JP6477225B2

JP6477225B2 - ガスセンサデバイス部品、ガスセンサデバイス及びその製造方法、情報処理システム

Info

Publication number: JP6477225B2
Application number: JP2015099750A
Authority: JP
Inventors: 一明柄澤; 百瀬　悟; 悟百瀬; 壷井　修; 修壷井
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2015-05-15
Filing date: 2015-05-15
Publication date: 2019-03-06
Anticipated expiration: 2035-05-15
Also published as: JP2016217757A

Description

本発明は、ガスセンサデバイス部品、ガスセンサデバイス及びその製造方法、情報処理システムに関する。

近年、高齢化に伴い医療費が増大しており、スクリーニングによって例えば癌などの重い疾病を早期に発見し、早期に治療を行なうことで、重篤患者数を低減し、医療費を減少させる必要がある。
このスクリーニングに用いて例えば癌を早期に発見する技術としては、呼気中に含まれる癌特有のマーカーガスを検知する方法がある。例えば、胃癌の危険因子であるピロリ菌感染のマーカーガスとしてアンモニアが知られており、肺癌のマーカーガスとしてアセトアルデヒドやノナナールが知られている。

特開２０００−０９７８６１号公報実公昭６２−０４２３５２号公報

ところで、ガスセンサに備えられるガスセンサデバイスの感応膜は、ガスセンサを使用する前に長時間大気にさらされたり、製造工程中に溶液などにさらされたりすると、劣化してしまい、この結果、ガスセンサの感度が低下し、場合によっては検知不能になることもある。
そこで、ガスセンサに備えられるガスセンサデバイスの感応膜が劣化しないようにしたい。

本ガスセンサデバイス部品は、感応膜と、感応膜の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材と、感応膜の保護部材が設けられている側の反対側の面に設けられ、感応膜を介して電気的に接続される２つの電極とを備え、保護部材は、支持基板又は支持フィルムである。
本ガスセンサデバイスは、上述のガスセンサデバイス部品と、少なくとも２つの電極パッドを備える基板とを備え、ガスを検知する際に剥離できるように支持基板又は支持フィルムが上になり、ガスセンサデバイス部品の２つの電極が、それぞれ、基板の２つの電極パッドに電気的に接続されるように、基板上にガスセンサデバイス部品が設けられている。

本情報処理システムは、上述のガスセンサデバイスを備えるガスセンサと、ガスセンサにネットワークを介して接続され、ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備える。
本ガスセンサデバイスの製造方法は、感応膜と、感応膜の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材と、感応膜の保護部材が設けられている側の反対側の面に設けられ、感応膜を介して電気的に接続される２つの電極とを備え、保護部材が支持基板又は支持フィルムであるガスセンサデバイス部品を作製する工程と、少なくとも２つの電極パッドを備える基板上に、ガスを検知する際に剥離できるように支持基板又は支持フィルムが上になり、ガスセンサデバイス部品の２つの電極が、それぞれ、基板の２つの電極パッドに電気的に接続されるように、ガスセンサデバイス部品を設ける工程とを含む。

したがって、本ガスセンサデバイス部品、ガスセンサデバイス及びその製造方法、情報処理システムによれば、ガスセンサに備えられるガスセンサデバイスの感応膜が劣化しないようにすることができるという利点がある。

本実施形態にかかるガスセンサデバイス部品の構成を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかるガスセンサデバイスの製造方法を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかるガスセンサデバイスの構成を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかるガスセンサデバイスの具体例のものにおいて、Ｎ_２ガス、アンモニアガス（ここでは１ｐｐｍアンモニアガス）、Ｎ_２ガスの順に暴露し、抵抗値を測定した結果を示す図である。（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の課題を説明するための模式的断面図である。本実施形態にかかる情報処理システムの構成を示す模式図である。

以下、図面により、本発明の実施の形態にかかるガスセンサデバイス部品、ガスセンサデバイス及びその製造方法、情報処理システムについて、図１〜図６を参照しながら説明する。
本実施形態にかかるガスセンサデバイスは、呼気・体臭中に含まれるガス、特に各種疾病特有のマーカーガスを感知するガスセンサデバイスである。

本実施形態にかかるガスセンサデバイスは、図１〜図３に示すように、ガスセンサデバイス部品１と、少なくとも２つの電極パッド７、８を備える基板２とを備える。なお、基板２をセンサ基板又は支持基板ともいう。
ここで、ガスセンサデバイス部品１は、図１に示すように、感応膜３と、感応膜３の一方の側の面（表面；図１中、下側の面）の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材４と、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面（裏面；図１中、上側の面）に設けられ、感応膜３を介して電気的に接続される２つの電極５、６とを備える。なお、感応膜３をセンサ膜又はセンサ部ともいう。

