JP6540929B2 - リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 - Google Patents
リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6540929B2 JP6540929B2 JP2019503760A JP2019503760A JP6540929B2 JP 6540929 B2 JP6540929 B2 JP 6540929B2 JP 2019503760 A JP2019503760 A JP 2019503760A JP 2019503760 A JP2019503760 A JP 2019503760A JP 6540929 B2 JP6540929 B2 JP 6540929B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- inp
- less
- oxygen concentration
- crystal substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 188
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims description 176
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 82
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 95
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 95
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 95
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 33
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 19
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 16
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 10
- 238000005223 charged particle activation analysis Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 5
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 5
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000000516 activation analysis Methods 0.000 description 2
- 230000005266 beta plus decay Effects 0.000 description 2
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003574 free electron Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- -1 potassium tetrafluoroborate Chemical compound 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
- C30B11/02—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method without using solvents
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
特開2002−114600号公報(特許文献1)に開示されたInP単結晶基板は、酸素原子濃度が1×1017原子/cm3〜1×1018原子/cm3の範囲内と比較的高いことから、その表面の自然酸化膜の形成が促進されるため、その表面上にエピタキシャル層を成長させると、基板とエピタキシャル層との界面に絶縁性を有する酸化物層が形成され、得られる半導体デバイスの抵抗が高くなるという問題点があった。また、InP単結晶基板中に含まれる酸素原子濃度が比較的高いことから、かかる酸素と他の不純物元素とにより形成される複合準位により自由電子がトラップされる確率が高くなり、このようなInP単結晶基板を含む半導体デバイスの応答速度が低くなるという問題点があった。
本開示によれば、酸素濃度が極めて低いリン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板を提供できる。
最初に本発明の実施態様を列記して説明する。
<実施形態1:リン化インジウム単結晶体>
本実施形態のInP(リン化インジウム)単結晶体は、酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、円柱状の直胴部を含み、直胴部の直径が100mm以上150mm以下または100mmより大きく150mm以下である。本実施形態のInP単結晶体は、その直胴部の直径が100mm以上150mm以下または100mmより大きく150mm以下と大きくても、酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満と極めて低い。このため、InP単結晶体表面の酸化物層の形成が抑制されるとともにInP単結晶体中の複合準位の形成が抑制され、InP単結晶体を含む半導体デバイスの特性が高くなる。InP単結晶体の酸素濃度は、SIMS(二次イオン質量分析法)により測定する。ここで、SIMSにおける酸素の検出限界濃度は1×1016原子・cm-3程度であるため、本実施形態のInP単結晶体の酸素濃度は、SIMSでは検出限界未満であり、精密な酸素濃度は、CPAA(荷電粒子放射化分析)などにより測定する。本実施形態のInP単結晶体のCPAAなどの放射化分析による精密な酸素濃度は、酸素濃度の低減により半導体デバイスの特性を高める観点から、9.5×1015原子・cm-3以下が好ましく、5.5×1015原子・cm-3以下がより好ましい。また、酸素濃度は低いほど好ましく、その下限は、特に制限はないが、現在の製造技術レベルから5×1014原子・cm-3以上である。
本実施形態のInP(リン化インジウム)単結晶基板は、酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、直径が100mm以上150mm以下または100mmより大きく150mm以下である。本実施形態のInP単結晶基板は、その直径が100mm以上150mm以下または100mmより大きく150mm以下と大きくても、酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満と極めて低い。このため、InP単結晶基板表面の酸化物層の形成が抑制されるとともにInP単結晶基板中の複合準位の形成が抑制されるため、InP単結晶基板を含む半導体デバイスの特性が高くなる。InP単結晶基板の酸素濃度は、実施形態1のInP単結晶体の場合と同様に、SIMS(二次イオン質量分析法)により測定する。ここで、SIMSにおける酸素の検出限界濃度は1×1016原子・cm-3程度であるため、本実施形態のInP単結晶基板の酸素濃度は、SIMSでは検出限界未満であり、精密な酸素濃度は、CPAA(荷電粒子放射化分析)などにより測定する。本実施形態のInP単結晶基板のCPAAなどの放射化分析による精密な酸素濃度は、酸素濃度の低減により半導体デバイスの特性を高める観点から、9.5×1015原子・cm-3以下が好ましく、5.5×1015原子・cm-3以下がより好ましい。また、酸素濃度は低いほど好ましく、その下限は、特に制限はないが、現在の製造技術レベルから5×1014原子・cm-3以上である。
1.InP単結晶体の作製
VB法によりInP単結晶体を成長させる。図1に示すように、2つのヒータ24a,24bを用いて、ヒータ間隙間24aboの数を1とする。InP原料13である純度99.9質量%のInP多結晶体と封止材23であるB2O3との間に、PBN製の遮蔽板25を配置する。遮蔽板25の遮蔽率(坩堝21の直胴部の軸方向に垂直な断面積に対する遮蔽板の面積の百分率)は97%とする。InP原料表面の温度が1065℃、結晶成長界面の結晶成長方向の温度勾配が2℃/cmとなるように坩堝内の温度分布を調整して、InP単結晶体を成長させる。
得られたInP単結晶体の外周を研削し、結晶成長方向に垂直な面でスライスした後、主表面を機械的研磨および化学機械的研磨(CMP)することにより、直径100mmで厚さ525μmのInP単結晶基板を作製した。得られたInP単結晶基板について、その酸素濃度をCPAA(荷電粒子放射化分析)によりそれぞれ測定し、その主表面に形成された酸化膜の厚さを分光エリプソメータ(フォトニックラティス社製PCAエリプソメータSE-101)により測定し、その転位密度を光学顕微鏡像(オリンパス社製BH2―UMA)により測定する。さらに、InP結晶基板中の酸素欠陥中心の発光強度を、カソードルミネッセンス測定装置(Gatan製MonoCL4)により測定する。結果を表1にまとめる。
遮蔽板の遮蔽率を90%としたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
遮蔽板の遮蔽率を100%としたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を試みるが、遮蔽板が坩堝に引っかかり結晶固化による体積膨張のため坩堝が破損して、良好なInP単結晶体が得られない。結果を表1にまとめる。
遮蔽板の遮蔽率を80%としたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
遮蔽板の遮蔽率を99%としたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
ヒータ間隙間の数を2とし、遮蔽板の遮蔽率を20%とし、InP原料表面の温度を1070℃としたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
ヒータ間隙間の数を4とし、遮蔽板の遮蔽率を20%としたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
ヒータ間隙間の数を4とし、遮蔽板を配置しなかったこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
InP単結晶基板の直径を125mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
InP単結晶基板の直径を125mmとしたこと以外は、実施例2と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
InP単結晶基板の直径を150mmとしたこと以外は、実施例1と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
InP単結晶基板の直径を150mmとしたこと以外は、実施例2と同様にして、InP単結晶体およびInP単結晶基板を作製し、その酸素濃度、その酸化膜の厚さ、その転位密度、およびその中の酸素欠陥中心の発光強度を測定する。結果を表1にまとめる。
Claims (5)
- 酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、
円柱状の直胴部を含み、前記直胴部の直径が100mm以上150mm以下であり、
転位密度が3500cm -2 以下であるリン化インジウム単結晶体。 - 酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、
円柱状の直胴部を含み、前記直胴部の直径が100mmより大きく150mm以下であるリン化インジウム単結晶体。 - 酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、
直径が100mm以上150mm以下であり、
転位密度が3500cm-2以下であるリン化インジウム単結晶基板。 - 酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、
直径が100mmより大きく150mm以下であり、
転位密度が3500cm-2以下であるリン化インジウム単結晶基板。 - 請求項1または請求項2に記載のリン化インジウム単結晶体からその任意に特定される方向にスライスされたInP単結晶基板であって、
酸素濃度が1×1016原子・cm-3未満であり、
直径が100mm以上150mm以下であるリン化インジウム単結晶基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2017/024460 WO2019008662A1 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
JPPCT/JP2017/024460 | 2017-07-04 | ||
PCT/JP2018/025272 WO2019009306A1 (ja) | 2017-07-04 | 2018-07-03 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019009306A1 JPWO2019009306A1 (ja) | 2019-07-04 |
JP6540929B2 true JP6540929B2 (ja) | 2019-07-10 |
Family
ID=64668477
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518661A Active JP6439898B1 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
JP2019503760A Active JP6540929B2 (ja) | 2017-07-04 | 2018-07-03 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018518661A Active JP6439898B1 (ja) | 2017-07-04 | 2017-07-04 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US11313050B2 (ja) |
EP (1) | EP3502323A4 (ja) |
JP (2) | JP6439898B1 (ja) |
CN (1) | CN110114519B (ja) |
TW (2) | TW201907058A (ja) |
WO (2) | WO2019008662A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6439898B1 (ja) | 2017-07-04 | 2018-12-19 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63107886A (ja) * | 1986-10-25 | 1988-05-12 | Shiro Sakuragi | 雰囲気ガス制御による結晶製造方法 |
JPH01239089A (ja) * | 1987-11-30 | 1989-09-25 | Toshiba Corp | 化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置 |
JPH0226887A (ja) * | 1988-07-16 | 1990-01-29 | Nippon Mining Co Ltd | 液相エピタキャル成長方法 |
JPH05132397A (ja) * | 1991-11-11 | 1993-05-28 | Nikko Kyodo Co Ltd | InP単結晶の製造方法 |
AU9227001A (en) | 2000-09-29 | 2002-04-15 | Showa Denko Kk | Inp single crystal substrate |
JP2002114600A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-16 | Showa Denko Kk | InP単結晶基板 |
WO2004106597A1 (ja) * | 2003-05-07 | 2004-12-09 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | 燐化インジウム基板および燐化インジウム単結晶とその製造方法 |
JP2006347865A (ja) * | 2005-05-17 | 2006-12-28 | Hitachi Cable Ltd | 化合物半導体単結晶成長用容器、化合物半導体単結晶、および化合物半導体単結晶の製造方法 |
US20160053404A1 (en) | 2013-03-27 | 2016-02-25 | Beijing Tongmei Xtal Technology Co., Ltd. | Controllable oxygen concentration in semiconductor substrate |
CN104911690B (zh) * | 2015-07-01 | 2017-09-19 | 清远先导材料有限公司 | 一种磷化铟单晶的生长方法及生长装置 |
JP6439898B1 (ja) | 2017-07-04 | 2018-12-19 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
-
2017
- 2017-07-04 JP JP2018518661A patent/JP6439898B1/ja active Active
- 2017-07-04 WO PCT/JP2017/024460 patent/WO2019008662A1/ja active Application Filing
-
2018
- 2018-04-12 TW TW107112535A patent/TW201907058A/zh unknown
- 2018-07-03 WO PCT/JP2018/025272 patent/WO2019009306A1/ja unknown
- 2018-07-03 JP JP2019503760A patent/JP6540929B2/ja active Active
- 2018-07-03 CN CN201880005481.1A patent/CN110114519B/zh active Active
- 2018-07-03 EP EP18828655.3A patent/EP3502323A4/en active Pending
- 2018-07-03 US US16/335,405 patent/US11313050B2/en active Active
- 2018-07-04 TW TW107123079A patent/TWI689635B/zh active
-
2022
- 2022-03-25 US US17/704,513 patent/US12091773B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220213618A1 (en) | 2022-07-07 |
TW201907058A (zh) | 2019-02-16 |
JPWO2019009306A1 (ja) | 2019-07-04 |
EP3502323A4 (en) | 2020-05-27 |
JP6439898B1 (ja) | 2018-12-19 |
TW201907059A (zh) | 2019-02-16 |
US11313050B2 (en) | 2022-04-26 |
WO2019008662A1 (ja) | 2019-01-10 |
US12091773B2 (en) | 2024-09-17 |
US20200017992A1 (en) | 2020-01-16 |
CN110114519A (zh) | 2019-08-09 |
EP3502323A1 (en) | 2019-06-26 |
WO2019009306A1 (ja) | 2019-01-10 |
JPWO2019008662A1 (ja) | 2019-07-04 |
TWI689635B (zh) | 2020-04-01 |
CN110114519B (zh) | 2020-07-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6394838B1 (ja) | ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板 | |
EP3591102B1 (en) | Compound semiconductor and method for producing single crystal of compound semiconductor | |
CN112466929B (zh) | 碳化硅衬底、晶锭及其制备方法 | |
US20120064314A1 (en) | MULTILAYER ZnO SINGLE CRYSTAL SCINTILLATOR AND METHOD FOR MANFACTURING THE SAME | |
JP6540929B2 (ja) | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 | |
JP7020346B2 (ja) | ヒ化ガリウム結晶体およびヒ化ガリウム結晶基板 | |
US8969803B2 (en) | Room temperature aluminum antimonide radiation detector and methods thereof | |
CN112466987B (zh) | 一种基于铯铅溴辐射探测器的溴气氛围后处理方法 | |
Masui et al. | Method for producing β-Ga 2 O 3 substrate and method for producing crystal laminate structure including cutting out β-Ga 2 O 3 based substrate from β-Ga 2 O 3 based crystal | |
Egarievwe et al. | Ampoule carbon coating and defects in CdMnTe crystals intended for applications in nuclear radiation detection | |
JP2006165113A (ja) | 燐を含むiii−v族化合物半導体ウエハに亜鉛を拡散させる方法およびフォトダイオードの作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190124 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190124 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20190124 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20190213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A132 Effective date: 20190402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190422 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190514 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190527 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6540929 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |