重影。虚设像素阵列部的结构实例

图9示出了本发明第一实施方式中的虚设像素阵列部300的结构实例。应当注意，在本发明第一实施方式中，测量了基于三个灰度值的发光信号的像素电路的劣化。

参照图9，示出了虚设像素阵列部300、写入扫描器(WSCN)110、像素阵列部140、及电源扫描器(DSCN)130。此外，示出扫描线(WSL)164至166作为被连接至虚设像素阵列部300的扫描线(WSL)160，并且示出数据线(DTL)173作为被连接至虚设像素阵列部300的数据线(DTL)170。此外，示出电源线(DSL)184至186作为被连接至虚设像素阵列部300的电源线(DSL)180。此外，将信号线391至393作为将虚设像素阵列部300和重影校正部200进行连接的信号线390示出。关注于图9中的虚设像素阵列部300来给出描述。

虚设像素阵列部300是其中设置了实际上未被用于显示而是被用于测量像素电路的劣化度的虚设像素电路的区域。例如，在(例如)阵列基板的不执行显示的位置(诸如阵列基板的被框架隐藏的位置)处形成虚设像素阵列部300。虚设像素阵列部300包括亮度检测单元310、320及330。应当注意，亮度检测单元310、320、及330被设置在一列中。

亮度检测单元310、320、及330用于基于预定灰度值的发光信号来测量像素电路的劣化。亮度检测单元310、320、及330包括一个虚设像素电路和一个亮度传感器。应当注意，亮度检测单元320和330具有与亮度检测单元310相同的结构，因此，下面给出亮度检测单元310的虚设像素电路311和亮度传感器312的描述。

类似于上文中参照图2至图8所述的像素电路600，虚设像素电路311基于来自扫描线(WSL)160的扫描信号来保持来自数据线(DTL)170的图像信号的电位，并且响应于所保持的电位而在预定时间段内发光。扫描线(WSL)164、数据线(DTL)173、及电源线(DSL)184被连接至虚设像素电路311。应当注意，在本发明的第一实施方式中，虚设像素电路311具有与上文中参照图2所述的像素电路600的结构类似的结构。而且，应当注意，所述虚设像素电路311为特定像素电路的一个实例。

虚设像素电路311仅发射具有特定灰度值的光。例如，亮度检测单元310的虚设像素电路311发射具有灰度值“200”的光，亮度检测单元320的虚设像素电路发射具有另一个灰度值“150”的光，同时，亮度检测单元330的虚设像素电路发射具有其他灰度值“100”的光。

亮度传感器312用于测量虚设像素电路311的亮度。亮度传感器312为了仅接收虚设像素电路311所发射的光而被设置在虚设像素电路311附近，并且与虚设像素电路311一起与外部光隔离，使其不能接收来自外部的光。亮度传感器312通过信号线391将关于虚设像素亮度的信息(即，虚设像素亮度信息)提供至重影校正部200。

通过以这种方式设置虚设像素阵列部300，能够在与用于显示图像的像素电路600的温度条件类似的温度条件下测量通过基于预定亮度值的发光的像素电路亮度劣化，即，亮度劣化。

应当注意，尽管图9中示出了三个亮度检测单元，但是本发明不限于此。例如，能够通过增加亮度检测单元的数目以增加待被测量的灰度值的数目来增加即将通过其来测量劣化度的灰度值的数目。

此外，尽管在图9中，亮度测量单元被排列在一列中，并且设置了虚设像素阵列部300的扫描线(WSL)、数据线(DTL)、及电源线(DSL)184，但是本发明不限于此。例如，可以共用像素阵列部140的信号线，从而实现电路的简化。

亮度传感器和虚设像素电路的位置实例

图10A和图10B分别为示意性示出本发明第一实施方式中的虚设像素电路311和亮度传感器312的位置结构实例的截面图和平面图。

图10A示意性示出了亮度传感器312和虚设像素电路311的截面结构。在图10A中，示出了发光元件640和TFT(薄膜晶体管)像素电路197作为构成虚设像素电路311的电路。此外，在图10A中，示出了亮度传感器312、树脂198、及玻璃199。例如，TFT像素电路197被设置在玻璃199上，并且发光元件640被设置在TFT像素电路197上。此外，用树脂198覆盖发光元件640，并且在树脂198上设置亮度传感器312。换句话说，亮度传感器312被设置在发光元件640上，其间插入树脂198。

如图10A所示，亮度传感器312被设置在能够从发光元件640有效地接收光的位置处。

图10B示出了在显示单元内部中包括显示装置100的显示单元的亮度传感器312和虚设像素电路311的位置结构的实例。此外，在图10B中，示出了作为显示单元的框架部的框架区191和作为用于显示屏幕图像的部分的显示区192。此外，在框架区191中示出了虚设像素区193、TFT像素电路197、及亮度传感器312。

如图10B所示，亮度传感器和虚设像素电路设置在显示单元等的不用于显示的区域中。

重影校正部的结构实例

图11为示出本发明第一实施方式中的重影校正部200的功能结构实例的框图。参照图11，重影校正部200包括亮度劣化信息积分块220、亮度劣化校正模式生成块230、亮度劣化校正运算块240、及亮度劣化特性供给块400。

此处，在本发明的第一实施方式中，假定没有经受任何劣化的初始状态中的像素电路的亮度用作用于校正的参考，并且对图像信号进行校正，使得经受劣化的像素电路600至605的亮度可以与参考一致。

此外，为了便于描述，假定本发明第一实施方式中的重影校正部200通过以一分钟的时间间隔获取每帧的被校正图像信号来更新在亮度劣化信息积分块220中所保持的信息。此外，为了便于描述，假定亮度劣化校正模式生成块230在每次更新亮度劣化信息积分块220中所保持的信息时生成新的校正模式。

亮度劣化信息特性供给块400根据虚设像素电路的亮度生成亮度特性，并且提供所生成的亮度特性。具体地，亮度劣化特性供给块400基于从温度传感器141经信号线208提供的温度信息和从亮度传感器312经信号线390提供的虚设像素亮度信息来生成每个温度和每个亮度的劣化特性。亮度劣化特性供给块400将所生成的劣化特性经信号线401提供至亮度劣化信息积分块220。此外，亮度劣化特性供给块400将所生成的劣化特性经信号线402提供至亮度劣化校正模式生成块230。应当注意，亮度劣化特性供给块400为亮度劣化特性生成部的一个实例。

亮度劣化信息积分块220基于像素电路600至605的劣化保持关于亮度劣化的信息(即，亮度劣化信息)，并且依次更新亮度劣化信息。此外，亮度劣化信息积分块220将关于像素电路600至605的亮度劣化的新劣化量依次与相关亮度劣化信息相加以更新亮度劣化信息。此处，例如，亮度劣化信息是通过将像素电路600至605的亮度劣化量转换成特定灰度值的图像信号的发光时间段而获得的值。亮度劣化信息积分块220包括亮度劣化信息更新部221和亮度劣化信息保持部222。应当注意，亮度劣化信息积分块220为加算部的一个实例。此外，亮度劣化特性供给块400和亮度劣化信息积分块220为亮度劣化信息生成部的一个实例。

亮度劣化信息更新部221通过将像素电路600至605的新的亮度劣化量进行相加来更新在亮度劣化信息保持部222中所保持的亮度劣化信息。具体地，亮度劣化信息更新部221(例如)基于从亮度劣化校正运算块240提供的被校正的图像信号使用从信号线401提供的劣化特性来计算关于像素电路600至605的新的亮度劣化的信息。

亮度劣化信息更新部221将关于新劣化的信息依次与该亮度劣化信息进行相加以生成经更新的亮度劣化信息。亮度劣化信息更新部221将经更新的亮度劣化信息提供至亮度劣化信息保持部222。应当注意，下文中参照图16详细描述经更新的亮度劣化信息的生成实例。

亮度劣化信息保持部222保持亮度劣化信息，具体地，保持像素电路600至605中的每一个的亮度劣化信息。此外，亮度劣化信息保持部222在每次被提供了由亮度劣化信息更新部221所更新的亮度劣化信息时依次保持经更新的亮度劣化信息。亮度劣化信息保持部222将其中所保持的亮度劣化信息提供至亮度劣化信息更新部221和亮度劣化校正模式生成块230。应当注意，下文中参照图17描述亮度劣化信息的实例。

亮度劣化校正模式生成块230生成用于校正亮度劣化的模式，即，亮度劣化校正模式。亮度劣化校正模式是根据像素电路600至605的亮度劣化的校正值(即，亮度劣化校正值)所构造的校正模式，并且是用于校正亮度劣化的校正信息。亮度劣化校正模式生成块230包括参考亮度特性信息供给部231、目标亮度特性信息生成部232、亮度劣化校正值计算部233、及亮度劣化校正模式保持部234。应当注意，亮度劣化校正模式生成块230是亮度劣化值计算部的一个实例。

参考亮度特性信息供给部231提供关于待被用作用于校正亮度劣化的参考的像素电路的亮度特性信息来作为参考亮度特性信息。亮度特性信息是关于被提供至像素电路的图像信号与基于该图像信号的发射光亮度之间的相关特性(即，亮度特性)的信息。例如，在本发明第一实施方式中，参考亮度特性信息供给部231保持关于在没有经受劣化的状态下(即，初始状态下)的像素电路的亮度特性信息。然后，参考亮度特性信息供给部231将其中所保持的亮度特性信息作为参考亮度特性信息提供至亮度劣化校正值计算部233。应当注意，下文中参照图18A和图18B描述亮度特性、亮度特性信息、及参考亮度特性信息的一个实例。

目标亮度特性信息生成部232提供作为生成亮度劣化校正值的目标的像素电路的亮度特性信息来作为目标亮度特性信息。例如，目标亮度特性信息生成部232从亮度劣化信息保持部222依次获取关于像素电路600至605的亮度劣化信息。然后，例如，如果在特定灰度值处的发光时间为亮度劣化信息，那么目标亮度特性信息生成部232使用从亮度劣化特性供给块400向其提供的劣化特性根据所获取的亮度劣化信息来计算像素电路的劣化量。然后，目标亮度特性信息生成部232使用(例如)表示劣化量与效率系数之间的相关性的表达式根据所获取的劣化信息来计算亮度特性信息。之后，目标亮度特性信息生成部232将所计算的亮度特性信息作为目标亮度特性信息提供至亮度劣化校正值计算部233。应当注意，下文中参照图18A和图18B描述目标亮度特性信息的一个实例。

亮度劣化校正值计算部233为了生成亮度劣化校正模式基于参考亮度特性信息和目标亮度特性信息来计算像素电路600至605中的每一个的亮度劣化校正值。具体地，亮度劣化校正值计算部233(例如)通过除法(其中，目标亮度特性信息是分子，而参考亮度特性信息是分母)来计算亮度劣化校正值。亮度劣化校正值计算部233生成所有像素电路600至605的亮度劣化校正值。亮度劣化校正值计算部233将所生成的亮度劣化校正值提供至亮度劣化校正模式保持部234。应当注意，下文中参照图18A和图18B描述亮度劣化校正值。

亮度劣化校正模式保持部234保持从各个像素电路的亮度劣化校正值计算部233向其提供的亮度劣化校正值。下文中，关于像素电路的亮度劣化校正模式被称作亮度劣化校正模式。亮度劣化校正模式保持部234将其中所保持的亮度劣化校正模式提供至亮度劣化校正运算块240。应当注意，下文中参考图17描述亮度劣化转换模式的一个实例。

亮度劣化校正运算块240基于从亮度劣化校正模式保持部234向其提供的亮度劣化校正模式来改变经信号线201向其输入的图像信号的灰度值，以校正亮度劣化。此外，亮度劣化校正运算块240将灰度值被校正(即，校正灰度值)的图像信号经信号线209提供至亮度劣化信息积分块220和水平选择器(HSEL)120。应当注意，下文中将参考图18A和图18B详细描述亮度劣化校正运算块240的校正内容的实例。应当注意，亮度劣化校正运算块240为校正部的一个实例。

由此，通过在重影校正部200中提供亮度劣化特性供给块400，从亮度传感器312所提供的虚设像素亮度信息被用于基于像素电路的劣化来校正亮度的劣化。

应当注意，此处，尽管通过以一分钟为间隔获取关于每帧被校正的图像信号来更新亮度劣化信息积分块220中所保持的信息，但是本发明不限于此。例如，可以通过假定像素电路用获取到的图像信号发光持续十分钟来以十分钟为间隔获取经校正的图像信号，以更新亮度劣化信息。通过以这种方式将亮度劣化信息的更新间隔设定为相对较长的时间，可进一步减小计算量。而且，可能的方法是将关于每帧所校正的图像信号的被亮度劣化信息积分块220获取的间隔设定为更短，从而以更高精度更新亮度劣化信息。

