JP2015111963A - 電力変換装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】並列接続されたパワー半導体素子のゲート電圧のばらつきを抑制して動作の信頼性を向上する。
【解決手段】並列接続されたパワー半導体素子(21)を個別のゲート駆動回路(3OAU,30BU)を用いて制御する電力変換装置である。各ゲート駆動装置(3OAU,30BU)は、並列接続された各パワー半導体素子(21)のゲート電流の帰路が互いに分離されるように構成される。
【選択図】図1
【解決手段】並列接続されたパワー半導体素子(21)を個別のゲート駆動回路(3OAU,30BU)を用いて制御する電力変換装置である。各ゲート駆動装置(3OAU,30BU)は、並列接続された各パワー半導体素子(21)のゲート電流の帰路が互いに分離されるように構成される。
【選択図】図1
Description
本発明は、並列接続されたパワー半導体素子を個別のゲート駆動回路によって制御する電力変換装置に関する。
図3に、従来の電力変換装置(例えば、三相インバータ)の主回路の一例を示す。この主回路は、直流電源100とインテリジェントパワーモジュール(以下、IPMと略称する)200とを有する。IPM200は、電源100の正極と負極間に並列接続した3つのアーム対と、それらのアーム対を構成するパワー半導体素子201のそれぞれに対して接続されたゲート駆動回路203(図では、1個のみが示されている)とを備えている。
パワー半導体素子201としては、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が使用される。各パワー半導体素子201にはダイオード202が逆並列接続され、また、ゲート駆動回路203には電源300が接続されている。
各ゲート駆動回路203は、図示しない外部装置からの指令信号Scに応じてゲート駆動信号を発生し、対応するパワー半導体素子201をオンオフ制御する。
パワー半導体素子201としては、例えば絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が使用される。各パワー半導体素子201にはダイオード202が逆並列接続され、また、ゲート駆動回路203には電源300が接続されている。
各ゲート駆動回路203は、図示しない外部装置からの指令信号Scに応じてゲート駆動信号を発生し、対応するパワー半導体素子201をオンオフ制御する。
図4にゲート駆動回路203の構成例を示す。このゲート駆動回路203は、電源300の正極と負極間に直列接続された出力段スイッチ素子S1,S2を備え、スイッチ素子S1がオンした場合にパワー半導体素子201がオンするとともに、スイッチ素子S2がオンした場合にパワー半導体素子201がオフする。スイッチ素子S1,S2には、例えばMOSFET(金属酸化膜型電界効果トランジスタ)が使用される。
遅延回路D1は、指令信号ScをバッファB1を介して入力して、この指令信号Scの立ち上がりを遅延させる。また、遅延回路D2は、指令信号ScをバッファB1及びインバータI2を介して入力して、この制御信号Scの立ち下がりを遅延させる。遅延回路D1の出力信号はインバータI1によって反転されたのちスイッチ素子S1に与えられ、一方、遅延回路D2の出力信号はスイッチ素子S2に直接与えられる。この遅延回路D1,D2は、スイッチ素子S1,S2を同時オンさせないためと、ノイズによる誤動作を防止するために設けられている。
遅延回路D1は、指令信号ScをバッファB1を介して入力して、この指令信号Scの立ち上がりを遅延させる。また、遅延回路D2は、指令信号ScをバッファB1及びインバータI2を介して入力して、この制御信号Scの立ち下がりを遅延させる。遅延回路D1の出力信号はインバータI1によって反転されたのちスイッチ素子S1に与えられ、一方、遅延回路D2の出力信号はスイッチ素子S2に直接与えられる。この遅延回路D1,D2は、スイッチ素子S1,S2を同時オンさせないためと、ノイズによる誤動作を防止するために設けられている。
図5は、大容量化を図るためにIPM200A,IPM200Bを並列接続した構成を示す。この図3においては、図4に示す要素と共通する要素に対応する符号を付してある。IPM200Aのゲート駆動回路203Aは、遅延回路D1Aとスイッチ素子S1Aとの間にナンド回路N1Aを設けるとともに、遅延回路D2Aとスイッチ素子S2Aとの間にアンド回路A2Aを設けてある。IPM200Bのゲート駆動回路203Bは、上記ナンド回路N1A及びアンド回路A2Aに対応するナンド回路N1B及びアンド回路A2Bを有する。
遅延回路D1Aの出力信号は、ナンド回路N1Aの一方の入力端子とナンド回路N1Bの一方の入力端子に入力され、遅延回路D2Aの出力信号は、アンド回路A1Aの一方の入力端子とアンド回路A1Bの一方の入力端子に入力される。また、遅延回路D1Bの出力信号は、ナンド回路N1Bの他方の入力端子とナンド回路N1Aの他方の入力端子に入力され、遅延回路D2Bの出力信号は、アンド回路A1Bの他方の入力端子とアンド回路A1Aの他方の入力端子に入力される。
この結果、ゲート駆動回路203A,203Bのスイッチ素子S1A,S1BまたはS2A,S2Bがほぼ同時にオン,オフされることになるので、並列接続されたIPM200Aのパワー半導体素子201AとIPM200Bのパワー半導体素子201Bのスイッチング時間のばらつきが抑制される。
この結果、ゲート駆動回路203A,203Bのスイッチ素子S1A,S1BまたはS2A,S2Bがほぼ同時にオン,オフされることになるので、並列接続されたIPM200Aのパワー半導体素子201AとIPM200Bのパワー半導体素子201Bのスイッチング時間のばらつきが抑制される。
図5に点線で示すように、IPM200Aのナンド回路N1A及びアンド回路A1Aは電源300Aから給電され、IPM200Bのナンド回路N1B及びアンド回路A1Bは電源300Bから給電される。また、ゲート駆動回路203A,203B間で信号の伝送が行なわれることから、該回路203A,203Bのグランドライン相互は点線で示すように共通化されている。
IPM200A,200Bのパワー半導体素子201A,201Bを流れる電流は、該IPM200A,200Bを構成する回路要素の遅延時間のばらつきの影響でバランスしないのが通常であり、この場合、パワー半導体素子201Aのエミッタから負荷Lに至る配線WAでの起電圧と、パワー半導体素子201Bのエミッタから負荷Lに至る配線WBでの起電圧とに差を生じる。そして、例えば、配線WAでの起電圧が配線WBでの起電圧よりも高い場合、ゲート駆動回路203A,203Bのグランドラインを含むループ回路に矢印で示すようなループ電流Icが流れることになる。パワー半導体素子201A,201Bの定格電流が1000Aである場合、このループ電流Icは20A程度になることが確認されている。
このループ電流Icに基づいて誘起される配線WAでの起電圧と配線WBでの起電圧の差は、パワー半導体素子201Aのゲート電圧とパワー半導体素子201Bのゲート電圧の差をもたらし、これは、ターンオンタイミングについての誤動作を招いて、スイッチング損失を極端に増加させるおそれがある。
このループ電流Icに基づいて誘起される配線WAでの起電圧と配線WBでの起電圧の差は、パワー半導体素子201Aのゲート電圧とパワー半導体素子201Bのゲート電圧の差をもたらし、これは、ターンオンタイミングについての誤動作を招いて、スイッチング損失を極端に増加させるおそれがある。
そこで、本発明の課題は、並列接続されたパワー半導体素子のゲート電圧のばらつきを抑制して動作の信頼性を向上することができる電力変換装置を提供することにある。
本発明は、並列接続されたパワー半導体素子を個別のゲート駆動回路を用いて制御する電力変換装置の改良に係るものである。前記各ゲート駆動装置は、前記各パワー半導体素子のゲート電流の帰路が互いに分離されるように構成される。
実施形態に係る前記各ゲート駆動回路は、指示信号を伝達する伝達回路要素と、この伝達回路要素から出力される信号に応じて作動する出力回路とを備える。この場合、前記各ゲート駆動回路の前記伝達回路要素を共通化することによって、前記各パワー半導体素子の動作の同期性を向上することができる。
前記出力回路は、対応する前記パワー半導体素子のゲートに対して所定の順バイアス電圧と逆バイアス電圧を選択的に出力するように構成することができる。
本発明によれば、各パワー半導体素子のゲート電流の帰路が互いに分離されているので、それらの帰路を含むループ回路か形成されない。従って、各パワー半導体素子のゲート電圧のばらつきが抑制されて動作の信頼性が向上する。
以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態を説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係る電力変換装置の構成を示す回路図である。この電力変換装置は、直流電源1、パワーモジュール2A,2B及びゲート駆動モジュール3A,3Bを備え、パワーモジュール2A,2B内のパワー半導体素子のスイッチング動作によって直流電源1の出力電力を所望の電力に変換する。この電力変換装置によって変換された電力は、負荷4に供給される。
図1は、本発明の一実施形態に係る電力変換装置の構成を示す回路図である。この電力変換装置は、直流電源1、パワーモジュール2A,2B及びゲート駆動モジュール3A,3Bを備え、パワーモジュール2A,2B内のパワー半導体素子のスイッチング動作によって直流電源1の出力電力を所望の電力に変換する。この電力変換装置によって変換された電力は、負荷4に供給される。
パワーモジュール2Aは、直列接続されたパワー半導体素子21,22と、これらのパワー半導体素子21,22にそれぞれ逆並列接続されたフリーホイール・ダイオード23,24とを備えている。パワー半導体素子21,22の直列接続点は、端子27を介して負荷4の一端に接続されている。パワーモジュール2Bも同様の構成を有する。
パワーモジュール2A,2Bは、直流電源1の正極と負極間に互いに並列に接続されている。このように2つのパワーモジュール2A,2Bを並列接続するのは、大容量化を図るためである。本実施形態においては、パワー半導体素子21,22としてIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)が使用されている。
パワーモジュール2A,2Bは、直流電源1の正極と負極間に互いに並列に接続されている。このように2つのパワーモジュール2A,2Bを並列接続するのは、大容量化を図るためである。本実施形態においては、パワー半導体素子21,22としてIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ)が使用されている。
ゲート駆動モジュール3Aは、ゲート駆動回路30AU及びゲート駆動回路30ALを有する。ゲート駆動回路30AUは、正負の電圧(例えば±15V)を出力する電源部31を備え、図示していない制御回路からの上アーム用指令信号SUをインバータ4AUを介して入力する。インバータ4AUの出力信号は、フォトカプラ32及び増幅器33を介してバッファとして機能する出力回路34に入力される。
出力回路34は、電源部31の正極と負極間に接続されたトランジスタの相補対を備え、指令信号SUがゲートオンを指令している場合及びゲートオフを指令している場合に、それぞれゲートオン信号(約+15V)及びゲートオフ信号(約−15V)を端子35,36間に出力する。なお、端子36は電源部31の中間極(0V)に接続されている。
端子35はゲート抵抗41及びダイオード42を介してパワーモジュール2Aの端子25に接続され、端子36は該パワーモジュール2Aの端子26に接続されている。パワーモジュール2Aの端子25,26には、パワー半導体素子21のゲート、エミッタがそれぞれ接続されており、従って、ゲート駆動回路30から出力されるゲート駆動信号(ゲートオン信号またはゲートオフ信号)は、該パワー半導体素子21のゲート・エミッタ間に入力される。
出力回路34は、電源部31の正極と負極間に接続されたトランジスタの相補対を備え、指令信号SUがゲートオンを指令している場合及びゲートオフを指令している場合に、それぞれゲートオン信号(約+15V)及びゲートオフ信号(約−15V)を端子35,36間に出力する。なお、端子36は電源部31の中間極(0V)に接続されている。
端子35はゲート抵抗41及びダイオード42を介してパワーモジュール2Aの端子25に接続され、端子36は該パワーモジュール2Aの端子26に接続されている。パワーモジュール2Aの端子25,26には、パワー半導体素子21のゲート、エミッタがそれぞれ接続されており、従って、ゲート駆動回路30から出力されるゲート駆動信号(ゲートオン信号またはゲートオフ信号)は、該パワー半導体素子21のゲート・エミッタ間に入力される。
ゲート駆動モジュール3Aの他方のゲート駆動回路30ALも同様の構成を有する。このゲート駆動回路30ALは、上記制御回路からの下アーム用指令信号SLをインバータ4ALを介して入力するので、この指令信号SLの指令に対応するゲート駆動信号をパワーモジュール2Aの下アーム側のパワー半導体素子22のゲート・エミッタ間に出力する。
ゲート駆動モジュール3Bは、ゲート駆動モジュール3Aのゲート駆動回路30AU,30ALと同一の構成を有するゲート駆動回路30BU,30BLを備えている。
ゲート駆動回路30BU,30BLは、それぞれ指令信号SU,SLをインバータ4BU,4BLを介して入力する。従って、ゲート駆動回路30BUは、指令信号SUの指令に対応するゲート駆動信号をパワーモジュール2Bの上アーム側パワー半導体素子21に出力し、また、ゲート駆動回路30BLは、指令信号SLの指令に対応するゲート駆動信号をパワーモジュール2Bの下アーム側パワー半導体素子22に出力する。
ゲート駆動回路30BU,30BLは、それぞれ指令信号SU,SLをインバータ4BU,4BLを介して入力する。従って、ゲート駆動回路30BUは、指令信号SUの指令に対応するゲート駆動信号をパワーモジュール2Bの上アーム側パワー半導体素子21に出力し、また、ゲート駆動回路30BLは、指令信号SLの指令に対応するゲート駆動信号をパワーモジュール2Bの下アーム側パワー半導体素子22に出力する。
ここで、ゲート駆動回路30AUの端子36からパワーモジュール2Aの端子26に至るラインと、ゲート駆動回路30BUの端子36からパワーモジュール2Bの端子26に至るラインとが分離していないとすると、これらのラインは、パワーモジュール2Aの端子27から負荷4に至るラインと、パワーモジュール2Bの端子27から負荷4に至るラインと共にループ回路を構成することになる。
この場合、パワーモジュール2Aの端子27から負荷4に至るラインの配線インダクタンスに基づいて誘起される電圧と、パワーモジュール2Bの端子27から負荷4に至るラインの配線インダクタンスに基づいて誘起される電圧との差に基づくループ電流が上記ループ回路に流れることになる。そして、このループ電流は、結果的にパワーモジュール2Aのパワー半導体素子21のゲート電圧とパワーモジュール2Bのパワー半導体素子21のゲート電圧の差をもたらすので、ターンオンタイミングについての誤動作を招く要因になる。
この場合、パワーモジュール2Aの端子27から負荷4に至るラインの配線インダクタンスに基づいて誘起される電圧と、パワーモジュール2Bの端子27から負荷4に至るラインの配線インダクタンスに基づいて誘起される電圧との差に基づくループ電流が上記ループ回路に流れることになる。そして、このループ電流は、結果的にパワーモジュール2Aのパワー半導体素子21のゲート電圧とパワーモジュール2Bのパワー半導体素子21のゲート電圧の差をもたらすので、ターンオンタイミングについての誤動作を招く要因になる。
しかし、本実施形態に係る電力変換装置によれば、ゲート駆動回路30AUの端子36からパワーモジュール2Aの端子26に至るラインと、ゲート駆動回路30BUの端子36からパワーモジュール2Bの端子26に至るラインとが分離されているので、つまり、パワーモジュール2A、2Bにおける各パワー半導体素子21のゲート電流の帰路が互いに分離されているので、上記のようなループ回路が構成されることがなく、従って動作の信頼性が向上する。
図2に本発明の他の実施形態を示す。本実施形態に係る電力変換装置は、図1に示した電力変換装置と次の点で相違する。
すなわち、本実施形態に係る電力変換装置は、図1に示すインバータ4BU,4BLが省略されている点と、ゲート駆動回路30AUの増幅器33の出力端子とゲート駆動回路30BUのバッファ34の入力端子とが配線51によって接続されている点と、ゲート駆動回路30AUの電源31の負極とゲート駆動回路30BUの電源31の負極とが配線52によって接続されている点と、ゲート駆動回路30ALとゲート駆動回路30BL相互間において上記に準じた接続がなされている点と、において図1に示した電力変換装置と相違している。
すなわち、本実施形態に係る電力変換装置は、図1に示すインバータ4BU,4BLが省略されている点と、ゲート駆動回路30AUの増幅器33の出力端子とゲート駆動回路30BUのバッファ34の入力端子とが配線51によって接続されている点と、ゲート駆動回路30AUの電源31の負極とゲート駆動回路30BUの電源31の負極とが配線52によって接続されている点と、ゲート駆動回路30ALとゲート駆動回路30BL相互間において上記に準じた接続がなされている点と、において図1に示した電力変換装置と相違している。
本実施形態に係る電力変換装置によれば、指示信号SUを伝達する伝達回路要素(フォトカプラ32及び増幅器33)がゲート駆動回路30AU,30BUによって共用され、指示信号SLを伝達する伝達回路要素がゲート駆動回路30AL,30BLによって共用される。従って、ゲート駆動モジュール3A,3Bから出力されるゲート駆動信号相互の同期性が向上し、結果的に、パワーモジュール2A,2Bの動作の同期性が向上する。
なお、上記各実施形態では、パワーモジュールの並列接続数が2であるが、本発明はこの並列接続数が3以上の場合においても適用することができる。
なお、上記各実施形態では、パワーモジュールの並列接続数が2であるが、本発明はこの並列接続数が3以上の場合においても適用することができる。
1 直流電源
2A,2B パワーモジュール
21,22 パワー半導体素子
23,24 フリーホイール・ダイオード
3A,3B ゲート駆動モジュール
30AU,30AL ゲート駆動回路
31 電源部
32 フォトカプラ
33 増幅器
34 出力回路
4 負荷
41 ゲート抵抗
42 ダイオード
51,52 ライン
2A,2B パワーモジュール
21,22 パワー半導体素子
23,24 フリーホイール・ダイオード
3A,3B ゲート駆動モジュール
30AU,30AL ゲート駆動回路
31 電源部
32 フォトカプラ
33 増幅器
34 出力回路
4 負荷
41 ゲート抵抗
42 ダイオード
51,52 ライン
Claims (3)
- 並列接続されたパワー半導体素子を個別のゲート駆動回路を用いて制御する電力変換装置であって、
前記各ゲート駆動装置は、前記各パワー半導体素子のゲート電流の帰路が互いに分離されるように構成されていることを特徴とする電力変換装置。 - 前記各ゲート駆動回路は、指示信号を伝達する伝達回路要素と、この伝達回路要素から出力される信号に応じて作動する出力回路とを備え、前記各ゲート駆動回路の前記伝達回路要素を共通化したことを特徴とする請求項1に記載の電力変換装置。
- 前記出力回路は、対応する前記パワー半導体素子のゲートに対して所定の順バイアス電圧と逆バイアス電圧を選択的に出力するように構成されていることを特徴とする請求項2に記載の電力変換装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012081719A JP2015111963A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 電力変換装置 |
PCT/JP2013/050160 WO2013145792A1 (ja) | 2012-03-30 | 2013-01-09 | 電力変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2012081719A JP2015111963A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 電力変換装置 |
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---|---|
JP2015111963A true JP2015111963A (ja) | 2015-06-18 |
Family
ID=49259079
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012081719A Pending JP2015111963A (ja) | 2012-03-30 | 2012-03-30 | 電力変換装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015111963A (ja) |
WO (1) | WO2013145792A1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3226393A1 (fr) * | 2016-04-01 | 2017-10-04 | ALSTOM Transport Technologies | Convertisseur d'énergie électrique, chaîne de traction comportant un tel convertisseur et véhicule électrique de transport associé |
CN107482894A (zh) * | 2016-04-01 | 2017-12-15 | 阿尔斯通运输科技公司 | 电能转换器及包括其的动力传动系和相关的电动运输车辆 |
DE102022201640A1 (de) | 2022-02-17 | 2023-08-17 | Zf Friedrichshafen Ag | Niederimpedante Klemmschaltung für ein Halbleiterschaltelement in einem Stromrichter |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108258885B (zh) * | 2016-12-28 | 2020-03-31 | 上海沪工焊接集团股份有限公司 | 逆变焊接电源驱动控制装置 |
CA3137719A1 (en) * | 2019-04-25 | 2020-10-29 | Magna International Inc. | Motor drive topologies for traction and charging in electrified vehicles |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08213890A (ja) * | 1995-02-01 | 1996-08-20 | Toshiba Corp | 電圧駆動形トランジスタの駆動回路 |
JP3919624B2 (ja) * | 2002-07-24 | 2007-05-30 | 三菱電機株式会社 | パワーデバイス駆動回路 |
JP4401401B2 (ja) * | 2007-06-04 | 2010-01-20 | 三菱電機株式会社 | 駆動装置およびそれを備えた交流電力供給装置 |
-
2012
- 2012-03-30 JP JP2012081719A patent/JP2015111963A/ja active Pending
-
2013
- 2013-01-09 WO PCT/JP2013/050160 patent/WO2013145792A1/ja active Application Filing
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3226393A1 (fr) * | 2016-04-01 | 2017-10-04 | ALSTOM Transport Technologies | Convertisseur d'énergie électrique, chaîne de traction comportant un tel convertisseur et véhicule électrique de transport associé |
JP2017189100A (ja) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | アルストム トランスポート テクノロジーズ | 電気エネルギー変換器、そのような変換器を備えるパワートレインおよび関連する電気輸送車両 |
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WO2013145792A1 (ja) | 2013-10-03 |
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