JP6424513B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。より詳しくは、保存性が改良された有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。

有機材料のエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬと記す。）を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として、特に近年では薄型・軽量なガスバリアー層を有する樹脂基材を用いた有機ＥＬ素子が注目されている。

可撓性を有する有機ＥＬ素子の樹脂基材として、例えば、ポリシラザン改質膜を用いたガスバリアー基材が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。そこで、本発明者らが、ガスバリアー性を向上させるためにガスバリアー層の層厚を厚くした有機ＥＬ素子を作製したところ、屈曲時にクラックが入りガスバリアー性が大幅に劣化してしまうことがわかった。
また、２層のガスバリアー層の間に１〜３０μｍの機能層を有するガスバリアー基材が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。そこで、本発明者らが、２層のガスバリアー層の中間に機能層を入れたガスバリアー基材を用いたところ、屈曲時にも高いガスバリアー性を保持できるが、ヒートサイクルによる加速条件下（例えば、８５℃、８５％ＲＨの条件下で１２０分間保持した後、９０分間かけて温度を−４０℃まで低下させ、−４０℃で１２０分保持した後、９０分かけて温度を８５℃まで上昇（湿度８５％ＲＨ）させ、８０分間保持というサイクルを１００サイクル行う。）における耐久試験では、ガスバリアー性能が不十分であることがわかった。また、応力の緩和機能も不十分で、衝撃試験後の高温高湿条件下におけるガスバリアー性能は顕著に劣化してしまうことがわかった。

特開２０１４−１０９００１号公報 国際公開第２００４／１０１２７６号

本発明は、上記問題・状況に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、高温高湿条件下においても水蒸気に対する高いガスバリアー性、耐屈曲性及び耐衝撃性に優れる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することである。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

本発明者は、上記課題を解決すべく、上記問題の原因等について検討した結果、３つのガスバリアー層を有し、その積層順と、中間層が、樹脂を含有し、かつ当該中間層の厚さが１０〜２５０μｍの範囲内であり、第２ガスバリアー層が、ケイ素、炭素及び酸素を含有し、第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、かつ当該組成の分布が極値を有し、かつ、第３ガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であることが、当該課題の解決に有用であることを見いだし本発明に至った。
すなわち、本発明に係る上記課題は、以下の手段により解決される。

１．第１ガスバリアー層、中間層、第２ガスバリアー層、第３ガスバリアー層、第１電極、有機機能層、第２電極がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記中間層が、樹脂を含有し、かつ当該中間層の厚さが１０〜２５０μｍの範囲内であり、
前記第２ガスバリアー層が、ケイ素、炭素及び酸素を含有し、
前記第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、かつ前記炭素及び酸素の組成の分布が極値を有し、
前記第３ガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であり、かつ、
前記第１ガスバリアー層の水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ ^２ ・２４ｈ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。

２．前記第１ガスバリアー層と前記第２ガスバリアー層の層厚の合計が、２０００ｎｍ以下であることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

３．前記第１ガスバリアー層と前記第２ガスバリアー層の層厚の合計が、１０００ｎｍ以下であることを特徴とする第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

４．前記第３ガスバリアー層が、真空紫外光を照射することにより形成されるポリシラザン改質層であることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

５．前記中間層が、少なくとも前記第１ガスバリアー層と接着剤を介して接着されていることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

本発明の上記手段により、高温高湿条件下においても水蒸気に対する高いガスバリアー性、耐屈曲性及び耐衝撃性に優れる有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。

本発明の効果の発現機構ないし作用機構については、明確にはなっていないが、以下のように推察している。
本発明によれば、高温高湿条件においても水蒸気に対する高いガスバリアー性を有し、耐屈曲性及び耐衝撃性に優れる有機ＥＬ素子を提供できる。
これは、１０〜２５０μｍの厚さを有する中間層を配置することで、中間層に侵入する水分を抑制することができ、かつ侵入した水分も中間層内で拡散させることできるためであると考えられる。
つまり、中間層内の環境は外部環境よりも低湿な環境となり、第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層に加わる水分分圧を大幅に低下させることができるためである。
以上の推定メカニズムにより、本発明の有機ＥＬ素子は、中間層が、１０〜２５０μｍの層厚を有することにより、水蒸気に対する高いガスバリアー性を有していると考えられる。
また、第２ガスバリアー層は、第２ガスバリアー層が含有するケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、かつ当該組成の分布が極値を有する。このような構成の第２ガスバリアー層では、屈曲した状態を維持した際に発生する応力が、連続的に組成分布が変化する層構造により、吸収又は緩和される。
これにより、さらに応力の緩和機能に優れ、耐屈曲性及び耐衝撃性に優れた有機ＥＬ素子を得ることができるものと考えられる。

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成の一例を示す概略断面図 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成の一例を示す概略断面図 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の層構成の一例を示す概略断面図 ケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び窒素分布曲線を示す図 図２に示す炭素分布曲線を拡大した図 ガスバリアー層の屈折率分布を示す図 ガスバリアー層の製造装置の構成を示す図 本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子の全体の一例を示す概略断面図

本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子は、第１ガスバリアー層、中間層、第２ガスバリアー層、第３ガスバリアー層、第１電極、有機機能層、第２電極がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記中間層が、樹脂を含有し、かつ当該中間層の厚さが１０〜２５０μｍの範囲内であり、前記第２ガスバリアー層が、ケイ素、炭素及び酸素を含有し、前記第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、かつ前記炭素及び酸素の組成の分布が極値を有し、前記第３ガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であり、かつ、前記第１ガスバリアー層の水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ ^２ ・２４ｈ以下であることを特徴とする。
この特徴は、本実施形態に係る発明に共通する又は対応する特徴である。

本発明の実施形態としては、前記第１ガスバリアー層と前記第２ガスバリアー層の層厚の合計が、２０００ｎｍ以下であることが、ガスバリアー性を向上させることができる点で好ましい。

本発明の実施形態としては、前記第１ガスバリアー層と前記第２ガスバリアー層の層厚の合計が、１０００ｎｍ以下であることが好ましい。これにより、屈曲時にクラックの発生を抑制することができるためである。

本発明の実施形態としては、効果発現の観点から、前記第３ガスバリアー層が、真空紫外光を照射することにより形成されるポリシラザン改質層であることが好ましい。

本発明の実施形態としては、前記中間層が、少なくとも前記第１ガスバリアー層と接着剤を介して接着されていることが好ましい。これにより、層間の密着性をより高めることができ、耐久性を向上させることができるためである。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本願において、「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

《有機ＥＬ素子の構成層》
本発明の有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子と記す。）の具体的な実施の形態について説明する。
図１Ａ〜Ｃに、本発明の有機ＥＬ素子１０Ａ〜１０Ｃの概略構成図（断面図）を示す。
図１Ａに示すように、有機ＥＬ素子１０Ａは、第１ガスバリアー層１１、中間層１２、第２ガスバリアー層１３、第３ガスバリアー層１４、第１電極１５、有機機能層１６及び第２電極１７がこの順に積層されている。第１電極１５、有機機能層１６及び第２電極１７を発光ユニット１８とする。
また、有機ＥＬ素子１０Ａは、有機機能層１６からの光を、第１ガスバリアー層１１側から取り出す、いわゆるボトムエミッション型の構成である。

図１Ａに示すように、有機ＥＬ素子１０Ａは、ガスバリアー性を発現するための第１ガスバリアー層１１が設けられている。有機ＥＬ素子１０Ａにおける第１ガスバリアー層１１は、ガスバリアー性だけでなく、一般的に用いられる基板としての役割も果たす。

また、第１ガスバリアー層１１上には、中間層１２が形成されている。中間層１２は、樹脂を含有し、かつ当該中間層の厚さが１０〜２５０μｍの範囲内である。
また、中間層１２上には、第２ガスバリアー層１３が形成されている。第２ガスバリアー層は、ケイ素、炭素及び酸素を含有している。
また、第２ガスバリアー層１３上には、第３ガスバリアー層１４が形成されている。第３ガスバリアー層１４は、ポリシラザン改質層である。

そして、第３ガスバリアー層１４上にアノードとなる第１電極１５が形成され、この第１電極１５上に、発光層を備える有機機能層１６及びカソードとなる第２電極１７が積層されている。
このうち、アノードとして用いられている第１電極１５が、透光性の電極として構成されていることが好ましい。このような構成において、第１電極１５と第２電極１７とで有機機能層１６が挟持されている部分のみが、有機ＥＬ素子１０Ａにおける発光領域となる。

さらに、第２ガスバリアー層１３は、第２ガスバリアー層が含有するケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、かつ当該組成の分布が極値を有する。このような構成の第２ガスバリアー層１３では、屈曲した状態を維持した際に発生する応力が、連続的に組成分布が変化する層構造により、吸収又は緩和される。

例えば、厚さ方向に単一組成を有する層構造の場合には、屈曲した状態を維持した際に、発生する応力を層内で緩和することができないため、亀裂が発生しやすい。特に、曲率半径２〜１５ｍｍ程度の大きい曲率で有機ＥＬ素子を保持した場合、ガスバリアー層の亀裂の発生等、破損の発生が顕著になる。

これに対し、第２ガスバリアー層が、厚さ方向において連続的に組成分布が変化し、組成分布において極値を有する層構造である場合には、応力緩和層としての作用を有する。
具体的には、屈曲した状態を維持した際に発生する応力、例えば、第２ガスバリアー層１３の層内及び第２ガスバリアー層１３と他の構成との界面において発生する応力を、組成分布が連続的かつ極値を有する層構造により吸収させたり、緩和させることができる。
この結果、曲率半径２〜１５ｍｍ程度の大きい曲率で有機ＥＬ素子を保持した場合においても、ガスバリアー層の亀裂の発生等、破損の発生を抑制することができる。

また、一般的に、有機ＥＬ素子では、屈曲した状態で発光させた場合には、発光光の配光性に起因する色度のずれ、いわゆる視野角依存性の問題が顕著になる。このため、屈曲した状態では、有機ＥＬ素子の表示品質の低下や、外観上の問題が発生する。

また、第２ガスバリアー層では、厚さ方向において連続的に元素の組成が変化し、かつ当該元素の組成分布において極値を有することにより、第２ガスバリアー層の界面での特定波長領域の光の干渉を抑制することができる。
したがって、本発明の有機ＥＬ素子において、発光光の配光性を改善することができ、視野角依存性の問題を解消することができる。したがって、屈曲した状態で発光させた場合にも、有機ＥＬ素子の発光光の色度の均一性を向上させることができる。

有機機能層１６は、電極間に発光性を有する発光層を備える構成である。電極は第１電極と第２電極とからなり、それぞれ有機ＥＬ素子の陰極又は陽極を構成する。発光層は、少なくとも発光性を有する有機材料を含有する。さらに、有機機能層は、発光層と電極との間に他の層を備えていてもよい。

また、図１Ｂに示すように、第１ガスバリアー層１１に隣接するように基材１９を設けてもよく、図１Ｃに示すように、第１ガスバリアー層１１と中間層１２が接着剤２０を介して接着されている構成も好ましい。

以下、本発明の有機ＥＬ素子１０Ａの各構成について説明する。なお、本発明の有機ＥＬ素子において、透光性とは波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。

［第１ガスバリアー層］
本発明に係る第１ガスバリアー層１１は、ガスバリアー機能を有していれば特に限定されない。
ガスバリアー機能としては、水蒸気透過度０．０１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下を有していればよく、好ましくは０．００１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下である。
また、第１ガスバリアー層を構成する材料としては、酸化アルミニウム、酸化ケイ素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ジルコニウム及び酸化セリウムの群より選ばれた１種又は２種以上の金属酸化物などが挙げられるが、ガスバリアー機能を具備していればよく、これらに限定されない。
第１ガスバリアー層の形成は、一般的に用いられる成膜方法を用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などのＰＶＤ法（物理蒸着法）又はＣＶＤ法（化学蒸着法）等が挙げられる。
第１ガスバリアー層の厚さは、耐屈曲性及びガスバリアー性の観点から１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、１００〜３００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。
また、第１ガスバリアー層及び後述する第２ガスバリアー層の合計層厚は、耐屈曲性及びガスバリアー性の観点から２０００ｎｍ以下であることが好ましく、１００〜１０００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、３００〜５００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。

