JP2008048450A - 高周波モジュール - Google Patents

Abstract

【課題】例えば、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳの通信信号を単一のアンテナで送受信するための高周波モジュールを比較的小型で、安価に構成する。
【解決手段】高周波モジュールには、アンテナに接続するアンテナ入出力端子ＡＮＴにＲＦ１端子〜ＲＦ４端子のいずれかを選択して接続するＧａＡｓＳＷが備えられている。ＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子にはローパスフィルタＬＰＦ１を介してＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２が接続され、ＲＦ２端子にはローパスフィルタＬＰＦ２を介してＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４が接続されている。ＲＦ３端子にはダイプレクサＤｉＰＸ１０を介してＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１とＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４とが接続され、ＲＦ４端子にはダイプレクサＤｉＰＸ２０を介してＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２とＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３が接続されている。
【選択図】図１

Description

この発明は、それぞれに異なる周波数帯域を送受信帯域とする少なくとも３つの通信系の送受信信号を単一のアンテナを用いて送受信するための高周波モジュールに関するものである。

現在、携帯電話等の無線通信方式にはＣＤＭＡ方式やＴＤＭＡ方式等の複数の仕様が存在し、ＴＤＭＡ方式には、例えば８５０ＭＨｚ帯や９００ＭＨｚ帯を利用するＧＳＭと、１８００ＭＨｚ帯を利用するＤＣＳと、１９００ＭＨｚ帯を利用するＰＣＳが存在し、ＣＤＭＡ方式には、例えば２０００ＭＨｚ帯を利用するＷＣＤＭＡが存在する。

これらのような複数種類の通信信号を一つのアンテナで送受信する場合、実際に通信を行う周波数帯域以外の信号は不要となる。例えば、ＧＳＭ方式（９００ＭＨｚ帯）で送受信する場合には、ＤＣＳ方式（１８００ＭＨｚ帯）やＰＣＳ方式（１９００ＭＨｚ帯）の通信信号や、ＷＣＤＭＡ方式（２０００ＭＨｚ帯）の通信信号は不要となる。

単一のアンテナで複数種の通信信号を送受信する高周波モジュールとしては、例えば、通信信号がＧＳＭ，ＤＣＳ，ＰＣＳ方式の３種類である場合、周波数帯域が大きく異なるＧＳＭ通信信号とＤＣＳ，ＰＣＳ通信信号とを分離するダイプレクサと、ＧＳＭ送信信号とＧＳＭ受信信号とを切り換えるダイオードスイッチ回路と、ＤＣＳ，ＰＣＳ送信信号とＤＣＳ，ＰＣＳ受信信号とを切り換えるダイオードスイッチ回路と、ＤＣＳ受信信号とＰＣＳ受信信号とを切り換えるダイオードスイッチ回路と、を備えたものが従来提案されている（例えば、特許文献１参照）。

また、このような単一のアンテナで複数種類の通信信号を送受信する高周波モジュールとして、アンテナ用のポートに対して複数のポートを切り換えて接続することができる、例えばＧａＡｓＩＣスイッチのような半導体スイッチを用いて、各通信信号を選択して送受信するものも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
特開２０００−１６５２８８公報 特開２００１−１６０７２４公報

しかしながら、上述の特許文献１の高周波モジュールのダイオードスイッチ回路は２つのダイオードを用いて、１つのポート（入出力部）に対する２つのポート（入出力部）の接続を切り換える。例えば、特許文献１の例では、第１ダイオードスイッチ回路（特許文献１における図の高周波スイッチ３）は、ダイプレクサに接続しＤＣＳ／ＰＣＳ送受信信号を入出力するポートと、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子に接続しＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号を入力するポートまたは第２ダイオードスイッチ回路（特許文献１における図の高周波スイッチ４）に接続しＤＣＳ／ＰＣＳ受信信号を出力するポートとを切り換えて接続する。そして、第２ダイオードスイッチ回路は、第１ダイオードスイッチ回路に接続しＤＣＳ／ＰＣＳ受信信号を入力するポートと、ＰＣＳ受信信号出力端子に接続しＰＣＳ受信信号を出力するポートまたはＤＣＳ受信信号出力端子に接続しＤＣＳ受信信号を出力するポートとを切り換えて接続する。このように、特許文献１の高周波モジュールでは、１つのポートと２つのポートとを切り換えて接続するのに少なくとも２つのダイオードを必要とするため、複数の通信系の通信信号の送受信を切り換える高周波モジュールを構成するには多数の回路部品を必要とする。このため、高周波モジュールが小型化しにくくなるとともに、部品点数の増加によるコストアップを招いてしまう。また、このように伝送系に多数の回路部品（素子）を接続するので、伝送される信号の損失が大きくなり、通信特性が悪化する。

また、前述の第１ダイオードスイッチ回路では、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号を入力するポートとＤＣＳ／ＰＣＳ受信信号を出力するポートとで、ＰＣＳ送信信号を伝送する場合にアイソレーションが十分に得られず、ＰＣＳ送信信号がＤＣＳ／ＰＣＳ受信信号を出力するポートを介して第２ダイオードスイッチ回路に入力される。ＰＣＳ送信信号とＤＣＳ受信信号とは周波数帯域が部分的に一致するので、このように第２ダイオードスイッチ回路に入力されたＰＣＳ送信信号はＤＣＳ受信信号出力端子に伝送され、このＤＣＳ受信信号出力端子に接続されたＳＡＷフィルタや、後段の機能回路に伝送される。送信信号はその出力が大きいので、このようにＰＣＳ送信信号がＤＣＳ受信信号出力端子に伝送されることで、前記ＳＡＷフィルタや後段の機能回路素子を破壊する可能性がある。

一方、特許文献２の高周波モジュールでは、１つのＧａＡｓＩＣスイッチで、多種類の通信系の信号を切り換えすることができるため、高周波モジュールの小型化、低損失化は実現できる。しかしながら、ＧａＡｓＩＣスイッチの価格は高く、特に切り換え数の多いＧａＡｓＩＣスイッチになるほどその価格は大幅に高くなる。

この発明の目的は、例えば３種類以上などの複数の通信系の送受信信号間のアイソレーションを十分に確保して、各送受信信号を確実に送受信する高周波モジュールを比較的小型で、安価に構成することにある。

この発明は、それぞれが特定の入出力部から入出力される少なくとも３種類の通信系の送信信号または受信信号をアンテナで送受信するための高周波モジュールにおいて、アンテナに接続されるアンテナ入出力部、および入力される制御信号に応じてアンテナ入出力部との接続が切り替えられる少なくとも３つの信号入出力部を備え、該少なくとも３つの信号入出力部が送信信号のみを入力する信号入出力部と受信信号のみを出力する信号入出力部とからなり、送信信号のみを入力する信号入出力部の少なくとも１つが周波数帯域の近接する２つの送信信号を入力する信号入出力部であり、受信信号のみを出力する信号入出力部の少なくとも1つが少なくとも２つの通信系の受信信号を出力するように構成されたＦＥＴスイッチと、該ＦＥＴスイッチの少なくとも２つの通信系の受信信号が出力される信号入出力部に接続され、２つの通信系の受信信号を分離するダイプレクサと、を備えたことを特徴としている。

さらに、具体的に、この発明は、第１、第２、第３および第４通信系の送信信号または受信信号をアンテナで送受信するための高周波モジュールであって、ＦＥＴスイッチを、第１、第２、第３および第４の信号入出力部が備えられており、第１の信号入出力部にて第１通信系および第２通信系の送信信号を入力し、第２の信号入出力部にて第３通信系および第４通信系の送信信号を入力し、第３の信号入出力部で第１通信系および第４通信系の受信信号を出力し、第４の信号入出力部で第２通信系および第３通信系の受信信号を出力するように構成することを特徴としている。また、この高周波モジュールは、第３の信号入出力部に接続され、第１通信系の受信信号と第４通信系の受信信号とを分離する第１のダイプレクサ、ならびに、第４の信号入出力部に接続され、第２通信系の受信信号と第３通信系の受信信号とを分離する第２のダイプレクサ、を備えたことを特徴としている。

また、具体的に、この発明は、第１、第２および第３通信系の送信信号または受信信号をアンテナで送受信するための高周波モジュールであって、ＦＥＴスイッチを、第１、第２、第３および第４の信号入出力部が備えられており、第１の信号入出力部にて第１通信系の送信信号を入力し、第２の信号入出力部にて前記第２通信系および第３通信系の送信信号を入力し、第３の信号入出力部で第３通信系の受信信号を出力し、第４の信号入出力部で第１通信系の受信信号および第２通信系の受信信号を出力するように構成することを特徴としている。また、この高周波モジュールは、第４の信号入出力部に接続され、第１通信系の受信信号と第２通信系の受信信号とを分離するダイプレクサを備えたことを特徴としている。

上記の各構成では、各通信系に対する高周波モジュールの送信信号入力部、受信信号出力部とアンテナ入出力部との接続をＦＥＴスイッチで切り替えられる。このため、ＦＥＴスイッチの異なる信号入出力部に接続された前記送信信号入力部、受信信号出力部間のアイソレーションが確保される。また、ＦＥＴスイッチの特定の信号入出力部には異なる通信系の受信信号を分離するダイプレクサが接続され、このダイプレクサには、使用周波数帯域が異なる（特に、使用周波数帯域の桁が異なるように使用周波数帯域が大きく異なる）２つの通信系の受信信号の受信信号出力部が接続されている。このため、ＦＥＴスイッチの１つの信号入出力部を２つの通信系で共用しても、ダイプレクサによりこれらの通信系の受信信号が分離されるので、このダイプレクサに接続されている受信信号出力部間のアイソレーションが確保される。さらに、送信信号がその信号経路において、ローパスフィルタとハイパスフィルタとの両方を通過することなく、信号のロスを最小限に抑えることができる。

また、ＦＥＴスイッチはアンテナ入出力部と他の複数の信号入出力部とを切り換えるので、ＦＥＴスイッチとダイプレクサとを用いることで、ダイプレクサとダイオードスイッチ回路とを用いたよりも回路素子数が抑制される。

また、ダイプレクサで２つの通信系の受信信号が分離されるので、ＦＥＴスイッチの１つの信号入出力端子に２つの通信信号が割り当てられ、利用する通信系の送受信信号の数よりもＦＥＴスイッチの信号入出力部の数が少なくできるとともに、利用する通信系の送受信信号の数が増加してもＦＥＴスイッチの信号入出力部の数が増加することが抑制される。さらに、２つの異なる通信系の受信信号が同時に受信されるので、いずれか一方の受信信号を逃すことがない。

また、この発明は、ＦＥＴスイッチがＧａＡｓを用いたＦＥＴスイッチからなることを特徴としている。

また、この発明は、高周波モジュールが誘電体層を積層した積層体を含み、ダイプレクサを構成する各回路素子を誘電体層の表面に形成された電極パターンで形成することを特徴としている。

この構成では、ダイプレクサが高周波モジュールを構成する積層体内部に形成されるので、高周波モジュールが小型化される。

また、この発明は、積層体の最上面に、ＦＥＴスイッチのアンテナ入出力部および各信号入出力部を実装するための複数のランドを形成するとともに、これら複数のランドが配置された略中央に接地電極を形成することを特徴としている。

この構成では、積層体最上面に配列形成された複数のＦＥＴスイッチ用ランドの略中央に接地電極が形成されることで、各ランド間でのアイソレーションが向上する。

また、この発明は、積層体の最下面に該積層体を実装するための複数の電極を形成しており、これら複数の電極における高周波モジュールの送信信号を入力する入出力部の電極とアンテナ入出力部の電極とを積層体の異なる辺に沿ってそれぞれ形成することを特徴としている。

この構成では、送信信号入力部の電極とアンテナ入出力部の電極との間が離間されるので、この間のアイソレーションが確保され、高周波モジュールの送信信号入力部から直接アンテナに送信信号が伝送することが抑制される。

この発明によれば、アンテナにＦＥＴスイッチを接続し、このＦＥＴスイッチに各通信系の信号の一部の入出力部とダイプレクサを接続し、このダイプレクサに残りの入出力部を接続することで、各入出力部間のアイソレーションが確保され、送受信特性に優れる高周波モジュールを構成することができる。また、ＦＥＴスイッチとダイプレクサとを用いることで、ダイオードスイッチ回路とダイプレクサとを用いた場合よりも部品点数が少なくなり、ＦＥＴスイッチのみを用いた場合よりも部品コストが低くなるので、小型で低損失な高周波モジュールを安価に構成することができる。

また、この発明によれば、ダイプレクサを積層体内部に形成することで、さらに小型の高周波モジュールを形成することができる。

また、この発明によれば、積層体の最上面のランド群の略中心に接地電極を形成することで、さらに各入出力部間のアイソレーションが向上し、さらに送受信特性に優れる高周波モジュールを構成することができる。

また、この発明によれば、アンテナ入出力部の電極と送信信号入力部の電極とが離間するため、この間のアイソレーションが確保され、高周波モジュールの送信信号入力部から直接アンテナに送信信号が伝送することが抑制される。

本発明の第１の実施形態に係る高周波モジュールを図１〜図４を参照して説明する。
図１は本実施形態に係る高周波モジュールの構成を示すブロック図であり、図２は本実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す等価回路図である。
なお、本実施形態の説明では、送信信号入力端子Ｔｘ１２からＧＳＭ８５０ＭＨｚの送信信号（以下、「ＧＳＭ８５０送信信号」と称す）またはＧＳＭ９００ＭＨｚの送信信号（以下、「ＧＳＭ９００送信信号」と称す）を入力し、受信信号出力端子Ｒｘ１からＧＳＭ８５０ＭＨｚの受信信号（以下、「ＧＳＭ８５０受信信号」と称す）を出力し、受信信号出力端子Ｒｘ２からＧＳＭ９００ＭＨｚの受信信号（以下、「ＧＳＭ９００送信信号」と称す）を出力する。さらに、送信信号入力端子Ｔｘ３４からＤＣＳ送信信号またはＰＣＳ送信信号を入力し、受信信号出力端子Ｒｘ３からＤＣＳ受信信号を出力し、受信信号出力端子Ｒｘ４からＰＣＳ受信信号を出力する場合について示す。これらの各送信信号入力端子、受信信号出力端子が本発明の「入出力部」に相当する。

ＧａＡｓスイッチＧａＡｓＳＷ（以下、単に「ＧａＡｓＳＷ」と称す）には、アンテナＡＮＴにキャパシタＣａｎｔを介して接続するアンテナ入出力端子ＡＮＴと、ＧＳＭ／ＤＣＳ／ＰＣＳ通信系の送受信信号のいずれかを入出力するＲＦ入出力端子ＲＦ１〜ＲＦ４（以下、単にそれぞれ「ＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子」と称す）と、駆動電圧入力端子Ｖｄｄと、制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２とが形成されている。このＧａＡｓＳＷは駆動電圧Ｖｄｄが印加された状態で、２つの制御信号Ｖｃ１，Ｖｃ２のＯＮ／ＯＦＦの状態の組み合わせにより、アンテナ入出力端子ＡＮＴをＲＦ１端子〜ＲＦ４端子のいずれか１つに接続するように切り替える。このＧａＡｓＳＷは高周波モジュールを形成する積層体の上面に実装されている。このＧａＡｓＳＷが本発明の「ＦＥＴスイッチ」に相当し、アンテナ入出力端子ＡＮＴが本発明の「アンテナ入出力部」に相当し、ＲＦ１端子〜ＲＦ４端子が本発明の「信号入出力部」に相当し、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子が本発明の「少なくとも２つの通信系の送信信号または受信信号が入出力される信号入出力部」に相当する。

ＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子にはローパスフィルタＬＰＦ１の一方端が接続されており、このローパスフィルタＬＰＦ１の他方端にはキャパシタＣｔＬを介してＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００送信信号入力端子Ｔｘ１２が接続されている。
ＧａＡｓＳＷのＲＦ２端子にはローパスフィルタＬＰＦ２の一方端が接続されており、このローパスフィルタＬＰＦ２の他方端にはキャパシタＣｔＨを介してＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４が接続されている。
ＧａＡｓＳＷのＲＦ３端子にはローパスフィルタＬＰＦ１０１とハイパスフィルタ１０２とからなるダイプレクサＤｉＰＸ１０がローパスフィルタＬＰＦ１０１とハイパスフィルタＨＰＦ１０２との接続点で接続されている。そして、ダイプレクサＤｉＰＸ１０のローパスフィルタＬＰＦ１０１の前記接続点側と反対側端部にはキャパシタＣｒＬ２を介してＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１が接続されており、ダイプレクサＤｉＰＸ１０のハイパスフィルタＨＰＦ１０２の前記接続点側と反対側端部にはＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４が接続されている。
ＧａＡｓＳＷのＲＦ４端子にはローパスフィルタＬＰＦ２０１とハイパスフィルタＨＰＦ２０２とからなるダイプレクサＤｉＰＸ２０がローパスフィルタＬＰＦ２０１とハイパスフィルタＨＰＦ２０２との接続点で接続されている。そして、ダイプレクサＤｉＰＸ２０のローパスフィルタＬＰＦ２０１の前記接続点と反対側端部にはキャパシタＣｒＬ１を介してＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２が接続されており、ダイプレクサＤｉＰＸ２０のハイパスフィルタＨＰＦ２０２の前記接続点と反対側端部にはＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３が接続されている。

次に、具体的な回路構成について図２を参照して説明する。

ローパスフィルタＬＰＦ１には入出力部Ｐ１１，Ｐ１２が備えられており、入出力部Ｐ１１はＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子に接続され、入出力部Ｐ１２はキャパシタＣｔＬを介してＧＳＭ８５０／９００送信信号入力端子Ｔｘ１２に接続されている。この入出力部Ｐ１１と入出力部Ｐ１２との間には、キャパシタＴＣｔ１およびインダクタＴＬｔ１の並列回路と、キャパシタＴＣｔ２およびインダクタＴＬｔ２の並列回路とが直列接続されている。この二つの並列回路の接続点と接地との間にはキャパシタＴＣｕ１が接続され、インダクタＴＬｔ２の入出力部Ｐ１２側と接地との間にキャパシタＴＣｕ２が接続されている。

ローパスフィルタＬＰＦ２には入出力部Ｐ２１，Ｐ２２が備えられており、入出力部Ｐ２１はＧａＡｓＳＷのＲＦ２端子に接続され、入出力部Ｐ２２はキャパシタＣｔＨを介してＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４に接続されている。この入出力部Ｐ２１と入出力部Ｐ２２との間には、キャパシタＴＣｔ３およびインダクタＴＬｔ３の並列回路と、キャパシタＴＣｔ４およびインダクタＴＬｔ４の並列回路とが直列接続されている。この二つの並列回路の接続点と接地との間にはキャパシタＴＣｕ３が接続され、インダクタＴＬｔ４の入出力部Ｐ２２側と接地との間にキャパシタＴＣｕ４が接続されている。

ダイプレクサＤｉＰＸ１０には３つの入出力部Ｐ１０１〜Ｐ１０３が備えられている。ＧａＡｓＳＷのＲＦ３端子に接続する入出力部Ｐ１０１はローパスフィルタＬＰＦ１０１を介してＧＳＭ８５０受信信号出力部Ｒｘ１側の入出力部Ｐ１０２に接続されるとともに、ハイパスフィルタＨＰＦ１０２を介してＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４側の入出力部Ｐ１０３に接続されている。ここで、ローパスフィルタＬＰＦ１０１はＧＳＭ８５０受信信号の周波数帯域よりも高域側の信号を減衰するように設定され、ハイパスフィルタＨＰＦ１０２はＰＣＳ受信信号の周波数帯域よりも低域側の信号を減衰するように設定されている。

ローパスフィルタＬＰＦ１０１は、入出力部Ｐ１０１と入出力部Ｐ１０２との間に接続されたキャパシタＲＣｔ３およびインダクタＲＬｔ３の並列回路と、この並列回路の入出力部Ｐ１０２側と接地との間に接続されたキャパシタＲＣｕ２とからなる。また、ハイパスフィルタＨＰＦ１０２は、入出力部Ｐ１０１と入出力部Ｐ１０３との間に直列に接続されたキャパシタＲＣｃ３，ＲＣｃ４と、これらキャパシタＲＣｃ３，ＲＣｃ４の接続点と接地との間に接続されたインダクタＲＬｔ４およびキャパシタＲＣｔ４の直列回路とからなる。

ダイプレクサＤｉＰＸ２０には３つの入出力部Ｐ２０１〜Ｐ２０３が備えられている。ＧａＡｓＳＷのＲＦ４端子に接続する入出力部Ｐ２０１はローパスフィルタＬＰＦ２０１を介してＧＳＭ９００受信信号出力部Ｒｘ２側の入出力部Ｐ２０２に接続されるとともに、ハイパスフィルタＨＰＦ２０２を介してＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３側の入出力部Ｐ２０３に接続されている。ここで、ローパスフィルタＬＰＦ２０１はＧＳＭ９００受信信号の周波数帯域よりも高域側の信号を減衰するように設定され、ハイパスフィルタＨＰＦ２０２はＤＣＳ受信信号の周波数帯域よりも低域側の信号を減衰するように設定されている。

ローパスフィルタＬＰＦ２０１は、入出力部Ｐ２０１と入出力部Ｐ２０２との間に接続されたキャパシタＲＣｔ１およびインダクタＲＬｔ１の並列回路と、この並列回路の入出力部Ｐ１０２側と接地との間に接続されたキャパシタＲＣｕ１とからなる。また、ハイパスフィルタＨＰＦ２０２は、入出力部Ｐ２０１と入出力部Ｐ２０３との間に直列に接続されたキャパシタＲＣｃ１，ＲＣｃ２と、これらキャパシタＲＣｃ１，ＲＣｃ２の接続点と接地との間に接続されたインダクタＲＬｔ２およびキャパシタＲＣｔ２の直列回路とからなる。

上記のローパスフィルタＬＰＦ１，ＬＰＦ２、ダイプレクサＤｉＰＸ１０，ＤｉＰＸ２０を構成する回路素子は後述するように高周波モジュールを構成する積層体の各誘電体層の電極パターンにより形成されている。

次に、この高周波モジュールのＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳ通信信号の送受信動作について説明する。

（１）ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００送信信号伝送時
ＧＳＭ８５０送信信号、ＧＳＭ９００送信信号（以下、総称して「ＧＳＭ送信信号」と称す）を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ１端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１，Ｖｃ２がとも正電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子とアンテナ入出力端子ＡＮＴとが導通する。この時点で、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００送信信号入力端子Ｔｘ１２からＧＳＭ送信信号が入力されると、このＧＳＭ送信信号はローパスフィルタＬＰＦ１を介してＲＦ１端子に入力され、ＲＦ１端子からアンテナ入出力端子ＡＮＴに伝送される。このＧＳＭ送信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからアンテナＡＮＴに出力され、アンテナＡＮＴから外部に送信される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ１端子とが導通し、他のＲＦ２端子〜ＲＦ４端子は開放状態にあるので、ＧＳＭ送信信号は他のＲＦ２端子〜ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＧＳＭ送信信号はＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４、ＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１、ＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４には伝送されない。

（２）ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号伝送時
ＤＣＳ送信信号またはＰＣＳ送信信号（以下、総称して「ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号」と称す）を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ２端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１が正電圧、Ｖｃ２が０電圧または負電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのＲＦ２端子とアンテナ入出力端子ＡＮＴとが導通する。この時点で、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４からＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号が入力されると、このＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号はローパスフィルタＬＰＦ２を介してＲＦ２端子に入力され、ＲＦ２端子からアンテナ入出力端子ＡＮＴに伝送される。このＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからアンテナＡＮＴに出力され、アンテナＡＮＴから外部に送信される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ２端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子は開放状態にあるので、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２、ＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１、ＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４には伝送されない。

（３）ＧＳＭ８５０受信信号伝送時
ＧＳＭ８５０受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１が０電圧または負電圧、Ｖｃ２が正電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ端子ＲＦ３とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＧＳＭ８５０受信信号が入力されると、このＧＳＭ８５０受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ３端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ４端子は開放状態にあるので、ＧＳＭ８５０受信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＧＳＭ８５０受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４、ＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２、およびＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

ＲＦ３端子から出力されたＧＳＭ８５０受信信号はダイプレクサＤｉＰＸ１０の入出力部Ｐ１０１から入力され、ダイプレクサＤｉＰＸ１０のローパスフィルタＬＰＦ１０１を通過して入出力部Ｐ１０２に出力され、キャパシタＣｒＬ２を介してＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１に伝送される。ここで、前述のようにハイパスフィルタＨＰＦ１０２はＰＣＳ受信信号の周波数帯域よりも低域側を減衰させるので、ＧＳＭ８５０受信信号はハイパスフィルタＨＰＦ１０２で減衰されてＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４には伝送されない。

（４）ＧＳＭ９００受信信号伝送時
ＧＳＭ９００受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１，Ｖｃ２がともに０電圧または負電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＧＳＭ９００受信信号が入力されると、このＧＳＭ９００受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ４端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通し、他のＲＦ１端子〜ＲＦ３端子は開放状態にあるので、ＧＳＭ９００受信信号は他のＲＦ１端子〜ＲＦ３端子には伝送されない。これにより、ＧＳＭ９００受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４、ＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４には伝送されない。

ＲＦ４端子から出力されたＧＳＭ９００受信信号はダイプレクサＤｉＰＸ２０の入出力部Ｐ２０１から入力され、ダイプレクサＤｉＰＸ２０のローパスフィルタＬＰＦ２０１を通過して入出力部Ｐ２０２に出力され、キャパシタＣｒＬ１を介してＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２に伝送される。ここで、前述のようにハイパスフィルタＨＰＦ２０２はＤＣＳ受信信号の周波数帯域よりも低域側を減衰させるので、ＧＳＭ９００受信信号はハイパスフィルタＨＰＦ２０２で減衰されてＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

（５）ＤＣＳ受信信号伝送時
ＤＣＳ受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１，Ｖｃ２がともに０電圧または負電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＤＣＳ受信信号が入力されると、このＤＣＳ受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ４端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通し、他のＲＦ１端子〜ＲＦ３端子は開放状態にあるので、ＤＣＳ受信信号は他のＲＦ１端子〜ＲＦ３端子には伝送されない。これにより、ＤＣＳ受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４、ＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ２、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４には伝送されない。

ＲＦ４端子から出力されたＤＣＳ受信信号はダイプレクサＤｉＰＸ２０の入出力部Ｐ２０１に入力され、ダイプレクサＤｉＰＸ２０のハイパスフィルタＨＰＦ２０２を通過して入出力部Ｐ２０３に出力され、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３に伝送される。ここで、前述のようにローパスフィルタＬＰＦ２０１はＧＳＭ９００受信信号の周波数帯域よりも高域側を減衰させるので、ＤＣＳ受信信号はローパスフィルタＬＰＦ２０１で減衰されてＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２には伝送されない。

（６）ＰＣＳ受信信号伝送時
ＰＣＳ受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１が０電圧または負電圧、Ｖｃ２が正電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＰＣＳ受信信号が入力されると、このＰＣＳ受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ３端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ４端子は接続されていないので、ＰＣＳ受信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＰＣＳ受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１２、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４、ＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２、およびＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

ＲＦ３端子から出力されたＰＣＳ受信信号はダイプレクサＤｉＰＸ１０の入出力部Ｐ１０１に入力され、ダイプレクサＤｉＰＸ１０のハイパスフィルタＨＰＦ１０２を通過して入出力部Ｐ１０３に出力され、ＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４に伝送される。ここで、前述のようにローパスフィルタＬＰＦ１０１はＧＳＭ８５０受信信号の周波数帯域よりも高域側を減衰させるので、ＰＣＳ受信信号はローパスフィルタＬＰＦ１０１で減衰されてＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１には伝送されない。

このような構成とすることにより、ＧＳＭ８５０／ＧＳＭ９００／ＤＣＳ／ＰＣＳの４種の通信信号を１つのアンテナから送受信するための高周波モジュールを形成することができる。
そして、少なくとも２つの通信系の送信信号を異なる信号入出力部から入力している（例えば、ＧＳＭ８５０送信信号とＤＣＳ送信信号との関係や、ＧＳＭ９００送信信号とＰＣＳ送信信号との関係）ので、両通信系間のアイソレーションが確保され、高調波歪みが抑制される。

また、このようにダイプレクサを用いて異なる２つの通信系の送信信号または受信信号をＧａＡｓＳＷのＲＦ端子で入出力することにより、すべての送信信号、受信信号をそれぞれ個別のＲＦ端子で入出力するよりもＧａＡｓＳＷのＲＦ端子数を抑制することができる。このため、利用する通信系の全ての送受信信号数よりもＲＦ端子数が少ないＧａＡｓＳＷを用いて、これらの送受信信号を個別に伝送することができるので、分岐数の少ない安価なＧａＡｓＳＷを利用でき、安価な高周波モジュールを構成することができる。
また、特定の端子（この例ではアンテナ入出力端子ＡＮＴ）とその他の複数の端子と（この例の場合ではＲＦ端子ＲＦ１〜ＲＦ４）を選択して接続するＧａＡｓＳＷを用いることで、ダイオードスイッチ回路を用いた場合と比較して高周波モジュールの構成素子数を少なくすることができ、小型で低損失の高周波モジュールを比較的安価に構成することができる。

