JP6526186B2 - 基板除電機構及びこれを用いた真空処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、真空中で基板を除電する技術に関し、特に、フィルム状の処理基板を除電する技術に関する。

従来より、繰出しローラから連続的に繰り出した長尺のフィルム状の基板を冷却用キャンローラに巻き付けながら、当該キャンローラに対向配置される蒸発源からの蒸発物質を原料フィルム上に蒸着させ、蒸着後の原料フィルムを巻取ローラで巻き取る巻取式真空蒸着装置が知られている（例えば特許文献１参照）。

このような巻取式真空蒸着装置においては、フィルムに残存する電荷の影響で、巻取ローラにおけるフィルムの巻取り時に、フィルムに皺が発生し、適正に巻き取れなくなるという問題が生じていた。

そこで、この問題を解消するため、成膜後のフィルムをプラズマ処理によって除電する除電ユニットを設置し、フィルムの巻取り前にフィルムに帯電した電荷をこの除電ユニットによって除去する方法が提案されている（特許文献２参照）。

その一方で、このような従来技術においては、フィルム上に薄膜を形成した後、複数のローラを介して巻取ローラまで搬送して巻き取るため、フィルムの成膜面がローラに接触して薄膜にダメージを与えるおそれがあるという問題がある。

このため、従来、フィルムの走行機構として、断面円形形状のガイドローラのローラ本体に、ローラ本体より外径の大きい断面円形形状のガイド部を、フィルムの両縁部が載置されるように所定の間隔をおいて二つ設けるとともに、このガイドローラの回転軸と平行な回転軸を有する補助ローラのローラ本体に、ローラ本体より外径の大きい断面円形形状の二つのガイド部を、ガイドローラのガイド部と同程度の間隔をおいて設け、フィルムの両端部を、ガイドローラのガイド部と、補助ローラのガイド部によって挟んで搬送することにより、フィルム上に形成された薄膜に対してダメージを与えることなく、安定して搬送するようにしたものが提案されている（特許文献３参照）。

しかし、このような走行機構を用いてフィルムを搬送する場合、ガイドローラと補助ローラによって挟まれたフィルムの両端部において静電気による帯電量が中央部分より大きくなるという問題がある。

このため、このような走行機構を用いてフィルムを搬送・成膜する場合に上述した除電ユニットを用いると、フィルムの幅方向に均一に発生させたプラズマによって除電を行うことから、帯電量の大きい部分を十分に除電することができず、他方、放電によるプラズマを強くして帯電量の大きい部分を十分に除電しようとすると、フィルム上の成膜領域に影響を与えるおそれがあるとともに、放電電極の消耗量や消費電力が大きくなり、更には除電ユニットを増やすと装置構成が複雑・大型化するという課題がある。

特許第３７９５５１８号公報 ＷＯ２００６／０８８０２４号パンフレット 特許第５０２４９７２号公報

本発明は、上記従来技術の課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、真空中でフィルム状の基板等に成膜等の処理を行う装置において、処理領域に影響を与えることなく、簡素な構成で効率良く除電を行うことができる技術を提供することにある。

上記課題を解決するためになされた本発明は、真空中で搬送される処理基板に対してマグネトロン放電によって除電を行う基板除電機構であって、放電ガスが導入される放電用容器と、前記放電用容器内において基板搬送方向に対して交差するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極と、前記放電電極の近傍に配置される磁石とを有し、前記磁石として、前記処理基板における帯電量の分布に応じて放電を発生させるように、前記放電電極の長手方向に関して放電によるプラズマの強い部分と放電によるプラズマの弱い部分を生成するように当該長手方向の長さが異なる複数の磁石が配置されているものである。
本発明では、前記放電電極の長手方向に関して部分的に放電を発生させるように前記磁石が配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記放電電極の前記処理基板の両縁部に対応する部分に放電を発生させるように前記磁石が配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記処理基板がフィルム状のものである場合にも効果的である。
一方、本発明は、真空槽と、前記真空槽内に配置された処理源と、前記真空槽内において所定の搬送経路を経由して搬送され、前記処理源によって処理される処理基板とを有し、上述したいずれかの発明に係る基板除電機構が前記搬送経路の近傍に配置されている真空処理装置である。
本発明では、前記処理基板を挟んだ状態で案内して走行させる案内走行機構を有し、前記放電電極における、前記案内走行機構によって前記処理基板の挟まれる部分に対応する部分において放電を発生させるように前記磁石が配置されている場合にも効果的である。
本発明では、前記処理源が成膜源である場合にも効果的である。
本発明では、前記処理基板の非成膜領域に対応する部分に放電を発生させるように前記磁石が配置されている場合にも効果的である。