［中間層］
中間層１２としては、第１ガスバリアー層を透過してきた水分が十分拡散できる、１０〜２５０μｍ厚さの樹脂を用いることができ、３０〜１４０μｍであることがより好ましい。これは、１０μｍ以上の厚さを有する中間層を配置することで、中間層に侵入する水分を抑制することができ、かつ侵入した水分も中間層内で拡散させることできるためである。また、２５０μｍ以下の厚さとすることで、屈曲時のクラックや劣化を抑制することができるためである。
また、材料としては可撓性を有している透明な樹脂であれば特に限定されない。
例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）、又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等が挙げられる。

また、感光性の樹脂を硬化させて形成した樹脂を選択してもよい。
中間層の形成に用いる感光性樹脂としては、例えば、ラジカル反応性不飽和化合物を有するアクリレート化合物を含有する樹脂組成物、アクリレート化合物とチオール基を有するメルカプト化合物を含有する樹脂組成物、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、グリセロールメタクリレート等の多官能アクリレートモノマーを溶解させた樹脂組成物等が挙げられる。また、上記のような樹脂組成物の任意の混合物を使用することも可能であり、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性のモノマーを含有している感光性樹脂であれば特に制限はない。
例えば、光重合性不飽和結合を分子内に１個以上有する反応性モノマーとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、イソプロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｔｅｒｔ−ブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−デシルアクリレート、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、アリルアクリレート、ベンジルアクリレート、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレングリコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、ジシクロペンタニルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、グリセロールアクリレート、グリシジルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート、２−メトリキエチルアクリレート、メトキシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、１，４−ブタンジオールジアクリレート、１，５−ペンタンジオールジアクリレート、１，６−ヘキサジオールジアクリレート、１，３−プロパンジオールアクリレート、１，４−シクロヘキサンジオールジアクリレート、２，２−ジメチロールプロパンジアクリレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポリオキシエチルトリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、エチレンオキシド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、エチレンオキシド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、プロピオンオキシド変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、プロピオンオキシド変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレングリコールジアクリレート、１，２，４−ブタンジオールトリアクリレート、２，２，４−トリメチル−１，３−ペンタジオールジアクリレート、ジアリルフマレート、１，１０−デカンジオールジメチルアクリレート、ペンタエリスリトールヘキサアクリレート及び上記のアクリレートをメタクリレートに換えたもの、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、１−ビニル−２−ピロリドン等が挙げられる。上記の反応性モノマーは、１種又は２種以上の混合物として、又はその他の化合物との混合物として使用することができる。

［第２ガスバリアー層］
中間層１２の表面に設けられている第２ガスバリアー層１３は、ケイ素（Ｓｉ）、炭素（Ｃ）及び酸素（Ｏ）を含有する。そして、第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の元素比率が変化することにより、第２ガスバリアー層は、表面から厚さ方向に向けて連続的な組成変化を有する。さらに、第２ガスバリアー層に含まれるケイ素、炭素及び酸素の組成分布は、第２ガスバリアー層の厚さ方向の連続的な組成変化において、極値を有する。つまり、第２ガスバリアー層は、ケイ素、炭素及び酸素の含有率が異なる複数の層による積層構造を有する。

このような組成の第２ガスバリアー層は、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨ）が０．０１ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下であることが好ましい。また、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、水蒸気透過度が１×１０^−５ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下であることが好ましい。
第２ガスバリアー層の厚さは、耐屈曲性及びガスバリアー性の観点から１０００ｎｍ以下であることが好ましく、５０〜５００ｎｍの範囲内であることがより好ましく、１００〜３００ｎｍの範囲内であることがさらに好ましい。

第２ガスバリアー層を構成するガスバリアー性フィルムの形成方法については特に限定はなく、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法等を用いることができる。特に、特開２００４−６８１４３号公報に記載の大気圧プラズマ重合法を好ましく用いることができる。

（第２ガスバリアー層：構成）
第２ガスバリアー層は、層厚方向における第２ガスバリアー層の表面からの距離と、含有されるケイ素、酸素及び炭素の原子量の比率（原子比率）との関係を示す、各元素の分布曲線に特徴を有している。
ケイ素、酸素及び炭素の原子比率は、ケイ素、酸素及び炭素の各元素の合計量に対する、ケイ素、酸素又は炭素の比率［（Ｓｉ，Ｏ，Ｃ）／（Ｓｉ＋Ｏ＋Ｃ）］で表す。
ケイ素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線は、第２ガスバリアー層の表面からの距離における、ケイ素、酸素又は炭素の原子比率を示す。

また、第２ガスバリアー層は、ケイ素、酸素及び炭素に加え、窒素を含有することが好ましい。窒素を含有することにより、第２ガスバリアー層の屈折率を制御することができるためである。例えば、ＳｉＯ_２の屈折率が１．５であるのに対し、ＳｉＮの屈折率は１．８〜２．０程度である。このため、第２ガスバリアー層に窒素を含有させ、第２ガスバリアー層内にＳｉＯＮ（シリコンオキシナイトライド）を形成することにより、好ましい屈折率の値である１．６〜１．８とすることが可能となる。このように、窒素の含有量を調整することにより、第２ガスバリアー層の屈折率を制御することが可能である。

第２ガスバリアー層に窒素が含まれる場合、第２ガスバリアー層を構成する各元素（ケイ素、酸素、炭素及び窒素）の分布曲線は、ケイ素、酸素、炭素又は窒素の原子比率が、ケイ素、酸素、炭素及び窒素の各元素の合計量に対する、ケイ素、酸素、炭素又は窒素の比率［（Ｓｉ，Ｏ，Ｃ，Ｎ）／（Ｓｉ＋Ｏ＋Ｃ＋Ｎ）］で表される。
ケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び窒素分布曲線は、第２ガスバリアー層の表面からの距離における、ケイ素の原子比率、酸素の原子比率、炭素の原子比率及び窒素の原子比率を示す。

（元素の分布曲線と屈折率分布との関係）
第２ガスバリアー層の屈折率分布は、第２ガスバリアー層の厚さ方向の炭素量及び酸素量により制御することができる。
図２に、本発明に係る第２ガスバリアー層を構成する元素の分布曲線の一例として、第２ガスバリアー層のケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び窒素分布曲線の一例を示す。また、図３に、図２に示すケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線及び窒素分布曲線から、炭素分布曲線の原子比率が０〜４０ａｔ％の範囲を拡大して示す。
図２及び図３において、横軸は、層厚方向における第２ガスバリアー層の表面からの距離［ｎｍ］を示す。また、縦軸は、ケイ素、酸素及び炭素の各元素の合計量に対する、ケイ素、酸素、炭素又は窒素のそれぞれの原子比率［ａｔ％］を示す。

図２に示すように、第２ガスバリアー層の表面からの距離によって、ケイ素、酸素、炭素及び窒素の原子比率が変化している。特に、酸素及び炭素については、第２ガスバリアー層の表面からの距離に応じて原子比率の変動が大きく、それぞれの分布曲線が複数の極値を有している。また、酸素分布曲線と炭素分布曲線とは相関関係にあり、炭素の原子比率が大きい距離では酸素の原子比率が小さくなり、炭素の原子比率が小さい距離では酸素の原子比率が大きくなる。

また、図４に、第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線を示す。図４において、横軸は、層厚方向における第２ガスバリアー層の表面からの距離［ｎｍ］を示す。縦軸は、第２ガスバリアー層の屈折率を示す。
図４に示す第２ガスバリアー層の屈折率は、層厚方向における第２ガスバリアー層の表面からの距離と、この距離における第２ガスバリアー層の可視光に対する屈折率の測定値である。第２ガスバリアー層の屈折率分布の測定は、公知の方法を用いることができ、例えば分光エリプソメーター（日本分光社製 ＥＬＣ−３００）等を用いて行うことができる。

図３及び図４に示すように、炭素の原子比率と第２ガスバリアー層の屈折率とには相関関係がある。具体的には、第２ガスバリアー層において、炭素の原子比率が増加する位置において、第２ガスバリアー層の屈折率も増加する。
このように、炭素の原子比率に応じて、第２ガスバリアー層の屈折率が変化する。つまり、第２ガスバリアー層において、層厚方向の炭素の原子比率の分布を調整することにより、第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線を制御することができる。
また、上述のように炭素の原子比率と酸素の原子比率とにも相関関係があることから、酸素の原子比率及び分布曲線を制御することにより、第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線を制御することができる。

屈折率分布に極値を有する第２ガスバリアー層を備えることにより、例えば有機ＥＬ素子の基材の界面で起こる反射や干渉を抑制することができる。このため、有機ＥＬ素子を透過する光が、第２ガスバリアー層の作用により、全反射や干渉の影響を受けずに出光することができる。したがって、光量が低減せず、有機ＥＬ素子の光の取り出し効率を向上させることができる。

また、第１電極１５として銀等からなる金属透明導電層を用いる場合には、有機ＥＬ素子を透過する光が第１電極１５において反射や干渉を受けて、大きな視野角依存性の問題が発生しやすい。これは、金属透明導電層における金属の凝集や、金属透明導電層又はその界面で特定の波長領域が反射して発光スペクトルに干渉し、発光スペクトルが変化して視野角依存性を示すと考えられている。

そこで、第２ガスバリアー層の屈折率分布を、放出光の特定の波長に干渉しないように調整することにより、視野角依存性を抑制することができる。第２ガスバリアー層の屈折率分布は、炭素の原子比率によって制御することができる。このため、炭素の分布曲線を制御することにより、第２ガスバリアー層に任意の光学的な特性を付与することができる。

本発明の有機ＥＬ素子では、第２ガスバリアー層が屈折率分布曲線に一つ以上の極値を持つことにより、発光スペクトルを制御して色域を調整することができる。このため、有機ＥＬ素子の干渉条件を分散させることができ、特定の波長で干渉しない構成とすることができる。したがって、有機ＥＬ素子を透過する光の配光性を第２ガスバリアー層で制御し、発光スペクトルの視野角依存性を解消して、有機ＥＬ素子の均一な配光性を実現することができる。

（各元素の分布曲線の条件）
第２ガスバリアー層は、ケイ素、酸素及び炭素の原子比率又は各元素の分布曲線が、以下（ｉ）〜（iii）の条件を満たすことが好ましい。

（ｉ）ケイ素の原子比率、酸素の原子比率及び炭素の原子比率が、第２ガスバリアー層の層厚の９０％以上の領域において下記式（１）：
（酸素の原子比率）＞（ケイ素の原子比率）＞（炭素の原子比率）・・・（１）
で表される条件を満たす。
または、ケイ素の原子比率、酸素の原子比率及び炭素の原子比率が、第２ガスバリアー層の層厚の９０％以上の領域において下記式（２）：
（炭素の原子比率）＞（ケイ素の原子比率）＞（酸素の原子比率）・・・（２）
で表される条件を満たす。
（ii）炭素分布曲線が少なくとも一つの極大値と極小値とを有する。
（iii）炭素分布曲線における炭素の原子比率の最大値及び最小値の差の絶対値が５ａｔ％以上である。

本発明の有機ＥＬ素子は、上記条件（ｉ）〜（iii）のうち少なくとも一つを満たす第２ガスバリアー層を備えることが好ましい。特に、上記条件（ｉ）〜（iii）を全て満たす第２ガスバリアー層を備えることが好ましい。
また、上記条件（ｉ）〜（iii）を全て満たす第２ガスバリアー層を、２層以上備えていてもよい。第２ガスバリアー層を２層以上備える場合には、複数の薄膜層の材質は、同一であってもよく、異なっていてもよい。

第２ガスバリアー層の屈折率は、上述のとおり、第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の原子比率により制御することができる。このため、上記条件（ｉ）〜（iii）により、第２ガスバリアー層の屈折率を好ましい範囲に調整することができる。

