JP6453311B2 - 複雑な成形に適用可能な放射エネルギーおよび形状の複合的な最適化によるリソグラフィ方法 - Google Patents
複雑な成形に適用可能な放射エネルギーおよび形状の複合的な最適化によるリソグラフィ方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6453311B2 JP6453311B2 JP2016511109A JP2016511109A JP6453311B2 JP 6453311 B2 JP6453311 B2 JP 6453311B2 JP 2016511109 A JP2016511109 A JP 2016511109A JP 2016511109 A JP2016511109 A JP 2016511109A JP 6453311 B2 JP6453311 B2 JP 6453311B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- basic
- simulation
- outlines
- work
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 56
- 238000005457 optimization Methods 0.000 title description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims description 52
- 239000013598 vector Substances 0.000 claims description 27
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 claims description 25
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 5
- 238000013459 approach Methods 0.000 claims description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 3
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 6
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 6
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 6
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 6
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 238000004422 calculation algorithm Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000012804 iterative process Methods 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000844 transformation Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/302—Controlling tubes by external information, e.g. programme control
- H01J37/3023—Programme control
- H01J37/3026—Patterning strategy
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/305—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching
- H01J37/3053—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for casting, melting, evaporating or etching for evaporating or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31761—Patterning strategy
- H01J2237/31764—Dividing into sub-patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/3175—Lithography
- H01J2237/31769—Proximity effect correction
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
Description
− S1)基板上に形成すべきパターンを提供するステップと、
− S2)形成すべきパターンから、1つの外側エンベロープを含むワークパターンを形成するステップと、
− S3)ワークパターンを、それぞれが1つの外側エンベロープを有する複数の基本アウトラインを含む一組の基本アウトラインに分解し、各基本アウトラインのための一組のインソレーション条件を規定するステップと、
− S4)形成すべきパターンを、基本アウトラインのための複数組のインソレーション条件を表すシミュレーションパターンと比較し、形成すべきパターンを表すシミュレーションパターンを、形成すべきパターンを表さないシミュレーションパターンから区別するステップと、
を備え、
シミュレーションパターンが、形成すべきパターンを表していない場合、
− S7)形成すべきパターンの外側エンベロープの少なくとも一部分と、シミュレーションパターンの外側エンベロープの対応部分との間における、少なくとも1つのシフトベクトルを決定するステップと、
− S8)ワークパターンの外側エンベロープの少なくとも一部分または形成すべきパターンの外側エンベロープの少なくとも一部分を、少なくとも対応するシフトベクトルから決定された、変位ベクトルに従って変位させ、新しいワークパターンを形成するステップと、
− ステップS3)およびS4)の新たな反復を実行するステップと、
を備える方法によって満たされる可能性が高い。
Claims (7)
- 電子放射によるパターンの書き込みに関するデータを生成する方法において、
− S1)基板上に形成すべきパターン(1)を提供するステップと、
− S2)前記形成すべきパターン(1)から、1つの外側エンベロープを備えるワークパターン(2)を形成するステップと、
− S3)前記ワークパターン(2)を、それぞれが1つの外側エンベロープを有する複数の基本アウトラインを備える一組の基本アウトライン(3)に分解し、各基本アウトライン(3)のための一組の照射条件を規定するステップと、
− S4)前記形成すべきパターン(1)を、前記複数の基本アウトライン(3)のための複数の照射条件を表すシミュレーションパターン(4)と比較し、前記形成すべきパターン(1)を表すシミュレーションパターン(4)を、前記形成すべきパターン(1)を表さないシミュレーションパターン(4)から区別するステップと、
を連続的に備え、
前記シミュレーションパターン(4)が、前記形成すべきパターン(1)を表していない場合、前記方法は、
− S7)前記形成すべきパターン(1)の外側エンベロープの少なくとも一部分と、前記シミュレーションパターン(4)の外側エンベロープの対応部分との間における、少なくとも1つのシフトベクトルを決定するステップと、
− S8)前記ワークパターン(2)の外側エンベロープの少なくとも一部分または前記形成すべきパターン(1)の外側エンベロープの少なくとも一部分を、少なくとも前記対応するシフトベクトルから決定された、変位ベクトルに従って変位させ、新しいワークパターン(2)を形成するステップと、
− ステップS3)およびS4)の新たな反復を実行するステップと、
を備えることを特徴とする方法。 - 前記分解(S3)において、最初の前記一組の基本アウトライン(3)は、2つの隣接する基本アウトライン(3)間における重複を避けるように構成されている、ことを特徴とする請求項1に記載の生成方法。