本実施形態では、感応膜３は、ＣｕＢｒからなる。つまり、感応膜３は、ＣｕＢｒ膜である。なお、感応膜３の材料はこれに限られるものではない。
また、本実施形態では、保護部材４は、ガスを検知する際に露出させる感応膜３の一方の側の面、即ち、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面を保護するものであり、ガスを検知する際に剥離されるものである。なお、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面を、センサとして機能するセンサ面ともいう。

ここでは、保護部材４は、フィルム状又は板状の保護部材（カバー部材；支持基板、支持フィルムなど）であって、ガスを検知する際に剥離されるものである。
特に、保護部材４を感応膜３から剥離しやすくするために、保護部材４は、その表面に例えばテフロン（登録商標）などの剥離性の高い材料がコーティングされているものとするのが好ましい。

例えば、表面にテフロンがコーティングされているシリコン基板を用いれば良い。但し、これに限られるものではなく、例えばガラス基板やテフロン（登録商標）などの樹脂基板を用いることもできる。
ここで、ガスを検知する際に露出させる感応膜３の一方の側の面、即ち、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面は、感応膜３の一方の側の面全体であっても良いし、感応膜３の一方の側の面の一部であっても良い。

このため、保護部材４は、感応膜３の一方の側の面の少なくとも一部を覆うように設けられ、ガスを検知する際に剥離されるものである。
このように、保護部材４は、ガスを検知する際に露出させる感応膜３の一方の側の面、即ち、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面を覆うように設けられ、ガスを検知する際に剥離されるものである。

そして、図２、図３に示すように、本実施形態のガスセンサデバイス１０では、ガスセンサデバイス部品１の２つの電極５、６が、それぞれ、基板２の２つの電極パッド７、８に電気的に接続されるように、基板２上にガスセンサデバイス部品１が設けられている。
このように、本実施形態では、ガスセンサデバイス部品１を、感応膜３と、感応膜３の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材４と、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面に設けられ、感応膜３を介して電気的に接続される２つの電極５、６とを備えるものとし、これを、少なくとも２つの電極パッド７、８を備える基板２上に設け、ガスを検知する際に、保護部材４を剥離して、感応膜３の一方の側の面を露出させて、ガスセンサデバイス１０として用いる。

また、本実施形態のガスセンサデバイス１０は、呼気中に含まれる例えば数ｐｐｍ以下の微量のアンモニアを高感度に検知するガスセンサに備えられるガスセンサデバイスであって、その感応膜にＣｕＢｒを用いるものである。
このＣｕＢｒを用いたガスセンサでは、ＣｕＢｒ膜にアンモニア分子が吸着すると、吸着した部分のＣｕＢｒ中のＣｕ^＋イオンの濃度が変化し、半導体であるＣｕＢｒの抵抗値（又は電位）が変化するため、この抵抗値（又は電位）の変化によって微量のアンモニアを検知することができる。

上述のように構成される本実施形態のガスセンサデバイス部品１及びガスセンサデバイス１０は、以下のようにして製造することができる。
ここでは、ガスセンサデバイスの製造方法は、図１〜図３に示すように、ガスセンサデバイス部品１を作製する工程と、基板２上にガスセンサデバイス部品１を設ける工程とを含む。つまり、ガスセンサデバイス部品１を作製し、基板２上にガスセンサデバイス部品１を設けることで、ガスセンサデバイス部品１と、少なくとも２つの電極パッド７、８を備える基板２とを備えるガスセンサデバイス１０を製造する。

ここで、ガスセンサデバイス部品１を作製する工程は、感応膜（ここではＣｕＢｒ膜）３と、感応膜３の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材４と、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面に設けられ、感応膜３を介して電気的に接続される２つの電極５、６とを備えるガスセンサデバイス部品１を作製する工程である（図１参照）。

ここでは、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材４となる支持基板上に感応膜（ここではＣｕＢｒ層）３を形成し、この感応層３上に２つの電極５、６を形成することによって、上述のような構成を備えるガスセンサデバイス部品１を作製する（図１参照）。
この場合、支持基板４が接している感応膜３の一方の側の面が、ガスを検知する際に露出させる感応膜３の表面、即ち、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面となる。

ここでは、感応膜３上に、感応膜３を介して電気的に接続されるように２つの電極５、６を形成する。つまり、感応膜３上に、感応膜３を介して、直列に接続されるように２つの電極５、６を形成する（図１参照）。
また、基板２上にガスセンサデバイス部品を設ける工程は、図２に示すように、少なくとも２つの電極パッド７、８を備える基板２上に、ガスセンサデバイス部品１の２つの電極５、６が、それぞれ、基板２の２つの電極パッド７、８に電気的に接続されるように、ガスセンサデバイス部品１を設ける工程である。

ここで、ガスセンサデバイス部品１の電極５、６と基板２の電極パッド７、８とは電気的に接続されていれば良い。
例えば、ガスセンサデバイス部品１の電極５、６と基板２の電極パッド７、８とが互いに押し付けられて電気的に導通した状態で、基板２上にガスセンサデバイス部品１が固定されるようにすれば良い。また、例えば、熱及び圧力を加えたり、はんだ付けしたりするなどして、ガスセンサデバイス部品１の電極５、６と基板２の電極パッド７、８とを接合して、基板２上にガスセンサデバイス部品１が固定されるようにしても良い。

なお、基板２上にガスセンサデバイス部品１を設ける工程は、流通前に行なっても良いし、流通後に行なっても良い。
例えば、流通前に行なう場合は、ガスセンサデバイス部品１の電極５、６と基板２の電極パッド７、８とが互いに押し付けられて電気的に導通した状態で、基板２上にガスセンサデバイス部品１が固定されるようにしても良いし、熱及び圧力を加えたり、はんだ付けしたりするなどして、ガスセンサデバイス部品１の電極５、６と基板２の電極パッド７、８とを接合して、基板２上にガスセンサデバイス部品１が固定されるようにしても良い。

また、例えば、流通後に行なう場合は、ガスセンサデバイス部品１の電極６、７と基板２の電極パッド７、８とが互いに押し付けられて電気的に導通した状態で、基板２上にガスセンサデバイス部品１が固定されるようにすれば良い。
なお、ガスセンサデバイス部品１を設ける基板２は、ガスセンサデバイス用の基板でも良いし、ガスセンサに備えられる基板でも良い。また、基板２上にガスセンサデバイス部品１を設ける工程を流通後に行なう場合は、感応膜３を備えるガスセンサデバイス部品１は、これを搭載する基板２とは別ユニットとして製造し、流通することになる。この場合、ガスセンサデバイス部品１を搭載する基板２を専用基板とするときは、これらをセットにして流通させれば良い。なお、ガスセンサデバイス部品１をセンサユニットともいう。

この場合、ＣｕＢｒ膜３の一方の側の面が保護部材（ここでは支持基板）４で覆われた状態で、その後の製造工程が行なわれ、流通することになる。つまり、ＣｕＢｒ膜３の成膜後、ガスセンサの使用時（ガス測定時）まで、ＣｕＢｒ膜３の一方の側の面が保護部材４で覆われた状態が維持されることになる。
これにより、ＣｕＢｒ膜３が、ガスセンサを使用する前に長時間大気にさらされたり、製造工程中に溶液などにさらされたりして、ＣｕＢｒ膜２が劣化してしまうのを防止することができる。

例えば、ＣｕＢｒ膜３の成膜後のデバイス製造工程中に大気にさらされて、酸化したり、大気中のガスが吸着したりして、その表面が劣化してしまうのを防止することができる。また、例えば、製造工程中にＣｕＢｒ膜３が溶液に接触して溶解し、劣化してしまうのを防止することができる。
この結果、ガスを検知する際に、ガスセンサの感度が低下してしまい、場合によっては検知不能（測定不能）になってしまうのを防止することができる。

そして、図２、図３に示すように、ガスを検知する際に、基板２上に設けられたガスセンサデバイス部品１の感応膜３の一方の側の面（表面；図２、図３中、上側の面）を覆っている保護部材４を剥離して、感応膜３の一方の側の面、即ち、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面を露出させる。
つまり、本実施形態のガスセンサデバイス１０は、ガスを検知する際に、感応膜３の一方の側の面を覆っている保護部材４を剥離することで、感応膜３の一方の側の面、即ち、感応膜３の検知対象ガスに接触させる面を露出させて用いられる。

このように、基板２上にガスセンサデバイス部品１を設け、ガスを検知する際に保護部材４を剥離することで、２つの電極５、６が設けられている感応膜３が、基板２上に転写されることになる。
これにより、測定時に表面に清浄なＣｕＢｒ膜（感応膜）３が露出することになるため、高い感度で安定した測定が可能となる。

つまり、ガスセンサデバイス１０の感応膜３の検知対象ガスが接触（吸着）する面が劣化していない清浄な状態で、高い感度で安定してガスの検知を行なうことが可能となる。
例えば、数ｐｐｍ以下の微量のアンモニアなどのガスを高感度で安定して検知（感知）することが可能となる。
また、本実施形態では、図１に示すように、上述のガスセンサデバイス部品１は、２つの電極５、６の間に設けられ、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面（裏面；図１中、上側の面）を覆う絶縁膜（保護膜；絶縁保護膜）９を備える。つまり、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面の２つの電極５、６が設けられていない領域が絶縁膜９で覆われるようにしている。

ここで、絶縁膜９は、例えばＳｉＯ_２膜である。なお、これに限られるものではなく、例えば、アルミナなどの酸化物、窒化物などの絶縁膜であっても良いし、例えばレジストやポリイミドなどの有機系の絶縁膜であっても良い。但し、例えばＳｉＯ_２などの無機系の絶縁膜の方が厚さを薄くすることができるため、好ましい。
ここでは、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面（裏面；図１中、上側の面）の全体が、２つの電極５、６及び絶縁膜９によって覆われるようにしている。

これにより、感応膜３の裏面側から感応膜３が劣化してしまうのを防止している。つまり、感応膜３の裏面側から感応膜３の劣化が進行し、感応膜３の表面側の検知対象ガスに接触させる面に影響を与えることになるのを防止している。
この場合、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材４となる支持基板上に感応膜（ここではＣｕＢｒ層）３を形成し、この感応膜３上に２つの電極５、６を形成し、これらの２つの電極５、６の間に感応膜３を覆う絶縁膜９を形成することによって、ガスセンサデバイス部品１を作製すれば良い。

なお、この絶縁膜９は設けなくても良い。この場合、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面（裏面）が２つの電極５、６によって部分的に覆われることになる。このように、感応膜３の保護部材４が設けられている側の反対側の面（裏面）の少なくとも一部が覆われていれば良い。
また、基板２の２つの電極パッド７、８に接続され、感応膜３の電気特性の変化を検知する検知部を備えるものとしても良い。例えば、ガスセンサデバイス部品１の２つの電極５、６を、それぞれ、基板２の２つのパッド７、８に接続された配線を介して、検知部としての回路（例えばトランジスタを含む回路）に接続し、この回路で、感応膜３の電気特性の変化（例えば抵抗値、電流値、あるいは、電位差の変化）を検知するようにすれば良い。

なお、これに限られるものではなく、例えば、基板２の表面側に検知部としての回路（例えばトランジスタを含む回路）を設けておき、この回路で、感応膜３の電気特性の変化（例えば電位差や抵抗値の変化）を検知するようにしても良い。
なお、ＣｕＢｒ膜を覆うように保護膜を設けておき、ガスを検知する際に、この保護膜をウェットエッチングによって除去することも考えられるが、ウェットエッチングに用いられる溶液によってＣｕＢｒ膜が劣化してしまうことになるため、上述のようにしている。また、ＣｕＢｒ膜を覆うように保護膜を設けておき、ガスを検知する際に、この保護膜をドライエッチングによって除去することも考えられるが、ドライエッチングを行なうために大がかりな装置が必要になるため、上述のようにしている。

具体的には、以下のようにして、ガスセンサデバイス部品１を作製し、基板２上にガスセンサデバイス部品１を設けてガスセンサデバイス１０を作製すれば良い。
まず、例えばテフロン（登録商標）がコーティングされたＳｉ基板（支持基板；保護部材）４上に、感応膜３として例えば厚さ約３００ｎｍのＣｕＢｒ膜を例えばＲＦスパッタリング法で成膜する（図１参照）。ここでは、ＣｕＢｒ膜３のサイズは、約２×約５ｍｍである。

次に、ＣｕＢｒ膜３上に、例えば厚さ約１００ｎｍのＡｕ膜を例えばＲＦスパッタリング法で成膜して、ガスセンサデバイス部品１に備えられる２つの電極５、６を形成する（図１参照）。ここでは、これらの２つの電極５、６の大きさは約２ｎｍ×約２ｍｍであり、電極間距離（ギャップ）は約１ｍｍであり、ＣｕＢｒ膜３の端部の近傍に形成する。
次に、これらの２つの電極５、６の間に、例えばスパッタリングによって、絶縁膜（絶縁保護膜）９として例えばＳｉＯ_２膜をパターニングして形成する（図１参照）。

このようにして、ガスセンサデバイス部品１を作製する。
このガスセンサデバイス部品１は、感応膜３としてのＣｕＢｒ膜の一方の側の面、即ち、ガスを検知する際に露出する面が、保護部材４としての支持基板で覆われ、反対側の面が２つの電極５、６としてのＡｕ電極及び絶縁膜９としてのＳｉＯ_２膜で覆われたものとなる。

そして、図２に示すように、流通前又は流通後に、２つの電極パッド７、８として例えばＩｎ薄膜電極パッドを備える基板２上に、ガスセンサデバイス部品１を設け、ガスセンサデバイス部品１に備えられる２つのＡｕ電極５、６を、基板２に備えられるＩｎ薄膜電極パッド７、８に圧着によって接合することで、これらを電気的に接続する。
このようにして、ガスセンサデバイス１０を作製する。

その後、図３に示すように、ガスを検知する際に、即ち、ガスを測定する前に、保護部材４としての支持基板を感応膜３から剥離する。これにより、２つの電極５、６が設けられている感応膜３が、基板２上に転写されることになる。
このようにして作製したガスセンサデバイス１０を、Ｎ_２ガス、アンモニアガス（ここでは１ｐｐｍアンモニアガス）、Ｎ_２ガスの順に暴露し、抵抗値を測定したところ、図４に示すように、アンモニアガス中ではＮ_２中の３倍以上抵抗値が増加した。

つまり、上述のようにして作製されたガスセンサデバイス１０は、劣化していない清浄なＣｕＢｒ膜３が露出しているものとなる結果、アンモニアガスに暴露すると３倍以上の抵抗値の変化が得られた。
このため、ガスセンサデバイス１０の抵抗値の測定を行ない、測定対象ガスに暴露する前後での抵抗値の変化の有無をみることで、測定対象ガス中にアンモニアが含まれているか測定（判断）することができる。

これに対し、図５（Ａ）に示すように、基板２０上に２つの電極２１、２２を形成し、その上に感応膜としてＣｕＢｒ膜２０を形成したガスセンサデバイス２４では、ＣｕＢｒ膜２３が露出している状態でその後の製造工程が行なわれるため、製造工程で用いられる溶液中に溶出したり、使用前に長時間大気にさらされたりして、図５（Ｂ）に示すように、ＣｕＢｒ膜２３が劣化してしまう。なお、図５（Ｂ）では、符号２３ＸでＣｕＢｒ膜２３の劣化部分を示している。この結果、上述のような抵抗値の変化が得られないため、測定対象ガス中にアンモニアが含まれているかを測定するのが難しい。

したがって、本実施形態にかかるガスセンサデバイス部品、ガスセンサデバイス及びその製造方法によれば、ガスセンサに備えられるガスセンサデバイスの感応膜が劣化しないようにすることができるという利点がある。
ところで、上述の実施形態のガスセンサデバイス１０を備えるガスセンサを用いて測定したデータ（情報）を、ネットワークを介して収集し、蓄積して、データベースを構築したり、これらのデータを解析し、その結果をフィードバックしたりすることも可能である。

これにより、疾病のスクリーニング精度の向上、他の疾病との相関性の有無の調査などに有効に活用されることになり、また、多大な労力を要することなく、測定結果をフィードバックすることが可能となる。例えば、呼気の被測定者の癌の有無、あるいは他の疾病との相関を解析することで、スクリーニング精度の向上や他の疾病のスクリーニングへの展開が可能となり、医療費が増大する高齢化社会への寄与が大きい。

この場合、図６に示すように、このようなデータ処理（情報処理）を行なう情報処理システム１１は、上述の実施形態のガスセンサデバイス１０を備えるガスセンサ１２と、ガスセンサ１２にネットワーク１３を介して接続され、ガスセンサ１２によって得られたデータを処理するサーバ（コンピュータ）１４とを備えるものとすれば良い。
なお、ガスセンサ１２は、上述の実施形態のガスセンサデバイス１０のほかに、例えば、検知部としての回路、プロセッサ、メモリ、コントローラ、通信回路等を備えるものとすれば良い。また、情報処理システム１１をセンサネットワークシステムともいう。

なお、本発明は、上述した実施形態及び変形例に記載した構成に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
以下、上述の実施形態及び変形例に関し、更に、付記を開示する。
（付記１）
感応膜と、
前記感応膜の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材と、
前記感応膜の前記保護部材が設けられている側の反対側の面に設けられ、前記感応膜を介して電気的に接続される２つの電極とを備えることを特徴とするガスセンサデバイス部品。

（付記２）
前記感応膜は、ＣｕＢｒからなることを特徴とする、付記１に記載のガスセンサデバイス部品。
（付記３）
前記２つの電極の間に設けられ、前記感応膜の前記保護部材が設けられている側の反対側の面を覆う絶縁膜を備えることを特徴とする、付記１又は２に記載のガスセンサデバイス部品。

（付記４）
付記１〜３のいずれか１項に記載のガスセンサデバイス部品と、
少なくとも２つの電極パッドを備える基板とを備え、
前記ガスセンサデバイス部品の前記２つの電極が、それぞれ、前記基板の前記２つの電極パッドに電気的に接続されるように、前記基板上に前記ガスセンサデバイス部品が設けられていることを特徴とするガスセンサデバイス。

（付記５）
前記２つの電極パッドに接続され、前記感応膜の電気特性の変化を検知する検知部を備えることを特徴とする、付記４に記載のガスセンサデバイス。
（付記６）
付記４又は５に記載のガスセンサデバイスを備えるガスセンサと、
前記ガスセンサにネットワークを介して接続され、前記ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備えることを特徴とする情報処理システム。

（付記７）
感応膜と、前記感応膜の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材と、前記感応膜の前記保護部材が設けられている側の反対側の面に設けられ、前記感応膜を介して電気的に接続される２つの電極とを備えるガスセンサデバイス部品を作製する工程と、
少なくとも２つの電極パッドを備える基板上に、前記ガスセンサデバイス部品の前記２つの電極が、それぞれ、前記基板の前記２つの電極パッドに電気的に接続されるように、前記ガスセンサデバイス部品を設ける工程とを含むことを特徴とするガスセンサデバイスの製造方法。

１ガスセンサデバイス部品
２基板
３感応膜（ＣｕＢｒ膜）
４保護部材（支持基板）
５、６電極
７、８電極パッド
９絶縁膜（ＳｉＯ_２膜）
１０ガスセンサデバイス
１１情報処理システム
１２ガスセンサ
１３ネットワーク
１４サーバ（コンピュータ）

Claims

感応膜と、
前記感応膜の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材と、
前記感応膜の前記保護部材が設けられている側の反対側の面に設けられ、前記感応膜を介して電気的に接続される２つの電極とを備え、
前記保護部材は、支持基板又は支持フィルムであることを特徴とするガスセンサデバイス部品。
前記感応膜の前記保護部材が設けられている側の反対側の面の前記２つの電極が設けられていない領域を覆う絶縁膜を備えることを特徴とする、請求項１に記載のガスセンサデバイス部品。
請求項１又は２に記載のガスセンサデバイス部品と、
少なくとも２つの電極パッドを備える基板とを備え、
ガスを検知する際に剥離できるように前記支持基板又は前記支持フィルムが上になり、前記ガスセンサデバイス部品の前記２つの電極が、それぞれ、前記基板の前記２つの電極パッドに電気的に接続されるように、前記基板上に前記ガスセンサデバイス部品が設けられていることを特徴とするガスセンサデバイス。
請求項３に記載のガスセンサデバイスを備えるガスセンサと、
前記ガスセンサにネットワークを介して接続され、前記ガスセンサによって得られたデータを処理するコンピュータとを備えることを特徴とする情報処理システム。
感応膜と、前記感応膜の一方の側の面の少なくとも一部を覆い、ガスを検知する際に剥離可能な保護部材と、前記感応膜の前記保護部材が設けられている側の反対側の面に設けられ、前記感応膜を介して電気的に接続される２つの電極とを備え、前記保護部材が支持基板又は支持フィルムであるガスセンサデバイス部品を作製する工程と、
少なくとも２つの電極パッドを備える基板上に、ガスを検知する際に剥離できるように前記支持基板又は前記支持フィルムが上になり、前記ガスセンサデバイス部品の前記２つの電極が、それぞれ、前記基板の前記２つの電極パッドに電気的に接続されるように、前記ガスセンサデバイス部品を設ける工程とを含むことを特徴とするガスセンサデバイスの製造方法。