本発明の基板除電機構では、放電用容器内において基板搬送方向に対して交差するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極を有し、例えばフィルム状の処理基板における帯電量の分布に応じてマグネトロン放電を発生させるように磁石が配置されていることから、例えば処理基板の帯電量の大きい部分に対して放電を強くすることにより、真空中で処理基板に成膜等の処理を行う装置において、処理領域に影響を与えることなく、効率良く除電を行うことができる。
特に本発明では、放電電極の長手方向に関して放電によるプラズマの強い部分と放電によるプラズマの弱い部分を生成するように当該長手方向の長さが異なる複数の磁石が配置されていることから、処理基板を全体的に除電しつつ、帯電量の大きい部分に対して確実に除電を行うことができるので、当該処理基板に対する除電の最適化を図ることができる。
また、本発明によれば、放電によるプラズマの強さを必要以上に大きくする必要はないため、放電電極に対する印加電力を抑えることができ、これにより放電電極の消耗量や消費電力を少なくすることができる。
本発明において、放電電極の長手方向に関して部分的（例えば放電電極の処理基板の両縁部に対応する部分）に放電を発生させるように磁石が配置されている場合には、処理基板の帯電量の大きい部分のみに対して放電を発生させることができるので、除電機構の簡素化と効率化を図ることができる。
一方、本発明の真空処理装置においては、真空槽と、この真空槽内に配置された処理源（例えば成膜源）と、真空槽内において所定の搬送経路を経由して搬送され、当該処理源によって処理されるフィルム状の処理基板とを有し、上述したいずれかの発明に係る基板除電機構が搬送経路の近傍に配置されていることから、例えば成膜領域に影響を与えることなく、簡素な構成で効率良く除電を行うことができる成膜装置を提供することができる。
特に、処理基板を挟んだ状態で案内して走行させる案内走行機構を有し、除電機構の放電電極における、案内走行機構によって処理基板の挟まれる部分に対応する部分において放電を発生させるように磁石が配置されている場合には、例えばフィルム状の処理基板上に形成された薄膜に対してダメージを与えることなく、安定して搬送可能な成膜装置において、当該処理基板の帯電を効果的に除去することができる。

本発明の実施の形態である巻取式成膜装置の一例を示す概略構成図 （ａ）（ｂ）：本実施の形態における案内走行機構の例を示す部分断面図 従来の除電機構の例を示すもので、図３（ａ）は、その内部構成を示す正面図、図３（ｂ）は、その内部構成を示す側面図 本実施の形態の除電機構の例を示すもので、図４（ａ）は、その内部構成を示す正面図、図４（ｂ）は、その内部構成を示す側面図 （ａ）（ｂ）：本例の除電機構の作用を示す模式図 本実施の形態の除電機構の他の例を示すもので、図６（ａ）は、その内部構成を示す正面図、図６（ｂ）は、その内部構成を示す側面図 （ａ）（ｂ）：本例の除電機構の作用を示す模式図 本実施の形態の除電機構の他の例の要部を示すもので、図８（ａ）は、成膜用フィルムと除電機構の電極ユニットの内部構成を示す概略構成図、図８（ｂ）は、本例の除電機構の作用を示す模式図

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態である巻取式成膜装置の一例を示す概略構成図である。
以下、図１に示す場合を例にとって部材間の上下関係を説明する。

図１に示すように、本実施の形態の巻取式成膜装置（真空処理装置）１は、真空槽２を備えており、この真空槽２内の上部に設けられた繰出・巻取室２Ａと、真空槽２内の下部に設けられた成膜室２Ｂとを有している。
これら繰出・巻取室２Ａ及び成膜室２Ｂは、それぞれ図示しない真空排気系に接続されている。

繰出・巻取室２Ａ内の例えば上部には、成膜用フィルム（処理基板）１０が巻き付けられた成膜用フィルムロール３と、成膜された成膜用フィルム１０を巻き取るための巻取ローラ６が設けられている。

