JP6443029B2 - 半導体装置および半導体パッケージ - Google Patents
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- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
Description
[先行技術文献]
[特許文献]
[特許文献1] 特開2007−082351号公報
[特許文献2] 特開2009−195054号公報
20・・第1のダイオード、22・・ゲート端子、24・・ソース端子、26・・ドレイン端子
30・・第2のダイオード
40・・基板、41・・金属基板、42・・ゲートパッド、43・・ドレインパッド、44・・ソースパッド、45・・金属基板、46・・ドレインパッド、48・・ソースパッド、49・・ドレインパッド
52・・導電ワイヤ、54・・導電ワイヤ、56・・導電ワイヤ、58・・導電ワイヤ、59・・半田
61・・ゲート絶縁膜、62・・ゲート電極、64・・ソース電極、66・・ドレイン電極、68 チャネル部
70・・n型半導体基板、72・・p型ウェル、74・・p+型コンタクト層、76・・n+型コンタクト層、78・・n+型ドープ層
80・・p型カラム、82・・p型領域、84・・pnダイオード
100・・半導体装置、110・・半導体装置
200・・半導体モジュール、210・・半導体モジュール
300・・半導体パッケージ、310・・半導体パッケージ、320・・半導体パッケージ、330・・半導体パッケージ
Claims (12)
- ソースおよびドレイン間に内蔵ダイオードを有するMOSFETと、
前記MOSFETのソースに接続したソース側電流経路およびドレインに接続したドレイン側電流経路と、
前記ソース側電流経路にアノードが接続し、前記ドレイン側電流経路にカソードが接続する第1のダイオードと、
第2のダイオードと
を備え、
前記第2のダイオードは、
前記ドレイン側電流経路において、前記MOSFETのドレインにカソードが接続し、かつ、前記第1のダイオードのカソードにアノードが接続し、
または、
前記ソース側電流経路において、前記MOSFETのソースにアノードが接続し、かつ、前記第1のダイオードのアノードにカソードが接続し、
前記MOSFETは、n型半導体基板を有し、
前記n型半導体基板は、表面側にp型ウェルを有し、
前記n型半導体基板は、前記n型半導体基板よりもn型不純物をさらにドープしたn + 型ドープ層を裏面側に有し、
前記n + 型ドープ層の裏面側には、ドレイン電極が設けられ、
前記n型半導体基板は、前記p型ウェルと対向し、前記ドレイン電極と接する位置に、p型領域を有する、
半導体装置。 - 前記p型ウェルが複数設けられ、
複数の前記p型ウェルのそれぞれは、n + 型コンタクト層を有し、
前記複数のp型ウェルの間のn型領域と前記n + 型コンタクト層との間には、チャネル部が設けられ、
前記p型領域は、前記チャネル部の下方に配置されない、
請求項1に記載の半導体装置。 - 前記p型領域と前記n + 型ドープ層とが接する、請求項1または2に記載の半導体装置。
- 前記p型領域は、前記n型半導体基板の裏面から、前記n + 型ドープ層よりも深く、且つ、前記p型ウェルの下面よりも浅い深さまで設けられている、請求項1から3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2のダイオードは、前記ドレイン側電流経路に設けられる
請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第2のダイオードの耐圧は、前記第1のダイオードの順電圧よりも大きい、請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第2のダイオードの耐圧は前記第1のダイオードの耐圧よりも小さく、
前記第2のダイオードの耐圧は前記MOSFETの前記内蔵ダイオードの耐圧よりも小さい、請求項1から6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記MOSFETのドレイン電極は、前記MOSFETの半導体層とショットキーバリアダイオードを形成しており、前記ショットキーバリアダイオードが前記第2のダイオードとして機能する
請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1のダイオードは、前記内蔵ダイオードよりも逆回復時間が短い
請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記MOSFETは、少なくともチャネル部にSiCおよびGaNのいずれか一方を有する、請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置が、1つのディスクリート半導体としてパッケージの中に設けられる、半導体パッケージ。
- 請求項1から10のいずれか一項に記載の半導体装置が、1つの半導体モジュールとしてパッケージの中に設けられる、半導体パッケージ。
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