JP6431543B2 - 磁気ディスク用基板の製造方法 - Google Patents
磁気ディスク用基板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6431543B2 JP6431543B2 JP2016547647A JP2016547647A JP6431543B2 JP 6431543 B2 JP6431543 B2 JP 6431543B2 JP 2016547647 A JP2016547647 A JP 2016547647A JP 2016547647 A JP2016547647 A JP 2016547647A JP 6431543 B2 JP6431543 B2 JP 6431543B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- abrasive grains
- polishing
- slurry
- substrate
- glass substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
例えば、ガラス基板の主表面のシリカ砥粒を用いた研磨工程の最終研磨工程において、最小捕捉粒子径が1μm以下のフィルタを使用してフィルタリングした後の緩衝剤を含む研磨用スラリー(シリカ砥粒を含むスラリー)を用いる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法が知られている(特許文献1)。
この板状異物は、概略球形状のシリカ砥粒の平均粒径(d50)よりサイズの大きな異形状の異物であるため、シリカ砥粒の粒子サイズを所定の範囲に揃えるために、研磨処理前に、シリカ砥粒を、フィルタを用いてフィルタリングする場合もある。ここで、平均粒径とは、レーザー回折・散乱法を用いた体積分布に基づいて測定されるメディアン径を示す。しかし、このようなフィルタリングでは、フィルタが容易に目詰まりを起こすため、効率よくシリカ砥粒を作製することができない。しかも、フィルタリング後のシリカ砥粒には、板状異物を十分に除去できず、シリカ砥粒を含むスラリーを用いて研磨処理したガラス基板の主表面には、依然として板状異物が付着する場合もあった。また、遠心分離によって板状異物のような大きなシリカ砥粒を除去しようとしても、板状異物を十分に除去できず、研磨処理したガラス基板の主表面には、依然として板状異物が付着する場合もあった。このため、ガラス基板の研磨処理後の歩留まりが低下する問題がある。このような問題は、ガラス基板に限られず、金属基板(アルミニウム基板)においても同様に生じる。そして、これらの問題は、平均粒径が、10〜60nm、より好ましくは10〜30nmといった非常に微小な粒径の研磨砥粒の場合に特に顕著である。
磁気ディスク用基板の製造方法であって、
一対の研磨パッドで基板を挟み、前記研磨パッドと前記基板の間に平均粒径が10〜60nmの研磨砥粒を含むスラリーを供給して、前記研磨パッドと前記基板を相対的に摺動させることにより、前記基板の両主表面を研磨する研磨処理を含み、
前記研磨砥粒は、表面に電位を有し、
前記研磨処理の前に、前記研磨処理に用いるスラリーを電場中に通過させて該スラリー中の研磨砥粒の表面電位に応じた電気泳動を該スラリー中の研磨砥粒に生じさせることにより、該スラリー中の研磨砥粒のうち最小幅に対する最大幅の比が5以上の形状を有し、該スラリー中の研磨砥粒の平均粒径より大きな粒径の板状砥粒を該スラリーから除去する除去処理を行い、前記除去処理後、前記研磨処理前に、前記スラリー中の研磨砥粒の表面電位の絶対値を減少させる添加剤を前記スラリーに添加し後、前記スラリーを前記研磨処理に用いる、ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。すなわち、前記除去処理は、前記研磨砥粒の平均粒径を有する粒子と該平均粒径よりも粒径が大きな大径粒子とがそれぞれ有する表面電位の差を利用するものである。
磁気ディスク用基板の製造方法であって、
一対の研磨パッドで基板を挟み、前記研磨パッドと前記基板の間に平均粒径が10〜60nmの研磨砥粒を含むスラリーを供給して、前記研磨パッドと前記基板を相対的に摺動させることにより、前記基板の両主表面を研磨する研磨処理を含み、
前記研磨砥粒は、表面に電位を有し、
前記研磨処理の前に、前記研磨処理に用いるスラリーを電場中に通過させて該スラリー中の研磨砥粒の表面電位に応じた電気泳動を該スラリー中の研磨砥粒に生じさせることにより、該スラリー中の研磨砥粒のうち最小幅に対する最大幅の比が5以上の形状を有し、該スラリー中の研磨砥粒の平均粒径より大きな粒径の板状砥粒を該スラリーから除去する除去処理を行い、前記除去処理を行った該スラリーを前記研磨処理に用い、
前記除去処理前の、前記スラリーのアルカリ土類金属イオンの含有率は、200ppm以下である、ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。
前記研磨砥粒はシリカ砥粒であり、
前記シリカ砥粒は、水ガラスとイオン交換樹脂を用いて得られたものである、形態1または2に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
