JP6523997B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6523997B2 JP6523997B2 JP2016049985A JP2016049985A JP6523997B2 JP 6523997 B2 JP6523997 B2 JP 6523997B2 JP 2016049985 A JP2016049985 A JP 2016049985A JP 2016049985 A JP2016049985 A JP 2016049985A JP 6523997 B2 JP6523997 B2 JP 6523997B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor region
- insulating portion
- insulating
- type semiconductor
- air gap
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 362
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 35
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 10
- 239000011800 void material Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
- H01L29/0661—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body specially adapted for altering the breakdown voltage by removing semiconductor material at, or in the neighbourhood of, a reverse biased junction, e.g. by bevelling, moat etching, depletion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
- H01L21/764—Air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0603—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by particular constructional design considerations, e.g. for preventing surface leakage, for controlling electric field concentration or for internal isolations regions
- H01L29/0642—Isolation within the component, i.e. internal isolation
- H01L29/0649—Dielectric regions, e.g. SiO2 regions, air gaps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/402—Field plates
- H01L29/405—Resistive arrangements, e.g. resistive or semi-insulating field plates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/6609—Diodes
- H01L29/66136—PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7811—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with an edge termination structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
- H01L29/861—Diodes
- H01L29/8613—Mesa PN junction diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic System
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66053—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide
- H01L29/6606—Multistep manufacturing processes of devices having a semiconductor body comprising crystalline silicon carbide the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66083—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
- H01L29/66196—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices with an active layer made of a group 13/15 material
- H01L29/66204—Diodes
Description
前記第1半導体領域は、前記第1電極の上に設けられている。
前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域の上に設けられている。前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域よりも低い第1導電形のキャリア濃度を有する。
前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域の上に設けられている。
前記第1絶縁部は、前記第1半導体領域の上において前記第2半導体領域および前記第3半導体領域の周りに設けられている。前記第1絶縁部は、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域と接する。
前記第2絶縁部は、前記第1絶縁部の周りに設けられている。前記第2絶縁部と前記第1絶縁部との間には、空隙が形成されている。
前記第3絶縁部は、前記第1絶縁部の上および前記第2絶縁部の上に設けられている。前記第3絶縁部は、前記空隙を覆う。
前記第2電極は、前記第3半導体領域の上に設けられている。前記第2電極は、前記第3半導体領域と電気的に接続されている。
前記製造方法は、開口部を有する第1絶縁層を形成する工程と、前記開口部を介して前記空隙を形成する工程と、前記開口部を埋める第2絶縁層を形成して前記第3絶縁部を形成する工程と、前記第1半導体領域、前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域を含む構造体を準備する工程と、前記第2半導体領域の一部を除去して孔を形成する工程と、前記孔を埋める犠牲層を形成する工程と、を含む。前記第1絶縁層を形成する前記工程は、前記犠牲層の上に前記開口を有する前記第1絶縁層を形成することを含む。前記空隙を形成する前記工程は、前記開口を介して前記犠牲層を除去することを含む。
実施形態は、半導体装置の製造方法に係る。前記半導体装置は、第1電極と、第1導電形の第1半導体領域と、第1導電形の第2半導体領域と、第2導電形の第3半導体領域と、第1絶縁部と、第2絶縁部と、第3絶縁部と、第2電極と、を有する。
前記第1半導体領域は、前記第1電極の上に設けられている。
前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域の上に設けられている。前記第2半導体領域は、前記第1半導体領域よりも低い第1導電形のキャリア濃度を有する。
前記第3半導体領域は、前記第2半導体領域の上に設けられている。
前記第1絶縁部は、前記第1半導体領域の上において前記第2半導体領域および前記第3半導体領域の周りに設けられている。前記第1絶縁部は、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域と接する。
前記第2絶縁部は、前記第1絶縁部の周りに設けられている。前記第2絶縁部と前記第1絶縁部との間には、空隙が形成されている。
前記第3絶縁部は、前記第1絶縁部の上および前記第2絶縁部の上に設けられている。前記第3絶縁部は、前記空隙を覆う。
前記第2電極は、前記第3半導体領域の上に設けられている。前記第2電極は、前記第3半導体領域と電気的に接続されている。
前記製造方法は、開口部を有する第1絶縁層を形成する工程と、前記開口部を介して前記空隙を形成する工程と、前記開口部を埋める第2絶縁層を形成して前記第3絶縁部を形成する工程と、前記第1半導体領域、前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域を含む構造体を準備する工程と、前記第2半導体領域に前記第1絶縁部及び前記第2絶縁部を形成する工程と、を含む。前記第1絶縁層を形成する前記工程は、前記第2半導体領域の、前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間の領域の上に前記開口を有する前記第1絶縁層を形成することを含む。前記空隙を形成する前記工程は、前記開口を介して前記第2半導体領域の、前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間の前記領域を除去して、前記空隙を形成することを含む。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
また、本願明細書と各図において、既に説明したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
各実施形態の説明には、XYZ直交座標系を用いる。n−形半導体領域2からn−形半導体領域5に向かう方向であって相互に直交する2方向をX方向及びY方向とする。また、カソード電極31からアノード電極32に向かう方向をZ方向とする。
以下の説明において、n+、n−及びp+、pの表記は、各導電形における不純物濃度の相対的な高低を表す。すなわち、「+」が付されている表記は、「+」および「−」のいずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に高く、「−」が付されている表記は、いずれも付されていない表記よりも不純物濃度が相対的に低いことを示す。
以下で説明する各実施形態について、各半導体領域のp形とn形を反転させて各実施形態を実施してもよい。
図1および図2を用いて、第1実施形態に係る半導体装置の一例について説明する。
図1は、第1実施形態に係る半導体装置100を表す平面図である。
図2は、図1のA−A’断面図である。
なお、図1では、空隙Vの外縁が破線で表されている。
図1および図2に表すように、半導体装置100は、n+形(第1導電形)半導体領域1(第1半導体領域)と、n−形半導体領域2(第2半導体領域)と、p形(第2導電形)半導体領域3(第3半導体領域)と、p+形半導体領域4と、n−形半導体領域5(半導体部)と、絶縁部11(第1絶縁部)、絶縁部12(第2絶縁部)、絶縁部13、絶縁部20(第3絶縁部)と、カソード電極31(第1電極)と、アノード電極32(第2電極)と、絶縁部40(第4絶縁部)と、導電層41と、空隙Vと、を有する。
n+形半導体領域1は、カソード電極31の上に設けられ、カソード電極31と電気的に接続されている。
n−形半導体領域2は、n+形半導体領域1の上に設けられている。
p形半導体領域3は、n−形半導体領域2の上に設けられている。
p+形半導体領域4は、p形半導体領域3の上に選択的に設けられている。
絶縁部12は、絶縁部11の周りに、絶縁部11と離間して設けられている。絶縁部11と絶縁部12との間には、空隙Vが形成されている。
n+形半導体領域1の空隙Vに面する部分には、絶縁部13が設けられている。
n−形半導体領域5は、絶縁部12の周りに設けられている。絶縁部12は、n−形半導体領域5に接している。
絶縁部20は、アノード電極32の周りに設けられ、p形半導体領域3の外周上、p+形半導体領域4の外周上、およびn−形半導体領域5上に位置している。また、絶縁部20は、空隙Vを覆っている。すなわち、空隙Vは、絶縁部11〜13および絶縁部20によって囲まれた空間である。
絶縁部40は、アノード電極32の周りに設けられ、絶縁部20の外周およびアノード電極32の外周を覆っている。
導電層41は、n−形半導体領域5、絶縁部20、およびアノード電極32と、絶縁部40と、の間に設けられている。また、導電層41は、n−形半導体領域5およびアノード電極32と電気的に接続されている。
あるいは、空隙Vは、図2に表す例よりも深く形成され、n+形半導体領域1の一部をさらに囲んでいてもよい。
n+形半導体領域1、n−形半導体領域2、p形半導体領域3、およびp+形半導体領域4は、半導体材料として、シリコン、炭化シリコン、窒化ガリウム、またはガリウムヒ素を含む。半導体材料としてシリコンが用いられる場合、n形不純物として、ヒ素、リン、またはアンチモンを用いることができる。p形不純物としては、ボロンを用いることができる。
絶縁部11〜13および絶縁部20は、酸化シリコンや窒化シリコンなどの絶縁材料を含む。
カソード電極31およびアノード電極32は、ニッケルやアルミニウムなどの金属を含む。
絶縁部40は、ポリイミドなどの絶縁性樹脂を含む。
導電層41は、半絶縁性シリコン窒化層や、半絶縁性多結晶シリコン層などの、高い電気抵抗を有する層である。導電層41における電気抵抗は、n−形半導体領域5における電気抵抗およびアノード電極32における電気抵抗よりも高く、絶縁部20における電気抵抗よりも低い。
図3、図5、および図6は、第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法の一例を表す工程断面図である。
図4は、第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法の一例を表す工程平面図である。
一例として、開口OP1は、平面視において矩形を有し、短辺が3μm以下となるように形成される。
なお、後の工程において、半導体基板が加熱された際に、空隙Vにおける気体の熱膨張によって半導体基板に圧力が加わり、半導体基板が損傷する場合がある。半導体基板に加わる圧力を低減するために、減圧雰囲気中で絶縁層IL4を形成し、空隙Vを形成しても良い。この場合、空隙Vにおける圧力は、大気圧未満となる。
続いて、絶縁層IL1、IL2、およびIL4のそれぞれの一部を除去することで、図5(b)に表すように、p+形半導体領域4の上面およびn−形半導体領域5の上面を露出させる。
続いて、アノード電極32の外周に導電層41を形成し、その上に絶縁部40を形成する。このときの様子を図6(a)に表す。
なお、RIE法などを用いて、絶縁層IL3に対してn−形半導体領域5を選択的にエッチングして半導体基板をダイシングすることも可能である。この場合、空隙Vの周りに絶縁部12のみが設けられた半導体装置が得られる。
従って、上述した製造方法を用いて半導体装置100を製造した場合、例えば絶縁層20の断面を観察することで、絶縁層IL1に形成されていた開口OP1の位置や、開口OP1中に形成された絶縁層IL3を確認することが可能である。
図7および図8は、第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法の他の一例を表す工程断面図である。
なお、開口OP2は、例えば、図4に表す開口OP1と同様に、周方向に並べて形成される。また、フォトレジストPRに代えて、他の有機材料を用いてもよい。
以降は、図5(b)〜図6(b)に表す工程と同様の工程を行うことで、半導体装置100が得られる。
図9は、第1実施形態に係る半導体装置100の製造方法の他の一例を表す工程断面図である。
以降は、図5(b)〜図6(b)に表す工程と同様の工程を行うことで、半導体装置100が得られる。
半導体装置に逆電圧が印加されているとき、n−形半導体領域2およびp形半導体領域3は、空乏化している。このとき、等電位線は、n−形半導体領域2中では、n−形半導体領域2とp形半導体領域3とのpn接合面に沿って、X方向およびY方向に広がっている。一方で、n−形半導体領域2およびp形半導体領域3の周りの絶縁体中では、一部の等電位線が、カソード電極31側またはアノード電極32側に向けて湾曲する。このとき、絶縁体の厚みが薄いと、n−形半導体領域2の外周近傍においても等電位線の湾曲が生じる。n−形半導体領域2中で等電位線の湾曲が生じると、この等電位線が湾曲した部分の電界強度が高くなり、半導体装置の耐圧が低下する。従って、半導体装置の耐圧を維持するためには、絶縁体は厚いことが望ましい。
一方で、耐圧を維持するために必要な絶縁体の厚みは、当該絶縁体の比誘電率に依存する。すなわち、絶縁体の比誘電率が低いほど、耐圧を維持するために必要な絶縁体の厚みが薄くなる。絶縁体の比誘電率が低いほど、絶縁体中で等電位線が密になり、絶縁体中における湾曲した等電位線の曲率が大きくなるため、n−形半導体領域2の外周近傍における等電位線の湾曲が抑制されるためである。
このため、本実施形態によれば、n−形半導体領域2およびp形半導体領域3の周りの絶縁体の厚みを薄くし、半導体装置を小型化することが可能となる。
このとき、絶縁部13の周りにn−形半導体領域5を設けることで、絶縁部20の端部が絶縁部12およびn−形半導体領域5によって支持され、半導体装置の機械的強度を向上させることが可能となる。
なお、ここでは、幅とは、トレンチT1によって囲まれたn−形半導体層2aの一部から、n−形半導体領域5に向かう方向における寸法を意味している。
これに対して、本実施形態に係る製造方法では、例えば図5(a)に表すように、複数の小さな開口OP1の下に大きなトレンチT1を形成し、開口OP1を塞ぐことで空隙Vを形成している。このように、小さな開口の下に大きな空間を形成し、当該開口を塞いで空隙Vを形成することで、空隙Vの幅の減少を抑えつつ、幅の広い空隙Vを容易に形成することが可能となる。
半導体装置110は、MOSFETである。
図10に表すように、半導体装置110は、半導体装置100と比べて、n+形半導体領域6、ゲート電極15、およびゲート絶縁層16をさらに有する。また、カソード電極31に代えてドレイン電極33(第1電極)を有し、アノード電極32に代えてソース電極34(第2電極)を有する。
n−形半導体領域2は、n+形半導体領域1の上に設けられている。
p形半導体領域3は、n−形半導体領域2の上に設けられている。
p+形半導体領域4およびn+形半導体領域6は、p形半導体領域3の上に選択的に設けられている。
ゲート絶縁層16は、ゲート電極15とp形半導体領域3との間に設けられている。
ソース電極34は、p+形半導体領域4およびn+形半導体領域6の上に設けられ、p形半導体領域3、p+形半導体領域4、およびn+形半導体領域6と電気的に接続されている。ソース電極34とゲート電極15との間にはゲート絶縁層16が設けられ、これらの電極は電気的に分離されている。
すなわち、ダイオード以外の他の半導体装置についても、pn接合面を形成する半導体領域の周りに空隙Vを設けることで、半導体装置の小型化が可能である。
図11は、第2実施形態に係る半導体装置200を表す断面図である。
図12は、第2実施形態に係る半導体装置200が有する絶縁部11および12の近傍を拡大した断面図である。
半導体装置200は、例えば、絶縁部11および絶縁部12の構造について、半導体装置100と差異を有する。
図12に表すように、絶縁部11は、第1絶縁部分11aと、第2絶縁部分11bと、を有する。絶縁部12は、第3絶縁部分12cと、第4絶縁部分12dと、を有する。
すなわち、n−形半導体領域2およびp形半導体領域3の周りに第1絶縁部分11aの一部が設けられ、第1絶縁部分11aの当該一部の周りに第2絶縁部分11bが設けられている。そして、第2絶縁部分11bの周りに、第1絶縁部分11aの他の一部が設けられている。
すなわち、第1絶縁部分11aおよび第2絶縁部分11bが、共通の絶縁材料を含む場合、第1絶縁部分11aにおける絶縁材料の密度は、第2絶縁部分11bにおける絶縁材料の密度よりも高い。
また、第3絶縁部分12cおよび第4絶縁部分12dが、共通の絶縁材料を含む場合、第3絶縁部分12cにおける絶縁材料の密度は、第4絶縁部分12dにおける絶縁材料の密度よりも高い。
図13および図14は、第2実施形態に係る半導体装置200の製造方法を表す工程断面図である。
なお、トレンチT1を形成した後、半導体基板を熱酸化することで、トレンチT1の底部に絶縁層を形成してもよい。
以降は、図5(b)〜図6(b)に表す工程と同様の工程を行うことで、半導体装置100が得られる。
このため、第1実施形態と同様に、n−形半導体領域2およびp形半導体領域3の周りの絶縁体の厚みを薄くし、半導体装置を小型化することが可能である。
このため、本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、第1実施形態に係る半導体装置の製造方法に比べて、トレンチT1を形成する際の側方へのエッチング量のばらつきを低減し、トレンチT1の幅のばらつきを小さくすることが可能である。
また、各半導体領域における不純物濃度については、例えば、SIMS(二次イオン質量分析法)により測定することが可能である。
Claims (4)
- 第1電極と、
前記第1電極の上に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられ、前記第1半導体領域よりも低い第1導電形のキャリア濃度を有する第1導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域の上において前記第2半導体領域および前記第3半導体領域の周りに設けられ、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域と接する第1絶縁部と、
前記第1絶縁部の周りに設けられ、前記第1絶縁部との間に空隙が形成された第2絶縁部と、
前記第1絶縁部の上および前記第2絶縁部の上に設けられ、前記空隙を覆う第3絶縁部と、
前記第3半導体領域の上に設けられ、前記第3半導体領域と電気的に接続された第2電極と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
開口を有する第1絶縁層を形成する工程と、
前記開口を介して前記空隙を形成する工程と、
前記開口を埋める第2絶縁層を形成して前記第3絶縁部を形成する工程と、
前記第1半導体領域、前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域を含む構造体を準備する工程と、
前記第2半導体領域の一部を除去して孔を形成する工程と、
前記孔を埋める犠牲層を形成する工程と、
を備え、
前記第1絶縁層を形成する前記工程は、前記犠牲層の上に前記開口を有する前記第1絶縁層を形成することを含み、
前記空隙を形成する前記工程は、前記開口を介して前記犠牲層を除去することを含む、半導体装置の製造方法。 - 第1電極と、
前記第1電極の上に設けられた第1導電形の第1半導体領域と、
前記第1半導体領域の上に設けられ、前記第1半導体領域よりも低い第1導電形のキャリア濃度を有する第1導電形の第2半導体領域と、
前記第2半導体領域の上に設けられた第2導電形の第3半導体領域と、
前記第1半導体領域の上において前記第2半導体領域および前記第3半導体領域の周りに設けられ、前記第2半導体領域および前記第3半導体領域と接する第1絶縁部と、
前記第1絶縁部の周りに設けられ、前記第1絶縁部との間に空隙が形成された第2絶縁部と、
前記第1絶縁部の上および前記第2絶縁部の上に設けられ、前記空隙を覆う第3絶縁部と、
前記第3半導体領域の上に設けられ、前記第3半導体領域と電気的に接続された第2電極と、
を備えた半導体装置の製造方法であって、
開口を有する第1絶縁層を形成する工程と、
前記開口を介して前記空隙を形成する工程と、
前記開口を埋める第2絶縁層を形成して前記第3絶縁部を形成する工程と、
前記第1半導体領域、前記第2半導体領域及び前記第3半導体領域を含む構造体を準備する工程と、
前記第2半導体領域に前記第1絶縁部及び前記第2絶縁部を形成する工程と、
を備え、
前記第1絶縁層を形成する前記工程は、前記第2半導体領域の、前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間の領域の上に前記開口を有する前記第1絶縁層を形成することを含み、
前記空隙を形成する前記工程は、前記開口を介して前記第2半導体領域の、前記第1絶縁部と前記第2絶縁部との間の前記領域を除去して、前記空隙を形成することを含む、半導体装置の製造方法。 - 前記空隙を形成する前記工程は、異方性エッチングと等方性エッチングとを交互に繰り返し行うことを含む、請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記開口は、複数であり、
前記複数の開口は、上方から見たときに、前記第3半導体領域の外縁に沿って設けられた、請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016049985A JP6523997B2 (ja) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
US15/250,847 US9865680B2 (en) | 2016-03-14 | 2016-08-29 | Semiconductor device with peripheral void space and method of making the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016049985A JP6523997B2 (ja) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017168515A JP2017168515A (ja) | 2017-09-21 |
JP6523997B2 true JP6523997B2 (ja) | 2019-06-05 |
Family
ID=59787078
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016049985A Active JP6523997B2 (ja) | 2016-03-14 | 2016-03-14 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9865680B2 (ja) |
JP (1) | JP6523997B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11120884B2 (en) | 2015-09-30 | 2021-09-14 | Sunrise Memory Corporation | Implementing logic function and generating analog signals using NOR memory strings |
JP6756125B2 (ja) | 2016-03-16 | 2020-09-16 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP7227110B2 (ja) * | 2019-09-18 | 2023-02-21 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
WO2021127218A1 (en) | 2019-12-19 | 2021-06-24 | Sunrise Memory Corporation | Process for preparing a channel region of a thin-film transistor |
JP2022074323A (ja) * | 2020-11-04 | 2022-05-18 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
TW202310429A (zh) | 2021-07-16 | 2023-03-01 | 美商日升存儲公司 | 薄膜鐵電電晶體的三維記憶體串陣列 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6870201B1 (en) | 1997-11-03 | 2005-03-22 | Infineon Technologies Ag | High voltage resistant edge structure for semiconductor components |
GB9917099D0 (en) | 1999-07-22 | 1999-09-22 | Koninkl Philips Electronics Nv | Cellular trench-gate field-effect transistors |
FR2826179A1 (fr) * | 2001-06-14 | 2002-12-20 | St Microelectronics Sa | Tranchee d'isolement profonde et procede de realisation |
JP3875245B2 (ja) * | 2004-07-26 | 2007-01-31 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JP2006100694A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | メサ型半導体装置およびその製造方法 |
JP5026713B2 (ja) * | 2006-03-14 | 2012-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5026718B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-09-19 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US8058682B2 (en) * | 2007-01-09 | 2011-11-15 | Maxpower Semiconductor Inc. | Semiconductor device |
JP5517688B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2014-06-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP5494217B2 (ja) | 2010-05-17 | 2014-05-14 | 富士電機株式会社 | トレンチ分離型逆阻止mos型半導体装置の製造方法 |
US8809942B2 (en) * | 2011-09-21 | 2014-08-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device having trench structure |
JP6379778B2 (ja) * | 2014-07-15 | 2018-08-29 | 富士電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP6317694B2 (ja) | 2015-03-16 | 2018-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
-
2016
- 2016-03-14 JP JP2016049985A patent/JP6523997B2/ja active Active
- 2016-08-29 US US15/250,847 patent/US9865680B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170263703A1 (en) | 2017-09-14 |
US9865680B2 (en) | 2018-01-09 |
JP2017168515A (ja) | 2017-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6523997B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6426642B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5235960B2 (ja) | 電力用半導体装置及びその製造方法 | |
JP6354525B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
KR101080503B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP6818712B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP6378220B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10026833B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
JP2017135245A (ja) | 半導体装置 | |
JP2011204935A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP2018046251A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6317694B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2010103208A (ja) | 半導体装置 | |
JP2015230932A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2020025050A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017162969A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010147065A (ja) | 縦型半導体装置及びその製造方法 | |
JP2016035989A (ja) | 半導体装置 | |
JP2018110165A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2023101772A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US10020362B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2017034156A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6433934B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6153151B2 (ja) | 高電圧電力用半導体装置 | |
KR20160111303A (ko) | 반도체 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20170911 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20170912 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170913 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171031 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180704 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180709 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180906 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181210 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20190401 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20190426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6523997 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |