JP6466758B2 - 銀被覆フレーク状銅粉およびその製造方法、並びに当該銀被覆フレーク状銅粉を用いた導電性ペースト - Google Patents

Description

本発明は、銀被覆フレーク状銅粉およびその製造方法、並びに当該銀被覆フレーク状銅粉を用いた導電性ペーストに関する。

従来、電子部品等の電極や回路、電磁波シールドフィルム、電磁波シールド材等を形成するために、銀粉を有機成分中に分散させた導電性ペーストが使用されている。前記導電性ペーストの中でも、樹脂硬化型の導電性ペースト（特許文献１参照）は、樹脂の体積収縮により銀粉同士が接触して導通が取られる。前記樹脂硬化型の導電性ペーストに配合される銀粉としては、接触面積が大きいフレーク状銀粉が使用されている（特許文献２参照）。
しかし、当該フレーク状銀粉を配合した「銀系ペースト」は、フレーク状銅粉を配合した「銅系ペースト」と比べて地金価格が高いため高価であることに加えて、マイグレーションが起こりやすい。一方、「銅系ペースト」は、マイグレーションは起こり難いものの、酸化し易く導電性が悪化するという欠点がある。
これらの欠点を克服する手法の一つとして、銅粉を扁平化処理し、さらに銀を被覆した銀被覆フレーク状銅粉が提案されている。
当該銀被覆フレーク状銅粉に用いられる銅粉は、アトマイズ法、湿式還元法、電気分解法により製造されている。これらの中でも、価格的にも大量生産性にも有利な点からアトマイズ法が好まれ、アトマイズ法により製造された球状の銅粉を扁平化処理した銀被覆フレーク状銅粉が提案されている（特許文献３参照）。

特開２００２−１５０８３７号公報 特許第３８７４６３４号公報 特開２００２−２４５８４９号公報

しかしながら本発明者らの検討によると、前記アトマイズ法による銀被覆フレーク状銅粉は導電性の点で十分満足できる性能を有していない。特に、低フィラー含量導電性ペーストでは、更なる導電性の改善が望まれることに想到した。
本発明は上述の状況の下で為されたものであり、その解決しようとする課題は、低フィラー含量ペーストであっても導電性を確保できる銀被覆フレーク状銅粉、および、当該銀被覆フレーク状銅粉の製造方法、並びに、当該銀被覆フレーク状銅粉を用いた導電性ペーストを提供することである。

前記課題を解決する為、本発明者らは鋭意研究を行った。そして、銀被覆フレーク状銅粉粒子の形状を制御することで、当該銀被覆フレーク状銅粉の粒子間の接点が取りやすくなり、低フィラー含量ペーストでも導電性を確保できる銀被覆フレーク状銅粉を得ることが出来るという、画期的な知見を得た。

具体的には、円形度係数が０．３以上０．６以下であり、厚みが、０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下であり、且つ、Ｘ線回折法により測定された粒径（本発明において「Ｘ線粒径」と記載する場合がある。）が、Ａｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上５８ｎｍ以下である銀被覆フレーク状銅粉粒子は、粒子間の接点が取り易く、低フィラー含量ペーストでも導電性を確保できる銀被覆フレーク状銅粉であるという画期的な知見を得て、本発明を完成した。

即ち、上述の課題を解決する為の第１の発明は、
少なくとも表面に銀を有し、扁平化処理された銀被覆フレーク状銅粉粒子を含む銀被覆フレーク状銅粉であって、
前記銀被覆フレーク状銅粉粒子の走査型電子顕微鏡像の測定による円形度係数が０．３以上０．６以下であり、
Ｘ線粒径が、Ａｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上５８ｎｍ以下であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉である。
第２の発明は、
厚みが、０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉である。
第３の発明は、
前記銀被覆フレーク状銅粉粒子の走査型電子顕微鏡像の測定による円形度係数とアスペクト比との積が、７．５以上１５．５以下であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉である。
第４の発明は、
前記銀被覆フレーク状銅粉粒子の走査型電子顕微鏡像の測定による長軸の最大長と平均厚みとのアスペクト比（長軸の最大長／平均厚み）が、１７以上３４以下であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉である。
第５の発明は、
ＢＥＴ比表面積が、０．４５ｍ^２／ｇ以上０．６５ｍ^２／ｇ以下であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉である。
第６の発明は、
タップ密度が、３．５ｇ／ｃｍ^３以下２．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉である。
第７の発明は、
樹枝状の形状を有する電解銅粉へ、水および／または有機溶剤の存在下にてアトライターを用いて扁平化処理を行い、フレーク状の電解銅粉を得る扁平化処理工程と、
前記扁平化処理により得られたフレーク状の電解銅粉の表面に銀を被覆する銀被覆工程と、を有し、
前記扁平化処理において、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値を０．３ｋｇ／Ｌ以上として、扁平化処理することを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉の製造方法である。
第８の発明は、
前記扁平化処理工程において、扁平化処理の後に得られたフレーク状の電解銅粉を、目開き２５μｍの篩に通すことを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉の製造方法である。
第９の発明は、
前記銀被覆工程において、銀被覆反応の後に得られる水と銀被覆フレーク状銅粉とを含むウェットケーキを、真空乾燥することを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉の製造方法である。
第１０の発明は、
第１から第６の発明のいずれかに記載の銀被覆フレーク状銅粉を含有することを特徴とする導電性ペーストである。

本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉を用いることで、低フィラー含量ペーストであっても導電性を確保できる導電性ペーストを製造することが出来る。

本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の製造方法を示すフロー図である。 実施例１に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例２に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例３に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例４に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例５に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例６に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例７に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例８に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例９に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１０に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１１に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１２に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１３に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１４に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１５に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１６に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 比較例１に係る銀被覆銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 比較例２に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 比較例３に係る銀被覆銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 比較例４に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１７に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。 実施例１８に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像である。

本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、低フィラー含量ペーストであっても導電性を確保できる銀被覆フレーク状銅粉である。
以下、本発明に係る「（１）銀被覆フレーク状銅粉粒子の形状的特性」について説明し、「（２）銀被覆フレーク状銅粉の製造方法」、並びに、当該銀被覆フレーク状銅粉を用いた「（３）導電性ペーストとその製造方法」について説明する。

（１）銀被覆フレーク状銅粉粒子の形状的特性
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子の形状的特性について、以下、〈１．円形度係数〉、〈２．Ｘ線粒径〉、〈３．厚み〉、〈４．アスペクト比〉、〈５．円形度係数×アスペクト比〉、〈６．軸長最大長〉、〈７．軸長最大長／厚み〉、〈８．ＢＥＴ比表面積〉、〈９．タップ密度〉および〈１０．累積粒子径〉の各観点から説明する。また、当該形状的特性の具体的な測定方法は、実施例にて説明する。

〈１．円形度係数〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子は、電子顕微鏡像から測定した円形度係数が０．３以上０．６以下である。これに対し、従来の技術に係る球形状のアトマイズ銅粉や湿式還元銅粉等を扁平化処理して得られるフレーク状銅粉や銀被覆フレーク状銅粉の場合円形度係数は０．７８以上である。
ここで、円形度係数とは「粒子の形状が、円形からどれだけかけ離れているか。」を表すパラメータであり、以下の式１で定義される。
（円形度係数）＝（４πＳ）／（Ｌ^２）・・・・式１
但し、Ｓ：粒子の面積、Ｌ：粒子の周囲長
ここで、円形度係数の値は、当該粒子が円形のとき１となり、円形からかけ離れるに従って１より小さくなる。
円形度係数が０．３以上０．６以下であると、前記銀被覆フレーク状銅粉同士の接触箇所が十分に確保できる。この結果、導電性ペーストに配合し、該導電性ペーストを用いて形成される導電膜の導電性を十分高くすることが出来ると考えられ、好ましい。

本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子の円形度係数は、倍率１０００倍の走査型電子顕微鏡像へ、画像解析ソフト（例えば、株式会社マウンテック製 Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４）を用い、点ツールを使用して測定した形状データより、Ｓ、Ｌの値を求めれば良い。

〈２．Ｘ線粒径〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉において、Ｘ線回折法による測定結果へ、計算用ソフト（例えば、株式会社リガク製 ＪＡＤＥ７）を用いて測定したＸ線粒径が、Ａｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上であり３０ｎｍ以下であり、好ましくは１７．５ｎｍ以上であり２５ｎｍ以下である。また、Ｘ線粒径が、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上であり５８ｎｍ以下であり、好ましくは４４ｎｍ以上であり５８ｎｍ以下である。
前記Ｃｕ（１１１）面におけるＸ線粒径が５８ｎｍ以下であれば、扁平化が十分であり、また銀被覆の均一性に優れることから、銀被覆フレーク状銅粉を配合して形成した導電膜の抵抗値が低くなると考えられる。

これは、球形状のアトマイズ銅粉粒子は、その形状によりランダムな方向から潰されやすいが、樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子をアトライターにより扁平化処理すると、その形状により主幹部や副幹部に対して特定の方向から潰されやすい為であると考えられる。この樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子における潰され具合は、ばらつきが大きいことから、フレーク状銅粉同士の接点数が増え導電性の向上に寄与すると考えられる。
また、球形状のアトマイズ銅粉粒子は製造方法に起因して結晶方位が揃っていないが、樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子は、Ｃｕ（１１１）面を平行にして次々と連なって主幹部と副幹部を形成しているため水平断面がＣｕ（１１１）面となっている。これらにより、樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子は、アトライターによる扁平化の際にＣｕ（１１１）面が優先的に潰されやすく、扁平化が進むにつれて、Ｃｕ（１１１）面のＸ線粒径の値が大きく変化すると考えられることに拠る。そして、表面の結晶方位と、主幹部と副幹部の扁平化の結果である主幹部と副幹部とからなる形状（外周の凹凸から置換反応が始まり易いと考えられること）から、樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子を扁平化してＣｕ（１１１）面におけるＸ線粒径を５８ｎｍ以下としたフレーク状銅粉は、後述する銀被覆工程において銀置換反応が同時多発的に起きて銀被膜の厚みが均一になりやすく、銀のＸ線粒径の値にも違いが生じると考えられることに拠る。実際、Ｃｕ（１１１）面のＸ線粒径が５８ｎｍ以下のフレーク状銅粉に銀被覆した方が、Ａｇ（１１１）面のＸ線粒径も小さくなっており、導電膜の導電性が良好となり好ましい。

即ち、ＣｕのＸ線粒径は、アトライターによる扁平化操作の程度に影響すると考えられるところ、ＣｕのＸ線粒径が３０ｎｍ以上であり５８ｎｍ以下であるとき、銅粉が適切に扁平化されていると考えられる。扁平化が適切であると、得られるフレーク状銅粉において厚み、アスペクト比、等の値が好ましい範囲に入ると考えられる。この為、Ｃｕ（１１１）面におけるＸ線粒径において３０ｎｍ以上、さらには４４ｎｍ以上、５８ｎｍ以下であることが好ましい。

一方、上述したアトライターによる扁平化操作を受けたフレーク状銅粉上へ、後述する銀被覆工程において被覆される銀のＸ線粒径は、Ａｇ（１１１）面において概ね１０ｎｍ以上であり３０ｎｍ以下、さらには１７．５ｎｍ以上であり２５ｎｍ以下であることが判明した。

以上より、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、Ｘ線回折法によるＸ線粒径が、Ｃｕ（１１１）面において、３０ｎｍ以上であり５８ｎｍ以下、好ましくは４４ｎｍ以上であり５８ｎｍ以下であり、Ｘ線粒径は、Ａｇ（１１１）面において、１０ｎｍ以上であり３０ｎｍ以下、好ましくは１７．５ｎｍ以上であり２５ｎｍ以下であることが理解出来る。

〈３．厚み〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子の厚みは、０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下である。
銀被覆フレーク状銅粉粒子の厚みとは、当該粒子の１０００倍の電子顕微鏡像を撮影し、各粒子において扁平化処理によって生じた２平面間の長さを、厚みとしたものである。
当該厚みは、銀被覆フレーク状銅粉粒子の扁平化の進行度合いを示すパラメータと考えられる。そして、厚みが０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下であると、扁平化の進行度合いが十分、且つ進行し過ぎていない為、前記銀被覆フレーク状銅粉同士の接触箇所が十分に確保できる。この結果、導電性ペーストに配合し、該導電性ペーストを用いて形成される導電膜の導電性を十分高くすることが出来ると考えられ、好ましい。

〈４．アスペクト比〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子においてアスペクト比は、１７以上３４以下であることが好ましい。
ここで、アスペクト比は「最大長／厚み」で定義される。
前記アスペクト比が１７以上であると、前記銀被覆フレーク状銅粉同士の接触面積が十分に確保できる。この結果、導電性ペーストに配合し、該導電性ペーストを用いて形成される導電膜の導電性を十分高くすることが出来る。前記アスペクト比が３４以下であれば前記銀被覆フレーク状銅粉を製造することは、容易である。

〈５．円形度係数×アスペクト比〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子において、円形度係数とアスペクト比との積の値は、７．５以上１５．５以下であることが好ましい。
上述したように、円形度係数、アスペクト比とも、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子の形状を示すパラメータであり、銀被覆フレーク状銅粉同士の接触に関連している。従って、両パラメータの積の値が７．５以上１５．５以下にあると、前記銀被覆フレーク状銅粉同士の接触箇所が十分に確保できると考えられる。この結果、導電性ペーストに配合し、該導電性ペーストを用いて形成される導電膜の導電性を十分高くすることが出来ると考えられ、好ましい。

〈６．軸長最大長〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉において軸長最大長とは、当該銀被覆フレーク状銅粉の、１０００倍の電子顕微鏡像を撮影し、各粒子について軸長の最長の長さを、軸長最大長としたものである。

〈７．軸長最大長／厚み〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉において、軸長最大長と厚みとの比率を「軸長最大長／厚み」としたとき、その値が所定範囲内にあるとき、銀被覆フレーク状銅粉粒子間の電気的接触が良好に保たれる。本発明者らは、当該比率の値が１７以上３４以下の値をとることが好ましいことを知見した。

〈８．ＢＥＴ比表面積〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉においてＢＥＴ比表面積は、０．４５ｍ^２／ｇ以上０．６５ｍ^２／ｇ以下であることが好ましい。
当該ＢＥＴ比表面積値は、銀被覆フレーク状銅粉粒子の扁平化の進行度合いおよび表面状態を示すパラメータと考えられる。そして、ＢＥＴ比表面積値が０．４５ｍ^２／ｇ以上０．６５ｍ^２／ｇ以下であると、扁平化の進行度合いが十分、且つ進行し過ぎていない為、前記銀被覆フレーク状銅粉同士の接触箇所が十分に確保できる。この結果、導電性ペーストに配合し、該導電性ペーストを用いて形成される導電膜の導電性を十分高くすることが出来ると考えられ、好ましい。

〈９．タップ密度 〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉においてタップ密度は、３．５ｇ／ｃｍ^３以下２．０ｇ／ｃｍ^３以上であることが好ましい。
タップ密度が３．５ｇ／ｃｍ^３以下２．０ｇ／ｃｍ^３以上の範囲にあると、ハンドリング性および生産性に優れ、また導電膜の導電性が高く保たれる。

〈１０．累積粒子径〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉においてレーザー回折式粒度分布測定法による体積基準の粒子径分布における累積５０％粒子径（Ｄ５０）は、７μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。

（２）銀被覆フレーク状銅粉の製造方法
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子を扁平化処理する工程（扁平化工程）と、扁平化処理後のフレーク状電解銅粉粒子表面に銀を被覆する工程（銀被覆工程）、さらに必要に応じてその他の工程を経て製造される。
尚、所望により、樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子へ先に銀被覆工程を行った後に、扁平化工程を行うことも可能である。
以下、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の製造方法を示すフロー図である図１を参照しながら、〈１．樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子〉、〈２．扁平化工程〉、〈３．銀被覆工程〉、および、〈４．その他の工程〉、の順で本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の製造方法について説明する。

