JP6478020B2 - 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 - Google Patents

結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6478020B2
JP6478020B2 JP2014239391A JP2014239391A JP6478020B2 JP 6478020 B2 JP6478020 B2 JP 6478020B2 JP 2014239391 A JP2014239391 A JP 2014239391A JP 2014239391 A JP2014239391 A JP 2014239391A JP 6478020 B2 JP6478020 B2 JP 6478020B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crystal
substrate
crystal growth
crystalline
axis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014239391A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2016098166A5 (enExample
JP2016098166A (ja
Inventor
真也 織田
真也 織田
俊実 人羅
俊実 人羅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Flosfia Inc
Original Assignee
Flosfia Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Flosfia Inc filed Critical Flosfia Inc
Priority to JP2014239391A priority Critical patent/JP6478020B2/ja
Publication of JP2016098166A publication Critical patent/JP2016098166A/ja
Publication of JP2016098166A5 publication Critical patent/JP2016098166A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6478020B2 publication Critical patent/JP6478020B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
JP2014239391A 2014-11-26 2014-11-26 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法 Active JP6478020B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014239391A JP6478020B2 (ja) 2014-11-26 2014-11-26 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014239391A JP6478020B2 (ja) 2014-11-26 2014-11-26 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016098166A JP2016098166A (ja) 2016-05-30
JP2016098166A5 JP2016098166A5 (enExample) 2018-01-18
JP6478020B2 true JP6478020B2 (ja) 2019-03-06

Family

ID=56076905

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014239391A Active JP6478020B2 (ja) 2014-11-26 2014-11-26 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP6478020B2 (enExample)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018207676A1 (ja) * 2017-05-09 2018-11-15 株式会社Flosfia サーミスタ膜およびその成膜方法
CN109423694B (zh) * 2017-08-21 2022-09-09 株式会社Flosfia 结晶膜、包括结晶膜的半导体装置以及制造结晶膜的方法
CN112334606A (zh) * 2018-06-26 2021-02-05 株式会社Flosfia 结晶性氧化物膜
CN112368429A (zh) 2018-06-26 2021-02-12 株式会社Flosfia 成膜方法及结晶性层叠结构体
JP6618216B2 (ja) * 2018-10-11 2019-12-11 国立研究開発法人物質・材料研究機構 α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
JP2020087947A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 株式会社Flosfia サーミスタ薄膜、サーミスタ薄膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法
JP2020087949A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 株式会社Flosfia サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法
JP2020087951A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 株式会社Flosfia 積層構造体、積層構造体を有するサーミスタ素子およびその製造方法
JP2020087952A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 株式会社Flosfia サーミスタ膜の製造方法
JP2020087948A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 株式会社Flosfia サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法
JP2020087950A (ja) * 2018-11-14 2020-06-04 株式会社Flosfia サーミスタ膜、サーミスタ膜を有するサーミスタ素子およびその製造方法
JP7315136B2 (ja) * 2018-12-26 2023-07-26 株式会社Flosfia 結晶性酸化物半導体
JP7315137B2 (ja) * 2018-12-26 2023-07-26 株式会社Flosfia 結晶性酸化物膜
KR102704230B1 (ko) 2019-09-03 2024-09-05 가부시키가이샤 플로스피아 결정막, 결정막을 포함하는 반도체 장치, 및 결정막의 제조 방법
JP6842128B2 (ja) * 2019-09-26 2021-03-17 国立研究開発法人物質・材料研究機構 α−Ｇａ２Ｏ３単結晶の製造装置
TWI850473B (zh) 2019-09-30 2024-08-01 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 積層結構體及半導體裝置
JP7453609B2 (ja) * 2019-11-19 2024-03-21 株式会社Flosfia 剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法
TWI854083B (zh) * 2020-01-10 2024-09-01 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置
TWI879858B (zh) * 2020-01-10 2025-04-11 日商Ｆｌｏｓｆｉａ股份有限公司 半導體裝置及半導體系統
CN115023816A (zh) 2020-01-27 2022-09-06 株式会社Flosfia 半导体装置和半导体装置的制造方法
US11804519B2 (en) 2020-04-24 2023-10-31 Flosfia Inc. Crystalline multilayer structure, semiconductor device, and method of manufacturing crystalline structure
US11694894B2 (en) 2020-04-24 2023-07-04 Flosfia Inc. Crystalline film containing a crystalline metal oxide and method for manufacturing the same under partial pressure
WO2023047895A1 (ja) 2021-09-22 2023-03-30 信越化学工業株式会社 成膜方法、成膜装置及び結晶性酸化物膜
US20250354260A1 (en) 2022-06-08 2025-11-20 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd Film forming method and film forming apparatus
US12402381B2 (en) 2022-07-12 2025-08-26 Flosfia, Inc. Semiconductor device

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5353113B2 (ja) * 2008-01-29 2013-11-27 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体の製造方法
JP5295871B2 (ja) * 2008-07-03 2013-09-18 古河機械金属株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体基板の製造方法
JP5343224B1 (ja) * 2012-09-28 2013-11-13 Ｒｏｃａ株式会社 半導体装置および結晶
JP2017135100A (ja) * 2016-01-21 2017-08-03 日本碍子株式会社 リチウムイオン電池

Also Published As

Publication number Publication date
JP2016098166A (ja) 2016-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6478020B2 (ja) 結晶成長用基板、結晶性積層構造体およびそれらの製造方法ならびにエピタキシャル成長方法
JP6945119B2 (ja) 結晶性積層構造体およびその製造方法
JP2016100593A (ja) 結晶性積層構造体
US12107129B2 (en) Self-standing GaN substrate, GaN crystal, method for producing GaN single crystal, and method for producing semiconductor device
JP2022177039A (ja) 結晶膜、半導体装置および結晶膜の製造方法
JP6835113B2 (ja) 窒化ガリウム基板、および、窒化物半導体結晶の製造方法
TWI429797B (zh) 第 iii 族氮化物半導體結晶基板及半導體元件
JP4277826B2 (ja) 窒化物結晶、窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板、ならびに半導体デバイスおよびその製造方法
US20190055667A1 (en) Method for producing crystalline film
JP7166522B2 (ja) 結晶膜の製造方法
JP6379369B2 (ja) 結晶性積層構造体、半導体装置
JP7741487B2 (ja) 結晶性酸化物膜
US20190055646A1 (en) Method for producing crystalline film
JP6292080B2 (ja) 非極性または半極性ＧａＮ基板
JP2019048766A (ja) α−Ｇａ２Ｏ３単結晶、α−Ｇａ２Ｏ３の製造方法、および、それを用いた半導体素子
JP7404593B2 (ja) 成膜方法および結晶性積層構造体
JPWO2016136552A1 (ja) Ｃ面ＧａＮ基板
JP2013082611A (ja) Ｉｉｉ族窒化物半導体結晶とその製造方法、およびｉｉｉ族窒化物基板
JP4337953B2 (ja) 窒化物結晶基板、エピ層付窒化物結晶基板および半導体デバイス
JP6242238B2 (ja) 窒化物半導体多元混晶の製造方法
JP7344426B2 (ja) 結晶性積層構造体
JP7530054B2 (ja) 結晶膜の製造方法
JP7453609B2 (ja) 剥離方法および結晶性酸化物膜の製造方法
JP2014157979A (ja) Ｉｉｉ族窒化物複合基板およびその製造方法、積層ｉｉｉ族窒化物複合基板、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法
JP5743928B2 (ja) 窒化ガリウム系半導体エピタキシャルウェハ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20171124

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180703

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180903

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190122

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6478020

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250