JP2003023370A - 高周波スイッチモジュール - Google Patents
高周波スイッチモジュールInfo
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- JP2003023370A JP2003023370A JP2001209072A JP2001209072A JP2003023370A JP 2003023370 A JP2003023370 A JP 2003023370A JP 2001209072 A JP2001209072 A JP 2001209072A JP 2001209072 A JP2001209072 A JP 2001209072A JP 2003023370 A JP2003023370 A JP 2003023370A
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- capacitor
- transmission line
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気的特性を維持しながら小型化可能な高周
波スイッチモジュールを得ることを目的とする。 【解決手段】 高周波部品、伝送線路、コンデンサを備
える高周波スイッチを、複数の誘電体層を積層してなり
相対向する第１および第２の主面と当該主面間を連結す
る側面を備えた積層基板に積層一体化した高周波スイッ
チモジュールであって、前記積層基板に前記高周波部品
を搭載するとともに、前記伝送線路、前記コンデンサを
内蔵し、前記積層基板に搭載される高周波部品と前記積
層基板に内蔵される伝送線路、コンデンサを接続する接
続線路を前記第1の主面の近傍の誘電体層に配置し、前
記伝送線路と前記接続線路との層間に、高周波スイッチ
のコンデンサを構成するグランド電極を配置したことを
特徴とした。
波スイッチモジュールを得ることを目的とする。 【解決手段】 高周波部品、伝送線路、コンデンサを備
える高周波スイッチを、複数の誘電体層を積層してなり
相対向する第１および第２の主面と当該主面間を連結す
る側面を備えた積層基板に積層一体化した高周波スイッ
チモジュールであって、前記積層基板に前記高周波部品
を搭載するとともに、前記伝送線路、前記コンデンサを
内蔵し、前記積層基板に搭載される高周波部品と前記積
層基板に内蔵される伝送線路、コンデンサを接続する接
続線路を前記第1の主面の近傍の誘電体層に配置し、前
記伝送線路と前記接続線路との層間に、高周波スイッチ
のコンデンサを構成するグランド電極を配置したことを
特徴とした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は準マイクロ波帯など
の高周波帯域で用いられる高周波複合部品に関し、少な
くとも１つのアンテナで送受信系を取り扱う高周波スイ
ッチモジュールに関する。
の高周波帯域で用いられる高周波複合部品に関し、少な
くとも１つのアンテナで送受信系を取り扱う高周波スイ
ッチモジュールに関する。
【０００２】
【従来の技術】昨今、携帯電話機等に代表される移動体
通信機器の発展は目覚しいものがある。この移動体通信
機器に用いられる高周波部品として、アンテナと送信回
路との接続、アンテナと受信回路との接続を切換えるた
めに使用される高周波スイッチがある。この高周波スイ
ッチは、例えば特開平２−１０８３０１号に開示され、
送信回路とアンテナの間に配置されたダイオードと、ア
ンテナと受信回路との間に配置されたλ／４位相線路と
を有し、λ／４位相線路の受信回路側はダイオードを介
して接地されており、もって各ダイオードに流れるバイ
アス電流により信号経路を切換えるλ／４型スイッチ回
路を構成している。また、このようなλ／４型スイッチ
回路を、低温焼結誘電体セラミック材料を用い積層体一
体化した高周波スイッチモジュールがある（例えば特開
平６−１９７０４０号公報参照）。これらの高周波スイ
ッチは一つの送受信系のみを取り扱うものであるが（例
えばGSM‐Glabal System for Mobile Communications ,
DCS‐Digital Cellular System , PCS‐Personal Comm
unications Service等）、二つ以上の送受信系を取り扱
