JP6470252B2 - コイル部品及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、コイル部品及びその製造方法に関するもので、例えば、パワーインダクタ及びその製造方法に関するものである。
デジタルＴＶ、携帯電話、ノート型パソコンなどのような電子機器の小型化及び薄型化に伴い、このような電子機器に適用されるコイル部品においても小型化及び薄型化が要求されている。このような要求に応えるべく、様々な形態の巻線型、薄膜型、積層型などのコイル部品の研究開発が活発に行われている。
コイル部品の小型化及び薄型化による主な課題は、このような小型化及び薄型化にもかかわらず、既存と同等の特性を実現することである。このような要求を満たすためには、磁性物質が充填されるコアのサイズ及び低い直流抵抗（Ｒｄｃ）の確保が必要である。そのために、パターンのアスペクト比とコイルの断面積を上昇させることができる技術、例えば、異方性めっき技術を適用してコイルパターンを実現する製品が増加している。
一方、異方性めっき技術を適用してコイル部品を製造する場合、アスペクト比の上昇によって、めっき成長の均一度の低下及びコイルの間におけるショートの発生などの不良リスクが高くなっている。また、異方性めっき技術を適用するために用いられる支持部材は、剛性を維持するために所定の厚さを有しなければならず、これにより、コイルを覆う磁性物質の厚さが減少するしかないため、高透磁率（Ｌｓ）を実現するには限界がある。
本発明の様々な目的の一つは、上記のような問題を解決することであって、コイルを覆う磁性物質の厚さを十分に確保することができ、高いアスペクト比（ＡＲ：Ａｓｐｅｃｔ Ｒａｔｉｏ）を有するパターンの実現が可能な、新しい構造のコイル部品及びその製造方法を提供することにある。
本発明により提案する様々な解決手段の一つは、異方性めっき技術を適用するために用いられる支持部材なしに、平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の複数のコイル層を形成し、それらをバンプを介して電気的に接続して、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成することである。
例えば、本発明によるコイル部品は、磁性物質を含む本体部の内部にコイル部が配置され、上記本体部上に上記コイル部と電気的に接続された電極部が配置されたコイル部品であって、上記コイル部は、平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第１コイル層と、平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第２コイル層と、上記第１コイル層と第２コイル層との間に配置され、上記第１コイル層と第２コイル層とを電気的に接続する第１バンプと、を含み、上記第１コイル層と第２コイル層とが上記第１バンプを介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成することができる。
例えば、本発明によるコイル部品の製造方法は、支持部材と、上記支持部材の両面上にそれぞれ配置された一つ以上の金属層と、を含む基板を準備する段階と、上記金属層上にそれぞれ絶縁層を形成する段階と、上記絶縁層にそれぞれ平面スパイラル状のパターンを形成する段階と、上記絶縁層の平面スパイラル状のパターンを介して露出した上記金属層上に、それぞれ第１めっき層を形成する段階と、上記第１めっき層上にそれぞれ樹脂層を形成する段階と、上記第１樹脂層にそれぞれ上記第１めっき層と接続されるビアを形成する段階と、上記それぞれのビアの少なくとも一つにバンプを形成する段階と、上記支持部材から上記金属層の少なくとも一つをそれぞれ分離する段階と、上記それぞれのビアが互いに接続されるように上記樹脂層を整合積層することで、上記それぞれの第１めっき層を上記バンプを介して電気的に接続する段階と、上記それぞれの絶縁層に残存する金属層を除去する段階と、上記金属層が除去されて露出した上記第１めっき層上に、それぞれ第２めっき層を形成する段階と、を含む方法によりコイル部を形成し、この際、上記バンプを介して接続されたそれぞれの第１めっき層と、上記それぞれの第１めっき層と接続されたそれぞれの第２めっき層とが電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成することができる。
例えば、本発明によるコイル部品は、磁性物質を含む本体部と、上記本体部内に配置されたコイル部と、上記本体部上に配置され、上記コイル部と電気的に接続された電極部と、を含み、上記コイル部は、第１及び第２導体が積層方向に積層された第１コイル層と、第１導体及び第２導体が上記積層方向に積層された第２コイル層と、を含み、上記第１コイル層の上記第１及び第２導体はそれぞれ、平面スパイラル状を有し、０．８〜１．５のアスペクト比を有し、上記第２コイル層の上記第１及び第２導体はそれぞれ、平面スパイラル状を有し、０．８〜１．５のアスペクト比を有し、上記第１及び第２コイル層は上記積層方向に積層されることができる。
例えば、本発明によるコイル部品は、磁性物質を含む本体部と、上記本体部内に配置されたコイル部と、上記本体部上に配置され、上記コイル部と電気的に接続された電極部と、を含み、上記コイル部は、第１導体、第２導体、及び第３導体が積層方向に積層され、上記第１導体と上記第２導体との間には絶縁層が配置され、上記第３導体が上記絶縁層を介して延在し、上記第１及び第２導体と電気的に接続された第１コイル層と、第１導体、第２導体、及び第３導体が上記積層方向に積層され、上記第１導体と上記第２導体との間には絶縁層が配置され、上記第３導体が上記絶縁層を介して延在して上記第１及び第２導体と電気的に接続された第２コイル層と、上記第１及び第２コイル層それぞれの上記第２導体と上記本体部との間に配置された絶縁膜を含むことができる。
本発明の様々な効果の一効果として、従来の異方性めっき技術を適用する時におけるショートなどの問題点を改善することができ、コイルを覆う磁性物質の厚さを十分に確保することができるとともに、高いアスペクト比（ＡＲ）を有するパターンの実現が可能な、新しい構造のコイル部品及びそれを効率的に製造することができる方法を提供することができる。
電子機器に適用される様々なコイル部品の例を概略的に示す。 コイル部品の本体一例を示す概略的な斜視図である。 図２に示されたコイル部品の概略的なＩ−Ｉ'線に沿った切断断面図である。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 コイル部品の他の一例を示す概略的な斜視図である。 図１２に示されたコイル部品の概略的なＩＩ−ＩＩ'線に沿った切断断面図である。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 コイル部品の他の一例を示す概略的な斜視図である。 図２４に示されたコイル部品の概略的なＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った切断断面図である。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。 異方性めっき技術を適用したコイル部品の一例を概略的に示す。
以下では、添付の図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されない。また、本発明の実施形態は、当該技術分野で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために拡大縮小表示（または強調表示や簡略化表示）がされることがある。
電子機器
図１は電子機器に適用される様々なコイル部品の例を概略的に示す。
図面を参照すると、電子機器には種々の電子部品が用いられることが分かる。例えば、アプリケーションプロセッサ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）を中心として、ＤＣ／ＤＣ、コミュニケーションプロセッサ（ｃｏｍｍ． ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＷＬＡＮ ＢＴ／ＷｉＦｉ ＦＭ ＧＰＳ ＮＦＣ、ＰＭＩＣ、電池、ＳＭＢＣ、ＬＣＤ ＡＭＯＬＥＤ、オーディオコーデック（Ａｕｄｉｏ Ｃｏｄｅｃ）、ＵＳＢ２．０／３．０ ＨＤＭＩ（登録商標）、ＣＡＭなどが用いられることができる。この際、このような電子部品の間には、ノイズを除去するなどの目的で、種々のコイル部品がその用途に応じて適宜適用されることができる。例えば、パワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）１、高周波インダクタ（ＨＦ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）２、通常のビーズ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｂｅａｄ）３、高周波用ビーズ（ＧＨｚ Ｂｅａｄ）４、コモンモードフィルター（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）５などが挙げられる。
具体的に、パワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）１は、電気を磁場形態で貯蔵し、出力電圧を維持することで、電源を安定させる用途などに用いられることができる。また、高周波インダクタ（ＨＦ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）２は、インピーダンスをマッチングして必要な周波数を確保したり、ノイズ及び交流成分を遮断したりするなどの用途に用いられることができる。また、通常のビーズ（Ｇｅｎｅｒａｌ Ｂｅａｄ）３は、電源及び信号ラインのノイズを除去したり、高周波リップルを除去したりするなどの用途に用いられることができる。また、高周波用ビーズ（ＧＨｚ Ｂｅａｄ）４は、オーディオに関する信号ライン及び電源ラインの高周波ノイズを除去するなどの用途に用いられることができる。また、コモンモードフィルター（Ｃｏｍｍｏｎ Ｍｏｄｅ Ｆｉｌｔｅｒ）５は、ディファレンシャルモードでは電流を通過させ、コモンモードノイズのみを除去するなどの用途に用いられることができる。
電子機器は、代表的にスマートフォン（Ｓｍａｒｔ Ｐｈｏｎｅ）であることができるが、これに限定されるものではなく、例えば、携帯情報端末（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｄｉｇｉｔａｌ ａｓｓｉｓｔａｎｔ）、デジタルビデオカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｖｉｄｅｏ ｃａｍｅｒａ）、デジタルスチルカメラ（ｄｉｇｉｔａｌ ｓｔｉｌｌ ｃａｍｅｒａ）、ネットワークシステム（ｎｅｔｗｏｒｋ ｓｙｓｔｅｍ）、コンピューター（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、モニター（ｍｏｎｉｔｏｒ）、テレビ（ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ）、ビデオゲーム（ｖｉｄｅｏ ｇａｍｅ）、スマートウォッチ（ｓｍａｒｔ ｗａｔｃｈ）であってもよい。これらの他にも、通常の技術者に公知の他の様々な電子機器などであってもよいことはいうまでもない。
