JP6494681B2 - 電子材料用銅合金及び電子部品 - Google Patents
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Description
このようなコルソン系合金では、更なる特性の改善を目的として、Coを添加し、またはNiをCoに置き換えたCu−Co−Si系合金が提案されている。
特許文献2に係る銅合金板材は、曲げ加工性及び疲労特性の改善がみられるが、より高強度の材料で曲げ加工性、疲労特性の両立が求められる場合、十分に対応できないと思われる。
特許文献3及び特許文献4には、銅合金材料の疲労特性の維持及び向上に関して具体的な提案がされていないうえ、曲げ加工性に関しても今後の要求には十分に応えられない可能性がある。
材料の疲労特性は静的引張強度の上昇とともに向上するが、一方で表層付近に応力集中源が存在した場合、そこを起点として疲労亀裂は進展するため、材料の疲労強度は低下する。材料中の微小欠陥、析出物、微視的な表面凹凸がこのような応力集中源となりうる。また金属組織が不均一な場合も、特定の箇所への応力集中により材料の疲労強度は低下する。
強度の高い材料では上記のような応力集中源となりうる因子の影響が大きくなるため、材料の静的強度を上昇させるだけでは疲労強度を有効に向上させることが難しい。Cu−Co−Si合金やCu−Co−Ni−Si合金は比較的高い導電性、強度、及び曲げ加工性を有するが、第二相粒子の組成の固溶限温度が高いため、高温での溶体化処理を行わなければならず、不均一な金属組織が生じやすい。よって従来技術では導電性、強度、曲げ加工性、疲労特性に優れたCu−Co−Si合金やCu−Co−Ni−Si合金を得ることができなかった。
この発明の一の実施形態の電子材料用銅合金は、0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.0質量%のNi、0.1〜1.5質量%のSiを含有し、Coに対するNiの質量比(Ni/Co)が0.1〜1.0であり、質量割合で(Ni+Co)/Siが3〜5であり、残部が銅および不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定から得られる隣接測定点間の方位差(KAM値)が1.4〜2.6であり、かつ、当該KAM値の標準偏差が1.2以下である。
Co、NiおよびSiは、適当な熱処理を施すことによりCo2SiやNi2Siとして母相中に析出し、導電率を劣化させずに高強度化が図れる。ただし、Ni濃度が0.1質量%未満の場合、Co濃度が0.5質量%未満の場合、またはSi濃度が0.1質量%未満の場合は、析出硬化が不十分となり、他方の成分を添加しても所望とする強度が得られない。また、Ni濃度が1.0質量%を超える場合、Co濃度が3.0質量%を超える場合、またはSi濃度が1.5質量%を超える場合は十分な強度が得られるものの、導電性や曲げ加工性、熱間加工性が低下する。
好ましくは、0.2〜0.8質量%のNi、1.0〜2.5質量%のCo、0.3〜1.0質量%のSiとする。
Ni/Coを調整することにより、強度と導電率の両立を図る。Niの比率を高くする(Coの比率を低くする)と、強度は高くなり、導電率は低下する。一方、Coの比率を高くする(Niの比率を低くする)と、強度は低下し、導電率は高くなる。圧延方向に平行な方向での0.2%耐力を650MPa以上とし、かつ、導電率を50%IACS以上とするためには、Ni/Coを0.1〜1.0、好ましくは0.2〜0.7となるように調整しておくとよい。
Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Alは、微量の添加で、導電率を損なわずに強度、応力緩和特性等の製品特性を改善する。Pは脱酸効果を有し、Bは鋳造組織の微細化効果を有し、熱間加工性を向上させる効果を有する。添加の効果は主に母相への固溶により発揮されるが、第二相粒子に含有されることで一層の効果を発揮させることもできる。しかしながら、Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBの濃度が合計1.0質量%を超えると曲げ特性および疲労特性が低下するうえ、製造性も損なう。従って、本発明では、Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBを合計1.0質量%以下添加することが好ましい。また、Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBの合計は、0.7質量%以下がさらに好ましく、0.5質量%以下がさらに好ましい。但し、Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBの合計が0.01質量%未満ではその効果が小さいので、Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBの合計は、好ましくは0.01質量%以上である。また、0.05質量%以上がさらに好ましく、0.1質量%以上がさらに好ましい。
コネクタ等の所定の電子材料で要求される特性を満たすため、圧延平行方向の0.2%耐力は好ましくは650MPa以上、より好ましくは680MPa以上とする。0.2%耐力の上限値は、特に規制されないが、50%IACS以上の導電率となるには、典型的には850MPa以下である。
0.2%耐力は、引張試験機を用いてJIS Z2241に準拠して測定する。
導電率は好ましくは50%IACS以上とする。これにより、電子材料として有効に用いることができる。導電率はJIS H0505に準拠して4端子法で測定することができる。導電率は、55%IACS以上であることが好ましい。
図1に例示する六角形のピクセルはEBSD(Electron Back Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定の各測定点を示しており、KAM値は測定点Aと隣接する測定点1〜6との方位差の平均値として定義される。このKAM値は転位密度と相関があり、KAM値が高いほど転位による方位変化が大きい。本発明者が鋭意検討を重ねた結果、材料のKAM値が1.4〜2.6かつKAM値の標準偏差が1.2以下であるときに、0.2%耐力が高くかつ疲労特性、曲げ加工性に優れることを見出した。
KAM値の標準偏差を上記範囲にする理由について、特定の理論によって本発明が限定されることを意図するものではないが、KAM値の標準偏差が大きい場合は歪が多く蓄積された部分と歪がほとんど蓄積されていない部分が不均一に存在することになり、疲労亀裂はそれらの不均一な歪帯を起点として進展するため、KAM値の標準偏差を小さくすることで疲労特性が向上すると考えられる。
上記観点から、KAM値の標準偏差は1.0以下が好ましく、0.9以下がさらに好ましい。前記の範囲を満たさない場合、疲労特性および曲げ加工性が低下する。またKAM値は1.5〜2.5が好ましく、1.6〜2.4がより好ましい。KAM値が前記の範囲より低い場合、0.2%耐力が低下する。またKAM値が前記の範囲より高い場合、疲労特性および曲げ加工性が低下する。
上述したようなCu−Co−Ni−Si系合金は、インゴットを製造する工程、均質化焼鈍工程、熱間圧延工程、第1時効処理工程、中間冷間圧延工程、バフ研磨工程、溶体化処理工程、第2時効処理工程、最終冷間圧延工程、歪取焼鈍工程を順次に行うことにより製造することができる。なお熱間圧延後、必要に応じて面削を行うことが可能である。また上記各工程の合間には、表面の酸化スケール除去のための研削、研磨、ショットブラスト酸洗等を適宜行うことができる。
以下に、これらの第1時効処理工程、バフ研磨及び歪取焼鈍の各工程を中心に詳細に述べる。なおその他の工程は、Cu−Co−Ni−Si系合金の製造工程において通常採用される条件とすることが可能である。
溶解鋳造は一般的には大気溶解炉で行うが、真空中又は不活性ガス雰囲気中で行うことも可能である。電気銅を溶解した後に、Co、Ni、Si等各試料の組成に応じて原料を添加し、撹拌後一定時間保持して、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯を1250℃以上に調整した後、インゴットに鋳造する。Ni、Co、Si以外、Cr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBから選択される少なくとも一種類以上を合計1.0質量%以下になるように添加することもできる。
鋳造時の凝固過程では粗大な晶出物が、その冷却過程では粗大な析出物が生成する。均質化焼鈍を適切な温度・時間で行った後に熱間圧延を行うことで、これらの第二相粒子を母相に再固溶させる。均質化焼鈍温度が低すぎる場合は粗大な第二相粒子を母相に再固溶させることができず、製品強度や曲げ加工性が損なわれる。均質化焼鈍温度が高すぎる場合は材料が溶解する可能性があるため好ましくない。具体的には均質化温度は950〜1025℃が、時間は1〜24hが好ましい。
均質化焼鈍終了後のインゴットを炉から抽出して熱間圧延を行う。液体金属脆化を防止するために、960℃以下の温度域で熱間圧延を開始することが好ましい。また熱間圧延後は速やかに冷却することが望ましい。冷却速度が遅い場合、粗大な第二相粒子が析出してしまう。熱間圧延終了後400℃以下まで急冷(=水冷)することにより、この第二相粒子の析出を抑制することができる。具体的には400℃までの冷却速度は15℃/sec以上が好ましい。
熱間圧延後に適切な温度・時間で第1時効処理を行うことで、合金中に微細なCo−Ni−Si粒子を析出させることができる。次工程の中間冷間圧延において、このCo−Ni−Si粒子にトラップされる形で合金中により多くの歪が導入され、後に溶体化処理時においてこの歪エネルギーを駆動力として均一な再結晶粒が得られる。このような再結晶粒の下では不均一な歪の蓄積が起こりにくいため、製品においてKAM値の標準偏差が小さくなる。このように中間圧延前のCo−Ni−Si粒子の析出状態によって溶体化後の金属組織、ひいては製品の歪分布が変化するため、第1時効処理を適切な温度・時間で行うことが重要である。第1時効処理の条件は350〜450℃で4〜8時間、より好ましくは375〜425℃で4〜8時間とする。この時効処理を行わない場合、製品のKAM値の標準偏差が大きくなり、疲労特性、曲げ加工性が損なわれる。時効処理温度が低すぎる、もしくは時効時間が短すぎる場合も同様に疲労特性、曲げ加工性が損なわれる。時効処理温度が高すぎる、もしくは時効時間が長すぎる場合は粗大なCo−Ni−Si粒子が合金中に析出する。これらの粗大粒子は後述の溶体化処理では固溶させることができず、また歪を十分に蓄積させることができないため、製品の平均KAM値が低くなり製品の強度および疲労特性が低下する。
また、第1時効処理はAr、N2、H2等の不活性雰囲気で行うことが好ましい。
第1時効処理終了後のインゴットにについて中間冷間圧延を行う。ここで、十分な加工歪を蓄積するため、中間冷間圧延の加工度は95%以上が望ましい。
中間冷間圧延後にバフ研磨を行うことで、材料表層付近により多くの加工歪を蓄積させ、溶体化処理時の均一な再結晶粒形成を励起することができる。またバフ研磨を行うことにより材料の表面粗さが大きくなるため、溶体化処理時の加熱効率が上がるという点でもメリットがある。バフ研磨に用いるバフ材は、ナイロン繊維不織布にアルミナ製の砥粒を含有させたものを用いた。砥粒の番手は#1500〜#4000が好ましい。ここで砥粒の番手は、JIS R6001に規定する方法で定められる。研磨後はただちに水洗を実施する。
溶体化処理の目的は、溶解鋳造時の晶出粒子や熱間圧延時に析出したCo−Ni−Si粒子を固溶させ、溶体化処理以降の時効硬化能を高めることである。温度が低すぎるとこれらの析出物を十分に固溶させることができず、所定の強度が得られない。温度が高すぎると析出物による粒界のピン止め効果がなくなり、結晶粒が粗大化して強度が低下する。溶体化処理の際は、溶体化処理前の銅合金素材が第二相粒子組成の固溶限付近の温度になるまで加熱することが好ましい。具体的には、850〜1000℃で0.5〜10min加熱する。また、第二相粒子の析出や再結晶粒の粗大化を防止する観点から、溶体化処理後の冷却速度はできるだけ速い方が好ましい。具体的には、材料温度が溶体化処理温度から400℃まで低下するときの平均冷却速度を15℃/sec以上とするのが好ましく、50℃/sec以上とするのがより好ましい。
適切な大きさの析出物が均一に分布するように第2時効処理を行うことで、所望の強度および導電率が得られる。第2時効処理の温度は、450℃より低いと導電率が低くなり、550℃より高いと強度が低下するので、450〜550℃とすることが好ましい。また時効処理の時間は1〜24hが好ましい。第2時効処理は、酸化被膜の発生を抑制するためにAr、N2、H2等の不活性雰囲気で行うことが好ましい。
時効処理後に引き続いて最終の冷間圧延を行うことで、転位を導入し強度上昇をはかる。圧延加工度が高いほど高強度の材料が得られるが、圧延加工度が高すぎると歪分布が不均一な部分が生じ、局所的に歪の多い部分から曲げ割れおよび疲労破壊が進展しやすい。強度と曲げ加工性の良好なバランスを得るために、圧延加工度を10〜50%、好ましくは20〜40%とする。
歪取焼鈍を行うことによって、加工中に材料に生じた残留応力を取り除くことができ、ばね性が向上する。本発明の歪取焼鈍は連続焼鈍炉を用いて行う。バッチ炉の場合、コイル状に巻き取った状態で材料を加熱するため、加熱中に材料が変形を起こし材料に反りが生じるため好ましくない。
歪取焼鈍時の保持温度は450〜550℃、より好ましくは460〜530℃とする。また保持時間は0.5〜5min、より好ましくは1〜3minとする。保持温度が高すぎると、または保持時間が長すぎると粗大なCo−Ni−Si粒子が析出して、製品の平均KAM値が低くなり強度および疲労特性が低下する。保持温度が低すぎると、または保持時間が短すぎると曲げ加工性および疲労特性が低下する。
歪取焼鈍時の昇温速度も材料特性に大きな影響を与える。昇温速度は60℃/sec以下が好ましく、50℃/sec以下がより好ましい。60℃/secを上回る場合は、不均一な歪の分布が解消されず、製品のKAM値標準偏差が大きくなって曲げ加工性および疲労特性が低下する。昇温速度の下限は特に限定されないが、昇温速度が遅すぎる場合は生産効率が低下するので、一般的には20℃/sec以上が好ましい。
また材料の炉内張力は5〜10MPaとする。この範囲を満たさない条件では、曲げ加工性および疲労特性が低下するおそれがある。
炉内の雰囲気はAr等の不活性雰囲気とすることが好ましい。
このようにして得られた各試験片に対し、以下の特性評価を行った。その結果を表2に示す。
引張方向が圧延方向と平行になるようにJIS13B号試験片を作製し、JIS Z2241に準拠して、引張試験機により圧延方向と平行に引張試験を行い、0.2%耐力を測定した。
<導電率>
試験片の長手方向が圧延方向と平行になるように試験片を採取し、JIS H0505に準拠し、4端子法で導電率(EC:%IACS)を測定した。
<KAM値>
KAM値はEBSD(Electron Back Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定を用いて算出した。まず試験片を20mm四方に切り出し、圧延面表面をリン酸67%+硫酸10%溶液中で15Vの電圧下で60sec電解研磨して、組織を現出させた。測定には日本電子株式会社製JXA8500Fを用い、試験片の圧延面法線方向(ND:Normal Direction)を入射電子線に対して70°傾け、圧延平行方向(RD:Rolling Direction)を試料ホルダーの傾斜方向に合わせて設置し、その傾斜面にフォーカスした電子線を照射した。加速電圧:20kV、照射電流量:5×10-8A、ワーキングディスタンス25mmとし、観察視野200μm×200μm(ステップ幅0.5μm)でn=5で測定を行い、KAM値の平均値および標準偏差を算出した。測定プログラムはTSL OIM data collection、解析プログラムはTSL OIM Analysisを用いた。
<疲労特性>
JIS Z2273に従い、各試料について圧延平行方向に200MPaの両振り応力を107回繰り返して加えて試験し、破断の無かったものを○、破断したものを×とした。
<曲げ加工性>
曲げ加工時の割れも疲労破壊と同様に歪分布が不均一な部分から進展するため、KAM値の標準偏差を特定の範囲に制御することは曲げ加工性の向上にも効果がある。本発明は、より厳しい条件での曲げ加工を想定し、180°曲げ試験により曲げ加工性を評価した。
幅10mm、長さ30mmに切り出した試験片を用いて180°曲げ加工性を評価した。R/t=1.0となるような所定の曲げ半径(R)でBadway(曲げ軸が圧延方向と平行)方向に170°程度曲げた後、曲げ内側半径(R)の2倍の厚さの挟み物をし試験片の両端を押し曲げて180°曲げを行った。曲げ部分の外面の亀裂の有無を目視判定し、以下の基準で評価した。評価が○であれば、曲げ加工性が良好である。
○:曲げ部分の外面の亀裂が見られない
×:曲げ部分の外面の亀裂が見られる
比較例2は、第1時効処理を行ったが、温度が高すぎたため、KAM値が所定の範囲から外れ、0.2%耐力が低下し、疲労特性が悪化した。
比較例3は、バフ処理を行わなかったので、KAM値の標準偏差が所定の範囲から外れ、疲労特性と曲げ加工性が悪化した。
比較例4〜8は、所定の条件で歪取処理を行わなかったため、KAM値もしくはKAM値の標準偏差が所定の範囲から外れ、疲労特性と曲げ加工性が悪化した。
比較例9〜18は、添加元素の量が所定の範囲から外れたため、所要の特性を十分に達成することができなかった。
比較例19は特許文献1、比較例20は特許文献2、比較例21は特許文献3、比較例22は特許文献4に記載の工程に従ってそれぞれ製造したものであるが、いずれも疲労特性と曲げ加工性が悪化した。
Claims (3)
- 0.5〜3.0質量%のCo、0.1〜1.0質量%のNi、0.1〜1.5質量%のSiを含有し、Coに対するNiの質量比(Ni/Co)が0.1〜1.0であり、質量割合で(Ni+Co)/Siが3〜5であり、残部が銅および不可避的不純物からなり、EBSD(Electron Back Scatter Diffraction:電子後方散乱回折)測定から得られる隣接測定点間の方位差(KAM値)が1.4〜2.6であり、かつ、当該KAM値の標準偏差が1.2以下である電子材料用銅合金。
- さらにCr、Zr、Zn、Sn、Mg、Mn、Fe、Ti、Al、P及びBから選択される少なくとも一種類以上の合計が1.0質量%以下である請求項1に記載の電子材料用銅合金。
- 請求項1又は2に記載の電子材料用銅合金を備えた電子部品。
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