うように分波器と高周波スイッチを用いて構成される高
周波スイッチモジュール（例えば特開平１１−２２５０
８９号）も開発されている。
通信機器の発展は目覚しいものがある。この移動体通信
機器に用いられる高周波部品として、アンテナと送信回
路との接続、アンテナと受信回路との接続を切換えるた
めに使用される高周波スイッチがある。この高周波スイ
ッチは、例えば特開平２−１０８３０１号に開示され、
送信回路とアンテナの間に配置されたダイオードと、ア
ンテナと受信回路との間に配置されたλ／４位相線路と
を有し、λ／４位相線路の受信回路側はダイオードを介
して接地されており、もって各ダイオードに流れるバイ
アス電流により信号経路を切換えるλ／４型スイッチ回
路を構成している。また、このようなλ／４型スイッチ
回路を、低温焼結誘電体セラミック材料を用い積層体一
体化した高周波スイッチモジュールがある（例えば特開
平６−１９７０４０号公報参照）。これらの高周波スイ
ッチは一つの送受信系のみを取り扱うものであるが（例
えばGSM‐Glabal System for Mobile Communications ,
DCS‐Digital Cellular System , PCS‐Personal Comm
unications Service等）、二つ以上の送受信系を取り扱
うように分波器と高周波スイッチを用いて構成される高
周波スイッチモジュール（例えば特開平１１−２２５０
８９号）も開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図７は、従来の高周波
スイッチモジュールの外観斜視図である。この高周波ス
イッチモジュールは、ＧＳＭとＤＣＳとの２つの送受信
系を取り扱うものであり、図８に示す等価回路のよう
に、分波器と２つの高周波スイッチとローパスフィルタ
を備える。これらを構成する高周波部品（ダイオードＤ
Ｐ１,ＤＰ２,ＤＧ１,ＤＧ２）を複数の誘電体層を積層
してなる６７５０形状の積層基板を搭載し、伝送線路、
コンデンサを積層基板に内蔵して構成される。また、一
部のコンデンサＣＧ１、ＣＧ２をチップ部品として搭載
している。この高周波スイッチモジュールでは前記等価
回路における抵抗、インダクタ等を積層基板に内蔵もし
くは搭載せず、高周波スイッチモジュールが実装される
回路基板に配置しているが、これらは適宜、必要に応じ
て積層基板に内蔵もしくは搭載して構成される。
スイッチモジュールの外観斜視図である。この高周波ス
イッチモジュールは、ＧＳＭとＤＣＳとの２つの送受信
系を取り扱うものであり、図８に示す等価回路のよう
に、分波器と２つの高周波スイッチとローパスフィルタ
を備える。これらを構成する高周波部品（ダイオードＤ
Ｐ１,ＤＰ２,ＤＧ１,ＤＧ２）を複数の誘電体層を積層
してなる６７５０形状の積層基板を搭載し、伝送線路、
コンデンサを積層基板に内蔵して構成される。また、一
部のコンデンサＣＧ１、ＣＧ２をチップ部品として搭載
している。この高周波スイッチモジュールでは前記等価
回路における抵抗、インダクタ等を積層基板に内蔵もし
くは搭載せず、高周波スイッチモジュールが実装される
回路基板に配置しているが、これらは適宜、必要に応じ
て積層基板に内蔵もしくは搭載して構成される。
【０００４】図９は前記積層基板の分解平面図である。
前記高周波部品が搭載される積層基板の第1の主面近傍
（第２層）には高周波部品と伝送線路、コンデンサを接
続する接続線路ＳＬが形成されており、その下層の第３
層、第４層に分波器を構成する伝送線路ＬＦ１、ＬＦ
２、ＬＦ３、ローパスフィルタを構成するＬＰ３、ＬＧ
３が形成され、第５層には分波器のコンデンサＣＦ１、
ＣＦ２、ＣＰ６が形成されていた。上記のように、接続
線路と伝送線路が極めて近傍に配置されている為、高周
波スイッチモジュールを小型化しようとすると、電磁気
的な干渉により所望の電気的特性が得られないといった
問題があった。
前記高周波部品が搭載される積層基板の第1の主面近傍
（第２層）には高周波部品と伝送線路、コンデンサを接
続する接続線路ＳＬが形成されており、その下層の第３
層、第４層に分波器を構成する伝送線路ＬＦ１、ＬＦ
２、ＬＦ３、ローパスフィルタを構成するＬＰ３、ＬＧ
３が形成され、第５層には分波器のコンデンサＣＦ１、
ＣＦ２、ＣＰ６が形成されていた。上記のように、接続
線路と伝送線路が極めて近傍に配置されている為、高周