（炭素分布曲線）
第２ガスバリアー層は、炭素分布曲線が少なくとも一つの極値を有することが必要である。このような第２ガスバリアー層においては、炭素分布曲線が少なくとも二つの極値を有することがより好ましく、少なくとも三つの極値を有することが特に好ましい。さらに、炭素分布曲線が少なくとも一つの極大値と、一つの極小値とを有することが好ましい。
炭素分布曲線が極値を有することで、得られる第２ガスバリアー層の配光性を向上させることができる。このため、第１電極１５を通して得られる有機ＥＬ素子の光の角度依存性を解消することができる。

また、第２ガスバリアー層が三つ以上の極値を有する場合には、炭素分布曲線の有する一つの極値と、この極値に隣接する他の極値とは、第２ガスバリアー層の表面からの層厚方向の距離の差が、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることが、配光性の向上及び第２ガスバリアー層中の応力を緩和する点でより好ましい。

（極値）
第２ガスバリアー層において、分布曲線の極値とは、第２ガスバリアー層の層厚方向における、第２ガスバリアー層の表面からの距離に対する元素の原子比率の極大値若しくは極小値又はその値に対応した屈折率分布曲線の測定値である。

第２ガスバリアー層において、各元素の分布曲線の極大値とは、第２ガスバリアー層の表面からの距離を変化させた場合に、元素の原子比率の値が増加から減少に変わる点である。なおかつ、この点から、第２ガスバリアー層の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比率の値が、３ａｔ％以上減少する点である。

一方、第２ガスバリアー層において、各元素の分布曲線の極小値とは、第２ガスバリアー層の表面からの距離を変化させた場合に元素の原子比率の値が減少から増加に変わる点である。なおかつ、この点から、第２ガスバリアー層の表面からの距離を更に２０ｎｍ変化させた位置の元素の原子比率の値が、３ａｔ％以上増加する点である。

また、第２ガスバリアー層の炭素分布曲線において、炭素の原子比率の最大値と最小値との差の絶対値は、５ａｔ％以上であることが好ましい。また、このような第２ガスバリアー層においては、炭素の原子比率の最大値と最小値との差の絶対値が、６ａｔ％以上であることがより好ましく、さらに７ａｔ％以上であることが好ましい。炭素の原子比率の最大値と最小値との差が上記範囲とすることで、得られる第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線における屈折率差が大きくなり、配光性をより向上させることができる。
炭素分布量と屈折率は相関があり、上記の好ましい炭素原子の最大値と最小値の絶対値が７ａｔ％以上のときに、得られる屈折率の最大値と最小値との差の絶対値は０．２以上になることがわかっている。

（酸素分布曲線）
第２ガスバリアー層は、酸素分布曲線が少なくとも一つの極値を有することが好ましい。特に、第２ガスバリアー層は、酸素分布曲線が少なくとも二つの極値を有することがより好ましく、少なくとも三つの極値を有することがさらに好ましい。さらに、酸素分布曲線が少なくとも一つの極大値と、一つの極小値とを有することが好ましい。
酸素分布曲線が極値を有することで、得られる第２ガスバリアー層の配光性が向上する。このため、第１電極を通して得られる有機ＥＬ素子の光の角度依存性を解消することができる。

また、第２ガスバリアー層が三つ以上の極値を有する場合には、酸素分布曲線の有する一つの極値と、この極値に隣接する他の極値とは、第２ガスバリアー層の表面からの層厚方向の距離の差が、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１００ｎｍ以下であることが、配光性の向上及び第２ガスバリアー層中の応力を緩和する点でより好ましい。

また、第２ガスバリアー層の酸素分布曲線において、酸素の原子比率の最大値と最小値との差の絶対値が、５ａｔ％以上であることが好ましい。また、このような第２ガスバリアー層においては、酸素の原子比率の最大値と最小値との差の絶対値が６ａｔ％以上であることがより好ましく、さらに７ａｔ％以上であることが好ましい。酸素の原子比率の最大値と最小値との差が上記範囲内とすることで、得られる第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線から、配光性をより向上させることができる。

（ケイ素分布曲線）
第２ガスバリアー層は、ケイ素分布曲線において、ケイ素の原子比率の最大値と最小値との差の絶対値が、５ａｔ％未満であることが好ましい。また、このような第２ガスバリアー層においては、ケイ素の原子比率の最大値と最小値との差の絶対値が４ａｔ％未満であることがより好ましく、さらに３ａｔ％未満であることが好ましい。ケイ素の原子比率の最大値と最小値との差が上記範囲未満とすることで、得られる第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線から、より高い配光性を得ることができる。

（酸素と炭素の合計量：酸素炭素分布曲線）
また、第２ガスバリアー層において、ケイ素原子と酸素原子と炭素原子との合計量に対する、酸素原子と炭素原子との合計量の比率を、酸素炭素分布曲線とする。
第２ガスバリアー層は、酸素炭素分布曲線において、酸素及び炭素の合計原子比率の最大値と最小値との差の絶対値が、５ａｔ％未満であることが好ましく、４ａｔ％未満であることがより好ましく、３ａｔ％未満であることが特に好ましい。
酸素及び炭素の合計原子比率の最大値と最小値との差が上記範囲未満とすることで、得られる第２ガスバリアー層の屈折率分布曲線から、より高い配光性を得ることができる。

（ＸＰＳデプスプロファイル）
上述のケイ素分布曲線、酸素分布曲線、炭素分布曲線、酸素炭素分布曲線及び窒素分布曲線は、Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ：Ｘｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）の測定と、アルゴン等の希ガスイオンスパッタとを併用することにより、試料内部を露出させつつ順次表面組成分析を行う、いわゆるＸＰＳデプスプロファイル測定により作成することができる。
ＸＰＳデプスプロファイル測定により得られる分布曲線は、例えば、縦軸を各元素の原子比率（単位：ａｔ％）とし、横軸をエッチング時間（スパッタ時間）として作成することができる。

なお、横軸をエッチング時間とする元素の分布曲線では、エッチング時間が第２ガスバリアー層の層厚方向における表面からの距離におおむね相関する。このため、ＸＰＳデプスプロファイル測定の際に、エッチング速度とエッチング時間との関係から算出される、第２ガスバリアー層の表面からの距離を「層厚方向における第２ガスバリアー層の表面からの距離」として採用することができる。
ＸＰＳデプスプロファイル測定には、エッチングイオン種としてアルゴン（Ａｒ^＋）を用いた希ガスイオンスパッタ法を採用し、エッチング速度（エッチングレート）を０．０５ｎｍ／ｓｅｃ（ＳｉＯ_２熱酸化膜換算値）とすることが好ましい。

また、第２ガスバリアー層は、膜面全体において均一で、かつ優れた配光性を有する層を形成するという観点から、第２ガスバリアー層が膜面方向（第２ガスバリアー層の表面に平行な方向）において実質的に一様であることが好ましい。第２ガスバリアー層が膜面方向において実質的に一様とは、第２ガスバリアー層の膜面の任意の２か所において、それぞれの測定箇所の元素の分布曲線の有する極値の数が同じであり、かつ分布曲線における炭素の原子比率の最大値及び最小値の差の絶対値が互いに同じ又は最大値及び最小値の差が５ａｔ％以内であることをいう。

（実質的連続）
第２ガスバリアー層において、炭素分布曲線は実質的に連続であることが好ましい。炭素分布曲線が実質的に連続であるとは、炭素分布曲線において炭素の原子比率が不連続に変化する部分を含まないことを意味する。具体的には、エッチング速度とエッチング時間とから算出される第２ガスバリアー層の表面からの距離（ｘ、単位：ｎｍ）と、炭素の原子比率（Ｃ、単位：ａｔ％）とが、下記数式（Ｆ１）：
（ｄＣ／ｄｘ）≦０．５ ・・・（Ｆ１）
で表される条件を満たす。

（ケイ素原子比率、酸素原子比率、炭素原子比率）
また、ケイ素分布曲線、酸素分布曲線及び炭素分布曲線において、ケイ素の原子比率、酸素の原子比率及び炭素の原子比率が、第２ガスバリアー層の層厚の９０％以上の領域において上記式（１）で表される条件を満たすことが好ましい。この場合には、第２ガスバリアー層中におけるケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する、ケイ素原子の含有量の原子比率は、２５〜４５ａｔ％であることが好ましく、３０〜４０ａｔ％であることが、ガスバリアー性向上の観点からより好ましい。

また、第２ガスバリアー層中におけるケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する、酸素原子の含有量の原子比率は、３３〜６７ａｔ％であることが好ましく、４５〜６７ａｔ％であることが、ガスバリアー性及び透光性向上の観点からより好ましい。
さらに、第２ガスバリアー層中におけるケイ素原子、酸素原子及び炭素原子の合計量に対する、炭素原子の含有量の原子比率は、３〜３３ａｔ％であることが好ましく、３〜２５ａｔ％であることが、ガスバリアー性及び透光性向上の観点からより好ましい。

［第３ガスバリアー層］
第３ガスバリアー層１４は第２ガスバリアー層１３と有機機能層１６の第１電極１５との間に設けられ、有機ＥＬ素子１０Ａを屈曲した際の、第２ガスバリアー層１３と第１電極１５との界面からの剥離を抑制するために設けられている。
また、第３ガスバリアー層１４を設けることにより、第２ガスバリアー層１３上の粗面を平坦化し、又は第２ガスバリアー層１３上に生じた凹凸やピンホールを埋めて平坦化することができる。
このような第３ガスバリアー層１４としては、例えば、ポリシラザンを含む層を活性エネルギー線照射により改質処理を施して形成されるポリシラザン改質層や、その他の有機又は無機化合物の塗膜に所定の改質処理を施して形成されるその他の改質層を用いることが好ましい。

（ポリシラザン改質層）
ポリシラザン改質層は、好ましくはポリシラザンを含有する塗布液を塗布・乾燥して塗膜を形成した後、この塗膜を活性エネルギー線照射により改質処理して形成される。
ポリシラザン改質層は、その表面において、ポリシラザンの改質がより進行した領域が形成され、この領域の下部に改質量の小さい領域又は未改質の領域が形成される。本発明では、この改質量の小さい領域や未改質の領域も含めて、ポリシラザン改質層とする。

ポリシラザンとは、ケイ素−窒素結合を有するポリマーであり、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等の結合を有するＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４及びこれらの中間固溶体ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等のセラミック前駆体無機ポリマーである。
具体的には、ポリシラザンは、下記の構造を有することが好ましい。

上記一般式（Ｉ）において、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ独立して、水素原子、置換又は非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基又は（トリアルコキシシリル）アルキル基である。この際、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。
ここで、アルキル基としては、炭素原子数１〜８の直鎖、分岐鎖又は環状のアルキル基が挙げられる。具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。
また、アリール基としては、炭素原子数６〜３０のアリール基が挙げられる。具体的には、フェニル基、ビフェニル基、ターフェニル基などの非縮合炭化水素基及びペンタレニル基、インデニル基、ナフチル基、アズレニル基、ヘプタレニル基、ビフェニレニル基、フルオレニル基、アセナフチレニル基、プレイアデニル基、アセナフテニル基、フェナレニル基、フェナントリル基、アントリル基、フルオランテニル基、アセフェナントリレニル基、アセアントリレニル基、トリフェニレニル基、ピレニル基、クリセニル基、ナフタセニル基等の縮合多環炭化水素基が挙げられる。
また、（トリアルコキシシリル）アルキル基としては、炭素原子数１〜８のアルコキシ基で置換されたシリル基を有する炭素原子数１〜８のアルキル基が挙げられる。具体的には、３−（トリエトキシシリル）プロピル基、３−（トリメトキシシリル）プロピル基などが挙げられる。
上記Ｒ_１〜Ｒ_３に場合によって存在する置換基は、特に制限はないが、例えば、アルキル基、ハロゲン原子、ヒドロキシ基（−ＯＨ）、メルカプト基（−ＳＨ）、シアノ基（−ＣＮ）、スルホ基（−ＳＯ_３Ｈ）、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）、ニトロ基（−ＮＯ_２）などがある。なお、場合によって存在する置換基は、置換するＲ_１〜Ｒ_３と同じとなることはない。例えば、Ｒ_１〜Ｒ_３がアルキル基の場合には、さらにアルキル基で置換されることはない。これらのうち、好ましくは、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、水素原子、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、フェニル基、ビニル基、３−（トリエトキシシリル）プロピル基又は３−（トリメトキシシリルプロピル）基である。