次に、この高周波モジュールの積層体の構造を図３、図４を参照して説明する。
図３、図４は本実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
本実施形態の積層体型高周波モジュールは、図３、図４に示す各誘電体層１〜２０を順に下から積層してなる。ただし、図３、図４の各図は、各誘電体層１〜２０をそれぞれ下面側（実装基板に向く側）から見た状態を表している。そして、誘電体層２１として示しているものは誘電体層２０の裏面（積層体の上面）、すなわち部品実装面の電極および部品である。なお、図３、図４に示す記号は、図１、図２に示した各素子の記号に対応する。

最下層の誘電体層１の下面には、実装基板への実装のための各種外部端子電極が形成されている。すなわち、ＧＳＭ８５０／９００送信信号入力端子Ｔｘ１２、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４、ＧＳＭ８５０受信信号出力端子Ｒｘ１、ＧＳＭ９００受信信号出力端子Ｒｘ２、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３、ＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ４、各制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２、駆動電圧入力端子Ｖｄｄ、グランド（接地）端子ＧＮＤ、およびアンテナ接続端子ＡＮＴとが形成されている。ここで、アンテナ接続端子ＡＮＴは、ＧＳＭ８５０／９００送信信号入力端子Ｔｘ１２およびＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ３４から離間するように配置されている。例えば、図３に示すように、送信信号入力端子Ｔｘ１２，Ｔｘ３４を積層体の或る側面（図正面から見て左側面）に沿って配置した場合、アンテナ接続端子ＡＮＴをこれに対向する側面（図正面から見て右側面）に沿って配置する。

誘電体層２には共通グランド電極ＧＮＤが形成されており、この共通グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＴＣｕ２，ＴＣｕ３，ＴＣｕ４，ＲＣｕ１，ＲＣｔ４の対向電極ＴＣｕ２ｂ，ＴＣｕ３ｂ，ＴＣｕ４ｂ，ＲＣｕ１ｂ，ＲＣｔ４ｂを兼用している。
誘電体層３にはキャパシタＴＣｕ２，ＴＣｕ３，ＴＣｕ４，ＲＣｕ１，ＲＣｔ４の対向電極ＴＣｕ２ａ，ＴＣｕ３ａ，ＴＣｕ４ａ，ＲＣｕ１ａ，ＲＣｔ４ａが形成されている。 誘電体層４には共通グランド電極ＧＮＤが形成されており、この共通グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＴＣｕ２，ＴＣｕ３，ＴＣｕ４，ＲＣｕ１，ＲＣｔ４，ＴＣｕ１，ＲＣｕ２，ＲＣｔ２の対向電極ＴＣｕ２ｂ，ＴＣｕ３ｂ，ＴＣｕ４ｂ，ＲＣｕ１ｂ，ＲＣｔ４ｂ，ＴＣｕ１ｂ，ＲＣｕ２ｂ，ＲＣｔ２ｂを兼用している。
誘電体層５にはキャパシタＴＣｕ１，ＲＣｕ２，ＲＣｔ２の対向電極ＴＣｕ１ａ，ＲＣｕ２ａ，ＲＣｔ２ａが形成されている。
誘電体層６には共通グランド電極ＧＮＤが形成されており、この共通グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＴＣｕ１，ＲＣｕ２，ＲＣｔ２の対向電極ＴＣｕ１ｂ，ＲＣｕ２ｂ，ＲＣｔ２ｂを兼用している。
誘電体層７にはスルーホールのみが形成されている。

誘電体層８〜１２にはインダクタＴＬｔ１，ＴＬｔ２，ＲＬｔ１，ＲＬｔ２，ＲＬｔ３，ＲＬｔ４が形成されるとともに、誘電体層１０〜１２にはインダクタＴＬｔ３，ＴＬｔ４が形成されている。
誘電体層１３にはスルーホールのみが形成されている。

誘電体層１４にはキャパシタＲＣｔ１，ＲＣｔ３の対向電極ＲＣｔ１ｂ，ＲＣｔ３ａが形成されている。
誘電体層１５にはキャパシタＲＣｔ１，ＲＣｔ３，ＴＣｔ２，ＴＣｔ４の対向電極ＲＣｔ１ａ，ＲＣｔ３ｂ，ＴＣｔ２ａ，ＴＣｔ４ａが形成されている。ここで、対向電極ＲＣｔ１ａ，ＲＣｔ３ｂはそれぞれキャパシタＲＣｃ１，ＲＣｃ３の対向電極ＲＣｃ１ａ，ＲＣｃ３ａを兼用している。
誘電体層１６にはキャパシタＴＣｔ２，ＴＣｔ４，ＲＣｃ１，ＲＣｃ３の対向電極ＴＣｔ２ｂ，ＴＣｔ４ｂ，ＲＣｃ１ｂ，ＲＣｃ３ｂが形成されており、これらの対向電極はそれぞれキャパシタＴＣｔ１，ＴＣｔ３，ＲＣｃ２，ＲＣｃ４の対向電極ＴＣｔ１ａ，ＴＣｔ３ａ，ＲＣｃ２ａ，ＲＣｃ４ａを兼用している。
誘電体層１７にはキャパシタＴＣｔ１，ＴＣｔ３，ＲＣｃ２，ＲＣｃ４，ＲＣｃ１，ＲＣｃ３の対向電極ＴＣｔ１ｂ，ＴＣｔ３ｂ，ＲＣｃ２ｂ，ＲＣｃ４ｂ，ＲＣｃ１ａ，ＲＣｃ３ａが形成されている。
誘電体層１８にはキャパシタＲＣｃ２，ＲＣｃ４の対向電極ＲＣｃ２ａ，ＲＣｃ４ａが形成されている。
誘電体層１９には配線パターンが形成されており、誘電体層２０には下層の接地電極および接地端子ＧＮＤと最上層である誘電体層２０の裏面２１に設けられた各接地電極とを導通する配電パターンが形成されている。

最上層である誘電体層２０の裏面、すなわち積層体の上面２１には、ＧａＡｓＳＷを実装するためのランドが積層体の側壁に沿って配列形成されており、これら配列形成されたランド群の中心に略正方形上で他のランド群よりも広い接地電極ＧＮＤが形成されている。ここで、ランド群の配列は、図４の誘電体層２１の向かって左側の辺に沿って上から順に接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ１端子用ランドＲＦ１、接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ２端子用ランドＲＦ２、接地用ランドＧＮＤであり、下側の辺に沿って左側から順に駆動電圧Ｖｄｄ用ランドＶｄｄ、制御信号Ｖｃ１用ランドＶｃ１であり、右側の辺に沿って下から順に制御信号Ｖｃ２用ランドＶｃ２、接地用ランドＧＮＤ、アンテナ入出力端子用ランドＡＮＴ、接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ３端子用ランドＲＦ３であり、上側の辺に沿って右側から順に接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ４端子用ランドＲＦ４である。このように、配列形成されたランドにＧａＡｓＳＷが実装される。

このように各ＲＦ端子用ランドおよびアンテナ入出力端子ＡＮＴ用ランドの間に接地用ランドを設けることで、ＲＦ端子間およびＲＦ端子とアンテナ入出力端子との間でのアイソレーションが確保される。さらに、このように配列されたランドの中央に広い接地電極ＧＮＤが設けられることで、アイソレーションがさらに向上して通信特性に優れる高周波モジュールを形成することができる。

