JP6610847B1 - スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ - Google Patents
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Abstract
Description
前記スピン軌道トルク配線は、電気伝導特性が温度に対して金属的な挙動を示す金属酸化物を含み、前記スピン軌道トルク配線の厚み方向の中央を基準に、前記第1強磁性層側の酸素濃度と前記第1強磁性層と反対側の酸素濃度とが非対称である。
図1は、第1実施形態にかかるスピン軌道トルク型磁化回転素子を模式的に示した断面図である。第1実施形態にかかるスピン軌道トルク型磁化回転素子10は、第1強磁性層1と、スピン軌道トルク配線2とを有する。
以下、スピン軌道トルク配線2が延びる第1の方向をx方向、スピン軌道トルク配線2が存在する面内で第1の方向と直交する方向をy方向、x方向及びy方向のいずれにも直交する方向をz方向と規定して説明する。図1においてz方向は、第1強磁性層1の積層方向及びスピン軌道トルク配線2の厚み方向と一致する。
第1強磁性層1は磁化M1を有する。磁化M1の向きが変化すると、スピン軌道トルク型磁化回転素子10は、異方性磁気抵抗効果を示す。後述するスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子の場合は、磁化M1の向きが変化すると磁気抵抗効果を示す。図1では、第1強磁性層1を磁化M1がz方向に配向した垂直磁化膜としたが、磁化M1がxy面内方向のいずれかの方向に配向した面内磁化膜としてもよい。また磁化M1は、x方向、y方向、z方向のいずれかまたは全てに対して傾いていてもよい。
スピン軌道トルク配線2は、x方向に延在する。スピン軌道トルク配線2は、第1強磁性層1のz方向の一面に接続されている。スピン軌道トルク配線2は、第1強磁性層1に直接接続されていてもよいし、他の層を介し接続されていてもよい。
図1において、スピン軌道トルク配線2の上面に強磁性体を接触させると、純スピン流は強磁性体中に拡散して流れ込む。すなわち、第1強磁性層1にスピンが注入される。
スピン軌道トルク型磁化回転素子10の製造方法の一例について説明する。まず基板(図視略)上にスピン軌道トルク配線の基となる層を積層する。この層の成膜過程において、チャンバー内の酸素濃度を変えることで、スピン軌道トルク配線2の厚み方向の酸素濃度の違いを生み出すことができる。積層方法は、スパッタリング法、化学気相成長(CVD)法等の公知の方法を用いることができる。
<スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子>
図5は、第2実施形態に係るスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子20の断面模式図である。図5に示すスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子20は、スピン軌道トルク型磁化回転素子10と、非磁性層5と、第2強磁性層6とを備える。図3では、スピン軌道トルク型磁化回転素子として、スピン軌道トルク型磁化回転素子10を用いたが、他の変形例を用いてもよい。
第1実施形態のスピン軌道トルク型磁化回転素子10と同等の構成については、説明を省く。
例えば、非磁性層5が絶縁体からなる場合(トンネルバリア層である場合)、その材料としては、Al2O3、SiO2、MgO、及び、MgAl2O4等を用いることができる。また、これらの他にも、Al、Si、Mgの一部が、Zn、Be等に置換された材料等も用いることができる。これらの中でも、MgOやMgAl2O4はコヒーレントトンネルが実現できる材料であるため、スピンを効率よく注入できる。非磁性層5が金属からなる場合、その材料としては、Cu、Au、Ag等を用いることができる。さらに、非磁性層5が半導体からなる場合、その材料としてはSi、Ge、CuInSe2、CuGaSe2、Cu(In,Ga)Se2などを用いることができる。
また、この層の厚みは、層を構成する物質のスピン拡散長以下であることが好ましい。層の厚みがスピン拡散長以下であれば、スピン軌道トルク配線2から伝播するスピンを第1強磁性層1に十分伝えることができる。
<磁気メモリ>
図6は、複数のスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子20(図5参照)を備える磁気メモリ30の平面図である。図5は、図6におけるA−A面に沿ってスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子20を切断した断面図に対応する。図6に示す磁気メモリ30は、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子20が3×3のマトリックス配置をしている。図6は、磁気メモリの一例であり、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子20の数及び配置は任意である。
2 スピン軌道トルク配線
2A 第1領域
2B 第2領域
2C 第3領域
2D 第4領域
2a 第1面
2b 第2面
5 非磁性層
6 第2強磁性層
10、11、12、13 スピン軌道トルク型磁化回転素子
20 スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子
30 磁気メモリ
M1、M6:磁化
C 基準線
Claims (13)
- 第1方向に延在するスピン軌道トルク配線と、
前記スピン軌道トルク配線に積層された第1強磁性層と、を備え、
前記スピン軌道トルク配線は、電気伝導特性が温度に対して金属的挙動を示す金属酸化物を含み、
前記スピン軌道トルク配線の厚み方向の中央を基準に、前記第1強磁性層側の酸素濃度と前記第1強磁性層と反対側の酸素濃度とが非対称であり、
前記スピン軌道トルク配線の厚み方向に、酸素濃度が単調増加または単調減少する部分を有する、スピン軌道トルク型磁化回転素子。 - 第1方向に延在するスピン軌道トルク配線と、
前記スピン軌道トルク配線に積層された第1強磁性層と、を備え、
前記スピン軌道トルク配線は、電気伝導特性が温度に対して金属的挙動を示す金属酸化物を含み、
前記スピン軌道トルク配線の厚み方向の中央を基準に、前記第1強磁性層側の酸素濃度と前記第1強磁性層と反対側の酸素濃度とが非対称であり、
前記スピン軌道トルク配線は、前記スピン軌道トルク配線の厚み方向の中央よりも前記第1強磁性層から遠い位置に金属挿入層を有する、スピン軌道トルク型磁化回転素子。 - 第1方向に延在するスピン軌道トルク配線と、
前記スピン軌道トルク配線に積層された第1強磁性層と、を備え、
前記スピン軌道トルク配線は、電気伝導特性が温度に対して金属的挙動を示す金属酸化物を含み、
前記スピン軌道トルク配線の厚み方向の中央を基準に、前記第1強磁性層側の酸素濃度と前記第1強磁性層と反対側の酸素濃度とが非対称であり、
前記スピン軌道トルク配線は、厚み方向のいずれかの位置に金属挿入層を有し、
前記金属挿入層の厚みは、前記金属挿入層を構成する金属原子のイオン半径の2倍未満である、スピン軌道トルク型磁化回転素子。 - 前記スピン軌道トルク配線の厚み方向に、酸素濃度が単調増加または単調減少する部分を有する、請求項2又は3に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記スピン軌道トルク配線は、Cr、Fe、Ir、W、Mo、Re、Ti、V、Nb、Pd、Ru、及びSnからなる群から選択される1種以上の元素の酸化物を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記スピン軌道トルク配線はIr、W、Pd、Mo、Nb及びReからなる群から選択される1種以上の元素の酸化物を含む、請求項5に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記スピン軌道トルク配線は、厚み方向のいずれかの位置に金属挿入層を有する、請求項1、5又は6に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記スピン軌道トルク配線は、前記スピン軌道トルク配線の厚み方向の中央よりも前記第1強磁性層から遠い位置に金属挿入層を有する、請求項1、4〜6のいずれか一項に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記金属挿入層を構成する金属元素は、前記スピン軌道トルク配線の金属酸化物を構成する金属元素と異なる、請求項2、3、7、8のいずれか一項に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記金属挿入層の厚みは、前記金属挿入層を構成する金属原子のイオン半径の2倍未満である、請求項2、7〜9のいずれか一項に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 前記厚み方向から見て、前記スピン軌道トルク配線の前記第1強磁性層と重なる位置の第1点の酸素濃度は、前記第1強磁性層と重ならない位置の第2点の酸素濃度より低い、請求項1〜10のいずれか一項に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のスピン軌道トルク型磁化回転素子と、
前記第1強磁性層と対向する第2強磁性層と、
前記第1強磁性層と前記第2強磁性層との間に位置する非磁性層と、を備える、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子。 - 請求項12に記載のスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子を複数備えた磁気メモリ。
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