此外，尽管亮度劣化校正模式生成块230在每次更新亮度劣化信息时更新了所保持的亮度劣化校正模式，但是本发明不限于此。例如，亮度劣化校正模式不会在很短的时间间隔后立刻通过更新被更新为不同的模式。这是因为，尽管亮度在不同像素电路中分散，但是劣化缓慢进行。因此，例如，可能的方法就是通过以一小时为间隔获取亮度劣化信息并基于所获取的信息以一小时为间隔更新校正模式来减小计算量。

此外，尽管这里假定了亮度劣化信息是通过根据特定灰度值的图像信号将该亮度劣化信息转换为发光时段所获取的值，但是本发明不限于此。由于此亮度劣化信息是表示基于像素电路劣化的亮度劣化度的值，所以其可以为亮度劣化与初始状态下的亮度劣化的比率。或者，亮度特性信息可以作为亮度劣化信息来计算并保持。

此外，尽管假定了像素阵列部140和虚设像素阵列部300的温度彼此相等并且单条温度信息经信号线208被提供至亮度劣化信息更新部221和亮度劣化特性供给块400，但是本发明不限于此。亮度劣化特性供给块400仅需能获取虚设像素电路的温度即可。此外，亮度劣化信息更新部221仅需能获取每个像素电路的温度即可。例如，如果温度根据位置而不同，则可能的方法就是，对于亮度劣化信息更新部221而言，从位于像素电路附近的温度传感器获取温度信息，而对于亮度劣化特性供给块400而言，从位于虚设像素电路附近的温度传感器获取温度信息。

亮度劣化特性供给块的结构实例

图12为示出本发明第一实施方式中的亮度劣化特性供给块400的功能结构实例的框图。参照图12，所示的亮度劣化特性供给块400包括虚设像素劣化信息生成部410、虚设像素劣化信息保持部420、温度信息获取部430、温度条件转换部440、劣化特性生成部460、及劣化特性保持部470。

虚设像素劣化信息生成部410基于经信号线390向其提供的虚设像素亮度信息生成关于虚设电路亮度的劣化量的信息，即，虚设像素劣化信息。例如，虚设像素劣化信息生成部410预先保持初始状态中虚设像素电路311的亮度。然后，虚设像素劣化信息生成部410将通过亮度传感器312的亮度测量结果(即，虚设像素亮度信息)与初始状态中虚设像素电路311的亮度彼此对比，以生成虚设像素电路的劣化量，即，虚设像素劣化量。虚设像素劣化信息生成部410将所生成的虚设像素劣化量作为虚设像素劣化信息提供至虚设像素劣化信息保持部420。

虚设像素劣化信息保持部420保持虚设像素劣化信息。例如，如果亮度检测单元数为3(310、320、及330)，则虚设像素劣化信息保持部420保持各个亮度检测单元的虚设像素的虚设像素劣化信息。虚设像素劣化信息保持部420将其中所保持的虚设像素劣化信息提供至温度条件转换部440。应当注意，下文中参照图13A和图13B描述虚设像素劣化信息保持部420中所保持的虚设像素劣化信息的一个实例。

温度信息获取部430获取从温度传感器141经信号线208向其提供的温度信息，并且保持所获取的温度信息。具体而言，例如，温度信息获取部430与虚设像素劣化信息生成部410生成虚设像素劣化信息的定时同步地获取温度信息，并且保持所获取的温度信息。温度信息获取部430将所保持的温度信息提供至温度条件转换部440。

温度条件转换部440基于虚设像素劣化信息和温度条件来计算在预定温度下的劣化特性。具体地，为了计算预定温度下的劣化特性，温度条件转换部440根据所测量时段的劣化来计算在预定温度条件下达到相同劣化所需的时段，并生成关于时段的信息，即，计算时段信息。温度条件转换部440使用包括“20℃”的表示测量时温度的温度信息的虚设像素劣化信息来计算在温度“30℃”下达到相同劣化量所需的时段。例如，由预先保持获取的信息的温度条件转换部440通过将依赖于温度的劣化特性上的差别转换为公式并且将该公式用在计算中来执行这种时段的计算。温度条件转换部440将所生成的计算时段信息与虚设像素劣化信息一起提供至劣化特性生成部460。应当注意，下文中参照图14A描述通过温度条件转换部440的计算时段信息的生成实例。

劣化特性生成部460基于计算时段信息和虚设像素劣化信息生成在预定温度下像素电路的劣化特性。例如，在温度条件为固定的“30℃”的情况下，劣化特性生成部460使用在“30℃”温度下所计算的计算时段信息和用于计算该计算时段信息的虚设像素劣化信息来生成像素电路的劣化特性。劣化特性生成部460将所生成的劣化特性提供至劣化特性保持部470。应当注意，下文中参照图14B描述通过劣化特性生成部460的劣化特性的生成实例。

劣化特性保持部470保持从劣化特性生成部460向其提供的劣化特性。劣化特性保持部470将所保持的劣化特性经信号线401提供至亮度劣化信息更新部221。此外，劣化特性保持部470将所保持的劣化特性经信号线402提供至目标亮度特性信息生成部232。

应当注意，尽管在本发明第一实施方式中，假定了温度条件转换部440计算了计算时段信息，但是本发明不限于此。温度条件转换部440仅需能生成劣化特性生成部460可根据其生成劣化特性的信息即可。例如，这样实例可以是，在这种虚设像素亮度信息的获取间隔很长等情况下，温度条件转换部440计算在计算时段内的特性的斜率。

此外，尽管在图12中将虚设像素亮度信息的亮度和初始状态的亮度互相比较以生成虚设像素劣化量，但是本发明不限于此。虚设像素劣化量可以为关于劣化的任意信息。

亮度测量实例，虚设像素劣化信息及温度信息实例

图13A至图13C分别示出了本发明第一实施方式中的通过三个亮度传感器的亮度测量实例、虚设像素劣化信息的实例及温度信息的实例。

在图13A至图13C中，假设通过亮度传感器的亮度测量次数为三次，并且虚设像素电路正在响应于预定发光信号而发光。

图13A示出了表示用三个不同灰度值100、150、及200发光的三个虚设像素电路的亮度劣化的测量实例的曲线图。参照图13A，曲线图的纵轴表示虚设像素电路的劣化量，而横轴表示发光时间。因此，图13A示出了当虚设像素电路分别以其亮度值为100、150、及200的预定发光信号发光时作为它们的亮度的测量结果的测量劣化特性411、412、及413。应当注意，沿着图13A所示曲线图的纵轴，随着虚设像素电路的劣化量更接近于纵轴与横轴彼此交叉的原点，其更接近于初始状态的虚设像素电路的劣化量，即，更接近劣化度很低的状态的劣化量，但是沿着纵轴向下，亮度降低，即，劣化增大。

此外，在图13A中，就亮度被测量的时段而言，示出了表示第一次测量的测量时段(1)T1、表示第二次测量的测量时段(2)T2、及表示第三次测量的测量时段(3)T3。此外，在图13A中，假定了在测量时段(1)T1内虚设像素电路的温度为20℃；在测量时段(2)T2内虚设像素电路的温度为40℃；而在测量时段(3)T3中虚设像素电路的温度为30℃。

测量劣化特性(灰度值100)411示意性指示当虚设电路以灰度值为“100”的发光信号进行发光时其亮度的测量结果。此测量劣化特性(灰度值100)411指示，由于虚设像素电路的温度在不同测量时段内不同，所以劣化特性在不同测量时段内不同。来自测量劣化特性(灰度值100)411内的测量时段(1)T1内的特性源于虚设像素电路根据在温度20℃下的劣化特性(例如，图8的劣化特性(温度20℃)694)被劣化的情形。同时，来自测量劣化特性(灰度值100)411内的测量时段(2)T2内的特性源于虚设像素电路根据在温度40℃下的劣化特性(例如，图8的劣化特性(温度40℃)696)被劣化的情况。此外，来自测量劣化特性(灰度值100)411内的测量时段(3)T3内的特性源于虚设像素电路根据在温度30℃下的劣化特性(例如，图8的劣化特性(温度30℃)695)被劣化的情况。

测量劣化特性(灰度值150)412示意性指示当虚设电路以灰度值为“150”的发光信号进行发光时其亮度的测量结果。此测量劣化特性(灰度值150)412指示通过灰度值“150”的发光信号的劣化比通过灰度值“100”的发光信号的劣化进行更快。应当注意，来自测量劣化特性(灰度值150)412中每个测量时段的特性类似于测量劣化特性(灰度值100)411的每个测量时段，因此，为避免累述，此处省略对其的重复描述。

测量劣化特性(灰度值200)413示意性指示当虚设电路以灰度值为“200”的发光信号进行发光时其亮度的测量结果。此测量劣化特性(灰度值200)413指示通过灰度值“200”的发光信号的劣化比通过灰度值“150”的发光信号的劣化进行更快。

如图13A所示，当发光时虚设像素电路的劣化受温度影响。

图13B示出了示意性示出在图13A的测量时段(3)T3结束时被保持在虚设像素劣化信息保持部420中的虚设像素劣化信息实例的表格。

应当注意，在图13B中，测量时亮度的强度(即，虚设像素亮度信息)被示意性表示为与初始状态中虚设像素电路的亮度的强度的比率(％)，并且被表示为虚设像素劣化信息。应当注意，在本发明的实施方式中，为了便于示出和描述，在图13B的表等中所表示的值为简化值，而实际测量值被忽略。

在图13B的列421中，示出了基于测量时段(1)T1内的亮度测量结果而生成并且在测量时段(1)T1被保持在虚设像素劣化信息保持部420中的虚设像素劣化信息。类似地，在另一列422中示出在测量时段(2)T2内保持的虚设像素劣化信息，并且在又一列423中示出在测量时段(3)T3内保持的虚设像素劣化信息。

同时，在图13B的行424中，示出了基于虚设像素电路(其被驱动以基于灰度值“100”的发光信号来发光)亮度测量结果而生成的虚设像素劣化信息。类似地，在另一行425中示出了基于虚设像素电路(其被驱动以基于灰度值“150”的发光信号来发光)亮度测量结果而生成的虚设像素劣化信息。此外，在又一行426中示出了虚设像素电路(其基于被驱动以基于灰度值“200”的发光信号来发光)亮度测量结果而生成的虚设像素劣化信息。

尽管图13B示出了在测量时段(3)T3结束时的虚设像素劣化信息，但是当此后的第四次测量时段(未示出)结束时，针对每个虚设像素电路保持基于此测量时段内的亮度的虚设像素劣化信息。

如图13B所示，就各个测量时段而言，针对各个虚设像素电路所生成的虚设像素劣化信息被依次保持在虚设像素劣化信息保持部420中。

图13C示出了示意性示出在图13A的测量时段(3)T3结束时被保持在温度信息获取部430中的温度信息实例的表格。

参照图13C，在列431中，示出了在图13A的测量时段(1)T1内由温度传感器141所检测并且在测量时段(1)T1内被保持在温度信息获取部430中的温度信息(20℃)。类似地，在另一列432中，示出了在测量时段(2)T2内所保持的温度信息(40℃)，而在又一列433中，示出在测量时段(3)T3内所保持的温度信息(30℃)。

尽管图13C示出了在测量时段(3)T3结束时的温度信息，但是当此后的第四次测量时段(未示出)结束时，表示这个测量时段内所检测温度的温度信息被保持在温度信息获取部430中。

如图13C所示，就各个测量时段而言，针对各个测量时段的温度信息被依次保持在温度信息获取部430中。

温度条件转换和劣化特性生成的实例

图14A和图14B分别为示出在本发明第一实施方式中通过温度条件转换部440进行的温度条件转换的实例和通过劣化特性生成部460进行的劣化特性生成的实例。

图14A示出了示意性示出通过温度条件转换部440的温度条件转换实例的曲线图。应当注意，在图14A和图14B中，假定了在虚设像素电路的温度为30℃的情况下生成劣化特性。

在图14A的示图中，纵轴指示虚设像素电路的劣化量，而横轴指示劣化所需的时间。在曲线图中，由实曲线来表示通过图13A中示出的所测量的劣化特性的温度条件转换而获得的转换特性441至449。此外，通过虚曲线表示在图13A中所示的测量劣化特性411至413。