〈１．樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子〉
本発明に係る樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子の一例における、１０００倍の走査型電子顕微鏡像を図２２に示す。
図２２から明らかなように、本発明に係る樹枝状の形状を有する電解銅粉粒子は、主幹部、および、当該主幹部から不定形状に分岐した枝状部を備えた不定形状を有している。

本発明に係る樹枝状の形状を有する電解銅粉《１》として、市販の電解銅粉を用いることが出来る。例えば、福田金属箔粉工業（株）製ＦＣＣ−１１５、ＪＸ日鉱日石金属（株）製＃５１−Ｒ（Ａ）等を好ましい例として挙げることが出来る。

また、例えば、銅イオンを含む硫酸酸性の電解液に陽極と陰極を浸漬し、これに直流電流を流して電気分解を行い、陰極表面に粉末状に銅を析出させ、機械的又は電気的方法により掻き落として回収し、洗浄し、乾燥し、必要に応じて篩別工程などを実施することで、本発明に係る樹枝状の形状を有する電解銅粉を製造することも出来る。尚、必要に応じて酸化防止処理としてベンゾトリアゾール等のトリアゾール系の物質で、樹枝状の形状を有する電解銅粉の表面処理を施してもよい。

〈２．扁平化工程〉
扁平化工程は、樹枝状の形状を有する電解銅粉《１》を扁平化処理《５》することで、円形度係数が０．３以上０．６以下、且つ、厚みが０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下のフレーク状の電解銅粉《１０》を得る工程である。
当該扁平化処理を行う装置としては、アトライターを用いる。尚アトライターは、市販されている装置をそのまま使用可能である。

前記扁平化処理を行う際には、アトライターに樹枝状の形状を有する電解銅粉とボールと溶媒（水および／または有機溶剤）《４》とを装填して処理を行う。本発明者らは、円形度係数の値が０．３以上０．６以下、Ｘ線粒径がＡｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上５８ｎｍ以下の値を有する銀被覆フレーク状銅粉粒子を得るに際し、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値が、０．３ｋｇ／Ｌ以上であると好ましいことを知見した。

尚、アトライターの処理スケールが例えば１０Ｌ以上と大きくなった場合、アトライターの動作のみでは、底部において粒子の沈降により粒子溜りが発生してデッドスペース化し、電解銅粉の扁平化が不均一になることが考えられる。そこで、アトライターの底からスラリーの一部を抜き出し、循環ポンプでアトライター上部から再投入することも好ましい。当該循環ポンプの使用によりスラリーの循環を図ることで、電解銅粉の均一な扁平化を促進できると考えられる。循環ポンプの圧力はゲージ圧で０．３ＭＰａ以上あればよい。

以上説明した扁平化処理操作を実施することで、アトライターに装填されるボール（メディア）が、樹枝状の形状を有する電解銅粉《１》を扁平化処理《５》する際、ボールが電解銅粉粒子に与える衝撃力が均一化され、且つ、衝撃により局所的な昇温が緩和されると考えられる。この結果、扁平化処理後の銀被覆フレーク状銅粉は、Ｘ線回折法によるＸ線粒径が、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上であり５８ｎｍ以下、Ａｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上であり３０ｎｍ以下となるのではないかと考えられる。さらに、扁平化処理後の銀被覆フレーク状銅粉において、ＢＥＴ比表面積が、０．４５ｍ^２／ｇ以上０．６５ｍ^２／ｇ以下となり、タップ密度が、３．５ｇ／ｃｍ^３以下２．０ｇ／ｃｍ^３以上となるのであると考えられる。

前記溶媒は、水および／または有機溶剤を用いるが、具体的には、水、有機溶剤、水と有機溶剤とを含む溶液、または、有機溶媒相と水溶媒相とを含むエマルジョンを用いることが出来る。当該有機溶媒としては、分子量２００以下の有機溶媒が好ましく、分子量２００以下のアルコールがより好ましい。前記分子量２００以下のアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、又はこれらの混合物、などが挙げられる。
前記扁平化処理の際に、樹枝状の形状を有する電解銅粉と混合撹拌《３》する溶媒の添加量としては、扁平化処理する銅粉に対し、質量で０．１倍以上３倍以下が好ましい。前記添加量が、０．１倍以上あれば溶媒添加の効果が得られ、３倍以下であれば添加効果が飽和するのを回避しながらフレーク状の電解銅粉《１０》を得ることが出来る。
さらに、前記扁平化処理の際に、電解銅粉と混合撹拌する溶媒を、循環ポンプにより循環させる。当該溶媒の循環による流動により、ボールや電解銅粉粒子の相互衝突による局所的な温度上昇の影響を緩和し、加えて、粒子が沈降するなどして一部に滞留する影響を緩和し、上述した、Ｘ線粒径、ＢＥＴ比表面積、タップ密度の値が安定すると考えられるからである。

前記アトライターに装填するボール（メディア）としては、直径が０．１ｍｍ以上３ｍｍ以下で形状が球状のボールである限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。前記ボールの直径が０．１ｍｍ以上であると、扁平化処理後においてフレーク状の銅粉とボールとの分離《６》する際、ボールの目詰まりが起きず、分離の効率が担保される。一方、ボールの直径が３ｍｍを以下であれば、得られるフレーク状の銅粉の粒径が過大にならず好ましい。

前記ボールの材質としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ステンレス（ＳＵＳ）等の金属、アルミナ、ジルコニア等のセラミックスなどが挙げられる。これらの中でも、製品へのコンタミネーションを考えると、ステンレス（ＳＵＳ）が特に好ましい。

扁平化処理時における、ボールの添加量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、扁平化処理する銅粉に対し、重量比で１重量部以上５０重量部以下が好ましい。前記ボールの添加量が１重量部以上あると、扁平化処理後のフレーク状の銅粉において十分な扁平化処理効果が得られる。前記添加量が５０重量部以下であれば、１回に扁平化処理できる銅粉の量を担保出来、処理コストの観点から好ましい。

前記扁平化処理の処理時間は、特に制限はなく、アトライターの仕様（容量）、ボールおよび銅粉の添加量に応じて適宜選択することができる。生産性を考慮すると１０分間以上３００分間以下であることが好ましい。例えば、容量５Ｌのアトライターを用いる場合には、１０分間以上１８０分間以下が好ましく、６０分間以上１５０分間以下がより好ましい。前記処理時間が１０分間以上あれば、銅粉の扁平化が十分に進む。一方、前記処理時間が１８０分間以下であれば、銅粉の扁平化が進みすぎることを回避出来る。
また、例えば、容量１００Ｌのアトライターを用いる場合には、１００分間以上３００分間以下が好ましく、１８０分間以上２４０分間以下がより好ましい。
なお、前記扁平化処理は、投入した全ての銅粉が扁平化される必要はなく、扁平化処理後に扁平化が進んでいない銅粉が混在していてもよい。扁平化処理の前後で、投入した銅粉に対して上記のフレーク状の銅粉が一部でも形成されていれば扁平化処理されたということができる。

得られるフレーク状の銅粉の分散性を向上させる目的で、分散剤を扁平化処理する銅粉に対して０．１質量％以上５質量％以下添加することも好ましい。当該分散剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、脂肪酸、脂肪酸塩、界面活性剤、有機金属、キレート形成剤、保護コロイドなどが挙げられる。これらの中でも、脂肪酸が特に好ましい。前記脂肪酸としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、プロピオン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、ベヘン酸、アクリル酸、オレイン酸、リノール酸、アラキドン酸、リシノール酸又はそれらの混合物などが挙げられる。なお、扁平化処理前の銅粉に分散剤を添加する代わりに、溶媒とともに前記分散剤を添加することもできる。一方、前記分散剤を扁平化処理前の銅粉に添加し、かつ前記分散剤を扁平化処理で溶媒とともに添加してもよい。

尤も、フレーク状の銅粉の分散性が十分な場合には、扁平化処理において分散剤を添加しないことも、勿論可能である。また、前記分散剤がフレーク状の銅粉の表面に多量に存在してしまう場合は、後述する銀被覆工程の前に当該分散剤の除去を行うことで、銀被覆工程での銀被覆が不均一となることを回避出来る。

扁平化処理が完了したら、フレーク状の銅粉とボールとを分離し、当該フレーク状の銅粉を乾燥《７》し、本発明に係るフレーク状の電解銅粉《１０》を得る。
このとき、乾燥《７》した当該フレーク状の電解銅粉を、目開き２５μｍの篩に通すことで粗大粒子を除去し、得られたフレーク状の電解銅粉へ後述する銀被覆工程を行うことは、凝集した粒子を除去することによって、フレーク状の電解銅粉への、銀被覆の均一性が高まる観点から、好ましい構成である。

〈３．銀被覆工程〉
銀被覆工程は、扁平化処理後のフレーク状の電解銅粉表面に銀を被覆する工程である。
本発明に係るフレーク状の電解銅粉表面に銀を被覆させる方法としては、例えば、還元法と置換法との２種類を挙げることができる。
還元法は、銅粉粒子の表面に、還元剤で還元された銀の微粒子を緻密に被覆させていく方法である（例えば、特開２０００−２４８３０３号公報等参照）。
一方、置換法は、銅粉粒子の界面で、銀イオンが金属の銅と電子の授受を行い、銀イオンが金属の銀に還元され、代わりに金属の銅が酸化され銅イオンになることで、銅粉粒子の表面層を銀層とする方法である（例えば、特開２００６−１６１０８１号公報等参照）。
両方法を比較した場合、銀被覆の均一性、銅表面への銀層の密着の観点から置換法が好ましい。

置換法による、フレーク状の電解銅粉への銀被覆反応について説明する。
まず、フレーク状の電解銅粉の表面処理剤として、キレート化剤《８》（例えば、ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）と、ｐＨ緩衝剤《９》（例えば、炭酸アンモニウム）とを含む水溶液を調製して液温を１０℃〜８０℃に調温《１１》した。そして、当該表面処理剤へフレーク状の電解銅粉《１０》を加え混合攪拌《１２》し、フレーク状の電解銅粉分散液とした。このフレーク状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を１０℃〜８０℃で、１分間以上５時間以下調温保持《１３》した。

一方、銀被覆反応を行う反応液を調製した。当該銀被覆反応を行う反応液は、銀塩《１６》と溶媒《１７》であるが、当該溶媒として水および／または有機溶剤を用いるが、具体的には、水、有機溶剤、水と有機溶剤とを含む溶液、または、有機溶媒相と水溶媒相とを含むエマルジョンを用いることが出来る。このとき、当該溶媒として、水に対する溶解度が大きい有機溶媒を使用する場合は、反応液が、均一な混合溶液となるが、溶解度が低い有機溶媒の場合は、静止状態では水相と有機溶媒相が分離するため、液を攪拌することによりエマルジョンを形成させた状態で銀被覆反応を行う。これらの反応液を使用することにより、上述した扁平化処理《５》の際に添加した分散剤等の助剤を除去することなく、フレーク状の電解銅粉《１０》をそのままの状態で銀被覆反応に供することもできる。

前記有機溶媒としては、水との相溶性、銀塩（主として硝酸銀）の溶解度を有する、アルコール、ケトン、アルデヒド、エーテルを好ましく使用することができる。前記有機溶媒としては、例えば、メタノール、エタノール、１−プロパノール、イソプロピルアルコール、１−ブタノール、２−メチルプロパノール、３−メチルプロパノール、１，１−ジメチルエタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、グリセリン、カルビトール、メチルカルビトール、ブチルカルビトール、セロソルブ、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、テルピネオール、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトン、メチルエチルケトン、メチルエーテル、エチルエーテル、メチルエチルエーテルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
一方、水を含有せず、有機溶媒を単独の溶媒として使用する場合は、銀塩を直接溶解することが可能な多価アルコールが好ましい。具体的には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、グリセリンなどが挙げられる。

上述した有機溶媒と水との混合溶液、または、エマルジョンを用いて銀被覆を行う場合は、前記有機溶媒として室温（具体的には、１０℃〜３０℃）において液体となるものを用いることが好ましい。前記水と前記有機溶媒との混合比率は、使用する有機溶媒により適宜調整することができる。また、有機溶媒と混合する水としては、不純物が混入するおそれがなければ、蒸留水、イオン交換水、工業用水等のいずれを用いてもよい。

銀被覆反応に使用する銀塩（銀原料）としては、銀イオンを反応液中に存在させる必要があるため、水や、多くの有機溶媒に対して溶解度を有する硝酸銀を用いることが好ましい。できるだけ均一な被覆反応を実現するために、硝酸銀を固体状で添加せず、水溶液、有機溶媒、または、水と有機溶媒との混合液に硝酸銀を溶解した硝酸銀溶液として使用することが好ましい。目的とする銀被覆量に応じて、使用する硝酸銀溶液の濃度、有機溶媒量、および、使用する硝酸銀溶液量を適宜決定することができる。

銀被覆層をより均一に形成させるために、銀被覆反応を行う反応液（混合溶液、エマルジョン、または、有機溶媒）中にキレート化剤《１４》を添加混合《１８》し、溶解またはエマルジョン化《１９》してもよい。当該キレート化剤としては、銀イオンと金属銅との置換反応により副生成する銅イオンが再析出しないよう、銅イオンとの錯安定度定数の高いものが好ましい。例えば、エチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）、イミノジ酢酸、ジエチレントリアミン、トリエチレンジアミン、又はそれらの塩などが挙げられる。
銀被覆反応を安定かつ安全に行う為に、銀被覆反応を行う反応液へ、さらにｐＨ緩衝剤《１５》を添加混合し、溶解またはエマルジョン化《１９》してもよい。当該ｐＨ緩衝剤としては、例えば、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウム、アンモニア水、炭酸水素ナトリウムなどが挙げられる。

銀被覆反応を行う反応液を１０℃〜８０℃に調温《２０》後、フレーク状の電解銅粉分散液へ添加混合《２１》し、熟成《２２》して、フレーク状の電解銅粉の表面へ銀を被覆し、銀被覆フレーク状銅粉の分散液を得る。
フレーク状の電解銅粉を被覆する銀の、銅に対する割合（銀の被覆量）は０．３質量％以上３０質量％以下が好ましい。前記銀の被覆量が、０．３質量％以上であると、体積抵抗率を十分に低減することができる。一方、３０質量％以下であれば銀の原料コストを低減できる。
当該銀の被覆量は、例えば、銀被覆フレーク状銅粉を硝酸で溶解後に塩酸を添加し、生じた塩化銀の沈殿を乾燥し、重量を測定することにより求めることができる。

〈４．その他の工程〉
前記熟成された銀被覆フレーク状銅粉分散液へ、ステアリン酸エマルジョン《２３》を添加し攪拌を継続して、銀被覆フレーク銅粉への表面処理《２４》を行うのも好ましい構成である。
その他の工程としては、洗浄工程《２５》や乾燥工程《２６》などが挙げられる。
洗浄工程、乾燥工程は、得られた銀被覆フレーク状銅粉を固液分離し、洗浄を行い、乾燥する工程である。
当該洗浄工程において、特に制限はなく、銅粉に対する公知の方法を適宜使用することが出来る。
一方、乾燥工程も特に制限はないが、温度が１０〜１２０℃、雰囲気の気圧が０〜７５０ｍｍＨｇの真空乾燥とすることが好ましい。
これは、乾燥時における銀被覆フレーク状銅粉の凝集を抑制する理由による。
当該乾燥後において解砕《２７》を行ってもよく、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉《２８》を得ることが出来る。もちろん、解砕《２７》の後に、適宜、篩い工程を実施して粗大粒子を除去することも好ましい。