前記除去処理後の研磨砥粒に解砕処理を施す、形態1〜3のいずれか1つに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
前記洗浄処理は、前記基板を洗浄液に浸すあるいは接触させる非スクラブ洗浄である、形態1〜5のいずれか1つに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
前記除去処理で除去する前記板状砥粒の大きさは、130〜240nmである、請求項1〜6のいずれか1つに記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
まず、本実施形態で製造される磁気ディスク用ガラス基板について説明する。図1は、本実施形態の製造方法で製造される磁気ディスク用ガラス基板1の例を示す図である。磁気ディスク用ガラス基板1(以降、単にガラス基板1という)は、図1に示されるように、円板形状であって、外周と同心の円形の中心孔がくり抜かれたリング状である。磁気ディスク用ガラス基板の両面の円環状領域に磁性層(記録領域)が形成されることで、磁気ディスクが形成される。
研磨装置10では、上下方向から、下定盤12と上定盤14との間にインターナルギヤ16が挟まれている。インターナルギヤ16内には、研磨時に複数のキャリア18が保持される。図2(b)には、5つのキャリア18が示されている。下定盤12及び上定盤14には、研磨パッド20が平面的に接着されている。
この構成により、ガラス基板1は、有遊歯車方式で、研磨パッド20に対して相対的に移動して研磨される。研磨に用いるスラリーはシリカ砥粒を含み、図2(a)に示すように上定盤14に供給され、下定盤12に流れて外部容器に回収される。
すなわち、最終研磨処理では、一対の研磨パッド20でガラス基板1を挟み、研磨パッド20とガラス基板1の間にシリカ砥粒を含むスラリーを供給して、研磨パッド20とガラス基板1を相対的に摺動させることにより、ガラス基板1の両主表面が研磨される。
なお、このような最終研磨処理に用いるスラリーに含まれるシリカ砥粒は、以下説明する除去処理された砥粒である。
図3は、本実施形態の除去処理を行う除去処理装置の模式図である。除去処理装置50は、一対の対向する電極52,54を備える。電極52,54には、DC電圧が印加され、電極52が負極、電極54が正極となっている。
電極52,54の隙間には、シリカ砥粒を含んだスラリーの流れる流路55が設けられている。
流路55の下流側の端には、回収管56及び除去・廃棄管58が接続されている。回収管56は、流路55のうち負極の電極52の側に設けられ、除去・廃棄管58は、流路55のうち負極の電極54の側に設けられている。
すなわち、本実施形態では、シリカ砥粒のうち、平均粒径を有する粒子とこの平均粒径よりも粒径が大きな大径粒子とがそれぞれ有する表面電位の差を利用して、スラリーを電場中に通過させてシリカ砥粒の表面電位に応じた電気泳動をシリカ砥粒に生じさせることにより、シリカ砥粒の平均粒径より大きな粒径のシリカ砥粒をスラリーから除去する除去処理が行われる。この表面電位の差は、大きなシリカ砥粒の粒径が平均粒径の2倍以上であるとより顕著になり、5倍以上であるとさらに顕著になる。
また、研磨処理に用いるスラリーは、スラリー原液を電場中に通過させてシリカ砥粒の表面電位に応じた電気泳動を研磨砥粒に生じさせることにより、シリカ砥粒の平均粒径より大きな粒径のシリカ砥粒をスラリー原液から除去したものとすることもできる。この場合においても、スラリーを用いてガラス基板を研磨処理しても、研磨処理後のガラス基板の主表面には板状異物等の大きなシリカ砥粒が付着しない。したがって、本実施形態では、ガラス基板の研磨処理後の歩留まりを向上させることができる。
なお、上記説明では、除去処理により板状異物のシリカ砥粒が除去できることを説明したが、大きなシリカ砥粒程、表面電位の絶対値は大きくなる。このため、本実施形態で除去されるシリカ砥粒は、板状異物に限定されず、平均粒径より大きな概略球形状のシリカ砥粒も含まれる。
次に、本実施形態の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法を説明する。先ず、一対の主表面を有する板状の磁気ディスク用ガラス基板の素材となるガラスブランクをプレス成形により作製する(プレス成形処理)。なお、ガラスブランクをプレス成形で作製する他に、周知のフロート法、リドロー法、あるいはフュージョン法でガラス板を形成し、ガラス板から上記ガラスブランクと同じ形状のガラスブランクを切り出してもよい。次に、作製されたガラスブランクの中心部分に円孔を形成し、円孔を形成したガラス基板に対して形状加工を行う(形状加工処理)。これにより、ガラス基板が生成される。次に、形状加工されたガラス基板に対して端面研磨を行う(端面研磨処理)。端面研磨の行われたガラス基板の主表面に研削を行う(研削処理)。次に、ガラス基板の主表面に第1研磨を行う(第1研磨処理)。次に、必要に応じてガラス基板に対して化学強化を行う(化学強化処理)。次に、化学強化されたガラス基板に対して第2研磨を行う(第2研磨処理)。その後、第2研磨処理後のガラス基板に対して洗浄を行う。以上の処理を経て、磁気ディスク用ガラス基板が得られる。
