JP6531530B2 - 充電回路 - Google Patents
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Description
以下、本実施形態の充電回路1について説明する。図1には、本実施形態の充電回路1の回路図が示される。図1に示されるように、充電回路1は、第1のPNP型トランジスタTR1(以下「トランジスタTR1」とする)、第2のPNP型トランジスタTR2(以下「トランジスタTR2」とする)、第1の抵抗器R1(以下「抵抗器R1」とする)、第2の抵抗器R2(以下「抵抗器R2」とする)、電流経路維持部30を備えて構成される。
上記実施形態では、電流経路維持部30が抵抗器R3を用いて構成されるとして説明したが、本実施形態では抵抗器R3の抵抗値が変更可能に構成されている点で上記第1の実施形態と異なる。その他の構成については、第1の実施形態と同様である。以下では、主に異なる部分について説明する。
C=I/Vc×t ・・・(1)
ここで、tは充電開始時からの経過時間、Vcは、充電を開始してから時間tが経過した時のコンデンサ3の正端子の電圧、Iはコンデンサ3に流れる電流(充電電流)である。推定部40により推定された結果は、抵抗値変更部50に伝達される。
上記第2の実施形態では、推定されたコンデンサ3の静電容量の値に応じて電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値が変更されるとして説明したが、本実施形態では電源2の出力電圧とコンデンサ3の端子間電圧との差異に応じて電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値が変更される点で上記第2の実施形態と異なる。その他の構成については、第2の実施形態と同様である。以下では、主に異なる部分について説明する。
r=(Vin-Vc)/I−(r1+r2) ・・・(2)
で求められる。ただし、Iは、負荷軽減曲線を考慮した許容損失により求めた抵抗器R1に流し得る電流の最大値及び抵抗器R2に流し得る電流の最大値のうちの小さい方の電流値である。したがって、電流経路維持部30の抵抗器の抵抗値は、上記(2)式で求めた値以上となるように設定される。
上記実施形態では、トランジスタTR1及びトランジスタTR2がPNP型バイポーラトランジスタであるとして説明したが、図7に示されるようにNPN型バイポーラトランジスタを用いて構成することも可能である。この場合には、充電回路1は以下のように構成される。
2:電源
3:コンデンサ
30:電流経路維持部
40:推定部
R1:抵抗器(第1の抵抗器)
R2:抵抗器(第2の抵抗器)
R3:抵抗器(第3の抵抗器)
TR1:トランジスタ(第1のPNP型トランジスタ)
TR2:トランジスタ(第2のPNP型トランジスタ)
Claims (6)
- 電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電する充電回路であって、
前記充電回路は、第1のPNP型トランジスタと、第2のPNP型トランジスタと、第1の抵抗器と、第2の抵抗器と、電流経路維持部とを備え、
前記電源と前記第1のPNP型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
前記第1のPNP型トランジスタのエミッタ端子と前記第1のPNP型トランジスタのベース端子との間に前記第1の抵抗器が接続され、
前記コンデンサと前記第2のPNP型トランジスタのコレクタ端子とが接続され、
前記第2のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのベース端子との間に前記第2の抵抗器が接続され、
前記第1のPNP型トランジスタのベース端子と前記第2のPNP型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
前記第1のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのベース端子とが接続され、
前記第2のPNP型トランジスタが予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、
前記第1のPNP型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のPNP型トランジスタのエミッタ端子との間に前記電流経路維持部が設けられ、
前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器と前記電流経路維持部とで前記電源から前記コンデンサに達するまでの経路が形成されている充電回路。 - 電源から出力される電力を用いてコンデンサを充電する充電回路であって、
前記充電回路は、第1のNPN型トランジスタと、第2のNPN型トランジスタと、第1の抵抗器と、第2の抵抗器と、電流経路維持部とを備え、
前記コンデンサと前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
前記第1のNPN型トランジスタのエミッタ端子と前記第1のNPN型トランジスタのベース端子との間に前記第1の抵抗器が接続され、
前記電源と前記第2のNPN型トランジスタのコレクタ端子とが接続され、
前記第2のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのベース端子との間に前記第2の抵抗器が接続され、
前記第1のNPN型トランジスタのベース端子と前記第2のNPN型トランジスタのエミッタ端子とが接続され、
前記第1のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのベース端子とが接続され、
前記第2のNPN型トランジスタが予め設定された設定電流値以下の電流を出力し、
前記第1のNPN型トランジスタのコレクタ端子と前記第2のNPN型トランジスタのエミッタ端子との間に前記電流経路維持部が設けられ、
前記第1の抵抗器と前記第2の抵抗器と前記電流経路維持部とで前記電源から前記コンデンサに達するまでの経路が形成されている充電回路。 - 前記設定電流値は、前記第1の抵抗器と前記第1のPNP型トランジスタにより設定され、前記電流経路維持部が第3の抵抗器を用いて構成され、前記第3の抵抗器の抵抗値は、前記設定電流値に基づき、設定される請求項1に記載の充電回路。
- 前記設定電流値は、前記第1の抵抗器と前記第1のNPN型トランジスタにより設定され、前記電流経路維持部が第3の抵抗器を用いて構成され、前記第3の抵抗器の抵抗値は、前記設定電流値に基づき、設定される請求項2に記載の充電回路。
- 前記コンデンサの現在の静電容量の値を推定する推定部を備え、
前記推定部により推定された前記静電容量の値に基づいて、前記第3の抵抗器の抵抗値を設定する請求項3又は4に記載の充電回路。 - 前記第3の抵抗器の抵抗値が、前記電源の出力電圧と前記コンデンサの端子間電圧との差と、前記第1の抵抗器及び前記第2の抵抗器の許容損失とに基づいて変更される請求項3から5のいずれか一項に記載の充電回路。
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