当該樹枝状の形状を有する電解銅粉へ、銀被覆処理および扁平化処理してなる本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、少なくとも表面に銀を有し、樹枝状の形状を有する電解銅粉へ扁平化処理を加えた銀被覆フレーク状銅粉である。
尤も、前記銀被覆フレーク状銅粉には、樹枝状の形状を有する電解銅粉を扁平化処理した後、銀を被覆する態様、および、樹枝状の形状を有する電解銅粉に銀を被覆した後、これを扁平化処理する態様のいずれも含まれる。
電子顕微鏡観察（後述する図２〜１７参照）によると、樹枝状の形状を有する電解銅粉の主幹部および枝状部に由来する形状を有している。即ち、球形状のアトマイズ銅粉、湿式還元銅粉等を扁平化処理してなる従来の技術に係るフレーク状銅粉や銀被覆フレーク状銅粉とは、形状に顕著な差が認められる。

（３）導電性ペーストとその製造方法
得られた銀被覆フレーク状銅粉は、以下に説明する導電性ペーストに配合して用いることが好ましい。
本発明に係る導電性ペーストとしては、例えば、樹脂硬化型ペーストなどが挙げられ、当該導電性ペーストにおける、銀被覆フレーク状銅粉の含有量は特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。当該導電性ペーストは、当該銀被覆フレーク状銅粉の他、樹脂と、溶剤とを含み、さらに、所望に応じてその他の成分を含有してなる。
本発明に係る導電性ペーストについて、以下、〈１．樹脂〉、〈２．溶剤〉、〈３．その他成分〉、〈４．導電性ペーストの製造方法〉、〈５．導電性ペーストの特性〉、の順で説明する。

〈１．樹脂〉
本発明に係る導電性ペーストに含まれる樹脂は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

〈２．溶剤〉
本発明に係る導電性ペーストに含まれる溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、トルエン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、テトラデカン、テトラリン、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、テルピネオール、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタンジオールモノイソブチレート、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−エチルエーテルなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。

〈３．その他の成分〉
本発明に係る導電性ペーストに含まれるその他の成分としては、例えば、界面活性剤、ガラスフリット、分散剤、粘度調整剤などが挙げられる。

〈４．導電性ペーストの製造方法〉
本発明に係る導電性ペーストの製造方法は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。例えば、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉と、前記樹脂と、前記溶剤と、必要に応じて前記その他の成分とを、例えば、超音波分散、ディスパー、三本ロールミル、ボールミル、ビーズミル、二軸ニーダー、自公転式攪拌機などを用い、混合することにより製造することができる。

〈５．導電性ペーストの特性〉
本発明に係る導電性ペーストの粘度は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、２５℃で、５Ｐａ・ｓ以上１００Ｐａ・ｓ以下が好ましい。導電性ペーストの粘度が５Ｐａ・ｓ以上であると、印刷時に「にじみ」が発生することない。粘度が１００Ｐａ・ｓ以下であれば、印刷の際にむらが発生することを回避出来る。

本発明に係る導電性ペーストの体積抵抗率は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、好ましくは５×１０^−４Ω・ｃｍ以下、さらに好ましくは２．４×１０^−４Ω・ｃｍ以下とすることが出来る。前記体積抵抗率が、５×１０^−４Ω・ｃｍ以下であると、極めて低い体積抵抗率の導電性ペーストが実現可能である。
前記体積抵抗率は、例えば、ＤＩＧＩＴＡＬ ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製、ＡＤ７４５１Ａ）を用いて、測定することができる。

本発明に係る導電性ペーストは、低フィラー含量ペーストであっても導電性を確保できる。この結果、例えば、太陽電池用のシリコンウエハー、タッチパネル用フィルム、ＥＬ素子用ガラス等の各種基体上に直接又は必要に応じて前記基体上に更に透明導電膜を設けた前記透明導電膜上に、塗布又は印刷して導電性塗膜を形成することができる。具体的には、例えば、太陽電池セルの集電電極、チップ型電子部品の外部電極、ＲＦＩＤ、電磁波シールド、振動子接着、メンブレンスイッチ、エレクトロルミネセンス等の電極又は電気配線用途に好適に用いられる。

以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
（実施例１）
実施例１について、（１）電解銅粉、（２）扁平化工程、（３）銀被覆工程、（４）銀被覆フレーク状銅粉の特性値の測定、（５）導電性ペーストの製造工程、（６）導電膜の体積抵抗率、の順で説明する。

（１）電解銅粉
電解銅粉として、福田金属箔粉工業株式会社製 ＦＣＣ-１１５を用意した。

（２）扁平化工程
前記電解銅粉３０．６６ｋｇと、溶媒としてソルミックスＡＰ−７（日本アルコール販売株式会社製、エタノール８５．５質量％、ＩＰＡ５質量％、ｎ−プロピルアルコール９．５質量％）１７．７７ｋｇとを、ＳＵＳボール（直径１．６ｍｍ）１８５．８ｋｇと伴にアトライター（日本コークス工業株式会社製、ＭＡ１５ＳＥ、容量１００Ｌ）に装填した。
この結果、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値が、０．３０７ｋｇ／Ｌとなった。
当該アトライターの回転数を１９５ｒｐｍ、循環ポンプ圧力を０．４Ｍｐａ、処理時間を１８０分間の条件で、前記電解銅粉の扁平化処理を実施し、フレーク状銅粉スラリーを得た。フレーク状銅粉スラリーとＳＵＳボールとの分離後、当該フレーク状銅粉スラリーを濾過して得られたウェットケーキを、７０℃で真空乾燥を行い、フレーク状銅粉を得た。

（３）銀被覆工程
炭酸アンモニウム１７５．０ｇとエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）５０質量％溶液７３５．０ｇとを純水１１２８．４ｇに溶解して溶液とし、液温を３５℃に調整した。
当該溶液と、銀３８．８９ｇ含有の硝酸銀水溶液とを混合して、銀錯塩溶液を調製した。
また、炭酸アンモニウム９．１ｇと、ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏの５０質量％溶液１１２．６ｇとを、純水１４４１．１ｇに溶解させた後、前記フレーク銅粉３５０．０ｇを加え攪拌してフレーク状銅粉分散液を準備した。このフレーク状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を３５℃に調整し、前記銀錯塩溶液を添加し銀被覆反応を実施し、３０分間攪拌しながら保持した。ステアリン酸１５質量％のステアリン酸エマルジョン１１．３ｇを添加し、５分間攪拌を継続して、銀被覆フレーク銅粉への表面処理を行った。
得られた銀被覆フレーク銅粉を濾過してイオン交換水で洗浄し、得られたウェットケーキを窒素雰囲気中で、１２０℃で乾燥を行なって乾燥物とした。得られた乾燥物の乾燥凝集を、サンプルミル（不二パウダル社製、ＫＩＩ ＷＲ−１型）により解砕し、目開き２５μｍの篩を通して、実施例１に係る銀被覆フレーク状銅粉を得た（本発明において、当該銀被覆工程を「銀被覆工程（Ａ）」と記載する。）。
以上の操作について、アトライターの処理スケール、元粉（電解銅粉）名、元粉（電解銅粉）量、電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）、アトライターの処理時間、使用ボール径、アトライターへのボール充填率、使用溶媒名、電解銅粉量／スラリー量＝電解銅粉量／（電解銅粉量＋溶媒量）、ボール質量／電解銅粉量、アトライター回転数、循環ポンプ圧力、銀被覆工程種別、を表１に記載した（以下、実施例２〜１８、比較例１〜４も同様である。）。
実施例１に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図２に示す。

（４）銀被覆フレーク状銅粉の特性値の測定
得られた実施例１に係る銀被覆フレーク状銅粉に対し、〈１．円形度係数〉、〈２．Ｘ線粒径〉、〈３．厚み〉、〈４．アスペクト比〉、〈５．円形度係数×アスペクト比〉、〈６．軸長最大長〉、〈７．軸長最大長／厚み〉の各特性値の測定を行って結果を表２に記載し、〈８．ＢＥＴ比表面積〉、〈９．タップ密度〉、〈１０．累積粒子径〉、〈１１． 酸素含有量、炭素含有量、銀被覆量〉、の各特性値の測定を行って結果を表２、３に記載した。（以下、実施例２〜１８、比較例１〜４も同様である。）
以下、説明する。

〈１．円形度係数〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉粒子の形状が、円形からどの程度かけ離れているかを、円形度係数を用いて評価する。

具体的には、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡像を撮影し、当該電子顕微鏡像へ市販の画像解析ソフトを適用して求めることが便宜である。当該市販の画像解析ソフトとしては、本実施例においては、株式会社マウンテックの画像解析式粒度分布測定ソフトウェア「Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４」を用い、点ツールを使用して測定した形状データより、Ｓ、Ｌの値を求めた。

〈２．Ｘ線粒径〉
本発明では、計算用ソフト（株式会社リガク製 ＪＡＤＥ７）を使用して、Ｘ線回折法で得られた回折ピークについて平滑化を実施し、三次式近似を用いてバックグラウンドの除去およびＫα２の除去を実施後、ピーク分離を実施した。そして、当該計算用ソフトにより得られた結晶子径の値をＸ線粒径とした。
・株式会社リガク製 ＲＩＮＴ−ＵＬｔｉｍａIII
・使用Ｘ線：ＣｏＫα（波長＝１．７８８９Å）
・走査範囲：２θ＝１０°〜１００°
・スキャンスピード＝２°／ｍｉｎでスキャン
・計算用ソフト：株式会社リガク製 ＪＡＤＥ７

〈３．厚み〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の厚みは、当該銀被覆フレーク状銅粉の、１０００倍の走査型電子顕微鏡像を撮影し、各粒子において扁平化処理によって生じた２平面間の長さを厚みとし、各粒子の厚みを測定する。
上述した円形度係数と同様に、市販の画像解析ソフトを適用して求めることが便宜であり、本実施例においては、株式会社マウンテックの画像解析式粒度分布測定ソフトウェア「Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４」を用い、長さツールの２点指定を使用して測定した。

〈４．アスペクト比〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉において、アスペクト比は「（長軸を基準とした）最大長／厚み」で定義される。
上述した最大長と厚みとを求め、計算により求めることが便宜である。

〈５．円形度係数×アスペクト比〉
上述した円形度係数とアスペクト比とを求め、計算により求めることが便宜である。

〈６．軸長最大長〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の、１０００倍の走査型電子顕微鏡像を撮影し、各粒子について、最長の長さの直線を軸長とし、その長さを軸長最大長とする。
（実際に軸長最大長を測定しているわけではなく、点ツールにより粒子のふちをなぞって計測した粒子形状から、ソフトウェア内で自動計算されて出てくる値のため「軸長最大長として測定した」との記載は「軸長最大長とする」とした。）
上述した円形度係数と同様に、市販の画像解析ソフトを適用して求めることが便宜であり、本実施例においては、株式会社マウンテックの画像解析式粒度分布測定ソフトウェア「Ｍａｃ−Ｖｉｅｗ Ｖｅｒ．４」を用い、点ツールを使用して測定した。

〈７．軸長最大長／厚み〉
上述した軸長最大長と厚みとを求め、計算により求めることが便宜である。

〈８．ＢＥＴ比表面積〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉のＢＥＴ比表面積値は、ＢＥＴ比表面積測定装置（ユアサイオニクス株式会社製：４ソーブＵＳ）を用いて、ＢＥＴ法により求めた。

〈９．タップ密度〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉のタップ密度の測定方法について説明する。
重量および外形が既知の蓋付きの金型（当該金型が空のときの外形高さをｈ０（μｍ）、空の重量をｗ０（ｍｇ）とする。）の内部に試料を装填し、蓋をした当該金型をマイクロメーターに設置する。次に、当該マイクロメーターのアンビルをまわして当該金型を圧縮し、当該アンビルのラチェットを５回クリックさせる。そのときの金型の高さを読み取り、この高さをｈ１（μｍ）とする。一方、試料込みの金型の重量を測定し、当該重量をｗ１（ｍｇ）とする。そして、ｗ０、ｗ１、ｈ０、ｈ１の値から、式２よりタップ密度を求めた。尚、３６．６は係数である。
タップ密度＝３６．６×（ｗ１−ｗ０）÷（ｈ１−ｈ０）ｇ／ｃｍ^３・・・式２
（詳細は、特開２００７−２６３８６０号公報を参照。）

〈１０．累積粒子径〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉の体積基準の累積粒子径は、累積粒度は、レーザー回折式粒度分布装置（ＳＹＭＰＡＴＥＣ社製、ヘロス粒度分布測定装置、ＨＥＬＯＳ＆ＲＯＤＯＳ）により測定した。尚、測定に使用するレンズは、粒子径により適宜変更して測定を実施した。

〈１１． 酸素含有量、炭素含有量、銀被覆量〉
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉における酸素含有量は酸素・窒素分析装置（ＬＥＣＯ社製：ＴＣ−４３６型）により測定し、炭素含有量は炭素・硫黄分析装置（堀場製作所製：ＥＭＩＡ−２２０Ｖ）により測定した。
本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉における銀被覆量は、銀被覆銅粉末を硝酸で溶解後に塩酸を添加し、生じた塩化銀の沈殿を乾燥し、重量を測定することにより、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉における銀被覆量の実測値を求めた。

本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉のＡｇ含有量の測定方法例について、具体的に説明する。
試料２ｇを秤量し、純水で洗い流しながらビーカーへ移した後、硝酸１０ｍｌを投入して加熱溶解する。放冷後、溶解液をろ過し浮遊している有機物成分を除去して、ろ液を得る。当該ろ液に純水１００ｍｌを加え、ＨＣｌを６ｍｌ添加し十分に攪拌し、さらにＨＣｌを添加する。そして、新たなＡｇＣｌの沈殿ができなくなるまでＨＣｌを添加した後、溶液が透明になるまで加熱、熟成を実施する。その後、ガラスファイバーフィルター（重量をＷ１（ｇ）とする。）でろ過し、回収したＡｇＣｌの沈殿を乾燥機により１１０℃で３時間乾燥した。放冷後、ガラスファイバーフィルターと回収したＡｇＣｌをあわせて秤量し、その重量をＷ２（ｇ）とした。
Ｗ１、Ｗ２の値から、式３よりＡｇ含有量を求めた。
Ａｇ（質量％）＝（Ｗ２−Ｗ１）／当初の試料量（ｇ）×０．７５２６×１００・・・式３

（５）導電性ペーストの製造工程
実施例１に係る導電性ペーストの製造工程について、以下、〈１．導電性ペーストの組成〉、〈２．導電性ペーストの混練工程〉、〈３．導電性ペーストの印刷工程〉の順に説明する。
（以下、実施例２〜１８、比較例１〜４も同様である。）

〈１．導電性ペーストの組成〉
得られた実施例１に係る銀被覆フレーク状銅粉と、ポリエステル樹脂と、溶剤とを下記の組成で混合した。
・銀被覆フレーク状銅粉６０質量部
・ポリエステル樹脂（東洋紡績株式会社製、バイロン２００）１２質量部
・溶剤：酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−エチルエーテル（和光純薬工業株式会社製、ＥＣＡ）２８質量部

〈２．導電性ペーストの混練工程〉
得られた混合物を、真空攪拌脱泡ミキサー（株式会社ＥＭＥ製、Ｖ-ｍｉｎｉ３００）を用いて、１４００ｒｐｍで３０秒間の処理を２回実施して混練処理を行い、実施例１に係る導電性ペーストを得た。

〈３．導電性ペーストの印刷工程〉
作製した実施例１に係る導電性ペーストを、スクリーン印刷法によってアルミナ基板上に（線幅５００μｍ、線長３７．５ｍｍのパターンに）印刷した後、得られたアルミナ基板を、大気循環式乾燥機を用いて１３０℃、３０分間の条件で加熱処理し、導電膜を作製した。

（６）導電膜の体積抵抗率
実施例１に係る導電性ペーストをアルミナ基板上に印刷し、加熱処理して得られた導電膜の体積抵抗率を、以下のように測定した。
（以下、実施例２〜１８、比較例１〜４も同様である。）
導電膜の体積抵抗率は、得られた導電膜のライン抵抗をＤＩＧＩＴＡＬ ＭＵＬＴＩＭＥＴＥＲ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ社製、ＡＤ７４５１Ａ）により測定した。一方、得られた導電膜の膜厚を表面粗さ形状測定機（株式会社東京精密製のサーフコム１５００ＤＸ型）により測定した。そして、導電膜における、体積抵抗率を式４により算出した。
体積抵抗率（Ω・ｃｍ）＝ライン抵抗（Ω）×膜厚（ｃｍ）×線幅（ｃｍ）／線長（ｃｍ）・・・・式４
得られた体積抵抗率の測定結果を、表４に記載した。（以下、実施例２〜１８、比較例１〜４も同様である。）