繰出・巻取室２Ａ内の成膜用フィルムロール３のフィルム搬送方向下流側には、ガイドローラ１１、１２と冷却ローラ１３が設けられている。
ここで、冷却ローラ１３は、繰出・巻取室２Ａと成膜室２Ｂにまたがるように設けられ、成膜用フィルム１０が掛け渡された状態で、成膜室２Ｂ内に配置された蒸発源（成膜源）２０と対向するように配置されている。

また、繰出・巻取室２Ａ内の冷却ローラ１３の近傍には、後述する案内走行機構４が設けられ、この案内走行機構４のフィルム搬送方向下流側には、除電機構（基板除電機構）５が設けられている。
さらに、除電機構５のフィルム搬送方向下流側で巻取ローラ６との間には、ガイドローラ１４が設けられている。

このような構成において、繰出・巻取室２Ａ内の成膜用フィルムロール３から繰り出された成膜用フィルム１０は、上述したガイドローラ１１、１２を介して冷却ローラ１３に掛け渡され、成膜室２Ｂ内において、蒸発源２０によって蒸着が行われた後、繰出・巻取室２Ａ内において、案内走行機構４、除電機構５、ガイドローラ１４を介して巻取ローラ６によって巻き取られるようになっている。

図２（ａ）（ｂ）は、本実施の形態における案内走行機構の例を示す部分断面図である。
図２（ａ）に示す案内走行機構４（４Ａ）は、ガイドローラ４０Ａと、押圧ローラ４１とから構成されている。

ここで、ガイドローラ４０Ａは、断面円形形状のローラ本体４２を有し、このローラ本体４２に、例えばシリコーンゴムからなり、ローラ本体４２より外径の大きい断面円形形状の二つのガイド部４３を、成膜用フィルム１０の成膜領域以外の非成膜領域である両縁部が載置されるように、所定の間隔をおいて設けたものである。

一方、押圧ローラ４１は、断面円形形状でガイドローラ４０Ａの回転軸と平行な回転軸を有するローラ本体４４に、ローラ本体４４より外径の大きい断面円形形状の二つのガイド部４５を、ガイドローラ４０Ａのガイド部４３と同等の間隔をおいて設けたものである。

そして、このようなガイドローラ４０Ａと押圧ローラ４１との間に挿入された成膜用フィルム１０に対し、図示しない押圧手段によって押圧ローラ４１をガイドローラ４０Ａ側に押圧することにより、成膜用フィルム１０の両縁部即ち非成膜領域を挟んだ状態で案内走行するように構成されている。

図２（ｂ）に示す案内走行機構４（４Ｂ）は、ガイドローラ４０Ｂと、複数の押圧機構４６とから構成されている。
ここで、ガイドローラ４０Ｂは、図２（ａ）に示すガイドローラ４０Ａとほぼ同様の構成を有するもので、ローラ本体４２に、ローラ本体４２より外径の大きい断面円形形状の三つのガイド部４３を、成膜用フィルム１０の成膜領域以外の非成膜領域である中央部及び両縁部が載置されるように、所定の間隔をおいて設けたものである。

一方、押圧機構４６は、上述したガイドローラ４０Ｂの回転軸と平行な回転支軸４７を中心として回転可能な押圧ローラ４８が本体部４９に取り付けられているもので、本例では、ガイドローラ４０Ｂのガイド部４３と同等の間隔をおいて三つの押圧機構４６を設けて構成されている。

そして、このようなガイドローラ４０Ｂと押圧機構４６との間に挿入された成膜用フィルム１０に対し、図示しない押圧手段によって押圧ローラ４８をガイドローラ４０Ｂ側に押圧することにより、成膜用フィルム１０の両縁部及び中央部即ち非成膜領域を挟んで案内するように構成されている。
そして、以上の構成を有する案内走行機構４Ａ、４Ｂによれば、成膜領域を保護した状態で、成膜用フィルム１０を安定して案内走行することができる。

図３（ａ）（ｂ）は、従来の除電機構の例を示すもので、図３（ａ）は、その内部構成を示す正面図、図３（ｂ）は、その内部構成を示す側面図である。
この除電機構１０５は、一対型のもので、放電ガス１３０が導入される金属製のハウジング１５１内に二つの同一構成の電極ユニット１５０が設けられているものである。

ここで、二つの電極ユニット１５０は、成膜用フィルム１１０を挟んでその両側に設けられ、フィルム搬送経路に対して平行で且つフィルム搬送方向に対して直交するように配置された直線棒状の導入電極１５２と、導入電極１５２と同心状に設けられた直線円筒状の放電電極１５３をそれぞれ有している。

各電極ユニット１５０の導入電極１５２は、それぞれ水等の冷却媒体が導入される放電電極１５３内に放電電極１５３に対して電気的に接続された状態で配置され、その周囲に複数の例えば永久磁石からなる円筒状の磁石１５４が設けられている。

これら複数の磁石１５４は、成膜用フィルム１１０の幅方向の全域にわたって遮蔽板１５５を隔てて設けられ、また、隣接する磁石１５４の極性が反転するように構成されている。
そして、各電極ユニット１５０の導入電極１５２は、直流電源１５６により、接地されたハウジング１５１との間で導入電極１５２側が負極となるように所定の電圧が印加されるようになっている。

このような構成において、成膜用フィルム１１０を搬送して成膜しながら、除電機構１０５においてハウジング１５１と導入電極１５２との間に所定の電圧を印加すると、電極ユニット１５０の周囲において、成膜用フィルム１１０の幅方向全域にわたってマグネトロン放電によるプラズマが生成され、そのプラズマが成膜用フィルム１１０に衝突することにより、成膜用フィルム１１０の除電が行われる。

図４（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の除電機構の例を示すもので、図４（ａ）は、その内部構成を示す正面図、図４（ｂ）は、その内部構成を示す側面図である。
この除電機構（基板除電機構）５Ａは、上述した従来例と同様の一対型のもので、例えばアルゴン等の放電ガス３０が導入される金属製のハウジング（放電用容器）５１内に二つの同一構成の電極ユニット５０Ａが設けられているものである。

ここで、二つの電極ユニット５０Ａは、成膜用フィルム１０を挟んでその両側に設けられ、フィルム搬送経路に対して平行で且つフィルム搬送方向に対して直交するように配置された直線棒状の導入電極５２と、導入電極５２と同心状に設けられた直線円筒状の放電電極５３をそれぞれ有している。

各電極ユニット５０Ａの導入電極５２は、それぞれ水等の冷却媒体が導入される放電電極５３内に放電電極５３に対して電気的に接続された状態で配置され、その周囲に二つの例えば永久磁石からなる円筒状の磁石５４Ａが設けられている。
本例は、放電電極５３の長手方向に関して部分的に放電を発生させるように複数（本実施の形態では二つ）の磁石５４Ａが配置されているものである。

ここで、磁石５４Ａとしては、一体型のもの、複数の小片からなるもののいずれを用いることができる。また、二つの磁石５４Ａは、同一の磁気回路が形成されるもの又は異なる磁気回路が形成されるもののいずれを用いることができる。

これら二つの磁石５４Ａは、図２（ａ）に示す案内走行機構４Ａのガイド部４３と同等の間隔即ち成膜用フィルム１０の幅と同等の間隔をおいて設けられ、また、隣接する磁石５４Ａの極性が反転するように構成されている。
そして、各電極ユニット５０Ａの導入電極５２は、直流電源５６により、接地されたハウジング５１との間で導入電極５２側が負極となるように所定の電圧が印加されるようになっている。

図５（ａ）（ｂ）は、本例の除電機構の作用を示す模式図である。
図５（ａ）に示すように、本例においては、二つの磁石５４Ａは、案内走行機構４Ａのガイド部４３と同等の間隔即ち成膜用フィルム１０の幅と同等の間隔をおいて設けられている。

したがって、本例において、電極ユニット５０Ａの導入電極５２に電圧を印加した場合には、図５（ｂ）に示すように、二つの磁石５４Ａの近傍においてのみプラズマ１５が生成され、その結果、成膜用フィルム１０の両縁部の非成膜領域のみがプラズマ１５に曝されて除電が行われることになる。

図６（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の除電機構の他の例を示すもので、図６（ａ）は、その内部構成を示す正面図、図６（ｂ）は、その内部構成を示す側面図である。以下、上記例と対応する部分には同一の符合を付しその詳細な説明を省略する。

本例の除電機構（基板除電機構）５Ｂは、ハウジング５１内に同一構成の二つの電極ユニット５０Ｂが設けられているものである。
そして、この除電機構５Ｂは、基本構成は上述した除電機構５Ａと同一であり、磁石５４Ｂの数及び配置位置が上記除電機構５Ａと異なるものである。

すなわち、本例の除電機構５Ｂは、上述したハウジング５１内に同一構成の二つの電極ユニット５０Ｂが設けられ、各電極ユニット５０Ｂは、上述した放電電極５３内に導入電極５２が配置され、その周囲に三つの例えば永久磁石からなる円筒状の磁石５４Ｂが設けられている。

ここで、磁石５４Ｂとしては、一体型のもの、複数の小片からなるもののいずれを用いることができる。また、三つの磁石５４Ｂは、同一の磁気回路が形成されるもの又は異なる磁気回路が形成されるもののいずれを用いることができる。

これら三つの磁石５４Ｂは、図２（ｂ）に示す案内走行機構４Ｂの隣接するガイド部４３と同等の間隔で成膜用フィルム１０の中央部及び両縁部に対応する部分に設けられ、また、隣接する磁石５４Ｂの極性が反転するように構成されている。

そして、各電極ユニット５０Ｂの導入電極５２は、直流電源５６により、接地されたハウジング５１との間で導入電極５２側が負極となるように所定の電圧が印加されるようになっている。

図７（ａ）（ｂ）は、本例の除電機構の作用を示す模式図である。
図７（ａ）に示すように、本例の場合、三つの磁石５４Ｂは、案内走行機構４Ｂの隣接するガイド部４３と同等の間隔をおいて設けられていることから、電極ユニット５０Ｂの導入電極５２に電圧を印加した場合には、図７（ｂ）に示すように、三つの磁石５４Ｂの近傍においてのみプラズマ１５が生成され、その結果、成膜用フィルム１０の中央部及び両縁部の非成膜領域のみがプラズマ１５に曝されて除電が行われることになる。

以上述べたように本実施の形態の除電機構５Ａ、５Ｂでは、成膜用フィルム１０の非成膜領域のみの除電を行うことができるので、成膜領域に影響を与えることなく、効率良く除電を行うことができるとともに、例えば図３（ａ）（ｂ）に示す従来技術と比較して構成が簡素な除電機構５Ａ、５Ｂを提供することができる。

また、本実施の形態によれば、放電によるプラズマの強さを必要以上に大きくする必要はないため、導入電極５２に対する印加電力を抑えることができ、これにより導入電極５２及び放電電極５３の消耗量や消費電力を少なくすることができる。

図８（ａ）（ｂ）は、本実施の形態の除電機構の他の例の要部を示すもので、図８（ａ）は、成膜用フィルムと除電機構の電極ユニットの内部構成を示す概略構成図、図８（ｂ）は、本例の除電機構の作用を示す模式図である。以下、上記例と対応する部分には同一の符合を付しその詳細な説明を省略する。

本発明が適用されるような巻取式成膜装置においては、マスク１０ａを介して成膜用フィルム１０上に成膜を行う場合がある（図８（ａ）参照）。
この場合、成膜用フィルム１０上の隣接するマスク１０ａの間の領域が成膜領域となり、マスク１０ａ上の領域が非成膜領域となる。

このようなマスク１０ａを用いて蒸着により導電材料の成膜を行う場合には、非成膜領域であるマスク１０ａの部分の帯電量が成膜領域の帯電量より大きくなる場合がある。
このような場合、上述した除電機構５Ａ、５Ｂを用いて非成膜領域のみ除電を行うことも可能であるが、本例では、以下のような電極ユニット５０Ｃを用いて除電を行うようにしている。

図８（ａ）に示すように、本例の電極ユニット５０Ｃは、成膜用フィルム１０の幅方向の全域にわたって遮蔽板５５を隔てて複数の磁石５４Ｃ、５４ｃが設けられている。
ここでは、導入電極５２（放電電極５３）の長手方向に関して長さが異なる複数の磁石５４Ｃ、５４ｃが配置されている。

具体的には、導入電極５２の成膜用フィルム１０のマスク１０ａに対応する部分に、長さの長い磁石５４Ｃが配置され、導入電極５２の成膜用フィルム１０の成膜領域に対応する部分に、この磁石５４Ｃより長さの短い磁石５４ｃが配置されている。なお、隣接する磁石５４Ｃ、５４ｃは極性が反転するように構成されている。
ここで、磁石５４Ｃ、５４ｃとしては、一体型のもの、複数の小片からなるもののいずれを用いることができる。

このような本例において導入電極５２に電圧を印加すると、図８（ｂ）に示すように、長さの長い磁石５４Ｃが配置された部分の放電によるプラズマ１６の強さが、長さの短い磁石５４ｃが配置された部分の放電によるプラズマ１７の強さより強くなる。

そして、このような構成を有する本例によれば、成膜用フィルム１０を全体的に除電をしつつ、帯電量の大きい非成膜領域に対して確実に除電を行うことができるので、成膜用フィルム１０に対する除電の最適化を図ることができる。

以上述べたように本実施の形態によれば、簡素な構成で効率良く除電を行うことができる巻取式成膜装置を提供することができる。

なお、本発明は上述した実施の形態に限られず、種々の変更を行うことができる。
例えば、上記実施の形態においては、一対型の基板除電機構を例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、１本型の基板除電機構又は２対型の基板除電機構に適用することもできる。

また、マグネトロン放電に用いる磁石については、永久磁石の他、電磁石を用いることもできる。
さらに、本発明は蒸着によって成膜を行う装置のみならず、例えばスパッタリング装置やエッチング装置等の種々の真空処理装置に適用することもできる。

さらにまた、上記実施の形態においては、処理基板として一連で長尺のフィルムを例にとって説明したが、本発明はこれに限られず、真空中で搬送可能な基板であれば、例えばカットされたフィルムや平板状のガラスからなるものに適用することもできる。

一方、図８（ａ）（ｂ）に示す例においては、放電によるプラズマの強さを異ならせるため長さの異なる磁石を用いたが、例えば磁力の強いネオジム等からなる磁石を用いて放電によるプラズマの強さを異ならせることも可能である。

１……巻取式成膜装置（真空処理装置）
２……真空槽
３……成膜用フィルムロール
４、４Ａ、４Ｂ……案内走行機構
５、５Ａ、５Ｂ……除電機構（基板除電機構）
６……巻取ローラ
１０……成膜用フィルム（処理基板）
３０……放電ガス
５０Ａ、５０Ｂ……電極ユニット
５１……ハウジング（放電用容器）
５２……導入電極
５３……放電電極
５４Ａ、５４Ｂ……磁石
５６……直流電源

Claims (8)

1. 真空中で搬送される処理基板に対してマグネトロン放電によって除電を行う基板除電機構であって、
   放電ガスが導入される放電用容器と、
   前記放電用容器内において基板搬送方向に対して交差するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極と、
   前記放電電極の近傍に配置される磁石とを有し、
   前記磁石として、前記処理基板における帯電量の分布に応じて放電を発生させるように、前記放電電極の長手方向に関して放電によるプラズマの強い部分と放電によるプラズマの弱い部分を生成するように当該長手方向の長さが異なる複数の磁石が配置されている基板除電機構。
2. 前記放電電極の長手方向に関して部分的に放電を発生させるように前記磁石が配置されている請求項１記載の基板除電機構。
3. 前記放電電極の前記処理基板の両縁部に対応する部分に放電を発生させるように前記磁石が配置されている請求項１又は２のいずれか１項記載の基板除電機構。
4. 前記処理基板がフィルム状のものである請求項１乃至３のいずれか１項記載の基板除電機構。
5. 真空槽と、
   前記真空槽内に配置された処理源と、
   前記真空槽内において所定の搬送経路を経由して搬送され、前記処理源によって処理される処理基板と、
   前記搬送経路の近傍に配置された基板除電機構とを有し、
   前記基板除電機構は、真空中で搬送される処理基板に対してマグネトロン放電によって除電を行う基板除電機構であって、放電ガスが導入される放電用容器と、前記放電用容器内において基板搬送方向に対して交差するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極と、前記放電電極の近傍に配置される磁石とを有し、前記磁石として、前記処理基板における帯電量の分布に応じて放電を発生させるように、前記放電電極の長手方向に関して放電によるプラズマの強い部分と放電によるプラズマの弱い部分を生成するように当該長手方向の長さが異なる複数の磁石が配置されている真空処理装置。
6. 前記処理基板を挟んだ状態で案内して走行させる案内走行機構を有し、前記放電電極における、前記案内走行機構によって前記処理基板の挟まれる部分に対応する部分において放電を発生させるように前記磁石が配置されている請求項５記載の真空処理装置。
7. 前記処理源が成膜源である請求項５又は６のいずれか１項記載の真空処理装置。
8. 前記処理基板の非成膜領域に対応する部分に放電を発生させるように前記磁石が配置されている請求項７記載の真空処理装置。
   

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