JP6476890B2 - スイッチング素子の駆動装置 - Google Patents
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Description
図1に示すように、インバータ回路1は、6個のNチャネルMOSFET2(U,V,W/X,Y,Z)を3相ブリッジ接続して構成されている。インバータ回路1の正側電源線3(+),負側電源線3(−)には、高圧直流電源であるバッテリ4の正側端子,負側端子がそれぞれ接続されている。
→コンデンサ10→負側電源線3(−)
の経路で流れる。よって、A/Dコンバータ19は、端子SEの仮想接地電位(0V)を基準とする電流検出抵抗18による電圧降下量を、正電流の値としてA/D変換できる。
コンデンサ10→端子ICGND→バッテリ8→レギュレータ20
→FET21→電流検出抵抗18→センスFET6の寄生ダイオード6D
の経路で流れる。よって、A/Dコンバータ19は、端子SEの仮想接地電位を基準とする電流検出抵抗18による電圧上昇量を負電流の値としてA/D変換できる。尚、A/Dコンバータ19がA/D変換した電流のデータは、図示しない上位の制御装置に対して、例えばシリアル通信などにより送信される。
以下、第1実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略し、異なる部分について説明する。図4に示すように、第2実施形態の駆動装置31では、降圧型レギュレータで構成されていた第2電源回路20が削除されており、それに替わる第2電源回路32が配置されている。また、駆動装置31は端子VCPを備えており、FET21のソースはその端子VCPに接続されている。
スイッチ回路33→コンデンサ34及び10→FET2Xのソース
の経路で流れる。したがって、上記放電電流によってコンデンサ34が充電され、電荷として回収される。
端子G→FET12→端子ICGND→コンデンサ10→FET2Xのソース
の経路で流れるので、ゲート電圧が負電位になる。
コンデンサ10及び34→FET21→電流検出抵抗18→寄生ダイオード6D
の経路で流れる。この時、区間2において充電されたコンデンサ34の電荷が、FET21のソースに電源として供給されている。
図10に示すように、第3実施形態の駆動装置41は、第1実施形態の第2電源回路20を備えている。また、端子G,PGND間にはスイッチ回路42(スイッチ手段)が接続されている。次に、第3実施形態の作用について説明する。図5に示すゲート電圧波形がハイレベルとなる区間0においてFET2Xがオンしている際には、FET2X(及びセンスFET6)のゲートは、図11に示すように
バッテリ8(+)→FET11→FET2Xのゲート及びソース
→コンデンサ10→バッテリ8(−)
の経路で流れる電流によって充電される。
スイッチ回路42→端子PGND→FET2Xのソース
の経路で流れる。したがって、FET2Xのゲート電位は0Vまで低下する(図14参照)。
FET12→端子ICGND→コンデンサ10→FET2Xのソース
の経路で流れるので、ゲート電圧が負電位になる。
(区間0での充電量)>(区間2での放電量)
という関係になる。そして、センスFET6のオン期間にコンデンサ10を放電させる電荷と、センスFET6のオフ期間にコンデンサ10を充電する電荷との収支は第1実施形態と同様にゼロである。
図15に示すように、第4実施形態の駆動装置51は、第3実施形態の駆動装置41より第2電源回路20及びスイッチ回路42を削除し、第2電源回路52及び端子VCNを配置した構成である。第2電源回路52は、端子G,VCP間に接続されるスイッチ回路53(第1スイッチ手段)と、端子VCP,VCN間に接続されるコンデンサ54と、端子VCN,PGND間に接続されるスイッチ回路55(第2スイッチ手段)と、端子VCN,ICGND間に接続されるスイッチ回路56(第3スイッチ手段)とで構成されている。
スイッチ回路53→コンデンサ54→スイッチ回路55→FET2Xのソース
の経路で流れるので、ゲート電位はFET2Xのゲート容量に蓄えられた電荷と、コンデンサ54に蓄えられた電荷とで決定される電圧まで低下する。この時、コンデンサ54が充電される(放電電流が電荷として回収される)。
FET12→端子ICGND→コンデンサ10→FET2Xのソース
の経路で流れるので、ゲート電圧が負電位になる。すなわち、区間1においてコンデンサ54を充電した分だけ、区間2においてコンデンサ10が放電される電荷が減少する。つまり、第3実施形態と同様に、
(区間0での充電量)>(区間2での放電量)
となる。
コンデンサ10→スイッチ回路56→コンデンサ54
→FET21→電流検出抵抗18→寄生ダイオード6D
の経路で流れる。この時、コンデンサ54に充電された電荷が利用される。
図21に示すように、第5実施形態の駆動装置61は、第1実施形態の駆動装置7において端子SE,PGND間にスイッチ回路62(スイッチ手段)を加えたものである。次に、第5実施形態の作用について説明する。センスFET6がオンした際の正電流は、スイッチ回路62をオフすることで第1実施形態と同じ経路で流れる。そして、スイッチ回路62を、図22に示すように、負電流が流れる期間においてPWMキャリアのオン期間よりも短い周期でオンオフを繰り返すように制御する。
端子PGND→スイッチ回路62→寄生ダイオード6D
の経路で流れるので、電流検出抵抗18には流れなくなる。
図25に示すように、第6実施形態の駆動装置71は、第1実施形態の駆動装置7において、第2電源回路20の電源出力端子と端子ICGNDとの間に、定電流源72(第2定電流源)及びNチャネルMOSFET73(第2補助スイッチング素子)の直列回路と、PチャネルMOSFET74(第1補助スイッチング素子)及び定電流源75(第1定電流源)の直列回路とを接続した構成である。そして、オペアンプ23の出力端子はFET73及び74のゲートに接続されており、FET21のゲートはFET74のドレインに、FET22のゲートはFET73のドレインにそれぞれ接続されている。
図28及び図29に示すように、第7実施形態の駆動装置7Aは、駆動装置7においてFET12のソースを、端子ICGNDに替えて端子PGNDに接続した構成である。このように構成すれば、FET2Xをターンオフさせる際のゲート電位は0Vになる。したがって、ゲートを負電位にせずともターンオフが可能なFETであれば適用できる。
図30に示すように、第8実施形態の駆動装置7Bは、定電圧レギュレータ16Bが外部より入力される制御信号(起動信号)がアクティブとなる期間のみ動作するように構成されている。これにより、駆動装置7Bを起動する際に定電圧レギュレータ16Bを一定期間だけ動作させて、コンデンサ10をαVに充電してから(図31参照)FET2X及び6の駆動制御を開始させるようにする。すると、以降の通常動作においてコンデンサ10に対する充放電電圧が±βV(β<α)で変化しても、端子ICGNDは負電位を維持するようになる(コンデンサ10の容量を、そのように設定する)。またその後、コンデンサ10の端子電圧が(α±β)Vの範囲を超えて変化したことを検知した際に、定電圧レギュレータ16Bを一定期間だけ動作させるようにしても良い。
スイッチング素子はMOSFETに限ることはない。例えば駆動用スイッチング素子については、電圧駆動型のスイッチング素子であれば良い。したがって、寄生ダイオードを有する素子に限らず、還流電流を通電させるためのダイオードは素子に外付けされていても良い。
Claims (9)
- 導通端子間に還流電流を通電させるためのダイオードを備え、電位基準側導通端子が基準グランドに接続される駆動用スイッチング素子(2X),及び非電位基準側導通端子が前記駆動用スイッチング素子と共通に接続され、前記駆動用スイッチング素子に流れる電流を所定の分流比で流す電流検出用スイッチング素子(6)に駆動信号を出力する駆動回路(9)と、
一端が前記電流検出用スイッチング素子の電位基準側導通端子に接続される電流検出用抵抗(18)と、
入力電源に正側端子が接続され、電圧出力端子が前記基準グランドに接続されることで負側端子に負電圧を出力する第1電源回路(17)と、
非反転入力端子が前記電流検出用スイッチング素子の電位基準側導通端子に接続され、反転入力端子が前記基準グランドに接続されるオペアンプ(23)と、
負側端子が、前記入力電源の負側端子(以下、回路グランドと称す)に接続されて電源を生成する第2電源回路(20,32,52)と、
この第2電源回路に並列に接続され、且つ共通接続点が前記電流検出用抵抗の他端に接続されて、前記オペアンプの出力信号のレベル変化に応じて導通状態が相反的に制御される電源側スイッチング素子(21)及びグランド側スイッチング素子(22)の直列回路と、
前記共通接続点の電圧に基づいて、前記電流検出用抵抗に流れる電流を検出する電流検出回路(19)とを備えることを特徴とするスイッチング素子の駆動装置。 - 前記第1電源回路は、前記入力電源に並列に接続される定電圧レギュレータ(16,16B)と、前記基準グランドと前記回路グランドとの間に接続されるコンデンサ(10)とで構成されることを特徴とする請求項1記載のスイッチング素子の駆動装置。
- 前記定電圧レギュレータ(16B)は起動信号が入力されている期間のみ動作して、前記コンデンサを所定電位に充電するように構成されていることを特徴とする請求項2記載のスイッチング素子の駆動装置。
- 前記第2電源回路(20)は、降圧型レギュレータで構成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
- 前記第2電源回路(32)は、前記電源側及びグランド側スイッチング素子の直列回路に並列に接続されるコンデンサ(34)と、
前記駆動回路の出力端子と前記電源側スイッチング素子の電源側導通端子との間に接続されるスイッチ手段(33)とで構成されていることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のスイッチング素子の駆動装置。 - 前記第2電源回路(52)は、前記駆動回路の出力端子と前記電源側スイッチング素子の電源側導通端子との間に接続される第1スイッチ手段(53)と、
前記電源側導通端子と前記基準グランドとの間に接続されるコンデンサ(54)及び第2スイッチ手段(55)の直列回路と、
前記直列回路の共通接続点と前記回路グランドとの間に接続される第3スイッチ手段(56)とを備えることを特徴とする請求項1から3の何れか一項に記載のスイッチング素子の駆動装置。 - 前記駆動回路の出力端子と前記基準グランドとの間に接続されるスイッチ手段(42)を備えることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
- 前記電流検出用スイッチング素子の電位基準側導通端子と前記基準グランドとの間に接続されるスイッチ手段(62)を備えることを特徴とする請求項1から4の何れか一項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
- 前記第2電源回路(20)の電源出力端子と前記電源側スイッチング素子の導通制御端子との間に接続される、前記電源側スイッチング素子と同一電導型の第1補助スイッチング素子(74)と、
この第1補助スイッチング素子と前記回路グランドとの間に接続される第1定電流源(75)と、
前記第2電源回路の電源出力端子と前記グランド側スイッチング素子の導通制御端子との間に接続される第2定電流源(72)と
前記グランド側スイッチング素子の導通制御端子と前記回路グランドとの間に接続される、前記グランド側スイッチング素子と同一電導型の第2補助スイッチング素子(73)とを備え、
前記第1及び第2補助スイッチング素子の導通制御端子を、前記オペアンプの出力端子に接続したことを特徴とする請求項1から4,7,8の何れか一項に記載のスイッチング素子の駆動装置。
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