- 前記分解ステップ(S3)において、前記基本アウトライン(3)の一部の位置は、前回の反復の前記基本アウトライン(3)の一部により占められる位置と同一である、請求項1または請求項2に記載の生成方法。
- 前記分解ステップ(S3)において、前記基本アウトライン(3)の一部の形状および表面は、前回の反復の基本アウトライン(3)の一部の形状および表面と同一である、請求項1から3のいずれかに記載の生成方法。
- 前記一組の基本アウトライン(3)を形成する基本アウトライン(3)の数の、前回の反復の分解ステップにおける前記一組の基本アウトライン(3)を形成する基本アウトライン(3)の数に対する比率は、0.8〜1.2の範囲内である、請求項1から4のいずれかに記載の生成方法。
- 前記比較(S6)の後に、前記ワークパターン(2)を修正して、前記形成すべきパターン(1)の形状に近づける、請求項1から5のいずれかに記載の生成方法。
- 電子放射により基板上にパターンを書き込む方法であって、
− 請求項1から請求項5のいずれかの生成方法を使用するステップと、
− 最後の反復の照射条件を、電子銃制御回路に送信するステップと、
を備えることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR1300997 | 2013-04-29 | ||
FR1300997A FR3005170B1 (fr) | 2013-04-29 | 2013-04-29 | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie applicable sur des formes complexes |
PCT/FR2014/000086 WO2014177776A1 (fr) | 2013-04-29 | 2014-04-17 | Procédé de lithographie à optimisation combinée de l'énergie rayonnée et de la géométrie applicable sur des formes complexes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016519437A JP2016519437A (ja) | 2016-06-30 |
JP6453311B2 true JP6453311B2 (ja) | 2019-01-16 |
Family
ID=48692567
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016511109A Active JP6453311B2 (ja) | 2013-04-29 | 2014-04-17 | 複雑な成形に適用可能な放射エネルギーおよび形状の複合的な最適化によるリソグラフィ方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10157728B2 (ja) |
EP (1) | EP2992545B1 (ja) |
JP (1) | JP6453311B2 (ja) |
KR (1) | KR102275480B1 (ja) |
FR (1) | FR3005170B1 (ja) |
TW (1) | TWI651586B (ja) |
WO (1) | WO2014177776A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3037878B1 (en) * | 2014-12-23 | 2020-09-09 | Aselta Nanographics | Method of applying vertex based corrections to a semiconductor design |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58218118A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Fujitsu Ltd | 露光パタ−ンの検査方法 |
JP3470369B2 (ja) * | 1993-11-30 | 2003-11-25 | ソニー株式会社 | 半導体装置の回路パターン設計方法及び直接描画装置 |
JP3469422B2 (ja) * | 1996-02-23 | 2003-11-25 | 株式会社東芝 | 荷電ビーム描画方法及び描画装置 |
JP3512954B2 (ja) * | 1996-03-06 | 2004-03-31 | 富士通株式会社 | パターン近接効果補正方法、プログラム、及び装置 |
JP4156700B2 (ja) * | 1998-03-16 | 2008-09-24 | 富士通株式会社 | 露光データ作成方法、露光データ作成装置、及び、記録媒体 |
DE19818440C2 (de) | 1998-04-24 | 2002-10-24 | Pdf Solutions Gmbh | Verfahren zur Erzeugung von Daten für die Herstellung einer durch Entwurfsdaten definierten Struktur |
JP4003865B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-11-07 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光用マスクパターンの矩形/格子データ変換方法及びこれを用いた荷電粒子ビーム露光方法 |
JP3874629B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2007-01-31 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
EP1249734B1 (en) * | 2001-04-11 | 2012-04-18 | Fujitsu Semiconductor Limited | Rectangle/lattice data conversion method for charged particle beam exposure mask pattern and charged particle beam exposure method |
JP2002313693A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-25 | Fujitsu Ltd | マスクパターンの作成方法 |
US20030152850A1 (en) * | 2002-02-12 | 2003-08-14 | Nikon Corporation | Rule-based methods for proximity-effect correction of charged-particle-beam lithography pattern using subregion-approximation for determining pattern element bias |
JP2003309065A (ja) * | 2002-02-12 | 2003-10-31 | Nikon Corp | レチクルパターンの決定方法、及びレチクルパターン決定用計算機プログラム |
US6792592B2 (en) * | 2002-08-30 | 2004-09-14 | Numerical Technologies, Inc. | Considering mask writer properties during the optical proximity correction process |
EP1612835A1 (en) * | 2004-06-29 | 2006-01-04 | Leica Microsystems Lithography GmbH | Method for Reducing the Fogging Effect |
JP5063071B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-10-31 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | パタン作成方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
