JP6569821B2 - 電力素子の駆動回路 - Google Patents
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Description
2 電力素子(IGBT)
3 主電源
4 電源(Vcc)
5 制御回路(CONT)
Q1 第1の半導体スイッチ素子(MOS-FET)
Q2 第2の半導体スイッチ素子(MOS-FET)
Q3 第3の半導体スイッチ素子(MOS-FET)
Q4 第4の半導体スイッチ素子(MOS-FET)
ZD 正の温度特性を有する半導体素子(ツェナー・ダイオード)
ZDT 定電圧素子(温度補償された定電圧ダイオード回路)
RG ゲート抵抗
Claims (8)
- 制御電極に印加される駆動信号に応じて第1の主電極と第2の主電極との間に流れる主電流を制御する電力素子をオン・オフ駆動する駆動回路であって、
正の温度特性を有する半導体素子または定電圧素子を間にして直列に接続された第1の半導体スイッチ素子と第2の半導体スイッチ素子とを備えて構成され、電源端子と接地端子との間に設けられると共に、前記正の温度特性を有する半導体素子または定電圧素子と接地端子側に設けられた前記第2の半導体スイッチ素子との直列接続点を前記電力素子の制御電極に接続した第1の直列回路と、
直列に接続された第3の半導体スイッチ素子と第4の半導体スイッチ素子とを備えて構成され、前記電源端子と前記接地端子との間に設けられると共に、前記第3の半導体スイッチ素子と第4の半導体スイッチ素子との直列接続点を前記電力素子の第2の主電極に接続した第2の直列回路と、
制御信号に応じて前記第1〜第4の半導体スイッチ素子のそれぞれを互いに関連させてオン・オフさせて前記電力素子のオン・オフを制御する制御回路と
を具備したことを特徴とする電力素子の駆動回路。 - 前記正の温度特性を有する半導体素子は、温度の上昇に伴って逆方向降伏電圧が増加するツェナー・ダイオードであって、
前記第1の直列回路は、前記電力素子の動作電圧閾値の変化に合わせて前記第1の半導体スイッチ素子のオン時に前記電力素子の制御電極に加える電圧を変化させるものである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。 - 前記定電圧素子は、温度変化に拘わることなく一定の逆方向降伏電圧を生成する温度補償された定電圧ダイオード回路であって、
前記第1の直列回路は、前記電力素子の動作電圧閾値の変化に拘わりなく前記第1の半導体スイッチ素子のオン時に、前記電力素子のオン動作に必要な電圧を前記電力素子の制御電極に加えるものである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。 - 前記制御回路は、前記電力素子をオン・オフ駆動する通常動作時には、前記第1および第4の半導体スイッチ素子をそれぞれオンすると共に、前記第2および第3の半導体スイッチ素子をそれぞれオフさせて前記電力素子をターン・オンさせ、
前記第1および第4の半導体スイッチ素子をそれぞれオフすると共に、前記第2および第3の半導体スイッチ素子をそれぞれオンさせて前記電力素子をターン・オフさせるものである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。 - 前記制御回路は、前記電力素子を強制的にオフさせるときには、前記第1および第3の半導体スイッチ素子をそれぞれオンさせると共に、前記第2および第4の半導体スイッチ素子をそれぞれオフさせるものである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。
- 前記制御回路は、前記電力素子を強制的にオフさせるときには、前記第2および第4のスイッチ素子をそれぞれオンさせると共に、前記第1および第3の半導体スイッチ素子をそれぞれオフさせるものである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。
- 前記電力素子は、前記制御電極をゲート、前記第1の主電極をコレクタ、および前記第2の主電極をエミッタとするIGBTであって、
前記第1〜第4の半導体スイッチ素子のそれぞれは、前記制御回路から各ゲートに印加される電圧に応じてオン・オフするMOS-FETである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。 - 前記電力素子は、前記制御電極をゲート、前記第1の主電極をソース、および前記第2の主電極をドレインとするN型のパワーMOS-FETであって、
前記第1〜第4の半導体スイッチ素子のそれぞれは、前記制御回路から各ゲートに印加される電圧に応じてオン・オフするMOS-FETである請求項1に記載の電力素子の駆動回路。
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