熔融ガラス流の先端部を切断器により切断し、切断された熔融ガラス塊を一対の金型のプレス成形面の間に挟みこみ、プレスしてガラスブランクを成形する。所定時間プレスを行った後、金型を開いてガラスブランクが取り出される。
ガラスブランクに対してドリル等を用いて円孔を形成することにより円形状の孔があいたディスク状のガラス基板が得られる。さらに、円孔形成処理後のガラス基板の端部に対する面取り加工を行う。面取り加工は、研削砥石等を用いて行なわれる。面取り加工により、ガラス基板の端面に、ガラス基板の主表面に対して垂直に延びる基板の側壁面と、この側壁面と主表面の間に設けられ、側壁面に対して傾斜して延びる面取り面とを有する端面が形成される。
端面研磨処理では、ガラス基板の内側端面及び外周側端面に対して、研磨砥粒を用いて研磨をし、鏡面仕上げを行う。
研削処理では、遊星歯車機構を備えた図示しない研削装置を用いて、ガラス基板の主表面に対して研削処理を行う。具体的には、ガラスブランクから作製されたガラス基板の外周側端面を、研削装置の保持部材に設けられた保持孔内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研削を行う。研削装置は、上下一対の定盤(上定盤および下定盤)を有しており、上定盤および下定盤の間にガラス基板が狭持される。そして、上定盤または下定盤のいずれか一方、または、双方を移動操作させ、ガラス基板と各定盤とを相対的に移動させることにより、ガラス基板の両主表面を研削することができる。
次に、研削のガラス基板の主表面に第1研磨が施される。具体的には、ガラス基板の外周側端面を、図示しない研磨装置の研磨用キャリアに設けられた孔内に保持しながらガラス基板の両側の主表面の研磨が行われる。第1研磨は、研削処理後の主表面に残留したキズや歪みの除去、あるいは微小な表面凹凸(マイクロウェービネス、粗さ)の調整を目的とする。
ガラス基板を化学強化する場合、化学強化液として、例えば硝酸カリウムと硫酸ナトリウムの混合熔融液等を用い、ガラス基板を化学強化液中に浸漬する。
次に、ガラス基板に第2研磨が施される。第2研磨処理は、主表面の鏡面研磨を目的とする。第2研磨処理では、図2(a),(b)に示すような研磨装置10が用いられる。具体的には、ガラス基板1の外周側端面を、研磨装置10のキャリア18に設けられた孔内に保持させながら、ガラス基板1の両側の主表面の研磨が行われる。第2研磨処理では、遊離砥粒の種類及び粒子サイズが第1研磨処理と異なり、また、研磨パッド20も、第1研磨処理の研磨パッドと、硬度の点で異なる。第2研磨処理に用いるスラリーは、上述した除去処理の施されたシリカ砥粒を含むスラリーである。第2研磨処理を実施することで、主表面の粗さの算術平均粗さRaを0.15nm以下とすることができる。さらに、ガラス基板の主表面の波長50〜200μmのうねりである微小うねりの二乗平均平方根粗さRqを0.1nm以下とすることができる。
この後、ガラス基板は、アルカリ洗浄液を用いてガラス基板の表面が洗浄され、最終ガラス基板となる。
本実施形態では、化学強化処理を行なうが、必要に応じて化学強化処理は行なわなくてもよい。第1研磨処理及び第2研磨処理の他にさらに別の研磨処理を加えてもよく、2つの主表面の研磨処理を1つの研磨処理で済ませてもよい。また、上記各処理の順番は、適宜変更してもよい。
また、本発明は、基板の主表面の表面粗のうち算術平均粗さRaが0.15nm以下、より好ましくは0.12nm以下、さらに好ましくは0.10nm以下の磁気ディスク用基板を製造するために好適である。
特に、最終研磨処理で表面粗さRaを0.15nm以下とする場合、スラリー中に存在する板状異物が基板表面に張り付きやすくなるばかりか、最終研磨処理後には前述のとおりエッチング力の強い洗浄液が使用できないため、板状異物がガラス基板表面に残留しやすいという問題があるが、この問題は、本実施形態の製造方法によって解決することができる。
10 研磨装置
12 下定盤
14 上定盤
16 インターナルギヤ
18 キャリア
20 研磨パッド
19 ギヤ
22 太陽ギヤ
24 インターナルギヤ
50 除去処理装置
52,54 電極
55 流路
56 回収管
58 除去・廃棄管
Claims (7)
- 磁気ディスク用基板の製造方法であって、
一対の研磨パッドで基板を挟み、前記研磨パッドと前記基板の間に平均粒径が10〜60nmの研磨砥粒を含むスラリーを供給して、前記研磨パッドと前記基板を相対的に摺動させることにより、前記基板の両主表面を研磨する研磨処理を含み、
前記研磨砥粒は、表面に電位を有し、
前記研磨処理の前に、前記研磨処理に用いるスラリーを電場中に通過させて該スラリー中の研磨砥粒の表面電位に応じた電気泳動を該スラリー中の研磨砥粒に生じさせることにより、該スラリー中の研磨砥粒のうち最小幅に対する最大幅の比が5以上の形状を有し、該スラリー中の研磨砥粒の平均粒径より大きな粒径の板状砥粒を該スラリーから除去する除去処理を行い、前記除去処理後、前記研磨処理前に、前記スラリー中の研磨砥粒の表面電位の絶対値を減少させる添加剤を前記スラリーに添加した後、前記スラリーを前記研磨処理に用いる、ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 - 磁気ディスク用基板の製造方法であって、
一対の研磨パッドで基板を挟み、前記研磨パッドと前記基板の間に平均粒径が10〜60nmの研磨砥粒を含むスラリーを供給して、前記研磨パッドと前記基板を相対的に摺動させることにより、前記基板の両主表面を研磨する研磨処理を含み、
前記研磨砥粒は、表面に電位を有し、
前記研磨処理の前に、前記研磨処理に用いるスラリーを電場中に通過させて該スラリー中の研磨砥粒の表面電位に応じた電気泳動を該スラリー中の研磨砥粒に生じさせることにより、該スラリー中の研磨砥粒のうち最小幅に対する最大幅の比が5以上の形状を有し、該スラリー中の研磨砥粒の平均粒径より大きな粒径の板状砥粒を該スラリーから除去する除去処理を行い、前記除去処理を行った該スラリーを前記研磨処理に用い、
前記除去処理前の、前記スラリーのアルカリ土類金属イオンの含有率は、200ppm以下である、ことを特徴とする磁気ディスク用基板の製造方法。 - 前記研磨砥粒はシリカ砥粒であり、
前記シリカ砥粒は、水ガラスとイオン交換樹脂を用いて得られたものである、請求項1または2に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。 - 前記除去処理後の研磨砥粒に解砕処理を施す、請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
- 前記研磨処理後、前記基板の主表面を洗浄する洗浄処理を行い、前記洗浄処理では、前記洗浄処理前後の前記基板の主表面の表面粗さRaの差を0.05nm以下にするアルカリ洗浄液を用いる、請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
- 前記研磨処理後、前記基板の主表面を洗浄する洗浄処理を行い、
前記洗浄処理は、前記基板を洗浄液に浸すあるいは接触させる非スクラブ洗浄である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。 - 前記除去処理で除去する前記板状砥粒の大きさは、130〜240nmである、請求項1〜6のいずれか1項に記載の磁気ディスク用基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/074325 WO2016038745A1 (ja) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016038745A1 JPWO2016038745A1 (ja) | 2017-06-29 |
JP6431543B2 true JP6431543B2 (ja) | 2018-11-28 |
Family
ID=55458529
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016547647A Active JP6431543B2 (ja) | 2014-09-12 | 2014-09-12 | 磁気ディスク用基板の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6431543B2 (ja) |
WO (1) | WO2016038745A1 (ja) |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005334865A (ja) * | 2004-01-19 | 2005-12-08 | Hiroshima Univ | 固体微粒子分級装置及びこれを利用した固体微粒子分級方法 |
JP2010079948A (ja) * | 2008-09-24 | 2010-04-08 | Hoya Glass Disk Thailand Ltd | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 |
JP5484782B2 (ja) * | 2009-04-30 | 2014-05-07 | 花王株式会社 | 研磨材スラリーの製造方法 |
JP2011173958A (ja) * | 2010-02-23 | 2011-09-08 | Tokyo Electron Ltd | スラリー製造方法、スラリー、研磨方法及び研磨装置 |
JP5849764B2 (ja) * | 2012-02-23 | 2016-02-03 | 旭硝子株式会社 | シリカ溶液調製方法、該シリカ溶液調製方法により調製されたシリカ溶液を含有する研磨液、及び該研磨液を用いた磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
JP6142352B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2017-06-07 | 日立化成株式会社 | 分級装置、分級方法及び分級粒子の製造方法 |
-
2014
- 2014-09-12 JP JP2016547647A patent/JP6431543B2/ja active Active
- 2014-09-12 WO PCT/JP2014/074325 patent/WO2016038745A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016038745A1 (ja) | 2017-06-29 |
WO2016038745A1 (ja) | 2016-03-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5849764B2 (ja) | シリカ溶液調製方法、該シリカ溶液調製方法により調製されたシリカ溶液を含有する研磨液、及び該研磨液を用いた磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
JP2009087441A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法および磁気ディスクの製造方法 | |
JP5906823B2 (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
JP2010079948A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP6148345B2 (ja) | 非磁性基板の製造方法 | |
JP6431543B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP2015067507A (ja) | コロイダルシリカ砥粒の製造方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP5902914B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP6392610B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
WO2016038747A1 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP6286566B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP6374522B2 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法、磁気ディスクの製造方法、フィルタリング装置、及び研磨液の製造方法 | |
WO2013146090A1 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP2015066656A (ja) | 使用済み研磨剤の再生方法、およびガラス基板の製造方法 | |
JP6255026B2 (ja) | シリカ砥粒、シリカ砥粒の製造方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP6280561B2 (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法 | |
WO2012090755A1 (ja) | 記録媒体用ガラス基板を製造する方法 | |
WO2016042619A1 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP2011138589A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体 | |
WO2016051539A1 (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
JP2015124120A (ja) | シリカ砥粒の製造方法および磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP2015225687A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法 | |
JP2016091579A (ja) | 磁気ディスク用基板の製造方法 | |
WO2012090598A1 (ja) | 記録媒体用ガラス基板を製造する方法 | |
JP2011138590A (ja) | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気記録媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180109 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180309 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20180619 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180907 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20180919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181016 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6431543 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |