JPH05132397A - ＩｎＰ単結晶の製造方法 - Google Patents
ＩｎＰ単結晶の製造方法Info
- Publication number
- JPH05132397A JPH05132397A JP32143291A JP32143291A JPH05132397A JP H05132397 A JPH05132397 A JP H05132397A JP 32143291 A JP32143291 A JP 32143291A JP 32143291 A JP32143291 A JP 32143291A JP H05132397 A JPH05132397 A JP H05132397A
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- JP
- Japan
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- single crystal
- oxygen
- inp
- raw material
- inp single
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 ＩｎＰ多結晶原料と酸素を溶解させたＩｎと
を原料として、ＩｎＰ単結晶を育成する。 【効果】 酸素がド−ピングされたＩｎＰ単結晶インゴ
ットを得ることができる。
を原料として、ＩｎＰ単結晶を育成する。 【効果】 酸素がド−ピングされたＩｎＰ単結晶インゴ
ットを得ることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸素ド−プＩｎＰ単結
晶の製造方法に関し、特に酸素がド−ピングされたＩｎ
Ｐ単結晶インゴットを製造する方法に関する。
晶の製造方法に関し、特に酸素がド−ピングされたＩｎ
Ｐ単結晶インゴットを製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】本発明者は、先にＩｎＰ単結晶と所定量
のリンを石英アンプル内に配置し、かつ石英アンプル内
に所定量の酸素ガスを導入して真空封入するとともに、
上記アンプルを加熱炉に入れて加熱し、所定時間保持し
たのち冷却することにより半絶縁性ＩｎＰ単結晶を製造
する方法について特許出願を行った（特願平２−２２４
７１６）。
のリンを石英アンプル内に配置し、かつ石英アンプル内
に所定量の酸素ガスを導入して真空封入するとともに、
上記アンプルを加熱炉に入れて加熱し、所定時間保持し
たのち冷却することにより半絶縁性ＩｎＰ単結晶を製造
する方法について特許出願を行った（特願平２−２２４
７１６）。
【０００３】ところが、この方法では、ＩｎＰ単結晶へ
の酸素のド−ピングを、ＩｎＰ単結晶インゴットをウェ
ハ−に加工した後に行っていたため、工程が複雑であっ
た。
の酸素のド−ピングを、ＩｎＰ単結晶インゴットをウェ
ハ−に加工した後に行っていたため、工程が複雑であっ
た。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の問題
点を解決したもので、本発明の目的は酸素がド−ピング
されたＩｎＰ単結晶インゴットを製造する方法を提供す
ることにある。
点を解決したもので、本発明の目的は酸素がド−ピング
されたＩｎＰ単結晶インゴットを製造する方法を提供す
ることにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、Ｉｎ
Ｐ多結晶原料と酸素を溶解させたＩｎとを原料として単
結晶を育成することにより、酸素がド−ピングされたＩ
ｎＰ単結晶を製造することを特徴とするＩｎＰ単結晶の
製造方法を提供するものである。
Ｐ多結晶原料と酸素を溶解させたＩｎとを原料として単
結晶を育成することにより、酸素がド−ピングされたＩ
ｎＰ単結晶を製造することを特徴とするＩｎＰ単結晶の
製造方法を提供するものである。
【０００６】本発明者は、ＩｎＰ単結晶を育成する際、
その融液中に酸素を添加することについて検討した。そ
の結果、予め酸素を溶解させたＩｎをＩｎＰ多結晶原料
に添加して原料融液として単結晶を育成することによ
り、ＩｎＰ単結晶インゴット中に酸素をド−ピングする
ことができた。
その融液中に酸素を添加することについて検討した。そ
の結果、予め酸素を溶解させたＩｎをＩｎＰ多結晶原料
に添加して原料融液として単結晶を育成することによ
り、ＩｎＰ単結晶インゴット中に酸素をド−ピングする
ことができた。
【０００７】
【実施例】ＩｎＰ中の酸素の飽和溶解度Ｃｓ（ａｔ％）
は絶体温度をＴ（Ｋ）とするとｌｎ（Ｃｓ）＝１０．９
８−１５４００／Ｔ（Ｓ．Ｏｔｕｋａ，Ｚ．Ｋｏｚｕｋ
ａ：Ｔｒａｎｓ．ＪＩＭ２２，５５８（１９８１））で
あるから、９００℃ではＣｓ＝１２５ｐｐｍｗとなる。
そこで、純度６ＮのＩｎ７０ｇを直径４インチのｐＢＮ
製ルツボに入れ、空気中で９００℃，５時間放置した
後、急冷した。このＩｎ中の酸素濃度を分析したとこ
ろ、１２０ｐｐｍｗであり実験式とよく一致していた。
は絶体温度をＴ（Ｋ）とするとｌｎ（Ｃｓ）＝１０．９
８−１５４００／Ｔ（Ｓ．Ｏｔｕｋａ，Ｚ．Ｋｏｚｕｋ
ａ：Ｔｒａｎｓ．ＪＩＭ２２，５５８（１９８１））で
あるから、９００℃ではＣｓ＝１２５ｐｐｍｗとなる。
そこで、純度６ＮのＩｎ７０ｇを直径４インチのｐＢＮ
製ルツボに入れ、空気中で９００℃，５時間放置した
後、急冷した。このＩｎ中の酸素濃度を分析したとこ
ろ、１２０ｐｐｍｗであり実験式とよく一致していた。
【０００８】同様の方法で加熱温度を変えて作成した酸
素濃度２５ｐｐｍｗから２００ｐｐｍｗまでの各Ｉｎ７
０ｇをキャリア濃度（１〜３）×１０15ｃｍ-3の多結晶
ＩｎＰ１０００ｇとともに直径４インチのｐＢＮ製ルツ
ボに入れ、さらにＢ2Ｏ3を２５ｍｍ厚となる量をチャー
ジし、引上げ炉にて加熱した。このとき、融液からリン
の飛散を防止するため、アルゴンガスを５０ｇ／ｃｍ2
Ｇ導入した。ＩｎＰ融液を十分に拡拌したのち、融点
（１０６２℃）よりやや高い温度とし、種付け後、単結
晶を育成した。単結晶は直径５５〜５８ｍｍで長さ１２
０ｍｍであった。この単結晶を成長方向に垂直に切断加
工し、ウェハーとした。これらの単結晶ウェハー中の酸
素濃度をＳＩＭＳ法（二次イオン質量分析法）によりウ
ェハー表面から深さ２μｍまでの酸素の規格化した強度
比、すなわち酸素強度をリン強度で割った値として測定
した。
素濃度２５ｐｐｍｗから２００ｐｐｍｗまでの各Ｉｎ７
０ｇをキャリア濃度（１〜３）×１０15ｃｍ-3の多結晶
ＩｎＰ１０００ｇとともに直径４インチのｐＢＮ製ルツ
ボに入れ、さらにＢ2Ｏ3を２５ｍｍ厚となる量をチャー
ジし、引上げ炉にて加熱した。このとき、融液からリン
の飛散を防止するため、アルゴンガスを５０ｇ／ｃｍ2
Ｇ導入した。ＩｎＰ融液を十分に拡拌したのち、融点
（１０６２℃）よりやや高い温度とし、種付け後、単結
晶を育成した。単結晶は直径５５〜５８ｍｍで長さ１２
０ｍｍであった。この単結晶を成長方向に垂直に切断加
工し、ウェハーとした。これらの単結晶ウェハー中の酸
素濃度をＳＩＭＳ法（二次イオン質量分析法）によりウ
ェハー表面から深さ２μｍまでの酸素の規格化した強度
比、すなわち酸素強度をリン強度で割った値として測定
した。
【０００９】なお、ＳＩＭＳ法の測定条件は、次の通り
である。 １次イオン種 セシウムイオン １次イオン加速電圧 １２．０ｋｅＶ １次イオンビーム電流 ４０ｎＡ １次イオン入射角 ４５°
である。 １次イオン種 セシウムイオン １次イオン加速電圧 １２．０ｋｅＶ １次イオンビーム電流 ４０ｎＡ １次イオン入射角 ４５°
【００１０】図１にＩｎ中の酸素濃度と、ＩｎＰ単結晶
中の酸素の規格化した強度比との関係を示す。図１よ
り、添加する酸素溶解Ｉｎの酸素濃度を高くすることに
よってＩｎＰ単結晶中の酸素濃度を高くすることができ
ることが分かる。
中の酸素の規格化した強度比との関係を示す。図１よ
り、添加する酸素溶解Ｉｎの酸素濃度を高くすることに
よってＩｎＰ単結晶中の酸素濃度を高くすることができ
ることが分かる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明にあっては、
ＩｎＰ多結晶原料と酸素を溶解させたＩｎとを原料とし
て単結晶を育成することにより、ＩｎＰ単結晶インゴッ
トに酸素をド−ピングを製造することができる。
ＩｎＰ多結晶原料と酸素を溶解させたＩｎとを原料とし
て単結晶を育成することにより、ＩｎＰ単結晶インゴッ
トに酸素をド−ピングを製造することができる。
【図１】酸素溶解Ｉｎ中の酸素濃度と、ＩｎＰ単結晶中
の酸素の規格化した強度比との関係を示す図である。
の酸素の規格化した強度比との関係を示す図である。
