CN108369792A - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于实现一种可以抑制耗电量的增大且可以抑制因光电学元件的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低的显示装置。有机EL显示装置中设有如下结构：像素电路驱动部，其进行测量电路元件的特性的特性测量处理且驱动像素电路；参数表(230)，其保存基于在特性测量处理得到的监测数据(MO)的参数值；补偿演算处理部(260)，其基于保存在参数表(230)的参数值校正从外部发送的图像数据(VDb)，由此生成应向像素电路提供的影像数字信号(VDa)；温度传感器(120)，其检测温度；监测控制部(250)，其对应于检测温度控制特性测量处理的实施频率。检测温度越高，监测控制部(250)提高特性测量处理的实施频率。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
下面的公开是关于显示装置及其驱动方法，更详细地，涉及具有像素电路的显示装置及其驱动方法，所述像素电路包括有机EL(El ectro Luminescence)元件等光电学元件。
背景技术
历来，作为显示装置所具有的显示元件，有通过施加的电压控制亮度、透射率的光电学元件、和通过流过的电流控制亮度、透射率的光电学元件。作为通过施加的电压控制亮度、透射率的光电学元件的代表例，能够列举液晶显示元件。另一方面，作为通过流过的电流控制亮度、透射率的光电学元件的代表例，能够列举有机EL元件。有机EL元件也被称为OLED(Organic Light-Emitting Diode)。使用了作为自发光型的光电学元件的有机EL元件的有机EL显示装置，与需要背光源以及彩色滤光片等的液晶显示装置相比，可以容易地实现薄型化、低耗电量化、高亮度化等。因此，近年，有机EL显示装置的开发得到积极地推进。
作为有机EL显示装置的驱动方式，存在无源矩阵方式(也被称为单纯矩阵方式)与有源矩阵方式这两种方式。采用了无源矩阵式的有机EL显示装置，虽然结构简单，但难以实现大型化以及高分辨率化。与此相对地，采用了有源矩阵式的有机EL显示装置(下面称为“有源矩阵型有机EL显示装置”)，与采用了无源矩阵方式的有机EL显示装置相比，可以容易实现大型化以及高分辨率化。
在有源矩阵型的有机EL显示装置中，多个像素电路形成为矩阵状。有源矩阵型的有机EL显示装置的像素电路，典型地，包含选择像素的输入晶体管、和控制向有机EL元件的电流的供给的驱动晶体管。并且，在下面，存在将从驱动晶体管流向有机EL元件的电流称为“驱动电流”的情况。
图23是表示现有技术的一般的像素电路91的结构的电路图。该像素电路91与配置于显示部的多条数据线S和多条扫描线G的各交叉点对应设置。如图23所示，该像素电路91包括2个晶体管T1、T2、1个电容器Cst、一个有机EL元件OLED。晶体管T1为输入晶体管，晶体管T2为驱动晶体管。
晶体管T1被设置于数据线S与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，栅极端子被连接于扫描线G，源极端子被连接于数据线S。晶体管T2被与有机EL元件OLED串联设置。关于该晶体管T2，漏极被连接于提供高电平电源电压ELVDD的电源线，源极端子被连接于有机EL元件OLED的阳极。并且，下面将提供高电平电源电压ELVDD的电源线称为“高电平电源线”。在高电平电源线上附加与高电平电源电压相同的符合的ELVDD。关于电容器Cst，一个端子被连接于晶体管T2的栅极端子，另一个端子被连接于晶体管T2的源极端子。有机EL元件OLED的阴极端子被连接于提供低电平电源电压ELVSS的电源线。并且，下面将提供低电源电压ELVSS的电源线称为“低电平电源线”。在低电平电源线附加与低电平电源电压相同的符合的ELVSS。另外，此处，为了方便，将晶体管T2的栅极端子、电容器Cst的一端、和晶体管T1的漏极端子的连接点称为“栅极节点”。给栅极节点付上符号VG。并且，一般而言，虽然漏极与源极中电位高的一个被称为漏极，然而在本说明书的说明中，定义一个为漏极，另一个为源极，因此，也存在源极电位比漏极电位高的情况。
图24是为了说明图23所示的像素电路91的动作的时序图。在时刻t01以前，扫描线G处于非选择状态。因此，在时刻t01以前，晶体管T1成为截止状态，栅极节点VG的电位维持初始水平(例如，对应于前一帧中的写入的水平)。当变为时刻t01时，扫描线G处于选择状态，晶体管T1接通。由此，通过数据线S以及晶体管T1，与该像素电路91形成的像素(子像素)亮度对应的数据电压Vdata被提供至栅极节点VG。此后，在直到时刻t02的期间中，栅极节点VG的电位根据数据电压Vdata变化。此时，电容器Cst被栅极-源极间电压Vgs充电，所述栅极-源极间电压Vgs作为栅极节点VG的电位和晶体管T2的源极电位的差。当变为时刻t02时，扫描线G处于非选择状态。由此，晶体管T1截止，且确定电容器Cst所保存的栅极-源极间电压Vgs。晶体管T2对应于电容器Cst所保存的栅极-源极间电压Vgs向有机EL元件OLED提供驱动电流。其结果是，有机EL元件OLED以对应于驱动电流的亮度发光。
但是，在有机EL显示装置中，典型地，作为驱动晶体管采用薄膜晶体管(TFT)。但是，关于薄膜晶体管，阈值电压容易产生偏差。当被设置于显示部内的多数驱动晶体管中产生阈值电压偏差，则产生亮度不均，由此显示品质降低。另外，驱动晶体管、有机EL元件随着时间的流逝，电压-电流特性劣化，即使施加与初期相同的电压，流动的电流也减少。由此，随着时间的流逝，亮度逐渐降低。进一步地，有机EL元件的发光效率也随时间发生老化，因此即使向有机EL元件提供一定电流，也会发生亮度的降低。其结果，会发生烧屏。在此，补偿驱动晶体管的阈值电压的偏差、劣化的处理、以及补偿包括发光效率的老化的有机EL元件的劣化的处理依据现有技术进行。
并且，关于本发明，已知有下面现有技术文献。在国际公开2014/208458号文本中，公开了一种有机EL显示装置的发明，所述有机EL显示装置检测驱动晶体管及有机EL元件两者的特性，并向有机EL元件提供以能够补偿驱动晶体管的劣化及有机EL元件的劣化的两者的大小的驱动电流。在日本特开2012-83777号公报中，公开了一种发光装置的发明，所述发光装置能够将与温度变化、老化对应的监测元件(监测用的发光元件)的电极电位变化反馈至发光元件，从而使发光元件的亮度保持恒定的亮度。在日本特开2009-80252号公报中，公开一种有机EL显示装置的发明，所述有机EL显示装置对应检测温度，改变使信号振幅基准电压(影像信号振幅之中决定黑电平的电压)、及用于决定给予像素电路的信号值的振幅的信号值基准电压，从而维持高画质并可以根据温度的亮度变动进行校正。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:国际公开2014/208458号文本
专利文献2:日本特开2012-83777号公报
专利文献3:日本特开2009-80252号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
然而，有机EL元件具有其亮度(发光亮度)依赖于温度的特性。图25是示出有机EL元件的电压-电流特性的图。用符号92示出的曲线表示相对低温时的电压-电流特性，且用符号93示出的曲线表示相对高温时的电压-电流特性。如从图25所知，恒定的电压施加至有机EL元件时，温度越高，流向该有机EL元件的电流越大。由此，温度越高，有机EL元件的亮度越高。如此，有机EL元件具有“温度越高亮度越高”的短期特性。
有机EL元件如上所述在短期内温度越高亮度越高，但在长期内温度越高压力的劣化越大，因此亮度降低。对此参考图26进行说明。图26是为了说明有机EL元件的长期特性的图。图26中，横轴表示时间，纵轴表示有机EL元件的亮度。用符号94示出的直线表示相对低温的状态下的时间与亮度之间的关系，用符号95示出的直线表示相对高温的状态下的时间与亮度之间的关系。由图26，可知与温度无关随着时间的流逝而有机EL元件的亮度降低。另外，由图26，已知温度越高亮度降低的程度大。如此，有机EL元件具有“温度越高因温度的劣化引起的亮度降低的程度越大”的长期特性。
有机EL元件具有如上所述的短期特性及长期特性，因此假设高温时仅考虑短期特性，若以亮度降低(以使流过有机EL元件的电流变小)的方式进行校正，则随着时间的流逝，亮度过度降低(也就是说，过度变暗)。
国际公开2014/208458号文本所公开的有机EL显示装置中，虽然有进行补偿驱动晶体管的劣化及有机EL元件的劣化的两者的处理，但没有适当地设定用于检测电路元件(驱动晶体管、有机EL元件)的特性的监测(电流、电压的测量)的间隔，则可能产生由温度的劣化导致的亮度降低。另外，只要提高监测的频率，可能导致耗电量的增大。尤其是这些年，关于移动型的显示装置，用户的使用时间的增大显著，因此低耗电量化的要求提高。
因此，下面的公开的目的在于，实现一种可以抑制耗电量的增大，且可以抑制因光电学元件(典型的为有机EL元件)的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低的显示装置。
解决问题的手段
本发明的第一方案是一种显示装置，所述显示装置包括光电学元件以及多个像素电路，所述光电学元件根据电流来控制亮度，所述多个像素电路包含驱动晶体管以作为电路元件，所述驱动晶体管用于控制应提供至所述光电学元件的电流，其特征在于，所述显示装置包括:
像素电路驱动部，其进行测量所述电路元件的特性的特性测量处理，并驱动所述多个像素电路；
特性数据存储部，其保存基于在所述特性测量处理中的测量结果所得到的特性数据；
补偿演算处理部，其基于保存于所述特性数据存储部的特性数据校正输入影像信号，由此生成应提供至所述多个像素电路的影像信号；
温度检测部，其检测温度；
测量控制部，其对应由所述温度检测部检测的检测温度，控制所述特性测量处理的实施频率；
所述检测温度越高，所述测量控制部提高所述特性测量处理的实施频率。
本发明的第二方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，
所述测量控制部预先保存表示温度与所述特性测量处理的实施频率的关系的第一关系式，基于所述检测温度，从所述第一关系式决定所述特性测量处理的实施频率。
本发明的第三方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，进一步包括：
累积驱动时间计算部，其计算所述多个像素电路的累积驱动时间；
所述累积驱动时间越短，所述测量控制部提高所述特性测量处理的实施频率。
本发明的第四方案，其特征在于，在本发明的第三方案中，
所述测量控制部预先保存表示所述累积驱动时间与所述特性测量处理的实施频率的关系的第二关系式，并且基于所述累积驱动时间，从所述第二关系式决定所述特性测量处理的实施频率。
本发明的第五方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，进一步包括：
第一特性数据校正部，其将基于在所述特性测量处理中的测量结果所得到的特性数据的值，校正为与基于所述检测温度的标准温度对应的值，并将校正后的特性数据存储于所述特性数据存储部；
第二特性数据校正部，其将保存于所述特性数据存储部的特性数据的值校正为与所述检测温度对应的值；
所述补偿演算处理部基于由所述第二特性数据校正部的校正后的特性数据校正所述输入影像信号，由此生成应提供至所述多个像素电路的影像信号。
本发明的第六方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，
所述温度检测部设有多个。
本发明的第七方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，
所述温度检测部设置于包含所述多个像素电路的显示面板的内部。
本发明的第八方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，
所述温度检测部设置于包含所述多个像素电路的显示面板的外部。
本发明的第九方案，其特征在于，在本发明的第一方案中，
所述光电学元件为有机发光二极管。
本发明的第十方案是一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括光电学元件以及多个像素电路，所述光电学元件根据电流来控制亮度，所述多个像素电路包含驱动晶体管以作为电路元件，所述驱动晶体管用于控制应提供至所述光电学元件的电流，其特征在于，所述显示装置的驱动方法包括:
像素电路驱动步骤，其进行测量所述电路元件的特性的特性测量处理，并驱动所述多个像素电路；
特性数据存储步骤，其将基于在所述特性测量处理中的测量结果所得到的特性数据保存于规定的特性数据存储部；
补偿演算处理步骤，其基于保存于所述特性数据存储部的特性数据校正输入影像信号，由此生成应提供至所述多个像素电路的影像信号；
温度检测步骤，其检测温度；
测量控制步骤，对应在所述温度检测步骤中检测的检测温度，控制所述特性测量处理的实施频率；
在所述测量控制步骤中，所述检测温度越高，所述特性测量处理的实施频率越高。
发明效果
根据本发明的第一方案，在具有补偿电路元件(光电学元件及驱动晶体管)的劣化的功能的显示装置中，设置检测温度的温度检测部，以及对应于检测温度控制特性测量处理(用于获得电路元件的特性的电流监测、电压监测)的实施频率的测试控制部。然后，测量控制部调整特性测量处理的实施频率，以使检测温度越高实施频率越高，检测温度越低实施频率越低。由此，显示装置即使在高温的状态下使用，能抑制因温度的劣化引起的亮度降低。另外，虽然特性测量处理的实施频率越高，耗电量增大，但在低温时特性测量处理的实施频率降低。由此，因进行特性测量处理引起的耗电量的增大受到抑制。如上所述，实现一种可以抑制耗电量的增大且可以抑制因光电学元件的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低的显示装置。
根据本发明的第二方案，可以考虑电路元件的材料、制造工序等各种因素并进行补偿演算处理。由此，更确切地，可以得到与本发明的第一方案相同的效果。
根据本发明的第三方案，在显示装置中，设有计算像素电路的累积驱动时间的累积驱动时间计算部。然后，在温度的基础上，考虑像素电路的累积驱动时间来决定特性测量处理的实施频率。由此，对应于像素电路的累积驱动时间，更适当地决定特性测量处理的实施频率。由此，实现一种可以更有效地抑制耗电量的增大且可以更有效地抑制因光电学元件的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低的显示装置。
根据本发明的第四方案，可以考虑电路元件的材料、制造过程等各种因素且进行补偿演算处理。由此，更确切地，得到与本发明的第三方案相同的效果。
根据本发明的第五方案，在特性测量处理得到的特性数据，以该值换算成在标准温度下的值的状态，保存于特性数据存储部。然后，对于保存于特性数据存储部的特性数据的值，实施换算为与进行补偿演算处理时的温度对应的值的校正，基于其校正后的特性数据来校正输入影像信号。像这样的特性数据，暂时以该值换算为在标准温度下的值的状态保存，因此，即使温度的变动大，也可以确保补偿的精度。
根据本发明的第六方案，与显示面板内的位置无关，可以充分地补偿电路元件的劣化。
根据本发明的第七方案，根据温度检测部，靠近电路元件的部分的温度被检测，因此补偿的精度提高。
根据本发明的第八方案，可以采用一般的传感器作为温度检测部。另外，关于显示面板的构成，不需要从现有技术的构成实施变更。由上述，与在显示面板的内部设置温度检测部的构成相比，可以将降低成本。
根据本发明的第九方案，可以实现抑制耗电量的增大且抑制因光电学元件的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低的有机EL显示装置。
根据本发明的第十方案，在显示装置的驱动方法中能够起到与本发明的第一方案相同的效果。
附图说明
图1是示出本发明的一实施方式有关的有源矩阵型有机EL显示装置的整体结构的框图。
图2是为了说明在上述实施方式中的源极驱动器的图。
图3是示出在上述实施方式中，像素电路与源极驱动器的一部分(作为电流监测部起作用的部分)的电路图。
图4是为了说明在上述实施方式中的用于进行电流监测的驱动方法的时序图。
图5是为了说明在上述实施方式中的在电流测量期间内的电流流动的图。
图6是为了说明在上述实施方式中的在电流测量期间内的电流流动的图。
图7是为了说明在上述实施方式中的在数据电压写入期间内的电流流动的图。
图8是示出在上述实施方式中的控制部内的具体的构成的框图。
图9是示出温度与电路元件(晶体管、有机EL元件)的劣化速度的关系的图。
图10是示出在上述实施方式中的温度与监测间隔的关系的图。
图11是示出在上述实施方式中的补偿演算处理部的构成的框图。
图12是为了说明在上述实施方式中的效果的图。
图13是为了说明在上述实施方式中的效果的图。
图14是示出时间的流逝与电路元件的劣化速度的关系的图。
图15是示出在上述实施方式的第一变形例中，时间的流逝与监测间隔的关系的图。
图16是示出上述第一变形例涉及的有源矩阵型有机EL显示装置的整体结构的框图。
图17是示出在上述第一变形例中，控制部内的具体的构成的框图。
图18是示出上述实施方式的第二变形例涉及的有源矩阵型有机EL显示装置的整体结构的框图。
图19是示出上述实施方式的第三变形例中的源极驱动器的功能框图。
图20是示出上述第三变形例中，像素电路与源极驱动器的一部分的电路图。
图21是示出在上述第三变形例中，电压监测部的一构成例的图。
图22是为了说明在上述第三变形例中，用于进行电压监测的驱动方法的时序图。
图23是示出现有技术的一般的像素电路的结构的电路图。
图24是为了说明图23所示的像素电路的动作的时序图。
图25是示出有机EL元件的电压-电流特性的图。
图26是为了说明有机EL元件的长期特性的图。
具体实施例
下面，参照附图说明本发明的一实施方式。并且，在下面，假设M及N为2以上的整数，i为1以上N以下的整数，j为1以上M以下的整数。另外，在下面，将设置于像素电路中的驱动晶体管的特性称为“TFT特性，”将设置于像素电路中的有机EL元件的特性称为“OLED特性”。
<1.整体结构>
图1是示出本发明的实施方式的有源矩阵型有机EL显示装置的整体结构的框图。该有机EL显示装置由有机EL面板10、控制部20、以及源极驱动器30构成。有机EL面板10包含有显示部100、栅极驱动器110、及温度传感器120。也就是说，在本实施方式中，栅极驱动器110形成于构成有机EL面板10的基板上。然而，栅极驱动器110也可以采用设置于有机EL面板10的外部的构成。控制部20由画像处理部22及时序控制器24构成。画像处理部22由泛称为“GPU”的LSI来实现。时序控制器24由泛称为“TCON”的LSI来实现，并控制栅极驱动器110及源极驱动器30的动作。如此，画像处理部22与时序控制器24由各自的LSI来实现，但在本说明书中，为了方便，将这些一并作为控制部20来说明。并且，在本实施方式中，由栅极驱动器110及源极驱动器30来实现像素电路驱动部，由温度传感器120来实现温度检测部。
显示部100设置有M条数据线S(1)～S(M)以及与它们正交的N条扫描线G1(1)～G1(N)。另外，在显示部100中，以与N条扫描线G1(1)～G1(N)一一对应的方式设置有N条监测控制线G2(1)～G2(N)。扫描线G1(1)～G1(N)与监测控制线G2(1)～G2(N)相互平行。进一步地，在显示部100中，以与N条扫描线G1(1)～G1(N)和M条数据线S(1)～S(M)的交叉点对应的方式设置有N×M个像素电路102。如上所述，通过设置有N×M个像素电路102，而N行×M列的像素矩阵被形成于显示部100。另外，在显示部100中，设置有提供高电平电源电压的高电平电源线(未图示)、和提供低电平电源电压的低电平电源线(未图示)。
并且，在下面，在不需要相互区分M条数据线S(1)～S(M)的情况下，对数据线仅附上符号S。同样地，在不需要相互区分N条扫描线G1(1)～G1(N)的情况下，对数据线仅附上符号G1，在不需要相互区分N条监测控制线G2(1)～G2(N)的情况下，对监测控制线仅附上符号G2。
在本实施方式中的数据线S不仅作为传输用于将像素电路102内的有机EL元件以期望的亮度发光的亮度信号(影像信号)的信号线使用，还作为用于将TFT特性、OLED特性的检测用的电压(下面，称为“测量用电压”)施加于像素电路102的信号线、以及作为表示TFT特性、OLED特性的电流即后述的电流监测部320能够测量的电流的通路的信号线。
下面，关于图1所示的各构成要素的动作进行说明。温度传感器120检测其周围的温度并输出表示检测温度的温度数据TE。并且，温度传感器120的数值虽然没有限定，但优选考虑在有机EL面板10内的温度分布的不均匀性而设置多个温度传感器120。
控制部20接收从外部发送的图像数据VDb、从源极驱动器30输出的监测数据MO、及从温度传感器120输出的温度数据TE，并通过基于监测数据MO与温度数据TE，对图像数据VDb实施下述的补偿演算处理，而生成用于给源极驱动器30的影像数字信号(补偿演算处理后的图像数据)VDa。并且，监测数据MO是指用于检测TFT特性、OLED特性而被测量的数据。另外，控制部20还通过向源极驱动器30提供影像数字信号VDa以及源极控制信号SCTL，控制源极驱动器30的动作，通过给栅极驱动器110提供栅极控制信号GCTL，控制栅极驱动器110的动作。源极控制信号SCTL中，包含有源极起始脉冲信号、源极时钟信号、锁存选通(Latchstrobe)信号等。栅极控制信号GCTL包含有栅极起始脉冲信号、栅极时钟信号、输出使能(Output Enable)信号等。并且，影像数字信号VDa、源极控制信号SCTL、及栅极控制信号GCTL通常从控制部20内的时序控制器24输出。
栅极驱动器110被连接于N条扫描线G1(1)～G1(N)以及N条监测控制线G2(1)～G2(N)。栅极驱动器110由移位寄存器以及逻辑电路等构成。栅极驱动器110基于从控制部20所输出的栅极控制信号GCTL，驱动N条扫描线G1(1)～G1(N)以及N条监测控制线G2(1)～G2(N)。
源极驱动器30被连接于M条数据线S(1)～S(M)。源极驱动器30选择地进行驱动数据线S(1)～S(M)的动作、和测量在数据线S(1)～S(M)中流动的电流的动作。也就是说，如图2所示，源极驱动器30中，功能性地包括作为驱动数据线S(1)～S(M)的数据线驱动部310起作用的部分、及作为测量由像素电路102向数据线S(1)～S(M)输出的电流的电流监测部320起作用的部分。电流监测部320测量流至数据线S(1)～S(M)的电流，并输出基于测量值的监测数据MO。
如上所述，通过驱动N条扫描线G1(1)～G1(N)、N条监测控制线G2(1)～G2(N)、及M条数据线S(1)～S(M)，基于从外部发送的图像数据VDb的画像显示于显示部100。此时，基于监测数据MO与温度数据TE，通过对图像数据VDb实施补偿演算处理，由此补偿驱动晶体管的阈值电压的偏差、有机EL元件的劣化。
<2.像素电路及源极驱动器>
接着，详细地说明像素电路102及源极驱动器30。源极驱动器30作为数据线驱动部310起作用时，进行如下的动作。源极驱动器30接收从控制部20输出的源极控制信号SCTL，并向M条数据线S(1)～S(M)施加与各自的目标亮度相对应的电压(下面称为“数据电压”)。此时，在源极驱动器30中，源极起始脉冲信号的脉冲作为触发器，在源极时钟信号的脉冲发生的时机，表示对各数据线S应施加的电压的影像数字信号VDa地依次被保存。然后，在锁存选通信号的脉冲发生的时机，上述被保存的影像数字信号VDa转换为模拟电压。该转换的模拟电压作为数据电压一并地施加至全部数据线S(1)～S(M)。源极驱动器30作为电流监测部320起作用时，向数据线S(1)～S(M)施加测量用电压，由此将流至数据线S(1)～S(M)的电流分别转换为电压。该转换后的数据作为监测数据MO从源极驱动器30输出。
图3是示出像素电路102与源极驱动器30的一部分(作为电流监测部320起作用的部分)的电路图。并且，图3中，示出第i行j列的像素电路102、及与源极驱动器30中的第j列的数据线S(j)相对应的部分。该像素电路102具有一个有机EL元件(光电学元件)OLED、三个晶体管T1～T3、及一个电容Cst。晶体管T1作为选择像素的输入晶体管起作用，晶体管T2作为控制向有机EL元件OLED提供的电流的驱动晶体管起作用，且晶体管T3作为控制是否进行用于检测驱动晶体管T2或有机EL元件OLED的特性的电流测量的监测控制晶体管起作用。
晶体管T1被设于数据线S(j)与晶体管T2的栅极端子之间。关于该晶体管T1，栅极端子连接于扫描线G1(i)，源极端子连接于数据线S(j)。晶体管T2与有机EL元件OLED串联地被设置。关于该晶体管T2，栅极端子连接于晶体管T1的漏极端子，漏极端子连接于高电平电源线ELVDD，源极端子连接于有机EL元件OLED的阳极端子。关于晶体管T3，栅极端子连接于监测控制线G2(i)，漏极端子连接于有机EL元件OLED的阳极端子，源极端子连接于数据线S(j)。关于电容Cst，一端连接于晶体管T2的栅极端子，而另一端连接于晶体管T2的漏极端子。有机EL元件OLED的阴极端子连接于低电平电源线ELVSS。并且，作为像素电路102内的晶体管T1～T3，可以采用氧化物TFT(将氧化物半导体用于沟道层的薄膜晶体管)、非晶硅TFT等。作为氧化物TFT，例如，例举含有InGaZnO(氧化铟镓锌)的TFT。通过采用氧化物TFT，例如，可以实现高分辨率化、低耗电量化。
如图3所示，电流监测部320包含有DA转换器(DAC)31、运算放大器32、电容33、开关34、及AD转换器(ADC)35。由运算放大器32、电容33、及开关34构成电流/电压转换部39。并且，该电流/电压转换部39及DA转换器31也作为数据线驱动部310的构成要素起作用。
向DA转换器31的输入端子给予影像数字信号VDa。DA转换器31将影像数字信号VDa转换为模拟电压。该模拟电压为数据电压或测量用电压。DA转换器31的输出端子连接于运算放大器32的非反相输入端子。由此，向运算放大器32的非反相输入端子给予数据电压或测量用电压。运算放大器32的反相输入端子连接于数据线S(j)。开关34设置于运算放大器32的反相输入端子与输出端子之间。电容33与开关34并联地设置于运算放大器32的反相输入端子与输出端子之间。向开关34的控制端子给予源极控制信号SCTL中包含的输入输出控制信号DWT。运算放大器32的输出端子连接于AD转换器35的输入端子。
在如上述的构成中，输入输出控制信号DWT为高电平时，开关34处于导通状态，且运算放大器32的反相输入端子-输出端子间处于短路状态。此时，运算放大器32作为缓冲放大器起作用。由此，数据线S(j)被施加给予运算放大器32的非反相输入端子的电压(数据电压或测量用电压)。输入输出控制信号DWT为低电平时，开关34处于断开状态，且运算放大器32的反相输入端子与输出端子经由电容33连接。此时，运算放大器32与电容33作为积分电路起作用。由此，运算放大器32的输出电压(监测电压Vmo)成为与流至数据线S(j)的电流相对应的电压。AD转换器35将运算放大器32的输出电压(监测电压Vmo)转换为数字值。转换后的数据作为监测数据MO被传送至控制部20。
并且，在本实施方式中，虽形成为用于提供数据电压的信号线与用于测量电流的信号线共用的构成，但本发明不限于此。也可以采用用于提供数据电压的信号线与用于测量电流的信号线分别独立地被设置的构成。另外，关于像素电路102的构成，也可以采用图3所示的构成以外的构成。也就是说，本发明没有特别的限定电流监测部320、像素电路102的具体的电路构成。
<3.驱动方法>
接着，说明用于进行电流监测(用于检测TFT特性、OLED特性的电流测量)的驱动方法。关于进行电流监测的期间没有特别的限定。例如，在显示期间内、垂直回扫期间内、装置的电源导通之后、装置的电源断开时等，可以进行电流监测。并且，在下面，将用于进行电流监测的一系列处理的期间称为“监测处理期间”。另外，在下面，将成为电流监测对象的行称为“监测行”。
图4是为了说明用于进行电流监测的驱动方法的时序图。并且，在图4中，示出在第i行上进行电流监测的例子。在图4中，以符号TM表示的期间为监测处理期间。监测处理期间TM由在监测行上进行检测TFT特性或OLED特性的准备的期间(下面称为“检测准备期间”。)Ta、进行用于检测特性的电流测量的期间(下面称为“电流测量期间”。)Tb、在监测行上进行数据电压的写入的期间(下面称为“数据电压写入期间”。)Tc构成。
在检测准备期间Ta，扫描线G1(i)处于激活的状态，监测控制线G2(i)维持在非激活的状态。由此，晶体管T1处于导通状态，而晶体管T3维持在断开状态。另外，在检测准备期间Ta，对数据线S(j)施加测量用电压Vmg(i，j)。并且，测量用电压Vmg(i，j)不意味着某一固定的电压，测量用电压Vmg(i，j)在检测TFT特性时与检测OLED特性时的大小不同。也就是说，此处的测量用电压是包含TFT特性测量用电压及OLED特性测量用电压的两者的概念。若测量用电压Vmg(i，j)为TFT特性测量用电压，则晶体管T2处于导通状态。若测量用电压Vmg(i，j)为OLED特性测量用电压，则晶体管T2维持在断开状态。
然而，在检测准备期间Ta对数据线S(j)施加的TFT特性测量用电压，以满足“TFT特性测量用电压<有机EL元件OLED的阈值电压+晶体管T2的阈值电压”的方式设定。通过如此设定，在电流测量期间Tb，电流未流向有机EL元件OLED，可以仅测量晶体管T2的特性。另外，在检测准备期间Ta对数据线S(j)施加的OLED特性测量用电压，以满足“OLED特性测量用电压<有机EL元件OLED的阈值电压+晶体管T2的阈值电压”的方式设定。通过如此设定，在电流测量期间Tb，晶体管T2不处于导通状态，可以仅测量有机EL元件OLED的特性。
在电流测量期间Tb，扫描线G1(i)处于非激活的状态，监测控制线G2(i)处于激活的状态。由此，晶体管T1处于断开状态，晶体管T3处于导通状态。在此，若测量用电压Vmg(i，j)为TFT特性测量用电压，如上所述，晶体管T2处于导通状态，且电流没有流向有机EL元件OLED。由此，如在图5中以符号61表示的箭头，流过晶体管T2的电流通过晶体管T3输出至数据线S(j)。在这种状态下，流向数据线S(j)的电流被源极驱动器30内的电流监测部320测量。另一方面，若测量用电压Vmg(i，j)为OLED特性测量用电压，则如上所述晶体管T2维持在断开状态，电流流向有机EL元件OLED。也就是说，如在图6中以符号62表示的箭头，从数据线S(j)经由晶体管T3电流流向有机EL元件OLED，而有机EL元件OLED发光。在这种状态下，流向数据线S(j)的电流被源极驱动器30内的电流监测部320测量。
在数据电压写入期间Tc，扫描线G1(i)处于激活的状态、监测控制线G2(i)处于非激活的状态。由此，晶体管T1处于导通状态，晶体管T3处于断开状态。另外，在数据电压写入期间Tc，对数据线S(j)施加与目标亮度对应的数据电压。由此，晶体管T2处于导通状态。其结果，如在图7中以符号63表示的箭头，驱动电流经由晶体管T2提供至有机EL元件OLED。由此，有机EL元件OLED以与驱动电流相对应的亮度发光。
<4.控制部的处理>
图8是示出控制部20内的具体的构成的框图。控制部20包含有参数计算部210、第一温度校正部220、参数表230、第二温度校正部240、监测控制部250、及补偿演算处理部260。并且，这些构成要素也可以分别设置于画像处理部22内及时序控制器24内的任一个。
向控制部20给予的监测数据MO是表现TFT特性或OLED特性的数据。在控制部20中，使用基于其监测数据MO得到的参数值(补偿用参数的值)，对从外部发送的图像数据VDb实施补偿演算处理。在本实施方式中，更具体地，作为参数值使用，作为基于TFT特性的检测结果得到的偏移值(与阈值电压相当的值)的TFT偏移值、作为基于TFT特性的检测结果得到的增益值的TFT增益值、作为基于OLED特性的检测结果得到的偏移值(与阈值电压相当的值)的OLED偏移值、及作为基于OLED特性的检测结果得到的劣化校正系数的OLED劣化校正系数。并且，在图8中，对从参数计算部210输出的参数值赋予符号PR1，对从第一温度校正部220输出的参数值赋予符号PR2，对从参数表230取出的参数值赋予符号PR3，对从第二温度校正部240输出的参数值赋予符号PR4。
下面，说明图8所示的各构成要素的动作。参数计算部210基于监测数据MO求出参数值PR1。该参数计算部210中，作为参数值PR1，被求出TFT偏移值Vth_raw(TFT)、TFT增益值β_raw(TFT)、OLED偏移值Vth_raw(OLED)、及OLED劣化校正系数β_raw(OLED)。
在此，说明上述四个参数值的具体的求得的方法的一个例子。为了求得上述四个参数值，需要对各像素电路102实施四次的电流监测。并且，在此，假设第一次及第二次的电流监测中，进行TFT特性的检测，而第三次及第四次的电流监测中，进行OLED特性的检测。
晶体管T2在饱和区域动作时，一般地，晶体管2的栅极-源极间电压Vgs、漏极电流Id、阈值电压Vth、及增益β之间，下式(1)近似成立。
Id＝(β/2)×(Vgs-Vth)2…(1)
若将第一次的电流监测时的电流测量期间Tb内的晶体管T2的栅极-源极间电压及测量电流(由电流监测部320测量的电流)分别以Vgs1及I1表示，并将第二次的电流监测时的电流测量期间Tb内的晶体管T2的栅极-源极间电压及测量电流分别以Vgs2及I2表示，则根据上式(1)，下式(2)、(3)成立。
I1＝(β_raw(TFT)/2)×(Vgs1-Vth_raw(TFT))2…(2)
I2＝(β_raw(TFT)/2)×(Vgs2-Vth_raw(TFT))2…(3)
若求解基于上式(2)、(3)的联立方程式，则可以得到下式(4)、(5)。
[式一]
[式二]
有机EL元件OLED的阳极-阴极间电压Vo、电流Io、阈值电压Vth、及增益β之间，下式(6)近似成立。但是，K为2以上3以下的常数。
Io＝β(Vo-Vth)K…(6)
若将第三次的电流监测时的电流测量期间Tb内的有机EL元件OLED的阳极-阴极间电压及测量电流分别以Vom3及I3表示，并将第四次的电流监测时的电流测量期间Tb内的有机EL元件OLED的阳极-阴极间电压及测量电流分别以Vom4，I4表示，则根据上式(6)，下式(7)、(8)成立。
I3＝β_raw(OLED)×(Vom3-Vth_raw(OLED))K…(7)
I4＝β_raw(OLED)×(Vom4-Vth_raw(OLED))K…(8)
若求解基于上式(7)、(8)的联立方程式，则可以得到下式(9)、(10)。
[式三]
[式四]
如上所述，参数计算部210是根据基于监测数据MO的上式(4)、(5)，求得TFT偏移值Vth_raw(TFT)及TFT增益值β_raw(TFT)，另外，根据基于监测数据MO的上式(9)、(10)求得OLED偏移值Vth_raw(OLED)及OLED劣化校正系数β_raw(OLED)。
第一温度校正部220基于温度数据TE，将参数值PR1校正(换算)至在标准温度(例如，25度)的值。通过校正得到的参数值PR2存储于参数表230。关于这些，在晶体管上、在有机EL元件上，也随着温度变高而阈值电压变小。由此，关于TFT偏移值及OLED偏移值，监测时的温度(温度数据TE表示的温度)高于标准温度时，将与在参数计算部210求得的值相比大的值存储于参数表230，而监测时的温度低于标准温度时，将与在参数计算部210求得的值相比小的值存储于参数表230。另外，晶体管的增益值随着温度升高而变小。由此，关于TFT增益值，监测时的温度高于标准温度时，将与在参数计算部210求得的值相比大的值存储于参数表230，而监测时的温度低于标准温度时，将与在参数计算部210求得的值相比小的值存储于参数表230。另外，有机EL元件的劣化校正系数随着温度变高而上升。由此，关于OLED劣化校正系数，监测时的温度高于标准温度时，将与在参数计算部210求得的值相比小的值存储于参数表230，而监测时的温度低于标准温度时，将与在参数计算部210求得的值相比大的值存储于参数表230。
如上所述，第一温度校正部220将TFT偏移值Vth_raw(TFT)换算为在标准温度下的值的TFT偏移值Vth(TFT)、TFT增益值β_raw(TFT)换算为在标准温度下的值的TFT增益值β(TFT)、OLED偏移值Vth_raw(OLED)换算为在标准温度下的值的OLED偏移值Vth(OLED)、及OLED劣化校正系数β_raw(OLED)换算为在标准温度下的值的OLED劣化校正系数β(OLED)作为参数值PR2存储于参数表230。
参数表230将在第一温度校正部220求得的参数值PR2(TFT偏移值Vth(TFT)、TFT增益值β(TFT)、OLED偏移值Vth(OLED)、及OLED劣化校正系数β(OLED))保存于各个像素。并且，在本实施方式中，根据该参数表230可以实现特性数据存储部。
第二温度校正部240基于温度数据TE，将从参数表230取出的参数值PR3校正(换算)为现在温度下的值。通过校正得到的参数值PR4被给予至补偿演算处理部260。如上所述，参数表230中存储有与标准温度对应的参数值(具体地，通过将在监测时温度下的参数值换算为标准温度而得到的参数值)，因此在该第二温度校正部240中，以在补偿演算处理部260进行与现在温度相对应的补偿演算处理的方式，校正参数值。概括地说就是，进行在第一温度校正部220的校正与逆校正。例如，若着眼于TFT偏移值，则现在温度(温度数据TE示出的温度)高于标准温度时，给予补偿演算处理部260的值设为小于从参数表230取出的值，而现在温度低于标准温度时，给予补偿演算处理部260的值设为大于从参数表230取出的值。并且，在第二温度校正部240如何进行校正(从参数值PR3向参数值PR4的校正)，是依赖于在补偿演算处理部260的参数值PR4的使用者。
如上所述，第二温度校正部240将TFT偏移值Vth(TFT)换算为处于现在温度下的值的TFT偏移值Vth’(TFT)、TFT增益值β(TFT)换算为处于现在温度下的值的TFT增益值β’(TFT)、OLED偏移值Vth(OLED)换算为处于现在温度下的值的OLED偏移值Vth’(OLED)、及OLED劣化校正系数β(OLED)换算为处于现在温度下的值的OLED劣化校正系数β’(OLED)作为参数值PR4给予补偿演算处理部260。
监测控制部250基于温度数据TE，输出监测控制信号MCTL。监测控制信号MCTL的内容被反映在构成栅极控制信号GCTL及源极控制信号SCTL的信号的波形。由此，对应于温度调整监测间隔(进行经过电流监测部320的电流的测量的间隔)。关于该监测间隔的调整，参考图9及图10下面进行详细地说明。
图9是示出温度与电路元件(晶体管、有机EL元件)的劣化速度的关系的图。如从图9所知，随着温度变高，电路元件的劣化速度提高。由此，在高温的状态下，若在某一行上，从进行电流监测到在该行上再次进行电流监测的期间长，则会有因温度的电路元件的劣化不能得到充分地补偿的情况。也就是说，随着温度变高，原本的亮度与通过补偿演算处理得到的亮度之间的误差(补偿误差)容易超过允许范围。并且，此处的允许范围是指，典型地，亮度的劣化不被人眼察觉的范围。
因此，如图10所示，在本实施方式中，使得补偿误差不超过允许范围，温度越高监测间隔越小(换言之，温度越高，则提高监测频率)。如此，在监测控制部250中，调整监测间隔，使得温度越高监测间隔越小，且温度越低监测间隔越大。例如，高温(60度)时与常温(25度)时相比，晶体管的劣化以两倍的速度进行，有机EL元件的劣化以四倍的速度进行(然而，根据制造过程、电路元件的材料、驱动条件等而不同)。只要考虑因像这样的温度的电路元件的劣化的进行程度，决定监测间隔即可。
然而，在图10中虽然以线形表示温度与监测间隔的关系，但电路元件的劣化速度依赖于该电路元件的材料、制造过程等各种因素。由此，优选通过进行预先实验，准备好表示温度与监测间隔的关系的式子(下面称为“第一关系式”。)，并基于温度数据TE，由该第一关系式决定监测间隔。
补偿演算处理部260基于从第二温度校正部240输出的参数值PR4，对从外部发送的图像数据VDb实施补偿演算处理，使得补偿像素电路102内的电路元件(驱动晶体管T2、有机EL元件OLED)的劣化，。由补偿演算处理得到的图像数据(影像数字信号)VDa从控制部20输出发送至源极驱动器30。
在此，参考图11说明在补偿演算处理部260进行的补偿演算处理的一个例子。并且，在此，将TFT偏移值Vth’(TFT)以Vt1表示，将TFT增益值β’(TFT)以B1表示，将OLED偏移值Vth’(OLED)以Vt2表示，并将OLED劣化校正系数β’(OLED)以B2表示。补偿演算处理部260由LUT(Lookup table，查找表)261、乘法部262、乘法部263、加法部264、加法部265、及乘法部266构成。另外，在补偿演算处理部260，作为补偿用参数的值被给予TFT增益值B1、OLED劣化校正系数B2、TFT偏移值Vt1、及OLED偏移值Vt2。在如上所述的构成中，从外部发送的图像数据(补偿前图像数据)VDb被校正如下。
首先，使用LUT261，并对补偿前图像数据VDb实施γ(伽马)校正。也就是说，补偿前图像数据VDb示出的灰度通过γ校正而被转换为控制电压Vc。乘法部262接收控制电压Vc与TFT增益值B1，并将它们相乘而输出得到的值“Vc·B1”。乘法部263接收从乘法部262输出的值“Vc·B1”与OLED劣化校正系数B2，并将它们相乘而输出得到的值“Vc·B1·B2”。加法部264接收从乘法部263输出的值“Vc·B1·B2”与TFT偏移值Vt1，并通过将它们相加而得到的值“Vc·B1·B2+Vt1”输出。加法部265接收从加法部264输出的值“Vc·B1·B2+Vt1”与OLED偏移值Vt2，并通过将它们相加而输出得到的值“Vc·B1·B2+Vt1+Vt2”。乘法部266接收从加法部265输出的值“Vc·B1·B2+Vt1+Vt2”、与用于补偿因像素电路102内的寄生电容引起的数据电压的衰减的系数Z，并将它们相乘而得到的值“Z(Vc·B1·B2+Vt1+Vt2)”输出。如上所述，得到的值“Z(Vc·B1·B2+Vt1+Vt2)”的数据作为补偿后图像数据(影像数字信号)VDa从补偿演算处理部260输出。并且，上述的处理为一个例子，而本发明不限于此。
<5.效果>
根据本实施方式，具有补偿电路元件(驱动晶体管T2、有机EL元件OLED)的劣化功能的有机EL显示装置中，设有检测温度的温度传感器120与对应检测温度调整监测间隔的监测控制部250。然后，监测控制部250调整监测间隔，以使温度越高监测间隔越小，而温度越低监测间隔越大。由此，例如即便在有机EL显示装置在高温的状态下使用，也能抑制因温度的劣化引起的亮度降低。关于这个，参照图12及图13进一步地说明。图12中示出在本实施方式中的高温及低温的各自的状态下的时间的流逝与亮度的关系。如图12所示，高温时的监测间隔T1小于低温时的监测间隔T2。在此，若假设高温时的监测间隔设为T2，则时间的流逝与亮度的关系形成如图13所示的关系。通过图13，可知就在进行电流监测的时刻的前一刻，通过补偿演算处理得到的亮度与原本的亮度相比大幅度地降低。这个方面，在本实施方式中，由于在高温的状态下监测频率变高，如图12所示可以抑制因温度的劣化引起的亮度降低。另外，监测频率越高耗电量增大，但在本实施方式中，在低温时，监测频率降低。由此，抑制因进行电流监测引起的耗电量的增大。如上所述，根据本实施方式，实现一种可以抑制耗电量的增大且抑制因有机EL元件OLED的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低的有机EL显示装置。
另外，在本实施方式中，温度传感器120被设置于有机EL面板10内。为此，与有机EL面板的外部设有温度传感器的构成相比，被检测靠近电路元件的部分的温度，因此提高补偿的精度。另外，通过采用设置多个温度传感器120的构成，与有机EL面板10内的位置无关，可以充分地补偿电路元件的劣化。
<6.变形例>
下面，说明上述实施方式的变形例。
<6.1第一变形例>
图14是示出时间的流逝与电路元件(晶体管、有机EL元件)的劣化速度的关系的图。如从图14所知的，随着时间的流逝而电路元件的劣化速度降低。换言之，在初期，电路元件的劣化的进行的程度大。因此，在本变形例中，在温度的基础上，还考虑像素电路102的累积驱动时间来决定监测间隔。例如，如图15所示，在初期，监测间隔小，随着时间的流逝，监测间隔逐渐地变大。下面，说明用于实现这些的构成。
图16是示出本变形例涉及的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体结构的框图。在本变形例中的有机EL显示装置中，在上述实施方式中的构成要素(参照图1)基础上，还设有计时器40。并且，通过该计时器40实现累积驱动时间计算部。计时器40计算该有机EL显示装置的累积的动作时间(也就是说，像素电路102的累积驱动时间)，并将表示该累积驱动时间的时间数据TI给予至控制部20。控制部20接收从外部发送的图像数据VDb、从源极驱动器30输出的监测数据MO、从温度传感器120输出的温度数据TE、与从计时器40输出的时间数据TI，并基于监测数据MO、温度数据TE与时间数据TI，通过对图像数据VDb实施补偿演算处理，生成用于给予源极驱动器30的影像数字信号(补偿演算处理后的图像数据)VDa。关于这个以外的构成要素的动作，由于与上述实施方式相同，因此省略说明。
图17是示出在本变形例中的控制部20内的具体的构成的框图。在本变形例中，监测控制部250基于温度数据TE与时间数据TI，输出监测控制信号MCTL。由此，对应温度及像素电路102的累积驱动时间而调整监测间隔。具体地，调整监测间隔，以使“温度越高监测间隔越小，而温度越低监测间隔越大”，且“累积驱动时间越短监测间隔越小，而累积驱动时间越长监测间隔越大”。
并且，由于电路元件的劣化速度依赖于该电路元件的材料、制造过程等各种因素，因此优选准备好表示累积驱动时间与监测间隔的关系的式子(下面称为“第二关系式”。)，并基于时间数据TI从该第二关系式决定监测间隔。
根据本变形例，有机EL显示装置中设有计算像素电路102的累积驱动时间的计时器40。然后，在温度基础上，考虑像素电路102的累积驱动时间来决定监测间隔。具体地，监测控制部250调整监测间隔，以使“温度越高监测间隔越小，而温度越低监测间隔越大”，且“累积驱动时间越短监测间隔越小，而累积驱动时间越长监测间隔越大”。由此，对应累积驱动时间，更适宜地决定监测间隔。由此，可以更有效地抑制耗电量的增大，且可以更有效地抑制因有机EL元件OLED的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低。
<6.2第二变形例>
图18是示出上述实施方式的第二变形例涉及的有源矩阵型的有机EL显示装置的整体结构的框图。在上述实施方式中，温度传感器120设置于有机EL面板10内。与此相对地，在本变形例中，在有机EL面板10的外部设有温度传感器50。在本变形例中，温度传感器50检测其周围的温度，并输出表示检测温度的温度数据TE。该温度数据TE给予控制部20。温度传感器50的设置位置以外的方面与上述实施方式相同。
根据本变形例，可以采用一般的传感器作为温度传感器50。另外，关于有机EL面板10的构成，不需要从现有技术的构成实施变更。也就是说，可以使用现有的有机EL面板。根据上述，与上述实施方式相比，可以降低成本。
<6.3第三变形例>
在上述实施方式中，在有机EL显示装置中设有具有测量从像素电路102向数据线S(1)～S(M)输出的电流的功能的源极驱动器30。也就是说，为了得到像素电路102内的电路元件(驱动晶体管T2、有机EL元件OLED)的特性，进行了电流的测量。然而，本发明不限于此，也可以是为了得到像素电路102内的电路元件的特性，进行电压的测量(本变形例的构成)。
图19是在本变形例中的源极驱动器30的功能框图。如图19所示，在本变形例中的源极驱动器30中在功能上，驱动数据线S(1)～S(M)的数据线驱动部310、与测量数据线S(1)～S(M)上的规定的位置的电压的电压监测部330。
图20是示出像素电路102与源极驱动器30的一部分的电路图。并且，图20中示出第i行j列的像素电路102、及与源极驱动器30中的第j列的数据线S(j)对应的部分。在本变形例中，如图20所示，用于将数据线S(j)连接于数据线驱动部310的状态与数据线S(j)连接于电压监测部330的状态进行切换，设有切换部340，。然后，基于从控制部20给予切换部340的切替控制信号SW，数据线S(j)连接于数据线驱动部310或电压监测部330的任一个。
图21是示出电压监测部330的一个构成例的图。如图21所示，该电压监测部330中包括放大器331与恒定电流源332。如这样的构成中，经由恒定电流源332而恒定电流Ioled提供至数据线S(j)的状态下，具有低电平电源电压ELVSS的电极与节点333之间的电压由放大器331而被增幅。然后，增幅后的电压被给予至A/D转换器，并经由该A/D转换器的A/D转换后的数字数据作为监测数据MO被给予至控制部20。
图22是为了说明在本变形例中，用于进行电压监测(用于检测TFT特性、OLED特性的电压测量)的驱动方法的时序图。并且，在图22中，在第i行上示出进行电压监测的例子。监测处理期间TM由检测准备期间Ta、用于进行检测特性的电压测量的电压测量期间Td、数据电压写入期间Tc构成。
检测准备期间Ta内，扫描线G1(i)处于激活的状态，监测控制线G2(i)维持在非激活的状态。由此，晶体管T1处于导通状态，晶体管T3维持在断开状态。另外，检测准备期间Ta内，对数据线S(j)施加测量用电压Vmg(i，j)。测量用电压Vmg(i，j)为TFT特性测量用电压及OLED特性测量用电压的任一个。若测量用电压Vmg(i，j)为TFT特性测量用电压，则晶体管T2处于导通状态。若测量用电压Vmg(i，j)为OLED特性测量用电压，则晶体管T2维持在断开状态。
