JP6502826B2 - 配線基板および高周波モジュール - Google Patents

Description

本発明は、主線路導体および副線路導体とを有する配線基板、および配線基板に半導体素子を実装した高周波モジュールに関するものである。

携帯電話機においては、一般的に無線通信を実現するのにＲＦ（Radio Frequency）モ
ジュールが実装されている。かかるＲＦモジュール用の配線基板としては、例えば、特許文献１に開示されて方向性結合器の技術を用いることができる。

特許文献１に開示の方向性結合器は、複数の誘電体層を積層した積層構造体と、積層構造体の上面および下面に形成したグランド層と、積層構造体内であって誘電体層を上下に挟んで配置された一対の配線パターンを有している。なお、配線パターンは、上面および下面が平坦に形成されている。

上述した積層構造体において、一対の配線パターンを主線路導体および副線路導体と置き換えることができた場合は、ＲＦモジュール用の配線基板として転用することができる。このような配線基板では、主線路導体に流れる電流に起因した電界によって、副線路導体に電流を流し、その電流を検知することで、主線路導体に流れている電流としての信号を測定している。

特開２００９−３０３１４０号公報

仮に、主線路導体および副線路導体が上下に重なっていないと、副線路導体に流れる電流が所望する値とならず、主線路導体に流れる電流としての信号を正確に測定することが困難となる。近年では、高周波モジュールの小型化にともない、主線路導体および副線路導体の線幅が小さくなる時代の流れにおいて、主線路導体および副線路導体が位置ずれをしていても、如何にして主線路導体に流れる信号を正確に測定するかが必要とされてきている。

本発明の目的は、主線路導体に流れる信号を正確に測定することが可能な配線基板および高周波モジュールを提供することである。

本発明の一実施形態にかかる配線基板は、絶縁層が積層されてなる基板と、該基板の下面または前記絶縁層間に設けられた、基準電位に設定される導体層と、該導体層の上方の前記絶縁層間に前記導体層に重なるように設けられた、下面が平面であり上面が幅方向の中央で凸の曲面である主線路導体と、該主線路導体の上方の前記絶縁層間に前記主線路導体に重なるように設けられた、下面が幅方向の中央で凸の曲面である副線路導体とを備えていることを特徴とする。

本発明の一実施形態にかかる高周波モジュールは、本発明の一実施形態の配線基板と、前記配線基板の上面に実装された半導体素子とを備えていることを特徴とする。

本発明によれば、主線路導体に流れる信号を正確に測定することが可能な配線基板および高周波モジュールを提供することができる。

本発明の一実施形態にかかる配線基板を示した斜視図である。 図１に示す配線基板のＡ−Ａ線に沿った断面図である。 図１に示す配線基板のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。 本発明の一実施形態にかかる高周波モジュールを示した斜視図である。 本発明の一実施形態にかかる配線基板を含む高周波モジュールにおける要部を模式的に示す回路図である。

以下、本発明の実施形態にかかる配線基板について、図面を参照しながら説明する。

＜配線基板の構成＞
図１は本発明の一実施形態にかかる配線基板１の斜視図を、図２および図３は本発明の一実施形態にかかる配線基板１の断面図を示している。配線基板１は、例えば携帯電話機やハンドスキャナー等の無線通信機能を実現した携帯装置に内蔵することができる。これらの図において、配線基板１は、基板２、導体層３、主線路導体４、副線路導体５および電極６を備えている。図２は図１に示す配線基板１の主線路導体４および副線路導体５の線路方向に垂直な方向であるＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図３は図１に示す配線基板１の主線路導体４および副線路導体５の線路方向であるＢ−Ｂ線に沿った断面図である。

図１および図２に示すように、基板２は複数の絶縁層で構成されており、下から順に絶縁層１１、絶縁層１２および絶縁層１３が積層されて形成されている。また、基板２の下面または絶縁層間に導体層３が設けられている。

本発明の一実施形態にかかる絶縁層１１の下面には導体層３が設けられている。この絶縁層１１は、例えば矩形状であって、平面視した場合の大きさは１．０ｍｍ×１．０ｍｍ〜５．０ｍｍ×５．０ｍｍで、厚みは０．２ｍｍ〜０．５ｍｍである。また、絶縁層１１は、酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化珪素質焼結体または炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料から成る。

絶縁層１１が最下層の場合には、導体層３は基板２の下面に設けられていることになる。また、絶縁層１１の下面に他の絶縁層が設けられている場合には、導体層３は絶縁層間に設けられていることになる。

導体層３は、基準電位に設定されている。導体層３は、例えば矩形状であって、例えば、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料から成る。基準電位とは、０Ｖである。導体層３は、１．０ｍｍ×１．０ｍｍ〜５．０ｍｍ×５．０ｍｍで、厚みは５μｍ〜２５μｍである。導体層３が基板２の下面に設けられている場合には、導体層３の下面の面積が大きいほど配線基板１に生じる熱を外部に逃がしやすくなる。

絶縁層１１の上面には絶縁層１２が設けられている。絶縁層１２は、例えば矩形状であって、平面視した場合の大きさは絶縁層１１と同じであり、厚みは２５μｍ〜７５μｍである。絶縁層１２は、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化珪素質焼結体または炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料から成る。

図２および図３に示すように、絶縁層１１および絶縁層１２の間には、導体層３と重なるようにして導体層３の上方に、信号を伝送する主線路導体４が設けられている。主線路導体４の下面は平面であり、上面は幅方向の中央で凸の曲面である。絶縁層１１の上面に、絶縁層１１の上面と接するように主線路導体４の下面がある。主線路導体４の下面が平面であるので、主線路導体４の下面は絶縁層１１の上面に沿うように設けられていることになる。

主線路導体４は、信号を伝送するものであるので、電気伝導率の高い材料を用いる。主線路導体４は、例えば導体層３と同様に、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料により形成されている。また、主線路導体４の大きさについては、幅は４０μｍ〜１００μｍで、厚みは５μｍ〜２０μｍである。また、主線路導体４の線路の長さについては基板２の大きさに対応して、０．８ｍｍ〜４．０ｍｍである。主線路導体４は、湾曲していてもよい。主線路導体４が湾曲している場合には、基板２の大きさを大きくすることなく、主線路導体４の長さを確保することができる。主線路導体４の長さが長いほど、高周波の信号を伝送することができる。

さらに、図２に示すように導体層３の上面および主線路導体４の下面との距離を距離Ｌ１とする。主線路導体４の下面が平面であることによって、導体層３の上面および主線路導体４の下面との距離Ｌ１は、どの箇所においてもほぼ一定になる。ほぼ一定とは、主線路導体４の下面における絶縁層１１の上面からの位置のずれが、導体層３の上面から絶縁層１１の上面までの距離に対して０％〜３％に収まることをいう。このため、導体層３の影響を受けて生じる信号の伝送損失の値も主線路導体４のどの箇所においても同じにすることができる。特に高周波の信号の伝送の場合には、主線路導体４の表面のみで信号が伝送されるので、主線路導体４の下面が平面であることで、主線路導体４は導体層３から一定の影響を受けることになる。つまり、主線路導体４に生じる伝送損失を考慮するのが容易になり、主線路導体４への入力電力を制御しやすくなる。

また、主線路導体４の上面が幅方向の中央で凸の曲面であることによって、主線路導体４の上面が平面の場合と比較して、線路同士の重なりの位置がずれたとしても電磁的な結合を弱める効果を抑制することができる。なぜならば、もともと主線路導体４の上面が幅方向の中央で凸の曲面であるので、副線路導体５との距離は頂部と端部で差があり、電磁的な結合にも差がある。このため、副線路導体５は主線路導体４と電磁的な結合が弱い箇所との電磁的な結合がさらに弱くなることはあっても、電磁的な結合が強い箇所の結合は保たれたままとなる。つまり、位置ずれに電磁的な結合の大きさが大きく左右されない。このため、副線路導体５は主線路導体４と電磁的な結合によって生じる信号を伝送することができる。