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成３年１２月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】同様の方法で加熱温度を変えて作成した酸
素濃度２５ｐｐｍｗから２００ｐｐｍｗまでの各Ｉｎ７
０ｇをキャリア濃度（１〜３）×１０１５ｃｍ−３の多
結晶ＩｎＰ１０００ｇとともに直径４インチのｐＢＮ製
ルツボに入れ、さらにＢ２Ｏ３を２５ｍｍ厚となる量を
チャージし、引上げ炉にて加熱した。このとき、融液か
らリンの飛散を防止するため、アルゴンガスを５０ｋｇ
／ｃｍ２Ｇ導入した。ＩｎＰ融液を十分に拡拌したの
ち、融点（１０６２℃）よりやや高い温度とし、種付け
後、単結晶を育成した。単結晶は直径５５〜５８ｍｍで
長さ１２０ｍｍであった。この単結晶を成長方向に垂直
に切断加工し、ウェハーとした。これらの単結晶ウェハ
ー中の酸素濃度をＳＩＭＳ法（二次イオン質量分析法）
によりウェハー表面から深さ２μｍまでの酸素の規格化
した強度比、すなわち酸素強度をリン強度で割った値と
して測定した。
素濃度２５ｐｐｍｗから２００ｐｐｍｗまでの各Ｉｎ７
０ｇをキャリア濃度（１〜３）×１０１５ｃｍ−３の多
結晶ＩｎＰ１０００ｇとともに直径４インチのｐＢＮ製
ルツボに入れ、さらにＢ２Ｏ３を２５ｍｍ厚となる量を
チャージし、引上げ炉にて加熱した。このとき、融液か
らリンの飛散を防止するため、アルゴンガスを５０ｋｇ
／ｃｍ２Ｇ導入した。ＩｎＰ融液を十分に拡拌したの
ち、融点（１０６２℃）よりやや高い温度とし、種付け
後、単結晶を育成した。単結晶は直径５５〜５８ｍｍで
長さ１２０ｍｍであった。この単結晶を成長方向に垂直
に切断加工し、ウェハーとした。これらの単結晶ウェハ
ー中の酸素濃度をＳＩＭＳ法（二次イオン質量分析法）
によりウェハー表面から深さ２μｍまでの酸素の規格化
した強度比、すなわち酸素強度をリン強度で割った値と
して測定した。
Claims (1)
- 【請求項１】 ＩｎＰ多結晶原料と酸素を溶解させたＩ
ｎとを原料として単結晶を育成することにより、酸素が
ド−ピングされたＩｎＰ単結晶を製造することを特徴と
するＩｎＰ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32143291A JPH05132397A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32143291A JPH05132397A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05132397A true JPH05132397A (ja) | 1993-05-28 |
Family
ID=18132487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32143291A Pending JPH05132397A (ja) | 1991-11-11 | 1991-11-11 | ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05132397A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6439898B1 (ja) * | 2017-07-04 | 2018-12-19 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
-
1991
- 1991-11-11 JP JP32143291A patent/JPH05132397A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6439898B1 (ja) * | 2017-07-04 | 2018-12-19 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
| WO2019009306A1 (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
| WO2019008662A1 (ja) * | 2017-07-04 | 2019-01-10 | 住友電気工業株式会社 | リン化インジウム単結晶体およびリン化インジウム単結晶基板 |
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