并且，与上述实施方式相同，在检测准备期间Ta对数据线S(j)施加的TFT特性测量用电压以满足“TFT特性测量用电压<有机EL元件OLED的阈值电压+晶体管T2的阈值电压”的方式设定，并且在检测准备期间Ta对数据线S(j)施加的OLED特性测量用电压以满足“OLED特性测量用电压<有机EL元件OLED的阈值电压+晶体管T2的阈值电压”的方式设定。
电压测量期间Td内，扫描线G1(i)处于非激活的状态，且监测控制线G2(i)处于激活的状态。由此，晶体管T1处于断开状态，晶体管T3处于导通状态。在这种状态下，向数据线S(j)提供恒定电流I_FIX。恒定电流I_FIX在TFT特性测量时从像素电路102流向源极驱动器30，并在OLED特性测量时从源极驱动器30流向像素电路102。在检测准备期间Ta对数据线S(j)施加TFT特性测量用电压时，从具有高电平电源电压ELVDD的电极通过晶体管T2、T3的电流朝向数据线S(j)流动。在检测准备期间Ta对数据线S(j)施加OLED特性测量用电压时，从数据线S(j)通过晶体管T3与有机EL元件OLED的电流流向具有低电平电源电压ELVSS的电极。源极驱动器30内的电压监测部330在该电压测量期间Td，测量数据线S(j)上的规定的位置(图21的节点333)的电压。
在数据电压写入期间Tc内，扫描线G1(i)处于激活的状态，监测控制线G2(i)处于非激活的状态。由此，晶体管T1处于导通状态，晶体管T3处于断开状态。另外，数据电压写入期间Tc内，对数据线S(j)施加于与目标亮度对应的数据电压。由此，晶体管T2处于导通状态。其结果，经由晶体管T2向有机EL元件OLED提供驱动电流，且有机EL元件OLED以与该驱动电流对应的亮度发光。
如上所述，在为了补偿演算处理代替电流的测量而采用进行电压的测量的构成的情况下，也可以获得TFT特性、OLED特性，并且可以基于该获得的情报，对图像数据VDb实施补偿演算处理。由此，为了补偿演算处理，在采用进行电压的测量的构成的有机EL显示装置中，可以抑制耗电量的增大且可以抑制因有机EL元件OLED的温度的劣化(发光效率的降低)引起的亮度降低。
<7.其他>
本发明不限于上述实施方式及上述各变形例，可以在不偏离本说明书的宗旨的范围内实施各种变形。例如，在上述实施方式及上述各变形例中列举说明了有机EL显示装置，只要具有以电流驱动的自发光型显示元件的显示装置，有机EL显示装置以外的显示装置也能适用本发明。
另外，在上述实施方式及上述各变形例中，虽然采用n沟道型的晶体管作为像素电路102(图3参照)内的晶体管，但也能采用p沟道型的晶体管。
本申请是基于在2015年12月14日申请的名为“显示装置及其驱动方法”的日本申请2015-242848号主张优先权，该日本申请内容通过引用被包含于本申请之中。
标号说明
10…有机EL面板
20…控制部
30…源极驱动器
50、120…温度传感器
100…显示部
102…像素电路
110…栅极驱动器
210…参数计算部
220…第一温度校正部
230…参数表
240…第二温度校正部
250…监测控制部
260…补偿演算处理部
310…数据线驱动部
320…电流监测部
330…电压监测部
T1～T3…晶体管
Cst…电容
OLED…有机EL元件
G1(1)～G1(N)…扫描线
G2(1)～G2(N)…监测控制线
S(1)～S(M)…数据线
MCTL…监测控制信号
MO…监测数据
TE…温度数据
TI…时间数据

Claims (10)

1.一种显示装置，包括光电学元件以及多个像素电路，所述光电学元件根据电流来控制亮度，所述多个像素电路包含驱动晶体管以作为电路元件，所述驱动晶体管用于控制应提供至所述光电学元件的电流，其特征在于，所述显示装置包括:
像素电路驱动部，其进行测量所述电路元件的特性的特性测量处理，并驱动所述多个像素电路；
特性数据存储部，其保存基于在所述特性测量处理中的测量结果所得到的特性数据；
补偿演算处理部，其基于保存于所述特性数据存储部的特性数据校正输入影像信号，由此生成应提供至所述多个像素电路的影像信号；
温度检测部，其检测温度；
测量控制部，其对应由所述温度检测部检测的检测温度，控制所述特性测量处理的实施频率；
所述检测温度越高，所述测量控制部提高所述特性测量处理的实施频率。
2.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，
所述测量控制部预先保存表示温度与所述特性测量处理的实施频率的关系的第一关系式，基于所述检测温度，从所述第一关系式决定所述特性测量处理的实施频率。
3.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，进一步包括:
累积驱动时间计算部，其计算所述多个像素电路的累积驱动时间；
所述累积驱动时间越短，所述测量控制部提高所述特性测量处理的实施频率。
4.根据权利要求3所述显示装置，其特征在于，
所述测量控制部预先保存表示所述累积驱动时间与所述特性测量处理的实施频率的关系的第二关系式，并且基于所述累积驱动时间，从所述第二关系式决定所述特性测量处理的实施频率。
5.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，进一步包括:
第一特性数据校正部，其将基于在所述特性测量处理中的测量结果所得到的特性数据的值，校正为与基于所述检测温度的标准温度对应的值，并将校正后的特性数据存储于所述特性数据存储部；
第二特性数据校正部，其将保存于所述特性数据存储部的特性数据的值校正为与所述检测温度对应的值；
所述补偿演算处理部基于由所述第二特性数据校正部的校正后的特性数据校正所述输入影像信号，由此生成应提供至所述多个像素电路的影像信号。
6.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，
所述温度检测部设有多个。
7.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，
所述温度检测部设置于包含所述多个像素电路的显示面板的内部。
8.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，
所述温度检测部设置于包含所述多个像素电路的显示面板的外部。
9.根据权利要求1所述显示装置，其特征在于，
所述光电学元件为有机发光二极管。
10.一种显示装置的驱动方法，所述显示装置包括光电学元件以及多个像素电路，所述光电学元件根据电流来控制亮度，所述多个像素电路包含驱动晶体管以作为电路元件，所述驱动晶体管用于控制应提供至所述光电学元件的电流，其特征在于，所述显示装置的驱动方法包括:
像素电路驱动步骤，其进行测量所述电路元件的特性的特性测量处理，并驱动所述多个像素电路；
特性数据存储步骤，其将基于在所述特性测量处理中的测量结果所得到的特性数据保存于规定的特性数据存储部；
补偿演算处理步骤，其基于保存于所述特性数据存储部的特性数据校正输入影像信号，由此生成应提供至所述多个像素电路的影像信号；
温度检测步骤，其检测温度；
测量控制步骤，对应在所述温度检测步骤中检测的检测温度，控制所述特性测量处理的实施频率；
在所述测量控制步骤中，所述检测温度越高，所述特性测量处理的实施频率越高。
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