また、例えば図２に示すように主線路導体４の上面および副線路導体５の下面との距離を距離Ｌ２とする。主線路導体４の上面および副線路導体５の下面との距離のうち、主線路導体４の上面において中央で凸の曲面の頂部から副線路導体５の下面までの距離を距離Ｌ３とする。配線基板１は、距離Ｌ３のような箇所を有することによって、主線路導体４の上面および副線路導体５の下面との距離を近くすることができる。主線路導体４の上面および副線路導体５の下面との距離が近い場合には、主線路導体４および副線路導体５との電磁的な結合を強くすることができる。また、距離Ｌ２の値も小さいほど、主線路導体４の上面および副線路導体５の下面とが近づくので、電磁的な結合を強くすることができる。

本発明の一実施形態にかかる主線路導体４が設けられている絶縁層１２の上面には絶縁層１３が設けられている。絶縁層１３は、例えば矩形状であって、大きさは絶縁層１１および絶縁層１２と同じであり、厚みは２５μｍ〜７５μｍである。また、例えば酸化アルミニウム質焼結体、ガラスセラミック焼結体、窒化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、窒化珪素質焼結体または炭化珪素質焼結体等のセラミック焼結材料から成る。

絶縁層１２および絶縁層１３の間には、主線路導体４と重なるようにして主線路導体４の上方に、主線路導体４と電磁的な結合をすることによって生じる信号を伝送する副線路導体５が設けられている。副線路導体５の下面は幅方向の中央で凸の曲面である。

副線路導体５は、主線路導体４と電磁的に結合するものであって、電気伝導率の高い材料を用いる。副線路導体５は、例えば、導体層３および主線路導体４と同様に、銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料、またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料から成る。また、副線路導体５の大きさについては、幅は５０μｍ〜１１０μｍで、厚みは５μｍ〜２０μｍである。また、副線路導体５の線路の長さについては基板２の大きさおよび主線路導体４に対応して、０．８ｍｍ〜４．０ｍｍである。副線路導体５は、主線路導体４と同様に湾曲していてもよい。副線路導体５が湾曲している場合には、基板２の大きさを大きくすることなく、副線路導体５の長さを確保することができる。また、副線路導体５が主線路導体４に沿った形状であることによって、主線路導体４のする精度を高めることができる。

副線路導体５の下面が幅方向の中央で凸であることによって、主線路導体４に近い箇所を設けることができる。このため、副線路導体４が主線路導体５の信号を検出する精度を高めることができる。さらに、副線路導体５の中央の凸の位置が主線路導体４の凸の位置とずれたとしても、主線路導体４の上面が平面の場合と比較して、線路同士の重なりの位置がずれたとしても電磁的な結合を弱める効果を抑制することができる。

このとき、頂部同士の位置が重なっている場合には、頂部同士が最も近づくため、電磁的な結合を強くすることができる。また、頂部同士の位置が重なっていない場合にも、主線路導体の端部付近に電磁的な結合が強くなる箇所を設けることができる。主線路導体および副線路導体との電磁的な結合が強くなることによって、副線路導体に生じる信号から、主線路導体の信号の情報を正確に検出することができる。このため、副線路導体５が主線路導体４の信号を検出する精度を高めることができる。

また、絶縁層１１に設けられた導体層３は、主線路導体４および副線路導体５と外部との間で電磁的なノイズの送受を低減する機能を有している。また、これらの導体層３は、主線路導体４および副線路導体５のインピーダンス値を所定の値に調整する機能を有している。主線路導体４および副線路導体５のそれぞれと導体層３との間で静電容量が生じ、この静電容量の大きさに応じて主線路導体４および副線路導体５のインピーダンス値が所定の値に調整されている。

基板２の上面には、半導体素子等が実装される電極６が設けられている。電極６は、例えば矩形状、または円形状であり、大きさは７５μｍ〜２５０μｍである。厚みは５μｍ〜２５μｍである。電極６は、半導体素子等と電気的に接続するので、電気伝導率の高い材料を用いる。電極６は、例えば銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料である。またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料であってもよい。

このとき、副線路導体５の上面も幅方向に中央で凸の形状であってもよい。この場合には、副線路導体５は上面が平面の場合と比較して、電極６と離れる箇所ができる。図２に
示すように副線路導体５の上面から電極６の下面までの距離を距離Ｌ４とする。副線路導体５の上面および電極６の下面との距離のうち、副線路導体５の上面において中央で凸の曲面の頂部および電極６の下面との距離を距離Ｌ５とする。距離Ｌ５の値が大きいほど副線路導体５の上面および電極６の下面とが近づくので、電極６による電磁的な影響を抑制することができる。また、同じく距離Ｌ４の値も大きいほど、副線路導体５は、電極６からの電磁的な結合が抑制される。

電極６は、図３に示すようにビア導体７を介して副線路導体５と電気的に接続している。ビア導体７は、電気伝導率の高い材料を用いる。ビア導体７は、例えば銅、銀、パラジウム、白金、タングステン、モリブデンもしくはマンガン等の金属材料である。またはこれらの金属材料を含む合金の金属材料であってもよい。

ビア導体７は、副線路導体５および電極６との接続だけではなく、主線路導体４および副線路導体５が外部の回路基板と電気的に接続する場合に用いられる。つまり、基板２の下面あるいは側面に外部の回路基板と接続するための接続端子８を設けた場合に、接続端子８と主線路導体４および副線路導体５との電気的な接続をすることができる。

また、図２に示すように副線路導体５の幅Ｌ７は主線路導体４の幅Ｌ６よりも大きい。このことによって、副線路導体５が主線路導体４の信号を電磁的な結合で検出する際に、幅が同じ場合および幅の大きさが逆転している場合と比較して、主線路導体４と電磁的な結合をする表面積が多くなる。このため、主線路導体４の信号の情報をさらに正確に検出することができるので、副線路導体５が主線路導体４の信号の検出精度を高めることが可能となる。特に、主線路導体４および副線路導体５の幅方向の中央で凸の曲面の頂部同士が対向している場合には、主線路導体４および副線路導体５の距離を最も近づけることができるので、電磁的な結合も強くなる。このため、正確な信号の検出を効果的に行なうことができる。

また、主線路導体４および副線路導体５の組合せは複数あってもよい。この場合に、１組の主線路導体４および副線路導体５は互いに電磁的に結合している。また、各組で主線路導体４の信号の周波数を異なるものにすることで、配線基板１は複数の信号を伝送することが可能となる。

配線基板１が複数の主線路導体４および副線路導体５を有する場合には、全ての主線路導体４は絶縁層１１および絶縁層１２の間に設けられている。この場合には、例えば主線路導体４の下面は平面であり導体層３の上面および主線路導体４の下面との距離Ｌ１は、導体層３および主線路導体４の下面においてどの箇所でも同じである。距離Ｌ１が同じ場合には、主線路導体４の信号における伝送損失をどの主線路導体４においても同じ値にすることができる。伝送損失が同じ値であれば、主線路導体４への入力電力の値を制御するのが容易である。

また、絶縁基板１２および絶縁基板１３の厚みが同じであるとする。主線路導体４の上面および副線路導体５の下面との距離のうち距離Ｌ３と、副線路導体５の上面および電極６の下面との距離のうち距離Ｌ５とを比較した場合には、距離Ｌ３の方が小さい。距離Ｌ３の方が小さい場合には、主線路導体４および副線路導体５との電磁的な結合を強くすることができるとともに副線路導体５において、効果的に電極６からの電磁的な影響を受けにくくすることができる。

＜配線基板の製造方法＞
基板２は、例えば各絶縁層１１、１２および１３がガラスセラミック焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作される。まず、ホウケイ酸ガラス等のガラス粉末と酸化
アルミニウム等のセラミック粉末とからなる原料粉末に適当な有機バインダおよび溶剤等を添加混合してスラリーを作製する。次に、スラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより複数枚のセラミックグリーンシートを作製する。このとき、絶縁層１１は、絶縁層１２および絶縁層１３とガラス粉末の混合量が異なる。ガラス粉末の混合量が異なるとき、絶縁層１１ならびに絶縁層１２および絶縁層１３は、セラミックグリーンシートの硬さが異なるものになる。ガラス粉末の混合量が多い場合にはセラミックグリーンシートが硬いものになる。

その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工により適当な形状とするとともにセラミックグリーンシートを積層して、圧着する。最後にこの積層されたセラミックグリーンシートを還元雰囲気中において約９００〜１０００℃の温度で焼成することによって基板２を作製することができる。圧着の際に、絶縁層１１ならびに絶縁層１２および絶縁層１３の硬さが異なるため、主線路導体４および副線路導体５の形状が異なるものになる。ガラス粉末の混合量が多いセラミックグリーンシートを用いた場合には、セラミックグリーンシートの圧着の際に主線路導体４の下面が、絶縁層１１に減り込み難くなる。このため、主線路導体４の下面を平面にすることができる。

導体層３は、例えば、銅のメタライズ層からなる場合であれば、次のようにして形成することができる。すなわち、まず銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともによく混ざるように練って作製した金属ペーストを、絶縁層１１となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷する。その後、これらを同時焼成する。以上の工程によって、基板２の下面あるいは絶縁層間に、銅のメタライズ層が導体層３として被着される。

また、主線路導体４および副線路導体５は、例えば、銅のメタライズ層からなる場合であれば、銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混ざるように練って作製した金属ペーストを、基板２となるセラミックグリーンシートの所定部位にスクリーン印刷等の方法で印刷し、焼成することによって形成することができる。この場合に所定部位とは、主線路導体４および副線路導体５において、それぞれ絶縁層１１と絶縁層１２との間および絶縁層１２と絶縁層１３との間である。

ビア導体７は、例えば絶縁層１１、１２および１３となるセラミックグリーンシートに貫通孔を設けておいて、貫通孔内に導体層３を形成するのと同様の金属ペーストを充填し、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって設けることができる。貫通孔は、例えば金属ピンを用いた機械的な打ち抜き加工、またはレーザ光を用いた加工等の孔あけ加工によって形成することができる。金属ペーストの貫通孔への充填の際には、真空吸引等の手段を併用して金属ペーストの充填を容易なものとする。

＜高周波モジュールの構成＞
次に、本発明の一実施形態にかかる高周波モジュール１０について、図面を参照しながら説明する。図４は、本発明の一実施形態にかかる高周波モジュール１０の斜視図およびを示しており、図５は、本発明の一実施形態にかかる配線基板１を含む高周波モジュール１０における要部の模式的な回路図を示している。この高周波モジュール１０は、本発明の一実施形態にかかる配線基板１と、半導体素子９を備えている。

配線基板１は、例えば図４に示すように、主線路導体４および副線路導体５の両端がそれぞれ、接続端子８等に電気的に接続され、接続端子８を経て、スイッチ（ＳＷ）、フィルタ素子、アンテナ（ＡＮＴ）または半導体素子（ＩＣ）９等の回路部品が有する回路と電気的に接続されている。これらの配線基板１と回路部品が有する回路とによって、本発明の一実施形態の高周波モジュール１０が形成されている。回路部品と配線基板１とを電
気的に接続する接続用の回路のインピーダンス値は、通常、５０Ωに設定されている。

半導体素子９は、基板２の上面に実装される。例えばスイッチング素子であり、電気回路の一部をオンまたはオフにすることできる素子である。他にもＲＦ特性を有する半導体素子であれば用いることができる。半導体素子９は、例えばフリップチップ方式で実装される。あるいはワイヤボンディング方式で実装されてもよい。

高周波モジュール１０について、配線基板１および回路部品は、例えばプリント回路基板等の母基板２０に搭載されている。また、スイッチ、フィルタ素子、アンテナ等の回路は、母基板２０に直接設けられた電気回路により構成されたものであってもよい。つまり、配線基板１が実装される母基板２０について、スイッチまたはフィルタ等として機能する回路と、母基板２０に搭載される回路部品間を接続する回路とを有するものであってもよい。配線基板１および回路部品と母基板２０との電気的な接続は、例えばそれぞれの接続用の部位同士をはんだ等の導電性接続材で接続することによって行なわれる。

この高周波モジュール１０において、主線路導体４は、例えばパワーアンプで増幅された高周波信号を入力し、送受信あるいは通信帯域を切り替えるスイッチ、または高周波信号の高調波等を取り除くフィルタ等へ出力するための信号線路である。配線基板１から出力された信号は、例えばフィルタで所定の周波数帯域にフィルタリングされ、その後アンテナに伝送されアンテナから外部に送信される。アンテナは、例えば携帯電話機等のアンテナである。

主線路導体４に対して副線路導体５が電磁的に結合されている。主線路導体４と副線路導体５との電磁的な結合を利用して、主線路導体４において伝送される信号の一部が副線路導体５と電磁的に結合される。副線路導体５を伝送する信号が、副線路導体５と電気的に接続されたＩＣ等に伝送されて処理され、主線路導体４を伝送されている信号レベルがモニターされる。このことによって、主線路導体４の信号を検出することができる。つまり、主線路導体４を伝送される信号レベルが、副線路導体５を介して、信号レベルを比較するＩＣに送られる。このＩＣで、例えば設定した信号レベルより入力された信号レベルが低い時はパワーアンプへ出力レベルを上げるようにフィードバックが行われ、信号レベルが高いときは逆となる。

なお、本発明の一実施形態の高周波モジュール１０において、副線路導体５のうちＩＣと接続されている端部と反対側の端部が終端抵抗に接続されている。終端抵抗によって、副線路導体５を伝送された信号に対する終端処理が行なわれる。終端抵抗の抵抗値は、例えばＩＣと同じ程度の抵抗値に設定されている。

終端抵抗は、セラミックチップ抵抗部品等の独立した回路部品であってもよい。配線基板１が実装される母基板に形成された印刷回路等からなるものであってもよい。

接続端子８は、例えばビア導体７の端部のみからなるものでもよく、端部と端部を被覆するメタライズ層等のカバー導体とからなるものでもよい。また、露出表面にニッケルおよび金等のめっき層が被着されているものでもよい。

また、接続端子８が、配線基板１が搭載される母基板２０に含まれる接続用の回路の所定部位にはんだ等の導電性接続材を介して接続される。配線基板１の接続端子８が接続されるプリント回路基板等の母基板２０の接続用の回路を介して、同じく母基板２０に搭載される回路部品（抵抗部品およびＩＣ等）等と電気的に接続される。

なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
において種々の変更、改良等が可能である。例えば、主線路導体４および副線路導体５と基板の接続用の回路との電気的な接続は、必ずしも接続端子８を介して行なわれるものである必要はない。この場合には、主線路導体４または副線路導体５の端部等を基板２の外表面に露出させて、この露出部分に回路部品が直接接続されていてもよい。

以上のような構成を有することによって、主線路導体に流れる信号を正確に測定することが可能な配線基板および高周波モジュールを提供することができる。

１ 配線基板
２ 基板
３ 導体層
４ 主線路導体
５ 副線路導体
６ 電極
９ 半導体素子
１０ 高周波モジュール
１１、１２、１３ 絶縁層

Claims (4)

1. 絶縁層が積層されてなる基板と、
   該基板の下面または前記絶縁層間に設けられた、基準電位に設定される導体層と、
   該導体層の上方の前記絶縁層間に前記導体層に重なるように設けられた、下面が平面であり上面が幅方向の中央で凸の曲面である主線路導体と、
   該主線路導体の上方の前記絶縁層間に前記主線路導体に重なるように設けられた、下面が幅方向の中央で凸の曲面である副線路導体と
   を備えていることを特徴とする配線基板。
2. 前記副線路導体の上方の前記基板の上面に前記副線路導体に重なるように設けられた、素子実装用の電極をさらに備えており、
   該電極の下方に位置する前記副線路導体の上面が幅方向の中央で凸の曲面である
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記主線路導体と前記副線路導体とは、幅方向の中央で凸の曲面の頂部同士が対向しており、前記副線路導体の幅が前記主線路導体の幅よりも大きい
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
4. 請求項１ないし請求項３のいずれか１つに記載の配線基板と、
   前記配線基板の上面に実装された半導体素子とを備えていることを特徴とする高周波モジュール。

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