KR101091017B1

KR101091017B1 - 플라스마 표면 처리 장치 및 방법

Info

Publication number: KR101091017B1
Application number: KR1020090032128A
Authority: KR
Inventors: 박선순; 유효열
Original assignee: 주식회사 다원시스
Priority date: 2009-04-14
Filing date: 2009-04-14
Publication date: 2011-12-09
Also published as: KR20100113695A

Abstract

본 발명은 표면처리방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도전성 대상물의 표면을 플라스마 이온을 이용하여 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다. 본 발명의 목적은 플라스마 이온을 이용하여 금속 판재나 선재와 같이 연속적으로 공급되는 대상물의 표면을 처리할 수 있는 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 본 발명에 의하면, 전기전도성 대상물의 피처리부 표면을 플라스마를 이용하여 처리하는 플라스마 표면 처리 장치에 있어서, 상기 대상물의 피처리부에 부의 펄스 전압을 인가하도록, 상기 대상물의 피처리부에 전기적으로 접속된 접속장치; 상기 접속장치에 전기적으로 접속된 펄스전압발생장치; 및 상기 대상물의 피처리부에 인가된 부의 펄스 전압에 의해 상기 대상물의 피처리부에 흐르는 전류가 상기 대상물의 피처리부의 경계를 벋어나 흐르는 것을 차단하도록, 상기 대상물의 피처리부의 경계 주위에 배치된 자성코어(magnetic core);를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치가 제공된다. 본 발명에 의한 플라스마 표면 처리 장치 및 방법은 마이너스 고전압 펄스와 자성 코어를 이용하여 전압이 인가되는 영역을 한정할 수 있다. 따라서 플라스마 표면 처리 부위를 한정할 수 있다.

이온, 세정, 플라스마, 표면 처리

Description

플라스마 표면 처리 장치 및 방법{Apparatus and Method for plasma surface treatment}

본 발명은 표면처리방법 및 장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 도전성 대상물의 표면을 플라스마 이온을 이용하여 처리하는 방법 및 장치에 관한 것이다.

금속 판재나 선재를 열처리해야 할 경우, 냉간 압연 공정과 같은 이전 공정에서 사용된 압연유, 공정상의 분진 등의 이물질을 제거하지 않으면, 압연유, 분진 등 이물질이 약 1050~1100℃의 열처리 온도에서 탄화되어 금속 판재 표면의 오염을 유발하고, 표면 결함을 야기하게 된다. 또한, 금속 판재나 선재와 같은 도전성 대상물의 표면에 다른 소재를 증착, 도포 또는 접합할 경우, 금속 판재의 표면을 세정하거나, 개질 하는 표면 처리를 통해서 접착력 및 밀착력을 향상시킬 수 있다.

따라서, 금속 판재나 선재와 같은 도전성 대상물의 표면을 처리하는 방법이 필요하다. 이러한 방법으로는 여러 가지 화학약품을 이용하는 방법, 플라스마를 이용하는 방법 등이 사용되어 왔다.

화학약품을 사용하는 방법은 알칼리나 TCE 등의 유기용제에 대상물을 침적하여 유기물을 제거하는 방법이다. 그러나 이러한 방법은, 알칼리 탱크, 전해 세정 탱크, 온수 세정 탱크, 건조 공정 등을 거치게 되어 그 공정이 복잡하다는 문제점이 있다. 또한, 반응성을 유지하기 위한 적절한 농도 및 온도가 필요하므로 상당한 양의 에너지가 소모되어야 한다는 문제점이 있다. 또한, 화학약품을 장시간 사용됨으로 인하여 표면에 기름층이 생성되므로 세정상태가 양호하지 못해 세정품질이 저하되고, 미세한 틈의 세정이 불가능하게 된다는 문제점 있다. 또한, 환경에도 나쁜 영향을 미치게 되는 문제점이 있다.

플라스마를 이용하는 방법은, 플라스마를 발생시켜 만들어진 이온이나 라디칼(radical) 등을 재료의 표면과 접촉시켜 재료표면의 불순물이나 오염물질을 제거하는 것이다. 이 중에서 이온을 주로 이용하는 방법은, 플라스마로 채워진 챔버 내에 표면 처리를 하고자 하는 대상물을 올려놓고, 대상물에 마이너스 고전압을 인가하여, 대상물의 표면 주위에 생성되는 천이성 플라스마 쉬스(Transition plasma sheath)에서 이온을 가속하면, 가속된 이온이 자발적으로 마이너스 고전압이 인가된 대상물의 표면과 충돌하는 원리를 이용한 것이다. 이 방법은 마이너스 고전압에 의해서 가속된 이온을 이용하여 표면을 처리하기 때문에 세정 및 표면 개질 효과가 우수하며, 표면 처리 속도가 매우 빠르다는 장점이 있다. 또한, 금속 산화물과 같은 무기물도 제거할 수 있다는 장점이 있다.

상술한 바와 같이 플라스마 이온을 이용한 표면 처리 방법은 많은 장점이 있으나, 다음과 같은 문제가 있다. 표면 처리 대상물이 전기 전도성 물질이며, 대상물의 일부만을 표면 처리해야할 필요가 있는 경우에 대상물에 인가되는 마이너스 고전압이 처리하고자 하는 영역을 벗어나서 대상물 전체에 인가되므로 플라스마 표면 처리를 원하는 부분 외에도 표면처리가 된다.

또한, 금속 판재나 선재와 같이 연속적인 대상물을 표면 처리하는 경우에는 대상물이 접지가 되어 있어서, 대상물에 마이너스 고전압을 인가할 수 없고, 그 결과 이온이 가속되지 않아서, 플라스마 이온을 이용한 표면처리를 할 수 없다는 문제가 있다.

본 발명은 상술한 바와 같은 종래 기술의 문제점을 개선하기 위한 것으로서, 본 발명의 목적은 플라스마 이온을 이용하여 전기 전도성 대상물의 표면의 일부만을 처리할 수 있는 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은, 플라스마 이온을 이용하여 금속 판재나 선재와 같이 연속적으로 공급되는 대상물의 표면을 처리할 수 있는 처리 장치 및 방법을 제공하는 것이다.

본 발명에 의하면, 전기전도성 대상물의 피처리부 표면을 플라스마를 이용하여 처리하는 플라스마 표면 처리 장치에 있어서, 상기 대상물의 피처리부에 부의 펄스 전압을 인가하도록, 상기 대상물의 피처리부에 전기적으로 접속된 접속장치; 상기 접속장치에 전기적으로 접속된 펄스전압발생장치; 및 상기 대상물의 피처리부에 인가된 부의 펄스 전압에 의해 상기 대상물의 피처리부에 흐르는 전류가 상기 대상물의 피처리부의 경계를 벋어나 흐르는 것을 차단하도록, 상기 대상물의 피처리부의 경계 주위에 배치된 자성코어(magnetic core);를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치가 제공된다.

또한, 프로세스 가스를 공급하는 단계, 전기전도성 대상물의 주위에 플라스마 이온을 형성하는 단계, 및 상기 플라스마 이온을 가속하여 상기 전기전도성 대상물의 피처리부에 충돌시키는 단계,를 포함하는 전기전도성 대상물의 표면 처리 방법에 있어서, 상기 대상물의 피처리부에 흐르는 전류가 대상물의 피처리부의 경계를 벋어나 흐르는 것을 차단하도록, 상기 대상물의 피처리부의 경계 주위에 자성 코어를 배치하는 단계; 및 상기 플라스마 이온을 가속하기 위해서, 상기 대상물의 피처리부에 부의 펄스 전압을 인가하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 방법이 제공된다.

본 발명에 의한 플라스마 표면 처리 장치 및 방법은 다음과 같은 효과가 있다.

첫째, 마이너스 고전압 펄스와 자성 코어를 이용하여 전압이 인가되는 영역을 한정할 수 있다. 따라서 플라스마 표면 처리 부위를 한정할 수 있다. 또한, 금속 판재나 선재와 같이 접지되어 있는 상태로 공급되는 전도성 대상물의 표면에도 부의 전압을 인가할 수 있으므로 이러한 대상물의 표면을 처리할 수 있다.

둘째, 마이너스 고전압 펄스에 의해서 가속된 이온을 이용하여 표면을 처리하기 때문에 처리 속도가 빠르다. 따라서 빠른 속도로 연속적으로 공급되는 대상물의 표면처리에 적합하다.

셋째, 마이너스 고전압 펄스에 의해서 가속된 이온을 이용하여 표면을 처리하기 때문에 처리 대상물의 크기나 형상에 제한 없이 균일하고 안정적으로 표면을 처리할 수 있다.

넷째, 화학약품을 사용하지 않는다. 따라서 화학약품 처리 비용 문제, 환경오염 문제 등이 발생하지 않는다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 의한 플라스마 표면 처리 장치에 대해서 설명한다.

도 1은 본 발명에 따른 플라스마 표면 처리 장치의 일실시예의 개략도이다. 본 실시예의 플라스마 표면 처리 장치는 연속적으로 공급되는 금속 판재의 표면을 처리하기 위한 장치이다. 도 1을 참조하면, 본 실시예의 플라스마 표면 처리 장치는, 진공챔버(110), 진공펌프(120), 가스공급장치(130), 플라스마 발생장치(140), 펄스전압발생장치(150), 집전용 롤러(160) 및 자성코어(170)를 포함한다.

진공챔버(110)는 금속 판재(w)의 피처리부(A)에 진공 환경을 제공하기 위한 것으로서, 진공챔버(110)의 상류측에 형성된 입구(112)와 하류측에 형성된 출구(114)를 포함한다. 금속 판재(w)는 챔버의 입구(112)를 통해서 진공챔버(110) 내부에 공급되고, 진공챔버(110) 내에서 플라스마 표면 처리가 완료된 후 진공챔 버(110)의 출구(114)를 통해서 배출된다. 진공챔버(110)의 입구(112)와 출구(114)에는 각각 진공유지수단(116)이 설치되어 있다. 진공유지수단(116)은, 진공챔버(110)의 진공을 유지하면서 금속 판재(w)를 진공챔버(110) 내로 공급하고 진공챔버(110)로부터 배출하기 위하여 설치된다. 본 실시예의 플라스마 표면 처리 장치(100)는 진공챔버(110) 내로 롤 형태로 감겨있는 금속 판재(w)를 상기 진공챔버(110) 내부로 연속적으로 공급하기 위한 권출기(180)와, 진공챔버(110) 내부에서 표면처리되어 배출되는 금속 판재(w)를 연속적으로 회수하기 위한 권취기(190)를 더 포함한다.

진공펌프(120)는 진공챔버(110) 내의 기체를 배기시켜 진공을 형성시키기 위한 것이다. 진공펌프(120)는 진공 밸브(122)를 통해서 진공챔버(110) 내의 기체를 배기시킨다.

가스공급장치(130)는 플라스마 생성을 위한 가스를 진공챔버(110) 내부로 공급하기 위한 장치이다. 가스공급장치(130)는 가스주입밸브(132)를 구비하고 있으며, 가스주입밸브(132)를 통해 진공챔버(110) 내부에 가스를 공급한다. 가스공급장치(130)를 통하여 공급되는 가스는 질소(N₂), 수소(H₂), 산소(O₂), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 등 다양한 가스일 수 있으며, 상기 가스 중 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있음은 물론, 조합하여 사용할 수도 있다.

플라스마 발생장치(140)은 챔버 내부에 플라스마 분위기를 형성한다. 플라스마 발생장치(140)은 플라스마를 형성하기 위한 플라스마 전극(142)과 플라스마 전 극에 전원을 공급하기 위한 플라스마 전원(144)으로 구성된다. 플라즈마 전원(144)은 피드스루(Feed through)를 통하여 진공챔버(110) 내의 플라즈마 전극(142)에 전원을 공급한다. 플라스마 전극(142)에 전원이 인가되면, 플라스마전극(142) 주위의 가스 분자가 이온화되어, 양이온과 전자가 전리되어 혼재되어 있는 플라스마 상태가 진공챔버(110) 내부에 형성된다.

펄스전압발생장치(150)는 금속 판재(w)에 인가하기 위한 부의 펄스전압을 발생시킨다. 금속 판재(w)에 부의 펄스전압이 인가되면, 금속 판재(w)의 표면 주위에 천이성 플라스마쉬스(Transition plasma sheath)가 생성되고, 플라스마 쉬스 내의 이온이 가속되어 마이너스 고전압이 인가된 금속 판재(w)의 표면과 충돌하여 표면 처리가 이루어진다. 도 2를 참고하면, 펄스전압발생장치(150)에서 발생하는 고전압 펄스는 펄스 폭(Pulse duration, Tp)이 50nS 내지 5mS이고, 펄스 크기(Pulse magnitude, Vp)가 -10V 내지 -100kV이며, 펄스 폭 대 펄스 종료 시간(Pulse stop time, t1)과 펄스 개시 시간(Pulse start time, t2) 사이의 간격(Tm)의 비가 1:5 내지 1:50,000인 부의 펄스 전압인 것이 바람직하다.

집전용 롤러(160)는 진공챔버(110)의 내부에 회전가능하게 설치된다. 집전용 롤러(160)는 공급되는 금속 판재(w)의 피처리부(A) 아래 면에 밀착하여 회전하면서, 금속 판재(w)의 이동을 안내하고 지지한다. 또한, 펄스전압발생장치(150)에서 발생된 부의 고전압 펄스를 금속 판재(w)의 피처리부(A)에 인가한다. 펄스전압발생장치(150)는 피드스루(152)를 통하여 진공챔버(110) 내의 집전용 롤러(160)에 전원을 공급한다. 집전용 롤러(160)가 회전가능하게 설치되어 있으므로, 집전용 롤 러(160)의 외주면에 접촉하는 금속 판재(w)와의 마찰이 줄어드는 한편, 금속 판재(w)와 집전용 롤러(160) 사이의 밀착성이 개선되어 전기적인 접속도 원활하게 이루어진다.

자성코어(170)는 금속 판재(w)의 피처리부(A)의 상류측 및 하류측에 각각 설치되어, 금속 판재(w)의 피처리부(A)에 인가된 부의 펄스 전압에 의해 금속 판재(w)의 피처리부(A)에 흐르는 전류가 금속 판재(w)의 피처리부(A) 경계를 벗어나 흐르는 것을 차단한다. 도 3은 도 1에 도시된 플라스마 표면 처리 장치(100)에 설치된 자성코어(170)의 배치 상태를 나타낸 사시도이며, 도 4는 도 3에 도시된 부분의 전기 등가 회로이다. 도 3을 참고하면, 자성코어(170)는 연속적으로 공급되는 금속 판재(w)가 통과하여 진행할 수 있도록, 금속 판재(w)의 표면으로부터 일정한 간격으로 이격되어 둘러싼 폐 루프 형태이다.

이하, 도 3과 도 4를 참고하여, 자성코어(170)가 전류가 피처리부(A)의 경계를 벗어나 흐르는 것을 차단하는 원리를 설명한다. 자성코어(170)는 비투자율이 높은 물질로 이루어져 큰 인덕턱스(L1)값을 갖는다. 자성코어(170)를 벗어난 곳으로부터 접지된 부분까지 연장되어 있는 금속 판재(w)의 부분(B부분)도 인덕턴스(Lq)값을 갖는다. 금속 판재(w)는 권출기(180) 및 권취기(190)에 감겨있으므로, 권출기(180) 및 권취기(190)와 물리적, 전기적으로 접속된다. 권출기(180)와 권취기(190)는 접지되어 있으므로 금속 판재(w)도 접지되어 있다.

피처리부(A)에 인가된 부의 고전압 펄스는 자성코어(170)에서의 전압 강하와 B부분에서의 전압 강하의 합과 같다. 금속 판재(w)의 저항값에 의한 전압의 강하도 있으나, 주파수가 높은 부의 고전압 펄스가 인가되기 때문에 자성코어(170)와 B부분의 인덕턴스 값에 의한 리액턴스 값이 훨씬 크다. 따라서 저항에 의한 전압 강하는 무시할 수 있고, 인덕턴스 만으로 이루어진 등가 회로를 구성할 수 있다. 자성코어(170)에서의 전압 강하는 L1에 비례하고, A부분에서의 전압 강하는 Lq에 비례한다. 따라서 L1이 Lq에 비해서 매우 큰 값이라면, 대부분의 전압 강하는 자성코어(170)에서 이루어진다. 즉, 피처리부(A)는 인가된 부의 고전압 펄스가 손실 없이 피처리부(A)에 전부 인가되도록 하기 위해서는 자성코어(170)의 인덕턴스(L1)가 B부분의 인덕턱스(Lq)에 비해서 충분히 클 것이 요구된다. 자성코어(170)의 인덕턴스를 높이기 위한 방법으로는 턴 수를 늘리는 방법과 비투자율을 높이는 방법이 있다.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여, 플라스마 표면 처리 장치(100)의 작동에 대해서 설명한다.

우선, 진공펌프(120)를 동작시켜서 진공챔버(110)의 내부에 진공을 형성하고, 플라스마를 형성하기 위한 가스를 가스공급장치(130)로 공급한다. 공급되는 가스는 표면 처리 목적에 따라 질소(N₂), 수소(H₂), 산소(O₂), 네온(Ne), 아르곤(Ar) 등 외에 다양한 가스일 수 있으며, 상기 가스 중 어느 하나를 선택적으로 사용할 수 있음은 물론, 조합하여 사용할 수도 있다. 진공챔버(110)의 내부가 플라스마를 발생시키기에 적당한 조건이 되면 플라스마 발생장치(140)를 동작시켜서 진공챔버(110)의 내부에 플라스마를 생성한다. 플라스마를 생성하는 방법에 대하여는 이 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사항으로 설명을 생략한다.

다음으로, 롤 형태로 권출기(180)에 감겨있는 금속 판재(w)를 진공챔버(110)의 입구(112)를 통해서 공급한다. 진공챔버(110)의 입구(112)에는 진공용 립씰(116)이 설치되어 있으므로 진공이 유지된 상태로 금속 판재(w)를 공급할 수 있다. 공급된 금속 판재(w)는 진공챔버(110)의 입구(112)와 집전용 롤러(160) 사이에 설치되어 있는 상류측 자성코어(170)를 통과하고, 집전용 롤러(160)와 진공챔버(110)의 출구(114) 사이에 설치되어 있는 하류측 자성코어(170)를 통과한 후 진공챔버(110)의 출구(114)를 통해서 배출된다. 진공챔버(110)의 출구(114)에도 진공용 립씰(116)이 설치되어 있으므로 진공이 유지된 상태로 금속 판재(w)를 배출할 수 있다. 이 과정에서 집전용 롤러(160)는 회전하면서 금속 판재(w)의 아래 면에 밀착된 상태를 유지한다.

금속 판재(w)가 하류측 자성코어(170)를 통과하게 되면, 펄스전압발생장치(150)에서 부의 고전압 펄스를 발생시키고, 발생한 부의 고전압 펄스는 펄스전압발생장치(150)와 전기적으로 접속되어 있는 집전용 롤러(160)를 통해서 금속 판재(w)의 피처리부(A)에 인가된다. 인가된 부의 고전압 펄스에 금속 판재(w)를 흐르게 되는 전류는 피처리부(A)의 경계 상류측과 하류측에 각각 설치된 자성코어(170)에 의해서 흐름이 차단된다. 이를 통해서 표면 처리부위가 피처리부(A)로 제한되게 된다. 자성코어(170)를 통해서 처리부위를 제한하지 않으면, 부의 고전압 펄스에 의한 전류가 금속 판재(w)를 따라서 접지로 모두 흐르기 때문에 금속 판재(w)에 부의 전압이 걸리지 않는다.

다음으로, 피처리부(A)에 인가된 부의 고전압 펄스에 의해서 금속 판재(w)의 피처리부(A) 주위에 플라스마 쉬스가 형성되고, 플라스마 쉬스 내의 양이온이 가속되어 금속 판재(w)의 피처리부(A)에 충돌한다. 충돌한 이온은 금속 판재(w) 표면의 이물질을 제거한다. 표면 처리된 금속 판재(w)는 상술한 바와 같이 진공챔버(110)의 출구(114)를 통해서 배출되고, 권취기(190)에 감긴다. 이러한 과정을 거치게 되면 롤 형태의 금속 판재(w)를 연속적으로 표면 처리할 수 있다.

앞에서 설명되고, 도면에 도시된 본 발명의 일 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 한정하는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 발명의 보호범위는 청구범위에 기재된 사항에 의하여만 제한되고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상을 다양한 형태로 개량 변경하는 것이 가능하다. 따라서 이러한 개량 및 변경은 통상의 지식을 가진 자에게 자명한 것인 한 본 발명의 보호범위에 속하게 될 것이다.

예를 들면, 진공챔버(110) 내에서 표면 처리하는 것으로 설명하였으나, 대기압에서 표면 처리할 수도 있다.

또한, 연속적으로 공급되는 금속 판재(w)에 부의 고전압 펄스를 인가하기 위한 접속 수단으로 집전용 롤러(160)를 사용하는 것으로 설명하였으나, 카본 브러쉬, 카본 집전봉 등을 사용할 수도 있다.

또한, 금속 판재(w)를 연속적으로 공급하는 수단으로서 권출기(180)와 귄취기(190)를 사용하는 것으로 설명하였으나, 폭이 일정하고 길이가 긴 금속 판재를 적재하고, 이를 연속적으로 공급하는 방법을 사용할 수도 있다.

또한, 처리 대상물이 금속 판재(w)인 것으로 설명하였으나, 부의 고전압 펄스를 인가하기 위한 접속 수단을 변경하면, 금속 선재의 표면을 처리할 수 있음은 자명하다. 또한, 처리 대상물이 금속인 것으로 설명하였으나, 전도성이 있는 다른 대상물에도 본 발명에 따른 플라스마 표면 처리 장치 및 방법을 이용할 수 있음은 자명하다.

도 1은 본 발명에 따른 플라스마 표면 처리 장치의 일실시예의 개략도

도 2는 본 발명에 있어서, 부의 고전압 펄스의 형태를 나타내는 설명도

도 3은 도 1에 도시된 플라스마 표면 처리 장치에 설치된 자성코어의 배치 상태를 나타낸 사시도

도 4는 도 3에 도시된 부분의 전기 등가 회로

<도면부호의 간단한 설명>

110 진공챔버 120 진공펌프

130 가스공급장치 140 플라스마 발생장치

150 펄스전압발생장치 160 집전용 롤러

170 자성코어 180 권출기

190 권취기

Claims

전기전도성 대상물의 피처리부 표면을 플라스마를 이용하여 처리하는 플라스마 표면 처리 장치에 있어서,

플라스마 이온을 가속하여 상기 대상물의 피처리부 표면과 충돌시키기 위한 펄스 전압을 발생시키는 펄스전압발생장치;

상기 펄스전압발생장치에서 발생한 펄스 전압을 상기 대상물의 피처리부에 인가하도록, 상기 펄스전압발생장치 및 상기 대상물의 피처리부에 전기적으로 접속된 접속장치; 및

상기 대상물의 피처리부에 인가된 펄스 전압에 의해 상기 대상물의 피처리부에 흐르는 전류가 상기 대상물의 피처리부의 경계를 벗어나 흐르는 것을 차단하도록, 상기 대상물의 피처리부의 경계 주위에 배치된 자성코어(magnetic core);

를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
제1항에 있어서,

상기 대상물을 수용하기 위한 진공챔버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 대상물은 연속적으로 공급되며,

상기 접속장치는,

연속적으로 공급되는 상기 대상물의 피처리부에 펄스 전압을 인가하도록, 상기 대상물의 피처리부에 전기적으로 접속된 집전장치인 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
제3항에 있어서,

상기 집전장치는,

외주면에 대상물이 접촉되어 회전가능하게 설치된 집전용 롤러인 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
제2항에 있어서,

상기 진공챔버는,

상기 대상물이 공급되는 입구;

플라스마 표면 처리된 상기 대상물이 배출되는 출구; 및

상기 진공챔버의 진공을 유지하면서 상기 대상물을 상기 진공챔버 내로 공급하고 진공챔버로부터 배출하도록, 상기 입구와 출구에 각각 설치된 한 쌍의 진공유지수단;

을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
제1항 또는 제2항에 있어서,

상기 자성코어는,

연속적으로 공급되는 상기 대상물이 통과하여 진행할 수 있도록, 그 대상물의 표면으로부터 일정한 간격으로 이격되어 둘러싼 폐 루프 형태인 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
제2항에 있어서,

상기 대상물을 연속적으로 공급하도록, 상기 진공챔버 입구의 상류측에 설치되는 권출기; 및

연속적으로 표면 처리된 상기 대상물을 연속적으로 회수하도록, 상기 진공챔버 출구의 하류측에 설치되는 권취기;

를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 장치.
프로세스 가스를 공급하는 단계, 전기전도성 대상물의 주위에 플라스마 이온을 형성하는 단계를 포함하는 전기전도성 대상물의 표면 처리 방법에 있어서,

상기 플라스마 이온을 가속하여 상기 대상물의 피처리부 표면에 충돌시키기 위해서, 상기 대상물의 피처리부에 펄스 전압을 인가하는 단계; 및

상기 대상물의 피처리부에 인가된 펄스 전압에 의해서 상기 대상물의 피처리부에 흐르는 전류가 상기 대상물의 피처리부의 경계를 벗어나 흐르는 것을 차단하도록, 상기 대상물의 피처리부의 경계 주위에 자성 코어를 배치하는 단계;

를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 방법.
제8항에 있어서,

상기 대상물의 피처리부 주위의 압력을 대기압 이하로 유지하는 단계;

를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 방법.
제8항에 있어서,

상기 대상물을 연속적으로 공급하는 단계;

를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스마 표면 처리 방법.