波スイッチモジュールを小型化しようとすると、電磁気
的な干渉により所望の電気的特性が得られないといった
問題があった。
【０００５】また、高周波スイッチとローパスフィルタ
を構成するコンデンサが第５層から第９層の、積層基板
のほぼ中央領域に形成される。誘電体基板の第1の主面
に実装される高周波部品等と、積層基板に内蔵されるコ
ンデンサ、伝送線路との接続はスルーホール（図中黒丸
で表示）や積層基板の第１および第２の主面と当該主面
間を連結する側面に形成された外部電極によって行う。
従来の高周波モジュールでは、高周波スイッチのアンテ
ナと受信回路との間に配置された伝送線路ＬＧ２、ＬＰ
２の受信回路側を接地するスイッチング素子ＤＧ２、Ｄ
Ｐ２に接続するコンデンサＣＰ６、ＣＧ６と前記高周波
部品との接続は、例えばコンデンサＣＧ６は、第１層〜
第７層に形成されたスルーホールを介して接続し、コン
デンサＣＰ６は、第1層〜第４層に形成されたスルーホ
ールを介して接続される。高周波スイッチは、ＧＳＭ、
DCS送信時において、スイッチング素子ＤＧ２、ＤＰ２
がそれぞれ適宜ＯＮされ高周波的に接地されるため、前
記スイッチング素子とコンデンサとの接続においては、
導体抵抗損を生じないように出来るだけ近距離で接続す
るのが、電気的特性を向上させる上で好ましい。しかし
ながら、従来の高周波スイッチモジュールでは、コンデ
ンサが積層基板のほぼ中央領域に形成されるため、高周
波部品との接続距離を長く取らざるを得ず、結果電気的
特性を向上させることが困難な場合があった。
を構成するコンデンサが第５層から第９層の、積層基板
のほぼ中央領域に形成される。誘電体基板の第1の主面
に実装される高周波部品等と、積層基板に内蔵されるコ
ンデンサ、伝送線路との接続はスルーホール（図中黒丸
で表示）や積層基板の第１および第２の主面と当該主面
間を連結する側面に形成された外部電極によって行う。
従来の高周波モジュールでは、高周波スイッチのアンテ
ナと受信回路との間に配置された伝送線路ＬＧ２、ＬＰ
２の受信回路側を接地するスイッチング素子ＤＧ２、Ｄ
Ｐ２に接続するコンデンサＣＰ６、ＣＧ６と前記高周波
部品との接続は、例えばコンデンサＣＧ６は、第１層〜
第７層に形成されたスルーホールを介して接続し、コン
デンサＣＰ６は、第1層〜第４層に形成されたスルーホ
ールを介して接続される。高周波スイッチは、ＧＳＭ、
DCS送信時において、スイッチング素子ＤＧ２、ＤＰ２
がそれぞれ適宜ＯＮされ高周波的に接地されるため、前
記スイッチング素子とコンデンサとの接続においては、
導体抵抗損を生じないように出来るだけ近距離で接続す
るのが、電気的特性を向上させる上で好ましい。しかし
ながら、従来の高周波スイッチモジュールでは、コンデ
ンサが積層基板のほぼ中央領域に形成されるため、高周
波部品との接続距離を長く取らざるを得ず、結果電気的
特性を向上させることが困難な場合があった。
【０００６】上記高周波スイッチモジュールが用いられ
る高周波回路で用いられる部品は、特性インピーダンス
の値を５０Ωとするのが一般的である。したがって高周
波スイッチは受信信号の周波数付近において特性インピ
ーダンスが５０Ωとなるように設計するのが理想であ
る。この特性インピーダンスは、グランド電極からの距
離、伝送線路の幅等により決定されるが、高周波スイッ
チモジュールの小型化・低背化が進む中で高周波スイッ
チの特性インピーダンスを５０Ωに設定しようとすれ
ば、グランド電極間の間隔が小さくなることから、高周
波スイッチの伝送線路ＬＰ２、ＬＧ２の線路幅を細くせ
ざるを得ず、その結果伝送線路の抵抗が増加してしまい
抵抗損失大させる問題があった。そこで本発明は、この
ような問題点を解消する為になされたものであり、電気
的特性を維持しながら小型化可能な高周波スイッチモジ
ュールを得ることを目的とするものである。
る高周波回路で用いられる部品は、特性インピーダンス
の値を５０Ωとするのが一般的である。したがって高周
波スイッチは受信信号の周波数付近において特性インピ
ーダンスが５０Ωとなるように設計するのが理想であ
る。この特性インピーダンスは、グランド電極からの距
離、伝送線路の幅等により決定されるが、高周波スイッ
チモジュールの小型化・低背化が進む中で高周波スイッ
チの特性インピーダンスを５０Ωに設定しようとすれ
ば、グランド電極間の間隔が小さくなることから、高周
波スイッチの伝送線路ＬＰ２、ＬＧ２の線路幅を細くせ
ざるを得ず、その結果伝送線路の抵抗が増加してしまい
抵抗損失大させる問題があった。そこで本発明は、この
ような問題点を解消する為になされたものであり、電気
的特性を維持しながら小型化可能な高周波スイッチモジ
ュールを得ることを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、高周波部品、
伝送線路、コンデンサを備える高周波スイッチを、複数
の誘電体層を積層してなり相対向する第１および第２の
主面と当該主面間を連結する側面を備えた積層基板に積
層一体化した高周波スイッチモジュールであって、前記
積層基板に前記高周波部品を搭載するとともに、前記伝
送線路、前記コンデンサを内蔵し、前記積層基板に搭載
される高周波部品と前記積層基板に内蔵される伝送線
路、コンデンサを接続する接続線路を前記第1の主面の
近傍の誘電体層に配置し、前記伝送線路と前記接続線路
との層間に、高周波スイッチのコンデンサを構成するグ
ランド電極を配置した高周波スイッチモジュールであ
る。本発明においては、前記高周波部品をスイッチング
素子又は、スイッチング素子とＳＡＷフィルタとし、前
記スイッチング素子がをイオード又は電解効果型トラン
ジスタとするのが好ましい。前記高周波スイッチは、送
信回路とアンテナの間に配置されたスイッチング素子
と、当該スイッチング素子の送信回路側を接地する伝送
線路又はチップインダクタと、アンテナと受信回路との
間に配置された伝送線路と、当該伝送線路の受信回路側
を接地するスイッチング素子とコンデンサを備える構成
が好ましい。
伝送線路、コンデンサを備える高周波スイッチを、複数
の誘電体層を積層してなり相対向する第１および第２の
主面と当該主面間を連結する側面を備えた積層基板に積
層一体化した高周波スイッチモジュールであって、前記
積層基板に前記高周波部品を搭載するとともに、前記伝
送線路、前記コンデンサを内蔵し、前記積層基板に搭載
される高周波部品と前記積層基板に内蔵される伝送線
路、コンデンサを接続する接続線路を前記第1の主面の
近傍の誘電体層に配置し、前記伝送線路と前記接続線路
との層間に、高周波スイッチのコンデンサを構成するグ
ランド電極を配置した高周波スイッチモジュールであ
る。本発明においては、前記高周波部品をスイッチング
素子又は、スイッチング素子とＳＡＷフィルタとし、前
記スイッチング素子がをイオード又は電解効果型トラン
ジスタとするのが好ましい。前記高周波スイッチは、送
信回路とアンテナの間に配置されたスイッチング素子
と、当該スイッチング素子の送信回路側を接地する伝送
線路又はチップインダクタと、アンテナと受信回路との
間に配置された伝送線路と、当該伝送線路の受信回路側
を接地するスイッチング素子とコンデンサを備える構成
が好ましい。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明の実施例について、図１か
ら図６を用いて説明する。図１は本発明の高周波スイッ
チモジュールの外観斜視図であり、図２はその等価回路
であり、図３は積層基板の分解平面図である。本実施例
おいては、積層基板に高周波スイッチの高周波部品とし
てＳＡＷフィルタ、ダイオードＤＧ１、ＤＧ２、ＤＰ
１、ＤＰ２と他に抵抗Ｒ１、Ｒ２、コンデンサＣＧ１、
ＣＧ７、ＣＧ８、ＣＰ７、ＣＰ８を搭載し、コンデンサ
ＣＧ６、ＣＰ６、伝送線路ＬＧ２、ＬＰ２を内蔵し、ロ
ーパスフィルタを構成するコンデンサ、伝送線路、分波
器を構成するコンデンサ、伝送線路をそれぞれ、前記積
層基板に内蔵している。前記積層基板は、例えばアルミ
ナ系ガラスセラミック低温焼結材料からなるグリーンシ
ートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇ、Ｐｄ，Ｃ
ｕ等の導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを
形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成され
る。なお、シートの厚さは２０〜２５０μｍの範囲で、
使用用途によりドクターブレード法などで制御される。
所定のコンデンサ、伝送線路、接続線路等の内部電極パ
ターンを多数形成した大きなシートを積層し、１つ１つ
のチップサイズに切断した後、焼成し、端子電極を形成
して積層基板を作製する。積層基板の表面には、前記内
部電極パターンと接続する端子電極が形成されており、
半田メッキまたはＡｕメッキを施し半田濡れ性を十分得
られるようにしている。第1の主面には、前記高周波部
品等を実装するための端子電極が形成され、第２の主面
には、高周波スイッチモジュールが実装される回路基板
との接続のための端子電極が形成される。前記第1に主
面に形成された端子電極には、メタルマスクを使用して
半田印刷を施し、その後ＰＩＮダイオードや、容量値が
大きく積層素体内に形成出来なかったチップコンデン
サ、ＳＡＷフィルタなどを搭載し、リフロー半田付す
る。
ら図６を用いて説明する。図１は本発明の高周波スイッ
チモジュールの外観斜視図であり、図２はその等価回路
であり、図３は積層基板の分解平面図である。本実施例
おいては、積層基板に高周波スイッチの高周波部品とし
てＳＡＷフィルタ、ダイオードＤＧ１、ＤＧ２、ＤＰ
１、ＤＰ２と他に抵抗Ｒ１、Ｒ２、コンデンサＣＧ１、
ＣＧ７、ＣＧ８、ＣＰ７、ＣＰ８を搭載し、コンデンサ
ＣＧ６、ＣＰ６、伝送線路ＬＧ２、ＬＰ２を内蔵し、ロ
ーパスフィルタを構成するコンデンサ、伝送線路、分波
器を構成するコンデンサ、伝送線路をそれぞれ、前記積
層基板に内蔵している。前記積層基板は、例えばアルミ
ナ系ガラスセラミック低温焼結材料からなるグリーンシ
ートを用意し、そのグリーンシート上にＡｇ、Ｐｄ，Ｃ
ｕ等の導電ペーストを印刷して、所望の電極パターンを
形成し、それを適宜積層し、一体焼成させて構成され
る。なお、シートの厚さは２０〜２５０μｍの範囲で、
使用用途によりドクターブレード法などで制御される。
所定のコンデンサ、伝送線路、接続線路等の内部電極パ
ターンを多数形成した大きなシートを積層し、１つ１つ
のチップサイズに切断した後、焼成し、端子電極を形成
して積層基板を作製する。積層基板の表面には、前記内
部電極パターンと接続する端子電極が形成されており、
半田メッキまたはＡｕメッキを施し半田濡れ性を十分得
られるようにしている。第1の主面には、前記高周波部
品等を実装するための端子電極が形成され、第２の主面
には、高周波スイッチモジュールが実装される回路基板
との接続のための端子電極が形成される。前記第1に主
面に形成された端子電極には、メタルマスクを使用して
半田印刷を施し、その後ＰＩＮダイオードや、容量値が
大きく積層素体内に形成出来なかったチップコンデン
サ、ＳＡＷフィルタなどを搭載し、リフロー半田付す
る。
【０００９】以下、積層基板の各層の構成を、最上層か
ら順に説明する。まず、第１層上には、上面に搭載する
ダイオードやチップ部品やＳＡＷフィルタの端子電極
（ランド）を形成している。第２層上には、上面に搭載
するダイオードやチップ部品と内部電極パターンとの接
続線路ＳＬが形成されている。第３層上には、高周波ス
イッチのコンデンサＣＰ６、ＣＧ６用電極が形成され上
面の高周波部品と極めて近距離で接続するようにしてい
る。第４層上には、前記コンデンサＣＰ６、ＣＧ６を構
成するグランド電極ＧＮＤと他のコンデンサ用電極ＣＦ
４が形成されている。前記コンデンサＣＰ６、ＣＧ６用
電極やグランド電極ＧＮＤと、前記接続線路ＳＬとは、
少なくとも２０μｍ以上離間させて配置すれば、浮遊容
量の影響を小さく構成することが出来る。離間距離が２
０μｍ未満だと、前記浮遊容量の影響で電気的特性が著
しく劣化する。第５層、第６層上にはコンデンサＣＧ
６，ＣＦ４、ＣＦ２用電極が形成され、第７層から第１
２層には、分波器、ローパスフィルタ、高周波スイッチ
を構成する伝送線路が形成されている。この層に形成さ
れる伝送線路は、互いに接続されているものを除いて、
積層方向に重なり合わないように配置するのが好まし
い。第１３層、第１４層上には、コンデンサＣＧ３、Ｃ
Ｇ４、ＣＦ１、ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＦ３用電極が形成さ
れる。この層に形成するコンデンサは上面の高周波部品
等の実装部品と連続して接続しないものや、第２の主面
に形成された端子電極に接続するものを選択し配置する
のが好ましい。最下層の第１５層上には、グランド電極
ＧＮＤがほぼ全面に形成されている。これにより安定し
たアースが確保できる。
ら順に説明する。まず、第１層上には、上面に搭載する
