KR101708938B1

KR101708938B1 - 성막 방법

Info

Publication number: KR101708938B1
Application number: KR1020100087353A
Authority: KR
Inventors: 다츠야 후지나미; 신스케 다카하시; 준 후지나와; 고우지 도노하라
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2009-09-11
Filing date: 2010-09-07
Publication date: 2017-02-21
Also published as: US20110064890A1; CN102021539B; EP2298956A1; KR20110028229A; JP5486249B2; EP2298956B1; JP2011058069A; CN102021539A; US8592004B2

Abstract

(과제)
장척 기판을 길이 방향으로 반송하면서 드럼에 걸어 감아 기판의 표면에 막을 형성할 때에, 드럼에 전위를 인가하여 성막을 행하는 경우에도, 기판이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간에서의 드럼으로부터의 이상 방전을 억제하고, 이로써 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한 기판이나 성막 장치의 손상을 방지할 수 있는 성막 방법을 제공한다.
(해결 수단)
기판이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판이 드럼으로부터 이간되는 위치 중 적어도 한쪽을 포함하는 공간인 걸어 감는 공간을 포함하는 실과 상기 성막실 사이에, 두 실에 연통하는 차압실을 배치하고, 상기 걸어 감는 공간의 압력을 성막실보다 낮은 압력으로 함으로써 상기 과제를 해결한다.

Description

성막 방법{FILM DEPOSITION METHOD}

본 발명은, 기능성 필름 제조 등에 바람직한 성막 방법에 관한 것이다.

광학 소자, 액정 디스플레이나 유기 EL 디스플레이 등의 표시 장치, 반도체 장치, 박막 태양전지 등, 각종 장치에, 가스 배리어 필름, 보호 필름, 광학 필터나 반사 방지 필름 등의 광학 필름 등, 각종 기능성 필름 (기능성 시트) 이 이용되고 있다.

또, 이들 기능성 필름 제조에, 스퍼터링이나 플라즈마 CVD 등의 진공 성막법에 의한 성막 (박막 형성) 이 이용되고 있다.

진공 성막법에 의해, 효율적으로, 높은 생산성을 확보하며 성막을 행하기 위해서는, 장척 (長尺) 기판에 연속적으로 성막을 행하는 것이 바람직하다.

이러한 성막을 실시하는 성막 장치로는 장척 기판 (웨브 형상의 기판) 을 롤 형상으로 감아 이루어진 공급 롤과, 성막이 완료된 기판을 롤 형상으로 감는 권취 롤을 사용하는, 이른바 롤 투 롤 (Roll to Roll) 의 성막 장치가 알려져 있다. 이 롤 투 롤의 성막 장치는, 기판에 성막을 행하는 성막실을 통과하는 소정의 경로에서, 공급 롤에서 권취 롤까지 장척 기판을 삽입 통과시키고, 공급 롤로부터의 기판의 송출과 권취 롤에 의한 성막이 완료된 기판의 권취를 동기하여 행하면서, 성막실에 있어서 반송되는 기판에 연속적으로 성막을 행한다.

또, 이러한 롤 투 롤의 성막 장치에서는, 진공 챔버 내에 원통 형상의 드럼을 설치하고, 이 둘레면에 대면하는 위치에 전극이나 반응 가스 공급 수단 등의 성막 수단을 설치함과 함께, 드럼의 둘레면에 기판을 걸어 감아 반송하면서, 성막 수단에 의해 연속적으로 성막을 행하는 장치도 알려져 있다.

예를 들어, 특허문헌 1 에는, 가요성을 갖는 기판을 처리실에 운반하는 공급 롤 (운반 롤), 운반된 기판의 표면을 처리하는 복수의 처리실, 처리된 기판을 권취하는 권취 롤을 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 기판을 측면에 맞닿게 하고 또한 처리실을 통과시키는 드럼 (통과 롤) 을 설치하고, 처리실을 드럼의 둘레 방향에 배치하고, 처리실에 인접하는 차압실 (차동 배기실) 을 설치하고, 차압실 내를 배기하도록 한 기판 처리 장치가 기재되어 있다.

또, 특허문헌 2 에는, 연속된 기판 (플렉시블 기체 (基體)) 을, 진공조 내에 배치된 회전 드럼을 따라 주행시키면서, RF 발신기에 의한 RF 플라즈마와 마이크로파 플라즈마를 병용한 플라즈마 중에 노출시킴으로써, 연속적으로 박막을 형성하는 연속 플라즈마 CVD 법이 기재되어 있다. 이 특허문헌 2 에는, 회전 드럼에 접속된 RF 발생원에 의해 바이어스 전위를 인가하여 플라즈마를 발생시킴으로써, 플라즈마 CVD 에 의한 성막을 행하는 것이 기재되어 있다.

일본 공개특허공보 2004－95677호 일본 공개특허공보 2000－239849호

플라즈마 CVD 등에 의해 성막을 행하는 경우, 웨브 형상의 기판에 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막하기 위해서는, 드럼에 높은 바이어스 전위를 인가하는 것이 바람직하다. 특히, 더 고품질인 막을 연속적으로 안정적으로 형성하기 위해서는, 드럼 및 성막 전극 양쪽에 전위를 인가하고, 드럼과 성막 전극 사이의 바이어스 전압을 더 높일 필요가 있다.

그러나, 특허문헌 2 와 같이 드럼에 전위를 인가하면, 성막실뿐만 아니라 공급 롤이나 권취 롤이 배치되는 공간 (이하, 편의적으로 「권출실」로 함) 에서도, 드럼과 권출실 내의 가이드 롤러 등의 각 부위와의 사이에서 이상 방전이 발생되기 때문에, 이상 방전에 의해 기판이 손상되거나, 성막을 위한 플라즈마 형성이 불안정해져 성막된 막의 품질이 저하되거나, 성막 장치가 손상되는 경우가 있다.

이에 대해 권출실의 드럼 근방에 도전성 어스판을 배치함으로써, 드럼으로부터의 이상 방전을 억제하는 일도 행해지고 있지만, 드럼의, 기판이 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판이 이간되기 시작하는 위치에는 이상 방전 방지를 위한 어스판을 배치할 수 없어, 역시 드럼으로부터의 이상 방전이 발생되어 이상 방전에 의해 기판이 손상되거나, 성막된 막의 품질이 저하되거나, 성막 장치가 손상되는 경우가 있다.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해소하여, 장척 기판을 길이 방향으로 반송하면서 드럼에 전력을 공급하여 성막을 행하는 경우에도, 드럼의, 기판이 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판이 이간되기 시작하는 위치에서의 드럼으로부터의 이상 방전을 억제하고, 이로써 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한 기판이나 성막 장치의 손상을 방지할 수 있는 성막 방법을 제공하는 것에 있다.

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명은 장척 기판을 원통 형상의 드럼의 둘레면에 걸어 감아 반송하면서 상기 드럼의 둘레면을 이용하여 구성되는 공간으로 이루어진 성막실에 있어서, 상기 기판 표면에 성막을 행하는 성막 방법으로서, 미리 상기 기판이 상기 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 상기 기판이 상기 드럼으로부터 이간되는 위치 중 적어도 한쪽을 포함하는 걸어 감는 공간을 포함하는 실과 상기 성막실 사이에, 두 실(室)에 연통하는 차압실을 배치해 두고, 상기 성막실에 있어서, 상기 드럼에 전력을 공급하면서 성막을 행함과 함께, 상기 걸어 감는 공간의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는 것을 특징으로 하는 성막 방법을 제공하는 것이다.

여기서, 상기 걸어 감는 공간이 상기 기판이 상기 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 상기 기판이 상기 드럼으로부터 이간되는 위치 양쪽을 포함하는 공간인 것이 바람직하다.

또, 상기 성막실에서의 성막 공간 이외의 상기 드럼 둘레면의 적어도 일부에 대면하여 접지되는 도전성 판으로 이루어진 어스판을 배치하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 차압실의 압력을 상기 성막실보다 높은 압력으로 하는 것이 바람직하다.

또, 상기 차압실에서의 상기 드럼 둘레면의 적어도 일부에 대면하여 접지되는 도전성 판으로 이루어진 어스판을 배치하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 차압실에 불활성 가스를 도입하는 것이 바람직하다.

또, 상기 성막실이 CVD 에 의해 상기 기판에 성막을 행하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 걸어 감는 공간의 압력은 상기 성막실 압력의 1/10 이하인 것이 바람직하다.

또, 상기 걸어 감는 공간의 압력은 1 Pa 이하인 것도 바람직하다.

추가로, 상기 기판을 소정의 반송 경로로 반송하는 적어도 하나의 가이드 롤러를 가지고, 상기 걸어 감는 공간을 포함하는 상기 가이드 롤러와 상기 드럼 사이의 공간의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는 것이 바람직하다.

또, 상기 적어도 하나의 가이드 롤러와, 상기 걸어 감는 공간을 포함하는 상기 가이드 롤러와 상기 드럼 사이의 공간을 포함하는 걸어 감기실을 가지고, 그 걸어 감기실의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는 것이 바람직하다.

또는, 상기 기판이 권출되어 공급되는 기판 롤과, 성막된 기판이 권취된 권취 롤과, 상기 기판 롤과 상기 드럼 사이 및 상기 권취 롤과 상기 드럼 사이에 각각 설치되고, 상기 기판을 소정의 반송 경로로 반송하는 2 개의 가이드 롤러와 상기 기판 롤, 상기 권취 롤 및 상기 2 개의 가이드 롤러를 포함하는 공급 권취실을 가지고, 그 공급 권취실은 상기 걸어 감는 공간을 포함하는 실이고, 상기 공급 권취실의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 성막실에 더하여, 추가로 상기 드럼의 둘레면을 이용하여 구성된 공간으로 이루어지고, 성막실에 있어서, 상기 기판 표면에 성막을 행하는 적어도 하나의 성막실을 가지고, 상기 걸어 감는 공간은 상기 성막실 및 상기 적어도 하나의 성막실 중의 가장 압력이 낮은 성막실보다 압력이 낮은 것이 바람직하다.

본 발명에 따르면, 기판이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판이 드럼으로부터 이간되는 위치 중 적어도 한쪽을 포함하는 공간인 걸어 감는 공간을 포함하는 실과 성막실 사이에, 두 실에 연통하는 차압실을 배치하고, 걸어 감는 공간의 압력을 성막실보다 낮은 압력으로 함으로써, 장척 기판을 드럼에 걸어 감아 길이 방향으로 반송하면서 드럼에 전력을 공급하면서 성막을 행하는 경우에, 권출실 내에서의 드럼으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있다. 그래서, 예를 들어 플라즈마 CVD 등의 성막을 행할 때에 성막을 위한 플라즈마 형성이 불안정해져 성막된 막의 품질이 저하되거나, 기판이나 성막 장치가 손상되거나 하는 것을 방지하여 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있다.

도 1 은 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치의 일례를 개념적으로 나타낸 도면.
도 2 는 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치의 다른 일례를 개념적으로 나타낸 도면.
도 3 은 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치의 다른 일례를 개념적으로 나타낸 도면.

발명을 실시하기 위한 형태

이하, 본 발명의 성막 방법에 대해서, 첨부한 도면에 도시되는 적합한 예를 기초로, 상세하게 설명한다.

도 1 에, 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치의 일례를 개념적으로 나타낸다.

도 1 에 나타낸 성막 장치 (10) 는, 기판 (Z) 에, 플라즈마 CVD 에 의한 막을 성막할 수 있는 장치로서, 진공 챔버 (12) 와, 이 진공 챔버 (12) 내에 형성되는 권출실 (14) 과, 제 1 차압실 (16) 과, 성막실 (18) 과, 제 2 차압실 (20) 과, 드럼 (30) 을 가지며 구성된다.

또한, 본 발명에 있어서, 기판 (Z) 으로는 특별히 한정되지는 않고, PET (폴리에틸렌테레프탈레이트) 필름 등의 수지 필름, 금속 필름 등, CVD 에 의한 성막이 가능한 장척 필름 형상물 (시트 형상물) 이 모두 이용 가능하다.

또, 수지 필름 등을 기재 (基材) 로 하고 평탄화층, 보호층, 밀착층, 반사층, 반사 방지층 등의 각종 기능을 발현시키기 위한 층 (막) 을 성막하여 이루어진 필름 형상물을, 기판 (Z) 로서 사용해도 된다.

성막 장치 (10) 에 있어서는, 장척 기판 (Z) 은, 권출실 (14) 의 기판 롤 (32) 로부터 공급되고, 드럼 (30) 에 걸어 감긴 상태에서 길이 방향으로 반송되면서, 성막실 (18) 에서 성막되고, 이어서, 다시 권출실 (14) 에서 권취축 (34) 에 권취된다 (롤 형상 (권취 롤) 으로 감긴다). 즉, 이 권출실 (14) 은 미처리 (성막) 기판을 기판 롤 (32) 로부터 권출시켜 공급하고, 처리 (성막 완료) 기판 (Z) 을 권취축 (34) 에 권취하기 위한 공급 권취실이다.

드럼 (30) 은, 중심선을 중심으로 도면 중 반시계 방향으로 회전하는 원통 형상의 부재이다.

드럼 (30) 은, 후술하는 권출실 (14) 의 가이드 롤러 (40a) 에 의해 소정의 경로로 안내된 기판 (Z) 을, 둘레면의 소정의 영역에 걸어 돌리고, 소정의 위치에 유지하면서 길이 방향으로 반송하고, 제 1 차압실 (16), 성막실 (18) 및 제 2 차압실 (20) 의 순서로, 순차적으로 반송하고, 다시 권출실 (14) 의 가이드 롤러 (40b) 에 보낸다.

여기서, 드럼 (30) 은, 후술하는 성막실 (18) 의 샤워 전극 (56) 의 대향 전극으로서도 작용 (즉, 드럼 (30) 과 샤워 전극 (56) 으로 전극쌍을 구성함) 하는 것으로, 바이어스 전원 (28) 이 접속되어 있다.

드럼 (30) 에 바이어스 전위를 인가함으로써, 이후에 상세하게 서술하는 성막실 (18) 에서 성막할 때에, 원료 가스 공급 수단 (58) 에 의해 공급되고, 샤워 전극 (56) 에 공급되는 플라즈마 여기 전력에 의해 플라즈마 상태로 여기된 원료 가스의 분자나 원자를, 드럼 (30 ; 기판 (Z)) 의 방향으로 끌어 들일 수 있으므로, 기판 (Z) 상에 형성되는 막의 밀도가 높아져, 막질을 향상시킬 수 있고, 또, 성막 효율을 향상시킬 수 있다.

또한, 필요에 따라, 드럼 (30) 에는, 바이어스 전원 (28) 뿐만 아니라, 어스 (접지 수단) 도 접속시켜, 바이어스 전원 (28) 과 드럼 (30) 의 접속과, 어스와 드럼 (30) 의 접속을 전환 가능하게 해도 된다.

또, 드럼 (30) 은, 성막실 (18) 에 있어서의, 성막 중의 기판 (Z) 의 온도 조정 수단을 겸해도 된다. 그래서, 드럼 (30) 은, 온도 조정 수단을 내장하는 것이 바람직하다. 드럼 (30) 의 온도 조절 수단에는, 특별히 한정은 없고, 냉매 등을 순환시키는 온도 조절 수단, 피에조 소자 등을 사용하는 냉각 수단 등, 각종 온도 조절 수단이, 모두 이용 가능하다.

바이어스 전원 (28) 은, 드럼 (30) 에 바이어스 전력을 공급하는 고주파 전원이다.

또한, 바이어스 전원 (28) 은, 각종 성막 장치에서 이용되고 있는, 바이어스를 인가하기 위한 고주파 전원이나 펄스 전원 등의 공지된 전원이, 모두 이용 가능하고, 드럼에 공급되는 바이어스 전력은, 고주파 전력에 한정되지는 않고, 직류 전력이어도 되고, 교류 또는 직류의 펄스 전력이어도 된다.

바이어스 전원 (28) 이 드럼 (30) 에 공급하는 바이어스 전력으로는 100 W 이상이 바람직하다. 바이어스 전력을 100 W 이상으로 함으로써, 성막되는 막의 막질이나 성막 효율을 보다 향상시킬 수 있고, 또한, 드럼 (30) 에 인가되는 전위를 높여도, 권출실 (14) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있어 본 발명의 성막 방법을 더 바람직하게 이용할 수 있다.

권출실 (14) 은, 진공 챔버 (12) 의 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 에서부터 드럼 (30) 의 둘레면 근방까지 연장된 격벽 (36a 및 36f) 에 의해 구성된다.

여기서, 격벽 (36a 및 36f) 의 선단 (先端)(진공 챔버 (12) 의 내벽면과 반대단) 은, 반송되는 기판 (Z) 에 접촉하지 않는 가능한 위치까지 드럼 (30) 의 둘레면에 근접하고, 권출실 (14) 과 제 1 차압실 (16) 및 제 2 차압실 (20) 을, 거의 기밀하게 분리시킨다. 이런 점에 관해서는, 다른 격벽도 마찬가지이다.

이러한 권출실 (14) 은, 전술한 권취축 (34) 과 가이드 롤러 (40a 및 40b) 와 회전축 (42) 과 진공 배기 수단 (46) 을 갖는다.

가이드 롤러 (40a 및 40b) 는, 기판 (Z) 을 소정의 반송 경로에서 안내하는 통상적인 가이드 롤러이다. 또, 권취축 (34) 은, 성막이 완료된 기판 (Z) 을 권취하여 권취 롤로 하는, 공지된 장척물의 권취축이다.

도시된 예에서, 장척 기판 (Z) 을 롤 형상으로 감아 이루어진 것인 기판 롤 (32) 은, 회전축 (42) 에 장착된다. 또, 기판 롤 (32) 이, 회전축 (42) 에 장착되면, 기판 (Z) 은, 가이드 롤러 (40a), 드럼 (30) 및 가이드 롤러 (40b) 를 거쳐, 권취축 (34) 에 이르는 소정의 경로를 지나간다 (삽입 통과된다).

성막 장치 (10) 에 있어서는, 기판 롤 (32) 로부터의 기판 (Z) 의 송출과 권취축 (34) 에서의 성막이 완료된 기판 (Z) 의 권취를 동기하여 행하고, 장척 기판 (Z) 을 소정의 반송 경로에서 길이 방향으로 반송하면서, 성막실 (18) 에서의 성막을 행한다.

진공 배기 수단 (46) 은, 권출실 (14) 내를, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이 성막실 (18) 의 압력 (성막 압력) 보다 낮은 압력 (고진공 (높은 진공도)) 이 되도록 감압하기 위한 것으로, 이로써, 권출실 (14) 내에서 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전이 발생되는 것을 방지할 수 있다.

이런 점에 관해서는 이후에 상세하게 서술한다.

본 발명에서, 진공 배기 수단 (46) 에는 특별히 한정되지는 않고, 터보 펌프, 메커니컬 부스터 펌프, 로터리 펌프, 드라이 펌프 등의 진공 펌프, 또한, 크라이오 코일 등의 보조 수단, 도달 진공도나 배기량의 조정 수단 등을 이용하는, 진공 성막 장치에 사용되고 있는 공지된 (진공) 배기 수단이, 각종 이용 가능하다.

이런 점에 관해서는, 후술하는 다른 진공 배기 수단도 모두 마찬가지이다.

기판 (Z) 의 반송 방향에 있어서, 권출실 (14) 의 하류에는 제 1 차압실 (16) 이 배치된다.

이 제 1 차압실 (16) 은, 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 에서부터 드럼 (30) 의 둘레면 근방까지 연장된 격벽 (36a 및 36b) 에 의해 구성된다. 또, 제 1 차압실 (16) 에는, 어스판 (48) 과 가스 공급 수단 (50) 과 진공 배기 수단 (52) 과 제어 수단 (54) 이 배치된다.

권출실 (14) 과 성막실 (18) 사이에, 제 1 차압실 (16) 을 설치함으로써, 권출실 (14) 의 압력을 성막실 (18) 보다 낮은 압력으로 한 경우에, 권출실 (14) 에, 성막실 (18) 의 가스가 진입하고, 권출실 (14) 내나 기판 (Z) 의 불필요한 위치에, 성막물이 퇴적/성막되어 버리는 점 및 권출실 (14) 의 압력이 후술하는 성막실 (18) 에서의 성막에 영향을 주는 것을 방지한다.

어스판 (48) 은, 드럼 (30) 에 대면하여 배치되고, 제 1 차압실 (16) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제하는, 접지 (어스) 된 도전성 판 형상 부재이다.

어스판 (48) 을 배치함으로써, 제 1 차압실 (16) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있으므로, 후술하는 성막실 (18) 내에서의 성막시에, 성막을 위한 플라즈마 형성 (방전) 이 불안정해지지 않고, 드럼 (30) 에 바이어스 전력을 공급하여 막질이나 성막 효율의 향상을 도모할 수 있고, 또, 이상 방전에 의해 기판 (Z) 이나 성막 장치 (10) 가 손상되거나 하는 것을 방지할 수 있다.

어스판 (48) 은, 제 1 차압실 (16) 내에서, 드럼 (30) 둘레면의 적어도 일부에 대면하고 있으면 되는데, 더 바람직하게는, 장치 구성에 따라 가능한 전체면에 대면하여 배치되는 것이 좋다. 이로써, 더 바람직하게 제 1 차압실 (16) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있다.

또, 어스판 (48) 과 드럼 (30) 의 거리는, 5 mm 이하로 하는 것이 바람직하고, 이로써, 더 바람직하게 제 1 차압실 (16) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있다.

본 발명에 있어서, 어스판 (48) 에는, 특별히 한정되지는 않고, 이상 방전을 억제할 수 있는 것이면 되고, 예를 들어 알루미늄 등의 도전성 금속으로 형성할 수 있다.

이런 점에 관해서는, 후술하는 다른 어스판도, 모두 마찬가지이다.

진공 배기 수단 (52) 은, 제 1 차압실 (16) 내를 배기하는 것이다. 또, 가스 공급 수단 (50) 은, 제 1 차압실 (16) 에 소정의 가스를 공급하는 플라즈마 CVD 장치 등의 진공 성막 장치 등에서 이용되고 있는 공지된 가스 공급 수단이다.

여기서, 본 발명에 있어서, 차압실에 가스를 공급하는 가스 공급 수단 (차압실에 대한 가스 도입 수단) 은, 인접하는 2 개의 실 양쪽에 공급되는 가스 및/또는 불활성 가스를 차압실에 공급한다.

도시된 예에서는, 제 1 차압실 (16) 이 인접하는 것은 권출실 (14) 및 성막실 (18) 이다. 권출실 (14) 에는 기본적으로 가스는 도입되지 않으므로, 가스 공급 수단 (50) 은, 제 1 차압실 (16) 에, 질소 가스, 아르곤 가스, 헬륨 가스 등의 불활성 가스를 공급한다.

제어 수단 (54) 은, 바람직한 양태로서 인접하는 처리실 (18) 보다 제 1 차압실 (16) 내의 압력이 높아지도록, 진공 배기 수단 (52) 에 의한 배기 및 가스 공급 수단 (50) 에 의한 가스의 공급량을 제어하는 것이다.

이런 점에 관해서는, 이후에 상세하게 서술한다.

제 1 차압실 (16) 의 하류에는, 성막실 (18) 이 배치된다.

성막실 (18) 은, 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 에서부터 드럼 (30) 의 둘레면 근방까지 연장된 격벽 (36b 및 36e) 에 의해 구성된다.

성막 장치 (10) 에 있어서, 성막실 (18) 은, 일례로서 CCP (Capacitively Coupled Plasma 용량 결합형 플라즈마)-CVD 에 의해, 기판 (Z) 의 표면에 성막을 행하는 것으로, 샤워 전극 (56) 과, 원료 가스 공급 수단 (58) 과, 고주파 전원 (60) 과, 진공 배기 수단 (62) 과, 어스판 (90a 및 90b) 을 갖는다.

샤워 전극 (56) 은, CCP-CVD 에 이용되는 공지된 샤워 전극이다.

도시된 예에서, 샤워 전극 (56) 은 성막 전극으로, 일례로서 중공 (中空) 의 대략 직육면체 형상이며, 하나의 최대 면을 드럼 (30) 의 둘레면에 대면하여 배치된다. 또, 샤워 전극 (56) 의 드럼 (30) 과의 대향면에는, 다수의 관통 구멍이 전면적으로 성막된다. 또한, 바람직하게는 샤워 전극 (56) 의 드럼 (30) 과의 대향면은, 드럼 (30) 의 둘레면을 따르도록 만곡해도 된다. 본 발명에서는 성막 전극인 샤워 전극 (56) 과 이것과 대향하는 드럼 (30) 의 둘레면에 둘러싸인 공간을 성막 공간이라고 한다.