また、前述のようにダイプレクサを構成する各回路素子を積層体の各誘電体層に形成された電極パターンにより構成することで、ダイプレクサを実装部品で構成するよりも高周波モジュールを小型化することができる。

また、前述のような送信信号入力端子Ｔｘ１２やＴｘ３４とアンテナ接続端子ＡＮＴとが積層体の異なる辺に沿ってそれぞれ形成されているので、これらの端子間が離間してアイソレーションが向上する。これにより、通信特性に優れる高周波モジュールを構成することができる。

次に、本発明の第２の実施形態に係る高周波モジュールを図５〜図８を参照して説明する。
図５は本実施形態に係る高周波モジュールの構成を示すブロック図であり、図６は本実施形態に係る高周波モジュールの構成を示す等価回路図である。
なお、本実施形態の説明では、送信信号入力端子Ｔｘ１からＧＳＭ送信信号を入力し、受信信号出力端子Ｒｘ１からＧＳＭ受信信号を出力する。そして、送信信号入力端子Ｔｘ２３からＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号を入力し、受信信号出力端子Ｒｘ２からＤＣＳ受信信号を出力し、受信信号出力端子Ｒｘ３からＰＣＳ受信信号を出力する場合について示す。これらの各送信信号入力端子、受信信号出力端子、および送受信信号入出力端子が本発明の「入出力部」に相当する。

ＧａＡｓスイッチＧａＡｓＳＷ（以下、単に「ＧａＡｓＳＷ」と称す）には、アンテナＡＮＴにキャパシタＣａｎｔを介して接続するアンテナ入出力端子ＡＮＴと、ＧＳＭ／ＤＣＳ／ＰＣＳ通信系の送受信信号のいずれかを入出力するＲＦ１端子〜ＲＦ４端子と、駆動電圧入力端子Ｖｄｄと、制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２とが形成されている。このＧａＡｓＳＷは駆動電圧Ｖｄｄが印加された状態で、２つの制御信号Ｖｃ１，Ｖｃ２のＯＮ／ＯＦＦの状態の組み合わせにより、アンテナ入出力端子ＡＮＴをＲＦ１端子〜ＲＦ４端子のいずれか１つに接続するように切り換える。このＧａＡｓＳＷは高周波モジュールを形成する積層体の上面に実装されている。このＧａＡｓＳＷが本発明の「ＦＥＴスイッチ」に相当し、アンテナ入出力端子ＡＮＴが本発明の「アンテナ入出力部」に相当し、ＲＦ１端子〜ＲＦ４端子が本発明の「信号入出力部」に相当し、ＲＦ４端子が本発明の「少なくとも２つの通信系の送信信号または受信信号が入出力される信号入出力部」に相当する。

ＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子にはローパスフィルタＬＰＦ４の一方端が接続されており、このローパスフィルタＬＰＦ４の他方端にはキャパシタＣｔＬを介してＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１が接続されている。
ＧａＡｓＳＷのＲＦ２端子にはローパスフィルタＬＰＦ５の一方端が接続されており、このローパスフィルタＬＰＦ５の他方端にはキャパシタＣｔＨを介してＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３が接続されている。
ＧａＡｓＳＷのＲＦ３端子にはＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３が接続されている。
ＧａＡｓＳＷのＲＦ４端子にはローパスフィルタＬＰＦ５０１とハイパスフィルタＨＰＦ５０２とからなるダイプレクサＤｉＰＸ５０がローパスフィルタＬＰＦ５０１とハイパスフィルタＨＰＦ５０２との接続点で接続されている。そして、ダイプレクサＤｉＰＸ５０のローパスフィルタＬＰＦ５０１の前記接続点と反対側端部にはキャパシタＣｒＬ１を介してＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１が接続されており、ダイプレクサＤｉＰＸ５０のハイパスフィルタＨＰＦ５０２の前記接続点と反対側端部にはＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２が接続されている。

次に、具体的な回路構成について図６を参照して説明する。

ローパスフィルタＬＰＦ４には入出力部Ｐ４１，Ｐ４２が備えられており、入出力部Ｐ４１はＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子に接続され、入出力部Ｐ４２はキャパシタＣｔＬを介してＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１に接続されている。この入出力部Ｐ４１と入出力部Ｐ４２との間には、キャパシタＴＣｔ１およびインダクタＴＬｔ１の並列回路とキャパシタＴＣｔ２およびインダクタＴＬｔ２の並列回路との直列回路が接続されている。この２つの並列回路の接続点と接地との間にはキャパシタＴＣｕ１が接続されており、キャパシタＴＣｔ２およびインダクタＴＬｔ２の並列回路の入出力部Ｐ４２側と接地との間にはキャパシタＴＣｕ２が接続されている。

ローパスフィルタＬＰＦ５には入出力部Ｐ５１，Ｐ５２が備えられており、入出力部Ｐ５１はＧａＡｓＳＷのＲＦ２端子に接続され、入出力部Ｐ５２はキャパシタＣｔＨを介してＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３に接続されている。この入出力部Ｐ５１と入出力部Ｐ５２との間には、キャパシタＴＣｔ３およびインダクタＴＬｔ３の並列回路とインダクタＴＬｔ４とが直列接続されている。この２つのインダクタＴＬｔ３，ＴＬｔ４の接続点と接地との間にはキャパシタＴＣｕ３が接続されており、インダクタＴＬｔ４の入出力部Ｐ５２側と接地との間にはキャパシタＴＣｕ４が接続されている。

ダイプレクサＤｉＰＸ５０には３つの入出力部Ｐ５０１〜Ｐ５０３が備えられている。ＧａＡｓＳＷのＲＦ４端子に接続する入出力部Ｐ５０１はローパスフィルタＬＰＦ５０１を介してＧＳＭ受信信号出力部Ｒｘ１側の入出力部Ｐ５０２に接続されるとともに、ハイパスフィルタＨＰＦ５０２を介してＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２側の入出力部Ｐ５０３に接続されている。ここで、ローパスフィルタＬＰＦ５０１はＧＳＭ受信信号の周波数帯域よりも高域側の信号を減衰するように設定され、ハイパスフィルタＨＰＦ５０２はＤＣＳ受信信号の周波数帯域よりも低域側の信号を減衰するように設定されている。

ローパスフィルタＬＰＦ５０１は、入出力部Ｐ５０１と入出力部Ｐ５０２との間に接続されたキャパシタＲＣｔ１およびインダクタＲＬｔ１の並列回路からなる。また、ハイパスフィルタＨＰＦ５０２は、入出力部Ｐ５０１と入出力部Ｐ５０３との間に接続されたキャパシタＲＣｃ１と、このキャパシタＲＣｃ１の入出力部Ｐ５０３側と接地との間に接続されたインダクタＲＬｔ２およびキャパシタＲＣｔ２の直列回路とからなる。

上記のローパスフィルタＬＰＦ４，ＬＰＦ５、ダイプレクサＤｉＰＸ５０を構成する回路素子は後述するように高周波モジュールを構成する積層体の各誘電体層の電極パターンにより形成されている。

次に、この高周波モジュールのＧＳＭ／ＤＣＳ／ＰＣＳ通信信号の送受信動作について説明する。

（１）ＧＳＭ送信信号伝送時
ＧＳＭ送信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ１端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１，Ｖｃ２がともに正電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのＲＦ１端子とアンテナ入出力端子ＡＮＴとが導通する。この時点で、ＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１からＧＳＭ送信信号が入力されると、このＧＳＭ送信信号はローパスフィルタＬＰＦ４を介してＲＦ１端子に入力され、ＲＦ１端子からアンテナ入出力端子ＡＮＴに伝送される。このＧＳＭ送信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからアンテナＡＮＴに出力され、アンテナＡＮＴから外部に送信される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ１端子とが導通し、他のＲＦ２端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子は開放状態にあるので、ＧＳＭ送信信号は他のＲＦ２端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＧＳＭ送信信号はＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３、ＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

（２）ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号伝送時
ＤＣＳ送信信号またはＰＣＳ送信信号（以下、総称して「ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号」と称す）を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ２端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１が正電圧、Ｖｃ２が０電圧または負電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのＲＦ２端子とアンテナ入出力端子ＡＮＴとが導通する。この時点で、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３からＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号が入力されると、このＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号はローパスフィルタＬＰＦ５を介してＲＦ２端子に入力され、ＲＦ２端子からアンテナ入出力端子ＡＮＴに伝送される。このＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからアンテナＡＮＴに出力され、アンテナＡＮＴから外部に送信される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ２端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子は開放状態にあるので、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ３端子、ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１、ＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

（３）ＧＳＭ受信信号伝送時
ＧＳＭ受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１，Ｖｃ２がともに０電圧または負電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＧＳＭ受信信号が入力されると、このＧＳＭ受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ４端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ３端子は開放状態にあるので、ＧＳＭ受信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ３端子には伝送されない。これにより、ＧＳＭ受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

ＲＦ４端子から出力されたＧＳＭ受信信号はダイプレクサＤｉＰＸ５０の入出力部Ｐ５０１に入力され、ダイプレクサＤｉＰＸ５０のローパスフィルタＬＰＦ５０１を通過して入出力部Ｐ５０２に出力され、キャパシタＣｒＬ１を介してＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１に伝送される。ここで、前述のようにハイパスフィルタＨＰＦ５０２はＤＣＳ受信信号の周波数帯域よりも低域側を減衰させるので、ＧＳＭ受信信号はハイパスフィルタＨＰＦ５０２で減衰されてＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２には伝送されない。

（４）ＤＣＳ受信信号伝送時
ＤＣＳ受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１，Ｖｃ２がともに０電圧または負電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＤＣＳ受信信号が入力されると、このＤＣＳ受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ４端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ４端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ３端子は開放状態にあるので、ＤＣＳ受信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ３端子には伝送されない。これにより、ＤＣＳ受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３、およびＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３には伝送されない。

ＲＦ４端子から出力されたＤＣＳ受信信号はダイプレクサＤｉＰＸ５０の入出力部Ｐ５０１に入力され、ダイプレクサＤｉＰＸ５０のハイパスフィルタＨＰＦ５０２を通過して入出力部Ｐ５０３に出力され、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２に伝送される。ここで、前述のようにローパスフィルタＬＰＦ５０１はＧＳＭ受信信号の周波数帯域よりも高域側を減衰させるので、ＤＣＳ受信信号はローパスフィルタＬＰＦ５０１で減衰されてＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１には伝送されない。

（５）ＰＣＳ受信信号伝送時
ＰＣＳ受信信号を伝送する場合、ＧａＡｓＳＷの制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２にアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とを接続するための制御信号を入力する。この組み合わせの制御信号（例えば、Ｖｃ１が０電圧または負電圧、Ｖｃ２が正電圧の制御信号）が入力されると、ＧａＡｓＳＷのアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とが導通する。この時点で、アンテナ入出力端子ＡＮＴからＰＣＳ受信信号を入力すると、このＰＣＳ受信信号はアンテナ入出力端子ＡＮＴからＲＦ３端子に伝送される。ここで、ＧａＡｓＳＷではアンテナ入出力端子ＡＮＴとＲＦ３端子とが導通し、他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ４端子は開放状態にあるので、ＰＣＳ受信信号は他のＲＦ１端子、ＲＦ２端子、ＲＦ４端子には伝送されない。これにより、ＰＣＳ受信信号はＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３、ＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１、およびＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２には伝送されない。

ＲＦ３端子から出力されたＤＣＳ受信信号はＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３に伝送される。

このような構成とすることにより、ＧＳＭ／ＤＣＳ／ＰＣＳの３種の通信信号を１つのアンテナから送受信するための高周波モジュールを形成することができる。

次に、この高周波モジュールの積層体の構造を図７、図８を参照して説明する。
図７、図８は本実施形態に係る高周波モジュールの積層図である。
積層基板型の高周波モジュールは、図７、図８に示す各誘電体層１〜２０を順に下から積層してなる。ただし、図７、図８の各図は、各誘電体層１〜２０をそれぞれ下面側（実装基板に向く側）から見た状態を表している。そして、誘電体層２１として示しているものは誘電体層２０の裏面（積層体の上面）、すなわち部品実装面の電極および部品である。なお、図７、図８に示す記号は、図５、図６に示した各素子の記号に対応する。

最下層の誘電体層１の下面には、実装基板への実装のための各種外部端子電極が形成されている。すなわち、ＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１、ＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３、ＧＳＭ受信信号出力端子Ｒｘ１、ＤＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ２、ＰＣＳ受信信号出力端子Ｒｘ３、各制御信号入力端子Ｖｃ１，Ｖｃ２、駆動電圧入力端子Ｖｄｄ、２つのグランド（接地）端子ＧＮＤ、およびアンテナ接続端子ＡＮＴが形成されている。ここで、アンテナ接続端子ＡＮＴは、ＧＳＭ送信信号入力端子Ｔｘ１およびＤＣＳ／ＰＣＳ送信信号入力端子Ｔｘ２３から離間するように配置されている。例えば、図７に示すように、送信信号入力端子Ｔｘ１，Ｔｘ２３を積層体の或る側面（図正面から見て左側面）に沿って配置した場合、アンテナ接続端子ＡＮＴをこれに対向する側面（図正面から見て右側面）に沿って配置する。

誘電体層２には共通グランド電極ＧＮＤが形成されており、この共通グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＴＣｕ３，ＲＣｔ２の対向電極ＴＣｕ３ｂ，ＲＣｔ２ｂを兼用している。
誘電体層３にはキャパシタＴＣｕ３，ＲＣｔ２の対向電極ＴＣｕ３ａ，ＲＣｔ２ａが形成されている。
誘電体層４には共通グランド電極ＧＮＤが形成されており、この共通グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＴＣｕ３，ＲＣｔ２，ＴＣｕ１，ＴＣｕ２の対向電極ＴＣｕ３ｂ，ＲＣｔ２ｂ，ＴＣｕ１ｂ，ＴＣｕ２ｂを兼用している。
誘電体層５にはキャパシタＴＣｕ１，ＴＣｕ２の対向電極ＴＣｕ１ａ，ＴＣｕ２ａが形成されている。
誘電体層６には共通グランド電極ＧＮＤが形成されており、この共通グランド電極ＧＮＤは、キャパシタＴＣｕ１，ＴＣｕ２の対向電極ＴＣｕ１ｂ，ＴＣｕ２ｂを兼用している。

誘電体層７〜１２にはインダクタＴＬｔ２，ＴＬｔ４，ＲＬｔ１，ＲＬｔ２が形成され、誘電体層８〜１２にはインダクタＴＬｔ１が形成され、誘電体層８〜１１にはインダクタＴＬｔ３が形成されている。

誘電体層１３にはキャパシタＲＣｔ１の対向電極ＲＣｔ１ｂが形成されている。
誘電体層１４にはキャパシタＲＣｔ１，ＴＣｔ２，ＴＣｔ３の対向電極ＲＣｔ１ａ，ＴＣｔ２ａ，ＴＣｔ３ａが形成されている。
誘電体層１５にはキャパシタＲＣｔ１，ＴＣｔ２，ＴＣｔ３の対向電極ＲＣｔ１ｂ，ＴＣｔ２ｂ，ＴＣｔ３ｂが形成されている。ここで、対向電極ＴＣｔ２ｂはキャパシタＴＣｔ１の対向電極ＴＣｔ１ａを兼用している。
誘電体層１６にはキャパシタＲＣｔ１，ＴＣｔ１の対向電極ＲＣｔ１ａ，ＴＣｔ１ｂが形成されている。
誘電体層１７にはキャパシタＲＣｔ１の対向電極ＲＣｔ１ｂが形成されており、誘電体層１８にはキャパシタＲＣｔ１の対向電極ＲＣｔ１ａが形成されている。
誘電体層１９には配線パターンが形成されており、誘電体層２０には下層の接地電極および接地端子ＧＮＤと最上層である誘電体層２０の裏面２１に設けられた各接地電極および接地用ランドとを導通する配電パターンが形成されている。

最上層である誘電体層２０の裏面、すなわち積層体の上面２１には、ＧａＡｓＳＷを実装するためのランドが積層体の側壁に沿って配列形成されており、これら配列形成されたランド群の中心に略正方形上で他のランド群よりも広い接地電極ＧＮＤが形成されている。ここで、ランド群の配列は、図８の誘電体層２１の向かって左側の辺に沿って上から順に接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ１端子用ランドＲＦ１、接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ２端子用ランドＲＦ２、接地用ランドＧＮＤであり、下側の辺に沿って左側から順に駆動電圧Ｖｄｄ用ランドＶｄｄ、制御信号Ｖｃ１用ランドＶｃ１であり、右側の辺に沿って下から順に制御信号Ｖｃ２用ランドＶｃ２、接地用ランドＧＮＤ、アンテナ入出力端子用ランドＡＮＴ、接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ３端子用ランドＲＦ３であり、上側の辺に沿って右側から順に接地用ランドＧＮＤ、ＲＦ４端子用ランドＲＦ４である。このように、配列形成されたランドにＧａＡｓＳＷが実装される。

このように、前述の第１の実施形態に示した高周波モジュールと同じ構成を、ＧＳＭ／ＤＣＳ／ＰＣＳ通信信号を単一のアンテナで送受信するための高周波モジュールにも適用することができ、第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。

なお、前述の各実施形態では、ＧａＡｓＳＷを用いて説明したが、１つの特定端子を他の複数の端子に選択して接続するＦＥＴスイッチであれば、前述の各実施形態に示す構成を適用することができ、前述の効果を奏することができる。

第１の実施形態に係る高周波モジュールのブロック図である。 第１の実施形態に係る高周波モジュールの等価回路図である。 図１、図２に示した高周波モジュールの積層図である。 図１、図２に示した高周波モジュールの積層図である。 第２の実施形態に係る高周波モジュールのブロック図である。 第２の実施形態に係る高周波モジュールの等価回路図である。 図５、図６に示した高周波モジュールの積層図である。 図５、図６に示した高周波モジュールの積層図である。

符号の説明

ＧａＡｓＳＷ−ＧａＡｓＩＣスイッチ
ＤｉＰＸ１０，２０，３０，４０，５０−ダイプレクサ
ＬＰＦ１〜５，１０１，２０１，３０１，４０１，５０１−ローパスフィルタ
ＨＰＦ１０２，２０２，３０２，４０２，５０２−ハイパスフィルタ

Claims (9)

1. それぞれが特定の入出力部から入出力される少なくとも３種類の通信系の送信信号または受信信号をアンテナで送受信するための高周波モジュールにおいて、
   前記アンテナに接続されるアンテナ入出力部、および入力される制御信号に応じて前記アンテナ入出力部との接続が切り替えられる少なくとも３つの信号入出力部を備え、該少なくとも３つの信号入出力部が前記送信信号のみを入力する信号入出力部と前記受信信号のみを出力する信号入出力部とからなり、前記送信信号のみを入力する信号入出力部の少なくとも１つが周波数帯域の近接する２つの送信信号を入力する信号入出力部であり、前記受信信号のみを出力する信号入出力部の少なくとも1つが少なくとも２つの通信系の受信信号を出力するように構成されたＦＥＴスイッチと、
   該ＦＥＴスイッチの前記少なくとも２つの通信系の受信信号が出力される信号入出力部に接続され、前記２つの通信系の受信信号を分離するダイプレクサと、を備えたことを特徴とする高周波モジュール。
2. 第１、第２、第３および第４通信系の送信信号または受信信号をアンテナで送受信するための高周波モジュールであって、
   前記ＦＥＴスイッチは、第１、第２、第３および第４の信号入出力部を備えており、前記第１の信号入出力部にて前記第１通信系および前記第２通信系の送信信号が入力され、前記第２の信号入出力部にて前記第３通信系および第４通信系の送信信号が入力され、前記第３の信号入出力部で第１通信系および第４通信系の受信信号が出力され、前記第４の信号入出力部で前記第２通信系および第３通信系の受信信号が出力されるように構成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
3. 前記第３の信号入出力部に接続され、前記第１通信系の受信信号と前記第４通信系の受信信号とを分離する第１のダイプレクサ、ならびに、前記第４の信号入出力部に接続され、前記第２通信系の受信信号と第３通信系の受信信号とを分離する第２のダイプレクサ、を備える請求項２に記載の高周波モジュール。
4. 第１、第２および第３通信系の送信信号または受信信号をアンテナで送受信するための高周波モジュールであって、
   前記ＦＥＴスイッチは、第１、第２、第３および第４の信号入出力部を備えており、前記第１の信号入出力部にて前記第１通信系の送信信号が入力され、前記第２の信号入出力部にて前記第２通信系および第３通信系の送信信号が入力され、前記第３の信号入出力部で前記第３通信系の受信信号が出力され、前記第４の信号入出力部で前記第１通信系の受信信号および第２通信系の受信信号が出力されるように構成されている、請求項１に記載の高周波モジュール。
5. 前記第４の信号入出力部に接続され、前記第１通信系の受信信号と前記第２通信系の受信信号とを分離するダイプレクサを備える、請求項４に記載の高周波モジュール。
6. 前記ＦＥＴスイッチは、ＧａＡｓを用いたＦＥＴスイッチからなる請求項１〜５のいずれかに記載の高周波モジュール。
7. 前記高周波モジュールは誘電体層が積層された積層体を含み、
   前記ダイプレクサを構成する各回路素子は前記誘電体層の表面に形成された電極パターンよりなる請求項１〜６のいずれかに記載の高周波モジュール。
8. 前記積層体の最上面には、前記ＦＥＴスイッチのアンテナ入出力部および各信号入出力部を実装するための複数のランドが形成されているとともに、該複数のランドが配置された略中央に接地電極が形成されている請求項７に記載の高周波モジュール。
9. 前記積層体の最下面には、該積層体を実装基板に実装するための複数の電極が形成されており、
   該複数の電極における送信信号を入力するための前記入出力部の電極とアンテナ入出力部の電極とが、前記積層体の異なる辺に沿って形成されている請求項７または請求項８に記載の高周波モジュール。

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