JP6445378B2 - 光電変換素子 - Google Patents
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Description
前記色素分子は、下記の一般式[I]で示され、
光アノードと、対極と、前記光アノードと前記対極との間に設けられた電解質媒体とを有し、
前記光アノードは、色素分子を含む半導体層を有し、
前記色素分子は、下記の一般式[I]で示され、
前記一般式[I]において、R1およびR2はそれぞれ独立に炭素数が8以上のアルキル基を示し、R1とR2で結合して環状構造を形成してもよく、R3は芳香環上の置換基であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環置換基を示し、R4およびR5はそれぞれ独立にアルキル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環置換基を示し、R4とR5で結合して環状構造を形成してもよく、R6は芳香環上の置換基であって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、あるいはハロゲン原子を示し、Lは二価の連結基を示し、nは0または1を示し、R7は水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環置換基を示し、R8はアルキレン基、アラルキレン基、またはアリーレン基を示し、R9はアルキレン基またはアラルキレン基を示し、Y1およびY2はそれぞれ独立に酸性基を示す、光電変換素子。
前記一般式[I]中のR1およびR2は、それぞれ独立に炭素数が18以上26以下のアルキル基である、項目1に記載の光電変換素子。
前記一般式[I]中のR1およびR2は、それぞれ独立に炭素数が20以上22以下のアルキル基であることを特徴とする、項目1に記載の光電変換素子。
前記半導体層の厚さは1.0μmを超えない、項目1から3のいずれかに記載の光電変換素子。
前記ニトロキシルラジカルを含有する化合物の分子量は200未満である、項目5に記載の光電変換素子。
前記ニトロキシルラジカルを含有する化合物の酸化還元電位は0.65V(vs.Ag/Ag+)である、項目5または6に記載の光電変換素子。
前記ニトロキシルラジカルを含有する化合物は、TEMPO(2,2,6,6−テトラメチルピペリジン−1−オキシル)である、項目5から7のいずれかに記載の光電変換素子。
光アノードと、対極と、前記光アノードと前記対極との間に設けられた電解質媒体とを有する光電変換素子の光アノードを構成する半導体層に担持される色素分子であって、
下記の一般式[I]で示され、
以下、図面を参照して、本開示の実施形態を説明する。
キレン基を示し、Y1およびY2はそれぞれ独立に酸性基を示す。
電子密度(C / cm3)=(半導体層中の電荷量)/ (半導体層の体積)
光アノード15は、光電変換素子100の負極として機能する。光アノード15は、上述したように、例えば、可視光を透過する導電層14と、導電層14上に形成された半導体層16を有し、半導体層16は色素分子を含んでいる。色素分子を含む半導体層16は、光吸収層と呼ばれることもある。このとき、基板12は、例えば、可視光を透過するガラス基板またはプラスチック基板(プラスチックフィルムを含む)である。
対極35は、光電変換素子100の正極として機能する。対極35を形成する材料としては、例えば、白金、金、銀、銅、アルミニウム、ロジウム、インジウム等の金属、グラファイト、カーボンナノチューブ、白金を担持したカーボン等の炭素材料、インジウム−錫複合酸化物、アンチモンをドープした酸化錫、フッ素をドープした酸化錫等の導電性金属酸化物、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子などを挙げることができる。これらのうち、白金、グラファイト、ポリエチレンジオキシチオフェンなどが好ましい。
電解質媒体22としては、酸化還元物質(メディエータ)を溶媒中に溶解させた電解質溶液の他、ゲル電解質または高分子電解質を用いることができる。典型的には、電解質媒体は電解質溶液であり、電解質溶液は、メディエータ、溶媒、支持電解質を含むことが好ましい。
図1に示した光電変換素子100と実質的に同じ構造を有する光電変換素子を作製した。各構成要素は、以下の通りである。
基板12:ガラス基板 厚さ1mm
透明導電層14:フッ素ドープSnO2層(表面抵抗10Ω/□)
半導体層16:多孔質酸化チタン、色素分子(D−3)
電解質溶液22:0.03 mol/L TEMPO、0.1 mol/L LiTFSI(リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド)をGBL(γ―ブチロラクトン)に溶解した溶液
基板52:ガラス基板 厚さ1mm
酸化物導電層34:フッ素ドープSnO2層(表面抵抗10Ω/□)
金属層36:白金層
実施例1において、色素分子(一般式[I]におけるR1およびR2の炭素数)、酸化チタン層の厚さ、メディエータを表2に示すとおりに変更し、そのほかは同じ工程によって、光電変換素子を作製した。評価結果を表2に示す。
実施例1において、色素分子をY2の酸性基を持たないものに変更した。具体的には、上記色素分子(D−3)において、(CH2)11COOHを(CH2)10CH3に変更したものを用い、その他は同じ工程によって光電変換素子を作製した。評価結果を表2に示す。
実施例1と比較例10との比較により、Y2の酸性基を付加した色素を用いた光電変換素子で高い変換効率が得られることがわかる。すなわち、Y2の酸性基が高い変換効率に寄与していることがわかる。
14 透明導電層
15 光アノード
16 色素分子を含む半導体層
22 電解質媒体(電解質溶液)
34 酸化物導電層(透明導電層)
35 対極
36 金属層(白金層)
52 基板
100 光電変換素子
Claims (5)
- 光アノードと、対極と、前記光アノードと前記対極との間に設けられTEMPO(2,2,6,6−テトラメチルピペリジン1−オキシル)またはOH−TEMPO(4−ヒドロキシ−2,2,6,6−テトラメチルピペリジン1−オキシル)を含有する電解質媒体とを有し、
前記光アノードは、色素分子を含む半導体層を有し、
前記色素分子は、下記の一般式[I]で示され、
R1およびR2はそれぞれ独立に炭素数が8以上のアルキル基を示し、R1とR2で結合して環状構造を形成してもよく、
R3は芳香環上の置換基であって、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環置換基を示し、
R4およびR5はそれぞれ独立にアルキル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環置換基を示し、R4とR5で結合して環状構造を形成してもよく、
R6は芳香環上の置換基であって、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、あるいはハロゲン原子を示し、Lは二価の連結基を示し、nは0または1を示し、
R7は水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、またはヘテロ環置換基を示し、
R8はアルキレン基、アラルキレン基、またはアリーレン基を示し、
R9はアルキレン基またはアラルキレン基を示し、
Y1およびY2はそれぞれ独立に酸性基を示す、光電変換素子。 - 前記一般式[I]中のR1およびR2は、それぞれ独立に炭素数が18以上26以下のアルキル基である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記一般式[I]中のR1およびR2は、それぞれ独立に炭素数が20以上22以下のアルキル基である、請求項1に記載の光電変換素子。
- 前記半導体層の厚さは1.0μmを超えない、請求項1から3のいずれかに記載の光電
変換素子。 - 前記電解質媒体は、TEMPO(2,2,6,6−テトラメチルピペリジン1−オキシル)を含有する、請求項1から4のいずれかに記載の光電変換素子。
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