ダイオードやチップ部品やＳＡＷフィルタの端子電極
（ランド）を形成している。第２層上には、上面に搭載
するダイオードやチップ部品と内部電極パターンとの接
続線路ＳＬが形成されている。第３層上には、高周波ス
イッチのコンデンサＣＰ６、ＣＧ６用電極が形成され上
面の高周波部品と極めて近距離で接続するようにしてい
る。第４層上には、前記コンデンサＣＰ６、ＣＧ６を構
成するグランド電極ＧＮＤと他のコンデンサ用電極ＣＦ
４が形成されている。前記コンデンサＣＰ６、ＣＧ６用
電極やグランド電極ＧＮＤと、前記接続線路ＳＬとは、
少なくとも２０μｍ以上離間させて配置すれば、浮遊容
量の影響を小さく構成することが出来る。離間距離が２
０μｍ未満だと、前記浮遊容量の影響で電気的特性が著
しく劣化する。第５層、第６層上にはコンデンサＣＧ
６，ＣＦ４、ＣＦ２用電極が形成され、第７層から第１
２層には、分波器、ローパスフィルタ、高周波スイッチ
を構成する伝送線路が形成されている。この層に形成さ
れる伝送線路は、互いに接続されているものを除いて、
積層方向に重なり合わないように配置するのが好まし
い。第１３層、第１４層上には、コンデンサＣＧ３、Ｃ
Ｇ４、ＣＦ１、ＣＰ３、ＣＰ４、ＣＦ３用電極が形成さ
れる。この層に形成するコンデンサは上面の高周波部品
等の実装部品と連続して接続しないものや、第２の主面
に形成された端子電極に接続するものを選択し配置する
のが好ましい。最下層の第１５層上には、グランド電極
ＧＮＤがほぼ全面に形成されている。これにより安定し
たアースが確保できる。
【００１０】上記のように構成することで、接続線路Ｓ
Ｌと高周波スイッチ、ローパスフィルタ等を構成する伝
送線路とが磁気結合するのをグランド電極で防ぐことが
出来る。また第４層にグランド電極を形成したので、前
記伝送線路を所望の特性インピーダンスにする場合に、
第１５層のグランド電極との距離を確保でき、積層基板
を小型化、特には薄型化する場合であっても、電気的特
性に影響を与えない程度の線路幅で伝送線路を構成する
ことができるので、もって電気的特性を維持しながら５
４４０形状の小型の高周波スイッチモジュールを得るこ
とが出来る。
Ｌと高周波スイッチ、ローパスフィルタ等を構成する伝
送線路とが磁気結合するのをグランド電極で防ぐことが
出来る。また第４層にグランド電極を形成したので、前
記伝送線路を所望の特性インピーダンスにする場合に、
第１５層のグランド電極との距離を確保でき、積層基板
を小型化、特には薄型化する場合であっても、電気的特
性に影響を与えない程度の線路幅で伝送線路を構成する
ことができるので、もって電気的特性を維持しながら５
４４０形状の小型の高周波スイッチモジュールを得るこ
とが出来る。
【００１１】次に他の実施例について説明する。図４は
本発明の高周波スイッチモジュールの部品搭載平面図で
あり、図５はその等価回路であり、図６は積層基板の分
解平面図である。本実施例おいても、積層基板に高周波
スイッチの高周波部品としてＳＡＷフィルタ、ダイオー
ドＤＧ１、ＤＧ２、ＤＰ１、ＤＰ２と他に抵抗Ｒ１、Ｒ
２、コンデンサＣＧ１、ＣＧ７、ＣＧ８、ＣＰ７、ＣＰ
８を搭載し、コンデンサＣＧ６、ＣＰ６、伝送線路ＬＧ
２、ＬＰ２を内蔵し、ローパスフィルタを構成するコン
デンサ、伝送線路、分波器を構成するコンデンサ、伝送
線路をそれぞれ、前記積層基板に内蔵している。
本発明の高周波スイッチモジュールの部品搭載平面図で
あり、図５はその等価回路であり、図６は積層基板の分
解平面図である。本実施例おいても、積層基板に高周波
スイッチの高周波部品としてＳＡＷフィルタ、ダイオー
ドＤＧ１、ＤＧ２、ＤＰ１、ＤＰ２と他に抵抗Ｒ１、Ｒ
２、コンデンサＣＧ１、ＣＧ７、ＣＧ８、ＣＰ７、ＣＰ
８を搭載し、コンデンサＣＧ６、ＣＰ６、伝送線路ＬＧ
２、ＬＰ２を内蔵し、ローパスフィルタを構成するコン
デンサ、伝送線路、分波器を構成するコンデンサ、伝送
線路をそれぞれ、前記積層基板に内蔵している。
【００１２】本実施例では、分波器を構成するコンデン
サＣＦ２、ＣＦ４用電極を第３層から第５層に、コンデ
ンサＣＧ６、ＣＰ６用電極、グランド電極ＧＮＤととも
に形成している。本実施例においては、２枚のグランド
電極でコンデンサＣＧ６、ＣＰ６用電極を挟む構造であ
るため、前記コンデンサ電極と第1の主面の端子電極と
の間で寄生容量を発生させない。このように構成しても
電気的特性を維持しながら小型の高周波スイッチモジュ
ールを得ることが出来きた。
サＣＦ２、ＣＦ４用電極を第３層から第５層に、コンデ
ンサＣＧ６、ＣＰ６用電極、グランド電極ＧＮＤととも
に形成している。本実施例においては、２枚のグランド
電極でコンデンサＣＧ６、ＣＰ６用電極を挟む構造であ
るため、前記コンデンサ電極と第1の主面の端子電極と
の間で寄生容量を発生させない。このように構成しても
電気的特性を維持しながら小型の高周波スイッチモジュ
ールを得ることが出来きた。
【００１３】また本発明においては、積層基板を、最下
層から電極面積の大きいグランド電極、電極面積小さい
伝送線路層、電極面積の大きいグランド電極層という順
で中間層を基準に対称な形で積層形成するため、従来構
造よりもバランスよく電極層を配置することが出来るの
で、焼結時における積層基板の変形防止にも効果があ
る。
層から電極面積の大きいグランド電極、電極面積小さい
伝送線路層、電極面積の大きいグランド電極層という順
で中間層を基準に対称な形で積層形成するため、従来構
造よりもバランスよく電極層を配置することが出来るの
で、焼結時における積層基板の変形防止にも効果があ
る。
【００１４】
【発明の効果】本発明によると、小型化に対応できる高
周波スイッチモジュールを提供することができる。これ
により、マルチバンド携帯電話などにおいて、機器の超
小型化に有効となる。
周波スイッチモジュールを提供することができる。これ
により、マルチバンド携帯電話などにおいて、機器の超
小型化に有効となる。
【図１】本発明に係る一実施例の高周波スイッチモジュ
ールの外観斜視図である。
ールの外観斜視図である。
【図２】本発明に係る一実施例の高周波スイッチモジュ
ールの等価回路である。
ールの等価回路である。
【図３】本発明に係る一実施例に用いた積層基板の分解
平面図である。
平面図である。
【図４】本発明に係る他の実施例における高周波スイッ
チモジュールの外観斜視図である。
チモジュールの外観斜視図である。
【図５】本発明に係る他の実施例における高周波スイッ
チモジュールの等価回路である。
チモジュールの等価回路である。
【図６】本発明に係る他の実施例に用いた積層基板の分
解平面図である。
解平面図である。
【図７】従来の高周波スイッチモジュールの外観斜視図
である。
である。
【図８】従来の高周波スイッチモジュールの等価回路で
ある。
ある。
【図９】従来の積層基板の分解平面図である。
１ 高周波スイッチモジュール
２ 積層基板
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波部品、伝送線路、コンデンサを備
える高周波スイッチを、複数の誘電体層を積層してなり
相対向する第１および第２の主面と当該主面間を連結す
る側面を備えた積層基板に積層一体化した高周波スイッ
チモジュールであって、前記積層基板に前記高周波部品
を搭載するとともに、前記伝送線路、前記コンデンサを
内蔵し、前記積層基板に搭載される高周波部品と前記積
層基板に内蔵される伝送線路、コンデンサを接続する接
続線路を前記第1の主面の近傍の誘電体層に配置し、前
記伝送線路と前記接続線路との層間に、高周波スイッチ
のコンデンサを構成するグランド電極を配置したことを
特徴とする高周波スイッチモジュール。 - 【請求項２】 前記高周波部品がスイッチング素子又
は、スイッチング素子とＳＡＷフィルタであり、前記ス
イッチング素子がダイオード又は電解効果型トランジス
タであることを特徴とする請求項１に記載の高周波スイ
ッチモジュール。 - 【請求項３】 前記高周波スイッチは、送信回路とアン
テナの間に配置されたスイッチング素子と、当該スイッ
チング素子の送信回路側を接地する伝送線路又はチップ
インダクタと、アンテナと受信回路との間に配置された
伝送線路と、当該伝送線路の受信回路側を接地するスイ
ッチング素子とコンデンサを備えることを特徴とする請
求項１又は２に記載の高周波スイッチモジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001209072A JP4565374B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 高周波スイッチモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001209072A JP4565374B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 高周波スイッチモジュール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003023370A true JP2003023370A (ja) | 2003-01-24 |
| JP4565374B2 JP4565374B2 (ja) | 2010-10-20 |
Family
ID=19044778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001209072A Expired - Lifetime JP4565374B2 (ja) | 2001-07-10 | 2001-07-10 | 高周波スイッチモジュール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4565374B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005046071A1 (ja) * | 2003-11-11 | 2005-05-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 高周波モジュール |
| JP2005303757A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アンテナ切換モジュール |
| JP2008048450A (ja) * | 2003-11-11 | 2008-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11313003A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| JP2002305423A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Hitachi Metals Ltd | ローパスフィルタおよびそれを用いた高周波スイッチモジュール |
-
2001
- 2001-07-10 JP JP2001209072A patent/JP4565374B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11313003A (ja) * | 1998-04-28 | 1999-11-09 | Hitachi Metals Ltd | 高周波スイッチモジュール |
| JP2002305423A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Hitachi Metals Ltd | ローパスフィルタおよびそれを用いた高周波スイッチモジュール |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2008306758A (ja) * | 2003-11-11 | 2008-12-18 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波モジュール |
| US7904031B2 (en) | 2003-11-11 | 2011-03-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency module for transmitting and receiving transmission-reception signals of at least three communication systems using a single antenna |
| JP2005303757A (ja) * | 2004-04-14 | 2005-10-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | アンテナ切換モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4565374B2 (ja) | 2010-10-20 |
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