应当注意，在曲线图中所示出的计算时段(1)T11内，示出了获取与图13A中测量时段(1)T1内的特性类似的劣化所需的时间长度(即，计算时段信息)。换句话说，计算时段(1)T11表示在“30℃”下转换特性441至443的劣化所需的时间长度。类似地，在另一个计算时段(2)T12中，示出了获取与测量时段(2)T2内的特性类似的劣化所需的时间长度，并且在又一计算时段(3)T13中，示出了获取与测量时段(3)T3内的特性类似的劣化所需的时间长度。

转换特性441至443是表示在图13A中所示的测量劣化特性411至413的测量时段(1)T1内的温度条件转换结果的曲线。通过将在测量时段(1)T1内的测量劣化特性411至413的温度条件从“20℃”转换至“30℃”来生成转换特性441至443。因为劣化在“30℃”比在“20℃”时进行更快，所以转换特性441至443中的每一个的斜率大于在测量时段(1)T1内的测量劣化特性411至413中的每一个的斜率。此外，由于测量时的温度为“20℃”，所以计算时段(1)T11比测量时段(1)T1更短。

转换特性444至446是表示在图13A中所示的测量劣化特性411至413在测量时段(2)T2内的温度条件转换结果的曲线。通过将在测量时段(2)T2内的测量劣化特性411至413的温度条件从“40℃”转换至“30℃”来生成转换特性444至446。因为劣化在“30℃”比在“40℃”时进行更慢，所以转换特性444至446中的每一个的斜率小于在测量时段(2)T2内的测量劣化特性411至413中的每一个的斜率。此外，由于测量时的温度为“40℃”，所以计算时段(2)T12比测量时段(2)T2更长。

转换特性447至449是表示在图13A中所示的测量劣化特性411至413在测量时段(3)T3内的温度条件转换结果的曲线。因为在测量时段(3)T3内的测量劣化特性411至413的温度条件为“30℃”，所以转换特性447至449与测量时段(3)T3内的测量劣化特性411至413相同。而且，计算时段(3)T13的长度与测量时段(3)T3相同。

由此，为了在预定温度下生成劣化特性，由温度条件转换部440生成计算时段信息。

图14B示出了示意性示出通过劣化特性生成部460的劣化特性生成的实例的曲线图。在图14B中，假定了基于图14A中所示的信息生成劣化特性。

在图14B的曲线图中，纵轴表示虚设像素电路的劣化量，而横轴表示劣化所需时间。在曲线图中，通过实曲线表示通过连接图14A中所示的转换特性441至449而形成的计算特性454至456。此外，通过虚曲线表示由劣化特性生成部460所生成的劣化特性464至466。

通过将基于测量劣化特性(灰度值100)411(参照图13A)所生成转换特性441、444、及447(参照图14A)彼此连接来计算该计算特性(灰度值100)454。计算特性(灰度值100)454是直至在温度被固定在“30℃”的条件下获取了劣化量等于测量劣化特性(灰度值100)411的量(即，在图13B的行424和列423中所示出的劣化量)的劣化为止的特性。例如，通过设置由虚设像素电路(由计算时段信息指示的时段间隔下用灰度值“100”进行驱动以发光)的虚设像素劣化信息所指示的劣化量并随后执行匹配(fitting)来生成计算特性(灰度值100)454。

通过将基于测量劣化特性(灰度值150)412(参照图13A)所生成转换特性442、445、及448(参照图14A)进行连接来计算该计算特性(灰度值150)455。

通过将测量劣化特性(灰度值200)413(参照图13A)所生成转换特性443、446、及449(参照图14A)进行连接来计算该计算特性(灰度值200)456。

应当注意，除了灰度值分别为“150”和“200”之外，计算特性(灰度值150)455和计算特性(灰度值200)456类似于计算特性(灰度值100)454，因此，为避免累述，此处省略它们的详细描述。

由此，劣化特性生成部460首先使用由温度条件转换部440所生成的转换特性来生成计算特性。然后，劣化特性生成部460使用所生成的计算特性来生成劣化特性。

根据计算特性(灰度值100)454来计算劣化特性(灰度值100)464。例如，通过使用计算特性(灰度值100)454生成近似曲线来生成劣化特性(灰度值100)464。

根据计算特性(灰度值150)455来计算劣化特性(灰度值150)465。

根据计算特性(灰度值200)456来计算劣化特性(灰度值200)466。

应当注意，除了灰度值分别为“150”和“200”之外，劣化特性(灰度值150)465和劣化特性(灰度值200)466类似于劣化特性(灰度值100)464，因此，为了避免累述，此处省略它们的详细描述。

多个温度下劣化特性的实例

图15A至图15C示意性示出本发明第一实施方式中由劣化特性生成部460生成在不同温度下的劣化特性的实例。在图15A至图15C中，劣化特性生成部460生成在温度条件“20℃”、“30℃”、及“40℃”下的劣化特性，并且劣化特性保持部470保持所生成的劣化特性。在图15A至图15C中，纵轴表示虚设像素电路的劣化量，而横轴表示劣化所需时间，并且分别示出三条曲线(“20℃”、“30℃”、及“40℃”)。

图15A示出了示意性示出在温度条件为“20℃”的情况下的劣化特性的曲线。在该曲线中，由实曲线(即，由计算特性451至453)表示在测量劣化特性411至413的测量时段内的劣化温度条件为“20℃”的情况下所生成计算特性。此外，由虚曲线表示根据计算特性451至453所计算的劣化特性，即，劣化特性461至463。

应当注意，除了温度条件为“20℃”之外，计算特性451至453类似于上文中参照图14B所述的计算特性454至456，因此，为了避免累述，此处省略它们的重复描述。此外，除了温度条件为“20℃”之外，劣化特性461至463类似于上文中参照图14B所述的劣化特性464至466，因此，为了避免累述，此处省略它们的重复描述。

在图15A中，示出了表示计算特性451至453的劣化量的劣化量D1至D3。应当注意，因为在测量时段(3)T3结束时计算特性451至453的劣化量和测量劣化特性411至413的劣化量彼此相等，所以在图15A至图15C中劣化量D1至D3表示相等的劣化量。

此外，在图15A中，时段T21被示出为在“20℃”的温度条件下劣化达到劣化量D1至D3所需的时段。应当注意，这个时段T21为用被设定为“20℃”的温度条件所计算的计算时段的总和。

图15A中所示的劣化特性461至463作为在“20℃”的温度条件下用于计算像素电路劣化的劣化特性(即，亮度劣化信息)被提供至亮度劣化信息更新部221。

图15B示出了示意性示出在温度条件为“30℃”的情况下的劣化特性的曲线图。图15B所示的曲线图与图14B所示的曲线图相同。此外，在图15B中，时段T22被示出为在“30℃”的温度条件下劣化达到劣化量D1至D3所需的时段。应当注意，由于温度条件“30℃”下的劣化速度高于温度条件“20℃”下的劣化速度，所以时段T22短于时段T21。

图15B中所示的劣化特性464至466作为在“30℃”的温度条件下用于计算像素电路劣化的劣化特性(即，亮度劣化信息)被提供至亮度劣化信息更新部221。

图15C示出了示意性示出在温度条件为“40℃”的情况下的劣化特性的曲线图。除了温度条件为“40℃”之外，图15C中所示的计算特性457至459和劣化特性467至469分别类似于上文中参照图15A和图15B所述的计算特性和劣化特性。因此，为了避免累述，此处省略对它们的重复描述。此外，在图15C中，时段T23被示出为在“40℃”的温度条件下劣化达到劣化量D1至D3所需的时段。应当注意，因为温度条件“40℃”下的劣化速度高于温度条件“30℃”下的劣化速度，所以时段T23短于时段T22。

图15C中所示的劣化特性467至469作为在“40℃”的温度条件下用于计算像素电路劣化的劣化特性(即，亮度劣化信息)被提供至亮度劣化信息更新部221。

由此，基于通过由劣化特性生成部460的温度条件转换所生成的多个计算特性来生成多个温度条件下的劣化特性。

应当注意，尽管在本发明第一实施方式的描述中，描述了在三个灰度值(“100”、“150”、及“200”)和三个温度条件(“20℃”、“30℃”、及“40℃”)下的劣化特性，但是本发明不限于此。例如，可能的方法是通过关于更多温度条件和/或灰度值生成劣化特性从而改进每个像素电路的亮度劣化信息的生成中的精度。

此外，尽管在本发明第一实施方式中劣化特性保持部470保持劣化特性，但是表示所生成的劣化特性的表达式实际上可以被保持在劣化特性保持部470中。

亮度劣化信息的生成实例

参照图16来描述使用上文中参照图15A至图15C所述的劣化特性461至469的亮度劣化信息的更新实例。

图16示出了本发明第一实施方式中通过亮度劣化信息更新部221的亮度劣化信息的生成实例的原理。

应当注意，在图16中，假定了亮度劣化信息的更新被执行5次。此外，假定了以一分钟的间隔来执行亮度劣化信息的更新。假定了在由图16中的亮度劣化信息所表示的像素电路的第一个一分钟内的光发射取决于在温度为“30℃”的环境中灰度值为“150”的发光信号。此外，假定了第二次光发射取决于在温度为“30℃”的环境中灰度值为“200”的发光信号。此外，假定了第三次光发射取决于在温度为“40℃”的环境中灰度值为“150”的发光信号。此外，假定了第四次光发射取决于在温度为“20℃”的环境中灰度值为“200”的发光信号。此外，假定了第五次光发射取决于在温度为“40℃”的环境中灰度值为“200”的发光信号。

在图16中，纵轴表示像素电路的劣化量，横轴表示劣化所需的时间，并且示出三个曲线图，即，劣化特性471至473。

在劣化特性(20℃)471上，由虚曲线表示图15A中所示的劣化特性461至463。此外，在劣化特性(20℃)471上，用于计算在亮度劣化信息的第四次更新时待被加上的劣化量的时段被表示为劣化量D34。此外，由实曲线表示对应于劣化量D34的劣化特性463的间隔。

在劣化特性(30℃)472上，由虚曲线表示图15B中所示的劣化特性464至466。在劣化特性(30℃)472上，用于计算在亮度劣化信息的第一和第二次更新时待被加上的劣化量的时段被表示为劣化时段(1)T31和劣化时段(2)T32。此外，在劣化特性(30℃)472上，在亮度劣化信息的第一和第二次更新时待被加上的新劣化量被表示为劣化量D31和D32。此外，由实曲线表示对应于劣化量D32的劣化特性466的间隔和对应于劣化量D31的劣化特性465的间隔。

在劣化特性(40℃)473上，由虚曲线表示图15C中所示的劣化特性467至469。在劣化特性(40℃)473上，用于计算在亮度劣化信息的第三和第五次更新时待被相加的劣化量的时间段被表示为劣化时段(3)T33和劣化时段(5)T35。此外，在劣化特性(40℃)473上，在亮度劣化信息的第三和第五次更新时待被相加的新劣化量被表示为劣化量D33和D35。此外，由实曲线表示对应于劣化量D33的劣化特性468的间隔和对应于劣化量D35的劣化特性469的间隔。

此处，使用第一、第二、及第三次更新简单描述通过亮度劣化信息更新部221的亮度劣化信息的更新。

首先，在第一次更新中，亮度劣化信息更新部221根据其灰度值为“150”的发光信号、表示为“30℃”的温度信息、劣化特性465及亮度劣化信息(表示没有劣化)来计算劣化量D31。然后，关于劣化量D31的信息作为亮度劣化信息被保持在亮度劣化信息保持部222中。

然后，在第二次更新中，亮度劣化信息更新部221根据其灰度值为“200”的发光信号、表示为“30℃”的温度信息、劣化特性466及亮度劣化信息(表示劣化量D31的信息)来计算劣化量D32。然后，亮度劣化信息更新部221使亮度劣化信息保持部222保持通过将劣化量D32与作为表示劣化量D31的信息的亮度劣化信息相加所获取的新亮度劣化信息，即，表示劣化量D31+D32的信息。

之后，在第三次更新中，亮度劣化信息更新部221根据其灰度值为“150”的发光信号、表示为“40℃”的温度信息、劣化特性468及为劣化量D31+D32的亮度劣化信息来计算劣化量D33。然后，亮度劣化信息更新部221使亮度劣化信息保持部222保持通过将劣化量D33与作为表示劣化量D31和D32的信息的亮度劣化信息相加所获取的新亮度劣化信息，即，表示劣化量D31+D32+D33的信息。

由此，亮度劣化信息更新部221将每个劣化时段的劣化量相加，以生成亮度劣化信息。

应当注意，尽管在图16中劣化特性461至469被用于生成亮度劣化信息，但是可能的方法是通过使用关于更多温度条件或灰度值的劣化特性来改进亮度劣化信息的精度或准确度。

亮度劣化校正模式的生成实例

图17示出了本发明第一实施方式中通过亮度劣化校正值计算部233的亮度劣化校正模式的生成实例。具体地，图17示意性示出了直至基于在亮度劣化信息保持部222中所保持的亮度劣化信息生成了亮度劣化校正模式保持部234的亮度劣化校正模式为止的操作流程。此处，应当注意，为了便于示出和描述，在显示装置100中所提供的像素电路通过参考符号1至t来识别。此外，在图17中，亮度劣化信息是通过在温度条件“30℃”下将亮度劣化量转换为以灰度值“100”发光的时段而获得的值。

亮度劣化信息(n-1)260被保持在亮度劣化信息保持部222中。在图17中所示出的实例中，作为亮度劣化信息示出了基于第n-1次(n为大于等于2的整数)一分钟的显示的被保持在亮度劣化信息保持部222中的亮度劣化信息。亮度劣化信息(n-1)被用于生成用于校正第n个一分钟显示的亮度劣化校正模式(n)270。在亮度劣化信息(n-1)260左侧的列(像素号261)中，示出了作为构成屏幕的像素电路的编号的像素号“1”、“2”、“i”及“t”。

此外，在亮度劣化信息(n-1)260右侧的列(劣化信息262)中，示出了关于该像素号的像素电路的亮度劣化信息(劣化信息)。此处，假定了对应于像素号261“i”的像素电路经受相对较大的劣化，而对应于像素号261“1”、“2”、及“t”的像素电路经受相对较小的劣化。例如，假定了将“160”小时作为对应于像素号261“i”的亮度劣化信息来保持，而将“100”小时作为对应于像素号261“1”、“2”及“t”的亮度劣化信息来保持。

此外，在亮度劣化信息(n-1)260中所保持的劣化信息262(虚线263中指示)由亮度劣化信息更新部221来更新，并且被目标亮度特性信息生成部232所获取。

在如上所述的这个亮度劣化信息(n-1)260被保持在亮度劣化信息保持部222中的情况下，亮度劣化校正模式生成块230执行亮度劣化校正模式的第n次更新。

此处，作为实例，描述了将像素号261“1”的目标亮度特性信息提供至亮度劣化校正值计算部233的处理。首先，目标亮度特性信息生成部232获取像素号261“1”的劣化信息262的“100”小时，并且使用劣化特性来计算像素电路的劣化量。随后，目标亮度特性信息生成部232根据所计算的劣化量来生成亮度特性信息(此处，被表示为“h”)，并且将所生成的亮度特性信息“h”作为目标亮度特性信息提供至亮度劣化校正值计算部233。

此后，亮度劣化校正值计算部233基于参考亮度特性信息和目标亮度特性信息生成每个像素电路的亮度劣化校正值。例如，在从参考亮度特性信息供给部231提供“g”作为参考亮度特性信息的情况下，生成“h/g”作为亮度劣化校正值。应当注意，下文中，参照图18A和图18B详细描述亮度劣化校正值。

现在，描述由亮度劣化校正值计算部233所生成的根据各个像素电路的亮度劣化校正值所构建的亮度劣化校正模式。

亮度劣化校正模式(n)270示意性地指示由亮度劣化校正值计算部233所生成的亮度劣化校正模式。在图17所示的实例中，示意性地示出了在根据构成显示屏幕的像素的排列来设置由亮度劣化校正值计算部233生成的各个像素的亮度劣化校正模式的情况下的亮度劣化校正模式。具体地，亮度劣化校正模式(n)270是根据基于亮度劣化信息(n-1)生成的亮度劣化校正值而构成的校正模式实例。此外，亮度劣化校正模式(n)270被第n次更新，并且用于校正关于要在第n个一分钟内显示的每个帧的图像信号。

在亮度劣化校正模式(n)270中的亮度劣化校正值C1被用于校正对应于关于亮度劣化信息(n-1)260描述的像素号261“1”的像素电路。此外，在亮度劣化校正模式(n)270中的亮度劣化校正值C1的位置对应于与在显示屏幕上的像素号261“1”对应的像素电路的位置。而且，亮度劣化校正值C2、Ci及Ct分别用于校正待被提供至与亮度劣化信息(n-1)260中的像素号2、i、及t对应的像素电路的图像信号。此外，亮度劣化校正模式(n)270上的亮度劣化校正值C2、Ci及Ct的位置与显示屏幕上对应于像素号261“2”、“i”、及“t”的像素电路的位置对应。

此外，亮度劣化校正模式(n)270中的像素区271至274表示设置了使像素区271至274中的图像信号的灰度值高于其它像素电路的亮度劣化校正值的区域。此外，像素区271至274中的像素电路之外的像素电路表示其中设置了使图像信号的灰度值略高的亮度劣化校正值的区域。换句话说，像素区271至274是其中设置了与经受大量劣化的那些像素有关的亮度劣化校正值的区域，而像素区271至274中的像素电路之外的像素电路是其中设置了与仅经受一点劣化的那些像素电路有关的亮度劣化校正值的区域。

以这种方式，生成了用于响应于每个像素电路的亮度劣化度来改变待被像素电路显示的图像信号的灰度值的亮度劣化校正值。然后，由于关于所有像素电路生成了这样的亮度劣化校正值，所以能够适当执行构成显示屏幕的像素电路的校正。

像素电路亮度劣化的校正实例

图18A和图18B分别示出了在没有生成每个温度的劣化特性的情况下像素电路的亮度劣化的校正实例和在本发明的第一实施方式中的像素电路的亮度劣化的校正实例。

图18A示出了示意性示出在没有生成每个温度的劣化特性的情况下像素电路的亮度劣化的校正实例的示图。在图18A中，假定了亮度劣化特性供给块400生成了劣化特性，而温度条件转换部440没有生成转换特性。换句话说，在图18A中，图13A中所示的测量劣化特性411至413的匹配结果本身作为劣化特性被提供至亮度劣化信息更新部221。此外，在图18A中，基于这个不准确的劣化特性提供了不准确的亮度劣化信息。然后，假定了基于不准确的亮度劣化信息生成了不准确的亮度劣化校正值。

在图18A中，横轴表示被输入至重影校正部200的图像信号的灰度值，即，输入灰度值，而纵轴表示来自像素电路的发光亮度值，即，亮度值。因此，图18A指示两个曲线图，即，校正前亮度曲线图281和校正后亮度曲线图282。

校正前亮度特性曲线图(有误差)281示出了在没有生成每个温度的劣化特性的情况下像素电路亮度劣化的校正实例。校正前亮度特性曲线图(有误差)281示出了参考亮度特性285、校正目标亮度特性(有误差)286、及校正目标亮度特性(实际)287。

参考亮度特性285是表示在作为校正参考的初始状态中像素电路的亮度特性的曲线。应当注意，图18A和图18B中示出了相同的参考亮度特性285，因此，为了避免累述，此处省略对参考亮度特性285的重复描述。

校正目标亮度特性(有误差)286是校正目标的像素电路的亮度特性，并且是表示基于由于没有涉及每个温度的劣化特性所以不准确的亮度劣化信息的亮度特性的曲线。换句话说，校正目标亮度特性(有误差)286指示待被用于由重影校正部200进行校正的目标亮度特性信息所指示的亮度特性。

此外，校正目标亮度特性(有误差)286的曲线具有比参考亮度特性285的斜率更平缓的斜率。因为像素电路发生劣化，主要因为发生了发光元件640的驱动电流向亮度转换的效率的劣化，所以发生这种斜率的变化。

校正目标亮度特性(实际)287表示校正目标的像素电路的实际亮度特性。应当注意，如果用于由重影校正部200进行校正的目标亮度特性信息的精度很高，则由目标亮度特性信息所表示的亮度特性(即，校正目标亮度特性(有误差)286)变得接近校正目标亮度特性(实际)287。

如通过图18A的校正目标亮度特性(有误差)286所表示的一样，亮度劣化校正值基于这个亮度特性来计算，并且执行图像信号灰度值的改变。具体地，改变了待被提供至像素电路的图像信号的灰度值，使得关于输入灰度值的发光亮度变得类似于参考亮度特性285的发光亮度。

此处，描述亮度特性和校正方法。

首先，描述亮度特性。例如，通过如下面表达式3所给出的二次函数来表示这个亮度特性：

L＝A×S²   ...表达式3

其中，L是亮度值，A是系数，即，效率系数，其依赖于流过发光元件640的电流向亮度的转换效率。

此外，在上面的表达式3中，S是对应于驱动晶体管620的栅源极电压的值，并且S²是使用驱动晶体管620的平方特性所计算的值，并且对应于待被提供至发光元件640的驱动电流。由此，通过将发光元件640的驱动电流S²与转换效率A相乘，能够计算亮度值L。

现在，描述重影校正部200的校正方法。重影校正部200根据下面的表达式4改变图像信号的灰度：

S_out＝(ΔA)^-1/2×S_in  ...表达式4

ΔA＝A_d/A              ...表达式5

其中，S_out是由重影校正部200所校正的图像信号的校正灰度值，并且S_in是由重影校正部200的校正前的图像信号的灰度值。同时，ΔA为表示转换效率比率的分数形式的值(即，亮度劣化校正值)，其中，校正目标像素电路的效率系数(A_d)是分子，而初始状态中的像素电路的效率系数(A)是分母。应当注意，校正目标像素电路的效率系数(A_d)是待被从目标亮度特性信息生成部232提供的目标亮度特性信息的实例(参照图11)。此外，初始状态下像素电路的效率系数(A)是由参考亮度特性信息供给部231所提供的参考亮度特性信息的实例(参考图11)。

为了根据表达式4来改变图像信号的灰度值，重影校正部200保持关于各个像素电路的劣化的信息，即，亮度劣化信息，并且根据劣化信息来计算每个像素电路的效率系数。随后，重影校正部200计算亮度劣化校正值ΔA，并且基于所计算的亮度劣化校正值ΔA来改变图像信号的灰度，从而生成图像信号的灰度的校正值，即，校正灰度值。

校正后亮度特性图(有误差)282示出了在没有生成每个温度的劣化特性的情况下像素电路的亮度劣化的校正结果的实例。校正后亮度特性图282表示参考亮度特性285以及校正后亮度特性(实际)288。

校正后亮度特性(实际)288表示在基于校正目标亮度特性(有误差)286执行校正的情况下校正目标的像素电路的校正结果。校正后亮度特性(实际)288的曲线斜率与参考亮度特性285的曲线斜率相比稍缓。由于根据关于校正目标亮度特性(有误差)286的亮度特性信息所生成亮度劣化校正值的事实，引起斜率的差异。具体地，由于校正目标亮度特性(有误差)286的亮度特性与校正目标的像素电路的实际亮度特性彼此不同，所以校正后的亮度特性与参考亮度特性285偏离了对应于这个误差的量。

由此，在没有生成每个温度的劣化特性的情况下，由于亮度劣化信息变得不准确，所以像素电路的亮度劣化校正变得不准确。

图18B示出了示意性示出本发明第一实施方式中像素电路的亮度劣化的校正实例。在图18B中，横轴表示输入灰度值，纵轴表示亮度值，并且示出了包括校正前亮度特性图283和校正后亮度特性图284的两个曲线图。

校正前亮度特性图(无误差)283为示出了通过本发明第一实施方式中的重影校正部200的像素电路亮度劣化的校正实例的曲线图。校正前亮度特性图(无误差)283示出了参考亮度特性285和校正目标亮度特性(无误差)289。

校正目标亮度特性(无误差)289是校正目标像素电路的亮度特性，并且是表示基于使用每个温度的劣化特性准确(即，具有高精度)生成的亮度劣化信息的亮度特性的曲线。具体地，校正目标亮度特性(无误差)289表示待被用于由重影校正部200进行校正的目标亮度特性信息所表示的亮度特性。此外，在图18B中，假定了校正目标亮度特性(无误差)289类似于上文中参照图18A描述的校正目标亮度特性(实际)287。

在参照图18B的上述本发明的第一实施方式中，基于由校正目标亮度特性(无误差)289所表示的这种准确的亮度特性来计算亮度劣化校正值，并且执行图像信号灰度值的改变。

校正后亮度特性图(无误差)284示出了在使用了每个温度的劣化特性的情况下像素电路亮度劣化的校正结果的实例。校正后亮度特性图(无误差)284表示，如果基于校正目标亮度特性(无误差)289校正图像信号，则关于劣化像素电路中的输入值的亮度值变得类似于参考亮度特性285。

由此，能够由重影校正部200使用每个温度的劣化特性以高精度来计算每个像素电路的劣化亮度特性。然后，能够由重影校正部200使用以高精度计算的亮度特性来准确执行校正。

应当注意，尽管在上述本发明第一实施方式的描述中，未经劣化的在初始状态中的像素电路的亮度的实例用作校正的参考，但是本发明不限于此。例如，经受最大劣化的像素电路的亮度可备选地用作校正的参考。

校正后的显示实例

图19A和图19B示出了通过本发明第一实施方式图像信号校正效果的原理。

具体地，图19A示出了在如上文中参照图18A所述的没有生成每个温度的劣化特性的情况下的校正效果，图19B示出了如上文中参照图18B所述的通过本发明第一实施方式的校正效果。此处，假定了符号“ABCD”的重影出现在显示装置100的显示屏幕上。

图19A示出了在没有生成每个温度的劣化特性的情况下显示屏幕图像的比较实例。假定了使用高亮度图像信号使显示屏幕以均匀亮度发光。

显示屏幕图像291表示在提供了未处于被校正状态的图像信号的情况下的显示图像的实例。同时，重影显示区292是相应于显示屏幕图像291上经受重影的那些像素(即，关于劣化度很高的那些像素电路)的区域。在图19A中，符号“ABCD”在重影显示区292中被表示为灰色。同时，显示屏幕图像291的除重影显示区292之外的区域(即，由空白所表示的显示屏幕图像291的区域)对应于几乎没经受劣化的那些像素电路。在图像信号未被校正的情况下，由于劣化像素电路的灰度以这种方式降低，所以在重影显示区292中显示符号“ABCD”。

显示屏幕图像293表示在提供了经校正的图像信号的情况下的显示实例。重影显示区294表示对应于重影显示区292的显示屏幕图像291的区域。在这个重影显示区294中，由于如图19A所示图像信号没有被准确校正，所以符号“ABCD”尽管亮度低于显示屏幕图像291的除重影显示区292之外的其它区域，但是以比校正前的亮度更高的亮度进行显示。应当注意，来自显示屏幕图像293的那些几乎没有经受劣化的像素电路的发光亮度也被校正，从而尽管其低于显示屏幕图像291的除重影显示区292之外的其它区域，但是比校正前更高。

图19B示出了在本发明第一实施方式中的校正后的显示图像的比较实例。

显示屏幕图像295表示在提供了未处于校正状态的图像信号的情况下的显示图像的实例。同时，重影显示区296表示对应于显示屏幕图像295中经受重影的那些像素电路(即，关于劣化度很高的那些像素电路)的区域。在图19B中，符号“ABCD”在重影显示区296中以灰色进行显示。同时，显示屏幕图像295的除重影显示区296之外的区域(即，由空白所表示的区域)对应于几乎没有经受劣化的那些像素电路。在图像信号未被校正的情况下，由于劣化像素电路的亮度以这样的方式降低，所以符号“ABCD”与图19A类似地被显示在重影显示区296中。

显示屏幕图像297表示在提供了校正图像信号的情况下的显示图像的实例。同时，重影显示区298对应于显示屏幕图像295的重影显示区296。在这个重影显示区298中，因为图像信号被准确校正并且来自劣化像素电路的发光亮度变得等于几乎没有经受劣化的那些像素电路的发光亮度，所以未显示符号“ABCD”。应当注意，来自显示屏幕图像297的几乎没有经受劣化的像素电路的发光亮度也被校正，从而等于像素电路在其初始状态中的亮度。

由于以高精度校正了由劣化像素电路的发射的光的亮度，从而等于来自中初始状态中的像素电路的发射光亮度，所以能够以高精度消除重影。重影校正部的操作实例

现在，参照附图描述本发明第一实施方式中的重影校正部200的操作。

图20示出了通过本发明第一实施方式中的重影校正部200的亮度劣化特性供给块400的劣化特性的生成处理过程的实例。具体而言，图20示出了在一个测量时段内(诸如，在图13A的测量时段(3)T3内)获取虚设像素亮度信息后直至使用该虚设像素亮度信息生成了劣化特性为止的处理过程的实例。

参照图20，在步骤S911中，通过温度传感器141所生成的温度信息被温度信息获取部430所获取并被保持在其中。随后，在步骤912中，由亮度传感器312所生成的虚设像素的亮度信息(即，虚设像素电路信息)被虚设像素劣化信息生成部410所获取。

然后，在步骤S913中，基于所获取的虚设像素亮度信息，由虚设像素劣化信息生成部410生成虚设像素的劣化信息(即，虚设像素劣化信息)。此后，在步骤914中，所生成的虚设像素劣化信息被保持在虚设像素劣化信息保持部420中。

此后，在步骤S915中，判定是否保持了关于所有虚设像素电路的虚设像素劣化信息。随后，如果判定出还没有保持关于所有虚设像素电路的虚设像素劣化信息，则处理返回步骤S912，使得关于还没有被保持的虚设像素劣化信息的虚设像素电路的虚设像素劣化信息的生成处理被执行。

另一方面，如果在步骤S915中判定出保持了关于所有虚设像素电路的虚设像素劣化信息，则在步骤S916中，由温度条件转换部440基于温度信息和虚设像素劣化信息执行虚设像素劣化信息的温度条件的转换。在步骤S916中，生成计算时段信息。然后，在步骤S917中，由劣化特性生成部460基于虚设像素劣化信息和计算时段信息来生成劣化特性。然后，在步骤S918中，劣化特性保持部470保持所生成的劣化特性。

此后，在步骤S919中，判定是否生成了所有劣化特性生成目标的温度和亮度值的劣化特性。随后，如果判定出还没有生成所有温度和亮度值的劣化特性，则处理返回步骤S916，使得执行还没有被生成的劣化特性的生成处理。

另一方面，如果在步骤S919中判定出已生成了所有温度和亮度值的劣化特性，则由亮度劣化特性供给块400进行劣化特性生成处理结束。

图21是示出了由本发明第一实施方式中的重影校正部200的亮度劣化信息积分块220进行的亮度劣化信息的更新处理过程的实例的流程图。

首先，在步骤S921中，亮度劣化信息更新部221获取了由亮度劣化特性供给块400所生成的劣化特性。然后，在步骤S922中，亮度劣化信息更新部221获取了由温度传感器141生成的温度信息。

然后在步骤S923中，将被亮度劣化校正运算块240所校正的图像信号输入至亮度劣化信息更新部221。此后，在步骤S924中，由亮度劣化信息更新部221基于图像信号、温度信息、及劣化特性来生成亮度劣化信息。之后，在步骤S925中，用由亮度劣化信息更新部221所生成的亮度劣化信息来更新在亮度劣化信息保持部222中所保持的亮度劣化信息。具体地，将由亮度劣化信息更新部221生成的亮度劣化信息保持在亮度劣化信息保持部222中以更新亮度劣化信息保持部222中的亮度劣化信息。应当注意，步骤S924是亮度劣化信息处理程序的实例。

此后，在步骤S926中，判定是否关于构成显示屏幕的所有像素电路更新了亮度劣化信息。然后，如果判定出还没有关于所有像素电路更新亮度劣化信息，则处理返回步骤S923，使得执行关于亮度劣化信息还没有被更新的像素电路的亮度劣化信息的更新处理。

另一方面，如果在步骤S926中判定出关于构成显示屏幕的所有像素电路执行了更新，则由亮度劣化信息积分块220进行的亮度劣化信息更新处理结束。

图22是示出由本发明第一实施方式的重影校正部200的亮度劣化校正模式生成块230进行的亮度劣化校正模式生成处理过程的流程图。

首先，在步骤S931中，由目标亮度特性信息生成部232获取根据亮度劣化信息计算像素电路的劣化度所需的劣化特性。

然后，在步骤S932中，由目标亮度特性信息生成部232从被保持在亮度劣化信息保持部222中的亮度劣化信息中获取亮度劣化信息的生成目标的像素电路的亮度劣化信息。在获取亮度劣化信息时，由目标亮度特性信息生成部232根据所获取的亮度劣化信息来生成目标亮度特性信息。

之后，在步骤S933中，由亮度劣化校正值计算部233基于参考亮度特性信息和目标亮度特性信息来生成亮度劣化校正值。随后，在步骤S934中，将生成的亮度劣化校正值保持在亮度劣化校正模式保持部234中。应当注意，步骤S933为亮度劣化值计算处理过程的实例。

此后，在步骤S935中，判定是否生成了关于构成显示屏幕的所有像素电路的亮度劣化校正值。随后，如果判定出还没有生成关于所有像素的亮度劣化校正值，则处理返回步骤S932，使得执行还没有被生成的亮度劣化校正值的生成处理。

另一方面，如果在步骤S935中判定出生成了关于构成显示屏幕的所有像素电路的亮度劣化校正值并且亮度劣化校正模式被保持，则由亮度劣化校正模式生成块230进行的亮度劣化校正模式生成处理结束。

图23是示出由本发明第一实施方式中的重影校正部200的亮度劣化校正运算块240进行的图像信号校正处理过程的流程图。本处理为关于一个帧的图像信号的校正处理的实例。

首先，在步骤S941中，由亮度劣化校正运算块240获取了在亮度劣化校正模式保持部234中所保持的亮度劣化校正模式。

然后，在步骤S942中，将图像信号经信号线201被输入至亮度劣化校正运算块240。随后，在步骤S943中，由亮度劣化校正运算块240使用亮度劣化校正模式的亮度劣化校正值针对每个像素电路执行图像信号的校正。随后，在步骤S944中，输出经校正的图像信号。应当注意，步骤S943为校正处理过程的实例。

此后，在步骤S945中，判定是否校正了构成待被显示的一个帧的所有图像信号。随后，如果判定出还没有校正关于所有像素电路的图像信号，则随后处理返回步骤S942，使得执行还没有被校正的图像信号的校正处理。

另一方面，如果在步骤S945中校正了关于构成待被显示的一个帧的所有像素电路的图像信号，则由亮度劣化校正运算块240进行的图像信号校正处理结束。

由此，根据本发明的第一实施方式，能够以高精度改变图像信号的灰度值，使得来自劣化像素电路的发光亮度与来自处于其初始状态中的像素电路的发光亮度一致。

应当注意，尽管在本发明第一实施方式中，初始状态中的像素电路被用作参考，但是也可以使用其中参照劣化像素电路来执行重影校正的方法。

<2.第二实施方式>

在本发明第一实施方式中，为了计算对于每个温度的劣化特性，温度条件转换部440被用于执行温度条件转换，以生成计算时段信息。温度条件转换部440使用在取决于预先所保持温度的劣化特性上的差异(参照图8)，基于虚设像素劣化信息和温度条件来计算计算时段信息。换句话说，在本发明第一实施方式中，为了生成每个温度的劣化特性，需要预先保持关于在取决于温度的劣化特性上的差异的信息。因此，如果关于劣化特性上的差异的信息关于实际值具有一些误差，则存在劣化特性变得不准确的可能性。因此，可能的方法是使用获取每个温度的虚设像素劣化信息来计算每个温度的劣化特性而不使用温度条件转换部440的显示装置。

在本发明第二实施方式中，使用仅在预定温度下被劣化的虚设像素电路来获取每个温度的虚设像素劣化信息。

显示装置的结构实例

图24是示出根据本发明第二实施方式的显示装置100的结构实例的框图。图24中所示的显示装置100包括一些与根据上文中参照图1所述的本发明第一实施方式的显示装置100相同的组件。下面主要给出关于根据第二实施方式的显示装置100与第一实施方式的显示装置100的差异的描述。

参照图24，除了虚设像素阵列部500、虚设像素发光信号生成部540、及重影校正部545之外，显示装置100在结构上与上文中参照图1描述的显示装置100相同。因此，参照图24描述虚设像素发光信号生成部540和重影校正部545。应当注意，下文中，参照图25描述虚设像素阵列部500。

显示装置100包括上文中参照图1描述的虚设像素阵列部300的虚设像素电路数量更多的虚设像素电路数量，因此，作为实例，还包括数据线(DTL)173之外的数据线(DTL)174和175。

虚设像素发光信号生成部540与上文中参照图1所述的虚设像素发光信号生成部150类似地生成发光信号。虚设像素发光信号生成部540基于经信号线208向其提供的温度信息来确定是否从虚设像素阵列部500的虚设像素电路发光。虚设像素发光信号生成部540响应于该确定而生成发光信号，并且将所生成的发光信号提供至虚设信号选择部122。

重影校正部545根据每个像素电路600至605的劣化度来改变图像信号的灰度值，从而与上文中参照图1所述的重影校正部200中类似地校正重影。这个重影校正部545包括代替重影校正部200的亮度劣化特性供给块400的亮度劣化特性供给块550。应当注意，下文中，参照图26至图29C描述亮度劣化特性供给块550。重影校正部545的除亮度劣化特性供给块550之外的组件与上文中参照图11所述的重影校正部200的那些组件类似，因此，为了避免累述，此处省略它们的重复描述。

由此，由虚设像素发光信号生成部540基于虚设像素电路的环境温度来确定是否从虚设电路发光。

虚设像素阵列部的结构实例

图25是示出本发明第二实施方式的虚设像素阵列部500的结构实例的框图。应当注意，在本发明第二实施方式中，根据三个灰度值的发光信号来测量像素电路600的劣化。

参照图25，示出了九个亮度检测单元(即，亮度检测单元511至513、521至523、及531至533)以及划分亮度检测单元的三个发光区(即，第一发光区510、第二发光区520、及第三发光区530)。

亮度检测单元511至513、521至523、及531至533与上文中参照图9所述的亮度检测单元310类似，因此，为了避免累述，此处省略它们的描述。应当注意，在图25中，亮度检测单元511至513、521至523、及531至533的虚设像素电路通过附加在其上数字#1至#9来识别。

第一发光区510仅在特定温度下(即，在第一温度下)发光，并且指示关于基于发射的光来执行劣化测量的亮度检测单元(即，亮度检测单元511至513)。例如，在第一温度为“20±2℃”的情况下，数据信号被提供至第一发光区510中的虚设像素电路#1至#3，使得仅当温度信息为“20±2℃”时发光。

第二发光区520仅在与第一温度不同的另一个特定温度下(即，第二温度下)发光，并且指示关于基于发射的光来执行劣化测量的亮度检测单元(即，亮度检测单元521至523)。例如，在第二温度为“30±2℃”的情况下，数据信号被提供至第二发光区520中的虚设像素电路#4至#6，使得仅当温度信息为“30±2℃”时发光。

第三发光区530仅在与第一和第二温度不同的特定温度下(即，第三温度下)发光，并且指示关于基于发射的光来执行劣化测量的亮度检测单元(即，亮度检测单元531至533)。例如，在第三温度为“40±2℃”的情况下，数据信号被提供至第三发光区530中的虚设像素电路#7至#9，使得仅当温度信息为“40±2℃”时发光。

通过这种方式在虚设像素阵列部500中设置多个虚设像素电路和亮度传感器，能够在虚设像素阵列部500中设置仅在预定温度下发光的虚设像素电路。

亮度劣化特性供给块的结构实例

图26是示出在本发明第二实施方式中的亮度劣化特性供给块550的功能结构实例的框图。亮度劣化特性供给块550包括虚设像素劣化信息生成部410、虚设像素劣化信息保持部570、劣化特性生成部590、及劣化特性保持部470。应当注意，虚设像素劣化信息生成部410和劣化特性保持部470与上文中参照图12所述的劣化特性保持部470类似，因此，为了避免累述，此处省略它们的重复描述。

虚设像素劣化信息保持部570与上文中参照图12所述的虚设像素劣化信息保持部420类似地保持虚设像素劣化信息。例如，虚设像素劣化信息保持部570保持关于各个虚设像素电路的虚设像素劣化信息。虚设像素劣化信息保持部570将其中所保持的虚设像素劣化信息提供至劣化特性生成部590。应当注意，下文中参照图27和图28描述在虚设像素劣化信息保持部570中所保持的虚设像素劣化信息的实例。

劣化特性生成部590基于虚设像素劣化信息来计算特定温度下的劣化特性。劣化特性生成部590根据图25中所示的第一发光区510中的虚设像素电路的虚设像素劣化信息来计算第一温度下(即，20±2℃下)的劣化特性。劣化特性生成部590将计算的劣化特性保持在劣化特性保持部470中。应当注意，下文中，参照图29A至图29C描述由劣化特性生成部590进行的劣化特性生成的实例。

亮度测量的实例

图27示出了由本发明第二实施方式中的9个亮度传感器进行的亮度测量的实例。

参照图27，纵轴表示温度，横轴表示测量时段，并且通过曲线图示出了五个连续测量时段内(即，测量时段(1)T41至(5)T45内)的温度。此外，在图27中，示出了通过表示亮度检测单元511至513、521至523、及531至533的矩形来代表在五个测量时段内发光的那些虚设像素。此外，在图27中，示出了示意性示出在测量时段内虚设像素电路的劣化量(即，20℃劣化特性561、30℃劣化特性562、40℃及劣化特性563)的曲线图。

此处应当注意，在图27中，第一次测量时段内(即，测量时段(1)T41内)的温度为“31℃”；第二次测量时段内(即，测量时段(2)T42内)的温度为“39℃”；第三次测量时段内(即，测量时段(3)T43内)的温度为“35℃”；第四次测量时段内(即，测量时段(4)T44内)的温度为“30℃”；而第五次测量时段内(即，测量时段(5)T45内)的温度为“20℃”。

此处，参照第一至第三测量时段T41至T43描述本发明第二实施方式中的亮度测量。

首先，在测量时段(1)T41中，表示“31℃”的温度信息经信号线208被提供至虚设像素发光信号生成部540。随后，从虚设像素发光信号生成部540将预定灰度级的发光信号提供至仅在第二温度(即，30±2℃)下发光的那些虚设像素电路，具体地，提供至亮度检测单元521至523的虚设像素电路#4至#6。应当注意，为了将其它虚设像素电路置于不发光状态，向它们提供亮度值“0”的发光信号。因此，亮度检测单元521至523的虚设像素电路基于预定灰度值来发光，而亮度检测单元511至513和531至533的虚设像素电路不发光。

在示出说明发光状态的示意图的图27中，在图27中，由空白矩形指示以灰度值“200”发光的亮度检测单元521，而由浅灰色矩形指示以灰度值“150”发光的亮度检测单元522。同时，由深灰色矩形指示以灰度值“100”发光的亮度检测单元523，而由黑色矩形指示不发光的其它亮度检测单元511至513和531至533。

此外，在图27中，将20℃劣化特性561作为指示亮度检测单元511至513的虚设像素电路的劣化状态的曲线图来示出。此外，将30℃劣化特性562作为指示亮度检测单元521至523的虚设像素电路的劣化状态的曲线图来示出。此外，将40℃劣化特性563作为示出亮度检测单元531至533的虚设像素电路的劣化状态的曲线图来示出。

由于亮度检测单元521至523的虚设像素电路在此测量时段(1)T41内被劣化，所以在测量时段(1)T41内所示的30℃劣化特性562上，示出了指示所测量的虚设像素电路的劣化的实线。

同时，由于亮度检测单元511至513的虚设像素电路在这个测量时段(1)T41内未被劣化，所以在测量时段(1)T41内所示的20℃劣化特性561上，未示出表示所测量的虚设像素电路的劣化的实线。此外，由于亮度检测单元531至533的虚设像素电路在这个测量时段(1)T41内也未被劣化，所以在测量时段(1)T41内所示的40℃劣化特性563上，未示出表示所测量的虚设像素电路的劣化的实线。

随后，在测量时段(2)T42内，基于表示为“39℃”的温度信息将预定灰度值的发光信号提供至仅在第三温度40±2℃下发光的虚设像素电路，即，提供至亮度检测单元531至533的虚设像素电路。因此，亮度检测单元521至523的虚设像素电路基于预定灰度值发光(白色、浅灰色、及深灰色矩形)。另一方面，亮度检测单元511至513和531至533的虚设像素电路不发光(黑色矩形)。

作为在测量时段(2)T42内发光的结果，亮度检测单元531至533的虚设像素电路在测量时段(2)T42内被劣化(将实线附加至测量时段(2)T42内40℃劣化特性563)。同时，亮度检测单元511至513的虚设像素电路在测量时段(2)T42内未被劣化(测量时段(2)T42内的20℃劣化特性561与测量时段(1)T41内的相同)。而且，亮度检测单元521至523的虚设像素电路在测量时段(2)T42内未被劣化(测量时段(2)T42内的30℃劣化特性562与测量时段(1)T41内的相同)。

随后，在测量时段(3)T43内，温度信息指示“35℃”。这个温度“35℃”不属于第一温度20±2℃、第二温度30±2℃、及第三温度40±2℃的任意一个。因此，虚设像素发光信号生成部540将具有灰度值“0”并且使得虚设像素电路进入不发光状态的发光信号提供至所有虚设像素电路。因此，亮度检测单元511至513、521至523、及531至533不发光(黑色矩形)。

在测量时段(3)T43内，由于所有虚设像素电路不发光，所以无虚设像素电路被劣化(测量时段(3)T43内的3个劣化特性561至563与测量时段(2)T42内的劣化特性相同)。

通过以这种方式使用仅在预定温度下发光的虚设像素电路，能够测量在每个温度下的虚设像素电路的劣化。

虚设像素劣化信息的实例

图28示出了本发明第二实施方式的虚设像素劣化信息的实例。

图28具体示出了示意性示出在图27中所示的测量时段(5)T45结束时在虚设像素劣化信息保持部570中所保持的虚设像素劣化信息的实例的表格。应当注意，在图28中，测量时被表示为与其初始状态中的虚设像素电路的亮度强度的比率(％)的亮度强度(即，虚设像素亮度信息)被表示为虚设像素劣化信息。

图28的列571表示关于第一次测量时段的虚设像素电路的虚设像素劣化信息。同时，另一列572表示关于第二次测量时段的虚设像素电路的虚设像素劣化信息。

此处，描述在图28的表中的虚设像素劣化信息。

在虚设像素电路#1至#3的列571中，分别示出了基于在测量时段(5)T45内(参照图27)由亮度测量单元511至513的虚设像素电路#1至#3进行的发光的劣化量的实例。同时，在虚设像素电路#4至#6的列571中，分别示出了基于在测量时段(1)T41内由亮度测量单元521至523的虚设像素电路#4至#6进行的发光的劣化量的实例。此外，在虚设像素电路#7至#9的列571中，分别示出了根据在测量时段(2)T42内由亮度测量单元531至533的虚设像素电路#7至#9进行的发光的劣化量的实例。

应当注意，由于虚设像素电路#1至#3和虚设像素电路#7至#9对于测量时段T41至T45内的第二次发光而言不发光，所以在关于虚设像素电路#1至#3和虚设像素电路#7至#9的列572中示出表示无可应用的虚设像素劣化信息的“-”。此外，在关于虚设像素电路#4至#6的列572中，示出了基于在图27中所示的测量时段(4)T44内的发光的劣化量的实例。

由此，根据虚设像素电路的发光次数将虚设像素电路的虚设像素劣化信息保持在虚设像素劣化信息保持部570中。

多个温度下的劣化特性的实例

图29A至图29C示意性示出了由本发明第二实施方式的劣化特性生成部590所生成的每个温度的劣化特性的实例。

应当注意，在图29A至图29C中，假定了基于图28中所示的虚设像素劣化信息作为实例生成了劣化特性。

图29A示出了示意性示出在温度条件“20±2℃”下的劣化特性的曲线图。在此曲线图中，由实曲线(即，由测量劣化特性581至583)指示关于仅在第一温度20±2℃下发光的虚设像素电路#1至#3的劣化的劣化特性。此外，由虚曲线指示根据测量劣化特性581至583计算的劣化特性(即，劣化特性591至593)。

图29A进一步示出了驱动虚设像素电路#1至#3发光的使用时段T51。

图29B示出了示意性示出在温度条件“30±2℃”下的劣化特性的曲线图。在此曲线图中，由实曲线(即，由测量劣化特性584至586)指示关于仅在第二温度30±2℃下发光的虚设像素电路#4至#6的劣化的劣化特性。此外，由虚曲线指示根据测量劣化特性584至586计算的劣化特性(即，劣化特性594至596)。

此外，图29B示出了驱动虚设像素电路#4至#6发光的使用时段T52。应当注意，由于如从图28的表所见，虚设像素电路#4至#6的发光次数大于虚设像素电路#1至#3的发光次数，所以使用时段T52表示的时段比使用时段T51更长。类似地，测量劣化特性584至586指示其实线比测量劣化特性581至583更长。

图29C示出了示意性示出在温度条件“40±2℃”下的劣化特性的曲线图。在此曲线图中，由实曲线(即，由测量劣化特性587至589)指示关于仅在第三温度40±2℃下发光的虚设像素电路#7至#9的劣化的劣化特性。此外，由虚曲线指示根据测量劣化特性587至589计算的劣化特性(即，劣化特性597至599)。

图29C进一步示出了驱动虚设像素电路#7至#9发光的使用时段T53。

由此，由劣化特性生成部590基于多个温度条件下的测量劣化特性生成多个温度条件下的劣化特性。

亮度劣化特性供给块的操作实例

现在，参照附图描述本发明第二实施方式中亮度劣化特性供给块550的操作。

图30为示出由本发明第二实施方式中的重影校正部545的亮度劣化特性供给块550进行的劣化特性的生成处理过程的实例的流程图。图30具体示出了在一个测量时段内获取了虚设像素亮度信息后直至使用虚设像素亮度信息生成劣化特性为止的处理程序的实例。

首先，在步骤S952中，由虚设像素劣化信息生成部410获取了由亮度传感器生成的虚设像素的亮度信息，即，虚设像素亮度信息。

然后在步骤S953中，由虚设像素劣化信息生成部410基于所获取的虚设像素亮度信息生成虚设像素劣化信息。之后，在步骤S954中，将所生成的虚设像素劣化信息保持在虚设像素劣化信息保持部570中。

此后，在步骤S955中判定是否保持了关于所有发光的像素电路的虚设像素劣化信息。随后，如果判定出还没有保持关于所有发光的虚设像素电路的虚设像素劣化信息，则处理返回步骤S952，使得执行关于任意发光的虚设像素电路还没有被保持的虚设像素劣化信息的生成处理。

另一方面，如果在步骤S955中判定出保持了关于所有发光的虚设像素电路的虚设像素电路劣化信息，则在步骤S957中，由劣化特性生成部590基于所保持的虚设像素劣化信息来生成劣化特性。然后，在步骤S958中，将所生成的劣化特性被保持在劣化特性保持部470中。

此后，在步骤S959中判定是否生成了各个温度和各个亮度的所有劣化特性。如果判定出还没有生成各个温度和各个亮度的所有劣化特性，则处理返回步骤S957，使得执行还没有被生成的劣化特性的生成处理。

另一方面，如果在步骤S959中判定出生成了各个温度和各个亮度的所有劣化特性，则由亮度劣化特性供给块550进行的劣化特性的生成处理过程结束。

虚设像素发光信号生成部的操作实例

现在，参照附图描述本发明第二实施方式中的虚设像素发光信号生成部540的操作。

图31为示出由本发明第二实施方式中的虚设像素发光信号生成部540进行的发光信号的生成处理过程的流程图。

参照图31，首先，在步骤S961中，由虚设像素发光信号生成部540获取了由温度传感器141所生成的温度信息。

随后，在步骤S962中，由虚设像素发光信号生成部540来判定所获取的温度所表示的温度是否为“20±2℃”。之后，如果判定出获取的温度为“20±2℃”，则随后在步骤S963中，用于使第一发光区510中的虚设像素电路发光的发光信号被提供至虚设像素选择块122。应当注意，在步骤S963中被提供至在第二发光区520和第三发光区530中的虚设像素电路的发光信号为用于使该虚设像素电路不发光的发光信号，即，灰度值“0”的发光信号。然后，由虚设像素发光信号生成部540进行的发光信号的生成处理程序结束。

另一方面，如果在步骤S962中判定出获取温度不是“20±2℃”，则随后在步骤S964中判定获取的温度是否为“30±2℃”。然后，如果判定出获取的温度为“30±2℃”，则在步骤S965中，用于使第二发光区520中的虚设像素电路发光的发光信号被提供至虚设像素选择块122。应当注意，在步骤S965中被提供至在第一发光区510和第三发光区530中的虚设像素电路的发光信号为用于使虚设像素电路不发光的发光信号，即，灰度值“0”的发光信号。随后，由虚设像素发光信号生成部540进行的发光信号的生成处理过程结束。

另一方面，如果在步骤S964中判定出获取的温度不是“30±2℃”，则在步骤S966中判定获取的温度是否为“40±2℃”。如果判定出获取的温度为“40±2℃”，则在步骤S967中，用于使第三发光区530中的虚设像素电路发光的发光信号被提供至虚设像素选择块122。应当注意，在步骤S967中被提供至在第一发光区510和第二发光区520中的虚设像素电路的发光信号为用于使虚设像素电路不发光的发光信号，即，灰度值“0”的发光信号。随后，由虚设像素发光信号生成部540进行的发光信号的生成处理过程结束。

另一方面，如果在步骤S966中判定获取温度不是“40±2℃”，则在步骤S968中，用于使所有虚设电路不发光的灰度值“0”的发光信号被提供至虚设电路。然后，由虚设像素发光信号生成部540进行的发光信号的生成处理过程结束。

由此，通过本发明第二实施方式，能够通过使用仅在特定温度下劣化的虚设像素电路以高精度生成每个温度的劣化特性。

<3.第三实施方式>

在上述本发明第二实施方式中，为了计算每个温度的劣化特性，使用了仅在特定温度下发光的虚设像素电路。在本发明的第二实施方式中，仅当虚设像素电路的环境温度变为特定温度时，才能够测量同样仅在特定温度下的劣化。换句话说，在本发明的第二实施方式中，响应于显示装置100的周围环境，在劣化能够被频繁测量的温度与劣化几乎不能够被测量的另一个温度之间出现差异。结果，存在关于劣化几乎不能够被测量的温度的劣化特性会不准确的可能性。

因此，在本发明第三实施方式的下列描述中，描述了一个实例，其中，保持虚设像素电路的温度固定在特定温度，使得总能测量在特定温度下虚设像素电路的劣化。

图32为示出本发明第三实施方式中虚设像素阵列部700的结构实例的框图。虚设像素阵列部700包括与上文中参照图25所述的本发明第二实施方式中的虚设像素阵列部500相同的几个组件，并且下面主要给出与虚设像素阵列部500不同的虚设像素阵列部700的描述。应当注意，在图32中，亮度检测单元711至713、721至723、及731至733的虚设像素电路通过被附加在其上的数字#1至#9来识别。

应当注意，除了在本发明第二实施方式的显示装置100中的虚设像素发光信号生成部540和虚设像素阵列部500之外，本发明第三实施方式的显示装置100的结构与本发明第二实施方式的显示装置100类似。在本发明第三实施方式中，由于虚设像素电路发射具有预定灰度值的光而与像素电路的环境温度无关，所以设置了上文中参照图1所述的虚设像素发光信号生成部150来代替虚设像素发光信号生成部540。此外，本发明第三实施方式的显示装置100包括虚设像素阵列部700，代替虚设像素阵列部500。

参照图32，类似于上文中参照图25所述的本发明第二实施方式中的虚设像素阵列部500，虚设像素阵列部700包括九个亮度检测单元，即，亮度检测单元711至713、721至723、及731至733。此外，虚设像素阵列部700包括三个恒温区，即，第一恒温区710、第二恒温区720、及第三恒温区730来代替图25中所示的三个发光区，即，第一发光区510、第二发光区520、及第三发光区530。

三个恒温区(即，第一恒温区710、第二恒温区720、及第三恒温区730)包括作为用于保持温度固定的温度控制元件的温度控制块714、724、及734。下文中，参照图33描述温度控制块714、724、及734。

第一恒温区710为温度一直被保持在特定温度(即，第一恒温)并且设置了在这个温度下执行劣化测量的亮度检测单元(即，亮度检测单元711至713)的区域。应当注意，在本发明第三实施方式中，假定了第一恒温为“20℃”。在第一恒温区710中所设置的亮度检测单元711至713的虚设像素电路一直被保持在温度“20℃”处，并且一直基于预定灰度值发光。然后，由亮度传感器测量关于发光的亮度。

第二恒温区720为温度一直被保持在与第一恒温不同的特定温度(即，第二恒温)并且设置了在这个温度下执行劣化测量的亮度检测单元(即，亮度检测单元721至723)的区域。应当注意，在本发明第三实施方式中，假定了第二恒温为“30℃”。在第二恒温区720中所设置的亮度检测单元721至723的虚设像素电路一直被保持在温度“30℃”处，并且一直基于预定灰度值发光。然后，由亮度传感器测量关于发光的亮度。

第三恒温区730为温度一直被保持在与第一恒温和第二恒温不同的特定温度(即，第三恒温)并且设置了在这个温度下执行劣化测量的亮度检测单元(即，亮度检测单元731至733)的区域。应当注意，在本发明第三实施方式中，假定了第三恒温为“40℃”。在第三恒温区730中所设置的亮度检测单元731至733的虚设像素电路一直被保持在温度“40℃”处，并且一直基于预定灰度值发光。然后，由亮度传感器测量关于发光的亮度。

通过以这种方式保持虚设像素电路的温度是固定的而能够在虚设像素阵列部700中设置一直以特定温度发光的虚设像素电路。

温度控制块的结构实例和薄膜加热器的设置实例

图33A是示出本发明第三实施方式中的温度控制块714的结构实例的框图，而图33B和图33C是分别示出薄膜加热器717相对于虚设像素电路的位置关系的俯视图和截面图。应当注意，图32中所示的温度控制块724和734类似于温度控制块714，因此，下面给出温度控制块714的描述，同时，在本文中省略对其它温度控制块724和734的描述。

图33A是示出温度控制块714的结构实例的框图。参照图33A，温度控制块714保持第一恒温区710中的温度固定，并且包括温度传感器715、加热器控制部716、及薄膜加热器717。

温度传感器715测量第一恒温区710中的温度，并且将所测量的温度提供至加热器控制部716。

加热器控制部716基于从温度传感器715向其提供的温度来控制薄膜加热器717的电源。

薄膜加热器717在被供电时生热并将热量提供至第一恒温区710以升高第一恒温区710中的温度。

图33B为示意性示出薄膜加热器717、表示虚设像素电路的TFT像素电路197、亮度传感器194及温度传感器715之间的位置关系的俯视图。

图33C示意性示出了亮度传感器312、虚设像素电路311、及薄膜加热器717的截面结构。图33C具体示出了作为虚设像素电路311的电路组件的发光元件196和TFT像素电路197。此外，图33C示出了亮度传感器312、树脂198、玻璃199、及温度传感器715。例如，TFT像素电路197被设置在玻璃199上，而发光元件196被设置在TFT像素电路197上。此外，用树脂198覆盖发光元件196，而亮度传感器312和温度传感器715被设置在树脂198上。

如图33B和图33C所看出，能够通过邻近虚设像素电路设置薄膜加热器717而保持虚设像素电路的温度固定。

亮度测量的实例

图34示出了本发明第三实施方式中通过九个亮度传感器进行的亮度测量的实例。

参照图34，纵轴表示温度，横轴表示测量时段，并且通过曲线图示出了在三个连续测量时段内(即，测量时段(1)T61至(3)T63内)的环境温度。此外，在图34中，示出了通过指示亮度检测单元711至713、721至723、及731至733的矩形来表示在三个测量时段内发光的那些虚设像素。此外，在图34中，示出了示意性示出在测量时段内的虚设像素电路的劣化量(即，20℃劣化特性761、30℃劣化特性762及40℃劣化特性763)的曲线图。

应当注意，假定了在图34中，测量时段(1)T61至(3)T63内像素电路的环境温度等于图27中所示的测量时段(1)T41至(3)T43内的温度。

此外，应当注意，参照图34来描述测量时段(1)T61至(3)T63与上文中参照图27所描述的测量时段(1)T41至(3)T43的差异。

分别保持亮度检测单元711至713、721至723、及731至733的温度固定在预定温度，即，20℃、30℃、及40℃。因此，与上文中参照图27所述的本发明第二实施方式不同，不需要确定是否应该基于虚设像素电路的环境温度发光。因此，本发明第三实施方式中的九个亮度检测单元在测量时段(1)T61至(3)T63内以预定灰度值(空白矩形、浅灰色矩形及深灰色矩形)发光，并且基于发光来计算劣化。应当注意，通过将测量时段内20℃劣化特性761的实线、30℃劣化特性762的实线及40℃劣化特性763的实线相加(测量时段所有亮度检测单元的劣化量相加)来表示劣化量。

由于虚设像素电路的温度以这种方式被保持在特定温度，所以能够在所有温度条件下一直测量每个温度的虚设像素电路的劣化。

虚设像素劣化信息的实例

图35示出了本发明第三实施方式中的虚设像素劣化信息的实例。

图35具体示出了示意性示出在图34中所示的测量时段(3)T63结束时被保持在虚设像素劣化信息保持部570中的虚设像素劣化信息的实例的表格。应当注意，在图35中，测量时被表示与其初始状态中的虚设像素电路的亮度强度的比率(％)的亮度强度(即，虚设像素亮度信息)被表示为虚设像素劣化信息。