コイル部品
以下では、本発明のコイル部品について説明するにあたり、便宜上、インダクタ（Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）、具体的にはパワーインダクタ（Ｐｏｗｅｒ Ｉｎｄｕｃｔｏｒ）の構造を例として説明するが、他の様々な用途のコイル部品にも本発明のコイル部品が適用され得ることはいうまでもない。
一方、以下で用いる側部は、便宜上、第１方向または第２方向に向かう方向を意味するものとして用い、上部は、便宜上、第３方向に向かう方向を意味するものとして用い、下部は、便宜上、第３方向の反対方向に向かう方向として用いた。尚、側部、上部、または下部に位置するということは、対象構成要素が、基準となる構成要素と該当方向に直接接触することだけでなく、該当方向に位置し、直接接触していない場合も含む概念として用いた。
但し、これは説明の便宜のために方向を定義したものであって、特許請求の範囲の権利範囲がこのような方向についての記載により特に限定されるものではないことはいうまでもない。
図２はコイル部品の一例を示す概略的な斜視図である。
図３は図２に示されたコイル部品１００Ａの概略的なＩ−Ｉ'線に沿った切断断面図である。
図面を参照すると、一例によるコイル部品１００Ａは、本体部１０と、本体部１０の内部に配置されたコイル部２０と、本体部１０上に配置され、コイル部２０と電気的に接続された電極部８０と、を含む。
本体部１０は、コイル部品１００Ａの外観をなすものであって、第１方向に向かい合う第１面及び第２面と、第２方向に向かい合う第３面及び第４面と、第３方向に向かい合う第５面及び第６面と、を含む。本体部１０はこのように六面体形状であることができるが、これに限定されるものではない。本体部１０は磁性物質１１を含む。本体部１０に含まれた磁性物質１１は、コイル部２０の上部及び下部を覆うとともに、コイル部２０の中心部に形成された貫通孔を満たす。これにより、コイル部品１００Ａの特性が向上することができる。
磁性物質１１としては、磁性の性質を有するものであれば特に限定されず、例えば、純鉄粉末、Ｆｅ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｍｏ−Ｃｕ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ系合金粉末、Ｆｅ−Ｃｒ−Ｓｉ系合金粉末、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ系合金粉末、またはＦｅ−Ｃｒ−Ａｌ系合金粉末などのＦｅ合金類、Ｆｅ基非晶質、Ｃｏ基非晶質などの非晶質合金類、Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ−Ｍｇ系フェライト、Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｍｎ−Ｓｒ系フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトなどのスピネル型フェライト類、Ｂａ−Ｚｎ系フェライト、Ｂａ−Ｍｇ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ系フェライト、Ｂａ−Ｃｏ系フェライト、Ｂａ−Ｎｉ−Ｃｏ系フェライトなどの六方晶型フェライト類、Ｙ系フェライトなどのガーネット型フェライト類が挙げられる。
磁性物質１１は、金属磁性体粉末１１ａ、１１ｂ、１１ｃ及び樹脂混合物を含むものであることができる。金属磁性体粉末１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、またはシリコン（Ｓｉ）を主成分として含むことができ、例えば、鉄（Ｆｅ）−ニッケル（Ｎｉ）、鉄（Ｆｅ）、鉄（Ｆｅ）−クロム（Ｃｒ）−シリコン（Ｓｉ）などを含むことができるが、これらに限定されるものではない。樹脂は、エポキシ（ｅｐｏｘｙ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、液晶ポリマー（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｐｏｌｙｍｅｒ）などを単独または混合して含むことができるが、これらに限定されるものではない。金属磁性体粉末１１ａ、１１ｂ、１１ｃは、複数の平均粒径ｄ１、ｄ２、ｄ３を有する金属磁性体粉末１１ａ、１１ｂ、１１ｃが充填されてなるものであってもよい。この場合、互いに異なる大きさの金属磁性体粉末１１ａ、１１ｂ、１１ｃを用いて圧着することで、磁性体樹脂複合体を完全に満たすことができるため、充填率を高めることができ、その結果、コイル部品１００Ａの特性が向上することができる。
コイル部２０はコイル部品１００Ａの特性を発現するためのものであって、コイル部品１００Ａは、コイル部２０のコイルから発現する特性に応じて電子機器内で様々な機能を担うことができる。例えば、コイル部品１００Ａは上述のようにパワーインダクタであることができ、この場合、コイルは、電気を磁場形態で貯蔵し、出力電圧を維持することで、電源を安定させる役割などを果たすことができる。コイル部２０は複数のコイル層２１、２２で構成されており、この複数のコイル層２１、２２が電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成する。それぞれのコイル層２１、２２は、平面スパイラル状を有する複数の導体２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃが積層された形態である。例えば、それぞれのコイル層２１、２２は、断面形状が略亜鈴状であるパターンが平面スパイラル状に形成されたものであることができる。
コイル部２０は、平面スパイラル状を有する第１〜第３導体２１ａ、２１ｂ、２１ｃが積層された形態の第１コイル層２１と、平面スパイラル状を有する第１〜第３導体２２ａ、２２ｂ、２２ｃが積層された形態の第２コイル層２２と、第１コイル層２１と第２コイル層２２との間に配置され、第１コイル層２１と第２コイル層２２とを電気的に接続する第１バンプ３１と、第１コイル層２１の第１導体２１ａ及び第２コイル層２２の第１導体２２ａが埋め込まれた（ｅｍｂｅｄｄｅｄ）第１樹脂層４１と、第１コイル層２１の第１導体２１ａと第２導体２１ｂとの間に配置された第１絶縁層５１と、第２コイル層２２の第１導体２２ａと第２導体２２ｂとの間に配置された第２絶縁層５２と、第１コイル層２１の第２導体２１ｂの表面を覆う第１絶縁膜６１と、第２コイル層２２の第２導体２２ｂの表面を覆う第２絶縁膜６２と、を含む。第１バンプ３１は、第１コイル層２１の第１導体２１ａと第２コイル層２２の第１導体２２ａとの間で第１樹脂層４１を貫通し、第１コイル層２１の第３導体２１ｃは第１絶縁層５１を貫通し、第２コイル層２２の第３導体２２ｃは第２絶縁層５２を貫通する。
第１及び第２コイル層２１、２２はそれぞれ、第１導体２１ａ、２２ａと、第２導体２１ｂ、２２ｂと、第１導体２１ａ、２２ａと第２導体２１ｂ、２２ｂとの間に配置されてこれらを接続させる第３導体２１ｃ、２２ｃと、を含む。第１〜第３導体２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃはそれぞれ平面スパイラル状を有する。第１及び第２導体２１ａ、２１ｂ、２２ａ、２２ｂの線幅は、第３導体２１ｃ、２２ｃの線幅より広い。例えば、第１及び第２コイル層２１、２２は、それぞれ第１〜第３導体２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃが積層された断面形状が略亜鈴状であることができるが、これに限定されるものではない。第１〜第３導体２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃの物質としては、それぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を用いることができるが、これらに限定されるものではない。それぞれ第１〜第３導体２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃが接続された第１及び第２コイル層２１、２２は、平面、すなわち、水平方向にそれぞれ２回以上のコイルのターン数を有することができる。
第１導体２１ａ、２２ａと第３導体２１ｃ、２２ｃは同一の工程により形成されたものであることができる。したがって、同一の物質を含むことができ、これらの間に境界が存在しなくてもよい。また、第２導体２１ｂ、２２ｂと第３導体２１ｃ、２２ｃは、それぞれ別の工程によって順に形成されたものであることができる。したがって、同一の物質を含むことはできるが、これらの間に境界が存在し得る。第１コイル層２１の第１及び第３導体２１ａ、２１ｃは、異方性めっきを適用して、第１絶縁層５１を基準として一方側方向に形成されたものであることができ、第１コイル層２１の第２導体２１ｂは、異方性めっきを適用して、第１絶縁層５１を基準として他方側方向に形成されたものであることができる。第２コイル層２２の第１及び第３導体２２ａ、２２ｃは、異方性めっきを適用して、第２絶縁層５２を基準として一方側方向に形成されたものであることができ、第２コイル層２２の第２導体２２ｂは、異方性めっきを適用して、第２絶縁層５２を基準として他方側方向に形成されたものであることができる。このように、第１及び第２コイル層２１、２２は、絶縁層５１、５２を基準として両側方向に、異方性めっきを適用して形成することができる。これにより、ショートなどの不良が生じることなく、略亜鈴状の高いアスペクト比（ＡＲ）を有する断面形状を有することができる。この際、何れか一方側方向に異方性めっきにより形成されるパターンは、約０．８〜１．５程度のアスペクト比（ＡＲ）を有することができる。
第１バンプ３１は、第１コイル層２１と第２コイル層２２との間に配置され、第１コイル層２１と第２コイル層２２とを電気的に接続する。第１バンプ３１は、電解めっき、ペースト印刷などにより形成されることができ、形成物質としては、例えば、スズ（Ｓｎ）／銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）／銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）がコーティングされた銅（Ｃｕ）／スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）／スズ（Ｓｎ）−ビスマス（Ｂｉ）などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。第１バンプ３１は金属間化合物（ＩＭＣ：Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができる。金属間化合物（ＩＭＣ）は、コイル部品１００Ａの製造過程中における高温真空プレス過程で形成されることができる。金属間化合物（ＩＭＣ）は、層間接続力を高め、且つ導通抵抗を下げて、円滑な電子の流れを可能にする。第１コイル層２１と第２コイル層２２とは第１バンプ３１を介して電気的に接続され、その結果、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成する。
第１樹脂層４１は、第１コイル層２１の第１導体２１ａ及び第２コイル層２２の第１導体２２ａを埋め込む。第１樹脂層４１は、第１コイル層２１の第１導体２１ａを埋め込む樹脂層と、第２コイル層２２の第１導体２２ａを埋め込む樹脂層と、が整合積層により一体化されたものであることができる。これら樹脂層は、その境界が不明確であってもよく、その境界が明確であってもよい。第１樹脂層４１の形成物質としては公知の絶縁物質を用いることができ、必要に応じて、感光性絶縁物質（ＰＩＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を用いることもできるが、これに限定されるものではない。第１バンプ３１は、第１コイル層２１の第１導体２１ａと第２コイル層２２の第１導体２２ａとの間で第１樹脂層４１を貫通する。この際、第１樹脂層４１の材料として感光性絶縁物質を用いる場合、第１バンプ３１を形成するためのビアを公知の露光及び現像、すなわち、フォトリソグラフィ工法により形成することができる。そのため、ビアをより薄く且つ微細に形成することができ、これにより、電流が流れるコイルの厚さを一定にすることができる。必要に応じて、第１樹脂層４１として、磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーが含有された硬化性絶縁物質を用いてもよく、この場合、コイル部品１００Ａの磁気密度を高めることができる。磁性体フィラーが含有された硬化性絶縁物質を用いる場合、第１バンプ３１のためのビアはレーザーなどを用いて形成する。
第１及び第２絶縁層５１、５２はそれぞれ、第１コイル層２１の第１導体２１ａと第２導体２１ｂとの間、及び第２コイル層２２の第１導体２２ａと第２導体２２ｂとの間に配置される。それぞれの第１及び第２絶縁層５１、５２を基準として両側に、異方性めっき技術を適用して、平面スパイラル状を有する複数の導体２１ａ、２２ａ、２１ｂ、２２ｂ、２１ｃ、２２ｃが積層された形態の第１及び第２コイル層２１、２２を形成することができる。これにより、ショートなどの不良が生じることなく、第１及び第２コイル層２１、２２を略亜鈴状の高いアスペクト比（ＡＲ）を有する断面形状を有するように実現することができる。第１及び第２絶縁層５１、５２の形成物質としては公知の絶縁物質を用いることができ、中でも感光性絶縁物質を用いることが好ましいが、これに限定されるものではない。第１及び第２コイル層２１、２２の第３導体２１ｃ、２２ｃはそれぞれ第１及び第２絶縁層５１、５２を貫通する。第１及び第２絶縁層５１、５２の材料として感光性絶縁物質を用いる場合、第１及び第２コイル層２１、２２の第３導体２１ｃ、２２ｃを形成するための平面スパイラル状のパターンを公知の露光及び現像、すなわち、フォトリソグラフィ工法で形成することができるため、さらに容易に且つ正確にパターンを形成することができる。
第１樹脂層４１は第１及び第２絶縁層５１、５２より厚さが厚ければよい。すなわち、第１及び第２絶縁層５１、５２は非常に薄い厚さを有することができる。また、それぞれの第１及び第２コイル層２１、２２のパターン間の絶縁厚さを調節しやすいため、第１樹脂層４１、第１絶縁層５１、及び第２絶縁層５２の厚さを最小化することができる。したがって、全体的にコイル部２０の厚さを薄くすることができる。その結果、コイル部２０の上部及び下部を覆う磁性物質１１の厚さを厚くすることができるため、コイル部品１００Ａの透磁率を向上させることができる。
第１及び第２絶縁膜６１、６２はそれぞれ、第１コイル層２１の第２導体２１ｂの表面及び第２コイル層２２の第２導体２２ｂの表面を覆う。第１及び第２絶縁膜６１、６２は、それぞれのコイル層２１、２２の第２導体２１ｂ、２２ｂのパターン間の絶縁のために必要に応じて形成するものであって、流動性を有し、５〜１０μｍの電極を満たすことができ、絶縁特性を有するポリマー系の絶縁物質、例えば、ペリレン（Ｐｅｒｙｌｅｎｅ）などを用いて絶縁コーティングにより形成することができる。
電極部８０は、コイル部品１００Ａが電子機器に実装される時に、コイル部品１００Ａを電子機器と電気的に接続させる役割を果たす。電極部８０は、本体部１０上に互いに離隔されて配置された第１電極８１及び第２電極８２を含む。それぞれの第１及び第２電極８１、８２は、本体部１０の第１方向に互いに向かい合う第１及び第２面を覆うとともに、本体部１０の第１及び第２面と接続された第３〜第６面に延在することができる。それぞれの第１及び第２電極８１、８２は、本体部１０の第１及び第２面でコイル部２０の第１及び第２引出端子（符号不図示）と電気的に接続されることができる。但し、第１及び第２電極８１、８２の配置形態がこれに限定されるものではない。第１及び第２電極８１、８２は、例えば、伝導性樹脂層と、伝導性樹脂層上に形成された導体層と、を含むことができる。伝導性樹脂層は、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及び銀（Ａｇ）からなる群より選択された何れか一つ以上の導電性金属及び熱硬化性樹脂を含むことができる。導体層は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、及びスズ（Ｓｎ）からなる群より選択された何れか一つ以上を含むことができ、例えば、ニッケル（Ｎｉ）層とスズ（Ｓｎ）層が順に形成されることができる。但し、これに限定されるものではない。
図４〜図１１は図２に示されたコイル部品１００Ａの概略的な一製造例を示す。
図４を参照すると、先ず、基板２００を準備する。基板２００は、支持部材２０１と、支持部材２０１の両面に配置された第１金属層２０２、２０３と、第１金属層２０２、２０３上に配置された第２金属層２０４、２０５と、を含むものであることができる。場合に応じて、一面にのみ第１及び第２金属層２０２、２０３、２０４、２０５が配置されたものであってもよく、支持部材２０１の両面に第２金属層２０４、２０５のみが配置されたものであってもよい。支持部材２０１は、絶縁樹脂からなる絶縁基板であることができる。絶縁樹脂としては、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維及び／または無機フィラーなどの補強材が含浸された樹脂、例えば、プリプレグ（ｐｒｅｐｒｅｇ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄ−ｕｐ Ｆｉｌｍ）、ＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）などを用いることができる。第１及び第２金属層２０２、２０３、２０４、２０５は、通常、薄い銅箔であることが一般的であるが、これに限定されるものではなく、他の金属物質を含んでもよい。制限されない一例として、基板２００は、当該技術分野において公知の銅張積層板（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）であることができる。次に、基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５上に、それぞれ第１及び第２絶縁層５１、５２を形成する。第１及び第２絶縁層５１、５２は、上述の絶縁物質、例えば、感光性絶縁物質を所定の厚さ、例えば、１０〜２０μｍ程度の厚さにラミネートする方法により形成することができる。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２にそれぞれ平面スパイラル状のパターン５１Ｐ、５２Ｐを形成する。第１及び第２絶縁層５１、５２の材料が感光性絶縁物質である場合、平面スパイラル状のパターン５１Ｐ、５２Ｐは、公知のフォトリソグラフィ工法、すなわち、露光、現像、乾燥などの段階により形成することができる。平面スパイラル状のパターン５１Ｐ、５２Ｐを形成すると、基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５が、後続工程のめっき工程でシード層として用いられるように外部に露出するようになる。
図５を参照すると、第１及び第２絶縁層５１、５２上にドライフィルム２１０、２２０を形成する。ドライフィルム２１０、２２０の形成方法も特に限定されず、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さを有するドライフィルム２１０、２２０を公知の方法によりラミネートすることで形成することができる。次に、ドライフィルム２１０、２２０に、後続工程のめっき工程のためのダム２１０Ｐ、２２０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。ダム２１０Ｐ、２２０Ｐは、例えば、異方性めっきのためのものであることができるが、これに限定されるものではない。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２の平面スパイラル状のパターンを介して露出した基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５上に、それぞれ第１めっき層２１Ａ、２２Ａを形成する。第１めっき層２１Ａ、２２Ａは、露出した第２金属層２０４、２０５をシード層として用いて、公知のめっき工法により形成することができ、例えば、異方性電解めっきにより形成することができる。両側に形成された第１めっき層２１Ａ、２２Ａはそれぞれ、第１及び第２絶縁層５１、５２の平面スパイラル状のパターンを満たす第３導体２１ｃ、２２ｃと、第３導体２１ｃ、２２ｃ上に形成された第１導体２１ａ、２２ａと、を含むことができ、第１導体２１ａ、２２ａと第３導体２１ｃ、２２ｃとの間には特に境界が存在しなくてもよい。第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第１導体２１ａ、２２ａは、線幅が約８０〜１２０μｍ、厚さが約８０〜１２０μｍ、線間間隔が約２〜５μｍ、パターンのアスペクト比（ＡＲ）が０．８〜１．５程度であることができるが、これに限定されるものではない。
図６を参照すると、ドライフィルム２１０、２２０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。ストリップには公知のエッチング方法が適用されることができるが、これに限定されるものではない。この際、必要に応じて、両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第１導体２１ａ、２２ａの表面に絶縁コーティングにより絶縁膜（不図示）を形成して、パターン間の未充填を防止することができる。次に、両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａ上にそれぞれ樹脂層４１ａ、４１ｂを形成する。樹脂層４１ａ、４１ｂは第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第１導体２１ａ、２２ａを埋め込む。樹脂層４１ａ、４１ｂも、絶縁物質、例えば、感光性絶縁物質を所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さにラミネートする方法により形成することができる。または、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さを有する磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーを含有する硬化性フィルムをラミネートする方法により形成することもできる。次に、両側の樹脂層４１ａ、４１ｂに、それぞれ第１めっき層２１Ａ、２２Ａと接続されるビア４１ａｈ、４１ｂｈを形成する。ビア４１ａｈ、４１ｂｈは、樹脂層４１ａ、４１ｂが感光性絶縁物質を含む場合には公知のフォトリソグラフィ工法により形成し、樹脂層４１ａ、４１ｂが硬化性絶縁物質を含む場合には公知のレーザー工法などにより形成することができる。
図７を参照すると、両側の樹脂層４１ａ、４１ｂに形成されたビア４１ａｈ、４１ｂｈの少なくとも一つに第１バンプ３１を形成する。第１バンプ３１は、電解めっき、ペースト印刷などの公知の方法により形成することができる。一方、第１バンプ３１は、樹脂層４１ａ、４１ｂの表面を基準として、それより突出するように形成することができ、樹脂層４１ａ、４１ｂの表面を基準として突出した厚さが約５〜１０μｍ程度であることができる。次に、樹脂層４１ａ、４１ｂ上に、第１バンプ３１を保護するためのブラックマスク２３０、２４０を形成する。ブラックマスク２３０、２４０も公知のラミネート方法により形成することができる。次に、支持部材２０１から両側の第２金属層２０４、２０５をそれぞれ分離する。分離方法は特に限定されず、例えば、公知の方法を用いて支持部材２０１の両側の第１及び第２金属層２０２、２０３、２０４、２０５を互いに分離させる方法により行うことができる。
図８を参照すると、それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂに形成されたビア４１ａｈ、４１ｂｈが互いに接続されるように、それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂを互いに整合積層する。この際、何れか一つのビア４１ａｈ、４１ｂｈに形成された第１バンプ３１は、他の一つのビア４１ａｈ、４１ｂｈ内にも配置されるようになる。その結果、それぞれの第１めっき層２１Ａ、２２Ａが第１バンプ３１を介して電気的に接続される。それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂが高温圧着により接着されることで、第１樹脂層４１が形成される。この際、第１バンプ３１と第１めっき層２１Ａ、２２Ａとの間に金属間化合物（ＩＭＣ）が形成されることができる。これにより、層間接続力を高め、導通抵抗を下げて、円滑な電子の流れを可能にすることができる。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２に残存する第２金属層２０４、２０５を除去する。第２金属層２０４、２０５の除去には、公知のエッチング方法を用いることができる。次に、第２金属層２０４、２０５を除去した部位にドライフィルム２５０、２６０を形成する。ドライフィルム２５０、２６０は、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さにラミネートすることで形成することができる。
図９を参照すると、ドライフィルム２５０、２６０に、後続工程のめっき工程のためのダム２５０Ｐ、２６０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。ダム２５０Ｐ、２６０Ｐは、例えば、異方性めっきのためのものであることができるが、これに限定されるものではない。次に、ダム２５０Ｐ、２６０Ｐを介して露出した両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第３導体２１ｃ、２２ｃ上に、第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂを形成する。第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂは、露出した第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第３導体２１ｃ、２２ｃをシード層として用いて、公知のめっき工法により形成することができ、例えば、異方性電解めっきにより形成することができる。両側に形成された第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂはそれぞれ第２導体２１ｂ、２２ｂを含むことができ、第２導体２１ｂ、２２ｂと第３導体２１ｃ、２２ｃとの間には境界が存在してもよい。第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂの第２導体２１ｂ、２２ｂは、線幅が約８０〜１２０μｍ、厚さが約８０〜１２０μｍ、線間間隔が約２〜５μｍ、パターンのアスペクト比（ＡＲ）が０．８〜１．５程度であることができるが、これに限定されるものではない。両側に形成された第１及び第２めっき層２１Ａ、２２Ａ、２１Ｂ、２２Ｂが互いに接続されて、それぞれ第１及び第２コイル層２１、２２を形成する。第１コイル層２１と第２コイル層２２とが第１バンプ３１を介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成する。次に、ドライフィルム２５０、２６０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。ストリップには公知のエッチング方法が適用されることができるが、これに限定されるものではない。この際、必要に応じて、両側の第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂの第２導体２１ｂ、２２ｂの表面に絶縁コーティングにより絶縁膜（不図示）を形成して、パターン間の未充填を防止することができる。
図１０を参照すると、第１樹脂層４１、第１絶縁層５１、及び第２絶縁層５２の中心部を貫通する貫通孔を形成する。貫通孔が形成された領域は、コイル部２０のコア領域２０ｃとなる。貫通孔は、フォトリソグラフィ工法、レーザードリル／及びまたは機械的ドリル、エッチング方法などを用いて形成することができる。次に、第１及び第２コイル層２１、２２の第２導体２１ｂ、２２ｂの表面をそれぞれ覆う第１及び第２絶縁膜６１、６２を形成する。第１及び第２絶縁膜６１、６２は公知の絶縁コーティング方法を用いて形成することができる。一連の過程を経てコイル部２０が形成される。次に、磁性物質１１を用いて、コイル部２０の上部及び下部を覆うとともに、中心部に形成された貫通孔を満たす。その方法としては、例えば、複数の磁性体シートをコイル部２０の上部及び下部にラミネートする方法を用いることができるが、これに限定されるものではない。一連の過程を経て本体部１０が形成される。
図１１を参照すると、本体部１０を所望のサイズにダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）及び研磨する。ダイシング及び研磨により、コイル部２０の第１及び第２引出端子（符号不図示）が、本体部１０の第１方向に向かい合う第１及び第２面にそれぞれ露出する。次に、本体部１０のコイル部２０の第１及び第２引出端子（符号不図示）とそれぞれ接続されるように、本体部１０の第１及び第２面を少なくとも覆う第１及び第２電極８１、８２を形成する。第１及び第２電極８１、８２は、例えば、伝導性樹脂層と、伝導性樹脂層上に形成された導体層と、を順に形成する方法により形成することができる。伝導性樹脂層はペースト印刷を用いて形成することができる。導体層は、公知のめっき工法などを用いて形成することができる。但し、伝導性樹脂層及び導体層の形成方法はこれらに限定されるものではない。一連の過程を経て電極部８０が形成される。
一方、一例によるコイル部品の製造工程が必ずしも上述の順序に限定されるものではなく、必要に応じて、後で説明した段階を先に行い、先に説明した段階を後続工程として行うこともできる。
図１２はコイル部品の他の一例を示す概略的な斜視図である。
図１３は図１２に示されたコイル部品の概略的なＩＩ−ＩＩ'線に沿った切断断面図である。
以下、他の一例によるコイル部品について説明するが、上述の内容と重複する内容は省略し、相違点を中心に説明する。
図面を参照すると、他の一例によるコイル部品１００Ｂは、コイル部２０の第１コイル層２１及び第２コイル層２２が、それぞれ第２導体２１ｂ、２２ｂ上に配置されて第２導体２１ｂ、２２ｂと直接接続された第４導体２１ｄ、２２ｄをさらに含む。また、コイル部２０は、第１コイル層２１の第２導体２１ｂが埋め込まれた第２樹脂層４２と、第２コイル層２２の第２導体２２ｂが埋め込まれた第３樹脂層４３と、第１樹脂層４１と第２樹脂層４２との間に配置された第１絶縁層５１と、第１樹脂層４１と第３樹脂層４３との間に配置された第２絶縁層５２と、をさらに含む。第１絶縁膜６１及び第２絶縁膜６２はそれぞれ、第１コイル層２１の第４導体２１ｄ及び第２コイル層２２の第４導体２２ｄの表面を覆う。
第１及び第２コイル層２１、２２は、それぞれ第４導体２１ｄ、２２ｄをさらに含むことができ、これにより、さらに高いアスペクト比（ＡＲ）を有することができる。第４導体２１ｄ、２２ｄの物質としては、それぞれ、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、鉛（Ｐｂ）、チタン（Ｔｉ）、またはこれらの合金などの導電性物質を用いることができるが、これらに限定されるものではない。すなわち、他の一例によるコイル部品１００Ｂでは、第１及び第２コイル層２１、２２がそれぞれ平面スパイラル状を有する第１〜第４導体２１ａ、２１ｂ、２１ｃ、２１ｄ、２２ａ、２２ｂ、２２ｃ、２２ｄが積層された形態である。第１及び第２コイル層２１、２２の第４導体２１ｄ、２２ｄは、第１及び第２コイル層２１、２２の第２導体２１ｂ、２２ｂとの関係において、それぞれ別の工程によって順に形成されることができるため、同一の物質を含む場合でも、その間に境界が存在し得る。
第２及び第３樹脂層４２、４３は、それぞれ第１コイル層２１の第２導体２１ｂ及び第２コイル層２２の第２導体２２ｂを埋め込む。第２及び第３樹脂層４２、４３のそれぞれの形成物質としては公知の絶縁物質を用いることができ、必要に応じて、感光性絶縁物質（ＰＩＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を用いることもできるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、第２及び第３樹脂層４２、４３として磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーが含有された硬化性絶縁物質を用いてもよく、この場合、コイル部品１００Ｂの磁気密度を高めることができる。第２及び第３樹脂層４２、４３は、第１及び第２絶縁層５１、５２より厚さが厚ければよい。
図１４〜図２３は図１２に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。
以下、他の一例によるコイル部品の製造方法について説明するが、上述の内容と重複する内容は省略し、相違点を中心に説明する。