또한, 도시된 예에서, 성막실 (18) 에는, 샤워 전극 (CCP-CVD 에 의한 성막 수단) 이, 1 개 배치되어 있지만, 본 발명은 이것에 한정되지는 않고, 기판 (Z) 의 반송 방향으로, 복수의 샤워 전극을 배열해도 된다. 이런 점에 관해서는, CCP-CVD 이외의 플라즈마 CVD 를 이용할 때도 동일하고, 예를 들어, ICP (Inductively Coupled Plasma)-CVD 에 의해 무기층을 성막하는 경우에는, 유도 전계 (유도 자기장) 를 성막하기 위해 코일을, 기판 (Z) 의 반송 방향으로 복수 배치해도 된다.

또, 본 발명은, 샤워 전극 (56) 을 사용하는 것에도 한정되지는 않고, 통상적인 판 형상 전극과 원료 가스의 공급 노즐을 사용하는 것이어도 된다.

원료 가스 공급 수단 (58) 은, 플라즈마 CVD 장치 등의 진공 성막 장치에 사용되는 공지된 가스 공급 수단으로, 샤워 전극 (56) 의 내부에 원료 가스를 공급한다.

전술한 바와 같이, 샤워 전극 (56) 의 드럼 (30) 과의 대향면에는, 다수의 관통 구멍이 공급되어 있다. 따라서, 샤워 전극 (56) 에 공급된 원료 가스는, 이 관통 구멍으로부터, 샤워 전극 (56) 과 드럼 (30) 사이에 도입된다.

고주파 전원 (60) 은, 샤워 전극 (56) 에, 플라즈마 여기 전력을 공급하는 전원이다. 고주파 전원 (60) 도, 각종 플라즈마 CVD 장치에서 이용되고 있는 공지된 고주파 전원이 모두 이용 가능하다.

또한, 진공 배기 수단 (62) 은, 플라즈마 CVD 에 의한 가스 배리어 막의 성막을 위해서, 성막실 (18) 내를 배기시켜, 소정의 성막 압력으로 유지하는 것이다.

어스판 (90a 및 90b) 은, 성막 공간 이외의 드럼 (30) 둘레면의 적어도 일부, 예를 들어, 드럼 (30) 의, 샤워 전극 (56) 과 대면하는 위치를 제외한 둘레면에 대면하여 배치되는 도전성 판 형상 부재이다.

어스판 (90a 및 90b) 은, 드럼 (30) 과 샤워 전극 (56) 사이에서의 플라즈마 형성 (방전) 을 저해하지 않고, 드럼 (30) 과 성막실 (18) (샤워 전극 (56) 을 제외함) 사이에서의 이상 방전을 억제한다.

어스판 (90a 및 90b) 은, 성막실 (18) 내에서, 드럼 (30) 둘레면의 적어도 일부에 대면하고 있으면 되는데, 더 바람직하게는, 장치 구성에 따라 가능한 전체면에 대면하여 배치되는 것이 좋다. 이로써, 더 바람직하게 성막실 (18) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있다.

또, 어스판 (90a 및 90b) 과 드럼 (30) 의 거리는, 5 mm 이하로 하는 것이 바람직하고, 이로써, 더 바람직하게 성막실 (18) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있다.

또, 본 발명에 있어서, CVD 성막실에서의 성막 방법은, 도시된 예의 CCP-CVD 에 한정되지는 않고, ICP-CVD 나 마이크로파 CVD 등의 다른 플라즈마 CVD, Cat (Catalytic 촉매)-CVD, 열 CVD 등, 공지된 CVD 가 모두 이용 가능하다.

또한, 본 발명의 성막 장치에 있어서, CVD 성막실이 성막하는 막에도 특별히 한정되지는 않고, CVD 에 의해 성막 가능한 것이 모두 이용 가능하지만, 특히, 산화 실리콘, 산화 알루미늄, 질화 실리콘 등의 가스 배리어 막이 바람직하게 예시된다.

여기서, 전술한 바와 같이, 성막 장치 (10) 에서는, 바이어스 전원 (28) 으로부터 드럼 (30) 에 바이어스 전위를 인가함으로써, 막의 밀도를 향상시키고, 고품질의 막을 형성할 수 있고, 또, 성막 레이트를 상승시켜, 성막 효율을 향상시킨다.

그런데, 막질이나 성막 효율의 향상을 도모하기 위해, 드럼에 높은 바이어스 전위를 인가 (높은 전력을 공급) 하면, 방전이 필요한 플라즈마 CVD 에 의한 성막 영역 이외에도, 드럼으로부터의 방전 (이상 방전) 을 일으켜 버린다. 이 드럼으로부터의 이상 방전은, 성막 영역 (방전이 필요한 영역) 에 있어서의 방전, 즉, 플라즈마의 생성을 불안정하게 해 버려, 그 결과, 성막되는 막질의 저하를 일으킨다. 또한, 드럼으로부터의 방전에 의해 기판 (Z) 이 손상되거나 성막 장치가 손상되는 경우도 있다.

드럼으로부터의 이상 방전은, 도 1 에도 나타낸 바와 같이, 드럼에 대면하면서 또한 근접하여, 접지 (어스) 된 도전성 어스판을 설치함으로써 억제할 수 있다. 그러나, 기판이 드럼에 걸려 감기는 위치 및 기판이 드럼으로부터 이간되는 위치에는, 어스판을 설치하지 못하고, 어스판에 의한 이상 방전의 회피는 곤란하다. 또한, 이 위치는, 기판과 드럼의 맞닿음으로 인해 발생되는 정전기에서 기인되는 방전이나, 기판과 드럼이 박리됨으로써 발생되는 정전기에서 기인되는 방전, 이른바 박리 방전이 발생하기 쉽고, 특히, 드럼으로부터의 이상 방전이 발생하기 쉽다.

이에 대하여, 본 발명의 성막 방법에 있어서는, 전술한 바와 같이, 진공 배기 수단 (46) 에 의해, 권출실 (14) 내의 압력, 즉, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 의 압력보다 낮은 압력이 되도록 감압한다. 이로써, 권출실 (14) 내 (기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간) 에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지할 수 있고, 이로써, 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한, 기판 (Z) 이나 성막 장치 (10) 의 손상을 방지할 수 있다.

본 발명에 있어서, 권출실 (14) 내 (기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간) 의 압력에는, 특별히 한정되지는 않고, 성막실 (18) 의 압력보다 낮으면 된다. 이로써, 권취실 (14) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 바람직하게 억제하여, 이 이상 방전에서 기인되는 막질 열화나 기판 (Z) 의 손상을 억제할 수 있다. 바람직하게는, 성막실 (18) 의 압력 (성막압), 드럼 (30) 에 인가되는 바이어스 전위 등에 따라, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기는 위치 및 이간되는 위치에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있는 압력을, 적절히 설정하면 된다.

구체적으로는, 권출실 (14) 내의 압력, 즉, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 압력의 1/10 이하가 되는 압력으로 하는 것이 바람직하다. 또, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이 1 Pa 이하가 되는 압력으로 하는 것도 바람직하다. 이로써, 더 확실하게 권출실 (14) 내 (기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간) 에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지할 수 있다.

또, 도시된 예에서는, 권출실 (14) 에 있어서, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력뿐만 아니라, 권출실 (14) 내 전체의 압력이, 성막실 (18) 보다 낮은 압력이 되므로, 권출실 (14) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있어, 권출실 (14) 내에, 어스판 (48) 이나 어스판 (90a, 90b) 과 같은 드럼 (30) 의 이상 방전을 억제하는 어스판을 배치할 필요가 없다.

또한, 본 발명에 있어서는, 권출실 (14) 내에, 드럼 (30) 의 이상 방전을 억제하는 어스판을 배치하는 구성으로 해도 되는 것은 물론이며, 어스판을 배치하는 구성으로 한 경우라도, 어스판을 배치할 수 없는, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력을, 성막실 (18) 보다 낮은 압력으로 하므로, 이 공간에서의 이상 방전도 억제할 수 있다.

또, 전술한 바와 같이 성막 장치 (10) 에 있어서는, 권출실 (14) 과 CVD 성막실인 성막실 (18) 사이에 제 1 차압실 (16) 을 설치하여, 바람직한 양태로서 그 내부 압력을, 인접하는 권출실 (14) 및 성막실 (18) 보다 높은 압력 (저진공 (낮은 진공도)) 으로 한다.

도시된 예와 같이, 플라즈마 CVD 에 의한 성막실과 권출실을 거의 기밀하게 분리하고, 권출실의 압력을 저압력으로 하는 장치에서는, 성막실의 가스가 권출실에 진입해 버려, 권출실 내나 기판의 불필요한 위치에, 성막물이 퇴적/성막되어 버린다.

이러한 문제를 회피하기 위해서, 특허문헌 1 에도 기재된 바와 같이, 기판의 반송 경로에 의해 연통하는 2 개의 실 사이에, 두 실에 연통하고, 또한, 거의 기밀하게 분리된 차압실을 설치하는 방법이 알려져 있다. 이 차압실은, 특허문헌 1 에도 기재된 바와 같이, 통상적으로 이웃하는 두 실보다 낮은 압력으로 함으로써, 이웃하는 두 실 사이에서의 가스 혼입을 방지한다. 그러나, 차압실의 압력이 성막실보다 낮기 때문에, 차압실에 CVD 의 원료 가스가 진입하여 막이 퇴적되어 버려, 메인터넌스가 힘들어지고, 또, 작업성도 저하된다는 문제가 있다.

이것에 대해, 차압실 (16) 을 인접하는 실보다 고압력으로 함으로써, 권출실 (14) 뿐만 아니라, 제 1 차압실 (16) 에도 성막실 (18) 내의 가스가 진입 (혼입) 하는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 권출실 (14) 뿐만 아니라, 제 1 차압실 (16) 에도 CVD 의 원료 가스 등이 진입하여 내부에 퇴적/성막되는 일이 없다.

또, 제 1 차압실 (16) 은, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 보다 고압력이지만, 제 1 차압실 (16) 에 공급되는 가스, 즉, 제 1 차압실 (16) 로부터 권출실 (14) 및 성막실 (18) 에 진입하는 가스는, 불활성 가스이므로, 성막실 (18) 에서의 성막에 악영향을 주는 일은 없고, 또한, 성막되는 막 중에 불순물이 진입하는 일도 없고, 게다가 권출실 (14) 내를 오염시켜, 실내의 기판 (Z) 에 악영향을 주는 일도 없다.

즉, 차압실을 인접하는 실보다 고압력으로 함으로써, 장척 기판을 길이 방향으로 연속적으로 반송하면서, CVD 성막실에서 성막을 행하는 성막 장치에 있어서, CVD 성막실의 가스가, 다른 실에 진입하여 처리에 대한 악영향이나 오염 등 (이른바 컨태미네이션) 이 발생되는 것을 방지할 수 있고, 또한, 차압실에 CVD 의 반응 가스가 진입하는 일이 없고, 즉, 차압실에 대한 성막이나 오염도 방지할 수 있다.

또, 차압실에 공급되는 가스는, 불활성 가스 및/또는 인접하는 실의 양쪽에 공급되는 가스이므로, CVD 에 의한 성막이나 처리실에서의 처리에도 악영향을 주는 일이 없다.

또, 권출실 (14) (기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간) 의 압력을 성막실 (18) 의 압력보다 낮게 한다는, 본 발명의 구성에서는, 권출실 (14) 의 압력이 성막실 (18) 의 압력, 즉, 성막 압력에 영향을 미쳐, 성막되는 막의 막질이나 성막 효율이 저하될 우려가 있다. 이에 대하여, 권출실 (14) 과 성막실 (18) 사이에 제 1 차압실 (16) 을 설치함으로써, 권출실 (14) 의 압력이 성막실 (18) 의 압력에 영향을 미쳐, 막질이나 성막 효율이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또한, 이러한 차압실의 효과에 관해서는, 성막실 (18), 제 2 차압실 (20) 및 권출실 (14) 사이에서도 마찬가지이다.

또, 제 1 차압실 (16) 의 압력을, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 보다 높은 압력으로 하는 경우에는, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 의 압력과, 양쪽 사이에 배치되는 제 1 차압실 (16) 의 압력의 차이에는 특별히 한정되지는 않고, 약간이라도 두 실보다 제 1 차압실 (16) 의 압력이 높으면 된다.

즉, 제 1 차압실 (16) 의 압력은, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 의 압력, 권출실 (14) 과 성막실 (18) 의 압력차, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 에 배치되는 진공 배기 수단의 능력 등에 따라, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 의 압력에 영향을 주는 일이 없고 (영향이 있는 경우에는, 영향을 최소한으로 할 수 있고), 또한 권출실 (14) 및 성막실 (18) 보다 높은 압력을 적절히 설정하면 된다.

또한, CVD 에서의 성막 압력은, 통상적으로 수 Pa ∼ 수백 Pa 사이이므로, 제 1 차압실 (16) (차압실) 의 압력은, 성막실 (18) 보다 5 Pa 이상, 높게 하는 것이 바람직하다.

이와 같은 구성을 가짐으로써, 제 1 차압실 (16) 에 의해, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 을 분리할 수 있음과 동시에, 제 1 차압실 (16) 에 성막실 (18) 의 가스가 진입하는 것을, 더 확실하게 방지할 수 있어 바람직하다.

차압실의 압력이 인접하는 실의 압력에 주는 영향을 작게 할 수 있는 등의 이유로, 제 1 차압실 (16) 의 압력과, 성막실 (18) 의 압력의 차이는, 10 Pa 이하로 하는 것이 바람직하다.

또, 제 1 차압실 (16) 의 압력을 성막실 (18) 의 압력보다 높고, 또한, 인접하는 실의 압력에 영향을 주지 않는 압력으로 하면, 제 1 차압실 (16) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다.

이에 대하여, 전술한 바와 같이, 어스판 (48) 을 드럼 (30) 에 대면하여 배치함으로써, 제 1 차압실 (16) 내의 압력을, 방전이 일어나기 쉬운 압력으로 한 경우에도, 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 억제할 수 있고, 성막을 위한 플라즈마 형성이 불안정해지는 경우가 없기 때문에, 드럼 (30) 에 바이어스 전력을 공급하여, 막질이나 성막 효율을 향상시킬 수 있고, 또, 기판 (Z) 이나 성막 장치 (10) 가 손상되는 것을 방지할 수 있다.

이상과 같은 점에 관해서는, 제 2 차압실 (20) 도 마찬가지이다.

여기서, 차압실을 인접하는 실보다 고압력으로 하면, 차압실에 인접하는 권출실에는, 차압실의 가스가 유입된다. 권출실에 차압실로부터의 가스가 유입되면, 드럼으로부터의 이상 방전을 방지하기 위해서, 권출실의 압력을 성막실보다 저압으로 하였다 하더라도, 권출실의 기판의 출입구 부근, 즉, 기판이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이 높아져 버려, 역시, 드럼과 가이드 롤러 등 사이에서 이상 방전을 발생시켜 이상 방전에 의해 기판이 손상되거나, 성막실내에서의 성막을 위한 플라즈마 형성이 불안정해져 막질이 저하되거나, 성막 장치가 손상된다는 문제가 발생한다.

이에 대하여, 본 발명에 따르면, 전술한 바와 같이, 권출실 (14) 내의 압력을, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 의 압력보다 낮은 압력이 되도록 감압되므로, 권출실 (14) 내 (기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간) 에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지할 수 있고, 이로써, 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한, 기판 (Z) 이나 성막 장치 (10) 의 손상을 방지할 수 있다.

성막실 (18) 의 하류에는, 제 2 차압실 (20) 이 배치된다.

제 2 차압실 (20) 은, 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 에서부터 드럼 (30) 의 둘레면 근방까지 연장된 격벽 (36e 및 36f) 에 의해 구성된다.

또, 제 2 차압실 (20) 은, 가스 공급 수단 (64) 과 어스판 (66) 과 진공 배기 수단 (68) 과 제어 수단 (70) 을 갖는다. 제 1 차압실 (16) 과 마찬가지로, 진공 배기 수단 (68) 은 제 2 차압실 (20) 내를 배기시킴으로써, 또, 가스 공급 수단 (64) 은 제 2 차압실 (20) 에 소정의 가스를 공급하는 공지된 가스 공급 수단이고, 또한 어스판 (66) 은 제 2 차압실 (20) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 방전을 제어하는 것이다.

여기서, 제 2 차압실 (20) 은 권출실 (14) 과 성막실 (18) 사이에 설치되어 있으므로, 가스 공급 수단 (64) 은, 전술한 가스 공급 수단 (50) 과 마찬가지로 불활성 가스를 제 2 차압실 (20) 에 공급한다.

제어 수단 (70) 은, 전술한 제어 수단 (54) 과 마찬가지로, 제 2 차압실 (20) 내의 압력이, 권출실 (14) 및 성막실 (18) 의 압력보다 높아지도록, 진공 배기 수단 (68) 에 의한 배기 및 가스 공급 수단 (64) 에 의한 가스의 공급량을 제어한다.

이하, 성막 장치 (10) 의 작용을 설명한다.

전술한 바와 같이, 회전축 (42) 에 기판 롤 (32) 이 장전되면, 기판 롤 (32) 로부터 기판 (Z) 이 인출되고, 가이드 롤러 (40a), 드럼 (30) 및 가이드 롤러 (40b) 를 거쳐, 권취축 (34) 에 이르는 소정의 반송 경로를 삽입 통과된다.

기판 (Z) 이 삽입 통과되면, 진공 챔버 (12) 를 폐색시켜, 진공 배기 수단 (46, 52, 62 및 68) 을 구동시켜 각 실의 배기를 개시한다.

권출실 (14), 제 1 차압실 (16), 성막실 (18) 및 제 2 차압실 (20) 이 모두 소정의 진공도 이하까지 배기되면, 이어서, 가스 공급 수단 (50 및 64) 을 구동시켜 각 차압실에 소정의 가스를 도입하고, 또, 원료 가스 공급 수단 (58) 을 구동시켜 성막실 (18) 에 원료 가스를 공급한다.

여기서, 권출실 (14) 은 성막실 (18) 보다 저압력이며, 바람직하게는 성막실 (18) 압력의 1/10 이하 또는 1 Pa 이하이다. 또, 제 1 차압실 (16) 은 권출실 (14) 및 성막실 (18) 보다 고압력이고, 제 2 차압실 (20) 은 성막실 (18) 및 권출실 (14) 보다 고압력이 되도록 각 제어 수단 (54, 70) 에 의해 압력이 조정되는 것은, 전술한 바와 같다.

또, 제 1 차압실 (16) 및 제 2 차압실 (20) 에 공급되는 가스는 불활성 가스인 점도 전술한 바와 같다.

모든 실의 압력이 소정 압력으로 안정되면, 드럼 (30) 등의 회전을 개시하여 기판 (Z) 의 반송을 개시하고, 그리고 바이어스 전원 (28) 과 고주파 전원 (60) 을 구동시켜 기판 (Z) 을 길이 방향으로 반송하면서, 성막실 (18) 에서의 기판 (Z) 에 대한 성막을 개시한다.

여기서, 전술한 바와 같이, 본 발명에서는, 진공 배기 수단 (46) 에 의해, 권출실 (14) 내, 즉, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 의 압력보다 낮은 압력이 되도록 감압하므로, 드럼 (30) 에 바이어스 전위를 인가해도, 권출실 (14) 내 (기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간) 에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지할 수 있고, 이로써, 이상 방전에 의해 막질이 저하되는 것을 방지하여, 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한, 기판 (Z) 이나 성막 장치 (10) 의 손상을 방지할 수 있다.

또, 본 발명에서는, 권출실 (14) 과 성막실 (18) 사이에는, 차압실 (16, 20) 이 설치되고, 또한, 바람직한 양태로서 차압실 (16, 20) 은, 불활성 가스가 도입됨으로써, 인접하는 실보다 고압력으로 되어 있다.

따라서, 성막실 (18) 의 가스가 권출실 (14) 에 진입하는 일이 없고, 권출실 (14) 내의 오염이나 성막 전후의 기판 (Z) 의 오염을 방지할 수 있고, 또한, 성막실 (18) 의 가스가 차압실 (16, 20) 에도 진입하지 않기 때문에, 차압실 (16, 20) 의 오염이나, 성막물의 퇴적, 성막 등도 방지할 수 있고, 또한, 차압실 (16, 20) 의 가스가 권출실 (14) 에 진입해도, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 보다 저압력이 되므로, 권출실 (14) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지할 수 있다.

또, 본 발명에서는, 바람직한 양태로서 성막실 (18), 제 1 차압실 (16) 및 제 2 차압실 (20) 에, 어스판 (48, 66, 90) 이, 드럼 (30) 에 대면하여 배치되어 있다. 이와 같이, 어스판 (48, 66, 90) 을, 드럼 (30) 에 대면시켜 배치함으로써, 권출실 (14) 의 이상 방전뿐만 아니라, 드럼 (30) 전체의 이상 방전을 방지할 수 있다.

또한, 도시된 예의 성막 장치 (10) 에서는, 바람직한 양태로서 차압실 (16, 20) 의 압력을 인접하는 권출실 (14) 및 성막실 (18) 보다 높은 압력으로 했는데, 본 발명은 이것에 한정되지는 않고, 차압실의 압력을 성막실의 압력보다 낮게 해도 되거나, 또는 차압실의 압력을 권출실 및 성막실의 압력보다 낮게 해도 되거나, 또는 차압실의 압력을 권출실 또는 성막실과 동일한 압력으로 해도 된다.

권출실과 성막실 사이에 차압실을 설치함으로써, 성막실의 가스가 권출실에 진입해 버려, 권출실 내나 기판 (Z) 의 불필요한 위치에, 성막물이 퇴적되는 것을 방지할 수 있다. 또, 권출실의 압력을 성막실의 압력보다 낮게 한다는 본 발명의 구성에서는, 권출실의 압력이 성막실의 압력, 요컨대 성막 압력에 영향을 미치는 경우가 있는데, 권출실과 성막실 사이에 차압실을 설치함으로써, 권출실의 압력이 성막실의 압력에 영향을 미쳐, 성막되는 막의 막질이나 성막 효율이 저하되는 것을 억제할 수 있다.

또, 도시된 예에서는, CVD 성막실과 2 개의 차압실과 권출실로 구성되었는데, 본 발명의 성막 장치는, 이것에 한정되지는 않고, 2 개 이상의 CVD 성막실을 가져도 된다. 이 때, 기판 (Z) 이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력은, 가장 낮은 압력의 CVD 성막실보다 낮은 압력으로 하는 것이 바람직하다.

또, 복수의 CVD 성막실을 갖는 경우에는, CVD 성막실과 CVD 성막실 사이에도 차압실을 설치하는 것이 바람직하고, 이 차압실도, 전술한 바와 마찬가지로, 인접하는 CVD 성막실보다 높은 압력으로 하는 것이 더 바람직하다.

도 3 은, 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치의 다른 일례를 개념적으로 나타낸 도면이다. 또한, 도 3 에 나타낸 성막 장치 (120) 는, 성막 장치 (10) 에 있어서, 성막실 (18) 과 제 2 차압실 (20) 사이에, 제 3 차압실 (124) 및 제 2 성막실 (126) 을 갖는 것 이외에는, 동일한 구성을 가지므로, 동일한 부위에는 동일한 부호를 붙이고, 이하의 설명은 상이한 부위를 위주로 한다.

성막실 (18) 의 하류에는, 제 3 차압실 (124) 이 배치된다.

제 3 차압실 (124) 은, 내벽면 (12a) 과, 드럼 (30) 의 둘레면과, 내벽면 (12a) 에서부터 드럼 (30) 의 둘레면 근방까지 연장되는 격벽 (36c 및 36d) 에 의해 구성된다.

또, 제 3 차압실 (124) 은, 제 1 차압실 (16) 과 마찬가지로, 어스판 (128) 과 가스 공급 수단 (130) 과 진공 배기 수단 (132) 과 제어 수단 (134) 을 갖는다.

여기서, 제 3 차압실 (124) 은, 성막실 (18) 과 제 2 성막실 (126) 사이에 설치되어 있으므로, 가스 공급 수단 (130) 은, 불활성 가스 및/또는 성막실 (18) 과 제 2 성막실 (126) 양쪽에 공급되는 가스를 제 3 차압실 (124) 에 공급한다.

또, 제어 수단 (134) 은, 제 3 차압실 (124) 내의 압력이, 성막실 (18) 및 제 2 성막실 (126) 의 압력보다 높아지도록, 진공 배기 수단 (132) 및 가스 공급 수단 (130) 을 제어한다.

제 3 차압실 (124) 의 하류에는, 제 2 성막실 (126) 이 배치된다.

제 2 성막실 (126) 은, 내벽면 (12a) 과 드럼 (30) 의 둘레면과 격벽 (36d 및 36e) 에 의해 구성된다.

제 2 성막실 (126) 은, 성막실 (18) 과 마찬가지로, CCP－CVD 에 의해 기판 (Z) (또는, 제 1 성막실에서 막이 성막된 기판 (Z)) 에 성막을 행하는 것이다.

따라서, 제 2 성막실 (126) 에는, 성막실 (18) 과 마찬가지로, 샤워 전극 (136), 원료 가스 공급 수단 (138), 고주파 전원 (140), 진공 배기 수단 (142) 및 어스판 (90c, 90d) 이 배치된다.

또한, 제 2 성막실 (126) 에서 성막되는 막은, 성막실 (18) 에서 성막되는 막과 동일한 막이어도 되고, 상이한 막이어도 된다.

여기서, 제 2 성막실 (126) 내의 압력이 성막실 (18) 보다 낮은 압력인 경우에는, 기판 (Z) 이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력은, 제 2 성막실 (126) 보다 낮은 압력으로 하는 것이 바람직하다. 또, 제 2 성막실 (126) 내의 압력이 성막실 (18) 보다 높은 압력인 경우에는, 기판 (Z) 이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력은, 성막실 (18) 보다 낮은 압력으로 하는 것이 바람직하다.

이와 같이, 성막 장치가 복수의 CVD 성막실을 갖는 경우에는, 기판 (Z) 이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력을, 가장 낮은 압력의 CVD 성막실보다 낮은 압력으로 함으로써, 권출실 (14) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 더 바람직하게 방지할 수 있다.

또, 기판 롤로부터 기판 (Z) 를 송출하는 공급실과 성막이 완료된 기판 (Z) 을 감는 권취실이 별실인 구성이어도 된다.

또, 도시된 예의 성막 장치 (10) 에 있어서는, 기판 롤 (32) 로부터 기판 (Z) 을 송출하는 회전축 (42) 및 성막이 완료된 기판 (Z) 을 권취하는 권취축 (34) 과, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치가 권출실 (14) 에 배치되는 구성으로 했는데, 본 발명은 이것에 한정되지는 않고, 회전축 및 권취축과, 기판 (Z) 이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼으로부터 이간되는 위치가 별실에 배치되는 구성이어도 된다.

즉, 본 발명에서는, 기판 (Z) 이 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간이 성막실보다 낮은 압력이면, 각종 구성이 이용 가능하다.

도 2 는, 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치의 다른 일례를 개념적으로 나타낸 도면이다. 또한, 도 2 에 나타낸 성막 장치 (100) 는, 도 1 에 나타낸 성막 장치 (10) 에 있어서, 권출실 (14) 대신에, 권출실 (102) 및 걸어 감기실 (104) 을 갖는 것 이외에는, 동일한 구성을 가지므로, 동일한 부위에는 동일한 부호를 붙이고, 이하의 설명은 상이한 부위를 위주로 한다.

권출실 (102) 은, 내벽면 (12a) 과 격벽 (106) 에 의해 구성된다.

여기서 격벽 (106) 은, 회전축 (42) 및 권취축 (34) 과, 가이드 롤러 (40a 및 40b) 사이에 배치되는 격벽으로, 기판 (Z) 을, 회전축 (42) 으로부터 가이드 롤러 (40a) 에 반송시킬 때에, 기판 (Z) 이 통과하는 슬릿 (106a) 및 기판 (Z) 을, 가이드 롤러 (40b) 로부터 권취축 (34) 에 반송시킬 때에, 기판 (Z) 이 통과하는 슬릿 (106b) 을 가지고 있다. 슬릿 (106a 및 106b) 은, 기판 (Z) 을 삽입 통과 가능하고, 또한, 권출실 (102) 과 걸어 감기실 (104) 을 거의 기밀하게 분리할 수 있는 크기의 슬릿이다.

이러한 권출실 (102) 은, 권취축 (34) 과 회전축 (42) 과 진공 배기 수단 (108) 을 갖는다.

진공 배기 수단 (108) 은, 권출실 (102) 내를, 소정의 진공도로 감압하기 위한 것이다. 또한, 권출실 (102) 내의 압력은, 걸어 감기실 (104) 내의 압력에 영향을 주지 않는 압력으로 하면 된다. 또는, 걸어 감기실 (104) 의 압력에 영향을 주지 않는 것이면, 진공 배기 수단 (108) 을 갖지 않는 구성으로 해도 된다.

걸어 감기실 (104) 은, 진공 챔버 (12) 의 내벽면 (12a) 과 드럼 (30) 의 둘레면과 격벽 (36a 및 36f) 과 격벽 (106) 에 의해 구성된다.

또, 걸어 감기실 (104) 은, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간을 갖는 실이다. 즉, 기판 (Z) 은, 걸어 감기실 (104) 내에서 드럼 (30) 에 걸어 감기고, 또, 드럼 (30) 으로부터 이간된다.

이러한 걸어 감기실 (104) 은, 가이드 롤러 (40a 및 40b) 와 진공 배기 수단 (46) 을 갖는다.

진공 배기 수단 (46) 은, 걸어 감기실 (104) 내, 즉, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 의 압력보다 낮은 압력이 되도록 감압하고, 걸어 감기실 (104) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지한다.

이와 같이, 기판 롤 (32) 로부터 기판 (Z) 를 송출하는 회전축 (42) 및 성막이 완료된 기판 (Z) 을 감는 권취축 (34) 과 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를, 각각 권출실 (102) 과 걸어 감기실 (104) 에 배치하는 구성이어도 되고, 기판 (Z) 이 드럼 (30) 에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 기판 (Z) 이 드럼 (30) 으로부터 이간되는 위치를 포함하는 공간의 압력이, 성막실 (18) 의 압력보다 낮은 압력이 되도록 감압함으로써, 걸어 감기실 (104) 내에서의 드럼 (30) 으로부터의 이상 방전을 방지할 수 있어, 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한, 기판 (Z) 이나 성막 장치 (100) 의 손상을 방지할 수 있다.

또한, 도 2 에 나타낸 성막 장치 (100) 에 있어서는, 가이드 롤러 (40a, 40b) 를 걸어 감기실 (104) 에 배치했는데, 이것에 한정되지는 않고, 가이드 롤러 (40a, 40b) 를 권출실 (102) 내에 배치해도 된다. 즉, 권출실 (102) 과 걸어 감기실 (104) 을 가로막는 격벽 (106) 을, 드럼 (30) 과 가이드 롤러 (40a, 40b) 사이에 배치하는 구성으로 해도 된다.

이상과 같은 예에서는, 샤워 전극과 드럼으로 전극쌍을 구성하고, 샤워 전극에 플라즈마 여기 전력을, 드럼에 바이어스 전력을, 각각 공급하는 것이었지만, 본 발명은, 이것에 한정되지는 않고, 드럼에 플라즈마 여기 전력을 공급함으로써, ICP-CVD 법에 의한 성막을 행하는 것이어도 된다.

또, 본 발명에 있어서, 성막 방법은 플라즈마 CVD 에 한정되지는 않고, 스퍼터링 등, 각종 성막 방법이 이용 가능하다.

즉, 본 발명은, 장척 기판을 드럼에 걸어 돌리고 반송시키고, 드럼에 전력을 공급하면서, 드럼의 둘레면에 지지된 기판에 성막을 행하는 것이면, 각종 성막 방법이나 성막 장치가 모두 이용 가능하다.

또한, 특히, 플라즈마 CVD 는, 성막시의 압력이 높으 (저진공도) 므로 이상 방전이 일어나기 쉽고, 따라서, 이상 방전을 억제할 수 있는 본 발명을 더 바람직하게 이용할 수 있다.

이상, 본 발명의 성막 방법을 실시하는 성막 장치에 대해 상세하게 설명했는데, 본 발명은, 상기 서술한 예에 한정되지는 않고, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 각종 개량이나 변경을 행해도 되는 것은, 물론이다.

실시예

이하, 본 발명의 구체적 실시예를 나타냄으로써, 본 발명을 보다 상세하게 설명한다.

[실시예 1]

도 1 에 나타낸 성막 장치 (10) 를 사용하여, 기판 (Z) 에 질화 실리콘막을 성막하였다.