图35的列771示出了关于第一次测量时段(即，测量时段(1)T61)的虚设像素电路的虚设像素劣化信息。同时，另一列772示出了关于第二次测量时段(即，测量时段(2)T62)的虚设像素电路的虚设像素劣化信息。又一列773示出了关于第三次测量时段(即，测量时段(3)T63)的虚设像素电路的虚设像素劣化信息。

如图35的表中所看出的，虚设像素电路的劣化测量次数(即，虚设像素劣化信息的条数)在它们之中相等。另一方面，在上文中参照图28所述的本发明的第二实施方式中，劣化测量次数在响应于虚设像素电路的环境温度的不同温度中不同。

在保持虚设像素电路的温度固定在特定温度的情况下，能够使通过虚设像素电路进行的劣化测量次数彼此相等。

多个温度的劣化特性的实例

图36A至图36C示意性示出了在本发明第三实施方式中对于由劣化特性生成部590所生成的每个温度的劣化特性的实例。

应当注意，在图36A至图36C中，假定了基于图35中所示的虚设像素劣化信息作为实例生成了劣化特性。

图36A示出了示意性示出温度条件“20℃”下的劣化特性的曲线图。在此曲线图中，由实曲线(即，由测量劣化特性781至783)指示关于仅在第一温度20℃下发光的虚设像素电路#1至#3的劣化的劣化特性。此外，由虚曲线指示根据测量劣化特性781至783计算的劣化特性(即，劣化特性791至793)。图36A进一步示出了驱动虚设电路#1至#3发光的使用时段T71。应当注意，使用时段T71在图36A至图36C中是相同的时段，其是测量时段(1)T71至(3)T73的总和。

图36B示出了示意性示出在温度条件“30℃”下的劣化特性的曲线图。在此曲线图中，由实曲线(即，由测量劣化特性784至786)指示关于仅在第二温度30℃下发光的虚设像素电路#4至#6的劣化的劣化特性。此外，由虚曲线指示根据测量劣化特性784至786计算的劣化特性(即，劣化特性794至796)。

图36C示出了示意性示出在温度条件“40℃”下的劣化特性的曲线图。在此曲线图中，由实曲线(即，由测量劣化特性787至789)指示关于仅在第三温度40℃下发光的虚设像素电路#7至#9的劣化的劣化特性。此外，由虚曲线指示根据测量劣化特性787至789计算的劣化特性(即，劣化特性797至799)。

由此，由劣化特性生成部590基于使用时段彼此相等的测量劣化特性生成了多个温度条件下的劣化特性。

由此，通过本发明第三实施方式，通过保持虚设像素电路的温度固定在特定温度能够以高精度生成每个温度的劣化特性。

应当注意，根据本发明第一至第三实施方式的显示装置可应用于各种电子装置(诸如，数码像机、笔记本式个人计算机、便携式电话及摄像机)的平板形状的显示装置。此外，该显示装置可应用于各种领域的电子装置的显示装置(其中，被输入或在电子装置中生成的图像信号被显示为图像)。下面，描述应用了这种显示装置的电子装置的实例。

<4.本发明的应用实例>

电子装置的应用实例

图37示出了本发明的实施方式应用于电视机的实例。参照图37，通过应用上述本发明的第一至第三实施方式中的任意一个来构成所示电视机。电视机包括由前面板12、滤光器13等所构成的图像显示屏幕11。根据本发明实施方式的显示装置100能够用作图像显示屏幕11。

图38示出了本发明的实施方式应用于数码像机的实例。参照图38，通过应用上述本发明的第一至第三实施方式中的任意一个来构成所示数码像机。此处，在上部示出了数码像机的正面立体图，而在下部示出了数码像机的背面立体图。数码像机包括图像拾取透镜15、显示部16、控制开关、菜单开关、快门按钮19等，并且通过将本发明实施方式中的显示装置100应用于显示部16来构成。

图39示出了本发明的实施方式应用于笔记本式个人计算机的实例。参照图39，通过应用上述本发明的第一至第三实施方式的任意一个来构成所示笔记本式个人计算机。笔记本式个人计算机包括被操作以输入字符等的在主体20上的键盘21，并且进一步包括设置在主体盖上用于显示图像的显示部22。通过将本发明实施方式中的显示装置100应用于显示部22来构成笔记本式个人计算机。

图40示出了本发明实施方式用于便携式终端装置的实例。参照图40，通过应用上述本发明的第一至第三实施方式中的任意一个来构成所示便携式终端装置。在图40中，在左侧示出了在未折叠状态下的便携式终端装置，而在右侧示出了在折叠状态下的便携式终端装置。便携式终端装置包括上侧机壳23、下侧机壳24、铰链形式的连接部25、显示部26、子显示部27、背景灯28、照像机29等。通过将本发明实施方式中的显示装置100应用于显示部26或子显示部27来构成便携式终端装置。

图41示出了本发明实施方式应用于摄像机的应用实例。参照图41，通过应用上述本发明的第一至第三实施方式中的任意一个来构成所示摄像机。摄像机包括主体部30、向前指向地设置在主体部30的表面用于摄取图像拾取对象的镜头34、用于图像拾取的启动/停止开关35、监视器36等。通过将本发明实施方式中的显示装置100应用于监控器36来构成摄像机。

由此，通过本发明的实施方式，通过测量虚设像素电路的亮度并生成每个温度的劣化特性能够以高精度执行重影校正。

应当注意，本发明的实施方式表示用于执行本发明的实例，本发明实施方式的内容与权利要求中所定义的本发明的特征具有彼此对应的关系。类似地，在权利要求中所定义的特征与被应用了与特征的术语相同的术语的本发明实施方式中的内容具有彼此对应的关系。但是，本发明不限于实施方式，而是能够在不违背本发明宗旨和范围的情况下以各种变形形式来实施。

此外，上文中结合本发明实施方式描述的处理过程可以理解为具有一系列这种处理过程的方法，或者可以理解为用于使计算机执行一系列处理过程的程序或者其上存储了该程序的记录介质。记录介质可以为(例如)CD(压缩光盘)、MD(迷你光盘)、DVD(数字通用光盘)、存储卡、蓝光光盘(Blu-ray Disc(注册商标))等。

本发明包含涉及于2010年3月30日向日本专利局提交的日本专利申请第JP 2010-076649号中公开的主题，其全部内容结合于此作为参考。

应当理解，对于本领域的技术人员来说，根据设计需要及其他因素，本发明可以有各种修改、组合、子组合和变化，只要它们在所附权利要求或其等效物的范围内即可。

Claims (11)

1.一种信号处理装置，包括：

亮度劣化信息生成部，用于根据像素电路的环境温度及以特定灰度值被驱动发光的特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值，来生成与所述像素电路中的发光元件所发出的光的、对应于发光时的温度条件的亮度劣化有关的亮度劣化信息；

亮度劣化值计算部，用于根据表示被提供给处于预定状态的所述像素电路的图像信号与响应于所述图像信号而从所述像素电路发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成部所生成的所述亮度劣化信息，来计算关于每个所述像素电路的亮度劣化的亮度劣化值；以及

校正部，用于根据所述亮度劣化值来校正待输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值。

2.根据权利要求1所述的信号处理装置，其中，所述亮度劣化信息生成部包括：

亮度劣化特性生成部，用于根据测量所述亮度值时的测量温度和所述亮度值来生成关于特定温度下所述像素电路的亮度劣化的亮度劣化特性；以及

加算部，用于根据所述环境温度、所述亮度劣化特性、在所述校正前对所述像素电路生成的亮度劣化信息、以及输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值将关于所述像素电路的所述亮度劣化的新劣化量依次与所述亮度劣化信息相加，从而生成新的亮度劣化信息。

3.根据权利要求2所述的信号处理装置，其中，所述亮度劣化特性生成部根据测量所述亮度值时的所述测量温度和所述亮度值来生成与所述测量温度不同的温度条件下的所述亮度劣化特性。

4.根据权利要求2所述的信号处理装置，进一步包括：

图像信号供给部，用于响应于所述测量温度将图像信号提供至所述特定发光元件；

当所述测量温度变成所述特定温度时，所述亮度劣化特性生成部根据所述特定发光元件的响应于所述流逝时间而劣化的亮度值来生成所述特定温度下的所述像素电路的所述亮度劣化特性。

5.根据权利要求2所述的信号处理装置，其中，在所述特定发光元件的所述环境温度为所述特定温度的状态下，所述亮度劣化特性生成部根据所述特定发光元件的响应于所述流逝时间而劣化的所述亮度值来生成所述特定温度下的所述像素电路的所述亮度劣化特性。

6.根据权利要求1所述的信号处理装置，其中，所述预定状态为所述像素电路没有经受所述亮度劣化的状态。

7.一种显示装置，包括：

信号处理电路，用于校正图像信号的灰度值；

多个像素电路，每个像素电路都包括当被提供对应于所述图像信号的驱动电流时以对应于所述驱动电流的亮度发光的发光元件；以及

特定像素电路，包括响应于特定灰度值的发光信号发光的特定发光元件，

所述信号处理电路包括：

亮度劣化信息生成部，用于根据所述像素电路的环境温度及所述特定像素电路的所述特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值，来生成与每个所述像素电路中的所述发光元件发出的光的、对应于发光时的温度条件的亮度劣化有关的亮度劣化信息；

亮度劣化值计算部，用于根据表示被提供给处于预定状态的所述像素电路的所述图像信号与响应于所述图像信号而从所述像素电路发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成部所生成的所述亮度劣化信息，来计算关于每个所述像素电路的所述亮度劣化的亮度劣化值；以及

校正部，用于根据所述亮度劣化值来校正待输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值。

8.一种电子装置，包括：

信号处理电路，用于校正图像信号的灰度值；

多个像素电路，每个像素电路都包括当被提供对应于所述图像信号的驱动电流时以对应于所述驱动电流的亮度发光的发光元件；以及

特定像素电路，包括响应特定灰度值的发光信号发光的发光元件，

所述信号处理电路包括：

亮度劣化信息生成部，用于根据所述像素电路的环境温度及所述特定像素电路的所述发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值，来生成与每个所述像素电路中的所述发光元件发出的光的、对应于发光时的温度条件的亮度劣化有关的亮度劣化信息，

亮度劣化值计算部，用于根据表示被提供给处于预定状态的所述像素电路的所述图像信号与响应于所述图像信号而从所述像素电路发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成部所生成的所述亮度劣化信息，来计算关于每个所述像素电路的所述亮度劣化的亮度劣化值，以及

校正部，用于根据所述亮度劣化值来校正待输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值。

9.一种信号处理方法，包括：

亮度劣化信息生成步骤，根据像素电路的环境温度及以特定灰度值被驱动发光的特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值，来生成与所述像素电路中的发光元件所发出的光的、对应于发光时的温度条件的亮度劣化有关的亮度劣化信息；

亮度劣化值计算步骤，根据表示被提供给处于预定状态的所述像素电路的图像信号与响应于所述图像信号而从所述像素电路所发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及通过所述亮度劣化信息生成步骤所生成的所述亮度劣化信息，来计算关于每个所述像素电路的亮度劣化的亮度劣化值；以及

校正步骤，根据所述亮度劣化值来校正待输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值。

10.一种程序，用于使计算机执行以下步骤：

亮度劣化信息生成步骤，根据像素电路的环境温度及以特定灰度值被驱动发光的特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值，来生成与所述像素电路中的发光元件所发出的光的、对应于发光时的温度条件的亮度劣化有关的亮度劣化信息；

亮度劣化值计算步骤，根据表示被提供给处于预定状态的所述像素电路的图像信号与响应于所述图像信号而从所述像素电路所发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及通过所述亮度劣化信息生成步骤所生成的所述亮度劣化信息，来计算关于每个所述像素电路的亮度劣化的亮度劣化值；以及

校正步骤，根据所述亮度劣化值来校正待输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值。

11.一种信号处理装置，包括：

亮度劣化信息生成装置，用于根据像素电路的环境温度及以特定灰度值被驱动发光的特定发光元件的响应于流逝时间而劣化的亮度值，来生成与所述像素电路中的发光元件所发出的光的、对应于发光时的温度条件的光亮度劣化有关的亮度劣化信息；

亮度劣化值计算装置，用于根据表示被提供给处于预定状态的所述像素电路的图像信号与响应于所述图像信号而从所述像素电路发出的光的亮度之间的相关特性的亮度特性以及所述亮度劣化信息生成装置所生成的所述亮度劣化信息，来计算关于每个所述像素电路的亮度劣化的亮度劣化值；以及

校正装置，用于根据所述亮度劣化值来校正待输入至所述像素电路的所述图像信号的所述灰度值。

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