JP6531530B2 - 充電回路 - Google Patents

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Description

本発明は、コンデンサを充電する充電回路に関する。
コンデンサを充電する際には、電圧の印加時に突入電流が生じる。この突入電流を抑制する方法の一つとして、電源ラインに抵抗器を挿入し、当該抵抗器で突入電流のピーク値を低減するものがある。しかしながら、抵抗器で突入電流を低減する場合には、抵抗器の許容損失の観点から、所謂大電力用の抵抗器を用いる必要があり、コストアップ及びサイズアップの要因となる。そこで、このようなコストアップ及びサイズアップを抑制するために、小型のバイポーラトランジスタを用いて構成された定電流回路が用いられてきた(例えば特許文献1及び2)。
特許文献1には、電気自動車用空調装置のコンデンサを充電する通電装置が開示されている。この通電装置は、出力トランジスタのエミッタ端子と制御トランジスタのベース端子とが接続され、出力トランジスタのベース端子と制御トランジスタのコレクタ端子とが接続されて構成される。制御トランジスタのベース端子とエミッタ端子との間には、抵抗器とツェナーダイオードとが設けられ、ベース−エミッタ間電圧とツェナー電圧との和と、抵抗器とにより定電流値が設定される。
特許文献2には、充電用定電流回路が開示されている。この充電用定電流回路は、第1のトランジスタのコレクタ端子と第2のトランジスタのベース端子とが接続され、第1のトランジスタのベース端子と第2のトランジスタのエミッタ端子とが接続されて構成される。第1のトランジスタのベース端子とエミッタ端子との間には、抵抗器とダイオードとが設けられ、ベース−エミッタ間電圧とダイオードの順方向電圧との差と、抵抗器とにより定電流値が設定される。
特開2000−289452号公報 特開2012−60697号公報
特許文献1及び2に記載の回路によれば、コンデンサの充電電流を予め設定された電流値に制限することができる。このため、突入電流を抑制することが可能となる。しかしながら、充電に応じてコンデンサの正端子の電圧が高くなり、充電電流が予め設定された電流値よりも小さくなり過ぎると、特許文献1では出力トランジスタ、特許文献2では第2のトランジスタがオフ状態となり、それ以降の充電電流は夫々のトランジスタの漏れ電流(例えばμAオーダ)程度となってしまい、コンデンサの端子間電圧が電源電圧に達するまでの時間が著しく増大する。
そこで、充電電流が予め設定された電流値よりも小さくなった場合でも、迅速にコンデンサを充電することが可能な充電回路が求められる。
本発明に係る充電回路の特徴構成は、電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電するために、第1のPNP型トランジスタと、第2のPNP型トランジスタと、第1の抵抗器と、第2の抵抗器と、電流経路維持部とを備え、前記電源と前記第1のPNP型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、前記第1のPNP型トランジスタのエミッタ端子と前記第1のPNP型トランジスタのベース端子との間に前記第1の抵抗器が接続され、前記コンデンサと前記第2のPNP型トランジスタのコレクタ端子とが接続され、前記第2のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのベース端子との間に前記第2の抵抗器が接続され、前記第1のPNP型トランジスタのベース端子と前記第2のPNP型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、前記第1のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのベース端子とが接続され、前記第2のPNP型トランジスタが予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、前記第1のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのエミッタ端子との間に前記電流経路維持部が設けられ、前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器と前記電流経路維持部とで前記電源から前記コンデンサに達するまでの経路が形成されている点にある。
このような特徴構成とすれば、コンデンサを定電流で充電する際に、第1のPNP型トランジスタと第2のPNP型トランジスタとが動作しなくなった場合でも、第1の抵抗器と第2の抵抗器と電流経路維持部とにより電源から出力された電流がコンデンサに達するまでの経路を維持することができる。したがって、第1のPNP型トランジスタと第2のPNP型トランジスタとが動作しなくなった場合でも、少なくとも第1のPNP型トランジスタと第2のPNP型トランジスタの漏れ電流よりも大きい充電電流を確保することができ、迅速にコンデンサを充電することが可能となる。
また、本発明に係る充電回路の他の特徴構成は、電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電するために、第1のNPN型トランジスタと、第2のNPN型トランジスタと、第1の抵抗器と、第2の抵抗器と、電流経路維持部とを備え、前記コンデンサと前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ端子と前記第1のNPN型トランジスタのベース端子との間に前記第1の抵抗器が接続され、前記電源と前記第2のNPN型トランジスタのコレクタ端子とが接続され、前記第2のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのベース端子との間に前記第2の抵抗器が接続され、前記第1のNPN型トランジスタのベース端子と前記第2のNPN型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、前記第1のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのベース端子とが接続され、前記第2のNPN型トランジスタが予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、前記第1のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのエミッタ端子との間に前記電流経路維持部が設けられ、前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器と前記電流経路維持部とで前記電源から前記コンデンサに達するまでの経路が形成されている点にある。
このような特徴構成であっても、コンデンサを定電流で充電する際に、第1のNPN型トランジスタと第2のNPN型トランジスタとが動作しなくなった場合でも、第1の抵抗器と第2の抵抗器と電流経路維持部とにより電源から出力された電流がコンデンサに達するまでの経路を維持することができる。したがって、第1のNPN型トランジスタと第2のNPN型トランジスタとが動作しなくなった場合でも、少なくとも第1のNPN型トランジスタと第2のNPN型トランジスタの漏れ電流よりも大きい充電電流を確保することができ、迅速にコンデンサを充電することが可能となる。
また、前記設定電流値は、前記第1の抵抗器と前記第1のPNP型トランジスタにより設定され、前記電流経路維持部が第3の抵抗器を用いて構成され、前記第3の抵抗器の抵抗値は、前記設定電流値に基づき、設定されると好適である。
このような構成とすれば、電流経路維持部の第3の抵抗器の抵抗値に応じて、第1の抵抗器及び第2の抵抗器に流れる電流の電流値を設定することができる。したがって、電流経路維持部の第3の抵抗器の抵抗値を第1の抵抗器及び第2の抵抗器の許容損失に応じて設定することにより、第1の抵抗器及び第2の抵抗器の破損を防止できる。
また、前記設定電流値は、前記第1の抵抗器と前記第1のNPN型トランジスタにより設定され、前記電流経路維持部が第3の抵抗器を用いて構成され、前記第3の抵抗器の抵抗値は、前記設定電流値に基づき、設定されると好適である。
このような構成とすれば、電流経路維持部の第3の抵抗器の抵抗値に応じて、第1の抵抗器及び第2の抵抗器に流れる電流の電流値を設定することができる。したがって、電流経路維持部の第3の抵抗器の抵抗値を第1の抵抗器及び第2の抵抗器の許容損失に応じて設定することにより、第1の抵抗器及び第2の抵抗器の破損を防止できる。
また、前記コンデンサの現在の静電容量の値を推定する推定部を備え、前記推定部により推定された前記静電容量の値に基づいて、前記第3の抵抗器の抵抗値を設定する好適である。
このような構成とすれば、コンデンサが劣化していないときには、抵抗値を大きくして所定の電圧までコンデンサを早く充電し、コンデンサが劣化しているときには、抵抗値を小さくして、全てのトランジスタが非動作状態になった後に、トランジスタの漏れ電流よりも大きい充電電流を確保し、コンデンサの端子間電圧が電源の出力電圧に達するまでの時間を短縮することができる。
また、前記第3の抵抗器の抵抗値が、前記電源の出力電圧と前記コンデンサの端子間電圧との差と、前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の許容損失とに基づいて変更されると好適である。
このような構成とすれば、コンデンサの充電中もしくは充電後に、何らかの理由で電源の出力電圧が一旦、低下し、その後、当該出力電圧が所期の値に復帰した場合でも、第1の抵抗器及び第2の抵抗器に過大な電流が流れることを防止しつつ、コンデンサの充電を迅速に行うことができる。したがって、第1の抵抗器及び第2の抵抗器の破損を防止することが可能となる。
第1の実施形態に係る充電回路の回路図である。 コンデンサの端子間電圧の変化を示した図である。 第2の実施形態に係る充電回路の回路図である。 コンデンサの端子間電圧の変化を示した図である。 第3の実施形態に係る充電回路の回路図である。 コンデンサの端子間電圧の変化を示した図である。 その他の実施形態に係る充電回路の回路図である。
本発明に係る充電回路は、電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電する際に、当該コンデンサの端子間電圧が電源の出力電圧(電源電圧)に達するまでの時間を短縮できるように構成される。
1.第1の実施形態
以下、本実施形態の充電回路1について説明する。図1には、本実施形態の充電回路1の回路図が示される。図1に示されるように、充電回路1は、第1のPNP型トランジスタTR1(以下「トランジスタTR1」とする)、第2のPNP型トランジスタTR2(以下「トランジスタTR2」とする)、第1の抵抗器R1(以下「抵抗器R1」とする)、第2の抵抗器R2(以下「抵抗器R2」とする)、電流経路維持部30を備えて構成される。
トランジスタTR1は、エミッタ端子が電源2の正端子に接続される。トランジスタTR1のエミッタ端子とトランジスタTR1のベース端子との間には、抵抗器R1が接続される。トランジスタTR2は、コレクタ端子がコンデンサ3の正端子に接続される。トランジスタTR2のコレクタ端子とトランジスタTR2のベース端子との間には、抵抗器R2が接続される。トランジスタTR1のベース端子とトランジスタTR2のエミッタ端子とが接続され、トランジスタTR1のコレクタ端子とトランジスタTR2のベース端子とが接続される。
トランジスタTR2は予め設定された設定電流値以下の電流を出力する。ここで、トランジスタTR1が動作状態にあっては、抵抗器R1には、トランジスタTR1のベース−エミッタ間電圧を抵抗器R1の抵抗値で除した値の電流が流れる。したがって、「予め設定された設定電流値」とは、トランジスタTR1のベース−エミッタ間電圧(typ値として「0.6V」)を抵抗器R1の抵抗値で除した値の電流値が相当する。すなわち、設定電流値は、抵抗器R1とトランジスタTR1により設定される。このような電流が、トランジスタTR2のコレクタ電流として出力される。
このような構成により、トランジスタTR1のコレクタ電流が流れている時には、コンデンサ3は、主に、トランジスタTR2のコレクタ電流で充電される。コンデンサ3が充電され、コンデンサ3の正端子の電圧Vcが高くなってくると、抵抗器R1に流れる電流が小さくなりトランジスタTR1は非動作状態となる。この時、トランジスタTR2のみが動作状態となるが、この時にも主にトランジスタTR2のコレクタ電流によりコンデンサ3が充電される。更に、コンデンサ3の正端子の電圧Vcが高くなると、トランジスタTR2が非動作状態となる。
また、トランジスタTR1のコレクタ端子とトランジスタTR2のエミッタ端子との間には、電流経路維持部30が設けられる。これにより、電流経路維持部30は、トランジスタTR1及びトランジスタTR2が非動作状態となった時でも、抵抗器R1と抵抗器R2と電流経路維持部30とで直列回路を構成し、電源2から出力される電流がコンデンサ3に達するまでの経路を維持(形成)する。本実施形態では、電流経路維持部30は、第3の抵抗器R3(以下「抵抗器R3」とする)を用いて構成される。
このような充電回路1によりコンデンサ3を充電した際のコンデンサ3の正端子の電圧Vcの波形が図2に示される。図2に示されるように、コンデンサ3に電荷が蓄えられていない状態(t=0)から充電を行うとすると、コンデンサ3の正端子の電圧が「Vin−VBE1−VBE2」となる(t=t1)までは、抵抗器R1及びトランジスタTR2を介して、抵抗器R1により設定された定電流でコンデンサ3が充電される。ここで、Vinは電源2の出力電圧、VBE1はトランジスタTR1が動作状態のベース−エミッタ間電圧、VBE2はトランジスタTR2が動作状態のベース−エミッタ間電圧である。
コンデンサ3の正端子の電圧Vcが高くなると、トランジスタTR1が非動作状態となり、トランジスタTR2のみが動作状態となる。この時には主にトランジスタTR2のコレクタ電流によりコンデンサ3が充電される。更に、コンデンサ3の正端子の電圧Vcが高くなると、トランジスタTR2が非動作状態となる。
ここで、抵抗器R2及び抵抗器R3は、抵抗器R1の抵抗値よりも2桁以上大きい抵抗値のものが用いられる。このため、トランジスタTR1及びトランジスタTR2は非動作状態となった場合には、トランジスタTR1及びトランジスタTR2が動作状態であった時の電流よりも小さい電流で充電される。この場合でも、図2に一点鎖線で示した電流経路維持部30を有さない充電回路を用いて充電した時の電圧波形に比べて、コンデンサ3の端子間電圧を迅速に電源電圧まで到達させることが可能となる。
2.第2の実施形態
上記実施形態では、電流経路維持部30が抵抗器R3を用いて構成されるとして説明したが、本実施形態では抵抗器R3の抵抗値が変更可能に構成されている点で上記第1の実施形態と異なる。その他の構成については、第1の実施形態と同様である。以下では、主に異なる部分について説明する。
本実施形態の充電回路1の回路図が図3に示される。図3に示されるように、本実施形態の充電回路1は、トランジスタTR1、トランジスタTR2、抵抗器R1、抵抗器R2、電流経路維持部30、推定部40、抵抗値変更部50を備えて構成される。トランジスタTR1、トランジスタTR2、抵抗器R1、抵抗器R2については、第1の実施形態と同様であるので説明は省略する。
電流経路維持部30は抵抗器を用いて構成される。この抵抗器は、抵抗値が変更可能に構成される。抵抗器は、複数の抵抗器を並列に並べて構成しても良いし、可変抵抗器を用いて構成しても良い。抵抗器を複数並べて構成する時には、抵抗値がスイッチで切り替え可能に構成される。可変抵抗器を用いて構成する時には、例えばデジタルポテンショメータのように抵抗値が外部からの制御信号に応じて変更可能に構成される。
電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値は、設定電流値に基づき設定されるが、この電流はコンデンサ3の静電容量の値に応じて異なる。一方、コンデンサ3は、例えば温度により経年劣化し、静電容量の値が低下する。このため、コンデンサ3の劣化状態により、トランジスタTR1から出力される電流が変わる。
そこで、推定部40は、コンデンサ3の時定数τに基づいてコンデンサ3の現在の静電容量の値を推定する。コンデンサ3の時定数τとは、公知の様に抵抗器とコンデンサとを直列接続したRC直列回路におけるコンデンサの正端子の電圧やコンデンサに流れる電流の時間的変化の目安となる指標であり、「抵抗値×静電容量の値」により求めたり、充電特性や放電特性等の波形の初期期間の傾きにより求めることができる。
本実施形態では、推定部40は、以下の(1)式により静電容量Cの値を推定する。
C=I/Vc×t ・・・(1)
ここで、tは充電開始時からの経過時間、Vcは、充電を開始してから時間tが経過した時のコンデンサ3の正端子の電圧、Iはコンデンサ3に流れる電流(充電電流)である。推定部40により推定された結果は、抵抗値変更部50に伝達される。
抵抗値変更部50は、推定部40により推定された静電容量の値に基づいて、抵抗器の抵抗値を設定する。具体的には、抵抗値変更部50は、推定された静電容量の値が大きいほど、電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値を大きくし、推定された静電容量の値が小さいほど、電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値を小さく設定する。これにより、推定された静電容量の値が大きいときには、コンデンサ3の正端子の電圧が所定の電圧まで早く達し、推定された静電容量の値が小さいときには、トランジスタTR1とトランジスタTR2とが非動作状態になった後にトランジスタTR1とトランジスタTR2の漏れ電流よりも大きい充電電流を確保し、コンデンサの正端子の電圧が出力電圧に達するまでの時間を短縮することができる。
ここで、電流経路維持部30が抵抗値の大きさが異なる3種類の抵抗器を備えて構成されているとする。この時のコンデンサ3の正端子の電圧Vcの波形が図4に示される。図4では、3種類の抵抗器のうち、抵抗値が最も小さい抵抗器を用いた時の波形がVc1、抵抗値が最も大きい抵抗器を用いた時の波形がVc3、その中間の抵抗値の抵抗器を用いた時の波形がVc2で示される。図4に示されるように、時定数τが小さい程(初期期間の傾きが小さい程)定電流による充電が速く終了するので、抵抗器の抵抗値を小さく設定することで、その後の充電電流を大きくすることができ、迅速にコンデンサ3を充電することが可能となる。なお、電流経路維持部30の複数の抵抗器の何れかは、抵抗値が0Ωであっても良い。
3.第3の実施形態
上記第2の実施形態では、推定されたコンデンサ3の静電容量の値に応じて電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値が変更されるとして説明したが、本実施形態では電源2の出力電圧とコンデンサ3の端子間電圧との差異に応じて電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値が変更される点で上記第2の実施形態と異なる。その他の構成については、第2の実施形態と同様である。以下では、主に異なる部分について説明する。
本実施形態の充電回路1の回路図が図5に示される。図5に示されるように、本実施形態の充電回路1は、トランジスタTR1、トランジスタTR2、抵抗器R1、抵抗器R2、電流経路維持部30、抵抗値変更部50を備えて構成される。トランジスタTR1、トランジスタTR2、抵抗器R1、抵抗器R2については、第2の実施形態と同様であるので説明は省略する。
抵抗値変更部50は、電源2の出力電圧の電圧値を取得する。電源2の出力電圧とは、充電回路1の入力電圧に相当する。また、抵抗値変更部50は、コンデンサ3の端子間電圧の測定結果を取得する。コンデンサ3の端子間電圧とは、コンデンサ3の正端子と負端子との電位差である。本実施形態では、負端子は接地されているので、コンデンサ3の端子間電圧は、コンデンサ3の正端子の電圧値に相当する。抵抗値変更部50は、このように取得した電源2の出力電圧の電圧値と、コンデンサ3の正端子の電圧値との差(電位差)を演算する。
抵抗値変更部50は、抵抗器R1及び抵抗器R2の許容損失と、演算して求めた電位差とに応じて抵抗器R1及び抵抗器R2に流し得る電流値を演算する。抵抗値変更部50は、この電流値を元に、電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値を変更する。具体的には、電源2の出力電圧の電圧値をVin、コンデンサ3の端子間電圧をVc、抵抗器R1及び抵抗器R2の夫々の抵抗値をr1、r2とすると、電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値rは、
r=(Vin-Vc)/I−(r1+r2) ・・・(2)
で求められる。ただし、Iは、負荷軽減曲線を考慮した許容損失により求めた抵抗器R1に流し得る電流の最大値及び抵抗器R2に流し得る電流の最大値のうちの小さい方の電流値である。したがって、電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値は、上記(2)式で求めた値以上となるように設定される。
このように電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値を設定することで、図6に示されるように、コンデンサ3の充電中にt=t2からt=t3の間に亘って、入力電圧Vinが低下し、コンデンサ3の正端子の電圧Vcが低下した場合でも、入力電圧Vinが復帰し充電を再開する時には、当該電圧Vcが「Vin−VBE1−VBE2」以上であれば、上記のように電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値を設定することで、抵抗器R1及び抵抗器R2を破損することなく、入力電圧Vinが低下前に電流経路維持部30の抵抗器を介して充電した時間(t=t1からt=t2までの時間)より短い時間(t=t3からt=t4までの時間)でコンデンサ3を電源電圧まで充電することができる。また、例えば、入力電圧Vinが復帰し充電を再開する時の電圧Vcが「Vin−VBE1−VBE2」未満であれば、トランジスタTR1及びトランジスタTR2を介して充電すると良い。なお、電流経路維持部30の複数の抵抗器の何れかは、抵抗値が0Ωであっても良い。
4.その他の実施形態
上記実施形態では、トランジスタTR1及びトランジスタTR2がPNP型バイポーラトランジスタであるとして説明したが、図7に示されるようにNPN型バイポーラトランジスタを用いて構成することも可能である。この場合には、充電回路1は以下のように構成される。
充電回路1は、第1のNPN型トランジスタTR1と、第2のNPN型トランジスタTR2と、第1の抵抗器R1と、第2の抵抗器R2と、電流経路維持部30とを備えて構成される。第1のNPN型トランジスタTR1のエミッタ端子は、コンデンサ3の正端子に接続され、第1のNPN型トランジスタTR1のエミッタ端子と第1のNPN型トランジスタTR1のベース端子との間には、第1の抵抗器R1が接続される。また、第2のNPN型トランジスタTR2のコレクタ端子は、電源2の正端子に接続され、第2のNPN型トランジスタTR2のコレクタ端子と第2のNPN型トランジスタTR2のベース端子との間には、第2の抵抗器R2が接続される。
更に、第1のNPN型トランジスタTR1のベース端子と第2のNPN型トランジスタTR2のエミッタ端子とが接続され、第1のNPN型トランジスタTR1のコレクタ端子と第2のNPN型トランジスタTR2のベース端子とが接続される。第2のNPN型トランジスタTR2が予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、第1のNPN型トランジスタTR1のコレクタ端子と第2のNPN型トランジスタTR2のエミッタ端子との間には、電流経路維持部30が設けられる。これにより、第1のNPN型トランジスタTR1及び第2のNPN型トランジスタTR2が非動作状態となった時でも、第1の抵抗器R1と第2の抵抗器R2と電流経路維持部30とで電源2からコンデンサ3に達するまでの経路を維持(形成)することができる。
また、上記実施形態と同様に、設定電流値は、第1の抵抗器R1と第1のNPN型トランジスタTR1により設定され、電流経路維持部30は第3の抵抗器R3を用いて構成することが可能である。この場合には、第3の抵抗器R3の抵抗値は、設定電流値に基づき、設定される。このような構成であっても、定電流によるコンデンサ3の充電後、迅速にコンデンサ3の端子間電圧を電源電圧まで到達させることが可能となる。
本発明は、コンデンサを充電する充電回路に用いることが可能である。
1:充電回路
2:電源
3:コンデンサ
30:電流経路維持部
40:推定部
R1:抵抗器(第1の抵抗器)
R2:抵抗器(第2の抵抗器)
R3:抵抗器(第3の抵抗器)
TR1:トランジスタ(第1のPNP型トランジスタ)
TR2:トランジスタ(第2のPNP型トランジスタ)

Claims (6)

  1. 電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電する充電回路であって、
    前記充電回路は、第1のPNP型トランジスタと、第2のPNP型トランジスタと、第1の抵抗器と、第2の抵抗器と、電流経路維持部とを備え、
    前記電源と前記第1のPNP型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
    前記第1のPNP型トランジスタのエミッタ端子と前記第1のPNP型トランジスタのベース端子との間に前記第1の抵抗器が接続され、
    前記コンデンサと前記第2のPNP型トランジスタのコレクタ端子とが接続され、
    前記第2のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのベース端子との間に前記第2の抵抗器が接続され、
    前記第1のPNP型トランジスタのベース端子と前記第2のPNP型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
    前記第1のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのベース端子とが接続され、
    前記第2のPNP型トランジスタが予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、
    前記第1のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのエミッタ端子との間に前記電流経路維持部が設けられ、
    前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器と前記電流経路維持部とで前記電源から前記コンデンサに達するまでの経路が形成されている充電回路。
  2. 電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電する充電回路であって、
    前記充電回路は、第1のNPN型トランジスタと、第2のNPN型トランジスタと、第1の抵抗器と、第2の抵抗器と、電流経路維持部とを備え、
    前記コンデンサと前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
    前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ端子と前記第1のNPN型トランジスタのベース端子との間に前記第1の抵抗器が接続され、
    前記電源と前記第2のNPN型トランジスタのコレクタ端子とが接続され、
    前記第2のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのベース端子との間に前記第2の抵抗器が接続され、
    前記第1のNPN型トランジスタのベース端子と前記第2のNPN型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
    前記第1のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのベース端子とが接続され、
    前記第2のNPN型トランジスタが予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、
    前記第1のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのエミッタ端子との間に前記電流経路維持部が設けられ、
    前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器と前記電流経路維持部とで前記電源から前記コンデンサに達するまでの経路が形成されている充電回路。
  3. 前記設定電流値は、前記第1の抵抗器と前記第1のPNP型トランジスタにより設定され、前記電流経路維持部が第3の抵抗器を用いて構成され、前記第3の抵抗器の抵抗値は、前記設定電流値に基づき、設定される請求項1に記載の充電回路。
  4. 前記設定電流値は、前記第1の抵抗器と前記第1のNPN型トランジスタにより設定され、前記電流経路維持部が第3の抵抗器を用いて構成され、前記第3の抵抗器の抵抗値は、前記設定電流値に基づき、設定される請求項2に記載の充電回路。
  5. 前記コンデンサの現在の静電容量の値を推定する推定部を備え、
    前記推定部により推定された前記静電容量の値に基づいて、前記第3の抵抗器の抵抗値を設定する請求項3又は4に記載の充電回路。
  6. 前記第3の抵抗器の抵抗値が、前記電源の出力電圧と前記コンデンサの端子間電圧との差と、前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の許容損失とに基づいて変更される請求項3から5のいずれか一項に記載の充電回路。
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