JP6458759B2 - 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール - Google Patents
応力緩和構造体及び熱電変換モジュール Download PDFInfo
- Publication number
- JP6458759B2 JP6458759B2 JP2016070137A JP2016070137A JP6458759B2 JP 6458759 B2 JP6458759 B2 JP 6458759B2 JP 2016070137 A JP2016070137 A JP 2016070137A JP 2016070137 A JP2016070137 A JP 2016070137A JP 6458759 B2 JP6458759 B2 JP 6458759B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stress relaxation
- relaxation structure
- thermoelectric conversion
- metal foil
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
- H10N10/13—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
Description
図1は、本発明の実施形態に係る応力緩和構造体10の模式的な斜視図である。図2は、図1に示すII−II線に沿う応力緩和構造体10の模式的な断面図である。
次に、本発明の熱電変換モジュールの実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。
本実施形態の応力緩和構造体10は、熱電変換モジュール用の絶縁基板に用いることもできる。図7は、本実施形態の応力緩和構造体10を用いた絶縁基板200の模式的な断面図である。絶縁基板200は、表面がNiめっきされたセラミック基板70と、セラミック基板70の表面に金属層30を介して接合された応力緩和構造体10と、応力緩和構造体10に金属層30を介して接合された銅配線80とを備えている。
第1の熱伝導体の金属箔として、株式会社ニラコ製の厚さ0.020mm、幅100mm、長さ300mmの銅箔(製品番号:CU−113213)を用意した。次に、用意した銅箔の表面に、エレクトロニクス実装学会誌、Vol.1(1998)、No.1、P66−69に記載された無電解銅めっきによって厚さ5μmのポーラス状被膜を形成することで、第2の熱伝導体である多孔質金属箔を第1の熱伝導体の金属箔に接合した。
巻回体を構成する第2の熱伝導体としてカーボンシートを用い、第1の熱伝導体と第2の熱伝導体とを接合することなく積層した以外は、前述の実施例の応力緩和構造体と同様に比較例の応力緩和構造体を製作した。カーボンシートは、厚さが0.020mm、幅100mm、長さ300mmのものを用いた。そして、実施例の応力緩和構造体と同様に、試験片を製作し、せん断試験機によって破断時の最大荷重を測定し、測定した最大荷重を接合面積で除して接合強度を求めた。
2 第2の熱伝導体
3 巻回体
4 芯材
10 応力緩和構造体
20 熱電変換素子
30 金属層
100 熱電変換モジュール。
Claims (9)
- 第1の熱伝導体と第2の熱伝導体とが交互に巻回された巻回体を備える応力緩和構造体であって、
前記第1の熱伝導体は金属箔であり、前記第2の熱伝導体は多孔質金属箔であることを特徴とする応力緩和構造体。 - 前記金属箔及び前記多孔質金属箔の材質は、銅又はニッケルであることを特徴とする請求項1に記載の応力緩和構造体。
- 前記巻回体は、芯材を備え、前記芯材の周囲に前記第1の熱伝導体と前記第2の熱伝導体とが交互に巻回されていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の応力緩和構造体。
- 前記芯材は、板状の形状を有することを特徴とする請求項3に記載の応力緩和構造体。
- 前記第1の熱伝導体と前記第2の熱伝導体とが接合されていることを特徴とする請求項1に記載の応力緩和構造体。
- 前記巻回体の巻回軸方向の端面において、前記金属箔と前記多孔質金属箔がともに露出していることを特徴とする請求項1に記載の応力緩和構造体。
- 前記第2の熱伝導体は、前記第1の熱伝導体の表面に形成されたポーラス状被膜であることを特徴とする請求項1に記載の応力緩和構造体。
- 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の応力緩和構造体と、該応力緩和構造体に接合された熱電変換素子とを備えることを特徴とする熱電変換モジュール。
- 前記応力緩和構造体と前記熱電変換素子は、金属層を介して接合されていることを特徴とする請求項8に記載の熱電変換モジュール。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016070137A JP6458759B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール |
US15/414,139 US20170288116A1 (en) | 2016-03-31 | 2017-01-24 | Stress Relaxation Structure and Thermoelectric Conversion Module |
EP17153473.8A EP3226314B1 (en) | 2016-03-31 | 2017-01-27 | Thermoelectric conversion module comprising stress relaxation structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016070137A JP6458759B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017183566A JP2017183566A (ja) | 2017-10-05 |
JP2017183566A5 JP2017183566A5 (ja) | 2018-04-05 |
JP6458759B2 true JP6458759B2 (ja) | 2019-01-30 |
Family
ID=57914826
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016070137A Expired - Fee Related JP6458759B2 (ja) | 2016-03-31 | 2016-03-31 | 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20170288116A1 (ja) |
EP (1) | EP3226314B1 (ja) |
JP (1) | JP6458759B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7302478B2 (ja) * | 2017-10-24 | 2023-07-04 | 株式会社レゾナック | 熱電変換モジュールの製造方法、熱電変換モジュール及び熱電変換モジュール用接合材 |
JP7248091B2 (ja) * | 2021-02-03 | 2023-03-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 熱電変換モジュール、および、熱電変換モジュールの製造方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55117249A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-09 | Hitachi Ltd | Semiconductor supporting electrode |
JPH01183139A (ja) * | 1988-01-16 | 1989-07-20 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 放熱基板 |
JPH0780272B2 (ja) * | 1989-12-12 | 1995-08-30 | 住友特殊金属株式会社 | 熱伝導複合材料 |
EP0634794B1 (en) * | 1989-12-12 | 1999-07-28 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Heat-conductive composite material |
US5510650A (en) * | 1994-09-02 | 1996-04-23 | General Motors Corporation | Low mechanical stress, high electrical and thermal conductance semiconductor die mount |
JP4062994B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2008-03-19 | 株式会社豊田自動織機 | 放熱用基板材、複合材及びその製造方法 |
US20040010170A1 (en) * | 2002-01-09 | 2004-01-15 | Vickers George H. | Para-xylene and ethylbenzene separation from mixed C8 aromatics |
JP2003229609A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Sango Co Ltd | 熱電変換モジュール用の熱応力緩和材とその製造方法と熱電変換装置 |
US7663486B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-02-16 | Motorola, Inc. | RFID tag user memory indication |
JP2008010764A (ja) * | 2006-06-30 | 2008-01-17 | Chugoku Electric Power Co Inc:The | 熱電変換装置 |
JP2010093009A (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-22 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 熱電変換モジュールおよび熱電変換素子 |
JP5733678B2 (ja) * | 2010-12-24 | 2015-06-10 | 日立化成株式会社 | 熱電変換モジュールおよびその製造方法 |
JP6064886B2 (ja) | 2012-12-26 | 2017-01-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 熱伝導性応力緩和構造体 |
US20140261607A1 (en) * | 2013-03-14 | 2014-09-18 | Gmz Energy, Inc. | Thermoelectric Module with Flexible Connector |
JP2014183256A (ja) | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Denso Corp | 接合体およびこれを用いた半導体装置、ならびにそれらの製造方法 |
-
2016
- 2016-03-31 JP JP2016070137A patent/JP6458759B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-01-24 US US15/414,139 patent/US20170288116A1/en not_active Abandoned
- 2017-01-27 EP EP17153473.8A patent/EP3226314B1/en not_active Not-in-force
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20170288116A1 (en) | 2017-10-05 |
EP3226314A3 (en) | 2017-10-25 |
JP2017183566A (ja) | 2017-10-05 |
EP3226314A2 (en) | 2017-10-04 |
EP3226314B1 (en) | 2018-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6794732B2 (ja) | 熱電変換モジュール及び熱電変換装置 | |
US9601679B2 (en) | Thermoelectric module and method of manufacturing the same | |
JP5579928B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2017059823A (ja) | 熱電変換モジュール及び熱電変換装置 | |
KR20170076358A (ko) | 열전 모듈 및 그 제조 방법 | |
JP2012514332A (ja) | 熱電変換素子を製造する方法 | |
JP2009117792A (ja) | 熱電変換モジュール及びその製造方法 | |
JP2010212579A (ja) | 熱電変換素子の製造方法 | |
CA2768803A1 (en) | Thermoelectric modules with improved contact connection | |
JP5831468B2 (ja) | 熱電変換装置の製造方法 | |
JP2011249801A (ja) | 2個の接合素子の低温加圧焼結接合方法およびそれによって製造される構成体 | |
US20110226303A1 (en) | Method of manufacturing thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion element | |
JP4850083B2 (ja) | 熱電変換モジュール及びそれを用いた発電装置及び冷却装置 | |
JP2017020101A (ja) | 金属粒子、ペースト、成形体、及び、積層体 | |
JP6458759B2 (ja) | 応力緩和構造体及び熱電変換モジュール | |
WO2006043402A1 (ja) | 熱電変換モジュール | |
WO2017057259A1 (ja) | 熱電変換モジュール及び熱電変換装置 | |
JP2013062275A (ja) | 熱発電デバイス | |
JP5703871B2 (ja) | 熱電変換システムおよびその製造方法 | |
JP2014110282A (ja) | 金属微粒子含有ペーストを用いる接合方法 | |
JP2006086402A (ja) | 管状熱電モジュールおよび熱電変換装置 | |
JP4917375B2 (ja) | パワー半導体モジュールの製造方法 | |
WO2016147736A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN105762270B (zh) | 热电发生器和装配热电发生器的方法 | |
JP6933441B2 (ja) | 熱電変換モジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180223 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180223 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181022 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181127 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181210 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6458759 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |