JP6498967B2 - パッシベーション膜の製造方法、パッシベーション膜、それを用いた太陽電池素子 - Google Patents
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Description
[1]
ジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム又はそれらの混合物からなるアルキルアルミニウム化合物(但し、ジアルキルアルミニウム及びトリアルキルアルミニウムが有するアルキル基は炭素数1〜6であり、同一又は異なってもよい)、及び、電子供与性を有しかつ活性水素原子を含有しない有機溶媒を含有するアルキルアルミニウム化合物含有溶液からなるパッシベーション膜形成剤。
[2]
前記ジアルキルアルミニウム及び/又はトリアルキルアルミニウムが下記一般式(1)又は(2)で表されるアルキルアルミニウム化合物である、[1]に記載のパッシベーション膜形成剤。
[3]
前記一般式(1)で表されるアルキルアルミニウム化合物がトリエチルアルミニウムである、[2]に記載のパッシベーション膜形成剤。
[4]
前記トリエチルアルミニウムのアルキルアルミニウム化合物含有溶液における含有量1質量%以上、10質量%以下である[3]に記載のパッシベーション膜形成剤。
[5]
[1]〜[4]に記載のパッシベーション膜形成剤を平均粒径が1〜100μmの液滴にしてシリコン基材の裏面の少なくとも一部に塗布して塗膜を形成すること、及び形成した塗膜を、有機溶媒を乾燥後、または有機溶媒の乾燥と並行して、加熱して酸化アルミニウムとすることでパッシベーション膜を形成することを特徴とするパッシベーション膜を有するシリコン基材の製造方法。
[6]
前記液滴は、平均粒径が3〜30μmの範囲であることを特徴とする[5]記載の製造方法。
[7]
前記塗布をスプレー塗布法により行う、[5]又は[6]に記載の製造方法。
[8]
スプレー塗布時の基板温度が300〜550℃の範囲であること、及び/又は、スプレー塗布後の加熱における温度が300〜550℃の範囲である、[7]に記載の製造方法。
[9]
[5]〜[8]のいずれか1項に記載の方法により製造されたことを特徴とする、パッシベーション膜を有するシリコン基板。
[10]
[9]に記載のパッシベーション膜を有するシリコン基板を用いた太陽電池素子。
本発明はパッシベーション膜形成剤に関する。パッシベーション膜とは、「シリコン基板の裏面の少なくとも一部に設け、シリコン基板におけるキャリアの裏面再結合を抑制する膜」を意味する。パッシベーション膜を設けるシリコン基板には特に制限はない。但し、シリコン基板におけるキャリアの裏面再結合を抑制する必要性が高いという観点からは、結晶性シリコン等のシリコン基板であることができる。
本発明のパッシベーション膜を有するシリコン基板の製造方法は、前記本発明のパッシベーション膜形成剤として説明したアルキルアルミニウム化合物含有溶液をシリコン基材の裏面の少なくとも一部に塗布して塗膜を形成すること、及び形成した塗膜を、有機溶媒を乾燥後、または有機溶媒の乾燥と並行して、加熱して酸化アルミニウムとすることで、パッシベーション膜を形成することを含む、酸化アルミニウムからなるパッシベーション膜を有するシリコン基板を得る方法である。
本発明は、前記本発明のパッシベーション膜を有するシリコン基板を用いた太陽電池素子を包含する。
トリアルキルアルミニウムのモル数は以下の式より算出した。
[トリアルキルアルミニウムのモル数]
=[導入したトリアルキルアルミニウムの質量(g)]/[トリアルキルアルミニウムの分子量(トリエチルアルミニウムの場合114.16)]
本発明のスプレーノズルを用いて形成された液滴の平均粒径(50%体積径)は、レーザー光散乱方式粒度分布測定装置(日機装社製「スプレー粒子径分布測定装置CTエアロトラック LDSA−3500A」)を用いて、スプレーノズルより20cmの距離の液滴を測定した。
テトラヒドロフラン(以下THF)18.1gにトリエチルアルミニウム(東ソー・ファインケム社製)2.01gを25℃で加え、十分攪拌することにより10質量%のトリエチルアルミニウムTHF溶液(以下溶液A)を得た。
実施例1で得られた膜を、さらに水素5vol%、窒素95vol%から構成されるフォーミングガス雰囲気下で400℃、5分追加焼成した。得られた膜の実効ライフタイムは698μsに上昇し、再結合速度は21.5cm/sとなった。
ジイソプロピルエーテル18.1gにトリエチルアルミニウム(東ソー・ファインケム社製)2.00gを25℃で加え、十分攪拌することにより10質量%のトリエチルアルミニウムジイソプロピルエーテル溶液(以下溶液B)を得た。
実施例3で得られた膜を、さらに水素5vol%、窒素95vol%から構成されるフォーミングガス雰囲気下で400℃、5分追加焼成した。得られた膜の実効ライフタイムは821μsに上昇し、再結合速度は18.3cm/sとなった。
2 基材ホルダ(ヒーター付)
3 スプレーノズル
4 高圧窒素ボンベ
5 基材
6 水分導入口
7 不活性ガス導入口
8 排気口
9 囲い
11 シリコン半導体基板
12 n+層
13 反射防止兼パッシベーション薄膜
14 パッシベーション薄膜
15 グリッド電極
16 アルミニウム電極
17 Al−Si合金層
18 P+層
100 太陽電池素子
Claims (10)
- トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム又はそれらの混合物からなるアルキルアルミニウム化合物、及び、電子供与性を有しかつ活性水素原子を含有しない有機溶媒を含有し、前記アルキルアルミニウム化合物の含有量が1質量%以上、10質量%以下であるアルキルアルミニウム化合物含有溶液からなり、かつ実効ライフタイムが150〜2000μsであるパッシベーション膜形成剤。
- 前記アルキルアルミニウム化合物がトリエチルアルミニウムである、請求項1に記載のパッシベーション膜形成剤。
- 請求項1又は2に記載のパッシベーション膜形成剤を平均粒径が1〜100μmの液滴にしてシリコン基材の裏面の少なくとも一部に塗布して塗膜を形成すること、及び前記シリコン基材への塗布は加熱した基材に対して行い、有機溶媒の乾燥及び加熱による酸化アルミニウムの形成を同時に行うことで実効ライフタイムが150〜2000μsであるパッシベーション膜を形成することを特徴とするパッシベーション膜を有するシリコン基材の製造方法。
- 前記液滴は、平均粒径が3〜30μmの範囲であることを特徴とする請求項3記載の製造方法。
- 前記塗布をスプレー塗布法により行う、請求項3又は4に記載の製造方法。
- スプレー塗布の基板温度及び加熱温度が300〜550℃の範囲である、請求項5に記載の製造方法。
- シリコン基材として太陽電池素子用のシリコン基板を用い、その一方の面に請求項3〜6のいずれか1項に記載の方法により酸化アルミニウムからなる実効ライフタイムが150〜2000μsであるパッシベーション膜を形成し、得られたパッシベーション膜を有するシリコン基板を用いて太陽電池素子を得る、太陽電池素子の製造方法。
- 前記シリコン基板は、酸化アルミニウムからなるパッシベーション膜と反対側の面に反射防止兼パッシベーション膜及びグリッド電極を有し、酸化アルミニウムからなるパッシベーション膜を有する側の面にアルミニウム電極を有する、請求項7に記載の製造方法。
- 前記シリコン基板は、アルミニウム電極との間にAl−Si合金層を有する、請求項8に記載の製造方法。
- 前記シリコン基板は、p型シリコン半導体基板であり、反射防止兼パッシベーション膜側にn型不純物層を有し、Al−Si合金層との間にp + 層を有する、請求項9に記載の製造方法。
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