表４中の体積抵抗率に示した数値において、記号「Ｅ」は、その次に続く数値が１０を底とした「べき指数」であることを示し、その１０を底とした指数関数で表される数値が「Ｅ」の前の数値に乗算されることを示す。例えば、「１．０Ｅ−０４」であれば、「１．０×１０^−４」であることを示す。

（実施例２）
扁平化処理工程において、アトライターの回転数を２２７ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例２に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
当該操作、および、実施例２に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電膜における、体積抵抗率の測定結果を表１〜４に示す。
そして、実施例２に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図３に示す。以下、実施例３〜１８においても、各実施例に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図４〜１７、２３、２４に示す。

（実施例３）
扁平化処理工程において、電解銅粉の量を３５．７ｋｇ、アトライターの回転数を２２７ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例３に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
このとき、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値が、０．３５７ｋｇ／Ｌとなった。

（実施例４）
扁平化処理工程において、アトライターの回転数を２２７ｒｐｍとし、循環ポンプの圧力を０．５５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例４に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例５）
扁平化処理工程において、アトライターの回転数を２２７ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。

銀被覆工程において、炭酸アンモニウム３５．００ｋｇとエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）５０質量％溶液１４７．００ｋｇを純水２２５．６８ｋｇに溶解し、液温を３５℃に調整した。この溶液と銀７．７７８ｋｇ含有の硝酸銀水溶液を混合して、銀錯塩溶液を調製した。また、炭酸アンモニウム１．８２ｋｇとＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏの５０質量％溶液２２．５２ｋｇを純水２８８．２３ｋｇに溶解させた後、前記フレーク銅粉７０．００ｋｇを加え攪拌してフレーク状銅粉分散液を準備した。このフレーク状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を３５℃に調整し、前記銀錯塩溶液を添加し銀被覆反応を実施し、３０分間攪拌しながら保持した。ステアリン酸１５質量％のステアリン酸エマルジョン２．２６ｋｇを添加し、５分間攪拌を継続して、銀被覆フレーク銅粉への表面処理を行った。
得られた銀被覆フレーク銅粉を濾過して、イオン交換水で洗浄し、得られたウェットケーキを窒素雰囲気中で、１２０℃で乾燥を行い、目開き２５μｍの篩を通して、実施例５に係る銀被覆フレーク状銅粉を得た（本発明において、当該銀被覆工程を「銀被覆工程（Ｂ）」と記載する。）。
これ以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例５に係る導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例６）
扁平化処理工程において、アトライターの回転数を２２７ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。

銀被覆工程において、炭酸アンモニウム３５．００ｋｇとエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）５０質量％溶液１４７．００ｋｇを純水２２５．６８ｋｇに溶解し、液温を３５℃に調整した。この溶液と銀７．７７８ｋｇ含有の硝酸銀水溶液を混合して、銀錯塩溶液を調製した。また、炭酸アンモニウム１．８２ｋｇとＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏの５０質量％溶液２２．５２ｋｇを純水２８８．２３ｋｇに溶解させた後、前記フレーク銅粉７０．００ｋｇを加え攪拌してフレーク状銅粉分散液を準備した。このフレーク状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を３５℃に調整し、前記銀錯塩溶液を添加し銀被覆反応を実施し、３０分間攪拌しながら保持した。ステアリン酸１５質量％のステアリン酸エマルジョン２．２６ｋｇを添加し、５分間攪拌を継続して、銀被覆フレーク銅粉への表面処理を行った。
得られた銀被覆フレーク銅粉を濾過して、イオン交換水で洗浄し、得られたウェットケーキを窒素雰囲気中で、１２０℃で乾燥を行い、サンプルミル（不二パウダル社製、ＫＩＩ ＷＲ−１型）により乾燥凝集を解砕し、目開き２５μｍの篩を通して、実施例６に係る銀被覆フレーク状銅粉を得た（本発明において、当該銀被覆工程を「銀被覆工程（Ｃ）」と記載する。）。
これ以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例６に係る導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例７）
扁平化処理工程において、アトライターによる処理時間を２４０分間とした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例７に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例８）
扁平化処理工程において、アトライターの回転数を１７０ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例８に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例９）
扁平化処理工程において、アトライターによる処理時間を２４０分間、アトライターの回転数を１７０ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例９に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１０）
扁平化処理工程において、アトライターによる処理時間を２４０分間、アトライターの回転数を１７０ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。

〈銀被覆工程〉
銀被覆工程において、実施例６で説明した「銀被覆工程（Ｃ）」を行って、実施例１０に係る銀被覆フレーク状銅粉を得た。
これ以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１０に係る導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１１）
扁平化処理工程において、アトライターの回転数を１５０ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１１に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１２）
扁平化処理工程において、アトライターによる処理時間を２４０分間、アトライターの回転数を１５０ｒｐｍとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１２に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１３）
扁平化処理工程において、循環ポンプの圧力を０．５５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１３に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１４）
扁平化処理工程において、アトライターによる処理時間を２４０分間、循環ポンプの圧力を０．５５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１４に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１５）
扁平化処理工程において、アトライターによる処理時間を２４０分間、アトライターの回転数を１７０ｒｐｍ、循環ポンプの圧力を０．５５ＭＰａとした以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１５に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１６）
扁平化処理工程において、アトライターの処理スケールを５．４Ｌ、電解銅粉として、福田金属箔粉工業株式会社製 ＃５１-Ｒ（Ａ）を用い、電解銅粉の量を１．８６５ｋｇ、アトライターによる処理時間を１２０分間、ボール充填率を４５．０２ｖｏｌ％、アトライターの回転数を３６０ｒｐｍとし、アトライターの処理スケールが５．４Ｌであったので循環ポンプを使用しなかった以外は、実施例１と同様の操作を行って、実施例１６に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
このとき、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値が、０．３４５ｋｇ／Ｌとなった。

（実施例１７）
銀被覆工程において、得られたウェットケーキを、７０℃で真空乾燥を行って乾燥物とした以外は実施例９と同様の操作を行って、実施例１７に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（実施例１８）
実施例９と同様の扁平化処理工程を行って得られたフレーク状銅粉を、さらに目開き２５μｍの篩を通してフレーク状銅粉とした以外は、実施例９と同様の操作を行って、実施例１８に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。

（比較例１）
銀被覆工程において、炭酸アンモニウム３９３．０ｇとエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）５０質量％溶液１２６８．７ｇを純水１４５８．７ｇに溶解し、液温を２５℃に調整した。この溶液と銀５５．５６ｇ含有の硝酸銀水溶液を混合して、銀錯塩溶液を調製した。また、炭酸アンモニウム３５６．９ｇとＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏの５０質量％溶液５７６．２ｇを純水５０３１．１ｇに溶解させた後、ヘロスによるＤ５０粒径が６．４μｍの球状銅粉５００．０ｇを加え攪拌して、球状銅粉分散液を準備した。この球状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を２５℃に調整し、前記銀錯塩溶液を添加し銀被覆反応を実施し、３０分間攪拌しながら保持した。ステアリン酸１５質量％のステアリン酸エマルジョン４．６ｇを添加し、３０分間攪拌を継続して、銀被覆球状銅粉への表面処理を行った。
得られた銀被覆球状銅粉を濾過して、イオン交換水で洗浄し、得られたウェットケーキを窒素雰囲気中で、１２０℃で乾燥を行い、目開き３２μｍの篩を通した以外は、実施例１と同様の操作を行って、比較例１に係る銀被覆球状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
そして、比較例１に係る銀被覆銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図１８に示す。

（比較例２）
銀被覆工程において、炭酸アンモニウム３９３．０ｇとエチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）５０質量％溶液１２６８．７ｇとを純水１４５８．７ｇに溶解して溶液とし、液温を２５℃に調整した。この溶液と、銀５５．５６ｇ含有の硝酸銀水溶液とを混合して、銀錯塩溶液を調製した。
また、炭酸アンモニウム３５６．９ｇと、ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏの５０質量％溶液５７６．２ｇとを純水５０３１．１ｇに溶解させた後、ＩＰＡを２００ｇ添加して溶液を得た。当該溶液へ、ヘロス測定によるＤ５０粒径が１３．９７μｍの球状銅粉を扁平化したフレーク状銅粉５００．０ｇを加え、攪拌してフレーク状銅粉分散液を準備した。
当該フレーク状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を２５℃に調整した後、前記銀錯塩溶液を添加して銀被覆反応を実施し、３０分間攪拌しながら保持した。次に、ここへステアリン酸１５質量％のステアリン酸エマルジョン４．６ｇを添加し、３０分間攪拌を継続して、銀被覆フレーク状銅粉への表面処理を行った。
得られた銀被覆フレーク状銅粉を濾過して、イオン交換水で洗浄し、得られたウェットケーキを窒素雰囲気中で、１２０℃で乾燥を行い、目開き３２μｍの篩を通した以外は、実施例１と同様の操作を行って、比較例２に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
そして、比較例２に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図１９に示す。

（比較例３）
銀被覆工程において、炭酸アンモニウム１９６．５ｇと、エチレンジアミン四酢酸四ナトリウム塩（ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏ）５０質量％溶液６３４．５ｇとを純水７２９．４ｇに溶解して溶液を得、液温を２５℃に調整した。この溶液と、銀２７．７８ｇ含有の硝酸銀水溶液とを混合して、銀錯塩溶液を調製した。
また、炭酸アンモニウム１７８．５ｇと、ＥＤＴＡ・４Ｎａ・４Ｈ_２Ｏの５０質量％溶液２８８．１ｇとを純水２３１５．５ｇに溶解させた後、ＩＰＡを２００ｇ添加して溶液とした。当該溶液へ、福田金属箔粉工業（株）ＦＣＣ−１１５を２５０．０ｇ加えて攪拌し、樹枝状銅粉分散液を準備した。
この樹枝状銅粉分散液を乾燥窒素ガス雰囲気にて液温を２５℃に調整し、前記銀錯塩溶液を添加して、銀被覆反応を実施し３０分間攪拌しながら保持した。次に、ステアリン酸１５質量％のステアリン酸エマルジョン２．０ｇを添加し、３０分間攪拌を継続して、銀被覆樹枝状銅粉への表面処理を行った。
得られた銀被覆樹枝状銅粉を濾過して、イオン交換水で洗浄し、得られたウェットケーキを窒素雰囲気中で、１２０℃で乾燥を行い、目開き３２μｍの篩を通した以外は、実施例１と同様の操作を行って、比較例３に係る銀被覆樹枝状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
そして、比較例３に係る銀被覆銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図２０に示す。

（比較例４）
扁平化処理工程において、電解銅粉の量を２５ｋｇ、アトライターによる処理時間を２１０分間とした以外は、実施例１と同様の操作を行って、比較例４に係る銀被覆フレーク状銅粉、導電性ペースト、導電膜を得た。
このとき、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値が、０．２５０ｋｇ／Ｌとなった。
そして、比較例４に係る銀被覆フレーク状銅粉の１０００倍の走査型電子顕微鏡写真を図２１に示す。

（まとめ）
以上の結果より、実施例１〜１８の本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、いずれも少なくとも表面に銀を有し、扁平化処理された銀被覆フレーク状銅粉粒子を含む銀被覆フレーク状銅粉であって、円形度係数が０．３以上０．６以下であり、厚みが、０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下であり、Ｘ線粒径が、Ａｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上５８ｎｍ以下であった。そして、当該構成を有する本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、表４に示すように体積抵抗率が低く、フィラー（導電性ペースト用の銀被覆銅粉）含有量が６０質量％という低フィラー含量の導電性ペーストであっても、フィラー含有量が８０質量％以上ある従来の技術に係る導電性ペーストと同等の体積抵抗率を有していることが理解出来る。
即ち、本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉は、低フィラー含量ペーストにおいても導電性を確保できる銀被覆フレーク状銅粉であることが理解出来る。

これに対し、比較例１〜３の従来の技術に係る銀被覆フレーク状銅粉において、比較例１は円形度係数および厚みを満たさず、比較例２は円形度係数を満たさず、比較例３は厚みを満たしていない。
一方、本発明の製造方法と同様の方法ではあるが、扁平化処理において、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値を０．２５とした比較例４の銀被覆フレーク状銅粉においては、厚みが０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下を満たさなかった。この結果、表４に示すように実施例１〜１８と較べて体積抵抗率が高かった。

本発明に係る銀被覆フレーク状銅粉を含む導電性ペーストは、低フィラー含量ペーストとすることが出来るので、例えば、太陽電池用のシリコンウエハー、タッチパネル用フィルム、ＥＬ素子用ガラス等の各種基体上に直接又は必要に応じて前記基体上へ更に透明導電膜を設けた前記透明導電膜上に、塗布又は印刷して導電性塗膜を形成することが出来る。この結果、例えば、太陽電池セルの集電電極、チップ型電子部品の外部電極、ＲＦＩＤ、電磁波シールド、振動子接着、メンブレンスイッチ、エレクトロルミネセンス等の電極又は電気配線用途に好適に用いられる。

Claims (10)

1. 少なくとも表面に銀を有し、扁平化処理された銀被覆フレーク状銅粉粒子を含む銀被覆フレーク状銅粉であって、
   前記銀被覆フレーク状銅粉粒子の走査型電子顕微鏡像の測定による円形度係数が０．３以上０．６以下であり、
   Ｘ線粒径が、Ａｇ（１１１）面において１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下であり、Ｃｕ（１１１）面において３０ｎｍ以上５８ｎｍ以下であることを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉。
2. 厚みが、０．３５μｍ以上０．７０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の銀被覆フレーク状銅粉。
3. 前記銀被覆フレーク状銅粉粒子の走査型電子顕微鏡像の測定による円形度係数とアスペクト比との積が、７.５以上１５．５以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の銀被覆フレーク状銅粉。
4. 前記銀被覆フレーク状銅粉粒子の走査型電子顕微鏡像の測定による長軸の最大長と平均厚みとのアスペクト比（長軸の最大長／平均厚み）が、１７以上３４以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の銀被覆フレーク状銅粉。
5. ＢＥＴ比表面積が、０．４５ｍ^２／ｇ以上０．６５ｍ^２／ｇ以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の銀被覆フレーク状銅粉。
6. タップ密度が、３．５ｇ／ｃｍ^３以下２．０ｇ／ｃｍ^３以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の銀被覆フレーク状銅粉。
7. 樹枝状の形状を有する電解銅粉へ、水および／または有機溶剤の存在下にてアトライターを用いて扁平化処理を行い、フレーク状の電解銅粉を得る扁平化処理工程と、
   前記扁平化処理により得られたフレーク状の電解銅粉の表面に銀を被覆する銀被覆工程と、を有し、
   前記扁平化処理において、〔電解銅粉量（ｋｇ）／アトライターの処理スケール（Ｌ）〕の値を０．３ｋｇ／Ｌ以上として、扁平化処理することを特徴とする銀被覆フレーク状銅粉の製造方法。
   ただし、アトライターの処理スケール（Ｌ）は、アトライターの容量（Ｌ）である。
   
8. 前記扁平化処理工程において、扁平化処理の後に得られたフレーク状の電解銅粉を、目開き２５μｍの篩に通すことを特徴とする請求項７記載の銀被覆フレーク状銅粉の製造方法。
9. 前記銀被覆工程において、銀被覆反応の後に得られる水と銀被覆フレーク状銅粉とを含むウェットケーキを、真空乾燥することを特徴とする請求項７または８に記載の銀被覆フレーク状銅粉の製造方法。
10. 請求項１から６のいずれかに記載の銀被覆フレーク状銅粉を含有することを特徴とする導電性ペースト。