FR2959029B1 (fr) * | 2010-04-15 | 2013-09-20 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie electronique avec correction des arrondissements de coins |
FR2959026B1 (fr) | 2010-04-15 | 2012-06-01 | Commissariat Energie Atomique | Procede de lithographie a optimisation combinee de l'energie rayonnee et de la geometrie de dessin |
JP2012060054A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
JP5601989B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2014-10-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
JP5871558B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2016-03-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
FR2988222B1 (fr) | 2012-03-13 | 2016-06-24 | Commissariat Energie Atomique | Module photovoltaique comprenant des elements de conversion spectrale localises et procede de realisation |
US8468473B1 (en) * | 2012-06-08 | 2013-06-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for high volume e-beam lithography |
-
2013
- 2013-04-29 FR FR1300997A patent/FR3005170B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-04-17 JP JP2016511109A patent/JP6453311B2/ja active Active
- 2014-04-17 EP EP14725211.8A patent/EP2992545B1/fr active Active
- 2014-04-17 WO PCT/FR2014/000086 patent/WO2014177776A1/fr active Application Filing
- 2014-04-17 US US14/783,756 patent/US10157728B2/en active Active
- 2014-04-17 KR KR1020157033912A patent/KR102275480B1/ko active IP Right Grant
- 2014-04-18 TW TW103114176A patent/TWI651586B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160079033A1 (en) | 2016-03-17 |
FR3005170B1 (fr) | 2017-02-17 |
WO2014177776A1 (fr) | 2014-11-06 |
TWI651586B (zh) | 2019-02-21 |
US10157728B2 (en) | 2018-12-18 |
TW201500837A (zh) | 2015-01-01 |
KR20160037839A (ko) | 2016-04-06 |
EP2992545B1 (fr) | 2020-12-02 |
FR3005170A1 (fr) | 2014-10-31 |
KR102275480B1 (ko) | 2021-07-08 |
JP2016519437A (ja) | 2016-06-30 |
EP2992545A1 (fr) | 2016-03-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10236160B2 (en) | Electron beam apparatus and positional displacement correcting method of electron beam | |
TWI605302B (zh) | 使用帶電粒子束微影術之用於臨界尺寸一致性之方法 | |
JP6259694B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビームの照射量変調係数の取得方法 | |
JP5495540B2 (ja) | 描画方法及び描画装置 | |
US10410830B2 (en) | Charged particle beam apparatus and positional displacement correcting method of charged particle beam | |
JP6283180B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
US20200051781A1 (en) | Methods and systems for forming a pattern on a surface using multi-beam charged particle beam lithography | |
US20100237469A1 (en) | Photomask, semiconductor device, and charged beam writing apparatus | |
JP5985852B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP6453311B2 (ja) | 複雑な成形に適用可能な放射エネルギーおよび形状の複合的な最適化によるリソグラフィ方法 | |
JP2020013893A (ja) | 描画データ生成方法、プログラム、マルチ荷電粒子ビーム描画装置、及びデータ構造 | |
JP7026575B2 (ja) | 電子ビーム照射方法、電子ビーム照射装置、及びプログラム | |
US11443918B2 (en) | Charged particle beam writing method and charged particle beam writing apparatus | |
JP5200571B2 (ja) | 半導体装置及びフォトマスクの製造方法 | |
US10197909B2 (en) | Method of reducing shot count in direct writing by a particle or photon beam | |
JP2001013669A (ja) | マスク描画データ作成方法、作成装置および記録媒体 | |
JP2023025503A (ja) | データ生成方法、荷電粒子ビーム照射装置及びプログラム | |
JP5773637B2 (ja) | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 | |
JP2019212749A (ja) | 荷電粒子ビーム描画方法および荷電粒子ビーム描画装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20180409 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180611 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6453311 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |