JP6512193B2 - トランジスタ駆動回路 - Google Patents
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Description
コンパレータ16の非反転入力端子をエミッタ端子4Eに接続して、IGBT1のコレクタ電流相当値を検出しても良い。
ターンオフディレイ回路18を削除して、ターンオフディレイ回路10の出力信号を利用しても良い。
IGBT1やFET2の駆動電圧については、個別の設計に応じて適宜変更すれば良い。
本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。
Claims (5)
- バイポーラ型トランジスタ(1)とMOSFET(2)とを並列に接続したものを駆動対象とし、
前記バイポーラ型トランジスタ又は前記MOSFETを介して流れる電流を検出する電流検出素子(7)を備え、
前記バイポーラ型トランジスタと前記MOSFETとをターンオフさせる際に、
前記電流が閾値以下であれば前記バイポーラ型トランジスタをターンオフさせた後に前記MOSFETをターンオフさせ、
前記電流が前記閾値を超えると前記MOSFETをターンオフさせた後に前記バイポーラ型トランジスタをターンオフさせるトランジスタ駆動回路。 - 前記電流検出素子により、前記MOSFETを介して流れる電流を検出する請求項1記載のトランジスタ駆動回路。
- 前記電流検出素子により、前記バイポーラ型トランジスタを介して流れる電流を検出する請求項1記載のトランジスタ駆動回路。
- 前記電流検出素子の端子電圧と、前記閾値に相当する電圧とを比較するコンパレータ(16)と、
入力信号のレベル変化に応じて、前記バイポーラ型トランジスタのゲートにターンオンレベル電圧とターンオフレベル電圧とを付与するバイポーラ駆動回路(11)と、
前記入力信号のレベル変化に応じて、前記MOSFETのゲートにターンオンレベル電圧とターンオフレベル電圧とを付与するMOS駆動回路(15)と、
前記入力信号を前記MOS駆動回路に入力する経路に配置され、前記入力信号の立上りタイミングを遅延させるターンオンディレイ回路(12)と、
前記入力信号を前記バイポーラ駆動回路に直接入力する経路から分岐した経路に配置され、前記入力信号の立下りタイミングを遅延させる第1ターンオフディレイ回路(10)と、
前記ターンオンディレイ回路を介した入力信号を前記MOS駆動回路に直接入力する経路から分岐した経路に配置され、前記入力信号の立下りタイミングを遅延させる第2ターンオフディレイ回路(14)と、
前記入力信号の立下りタイミングを遅延させる第3ターンオフディレイ回路(18)と、
前記バイポーラ駆動回路の入力側に配置され、前記第1ターンオフディレイ回路が介在する経路と介在しない経路とを切替える第1セレクタ(9)と、
前記MOS駆動回路の入力側に配置され、前記第2ターンオフディレイ回路が介在する経路と介在しない経路とを切替える第2セレクタ(13)と、
前記コンパレータの出力信号によりセットされ、前記第3ターンオフディレイ回路の出力信号によりリセットされるRSフリップフロップ(17)とを備え、
前記第1及び第2セレクタの切替えを、前記RSフリップフロップの出力信号によって行う請求項1から3の何れか一項に記載のトランジスタ駆動回路。 - 前記第1ターンオフディレイ回路を、前記第3ターンオフディレイ回路としても用いる請求項4記載のトランジスタ駆動回路。
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