JP6557694B2 - 熱硬化性フラックス組成物および電子基板の製造方法 - Google Patents
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Description
一方、実装基板上にフラックス剤を含有する接着剤を予め印刷しておき、印刷部分にパッケージ部品を実装する方法が提案されている(特許文献1参照)。
また、特許文献1に記載の接着剤を用いる方法においては、接着剤の硬化物が実装基板に残ることになる。そのため、この接着剤の硬化物にも、実装基板に用いられる材料(ソルダーレジストなど)と同様に絶縁性が求められる。そして、例えばエポキシ樹脂の硬化率を下げるような方法で、セルフアライメント性の向上を図ろうとしても、接着剤の硬化物における絶縁性が問題となる。
このように、硬化物の絶縁性と、リフローでのはんだ付け性およびセルフアライメント性とは、トレードオフの関係にあり、これらを共に向上させるのは困難であった。
すなわち、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフローはんだ付けにより、融点が200℃以上240℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、(A)オキセタン化合物と、(B)活性剤とを含有し、前記(A)成分が、(A1)1分子中に2つのオキセタン環を有する二官能オキセタン化合物を含有し、前記(B)成分が、(B1)有機酸を含有し、前記(A)成分の配合量が、前記熱硬化性フラックス組成物の固形分全量に対して、40質量%以上95質量%以下であり、温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上であることを特徴とするものである。
本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、前記(A)成分が、(A2)1分子中に1つのオキセタン環を有する単官能オキセタン化合物を、さらに含有してもよい。
本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、前記(B)成分が、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸およびスベリン酸からなる群から選択される少なくとも1種であることが好ましい。
本発明の熱硬化性フラックス組成物においては、スズ96.5質量%、銀3.0質量%および銅0.5質量%のはんだ合金からなり、平均粒子径が30μmであるはんだ粉末と、前記熱硬化性フラックス組成物とを質量比が1:1となるように混合してなるはんだ組成物を作製し、前記はんだ組成物を温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上であることが好ましい。
すなわち、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフロー工程では、熱硬化性フラックス組成物の硬化がそれほど進まないような(A)オキセタン化合物を用いている。そのため、溶融はんだの流動性が熱硬化性フラックス組成物の硬化物により妨げられることがないために、リフローでのはんだ付け性やセルフアライメント性を維持できる。一方で、本発明の熱硬化性フラックス組成物は、リフロー工程後の熱硬化工程で、十分に硬化させることができるので、硬化物の絶縁性を確保できる。以上のようにして、上記本発明の効果が達成されるものと本発明者らは推察する。
まず、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物について説明する。
本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、リフローはんだ付けにより、はんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、以下説明する(A)オキセタン化合物および(B)有機酸を含有するものである。
ここで、粘度は、レオメーターにより測定することができる。具体的には、レオメーター(HAAKE社製、商品名「MARS−III」)を用いて、所定の条件により粘度を測定することができる。
熱硬化性フラックス組成物を用いて、リフローはんだ付けを行う場合、熱硬化性フラックス組成物ははんだと接触することになる。そして、はんだは、熱硬化性フラックス組成物の熱硬化触媒としての機能も発揮する。そのため、熱硬化性フラックス組成物とはんだ粉末とを混合してなるはんだ組成物における粘度変化から、リフローはんだ付けを行う場合の熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を、より正確に規定できる。
熱硬化性フラックス組成物およびはんだ組成物の200℃および250℃における粘度は、オキセタン化合物および有機酸などの種類を変更したり、オキセタン化合物とエポキシ樹脂とを併用したり、硬化剤を使用したりすることによって調整できる。
本実施形態に用いる(A)オキセタン化合物としては、公知のオキセタン化合物を適宜用いることができる。また、この(A)成分は、(A1)1分子中に2つのオキセタン環を有する二官能オキセタン化合物を含有することが必要である。
また、この(A)成分は、(A2)1分子中に1つのオキセタン環を有する単官能オキセタン化合物を含有していてもよい。この(A2)成分を含有することにより、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を高めることができ、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。
前記(A2)成分としては、3−エチル−3−ヒドロキシメチルオキセタン(東亞合成社製の「OXT−101」)、2−エチルヘキシルオキセタン(東亞合成社製の「OXT−212」)、および、3−エチル−3−(メタクリロイルオキシ)メチルオキセタン(宇部興産社製の「ETERNACOLL OXMA」)などが挙げられる。
本実施形態に用いる(B)活性剤は、有機酸、有機酸アミン塩、非解離性のハロゲン化化合物からなる非解離型活性剤、およびアミン系活性剤などが挙げられる。これらの活性剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、この(B)成分は、(B1)有機酸を含有することが必要である。リフロー工程では、有機酸とオキセタン化合物との硬化反応がそれほど進まないため、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を適切な範囲に調整できる。
モノカルボン酸としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブチリック酸、バレリック酸、カプロン酸、エナント酸、カプリン酸、ラウリル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、マルガリン酸、ステアリン酸、ツベルクロステアリン酸、アラキジン酸、ベヘニン酸、リグノセリン酸、およびグリコール酸などが挙げられる。
ジカルボン酸としては、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、フマル酸、マレイン酸、酒石酸、およびジグリコール酸などが挙げられる。これらの中でも、熱硬化性フラックス組成物の硬化物の物性の観点から、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸が好ましい。
その他の有機酸としては、ダイマー酸、レブリン酸、乳酸、アクリル酸、安息香酸、サリチル酸、アニス酸、クエン酸、およびピコリン酸などが挙げられる。
前記有機酸アミン塩は、前記(B1)成分のアミン塩である。前記アミンとしては、適宜公知のアミンを用いることができる。このようなアミンは、芳香族アミンであってもよく、脂肪族アミンであってもよい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。このようなアミンとしては、有機酸アミン塩の安定性などの観点から、炭素数が3以上13以下のアミンを用いることが好ましく、炭素数が4以上7以下の1級アミンを用いることがより好ましい。
前記芳香族アミンとしては、ベンジルアミン、アニリン、1,3−ジフェニルグアニジンなどが挙げられる。これらの中でも、ベンジルアミンが特に好ましい。
前記脂肪族アミンとしては、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、ヘプチルアミン、オクチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられる。
本実施形態に用いる(C)エポキシ樹脂としては、公知のエポキシ樹脂を適宜用いることができる。この(C)成分により、硬化物のガラス転移点を高めたり、耐衝撃性を高めたりすることができる。また、この(C)成分により、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。
このようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールA型、ビスフェノールF型、ビフェニル型、ナフタレン型、クレゾールノボラック型、フェノールノボラック型などのエポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。また、これらのエポキシ樹脂は、硬化物の耐衝撃性の観点から、ゴム変性されたものであることが好ましい。さらに、これらのエポキシ樹脂は、常温で液状のものを含有することが好ましく、常温で固形のものを用いる場合には、常温で液状のものと併用することが好ましい。
また、前記(C)成分は、硬化物のガラス転移点を高め、耐衝撃性を高めるという観点から、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂がより好ましい。
また、同様の観点から、前記(C)成分の前記(A)成分に対する質量比((C)/(A))は、1/20以上1/2以下であることが好ましく、1/15以上1/3以下であることがより好ましく、1/10以上1/3以下であることが特に好ましい。
本実施形態に用いる(D)硬化剤としては、公知の硬化剤を適宜用いることができる。この(D)成分により、熱硬化性フラックス組成物の硬化温度を調整できる。この(D)成分としては、イミダゾール系硬化剤、メラミン類およびジシアンジアミド類などが挙げられる。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
前記イミダゾール系硬化剤としては、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−エチル−4’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾール、1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、1−シアノエチル−2−ウンデシルイミダゾール、および2,4−ジアミノ−6−[2’−ウンデシルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンが挙げられる。これらの中でも、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2’−メチルイミダゾリル−(1’)]−エチル−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、および1−シアノエチル−2−フェニルイミダゾリウムトリメリテイトなどを用いることが好ましい。これらは1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
前記イミダゾール系硬化剤の市販品としては、2P4MHZ、2PHZ−PW、2E4MZ−A、2MZ−A、2MA−OK、2PZ−CN、2PZCNS−PW、C11Z−CN、およびC11Z−A(四国化成工業社製など、商品名)が挙げられる。
前記メラミン類としては、メラミン、アセトグアナミン、およびベンゾグアナミンなどが挙がられる。
前記ジシアンジアミド類としては、ジシアンジアミド、およびNフェニルジシアンジアミドなどが挙げられる。
本実施形態に用いる(E)チクソ剤としては、硬化ひまし油、アミド類、カオリン、コロイダルシリカ、有機ベントナイト、およびガラスフリットなどが挙げられる。これらのチクソ剤は1種を単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、必要に応じて、前記(A)成分〜前記(E)成分の他に、界面活性剤、カップリング剤、消泡剤、粉末表面処理剤、反応抑制剤、沈降防止剤、およびフィラーなどの添加剤を含有していてもよい。これらの添加剤の配合量としては、熱硬化性フラックス組成物の固形分全量に対して、0.01質量%以上10質量%以下であることが好ましく、0.05質量%以上5質量%以下であることがより好ましい。また、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、塗布性の調整などの観点から、溶剤を含有していてもよい。溶剤を用いる場合、その配合量は特に制限されない。
本実施形態の熱硬化性フラックス組成物は、前記(A)成分および前記(B)成分などを前記の所定の割合で配合し、撹拌混合することで製造できる。
次に、本実施形態の電子基板の製造方法について説明する。なお、本実施形態の熱硬化性フラックス組成物の使用方法が、本実施形態の電子基板の製造方法に限定されるわけではない。
本実施形態の電子基板の製造方法は、前述した本実施形態の熱硬化性フラックス組成物を用いる方法であって、以下説明する塗布工程、搭載工程、リフロー工程および熱硬化工程を備える。
配線基板としては、プリント配線基板、配線が設けられたシリコン基板などが挙げられる。
塗布装置としては、スピンコータ、スプレーコータ、バーコータ、アプリケータ、ディスペンサ、およびスクリーン印刷機などが挙げられる。なお、塗布装置として、スピンコータ、スプレーコータなどを用いる場合には、熱硬化性フラックス組成物を溶剤にて希釈して用いることが好ましい。
溶剤としては、ケトン類(メチルエチルケトンおよびシクロヘキサノンなど)、芳香族炭化水素類(トルエンおよびキシレンなど)、アルコール類(メタノール、イソプロパノールおよびシクロヘキサノールなど)、脂環式炭化水素類(シクロヘキサンおよびメチルシクロヘキサンなど)、石油系溶剤類(石油エーテルおよび石油ナフサなど)、セロソルブ類(セロソルブおよびブチルセロソルブなど)、カルビトール類(カルビトールおよびブチルカルビトールなど)、および、エステル類(例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、エチルジグリコールアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、およびジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテートなど)などが挙げられる。これらは1種を単独で使用してもよく、2種以上を混合して使用してもよい。
塗布膜の厚み(塗布膜厚)は、適宜設定できる。
はんだバンプを有する電子部品としては、例えば、BGAパッケージ、およびチップサイズパッケージなどが挙げられる。
はんだバンプは、融点が200℃以上240℃以下のはんだ合金からなる。なお、はんだバンプは、その表面にはんだ合金によるメッキがされているものであってもよい。融点が200℃以上240℃以下のはんだ合金としては、Sn−Ag−Cu系、およびSn−Ag系などのはんだ合金が挙げられる。
搭載工程で用いる装置としては、公知のチップマウント装置を適宜用いることができる。
また、接合用ランドの材質としては、公知の導電性材料(銅、銀など)を適宜用いることができる。
ここで用いる装置としては、公知のリフロー炉を適宜用いることができる。
リフロー条件は、はんだの融点に応じて適宜設定すればよい。例えば、Sn−Ag−Cu系のはんだ合金を用いる場合には、プリヒートを温度150〜180℃で60〜120秒行い、ピーク温度を220〜260℃に設定すればよい。
加熱条件としては、加熱温度が、150℃以上220℃以下であることが好ましく、180℃以上200℃以下であることがより好ましい。加熱温度が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
加熱時間は、10分間以上3時間以下であることが好ましく、30分間以上90分間以下であることがより好ましい。加熱時間が前記範囲内であれば、熱硬化性フラックス組成物を十分に硬化させることができ、電子基板に搭載された電子部品への悪影響も少ない。
なお、本実施形態の電子基板の製造方法は、前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良などは本発明に含まれるものである。
((A1)成分)
二官能オキセタン化合物A:商品名「ETERNACOLL OXBP」、宇部興産社製
二官能オキセタン化合物B:商品名「アロンオキセタン OXT−121」、東亞合成社製
二官能オキセタン化合物C:商品名「アロンオキセタン OXT−221」、東亞合成社製
((A2)成分)
単官能オキセタン化合物A:商品名「ETERNACOLL OXMA」、宇部興産社製
単官能オキセタン化合物B:商品名「アロンオキセタン OXT−212」、東亞合成社製
((B1)成分)
活性剤A:アジピン酸
((B2)成分)
活性剤B:ベンジルアミンアジピン酸塩
((C)成分)
エポキシ樹脂A:ビスフェノールA型エポキシ樹脂、商品名「EPICLON EXA−850CRP」、DIC社製
エポキシ樹脂B:ナフタレン型エポキシ樹脂、商品名「EPICLON HP−4032D」、DIC社製
((D)成分)
硬化剤A:2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、商品名「2P4MHZ」、四国化成工業社製
硬化剤B:アセトグアナミン
硬化剤C:Nフェニルジシアンジアミド
((E)成分)
チクソ剤:商品名「ゲルオールD」、新日本理化社製
二官能オキセタン化合物A80質量部、エポキシ樹脂A10質量部、活性剤A5質量部および活性剤B5質量部を容器に投入し、粉砕混合機にて、粉砕し混合し分散させて熱硬化性フラックス組成物を得た。
また、得られた熱硬化性フラックス組成物100質量部に対し、溶剤(プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート)10質量部を加えて、スピンコータ用塗布液を調製した。
次に、チップ部品を搭載できる基板を準備し、この基板の電極上に、スクリーン印刷法によりソルダペースト(タムラ製作所社製、SAC系ソルダペースト)を塗布し、リフロー処理をして、はんだバンプを形成し、その後、洗浄した。
そして、得られた基板上に、スピンコータを用いて、スピンコータ用塗布液を塗布した。塗布膜の塗布膜厚は、30μmであった。次に、チップ部品(1005チップ、はんだ合金:Sn−Ag3.0−Cu0.5、はんだの融点:217℃〜220℃)を、塗膜形成後の基板の接合用ランド上に搭載し、リフロー炉(タムラ製作所社製)に通して加熱した。ここでのリフロー条件は、プリヒート温度が150〜180℃(60秒間)で、温度220℃以上の時間が50秒間で、ピーク温度が230℃である。その後、リフロー後の基板を、加熱炉に投入し、温度200℃にて1時間の加熱処理を施して、冷熱サイクル試験用基板を作製した。
表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、熱硬化性フラックス組成物およびスピンコータ用塗布液を得た。
なお、実施例5については、表1に示す組成に従い各材料を配合した以外は実施例1と同様にして、冷熱サイクル試験用基板を作製した。
熱硬化性フラックス組成物の評価(熱硬化性フラックス組成物の200℃および250℃における粘度、はんだ組成物の200℃および250℃における粘度、はんだ溶融性、絶縁性、冷熱サイクル試験)を以下のような方法で行った。得られた結果を表1に示す。
(1)熱硬化性フラックス組成物の粘度
レオメーター(HAAKE社製、商品名「MARS−III」)を用いて、温度25℃からはんだの融点まで5℃/minの昇温速度で昇温しつつ、熱硬化性フラックス組成物の粘度を測定した。得られた結果から、(i)温度200℃における粘度、および、(ii)温度250℃における粘度を求めた。そして、粘度については、下記の基準に従って、区分けした。
A:粘度が5Pa・s以下である。
B:粘度が5Pa・s超50Pa・s未満である。
C:粘度が50Pa・s以上である。
(2)はんだ組成物の粘度
熱硬化性フラックス組成物50質量%と、はんだ粉末(はんだ合金:Sn−Ag3.0−Cu0.5、平均粒子径:20μm、粒子径分布:10〜40μm)50質量%とを混合して、はんだ組成物を得た。得られたはんだ組成物の200℃および250℃における粘度を、上記(1)熱硬化性フラックス組成物の粘度と同様の方法により測定した。そして、粘度については、下記の基準に従って、区分けした。
A:粘度が5Pa・s以下である。
B:粘度が5Pa・s超50Pa・s未満である。
C:粘度が50Pa・s以上である。
(3)はんだ溶融性
熱硬化性フラックス組成物50質量%と、はんだ粉末(はんだ合金:Sn−Ag3.0−Cu0.5、平均粒子径:20μm、粒子径分布:10〜40μm)50質量%とを混合して、はんだ組成物を得た。得られたはんだ組成物を、基板(表面の材質:銅)上に、スクリーン印刷法により、直径1cm、厚み50μmの塗膜を形成し、温度250℃に設定したホットプレート上で30秒間加熱した。そして、はんだの溶融状態を目視にて観察し、下記の基準に従って、はんだ溶融性を評価した。
○:はんだが溶融した。
×:はんだが溶融しなかった。
(4)絶縁性
熱硬化性フラックス組成物50質量%と、はんだ粉末(はんだ合金:Sn−Ag3.0−Cu0.5、平均粒子径:20μm、粒子径分布:10〜40μm)50質量%とを混合して、はんだ組成物を得た。
得られたはんだ組成物について、JIS Z3284−1およびJIS Z3197の8.5.3に記載の絶縁抵抗試験に準拠して、絶縁抵抗値を測定した。すなわち、串形電極基板(導体幅:0.318mm、導体間隔:0.318mm、大きさ:30mm×30mm)に、メタルマスク(串形電極パターンに合わせてスリット状に加工したもの、厚み:100μm)を用いてはんだ組成物を印刷した。その後、プリヒート150℃を60秒間、温度250℃で溶融時間を30秒間の条件でリフローを行い、試験基板を作製した。この試験基板を、温度85℃、相対湿度95%に設定した高温高湿試験機に投入し、500時間後の絶縁抵抗値を測定した。そして、下記の基準に従って、絶縁性を評価した。
○:絶縁抵抗値が、1.0×109以上である。
×:絶縁抵抗値が、1.0×109未満である。
(5)冷熱サイクル試験
冷熱サイクル試験用基板を冷熱サイクル試験機に投入し、温度−40℃にて10分間放置した後に温度125℃にて10分間放置するのを1サイクルとして、これを2000サイクル繰り返す冷熱サイクル試験を行った(車載用ソルダペーストの冷熱サイクル試験に準拠)。冷熱サイクル試験後の基板を顕微鏡にて観察し、チップ部品におけるはんだ亀裂の有無を確認し、下記の基準に従って、冷熱サイクル試験への耐性を評価した。
○:はんだ亀裂が発生した箇所が50%未満である。
△:はんだ亀裂が発生した箇所が50%以上90%未満である。
×:はんだ亀裂が発生した箇所が90%以上である。
これに対し、(A1)成分または(B1)成分を含有しない熱硬化性フラックス組成物を用いた場合(比較例1〜3)には、はんだ溶融性および絶縁性の少なくともいずれかが不十分であることが分かった。
Claims (6)
- リフローはんだ付けにより、融点が200℃以上240℃以下のはんだ合金からなるはんだバンプを有する電子部品を電子基板に接合させる場合に用いる熱硬化性フラックス組成物であって、
(A)オキセタン化合物と、(B)活性剤とを含有し、
前記(A)成分が、(A1)1分子中に2つのオキセタン環を有する二官能オキセタン化合物を含有し、
前記(B)成分が、(B1)有機酸を含有し、
前記(A)成分の配合量が、前記熱硬化性フラックス組成物の固形分全量に対して、40質量%以上95質量%以下であり、
温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。 - 請求項1に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
(C)エポキシ樹脂を、さらに含有する
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。 - 請求項1または請求項2に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
前記(A)成分が、(A2)1分子中に1つのオキセタン環を有する単官能オキセタン化合物を、さらに含有する
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。 - 請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
前記(B)成分が、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸およびスベリン酸からなる群から選択される少なくとも1種である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。 - 請求項1〜請求項4のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物において、
スズ96.5質量%、銀3.0質量%および銅0.5質量%のはんだ合金からなり、平均粒子径が30μmであるはんだ粉末と、前記熱硬化性フラックス組成物とを質量比が1:1となるように混合してなるはんだ組成物を作製し、
前記はんだ組成物を温度25℃から5℃/minの昇温速度で昇温した場合において、温度200℃における粘度が5Pa・s以下であり、且つ、温度250℃における粘度が50Pa・s以上である
ことを特徴とする熱硬化性フラックス組成物。 - 配線基板上に、請求項1〜請求項5のいずれか1項に記載の熱硬化性フラックス組成物を塗布する塗布工程と、
はんだバンプを有する電子部品を前記配線基板の接合用ランド上に搭載する搭載工程と、
前記電子部品が搭載された配線基板を加熱することにより、前記はんだバンプを溶融させ、前記はんだバンプを前記接合用ランドに接合するリフロー工程と、
前記熱硬化性フラックス組成物を加熱して硬化させる熱硬化工程と、を備える
ことを特徴とする電子基板の製造方法。
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