기판 (Z) 은, PET 필름 (토요보사 제조 코스모샤인 A4300) 을 사용하였다.

CCP-CVD 에 의한 질화 실리콘 성막의 원료 가스는, 실란 가스 (유량 100 scc m), 암모니아 가스 (유량 100 sccm) 및 질소 가스 (유량 800 sccm) 를 사용하였다. 또한, 차압실 (16, 20) 에 공급되는 가스는, 질소 가스 (유량 800 sccm) 를 사용하였다.

또, 성막실 (18) 의 성막 압력은 50 Pa, 제 1 차압실 (16) 및 제 2 차압실 (20) 의 압력은 60 Pa 로 하고, 또한 권출실 (14) 의 압력은 5 Pa 로 하였다.

또한, 고주파 전원 (60) 은, 주파수 13.56 MHz 의 고주파 전원을 사용하고, 샤워 전극 (56) 에 공급된 플라즈마 여기 전력은 1 kW 로 하였다.

또, 바이어스 전원 (28) 은 주파수 13.56 Hz 의 전원을 사용하고, 드럼 (30) 에 공급된 바이어스 전력은 300 W 로 하였다.

이와 같은 조건 하, 성막 장치 (1O) 에 있어서, 1OOO m 의 기판 (Z) 에 질화 실리콘막의 성막을 행하였다. 성막 중에, 권출실 (14) 내부를 육안으로 확인한 바, 성막 개시때부터 1000m 의 성막 종료때까지 권출실 (14) 에서의 이상 방전은 확인할 수 없었다 (후술하는 평가 「○」). 또, 성막 종료 후 2 개의 차압실 (16, 20) 내부를 육안으로 확인한 바, 막의 퇴적은 전혀 확인되지 않았다 (후술하는 평가 「○」).

[비교예 1]

권출실 및 각 차압실의 진공 배기 수단에 의한 배기량을 조정하여, 권출실의 압력을 50 Pa 로 하고, 제 1 차압실 및 제 2 차압실의 압력을 10 Pa 로 한 것 이외에는, 실시예와 완전히 동일하게 하고, 1000 m 의 기판 (Z) 에 질화 실리콘막의 성막을 행하여, 권출실 내부 및 2 개의 차압실 내부를 육안으로 확인하고 평가를 하였다. 그 결과, 권출실 내에서는 이상 방전의 발생을 확인할 수 있고 (후술하는 평가 「×」), 또 2 개의 차압실에는 막의 퇴적이 확인되었다 (후술하는 평가 「×」).

권출실 내의 이상 방전에 대해서는,

권출실 내에서의 이상 방전이 전혀 확인되지 않은 것을 ○;

권출실 내에서의 이상 방전이 확인된 것을 ×: 로 평가하고,

또 차압실에 대한 막의 퇴적에 대해서는,

모든 차압실에서 막의 퇴적은 전혀 확인되지 않은 것을 ○;

1 이상의 차압실에서, 막의 퇴적이 확인된 것을 ×: 로 평가하였다.

각 실의 압력 및 평가 결과를, 하기 표 1 에 나타낸다.

	성막실 압력 Pa	권출실 압력 Pa	제1차압실 압력 Pa	제2차압실 압력 Pa	권출실 방전	차압실 막 퇴적
실시예 1	50	5	60	60	○	○
비교예 1	50	50	10	10	×	×

상기 표 1 에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따르면, 권출실에서의 이상 방전을 억제할 수 있어, 고품질의 막을 효율적으로 연속 성막할 수 있고, 또한 기판 (Z) 이나 성막 장치의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 차압실에 대한 막의 퇴적은 대폭 저감시켜, 성막 장치의 작업성이나 메인터넌스성을 대폭 향상시킬 수 있다.

이상과 같은 결과에서, 본 발명의 효과는 알 수 있다.

본 발명에 따르면, 막질이나 성막 효율을 대폭 향상시킬 수 있으므로, 가스 배리어 필름의 제조 등에 바람직하게 이용 가능하다.

10, 100 : 성막 장치
12 : 진공 챔버
12a : 내벽면
14, 102 : 권출실
16 : 제 1 차압실
18 : 성막실
20 : 제 2 차압실
28 : 바이어스 전원
30 : 드럼
32 : 기판 롤
34 : 권취축
36, 106 : 격벽
40 : 가이드 롤러
42 : 회전축
46, 52, 62, 68, 108 : 진공 배기 수단
48, 66, 90 : 어스판
50, 64 : 가스 공급 수단
54, 70 : 제어 수단
56 : 샤워 전극
58 : 원료 가스 공급 수단
60 : 고주파 전원
104 : 걸어 감기실
Z : 기판

Claims

진공 챔버의 내벽면과, 원통 형상의 드럼의 둘레면과, 상기 내벽면에서부터 상기 드럼의 둘레면까지 연장된 격벽에 의해 구성되는 성막실에 있어서, 장척 (長尺) 기판을 상기 드럼의 둘레면에 걸어 감아 반송하면서 상기 기판의 표면에 성막을 행하는 성막 방법으로서,
상기 기판이 상기 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 상기 기판이 상기 드럼으로부터 이간되는 위치 중 적어도 한쪽을 포함하는 걸어 감는 공간을 포함하는 실과 상기 성막실 사이에, 상기 걸어 감는 공간을 포함하는 실 및 상기 성막실에 연통하는 차압실을 배치해 두고,
상기 성막실에 있어서, 상기 드럼에 전력을 공급하면서 성막을 행함과 함께,
상기 걸어 감는 공간의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하고, 상기 차압실의 압력을 상기 성막실보다 높은 압력으로 하는 것을 특징으로 하는 성막 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 걸어 감는 공간이 상기 기판이 상기 드럼에 걸려 감기기 시작하는 위치 및 상기 기판이 상기 드럼으로부터 이간되는 위치 양쪽을 포함하는 공간인, 성막 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 성막실에서의 성막 공간 이외의 상기 드럼 둘레면의 적어도 일부에 대면하여, 접지되는 도전성 판으로 이루어진 어스판을 배치하는, 성막 방법.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 차압실에서의 상기 드럼 둘레면의 적어도 일부에 대면하여, 접지되는 도전성 판으로 이루어진 어스판을 배치하는, 성막 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 차압실에 불활성 가스를 도입하는, 성막 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 성막실이 CVD 에 의해 상기 기판에 성막을 행하는, 성막 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 걸어 감는 공간의 압력은 상기 성막실 압력의 1/10 이하인, 성막 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 걸어 감는 공간의 압력은 1 Pa 이하인, 성막 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 상기 기판을 소정의 반송 경로로 반송하는 적어도 하나의 가이드 롤러를 가지고,
상기 걸어 감는 공간을 포함하는 상기 가이드 롤러와 상기 드럼 사이의 공간의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는, 성막 방법.
제 10 항에 있어서,
추가로, 상기 적어도 하나의 가이드 롤러와, 상기 걸어 감는 공간을 포함하는 상기 가이드 롤러와 상기 드럼 사이의 공간을 포함하는 걸어 감기실을 가지고,
상기 걸어 감기실의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는, 성막 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
추가로, 상기 기판이 권출되어 공급되는 기판 롤과, 성막된 기판이 권취된 권취 롤과, 상기 기판 롤과 상기 드럼 사이 및 상기 권취 롤과 상기 드럼 사이에 각각 설치되고, 상기 기판을 소정의 반송 경로로 반송하는 2 개의 가이드 롤러와 상기 기판 롤, 상기 권취 롤 및 상기 2 개의 가이드 롤러를 포함하는 공급 권취실을 가지고,
상기 공급 권취실은 상기 걸어 감는 공간을 포함하는 실이고,
상기 공급 권취실의 압력을 상기 성막실보다 낮은 압력으로 하는, 성막 방법.
제 1 항 내지 제 3 항 및 제 5 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 성막실에 더하여, 추가로 상기 내벽면에서부터 상기 드럼의 둘레면까지 연장된 다른 격벽에 의해 구성되는 다른 성막실에 있어서, 상기 기판의 표면에 성막을 행하는 적어도 하나의 다른 성막실을 가지고,
상기 걸어 감는 공간은 상기 성막실 및 상기 적어도 하나의 다른 성막실 중의 가장 압력이 낮은 성막실보다 압력이 낮은, 성막 방법.