図１４を参照すると、先ず、基板２００を準備する。次に、基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５上にそれぞれ第１及び第２絶縁層５１、５２を形成する。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２にそれぞれ平面スパイラル状のパターン５１Ｐ、５２Ｐを形成する。
図１５を参照すると、第１及び第２絶縁層５１、５２上にドライフィルム２１０、２２０を形成する。次に、ドライフィルム２１０、２２０に、後続工程のめっき工程のためのダム２１０Ｐ、２２０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２の平面スパイラル状のパターンを介して露出した基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５上に、それぞれ第１めっき層２１Ａ、２２Ａを形成する。
図１６を参照すると、ドライフィルム２１０、２２０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。次に、両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａ上にそれぞれ樹脂層４１ａ、４１ｂを形成する。次に、両側の樹脂層４１ａ、４１ｂに、それぞれ第１めっき層２１Ａ、２２Ａと接続されるビア４１ａｈ、４１ｂｈを形成する。
図１７を参照すると、両側の樹脂層４１ａ、４１ｂに形成されたビア４１ａｈ、４１ｂｈの少なくとも一つに第１バンプ３１を形成する。次に、樹脂層４１ａ、４１ｂ上に第１バンプ３１を保護するためのブラックマスク２３０、２４０を形成する。次に、支持部材２０１から両側の第２金属層２０４、２０５をそれぞれ分離する。
図１８を参照すると、それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂに形成されたビア４１ａｈ、４１ｂｈが互いに接続されるように、それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂを互いに整合積層する。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２に残存する第２金属層２０４、２０５を除去する。次に、第２金属層２０４、２０５を除去した部位にドライフィルム２５０、２６０を形成する。
図１９を参照すると、ドライフィルム２５０、２６０に後続工程のめっき工程のためのダム２５０Ｐ、２６０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。次に、ダム２５０Ｐ、２６０Ｐを介して露出した両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第３導体２１ｃ、２２ｃ上に第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂを形成する。次に、ドライフィルム２５０、２６０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。
図２０を参照すると、第１及び第２絶縁層５１、５２上に、第１及び第２コイル層２１、２２のそれぞれの第２導体２１ｂ、２２ｂを埋め込む第２及び第３樹脂層４２、４３を形成する。第２及び第３樹脂層４２、４３は、絶縁物質、例えば、感光性絶縁物質を所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さにラミネートする方法により形成することができる。または、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さを有する磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーを含有する硬化性フィルムをラミネートする方法により形成することもできる。次に、第２及び第３樹脂層４２、４３の表面を公知の方法により平坦化することで、第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂのそれぞれの第２導体２１ｂ、２２ｂが露出するようにする。次に、第２及び第３樹脂層４２、４３上にドライフィルム２７０、２８０を形成する。ドライフィルム２７０、２８０の形成方法も特に限定されず、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さを有するドライフィルム２７０、２８０を公知の方法によりラミネートすることで形成することができる。
図２１を参照すると、ドライフィルム２７０、２８０に、後続工程のめっき工程のためのダム２７０Ｐ、２８０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。ダム２７０Ｐ、２８０Ｐは、例えば、異方性めっきのためのものであることができるが、これに限定されるものではない。次に、露出した第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂのそれぞれの第２導体２１ｂ、２２ｂ上に、これらをシード層として用いて、公知のめっき工法、例えば、異方性電解めっきにより第３めっき層２１Ｃ、２２Ｃを形成する。第３めっき層２１Ｃ、２２Ｃはそれぞれ第４導体２１ｄ、２２ｄを含む。第３めっき層２１Ｃ、２２Ｃの第４導体２１ｄ、２２ｄは、線幅が約８０〜１２０μｍ、厚さが約８０〜１２０μｍ、線間間隔が約２〜５μｍ、パターンのアスペクト比（ＡＲ）が０．８〜１．５程度であることができるが、これに限定されるものではない。両側に形成された第１〜第３めっき層２１Ａ、２２Ａ、２１Ｂ、２２Ｂ、２１Ｃ、２２Ｃが互いに接続されて、それぞれ第１及び第２コイル層２１、２２を形成する。次に、ドライフィルム２７０、２８０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。ストリップには公知のエッチング方法が適用されることができるが、これに限定されるものではない。
図２２を参照すると、第１〜第３樹脂層４１、４２、４３と第１及び第２絶縁層５１、５２の中心部を貫通する貫通孔を形成する。貫通孔が形成された領域は、コイル部２０のコア領域２０ｃとなる。次に、第１及び第２コイル層２１、２２の第４導体２１ｄ、２２ｄの表面をそれぞれ覆う第１及び第２絶縁膜６１、６２を形成する。次に、磁性物質１１を用いて、コイル部２０の上部及び下部を覆うとともに、中心部に形成された貫通孔を満たす。
図２３を参照すると、本体部１０を所望のサイズにダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）及び研磨する。次に、本体部１０のコイル部２０の第１及び第２引出端子（符号不図示）とそれぞれ接続されるように、本体部１０の第１及び第２面を少なくとも覆う第１及び第２電極８１、８２を形成する。一連の過程を経て電極部８０が形成される。
図２４はコイル部品の他の一例を示す概略的な斜視図である。
図２５は図２４に示されたコイル部品の概略的なＩＩＩ−ＩＩＩ'線に沿った切断断面図である。
以下、他の一例によるコイル部品について説明するが、上述の内容と重複する内容は省略し、相違点を中心に説明する。
図面を参照すると、他の一例によるコイル部品１００Ｃは、コイル部２０が、平面スパイラル状を有する第１〜第３導体２３ａ、２３ｂ、２３ｃが積層された形態の第３コイル層２３と、平面スパイラル状を有する第１〜第３導体２４ａ、２４ｂ、２４ｃが積層された形態の第４コイル層２４と、第３コイル層２３と第４コイル層２４との間に配置され、第３コイル層２３と第４コイル層２４とを電気的に接続する第２バンプ３２と、第１コイル層２１と第３コイル層２３との間に配置され、第１コイル層２１と第３コイル層２３とを電気的に接続する第３バンプ３３と、をさらに含む。また、コイル部２０は、第３コイル層２３の第１導体２３ａ及び第４コイル層２４の第１導体２４ａが埋め込まれた第２樹脂層４２と、第１コイル層２１の第２導体２１ｂ及び第３コイル層２３の第２導体２３ｂが埋め込まれた第３樹脂層４３と、第３コイル層２３の第１導体２３ａと第２導体２３ｂとの間に配置された第３絶縁層５３と、第４コイル層２４の第１導体２４ａと第２導体２４ｂとの間に配置された第４絶縁層５４と、をさらに含む。第１絶縁膜６１及び第２絶縁膜６２は、それぞれ第２コイル層２２の第２導体２２ｂ及び第４コイル層２４の第２導体２４ｂの表面を覆う。
第３及び第４コイル層２３、２４も第１及び第２コイル層２１、２２と同様に、平面スパイラル状を有する第１〜第３導体２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２４ａ、２４ｂ、２４ｃが積層された形態であって、具体的な内容は同一である。第１〜第４コイル層２１、２２、２３、２４が第１〜第３バンプ３１、３２、３３を介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成する。コイルがさらに多くのコイル層２１、２２、２３、２４で構成されることで、さらに高いインダクタンスなどが実現可能である。
第２及び第３バンプ３２、３３も第１バンプ３１と同様に、電解めっき、ペースト印刷などにより形成されることができ、形成物質としては、例えば、スズ（Ｓｎ）／銅（Ｃｕ）、スズ（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）／銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）がコーティングされた銅（Ｃｕ）／スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）／スズ（Ｓｎ）−ビスマス（Ｂｉ）などを用いることができるが、これらに限定されるものではない。第２及び第３バンプ３２、３３も金属間化合物（ＩＭＣ：Ｉｎｔｅｒ−Ｍｅｔａｌｌｉｃ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）を含むことができる。金属間化合物（ＩＭＣ）は、コイル部品１００Ｃの製造過程中における高温真空プレス過程で形成されることができる。金属間化合物（ＩＭＣ）は、層間接続力を高め、導通抵抗を下げて、円滑な電子の流れを可能にする。第２バンプ３２は、第３コイル層２３の第１導体２３ａと第４コイル層２４の第１導体２４ａとの間で第２樹脂層４２を貫通し、第３バンプ３３は、第１コイル層２１の第２導体２１ｂと第３コイル層２３の第２導体２３ｂとの間で第３樹脂層４３を貫通する。
第２及び第３樹脂層４２、４３のそれぞれの形成物質としては公知の絶縁物質を用いることができ、必要に応じて、感光性絶縁物質（ＰＩＤ：Ｐｈｏｔｏ Ｉｍａｇｅａｂｌｅ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）を用いることもできるが、これに限定されるものではない。必要に応じて、第２及び第３樹脂層４２、４３として、磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーが含有された硬化性絶縁物質を用いてもよく、この場合、コイル部品１００Ｃの磁気密度を高めることができる。第２及び第３樹脂層４２、４３は、第１〜第４絶縁層５１、５２、５３、５４より厚さが厚ければよい。
それぞれの第３及び第４絶縁層５３、５４を基準として両側に、異方性めっき技術を適用して、平面スパイラル状を有する複数の導体２３ａ、２３ｂ、２３ｃ、２４ａ、２４ｂ、２４ｃが積層された形態の第３及び第４コイル層２３、２４を形成することができる。これにより、ショートなどの不良が生じることなく、略亜鈴状の高いアスペクト比（ＡＲ）を有する断面形状を有するように第３及び第４コイル層２３、２４を実現することができる。第３及び第４絶縁層５３、５４の形成物質としては公知の絶縁物質を用いることができ、中でも感光性絶縁物質を用いることが好ましいが、これに限定されるものではない。第３及び第４コイル層２３、２４の第３導体２３ｃ、２４ｃはそれぞれ第３及び第４絶縁層５３、５４を貫通する。第３及び第４絶縁層５３、５４の材料として感光性絶縁物質を用いる場合、第３及び第４コイル層２３、２４の第３導体２１ｃ、２２ｃを形成するための平面スパイラル状のパターンを、公知の露光及び現像、すなわち、フォトリソグラフィ工法により形成することができるため、さらに容易に且つ正確にパターンを形成することができる。第３コイル層２３の第３導体２３ｃは第３絶縁層５３を貫通し、第４コイル層２４の第３導体２４ｃは第４絶縁層５４を貫通する。
図２６〜図４１は図２４に示されたコイル部品の概略的な一製造例を示す。
以下、他の一例によるコイル部品の製造方法について説明するが、上述の内容と重複する内容は省略し、相違点を中心に説明する。
図２６を参照すると、先ず、基板２００を準備する。次に、基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５上に、それぞれ第１及び第２絶縁層５１、５２を形成する。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２にそれぞれ平面スパイラル状のパターン５１Ｐ、５２Ｐを形成する。
図２７を参照すると、第１及び第２絶縁層５１、５２上にドライフィルム２１０、２２０を形成する。次に、ドライフィルム２１０、２２０に、後続工程のめっき工程のためのダム２１０Ｐ、２２０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２の平面スパイラル状のパターンを介して露出した基板２００の両側に配置された第２金属層２０４、２０５上に、それぞれ第１めっき層２１Ａ、２２Ａを形成する。
図２８を参照すると、ドライフィルム２１０、２２０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。次に、両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａ上にそれぞれ樹脂層４１ａ、４１ｂを形成する。次に、両側の樹脂層４１ａ、４１ｂに、それぞれ第１めっき層２１Ａ、２２Ａと接続されるビア４１ａｈ、４１ｂｈを形成する。
図２９を参照すると、両側の樹脂層４１ａ、４１ｂに形成されたビア４１ａｈ、４１ｂｈの少なくとも一つに第１バンプ３１を形成する。次に、樹脂層４１ａ、４１ｂ上に第１バンプ３１を保護するためのブラックマスク２３０、２４０を形成する。次に、支持部材２０１から両側の第２金属層２０４、２０５をそれぞれ分離する。
図３０を参照すると、それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂに形成されたビア４１ａｈ、４１ｂｈが互いに接続されるように、それぞれの樹脂層４１ａ、４１ｂを互いに整合積層する。次に、第１及び第２絶縁層５１、５２に残存する第２金属層２０４、２０５を除去する。次に、第２金属層２０４、２０５を除去した部位にドライフィルム２５０、２６０を形成する。
図３１を参照すると、ドライフィルム２５０、２６０に、後続工程のめっき工程のためのダム２５０Ｐ、２６０Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。次に、ダム２５０Ｐ、２６０Ｐを介して露出した両側の第１めっき層２１Ａ、２２Ａの第３導体２１ｃ、２２ｃ上に、第２めっき層２１Ｂ、２２Ｂを形成する。次に、ドライフィルム２５０、２６０をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。
図３２を参照すると、基板２００'を準備する。次に、基板２００'の支持部材２０１'の両側の第１めっき層２０２'、２０３'上に配置された第２金属層２０４'、２０５'上に、それぞれ第３及び第４絶縁層５３、５４を形成する。第３及び第４絶縁層５３、５４は、上述の絶縁物質、例えば、感光性絶縁物質を所定の厚さ、例えば、１０〜２０μｍ程度の厚さにラミネートする方法により形成することができる。次に、第３及び第４絶縁層５３、５４に、それぞれ平面スパイラル状のパターン５３Ｐ、５４Ｐを形成する。第３及び第４絶縁層５３、５４の材料が感光性絶縁物質である場合、平面スパイラル状のパターン５３Ｐ、５４Ｐは、公知のフォトリソグラフィ工法、すなわち、露光、現像、乾燥などの段階により形成することができる。平面スパイラル状のパターン５３Ｐ、５４Ｐを形成すると、基板２００'の両側に配置された第２金属層２０４'、２０５'が、後続工程のめっき工程でシード層として用いられるように外部に露出するようになる。
図３３を参照すると、第３及び第４絶縁層５３、５４上にドライフィルム２１０'、２２０'を形成する。次に、ドライフィルム２１０'、２２０'に、後続工程のめっき工程のためのダム２１０'Ｐ、２２０'Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。次に、第３及び第４絶縁層５３、５４の平面スパイラル状のパターンを介して露出した基板２００'の両側に配置された第２金属層２０４'、２０５'上に、それぞれ第１めっき層２３Ａ、２４Ａを形成する。第１めっき層２３Ａ、２４Ａは、露出した第２金属層２０４'、２０５'をシード層として用いて、公知のめっき工法により形成することができ、例えば、異方性電解めっきにより形成することができる。両側に形成された第１めっき層２３Ａ、２４Ａは、それぞれ第３及び第４絶縁層５３、５４の平面スパイラル状のパターンを満たす第３導体２３ｃ、２４ｃと、第３導体２３ｃ、２４ｃ上に形成された第１導体２３ａ、２４ａと、を含むことができ、第１導体２３ａ、２４ａと第３導体２３ｃ、２４ｃとの間には特に境界が存在しなくてもよい。第１めっき層２３Ａ、２４Ａの第１導体２３ａ、２４ａは、線幅が約８０〜１２０μｍ、厚さが約８０〜１２０μｍ、線間間隔が約２〜５μｍ、パターンのアスペクト比（ＡＲ）が０．８〜１．５程度であることができるが、これに限定されるものではない。
図３４を参照すると、ドライフィルム２１０'、２２０'をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。次に、両側の第１めっき層２３Ａ、２４Ａ上にそれぞれ樹脂層４２ａ、４２ｂを形成する。樹脂層４２ａ、４２ｂは、第１めっき層２３Ａ、２４Ａの第１導体２３ａ、２４ａを埋め込む。樹脂層４２ａ、４２ｂも、絶縁物質、例えば、感光性絶縁物質を所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さにラミネートする方法により形成することができる。または、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さを有する磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーを含有する硬化性フィルムをラミネートする方法により形成することもできる。次に、両側の樹脂層４２ａ、４２ｂに、それぞれ第１めっき層２３Ａ、２４Ａと接続されるビア４２ａｈ、４２ｂｈを形成する。ビア４２ａｈ、４２ｂｈは、樹脂層４２ａ、４２ｂが感光性絶縁物質を含む場合には公知のフォトリソグラフィ工法により形成し、樹脂層４２ａ、４２ｂが硬化性絶縁物質を含む場合には公知のレーザー工法などにより形成することができる。
図３５を参照すると、両側の樹脂層４２ａ、４２ｂに形成されたビア４２ａｈ、４２ｂｈの少なくとも一つに第２バンプ３２を形成する。第２バンプ３２は、電解めっき、ペースト印刷などの公知の方法により形成することができる。一方、第２バンプ３２は、樹脂層４２ａ、４２ｂの表面を基準として、それより突出するように形成することができ、樹脂層４２ａ、４２ｂの表面を基準として突出した厚さが約５〜１０μｍ程度であることができる。次に、樹脂層４２ａ、４２ｂ上に、第２バンプ３２を保護するためのブラックマスク２３０'、２４０'を形成する。次に、支持部材２０１'から両側の第２金属層２０４'、２０５'をそれぞれ分離する。
図３６を参照すると、それぞれの樹脂層４２ａ、４２ｂに形成されたビア４２ａｈ、４２ｂｈが互いに接続されるように、それぞれの樹脂層４２ａ、４２ｂを互いに整合積層する。この際、何れか一つのビア４２ａｈ、４２ｂｈに形成された第２バンプ３２は、他の一つのビア４２ａｈ、４２ｂｈ内にも配置されるようになる。その結果、それぞれの第１めっき層２３Ａ、２４Ａが第２バンプ３２を介して電気的に接続される。それぞれの樹脂層４２ａ、４２ｂが高温圧着により接着されることで、第２樹脂層４２が形成される。この際、第２バンプ３２と第１めっき層２３Ａ、２４Ａとの間に金属間化合物（ＩＭＣ）が形成されることができる。これにより、層間接続力を高め、導通抵抗を下げて、円滑な電子の流れを可能にすることができる。次に、第３及び第４絶縁層５３、５４に残存する第２金属層２０４'、２０５'を除去する。次に、第２金属層２０４'、２０５'を除去した部位にドライフィルム２５０'、２６０'を形成する。
図３７を参照すると、ドライフィルム２５０'、２６０'に、後続工程のめっき工程のためのダム２５０'Ｐ、２６０'Ｐを公知のフォトリソグラフィ工法により形成する。次に、ダム２５０'Ｐ、２６０'Ｐを介して露出した両側の第１めっき層２３Ａ、２４Ａの第３導体２３ｃ、２４ｃ上に、第２めっき層２３Ｂ、２４Ｂを形成する。第２めっき層２３Ｂ、２４Ｂは、露出した第１めっき層２３Ａ、２４Ａの第３導体２３ｃ、２４ｃをシード層として用いて、公知のめっき工法により形成することができ、例えば、異方性電解めっきにより形成することができる。両側に形成された第２めっき層２３Ｂ、２４Ｂは、それぞれ第２導体２３ｂ、２４ｂを含むことができ、第２導体２３ｂ、２４ｂと第３導体２３ｃ、２４ｃとの間には境界が存在してもよい。第２めっき層２３Ｂ、２４Ｂの第２導体２３ｂ、２４ｂは、線幅が約８０〜１２０μｍ、厚さが約８０〜１２０μｍ、線間間隔が約２〜５μｍ、パターンのアスペクト比（ＡＲ）が０．８〜１．５程度であることができるが、これに限定されるものではない。両側に形成された第１及び第２めっき層２３Ａ、２４Ａ、２３Ｂ、２４Ｂが互いに接続されて、それぞれ第３及び第４コイル層２３、２４を形成する。次に、ドライフィルム２５０'、２６０'をストリップ（ｓｔｒｉｐ）する。
図３８を参照すると、第１絶縁層５１上に、第２めっき層２１Ｂの第２導体２１ｂを埋め込む樹脂層４３ａを形成する。また、第３絶縁層５３上に、第２めっき層２３Ｂの第２導体２３ｂを埋め込む樹脂層４３ｂを形成する。樹脂層４３ａ、４３ｂも、絶縁物質、例えば、感光性絶縁物質を所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さにラミネートする方法により形成することができる。または、所定の厚さ、例えば、８０〜１５０μｍ程度の厚さを有する磁性フィルム、例えば、磁性体フィラーを含有する硬化性フィルムをラミネートする方法により形成することもできる。次に、樹脂層４３ａ、４３ｂに、それぞれ第２めっき層２１Ｂ、２３Ｂと接続されるビア４３ａｈ、４３ｂｈを形成する。ビア４３ａｈ、４３ｂｈは、樹脂層４３ａ、４３ｂが感光性絶縁物質を含む場合には公知のフォトリソグラフィ工法により形成し、樹脂層４３ａ、４３ｂが硬化性絶縁物質を含む場合には公知のレーザー工法などにより形成することができる。
図３９を参照すると、樹脂層４３ａ、４３ｂに形成されたビア４３ａｈ、４３ｂｈの少なくとも一つに第３バンプ３３を形成する。第３バンプ３３は、電解めっき、ペースト印刷などの公知の方法により形成することができる。一方、第３バンプ３３は、樹脂層４３ａ、４３ｂの表面を基準として、それより突出するように形成することができ、樹脂層４３ａ、４３ｂの表面を基準として突出した厚さが約５〜１０μｍ程度であることができる。次に、それぞれの樹脂層４３ａ、４３ｂに形成されたビア４３ａｈ、４３ｂｈが互いに接続されるように、それぞれの樹脂層４３ａ、４３ｂを互いに整合積層する。この際、何れか一つのビア４３ａｈ、４３ｂｈに形成された第３バンプ３３は、他の一つのビア４３ａｈ、４３ｂｈ内にも配置されるようになる。その結果、それぞれの第２めっき層２１Ｂ、２３Ｂが第３バンプ３３を介して電気的に接続される。それぞれの樹脂層４３ａ、４３ｂが高温圧着により接着されることで、第３樹脂層４３が形成される。この際、第３バンプ３３と第２めっき層２１Ｂ、２３Ｂとの間に金属間化合物（ＩＭＣ）が形成されることができる。これにより、層間接続力を高め、導通抵抗を下げて、円滑な電子の流れを可能にすることができる。
図４０を参照すると、第１〜第３樹脂層４１、４２、４３と第１〜第４絶縁層５１、５２、５３、５４の中心部を貫通する貫通孔を形成する。貫通孔が形成された領域は、コイル部２０のコア領域２０ｃとなる。次に、第２及び第４コイル層２２、２４の第２導体２２ｂ、２４ｂの表面をそれぞれ覆う第１及び第２絶縁膜６１、６２を形成する。第１及び第２絶縁膜６１、６２は、公知の絶縁コーティング方法により形成することができる。一連の過程を経てコイル部２０が形成される。次に、磁性物質１１を用いて、コイル部２０の上部及び下部を覆うとともに、中心部に形成された貫通孔を満たす。一連の過程を経て本体部１０が形成される。
図４１を参照すると、本体部１０を所望のサイズにダイシング（Ｄｉｃｉｎｇ）及び研磨する。次に、本体部１０のコイル部２０の第１及び第２引出端子（符号不図示）とそれぞれ接続されるように、本体部１０の第１及び第２面を少なくとも覆う第１及び第２電極８１、８２を形成する。一連の過程を経て電極部８０が形成される。
図４２は異方性めっき技術を適用したコイル部品一例を概略的に示す。
図面を参照すると、異方性めっき技術を適用したコイル部品は、例えば、支持部材２０１''の両面に、異方性めっき技術によって平面スパイラル状のパターン２１ａ''、２１ｂ''、２１ｃ''、２２ａ''、２２ｂ''、２２ｃ''及び貫通ビア（符号不図示）を形成した後、磁性物質でこれらを埋め込むことで本体１０''を形成し、本体１０''の外部にパターン２１ａ''、２１ｂ''、２１ｃ''、２２ａ''、２２ｂ''、２２ｃ''と電気的に接続される外部電極８１''、８２''を形成することにより製造することができる。ところが、異方性めっき技術を適用する場合、高いアスペクト比を実現することはできるが、アスペクト比の上昇によってめっき成長の均一度が低下する恐れがあり、めっき厚さのばらつきが大きいため、パターン間のショートが依然として発生しやすい。また、支持部材２０１''の厚さｈ３が厚いため、パターン２１ａ''、２１ｂ''、２１ｃ''、２２ａ''、２２ｂ''、２２ｃ''の上部及び下部に配置される磁性物質の厚さｈｄに制約があることが分かる。
一方、本発明において「電気的に接続される」というのは、物理的に接続された場合と、接続されていない場合をともに含む概念である。なお、第１、第２等の表現は、一つの構成要素と他の構成要素を区分するために用いられるもので、該当する構成要素の順序及び／または重要度等を限定しない。場合によっては、本発明の範囲を外れずに、第１構成要素は第２構成要素と命名されることもでき、類似して第２構成要素は第１構成要素と命名されることもできる。
本発明で用いられた「一例」という表現は、互いに同一の実施例を意味せず、それぞれ互いに異なる固有の特徴を強調して説明するために提供されるものである。しかし、上記提示された一例は、他の一例の特徴と結合して実現されることを排除しない。例えば、特定の一例で説明された事項が他の一例で説明されていなくても、他の一例でその事項と反対であるか矛盾する説明がない限り、他の一例に関連する説明であると理解されることができる。
本発明で用いられた用語は、一例を説明するために説明されたものであるだけで、本発明を限定しようとする意図ではない。このとき、単数の表現は文脈上明確に異なる意味でない限り、複数を含む。
１ パワーインダクタ
２ 高周波インダクタ
３ 通常のビーズ
４ 高周波用ビーズ
５ コモンモードフィルター
１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ コイル部品
１０ 本体部
１１ 磁性物質
１１ａ、１１ｂ、１１ｃ 金属磁性体粉末
２０ コイル部
２１、２２、２３、２４ 第１〜第４コイル層
２１ａ、２２ａ、２３ａ、２４ａ 第１導体
２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ、２４ｂ 第２導体
２１ｃ、２２ｃ、２３ｃ、２４ｃ 第３導体
２１ｄ、２２ｄ、２３ｄ、２４ｄ 第４導体
２１Ａ、２２Ａ、２３Ａ、２４Ａ 第１めっき層
２１Ｂ、２２Ｂ、２３Ｂ、２４Ｂ 第２めっき層
２１Ｃ、２２Ｃ 第３めっき層
３１、３２、３３ 第１〜第３バンプ
４１、４２、４３ 第１〜第３樹脂層
５１、５２、５３、５４ 第１〜第４絶縁層
６１、６２ 第１及び第２絶縁膜
８０ 電極部
８１、８２ 第１及び第２電極

Claims (28)

  1. 磁性物質を含む本体部の内部にコイル部が配置され、前記本体部上に前記コイル部と電気的に接続された電極部が配置されたコイル部品であって、
    前記コイル部は、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第１コイル層と、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第２コイル層と、
    前記第１コイル層と第２コイル層との間に配置され、前記第１コイル層と第２コイル層とを電気的に接続する第１バンプと、を含み、
    前記第１コイル層と第２コイル層とが前記第１バンプを介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成し、
    前記第１コイル層及び第２コイル層はそれぞれ、第１導体と、第２導体と、前記第１導体と第２導体との間に配置されてこれらを接続させる第３導体と、を含み、
    前記第１バンプの厚さが、前記第１コイル層における第１導体および第２導体の厚さおよび前記第２コイル層における第１導体および第２導体の厚さより小さく、かつ、前記第１バンプの幅が、前記第１コイル層における第１導体および第２導体の幅および前記第２コイル層における第１導体および第２導体の幅より小さい、コイル部品。
  2. 前記第１コイル層及び前記第２コイル層において、ぞれぞれの前記第１導体は、前記第２導体より、前記第１コイル層及び第２コイル層の境界の近くに配置されており、
    前記第１コイル層の前記第１導体と、前記第２コイル層の前記第１導体とが前記第１バンプを介して電気的に接続されている、請求項１に記載のコイル部品。
  3. 前記第１コイル層及び第２コイル層はそれぞれ、前記第１導体、第２導体、及び第３導体が、それぞれ平面スパイラル状を有する、請求項２に記載のコイル部品。
  4. 前記コイル部は、
    前記第１コイル層の第１導体及び第２コイル層の第１導体が埋め込まれた第１樹脂層と、
    前記第１コイル層の第１導体と第２導体との間に配置された第１絶縁層と、
    前記第２コイル層の第１導体と第２導体との間に配置された第２絶縁層と、をさらに含み、
    前記第１バンプは、前記第１コイル層の第１導体と第２コイル層の第１導体との間で前記第１樹脂層を貫通し、
    前記第１コイル層の第３導体は前記第１絶縁層を貫通し、
    前記第２コイル層の第３導体は前記第２絶縁層を貫通する、請求項２または３に記載のコイル部品。
  5. 前記第１樹脂層は前記第１絶縁層及び第２絶縁層より厚さが厚い、請求項４に記載のコイル部品。
  6. 前記第１樹脂層は、感光性絶縁物質または磁性体フィラーが含有された硬化性絶縁物質を含む、請求項４または５に記載のコイル部品。
  7. 前記第１絶縁層及び第２絶縁層は、それぞれ感光性絶縁物質を含む、請求項４から６のいずれか１項に記載のコイル部品。
  8. 磁性物質を含む本体部の内部にコイル部が配置され、前記本体部上に前記コイル部と電気的に接続された電極部が配置されたコイル部品であって、
    前記コイル部は、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第１コイル層と、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第２コイル層と、
    前記第１コイル層と第２コイル層との間に配置され、前記第１コイル層と第２コイル層とを電気的に接続する第１バンプと、を含み、
    前記第１コイル層と第２コイル層とが前記第１バンプを介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成し、
    前記第１バンプは金属間化合物（ＩＭＣ）を含む、コイル部品。
  9. 磁性物質を含む本体部の内部にコイル部が配置され、前記本体部上に前記コイル部と電気的に接続された電極部が配置されたコイル部品であって、
    前記コイル部は、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第１コイル層と、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第２コイル層と、
    前記第１コイル層と第２コイル層との間に配置され、前記第１コイル層と第２コイル層とを電気的に接続する第１バンプと、を含み、
    前記第１コイル層と第２コイル層とが前記第１バンプを介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成し、
    前記第１コイル層及び第２コイル層はそれぞれ、第１導体と、第２導体と、前記第１導体と第２導体との間に配置されてこれらを接続させる第３導体と、前記第２導体上に配置されて前記第２導体と直接接続された第４導体と、を含み、
    前記第１導体及び第２導体の線幅が前記第３導体の線幅より広い、コイル部品。
  10. 前記コイル部は、
    前記第１コイル層の第１導体及び第２コイル層の第１導体が埋め込まれた第１樹脂層と、
    前記第１コイル層の第２導体が埋め込まれた第２樹脂層と、
    前記第２コイル層の第２導体が埋め込まれた第３樹脂層と、
    前記第１樹脂層と第２樹脂層との間に配置された第１絶縁層と、
    前記第１樹脂層と第３樹脂層との間に配置された第２絶縁層と、をさらに含み、
    前記第１バンプは、前記第１コイル層の第１導体と第２コイル層の第１導体との間で前記第１樹脂層を貫通し、
    前記第１コイル層の第３導体は前記第１絶縁層を貫通し、
    前記第２コイル層の第３導体は前記第２絶縁層を貫通する、請求項９に記載のコイル部品。
  11. 前記コイル部は、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第３コイル層と、
    平面スパイラル状を有する複数の導体が積層された形態の第４コイル層と、
    前記第３コイル層と第４コイル層との間に配置され、前記第３コイル層と第４コイル層とを電気的に接続する第２バンプと、
    前記第１コイル層と第３コイル層との間に配置され、前記第１コイル層と第３コイル層とを電気的に接続する第３バンプと、をさらに含み、
    前記第１〜第４コイル層が前記第１〜第３バンプを介して電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成する、請求項１または２に記載のコイル部品。
  12. 前記第１〜第４コイル層はそれぞれ、第１導体と、第２導体と、前記第１導体と第２導体との間に配置されてこれらを接続させる第３導体と、を含み、
    前記第１導体及び第２導体の線幅が前記第３導体の線幅より広い、請求項１１に記載のコイル部品。
  13. 前記コイル部は、
    前記第１コイル層の第１導体及び第２コイル層の第１導体が埋め込まれた第１樹脂層と、
    前記第３コイル層の第１導体及び第４コイル層の第１導体が埋め込まれた第２樹脂層と、
    前記第１コイル層の第２導体及び第３コイル層の第２導体が埋め込まれた第３樹脂層と、
    前記第１コイル層の第１導体と第２導体との間に配置された第１絶縁層と、
    前記第２コイル層の第１導体と第２導体との間に配置された第２絶縁層と、
    前記第３コイル層の第１導体と第２導体との間に配置された第３絶縁層と、
    前記第４コイル層の第１導体と第２導体との間に配置された第４絶縁層と、をさらに含み、
    前記第１バンプは、前記第１コイル層の第１導体と第２コイル層の第１導体との間で前記第１樹脂層を貫通し、
    前記第２バンプは、前記第３コイル層の第１導体と第４コイル層の第１導体との間で前記第２樹脂層を貫通し、
    前記第３バンプは、前記第１コイル層の第２導体と第３コイル層の第２導体との間で前記第３樹脂層を貫通し、
    前記第１コイル層の第３導体は前記第１絶縁層を貫通し、
    前記第２コイル層の第３導体は前記第２絶縁層を貫通し、 前記第３コイル層の第３導体は前記第３絶縁層を貫通し、
    前記第４コイル層の第３導体は前記第４絶縁層を貫通する、請求項１１に記載のコイル部品。
  14. 前記本体部の磁性物質は、前記コイル部の上部及び下部を覆うとともに、前記コイル部の中心部に形成された貫通孔を満たす、請求項１から１３のいずれか１項に記載のコイル部品。
  15. 前記電極部は、
    前記本体部の第１面を少なくとも覆って、前記第１面で前記コイル部の第１引出端子と電気的に接続された第１電極と、
    前記本体部の第２面を少なくとも覆って、前記第２面で前記コイル部の第２引出端子と電気的に接続された第２電極と、を含み、
    前記第１面及び第２面は互いに向かい合う、請求項１から１４のいずれか１項に記載のコイル部品。
  16. 磁性物質を含む本体部の内部にコイル部が配置され、前記本体部上に前記コイル部と電気的に接続された電極部が配置されたコイル部品の製造方法であって、
    前記コイル部を形成する段階は、
    支持部材と、前記支持部材の両面上にそれぞれ配置された一つ以上の金属層と、を含む基板を準備する段階と、
    前記金属層上にそれぞれ絶縁層を形成する段階と、
    前記絶縁層にそれぞれ平面スパイラル状のパターンを形成する段階と、
    前記絶縁層の平面スパイラル状のパターンを介して露出した前記金属層上に、それぞれ第１めっき層を形成する段階と、
    前記第１めっき層上にそれぞれ樹脂層を形成する段階と、
    前記樹脂層にそれぞれ前記第１めっき層と接続されるビアを形成する段階と、
    それぞれの前記ビアの少なくとも一つにバンプを形成する段階と、
    前記支持部材から前記金属層の少なくとも一つをそれぞれ分離する段階と、
    それぞれの前記ビアが互いに接続されるように前記樹脂層を整合積層することで、それぞれの前記第１めっき層を前記バンプを介して電気的に接続する段階と、
    それぞれの前記絶縁層に残存する金属層を除去する段階と、
    前記金属層が除去されて露出した前記第１めっき層上に、それぞれ第２めっき層を形成する段階と、を含み、
    前記バンプを介して接続されたそれぞれの第１めっき層と、それぞれの前記第１めっき層と接続されたそれぞれの第２めっき層とが電気的に接続されて、水平及び垂直方向に互いに隣接した複数のコイルターン数を有する一つのコイルを形成する、コイル部品の製造方法。
  17. それぞれの前記第１めっき層は、線幅が互いに異なる第１及び第３導体を含み、
    それぞれの前記第２めっき層は、前記第３導体と接続された第２導体を含み、
    前記第１及び第２導体の線幅が前記第３導体の線幅より広い、請求項１６に記載のコイル部品の製造方法。
  18. 磁性物質を含む本体部と、
    前記本体部内に配置されたコイル部と、
    前記本体部上に配置され、前記コイル部と電気的に接続された電極部と、を含み、
    前記コイル部は、
    第１及び第２導体が積層方向に積層された第１コイル層と、
    第１導体及び第２導体が前記積層方向に積層された第２コイル層と、を含み、 前記第１コイル層の前記第１及び第２導体はそれぞれ、平面スパイラル状を有し、０．８〜１．５のアスペクト比を有し、
    前記第２コイル層の前記第１及び第２導体はそれぞれ、平面スパイラル状を有し、０．８〜１．５のアスペクト比を有し、
    前記第１及び第２コイル層は前記積層方向に積層され、
    前記コイル部は、前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１導体が内蔵された絶縁層を含み、
    前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第２導体は、前記積層方向を基準として前記絶縁層の上面の上側に延在するか、下面の下側に延在する、コイル部品。
  19. 前記第１コイル層の平面スパイラル状のパターンの端部は、前記第２コイル層の平面スパイラル状のパターンの端部と電気的に接続されて一つのコイルを形成する、請求項１８に記載のコイル部品。
  20. 前記コイル部は、前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第２導体の表面上に配置された絶縁膜をさらに含む、請求項１８に記載のコイル部品。
  21. 前記第１コイル層は、前記積層方向に前記第１コイル層の前記第２導体上に積層された第３導体をさらに含み、
    前記第２コイル層は、前記積層方向に前記第２コイル層の前記第２導体上に積層された第３導体をさらに含み、
    前記第１コイル層の前記第３導体は、平面スパイラル状を有し、０．８〜１．５のアスペクト比を有し、
    前記第２コイル層の前記第３導体は、平面スパイラル状を有し、０．８〜１．５のアスペクト比を有する、請求項１８に記載のコイル部品。
  22. 前記コイル部は、前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１及び第２導体が内蔵される一つ以上の絶縁層を含み、
    前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第３導体は、前記積層方向を基準として前記一つ以上の絶縁層の上面の上側に延在するか、下面の下側に延在する、請求項２１に記載のコイル部品。
  23. 磁性物質を含む本体部と、
    前記本体部内に配置されたコイル部と、
    前記本体部上に配置され、前記コイル部と電気的に接続された電極部と、を含み、
    前記コイル部は、
    第１導体、第２導体、及び第３導体が積層方向に積層され、前記第１導体と前記第２導体との間には絶縁層が配置され、前記第３導体が前記絶縁層を介して延在し、前記第１及び第２導体と電気的に接続された第１コイル層と、
    第１導体、第２導体、及び第３導体が前記積層方向に積層され、前記第１導体と前記第２導体との間には絶縁層が配置され、前記第３導体が前記絶縁層を介して延在して前記第１及び第２導体と電気的に接続された第２コイル層と、
    前記第１コイル層は、前記積層方向に前記第１コイル層の前記第２導体上に積層された第４導体をさらに含み、
    前記第２コイル層は、前記積層方向に前記第２コイル層の前記第２導体上に積層された第４導体をさらに含み、
    前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第４導体と前記本体部との間に配置された絶縁膜を含み、
    前記コイル部は、前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１及び第２導体が内蔵される一つ以上の絶縁層を含み、
    前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第４導体は、前記積層方向を基準として前記一つ以上の絶縁層の上面の上側に延在するか、下面の下側に延在する、コイル部品。
  24. 前記第１コイル層の前記第１導体、第２導体、及び第３導体はそれぞれ、平面スパイラル状を有し、
    前記第２コイル層の前記第１導体、第２導体、及び第３導体はそれぞれ、平面スパイラル状を有する、請求項２３に記載のコイル部品。
  25. 前記絶縁膜は、それぞれ前記磁性物質を含む本体部と一方側で接しており、前記第１及び第２コイル層のうち一つの前記第４導体と他方側で接する、請求項２３または２４に記載のコイル部品。
  26. 前記第１コイル層の前記第３導体は、前記第１コイル層の前記絶縁層に形成された平面スパイラル状の開口部を介して延在し、
    前記第２コイル層の前記第３導体は、前記第２コイル層の前記絶縁層に形成された平面スパイラル状の開口部を介して延在する、請求項２３から２５のいずれか１項に記載のコイル部品。
  27. 前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１導体は、平面スパイラル状を有し、
    前記第１及び第２コイル層それぞれの前記絶縁層は、前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１導体の平面スパイラル状を有する隣接した巻線の間に延在する、請求項２３から２６のいずれか一項に記載のコイル部品。
  28. 前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１導体は、平面スパイラル状を有し、
    前記第１及び第２コイル層それぞれの前記絶縁層は、前記第１及び第２コイル層それぞれの前記第１導体の平面スパイラル状を有する隣接した巻線の間に延在する、請求項２７に記載のコイル部品。
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