また、上記一般式（Ｉ）において、ｎは、整数であり、一般式（Ｉ）で表される構造を有するポリシラザンが１５０〜１５００００ｇ／モルの数平均分子量を有するように定めることが好ましい。
上記一般式（Ｉ）で表される構造を有する化合物において、好ましい態様の一つは、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３の全てが水素原子であるパーヒドロポリシラザンである。
また、ポリシラザンとしては、下記一般式（II）で表される構造を有することが好ましい。

上記一般式（II）において、Ｒ_１′、Ｒ_２′、Ｒ_３′、Ｒ_４′、Ｒ_５′及びＲ_６′は、それぞれ独立して、水素原子、置換又は非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基又は（トリアルコキシシリル）アルキル基である。この際、Ｒ_１′、Ｒ_２′、Ｒ_３′、Ｒ_４′、Ｒ_５′及びＲ_６′は、それぞれ、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。上記置換又は非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基又は（トリアルコキシシリル）アルキル基は、上記一般式（Ｉ）の定義と同様であるため、説明を省略する。

また、上記一般式（II）において、ｎ′及びｐは、整数であり、一般式（II）で表される構造を有するポリシラザンが１５０〜１５００００ｇ／モルの数平均分子量を有するように定められることが好ましい。なお、ｎ′及びｐは、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。

上記一般式（II）のポリシラザンのうち、Ｒ_１′、Ｒ_３′及びＲ_６′が各々水素原子を表し、Ｒ_２′、Ｒ_４′及びＲ_５′が各々メチル基を表す化合物、Ｒ_１′、Ｒ_３′及びＲ_６′が各々水素原子を表し、Ｒ_２′、Ｒ_４′が各々メチル基を表し、Ｒ_５′がビニル基を表す化合物又はＲ_１′、Ｒ_３′、Ｒ_４′及びＲ_６′が各々水素原子を表し、Ｒ_２′及びＲ_５′が各々メチル基を表す化合物が好ましい。
また、ポリシラザンとしては、下記一般式（III）で表される構造を有することが好ましい。

上記一般式（III）において、Ｒ_１″、Ｒ_２″、Ｒ_３″、Ｒ_４″、Ｒ_５″、Ｒ_６″、Ｒ_７″、Ｒ_８″及びＲ_９″は、それぞれ独立して、水素原子、置換又は非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基又は（トリアルコキシシリル）アルキル基である。この際、Ｒ_１″、Ｒ_２″、Ｒ_３″、Ｒ_４″、Ｒ_５″、Ｒ_６″、Ｒ_７″、Ｒ_８″及びＲ_９″は、それぞれ、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。上記置換又は非置換の、アルキル基、アリール基、ビニル基又は（トリアルコキシシリル）アルキル基は、上記一般式（Ｉ）の定義と同様であるため、説明を省略する。

また、上記一般式（III）において、ｎ″、ｐ″及びｑは、整数であり、一般式（III）で表される構造を有するポリシラザンが１５０〜１５００００ｇ／モルの数平均分子量を有するように定められることが好ましい。なお、ｎ″、ｐ″及びｑは、同じであってもよく、また、異なっていてもよい。

上記一般式（III）のポリシラザンのうち、Ｒ_１″、Ｒ_３″及びＲ_６″が各々水素原子を表し、Ｒ_２″、Ｒ_４″、Ｒ_５″及びＲ_８″が各々メチル基を表し、Ｒ_９″が（トリエトキシシリル）プロピル基を表し、Ｒ_７″がアルキル基又は水素原子を表す化合物が好ましい。

一方、Ｓｉと結合する水素原子部分の一部がアルキル基等で置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基を有することにより、隣接する層との接着性が改善される。さらに、硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることができる。このため、より（平均）厚さを厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。このため、用途に応じて適宜、これらパーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。

パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と６及び８員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は数平均分子量（Ｍｎ）で約６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）で、液体又は固体の物質があり、その状態は分子量により異なる。

ポリシラザンは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン改質層形成用塗布液として使用することができる。ポリシラザン溶液の市販品としては、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製のアクアミカ（登録商標）ＮＮ１２０−１０、ＮＮ１２０−２０、ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＮ３１０、ＮＮ３２０、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１２０−２０、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０、ＳＰ１４０等が挙げられる。

使用できるポリシラザンのその他の例としては、特に制限されないが、例えば、上記ポリシラザンにケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン（特開平５−２３８８２７号公報）、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン（特開平６−１２２８５２号公報）、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン（特開平６−２４０２０８号公報）、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（特開平６−２９９１１８号公報）、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン（特開平６−３０６３２９号公報）、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン（特開平７−１９６９８６号公報）等の、低温でセラミック化するポリシラザンが挙げられる。

ポリシラザンを用いる場合、改質処理前のポリシラザン改質層中におけるポリシラザンの含有率は、ポリシラザン改質層の全質量を１００質量％としたとき、１００質量％とすることができる。また、ポリシラザン改質層がポリシラザン以外のものを含む場合には、層中におけるポリシラザンの含有率が、１０質量％以上９９質量％以下であることが好ましく、４０質量％以上９５質量％以下であることがより好ましく、特に好ましくは７０質量％以上９５質量％以下である。

ポリシラザン改質層の塗布法による形成方法は、特に制限されず、公知の方法が適用できるが、有機溶媒中にポリシラザン及び必要に応じて触媒を含むポリシラザン改質層形成用塗布液を公知の湿式塗布方法により塗布し、この溶媒を蒸発させて除去した後、改質処理を行う方法が好ましい。

（ポリシラザン改質層形成用塗布液）
ポリシラザン改質層形成用塗布液を調製するための溶媒としては、ポリシラザンを溶解できるものであれば特に制限されない。ポリシラザンと容易に反応してしまう水及び反応性基（例えば、ヒドロキシ基、又はアミン基等）を含まず、ポリシラザンに対して不活性の有機溶媒が好ましい。特に、非プロトン性の有機溶媒がより好ましい。
具体的には、溶媒として、非プロトン性溶媒、例えば、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒や、塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素溶媒や、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル類や、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類や、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類（例えば、テトラヒドロフラン、ジブチルエーテル、モノ−及びポリアルキレングリコールジアルキルエーテル（ジグライム類））等を挙げることができる。
これらの溶媒は、ケイ素化合物の溶解度や溶媒の蒸発速度等の目的にあわせて選択され、単独で使用されてもよく、また、２種以上の混合物の形態で使用されてもよい。

ポリシラザン改質層形成用塗布液におけるポリシラザンの濃度は、特に制限されず、層の厚さや塗布液のポットライフによっても異なるが、好ましくは１〜８０質量％の範囲内、より好ましくは５〜５０質量％の範囲内、特に好ましくは１０〜４０質量％の範囲内である。

ポリシラザン改質層形成用塗布液は、改質を促進するために、触媒を含有することが好ましい。適用可能な触媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリエチルアミン、３−モルホリノプロピルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン等のアミン化合物、Ｐｔアセチルアセトナート等のＰｔ化合物、プロピオン酸Ｐｄ等のＰｄ化合物、Ｒｈアセチルアセトナート等のＲｈ化合物等の金属触媒、Ｎ−複素環式化合物、ピリジン、α−ピコリン、β−ピコリン、γ−ピコリン、ピペリジン、ルチジン、ピリミジン、ピリダジン等のピリジン化合物、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン）、ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン）、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、マレイン酸、ステアリン酸等の有機酸、塩酸、硝酸、硫酸、過酸化水素等の無機酸等が挙げられる。これらのうち、アミン化合物を用いることが好ましい。この際添加する触媒の濃度としては、ポリシラザンを基準としたとき、好ましくは０．１〜１０質量％、より好ましくは０．５〜７質量％の範囲である。触媒添加量をこの範囲とすることで、反応の急激な進行よる過剰なシラノール形成、膜密度の低下及び膜欠陥の増大などを避けることができる。

ポリシラザン改質層形成用塗布液には、必要に応じて下記に挙げる添加剤を用いることができる。例えば、セルロースエーテル類、セルロースエステル類（例えば、エチルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテート、セルロースアセトブチレート等）、天然樹脂（例えば、ゴム、ロジン樹脂等）、合成樹脂（例えば、重合樹脂等）、縮合樹脂（例えば、アミノプラスト、特に尿素樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル若しくは変性ポリエステル、エポキシド、ポリイソシアネート若しくはブロック化ポリイソシアネート又はポリシロキサン等）である。

（ポリシラザン改質層形成用塗布液を塗布する方法）
ポリシラザン改質層形成用塗布液を塗布する方法としては、従来公知の適切な湿式塗布方法を採用することができる。具体例としては、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、流延成膜法、バーコート法、グラビア印刷法等が挙げられる。

塗布厚さは、目的に応じて適切に設定することができる。例えば、ポリシラザン改質層１層当たりの塗布厚さは、乾燥後の厚さが１０ｎｍ〜１０μｍ程度であることが好ましく、１５ｎｍ〜１μｍであることがより好ましく、２０〜５００ｎｍであることがさらに好ましい。厚さが１０ｎｍ以上であれば十分なガスバリアー性を得ることができ、１０μｍ以下であれば、層形成時に安定した塗布性を得ることができ、かつ高い光線透過性を実現できる。

塗布液を塗布した後は、塗膜を乾燥させることが好ましい。塗膜を乾燥することによって、塗膜中に含有される有機溶媒を除去することができる。この際、塗膜に含有される有機溶媒は、全てを乾燥させてもよいが、一部残存させていてもよい。一部の有機溶媒を残存させる場合であっても、好適なポリシラザン改質層を形成することができる。なお、残存する溶媒は、後に除去することが可能である。

塗膜の乾燥温度は、適用する基材によっても異なるが、５０〜２００℃であることが好ましい。例えば、ガラス転移温度（Ｔｇ）が７０℃のポリエチレンテレフタレート基材を用いる場合には、乾燥温度は、熱による基材の変形等を考慮して１５０℃以下に設定することが好ましい。上記温度は、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することによって設定される。乾燥時間は短時間に設定することが好ましく、例えば、乾燥温度が１５０℃である場合には３０分以下に設定することが好ましい。また、乾燥雰囲気は、大気雰囲気下、窒素雰囲気下、アルゴン雰囲気下、真空雰囲気下、酸素濃度をコントロールした減圧雰囲気下等のいずれの条件であってもよい。

ポリシラザン改質層形成用塗布液を塗布して得られた塗膜は、改質処理前又は改質処理中に水分を除去する工程を含んでいてもよい。水分を除去する方法としては、低湿度環境を維持して除湿する形態が好ましい。低湿度環境における湿度は温度により変化するため、温度と湿度の関係は露点温度の規定により好ましい形態が示される。
好ましい露点温度は４℃以下（温度２５℃／湿度２５％）で、より好ましい露点温度は−５℃（温度２５℃／湿度１０％）以下であり、維持される時間はポリシラザン改質層の厚さによって適宜設定することが好ましい。ポリシラザン改質層の厚さが１．０μｍ以下の条件においては、露点温度は−５℃以下で、維持される時間は１分以上であることが好ましい。
なお、露点温度の下限は特に制限されないが、通常、−５０℃以上であり、−４０℃以上であることが好ましい。改質処理前、又は改質処理中に水分を除去することによって、シラノールに転化したポリシラザン改質層の脱水反応を促進する観点から好ましい形態である。

（塗布法により形成されたポリシラザン塗膜の改質処理）
塗布法により形成されたポリシラザン塗膜の改質処理とは、ポリシラザンの酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素等への転化反応を指す。具体的には、ポリシラザン塗膜を、ガスバリアー性を発現できる無機層に改質する処理である。

ポリシラザンの酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素等への転化反応は、公知の方法を適宜選択して適用することができる。改質処理としては、樹脂基材への適応という観点から、より低温で、転化反応が可能なプラズマ処理又は紫外線照射処理による転化反応が好ましい。

（プラズマ処理）
改質処理として用いることのできるプラズマ処理は、公知の方法を用いることができるが、好ましくは大気圧プラズマ処理等を挙げることができる。
大気圧近傍でのプラズマＣＶＤ処理を行う大気圧プラズマＣＶＤ法は、真空下のプラズマＣＶＤ法に比べ、減圧にする必要がなく生産性が高い。また、プラズマ密度が高密度であるために成膜速度が速い。さらに、通常のＣＶＤ法の条件に比較して、大気圧下という高圧力条件では、ガスの平均自由工程が非常に短いため、極めて均質な膜が得られる。

大気圧プラズマ処理の場合は、放電ガスとしては窒素ガス又は長周期型周期表の第１８族原子を含むガス、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられ、特に窒素はコストが安いため好ましい。

（紫外線照射処理）
改質処理の方法として、紫外線照射による処理が好ましい。紫外線（紫外光と同義）によって生成されるオゾンや活性酸素原子は高い酸化能力を有しているため、低温で高い緻密性と絶縁性を有する酸化ケイ素膜及び酸窒化ケイ素膜を形成することが可能である。

この紫外線照射により、隣接する層が加熱され、セラミックス化（シリカ転化）に寄与するＯ_２とＨ_２Ｏや、紫外線吸収剤、ポリシラザン自身が励起、活性化される。このため、ポリシラザンが励起し、ポリシラザンのセラミックス化が促進される。また。得られるポリシラザン改質層がさらに緻密になる。紫外線照射は、塗膜形成後であればいずれの時点で実施してもよい。

紫外線照射処理においては、常用されているいずれの紫外線発生装置を使用することも可能である。
なお、紫外線とは、一般には、１０〜４００ｎｍの波長を有する電磁波であるが、本発明では後述する真空紫外線（１０〜２００ｎｍ）処理以外の紫外線照射処理の場合は、２１０〜３７５ｎｍの紫外線を用いることが好ましい。
紫外線の照射は、照射されるポリシラザン改質層を担持している隣接する層がダメージを受けない範囲で、照射強度や照射時間を設定することが好ましい。

また、有機ＥＬ素子１０Ｂ及び１０Ｃのように、樹脂フィルムを基材として用いた場合では、例えば、２ｋＷ（８０Ｗ／ｃｍ×２５ｃｍ）のランプを用い、基材表面の強度が２０〜３００ｍＷ／ｃｍ^２、好ましくは５０〜２００ｍＷ／ｃｍ^２になるように基材−紫外線照射ランプ間の距離を設定し、０．１秒〜１０分間の照射を行うことが好ましい。

一般に、紫外線照射処理時の基材温度が１５０℃以上になると、樹脂フィルム等の場合には、基材が変形したり、その強度が劣化したりする等、基材の特性が損なわれることになる。ただし、ポリイミド等の耐熱性の高いフィルムの場合には、より高温での改質処理が可能である。したがって、この紫外線照射時の基材温度としては、一般的な上限はなく、基材の種類によって当業者が適宜設定することができる。また、紫外線照射雰囲気に特に制限はなく、大気中で実施すればよい。

このような紫外線の発生手段としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ（１７２ｎｍ、２２２ｎｍ、３０８ｎｍの単一波長、例えば、ウシオ電機株式会社製、株式会社エム・ディ・コム製など）、ＵＶ光レーザー等が挙げられるが、特に限定されない。また、発生させた紫外線をポリシラザン改質層に照射する際には、効率向上と均一な照射を達成する観点から、発生源からの紫外線を反射板で反射させてからポリシラザン改質層に当てることが好ましい。

紫外線照射は、バッチ処理にも連続処理にも適合可能であり、使用する基材の形状によって適宜選定することができる。例えば、バッチ処理の場合には、ポリシラザン改質層を表面に有する積層体を上述の紫外線発生源を具備した紫外線焼成炉で処理することができる。紫外線焼成炉自体は一般に知られており、例えば、アイグラフィクス株式会社製の紫外線焼成炉を使用することができる。
また、ポリシラザン改質層を表面に有する積層体が長尺フィルム状である場合には、これを搬送させながら上記紫外線発生源を具備した乾燥ゾーンで連続的に紫外線を照射することによりセラミックス化することができる。紫外線照射に要する時間は、使用する基材やポリシラザン改質層の組成や濃度にもよるが、一般に０．１秒〜１０分であり、好ましくは０．５秒〜３分である。

（真空紫外線照射処理：エキシマ照射処理）
ポリシラザン改質層において、最も好ましい改質処理方法は、真空紫外線照射による処理（エキシマ照射処理）である。真空紫外線照射による処理は、ポリシラザン化合物内の原子間結合力より大きい波長１００〜２００ｎｍの光エネルギー、好ましくは波長１００〜１８０ｎｍの光エネルギーを用いる。この波長の光エネルギーを用いることにより、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみの作用で直接切断しながら活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることができる。このため、比較的低温（約２００℃以下）で、酸化ケイ素膜の形成を行うことができる。なお、エキシマ照射処理を行う際は、上述したように熱処理を併用することが好ましく、その際の熱処理条件の詳細は上述のとおりである。

放射線源は、１００〜１８０ｎｍの波長の光を発生させるものであれば良いが、好適には約１７２ｎｍに最大放射を有するエキシマラジエータ（例えば、Ｘｅエキシマランプ）、約１８５ｎｍに輝線を有する低圧水銀蒸気ランプ、並びに２３０ｎｍ以下の波長成分を有する中圧及び高圧水銀蒸気ランプ、及び約２２２ｎｍに最大放射を有するエキシマランプである。

このうち、Ｘｅエキシマランプは、波長の短い１７２ｎｍの紫外線を単一波長で放射することから、発光効率に優れている。この光は、酸素の吸収係数が大きいため、微量な酸素でラジカルな酸素原子種やオゾンを高濃度で発生することができる。

また、波長の短い１７２ｎｍの光のエネルギーは、有機物の結合を解離させる能力が高いことが知られている。この活性酸素やオゾンと紫外線放射が持つ高いエネルギーによって、短時間でポリシラザン塗膜の改質を実現できる。

エキシマランプは光の発生効率が高いため、低い電力の投入で点灯させることが可能である。また、光による温度上昇の要因となる波長の長い光は発せず、紫外線領域で、すなわち短い波長でエネルギーを照射するため、解射対象物の表面温度の上昇が抑えられる特徴を持っている。このため、熱の影響を受けやすいとされるＰＥＴなどのフレシキブルフィルム材料に適している。

紫外線照射時の反応には、酸素が必要であるが、真空紫外線は、酸素による吸収があるため紫外線照射工程での効率が低下しやすいことから、真空紫外線の照射は、可能な限り酸素濃度及び水蒸気濃度の低い状態で行うことが好ましい。すなわち、真空紫外線照射時の酸素濃度は、１０〜２００００体積ｐｐｍとすることが好ましく、より好ましくは５０〜１００００体積ｐｐｍである。また、転化プロセスの間の水蒸気濃度は、好ましくは１０００〜４０００体積ｐｐｍの範囲である。

真空紫外線照射時に用いられる、照射雰囲気を満たすガスとしては乾燥不活性ガスとすることが好ましく、特にコストの観点から乾燥窒素ガスにすることが好ましい。酸素濃度の調整は照射庫内へ導入する酸素ガス、不活性ガスの流量を計測し、流量比を変えることで調整可能である。

真空紫外線照射工程において、ポリシラザン塗膜が受ける塗膜面での該真空紫外線の照度は１ｍＷ／ｃｍ^２〜１０Ｗ／ｃｍ^２であると好ましく、３０〜２００ｍＷ／ｃｍ^２であることがより好ましく、５０〜１６０ｍＷ／ｃｍ^２であるとさらに好ましい。１ｍＷ／ｃｍ^２以上であることにより、改質効率を維持することができ、１０Ｗ／ｃｍ^２以下であることにより、塗膜にアブレーションを生じたり、基材にダメージを与えることなく真空紫外線を照射することができる。

塗膜面における真空紫外線の照射エネルギー量（照射量）は、１０〜１００００ｍＪ／ｃｍ^２であることが好ましく、１００〜８０００ｍＪ／ｃｍ^２であることがより好ましく、２００〜６０００ｍＪ／ｃｍ^２であることがさらに好ましい。１０ｍＪ／ｃｍ^２以上であることで、十分に改質された層を得ることができ、１００００ｍＪ／ｃｍ^２以下であることで、過剰改質によるクラック発生や、基材の熱変形を抑制することができる。

また、改質に用いられる真空紫外光は、ＣＯ、ＣＯ_２及びＣＨ_４の少なくとも１種を含むガスで形成されたプラズマにより発生させてもよい。
また、ＣＯ、ＣＯ_２及びＣＨ_４の少なくとも１種を含むガス（以下、炭素含有ガスとも称する。）は、炭素含有ガスを単独で使用してもよいが、希ガス又はＨ_２を主ガスとして、炭素含有ガスを少量添加して使用することも好ましい。プラズマの生成方式としては容量結合プラズマなどが挙げられる。

ポリシラザン改質層を構成する膜組成は、ＸＰＳ表面分析装置を用いて、原子組成比を測定することで測定できる。また、ポリシラザン改質層を切断して切断面をＸＰＳ表面分析装置で原子組成比を測定することもできる。

また、ポリシラザン改質層を構成する膜密度は、目的に応じて適切に設定され得る。例えば、１．５〜２．６ｇ／ｃｍ^３の範囲にあることが好ましい。この範囲内であることにより、膜の緻密さやガスバリアー性の向上や、湿度による膜の酸化劣化を抑制することができる。
ポリシラザン改質層は、単層でもよいし２層以上の積層構造であってもよい。

本発明の有機ＥＬ素子について、発光に直接的に関与する構成を具体的に説明する。
本発明の有機ＥＬ素子に用いることができる代表的な素子構成として、以下の構成を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
（１）陽極／発光層／陰極
（２）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（３）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（４）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（５）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（７）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／（電子阻止層／）発光層／（正孔阻止層／）電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の中で（７）の構成が好ましく用いられるが、これに限定されるものではない。
上記の代表的な素子構成において、陽極と陰極を除く層が、発光性を有する有機機能層である。また、本発明の有機ＥＬ素子では、第１電極１５又は第２電極１７が、上記陽極又は陰極を構成する。

（有機機能層）
上記構成において、発光層は、単層又は複数層で構成される。発光層が複数の場合は、各発光層の間に非発光性の中間層を設けてもよい。
また、必要に応じて、発光層と陰極との間に正孔阻止層（正孔障壁層）や電子注入層（陰極バッファー層）等を設けてもよく、また、発光層と陽極との間に電子阻止層（電子障壁層）や正孔注入層（陽極バッファー層）等を設けてもよい。
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する層である。電子輸送層には、広い意味で電子注入層及び正孔阻止層も含まれる。また、電子輸送層は、複数層で構成されていてもよい。
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する層である。正孔輸送層には、広い意味で正孔注入層及び電子阻止層も含まれる。また、正孔輸送層は、複数層で構成されていてもよい。

（タンデム構造）
また、有機機能層１６は、少なくとも１層の発光層を含む有機機能層を複数積層した、いわゆるタンデム構造の素子であってもよい。
タンデム構造の代表的な素子構成としては、例えば以下の構成を挙げることができる。
（１）陽極／第１有機機能層／中間機能層／第２有機機能層／陰極
（２）陽極／第１有機機能層／中間機能層／第２有機機能層／中間機能層／第３有機機能層／陰極
ここで、上記第１有機機能層、第２有機機能層及び第３有機機能層は全て同じであっても、異なっていてもよい。また、二つの有機機能層が同じであり、残る一つが異なっていてもよい。

また、各有機機能層は直接積層されていても、中間機能層を介して積層されていてもよい。中間機能層は、例えば、中間電極、中間導電層、電荷発生層、電子引抜層、接続層又は中間絶縁層等から構成され、陽極側の隣接層に電子を、陰極側の隣接層に正孔を供給する機能を持った層であれば、公知の材料構成を用いることができる。

中間機能層に用いられる材料としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物）、ＺｎＯ_２、ＴｉＮ、ＺｒＮ、ＨｆＮ、ＴｉＯ_Ｘ、ＶＯ_Ｘ、ＣｕＩ、ＩｎＮ、ＧａＮ、ＣｕＡｌＯ_２、ＣｕＧａＯ_２、ＳｒＣｕ_２Ｏ_２、ＬａＢ_６、ＲｕＯ_２、Ａｌ等の導電性無機化合物層や、Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３等の２層膜や、ＳｎＯ_２／Ａｇ／ＳｎＯ_２、ＺｎＯ／Ａｇ／ＺｎＯ、Ｂｉ_２Ｏ_３／Ａｕ／Ｂｉ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２／ＴｉＮ／ＴｉＯ_２、ＴｉＯ_２／ＺｒＮ／ＴｉＯ_２等の多層膜、またＣ_６０等のフラーレン類、オリゴチオフェン等の導電性有機物層、金属フタロシアニン類、無金属フタロシアニン類、金属ポルフィリン類、無金属ポルフィリン類等の導電性有機化合物層等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。

タンデム型の有機機能層の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号明細書、米国特許第７４２０２０３号明細書、米国特許第７４７３９２３号明細書、米国特許第６８７２４７２号明細書、米国特許第６１０７７３４号明細書、米国特許第６３３７４９２号明細書、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６−２２８７１２号公報、特開２００６−２４７９１号公報、特開２００６−４９３９３号公報、特開２００６−４９３９４号公報、特開２００６−４９３９６号公報、特開２０１１−９６６７９号公報、特開２００５−３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号、特許第３４９６６８１号、特許第３８８４５６４号、特許第４２１３１６９号、特開２０１０−１９２７１９号、特開２００９−０７６９２９号、特開２００８−０７８４１４号、特開２００７−０５９８４８号公報、特開２００３−２７２８６０号公報、特開２００３−０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、これらに限定されない。

［発光層］
本発明の有機ＥＬ素子に用いる発光層は、電極又は隣接層から注入される電子と正孔とが再結合し、励起子を経由して発光する場を提供する層である。発光層において、発光する部分は発光層の層内であっても、発光層と隣接層との界面であってもよい。

発光層の厚さの総和は、特に制限されず、形成する膜の均質性、発光時に必要とされる電圧及び駆動電流に対する発光色の安定性等の観点から決められる。発光層の厚さの総和は、例えば、２ｎｍ〜５μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２〜５００ｎｍの範囲に調整され、更に好ましくは５〜２００ｎｍの範囲に調整される。また、発光層の個々の層厚としては、２ｎｍ〜１μｍの範囲に調整することが好ましく、より好ましくは２〜２００ｎｍの範囲に調整され、更に好ましくは３〜１５０ｎｍの範囲に調整される。

発光層は、発光ドーパント（発光性ドーパント化合物、ドーパント化合物、単にドーパントともいう。）と、ホスト化合物（マトリックス材料、発光ホスト化合物、単にホストともいう。）とを含有することが好ましい。

（１．発光ドーパント）
発光層に用いられる発光ドーパントとしては、蛍光発光性ドーパント（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう。）及びリン光発光性ドーパント（リン光ドーパント、リン光性化合物ともいう。）が好ましく用いられる。これらのうち、少なくとも１層の発光層がリン光発光ドーパントを含有することが好ましい。

発光層中の発光ドーパントの濃度については、使用される特定のドーパント及びデバイスの必要条件に基づいて、任意に決定することができる。光ドーパントの濃度は、発光層の層厚方向に対し、均一な濃度で含有されていてもよく、また任意の濃度分布を有していてもよい。

また、発光層は、複数種の発光ドーパントが含まれていてもよい。例えば、構造の異なるドーパント同士の組み合わせや、蛍光発光性ドーパントとリン光発光性ドーパントとを組み合わせて用いてもよい。これにより、任意の発光色を得ることができる。

本発明の有機ＥＬ素子が発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−２０００（コニカミノルタ（株）製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当てはめたときの色で決定される。

本発明の有機ＥＬ素子は、１層又は複数層の発光層が、発光色の異なる複数の発光ドーパントを含有し、白色発光を示すことも好ましい。白色を示す発光ドーパントの組み合わせについては特に限定はないが、例えば青と橙や、青と緑と赤の組み合わせ等が挙げられる。
本発明の有機ＥＬ素子における白色としては、２度視野角正面輝度を前述の方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ^２でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がｘ＝０．３９±０．０９、ｙ＝０．３８±０．０８の領域内にあることが好ましい。

（１−１．リン光発光性ドーパント）
リン光発光性ドーパントは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、２５℃においてリン光量子収率が０．０１以上の化合物である。発光層に用いるリン光発光性ドーパントにおいて、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できる。発光層に用いるリン光発光性ドーパントは、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率（０．０１以上）が達成されればよい。

リン光発光性ドーパントの発光は、原理として２種挙げられる。
一つは、キャリアが輸送されるホスト化合物上で、キャリアの再結合によるホスト化合物の励起状態が生成される。このエネルギーをリン光発光性ドーパントに移動させることでリン光発光性ドーパントからの発光を得るというエネルギー移動型である。もう一つは、リン光発光性ドーパントがキャリアトラップとなり、リン光発光性ドーパント上でキャリアの再結合が起こり、リン光発光性ドーパントからの発光が得られるというキャリアトラップ型である。いずれの場合においても、リン光発光性ドーパントの励起状態のエネルギーは、ホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件となる。

リン光発光性ドーパントは、本発明の有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知の材料から適宜選択して用いることができる。
公知のリン光発光性ドーパントの具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
Ｎａｔｕｒｅ，３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８，１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許公開第２００５／０２４４６７３号明細書、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．，２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許公開第２００９／００３９７７６号明細書、米国特許第６９２１９１５号明細書、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．，４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ，２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２０１２−１９５５５４号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報等である。
中でも、好ましいリン光発光性ドーパントとしては、Ｉｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも一つの配位様式を含む錯体が好ましい。

以下、発光層に適用可能な公知のリン光発光性ドーパントの具体例を挙げるが、リン光発光性ドーパントはこれらに限定されず、その他の化合物を適用することもできる。

（１−２．蛍光発光性ドーパント）
蛍光発光性ドーパントは、励起一重項からの発光が可能な化合物であり、励起一重項からの発光が観測される限り特に限定されない。

蛍光発光性ドーパントしては、例えば、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、フルオランテン誘導体、ペリレン誘導体、フルオレン誘導体、アリールアセチレン誘導体、スチリルアリーレン誘導体、スチリルアミン誘導体、アリールアミン誘導体、ホウ素錯体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、シアニン誘導体、クロコニウム誘導体、スクアリウム誘導体、オキソベンツアントラセン誘導体、フルオレセイン誘導体、ローダミン誘導体、ピリリウム誘導体、ペリレン誘導体、ポリチオフェン誘導体及び希土類錯体系化合物等が挙げられる。

また、蛍光発光性ドーパントして、遅延蛍光を利用した発光ドーパント等を用いてもよい。
遅延蛍光を利用した発光ドーパントの具体例としては、例えば、国際公開第２０１１／１５６７９３号、特開２０１１−２１３６４３号公報、特開２０１０−９３１８１号公報等に記載の化合物が挙げられる。

（２．ホスト化合物）
ホスト化合物は、発光層において主に電荷の注入及び輸送を担う化合物であり、有機ＥＬ素子においてそれ自体の発光は実質的に観測されない。
好ましくは室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物であり、さらに好ましくは、リン光量子収率が０．０１未満の化合物である。また、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であることが好ましい。

また、ホスト化合物の励起状態エネルギーは、同一層内に含有される発光ドーパントの励起状態エネルギーよりも高いことが好ましい。
ホスト化合物は、単独で用いてもよく、又は複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子の高効率化が可能となる。

発光層に用いるホスト化合物としては、特に制限はなく、従来の有機ＥＬ素子で用いられる化合物を用いることができる。例えば、低分子化合物や、繰り返し単位を有する高分子化合物でもよく、又はビニル基やエポキシ基のような反応性基を有する化合物でもよい。

公知のホスト化合物としては、正孔輸送能又は電子輸送能を有しつつ、発光の長波長化を防ぎ、さらに、有機ＥＬ素子を高温駆動時や素子駆動中の発熱に対する安定性の観点から、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を有することが好ましい。ホスト化合物としては、Ｔｇが９０℃以上であることが好ましく、より好ましくは１２０℃以上である。
ここで、ガラス転移点（Ｔｇ）とは、ＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｃｏｌｏｒｉｍｅｔｒｙ：示差走査熱量法）を用いて、ＪＩＳ Ｋ ７１２１−２０１２に準拠した方法により求められる値である。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知のホスト化合物の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許公開第２００５／０２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、ＥＰ２０３４５３８等である。

［電子輸送層］
本発明の有機ＥＬ素子における電子輸送とは、電子を輸送する機能を有する材料により行われ、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有する。
電子輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。
電子輸送層の総層厚については特に制限はないが、通常は２ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍである。

また、本発明の有機ＥＬ素子においては、発光層で生じた光を電極から取り出す際、発光層から直接取り出される光と、光を取り出す電極と対極に位置する電極で反射されてから取り出される光とが、干渉を起こすことが知られている。光が陰極で反射される場合は、電子輸送層の総層厚を数ｎｍ〜数μｍの間で適宜調整することにより、この干渉効果を効率的に利用することが可能である。
一方で、電子輸送層の層厚を厚くすると電圧が上昇しやすくなるため、特に層厚が厚い場合においては、電子輸送層の電子移動度は１０^−５ｃｍ^２／Ｖｓ以上であることが好ましい。

電子輸送層に用いられる材料（以下、電子輸送材料という。）としては、電子の注入性若しくは輸送性又は正孔の障壁性のいずれかを有していればよく、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。
例えば、含窒素芳香族複素環誘導体、芳香族炭化水素環誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体及びシロール誘導体等が挙げられる。

上記含窒素芳香族複素環誘導体としては、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体（カルバゾール環を構成する炭素原子の一つ以上が窒素原子に置換）、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリダジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、アザトリフェニレン誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、ベンズオキサゾール誘導体及びベンズチアゾール誘導体等が挙げられる。
芳香族炭化水素環誘導体としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体及びトリフェニレン等が挙げられる。

また、配位子にキノリノール骨格やジベンゾキノリノール骨格を有する金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送材料として用いることができる。

その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料として例示したジスチリルピラジン誘導体も、電子輸送材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送材料として用いることができる。
また、これらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

本発明の有機ＥＬ素子では、ゲスト材料として電子輸送層にドープ材をドープして、ｎ性の高い（電子リッチ）電子輸送層を形成してもよい。ドープ材としては、金属錯体及びハロゲン化金属等の金属化合物や、その他のｎ型ドーパントが挙げられる。
このような構成の電子輸送層の具体例としては、例えば、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等の文献に記載されたものが挙げられる。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる、公知の好ましい電子輸送材料の具体例としては、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。
米国特許第６５２８１８７号明細書、米国特許第７２３０１０７号明細書、米国特許公開第２００５／００２５９９３号明細書、米国特許公開第２００４／００３６０７７号明細書、米国特許公開第２００９／０１１５３１６号明細書、米国特許公開第２００９／０１０１８７０号明細書、米国特許公開第２００９／０１７９５５４号明細書、国際公開第２００３／０６０９５６号明細書、国際公開第２００８／１３２０８５号、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７５，４（１９９９）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，４４９（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，８１，１６２（２００２）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７９，１５６（２００１）、米国特許第７９６４２９３号明細書、国際公開第２００４／０８０９７５号、国際公開第２００４／０６３１５９号、国際公開第２００５／０８５３８７号、国際公開第２００６／０６７９３１号、国際公開第２００７／０８６５５２号、国際公開第２００８／１１４６９０号、国際公開第２００９／０６９４４２号、国際公開第２００９／０６６７７９号、国際公開第２００９／０５４２５３号、国際公開第２０１１／０８６９３５号、国際公開第２０１０／１５０５９３号、国際公開第２０１０／０４７７０７号、ＥＰ２３１１８２６号、特開２０１０−２５１６７５号公報、特開２００９−２０９１３３号公報、特開２００９−１２４１１４号公報、特開２００８−２７７８１０号公報、特開２００６−１５６４４５号公報、特開２００５−３４０１２２号公報、特開２００３−４５６６２号公報、特開２００３−３１３６７号公報、特開２００３−２８２２７０号公報、国際公開第２０１２／１１５０３４号等が挙げられる。

より好ましい電子輸送材料としては、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピラジン誘導体、トリアジン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、カルバゾール誘導体、アザカルバゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体が挙げられる。

［正孔阻止層］
正孔阻止層は、広い意味では電子輸送層の機能を有する層である。好ましくは、電子を輸送する機能を有しつつ、正孔を輸送する能力が小さい材料を含有する。電子を輸送しつつ正孔を阻止することで、電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。
また、上述の電子輸送層の構成を、必要に応じて正孔阻止層として用いることができる。
本発明の有機ＥＬ素子に設ける正孔阻止層は、発光層の陰極側に隣接して設けられることが好ましい。

本発明の有機ＥＬ素子において、正孔阻止層の厚さは、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
正孔阻止層に用いられる材料としては、上述の電子輸送層に用いられる材料が好ましく用いられ、また、上述のホスト化合物として用いられる材料も正孔阻止層に好ましく用いられる。

［電子注入層］
電子注入層（「陰極バッファー層」ともいう。）は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陰極と発光層との間に設けられる層である。電子注入層の一例は、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に記載されている。

本発明の有機ＥＬ素子において、電子注入層は必要に応じて設けられ、上述のように陰極と発光層との間又は陰極と電子輸送層との間に設けられる。
電子注入層は、ごく薄い膜からなる層であることが好ましく、素材にもよるがその層厚は０．１〜５ｎｍの範囲が好ましい。また構成材料が断続的に存在する不均一な膜からなる層であってもよい。

電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されている。電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ土類金属化合物、酸化アルミニウムに代表される金属酸化物、リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、上述の電子輸送材料を用いることも可能である。
また、上記の電子注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、複数種を併用して用いてもよい。

［正孔輸送層］
正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する材料からなる。正孔輸送層は、陽極より注入された正孔を発光層に伝達する機能を有する層である。

本発明の有機ＥＬ素子において、正孔輸送層の総層厚に特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍの範囲であり、より好ましくは２〜５００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜２００ｎｍである。

正孔輸送層に用いられる材料（以下、正孔輸送材料という。）は、正孔の注入性又は輸送性、電子の障壁性のいずれかを有していればよい。正孔輸送材料は、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。正孔輸送材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。

正孔輸送材料は、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、ポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖若しくは側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えば、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。

トリアリールアミン誘導体としては、α−ＮＰＤに代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡに代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。

また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているヘキサアザトリフェニレン誘導体も正孔輸送材料として用いることができる。
さらに、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。例えば、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報の各公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載された構成を正孔輸送層に適用することもできる。
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような、いわゆるｐ型正孔輸送材料やｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物を用いることもできる。さらにＩｒ（ｐｐｙ）_３に代表されるような中心金属にＩｒやＰｔを有するオルトメタル化有機金属錯体も好ましく用いられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、アザトリフェニレン誘導体、有機金属錯体、芳香族アミンを主鎖若しくは側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー等が好ましく用いられる。

本発明の有機ＥＬ素子に用いられる正孔輸送材料の具体例としては、上記で挙げた文献の他、以下の文献に記載の化合物等が挙げられるが、これらに限定されない。
Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６９，２１６０（１９９６）、Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４，９８５（１９９７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，７８，６７３（２００１）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，９０，１８３５０３（２００７）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，５１，９１３（１９８７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，８７，１７１（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，９１，２０９（１９９７）、Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔ．，１１１，４２１（２０００）、ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ，３７，９２３（２００６）、Ｊ．Ｍａｔｅｒ．Ｃｈｅｍ．３，３１９（１９９３）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．，６，６７７（１９９４）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．，１５，３１４８（２００３）、米国特許公開第２００３／０１６２０５３号明細書、米国特許公開第２００２／０１５８２４２号明細書、米国特許公開第２００６／０２４０２７９号明細書、米国特許公開第２００８／０２２０２６５号明細書、米国特許第５０６１５６９号明細書、国際公開第２００７／００２６８３号、国際公開第２００９／０１８００９号、ＥＰ６５０９５５、米国特許公開第２００８／０１２４５７２号明細書、米国特許公開第２００７／０２７８９３８号明細書、米国特許公開第２００８／０１０６１９０号明細書、米国特許公開第２００８／００１８２２１号明細書、国際公開第２０１２／１１５０３４号、特表２００３−５１９４３２号公報、特開２００６−１３５１４５号公報、米国特許出願番号１３／５８５９８１号等が挙げられる。

［電子阻止層］
電子阻止層は、広い意味では正孔輸送層の機能を有する層である。好ましくは、正孔を輸送する機能を有しつつ電子を輸送する能力が小さい材料からなる。電子阻止層は、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで、電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。

また、上述の正孔輸送層の構成を必要に応じて、本発明の有機ＥＬ素子の電子阻止層として用いることができる。有機ＥＬ素子に設ける電子阻止層は、発光層の陽極側に隣接して設けられることが好ましい。

電子阻止層の厚さとしては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、更に好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。
電子阻止層に用いられる材料としては、上述の正孔輸送層に用いられる材料が好ましく用いることができる。また、上述のホスト化合物として用いられる材料も、電子阻止層として好ましく用いることができる。

［正孔注入層］
正孔注入層（「陽極バッファー層」ともいう。）は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために陽極と発光層との間に設けられる層である。正孔注入層の一例は、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に記載されている。
正孔注入層は必要に応じて設けられ、上述のように陽極と発光層との間、又は陽極と正孔輸送層との間に設けられる。

正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されている。
正孔注入層に用いられる材料は、例えば上述の正孔輸送層に用いられる材料等が挙げられる。中でも、銅フタロシアニンに代表されるフタロシアニン誘導体、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体、酸化バナジウムに代表される金属酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン（エメラルディン）やポリチオフェン等の導電性高分子、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム錯体等に代表されるオルトメタル化錯体、トリアリールアミン誘導体等が好ましい。
上述の正孔注入層に用いられる材料は単独で用いてもよく、また複数種を併用して用いてもよい。

［添加剤］
本発明の有機ＥＬ素子を構成する有機機能層は、更に他の添加剤を含んでもよい。
添加剤としては、例えば臭素、ヨウ素及び塩素等のハロゲン元素やハロゲン化化合物、Ｐｄ、Ｃａ、Ｎａ等のアルカリ金属やアルカリ土類金属、遷移金属の化合物や錯体、塩等が挙げられる。

添加剤の含有量は、任意に決定することができるが、含有される層の全質量％に対して１０００ｐｐｍ以下であることが好ましく、より好ましくは５００ｐｐｍ以下であり、さらに好ましくは５０ｐｐｍ以下である。
ただし、電子や正孔の輸送性を向上させる目的や、励起子のエネルギー移動を有利にするための目的などによってはこの範囲内ではない。

［有機機能層の形成方法］
本発明の有機ＥＬ素子の有機機能層（正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）の形成方法について説明する。
有機機能層の形成方法は、特に制限はなく、従来公知の、例えば、真空蒸着法、湿式法（ウェットプロセス）等により形成することができる。

湿式法としては、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、印刷法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア−ブロジェット法）等がある。均質な薄膜が得られやすく、かつ高生産性の点から、ダイコート法、ロールコート法、インクジェット法、スプレーコート法等のロール・ｔｏ・ロール方式に適性の高い方法が好ましい。

湿式法において、有機機能層の材料を溶解又は分散する液媒体としては、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル等の脂肪酸エステル類、ジクロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素類、シクロヘキサン、デカリン、ドデカン等の脂肪族炭化水素類、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ等の有機溶媒を用いることができる。
また、超音波、高剪断力分散やメディア分散等の分散方法により分散することができる。

有機機能層を構成する各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度５０〜４５０℃、真空度１０^−６〜１０^−２Ｐａ、蒸着速度０．０１〜５０ｎｍ／秒、基板温度−５０〜３００℃、層厚０．１ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で適宜選ぶことが望ましい。

本発明の有機ＥＬ素子の形成は、１回の真空引きで一貫して有機機能層から陰極まで作製するのが好ましいが、途中で取り出して異なる成膜法を施しても構わない。その際は作業を乾燥不活性ガス雰囲気下で行うことが好ましい。
また、層毎に異なる形成方法を適用してもよい。

［第１電極］
第１電極１５は、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上、好ましくは４．３ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極物質が用いられる。このような電極物質の具体例としては、ＡｕやＡｇ等の金属及びこれらの合金、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ）等の非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。

第１電極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成し、フォトリソグラフィー法で所望の形状のパターンを形成する。または、パターン精度を余り必要としない（１００μｍ以上程度）場合は、上記電極物質を蒸着法又はスパッタリング法で形成する際に、所望の形状のマスクを介してパターン形成してもよい。
有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等の湿式成膜法を用いることもできる。

第１電極側から発光光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましい。また、第１電極としてのシート抵抗は数百Ω／ｓｑ．以下が好ましい。また、第１電極の厚さは、材料にもよるが、通常１０ｎｍ〜１μｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

特に、第１電極は、銀を主成分として構成された層であって、銀又は銀を主成分とした合金を用いて構成されることが好ましい。このような第１電極の形成方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法等のウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法等）、スパッタ法、ＣＶＤ法等のドライプロセスを用いる方法等が挙げられる。中でも蒸着法が好ましく適用される。

第１電極を構成する銀（Ａｇ）を主成分とする合金は、一例として銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀銅（ＡｇＣｕ）、銀パラジウム（ＡｇＰｄ）、銀パラジウム銅（ＡｇＰｄＣｕ）、銀インジウム（ＡｇＩｎ）等が挙げられる。

以上のような第１電極は、銀又は銀を主成分とした合金の層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であってもよい。

さらに、この第１電極は、厚さが４〜１５ｎｍの範囲にあることが好ましい。厚さ１５ｎｍ以下では、層の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、第１電極の光透過率が維持されるため好ましい。また、厚さが４ｎｍ以上であることにより、層の導電性も確保される。

なお、第１電極として銀を主成分として構成された層を形成する場合には、Ｐｄ等を含む他の導電層や、窒素化合物、硫黄化合物等の有機機能層を、第１電極の下地層として形成してもよい。下地層を形成することにより、銀を主成分として構成された層の成膜製の向上や、第１電極の抵抗率の低下及び第１電極１５の光透過性を向上させることができる。

［第２電極］
第２電極１７としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ以下）金属（電子注入性金属と称する。）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物からなる電極物質が用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム、希土類金属等が挙げられる。

これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属と、この電子注入性金属よりも仕事関数の値が大きく安定な第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ_２Ｏ_３）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。

第２電極は、上記電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法を用いて、作製することができる。また、第２電極のシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましい。また、第２電極の厚さは通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲である。

また、第２電極に上記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１電極の説明で挙げる導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２電極を作製することができる。これを応用することで、第１電極と第２電極の両方が透過性を有する素子を作製することができる。

図１Ｂの有機ＥＬ素子１０Ｂ及び図１Ｃの有機ＥＬ素子１０Ｃに示すように、基材や接着剤を用いる構成としてもよく、さらにその他の構成を加えることもできる。
好ましい態様として用いることができる構成の詳細を以下に説明する。

［基材］
本発明の有機ＥＬ素子に適用される基材１９としては、有機ＥＬ素子に可撓性を与えることが可能な可撓性の基材であれば特に限定されない。可撓性の基材としては、透明樹脂フィルムを挙げることができる。

樹脂フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル又はポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）、又はアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等のフィルムが挙げられる。

これら樹脂フィルムのうち、コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）等のフィルムが好ましく用いられる。また、光学的透明性、耐熱性、第２ガスバリアー層の密着性の点においては、有機無機ハイブリッド構造を有するシルセスキオキサンを基本骨格とした耐熱透明フィルムが好ましく用いられる。

この基材１９の厚さは、５〜５００μｍ程度が好ましく、さらに好ましくは２５〜２５０μｍである。また、基材１９が光透過性を有することが好ましい。基材１９が光透過性を有することにより、光透過性を有する有機ＥＬ素子とすることが可能となる。

［接着剤］
本発明の有機ＥＬ素子においては、第１ガスバリアー層と中間層とを接着剤を介して接着されることが好ましく、第２ガスバリアー層と中間層も接着剤を介して接着するものであってもよい。また、接着剤は、接着層として層を形成してもよい。
接着剤としては、第１ガスバリアー層と中間層を接着しうるものであれば特に限定されず、一般的な接着剤を使用することができるが、中でも、合成樹脂系接着剤が好ましい。
合成樹脂系接着剤としては、例えば、感圧接着剤、熱硬化型接着剤、光硬化型接着剤を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、アイオノマー樹脂、ウレタン樹脂、エチレン酢酸ビニル共重合樹脂などが挙げられる。
また、シート状接着剤積層体として市販されている接着剤も好ましく用いることができる。このようなシート状接着剤積層体は、三井・デュポンポリケミカル社や、３Ｍ社、味の素社、テサ社等から入手が可能である。特に、三井・デュポンポリケミカル株式会社製の「ニュクレル（登録商標）」（品番としては、ＡＮ４２２８Ｃ、Ｎ０９０３ＨＣ、Ｎ１５２５、ＡＮ４２１４Ｃ、ＡＮ４２２５Ｃ、ＡＮ４２１１５Ｃ、Ｎ０９０８Ｃ、ＡＮ４２０１２Ｃ、Ｎ４１０、Ｎ１０３５、Ｎ１０５０Ｈ、Ｎ１１０８Ｃ、Ｈ１１１０Ｈ、Ｎ１２０７Ｃ、Ｎ１２１４、ＡＮ４２２１Ｃ、Ｎ１５６０、Ｎ０２００Ｈ、ＡＮ４２１３Ｃ、Ｎ０３５Ｃ）や、３Ｍ社の「３ＭＴＭ Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｌｅａｒ Ａｄｈｅｓｉｖｅ」（品番としては、８１７１、８１７２、８１７２Ｐ、８１７１ＣＬ、８１７２ＣＬ等）を好ましく用いることができる。

［封止層］
本発明の有機ＥＬ素子は、図６に示すように、第３ガスバリアー層上に、有機機能層を覆う封止層２１を介して、封止部材２２が貼り合わされることにより、固体封止されていてもよい。
有機ＥＬ素子の固体封止は、例えば、封止部材又は第３ガスバリアー層の貼合面上に、未硬化の樹脂封止材料を複数箇所に分散させて塗布し、これらの樹脂封止材料を介して封止部材と第３ガスバリアー層とを互いに押圧した後、樹脂封止材料を硬化することで一体化して形成される。

封止層は、少なくとも有機機能層を覆う状態で設けられ、第１電極及び第２電極の端子部分（図示省略）を露出させる状態で設けられている。また、封止部材に電極を設け、有機ＥＬ素子の第１電極及び第２電極の端子部分と、この電極とを導通させるように構成されていてもよい。

封止層は、第３ガスバリアー層と封止部材とを貼合するための樹脂封止材料から構成される。また、樹脂封止材料に加えて、無機封止材料を用いてもよい。例えば、有機機能層を無機封止材料で覆った後、樹脂封止材料により封止部材と第３ガスバリアー層とを貼合する構成としてもよい。
また、樹脂封止材料は、封止部材を第３ガスバリアー層側に固定するために用いられる。また、封止部材と第３ガスバリアー層との間に挟持された有機機能層を封止するためのシール材として用いられる。
封止部材を第３ガスバリアー層に貼合するためには、任意の硬化型の樹脂封止材料を用いて接着することが好ましい。樹脂封止材料には、接着する封止部材及び第３ガスバリアー層との密着性の向上の観点から、好適な接着剤を適宜選択することができる。

このような樹脂封止材料としては、熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。
熱硬化性接着剤としては、例えば、分子の末端又は側鎖にエチレン性二重結合を有する化合物と熱重合開始剤とを主成分とする樹脂等を用いることができる。より具体的には、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂等からなる熱硬化性接着剤を使用することができる。また、有機ＥＬ素子の製造工程で用いる貼合装置及び硬化処理装置に応じて、溶融タイプの熱硬化性接着剤を使用してもよい。

また、このような樹脂封止材料としては、光硬化性樹脂用いることが好ましい。例えば、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート等の各種（メタ）アクリレートを主成分とした光ラジカル重合性樹脂や、エポキシやビニルエーテル等の樹脂を主成分とした光カチオン重合性樹脂や、チオール・エン付加型樹脂等が挙げられる。これら光硬化性樹脂の中でも、硬化物の収縮率が低く、アウトガスも少なく、また長期信頼性に優れるエポキシ樹脂系の光カチオン重合性樹脂が好ましい。

また、このような樹脂封止材料としては、化学硬化型（二液混合）の樹脂を用いることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを用いることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂を用いることができる。
なお、有機ＥＬ素子を構成する有機材料は、熱処理により劣化する場合がある。このため、室温から８０℃までに接着硬化できる樹脂封止材料を使用することが好ましい。

［封止部材］
封止部材２２は、有機ＥＬ素子を覆うものであって、板状（フィルム状）の封止部材が封止層によって第３ガスバリアー層側に固定されている。
板状（フィルム状）の封止部材としては、具体的には、ガラス基板、ポリマー基板が挙げられ、これらの基板材料をさらに薄型のフィルム状にして用いてもよい。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、ポリマー基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド及びポリサルフォン等を挙げることができる。

また、封止部材としては、樹脂フィルムがラミネート（ポリマー膜）された金属箔を用いることが好ましい。樹脂フィルムがラミネートされた金属箔は、光取り出し側の基材として用いることはできないが、低コストであり、透湿性の低い封止材料である。このため、光取り出しを意図しない封止部材として好適である。

なお、金属箔とは、スパッタや蒸着等で形成された金属薄膜や、導電性ペースト等の流動性電極材料から形成された導電膜と異なり、圧延等で形成された金属の箔又はフィルムを指す。

金属箔としては、金属の種類に特に限定はなく、例えば銅（Ｃｕ）箔、アルミニウム（Ａｌ）箔、金（Ａｕ）箔、黄銅箔、ニッケル（Ｎｉ）箔、チタン（Ｔｉ）箔、銅合金箔、ステンレス箔、スズ（Ｓｎ）箔、高ニッケル合金箔等が挙げられる。これらの各種の金属箔の中で特に好ましい金属箔としてはＡｌ箔が挙げられる。

金属箔の厚さは６〜５０μｍが好ましい。６μｍ以上の場合は、金属箔に用いる材料によっては使用時にピンホールがあくことなく、必要とするガスバリアー性（透湿度、酸素透過率）を得ることができる。５０μｍ以下であることにより、金属箔に用いる材料によるコストの増加を抑えることができ、有機ＥＬ素子が厚くなりすぎることを抑制できるため、フィルム状の封止部材を用いる利点がある。

樹脂フィルムがラミネートされた金属箔において、樹脂フィルムとしては、機能性包装材料の新展開（株式会社 東レリサーチセンター）に記載の各種材料を用いることが可能である。例えば、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリアミド系樹脂、エチレン−ビニルアルコール共重合体系樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体系樹脂、セロハン系樹脂、ビニロン系樹脂、塩化ビニリデン系樹脂等を用いることができる。ポリプロピレン系樹脂及びナイロン系樹脂等の樹脂は、延伸されていてもよく、さらに塩化ビニリデン系樹脂がコートされていてもよい。また、ポリエチレン系樹脂は、低密度と高密度のいずれを用いてもよい。

封止部材は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が１×１０^−３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下であることが好ましい。

また、以上のような封止部材は、凹板状に加工して用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

また、これに限らず、金属材料を用いてもよい。金属材料としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金が挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止部材として用いることにより、有機ＥＬ素子が設けられた発光パネル全体を薄型化できる。

無機封止材料は、樹脂封止材料とともに、第１電極、有機機能層及び第２電極からなる発光ユニットを封止する部材である。このため、無機封止材料は、この有機機能層を劣化させる水分や酸素等の侵入を抑制する機能を有する材料を用いることが好ましい。
また、無機封止材料は、第２ガスバリアー層や有機機能層に直接接する構成であるため、第２ガスバリアー層や有機機能層との接合性に優れた材料を用いることが好ましい。

無機封止材料としては、封止性が高い無機酸化物、無機窒化物、無機炭化物等の化合物により形成されることが好ましい。
具体的には、ＳｉＯ_ｘ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_ｘ、ＩＴＯ（スズ・インジウム酸化物）、ＡｌＮ、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＳｉＯ_ｘＮ、ＴｉＯ_ｘＮ、ＳｉＣ等により形成することができる。
無機封止材料は、ゾルゲル法、蒸着法、ＣＶＤ、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＰＶＤ、スパッタリング法等の公知な手法により形成可能である。

また、無機封止材料は、大気圧プラズマ法において、原料（原材料ともいう。）である有機金属化合物、分解ガス、分解温度、投入電力などの条件を選択することで、酸化ケイ素、酸化ケイ素を主体とした無機酸化物、又は無機酸窒化物や無機酸化ハロゲン化物等のような、無機炭化物、無機窒化物、無機硫化物及び無機ハロゲン化物等の混合物等の組成を作り分けることができる。

例えば、ケイ素化合物を原料化合物として用い、分解ガスに酸素を用いれば、ケイ素酸化物が生成する。また、シラザン等を原料化合物として用いれば、酸化窒化ケイ素が生成する。これはプラズマ空間内では非常に活性な荷電粒子・活性ラジカルが高密度で存在するため、プラズマ空間内で多段階の化学反応が非常に高速に促進され、プラズマ空間内の元素が熱力学的に安定な化合物へと非常に短時間で変換されるためである。

このような無機封止材料を形成するための原料は、ケイ素化合物であれば、常温常圧下で気体、液体、固体いずれの状態であっても構わない。気体の場合にはそのまま放電空間に導入できるが、液体、固体の場合は、加熱、バブリング、減圧、超音波照射等の手段により気化させて使用する。また、溶媒によって希釈して使用してもよく、溶媒は、メタノール、エタノール、ｎ−ヘキサン等の有機溶媒及びこれらの混合溶媒を使用できる。なお、これらの希釈溶媒は、プラズマ放電処理中において、分子又は原子に分解されるため、影響をほとんど無視することができる。

このようなケイ素化合物としては、シラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラｔ−ブトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメトキシシラン、ヘキサメチルジシロキサン、ビス（ジメチルアミノ）ジメチルシラン、ビス（ジメチルアミノ）メチルビニルシラン、ビス（エチルアミノ）ジメチルシラン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリメチルシリル）カルボジイミド、ジエチルアミノトリメチルシラン、ジメチルアミノジメチルシラン、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサメチルシクロトリシラザン、ヘプタメチルジシラザン、ノナメチルトリシラザン、オクタメチルシクロテトラシラザン、テトラキスジメチルアミノシラン、テトライソシアナートシラン、テトラメチルジシラザン、トリス（ジメチルアミノ）シラン、トリエトキシフルオロシラン、アリルジメチルシラン、アリルトリメチルシラン、ベンジルトリメチルシラン、ビス（トリメチルシリル）アセチレン、１，４−ビストリメチルシリル−１，３−ブタジイン、ジ−ｔ−ブチルシラン、１，３−ジシラブタン、ビス（トリメチルシリル）メタン、シクロペンタジエニルトリメチルシラン、フェニルジメチルシラン、フェニルトリメチルシラン、プロパルギルトリメチルシラン、テトラメチルシラン、トリメチルシリルアセチレン、１−（トリメチルシリル）−１−プロピン、トリス（トリメチルシリル）メタン、トリス（トリメチルシリル）シラン、ビニルトリメチルシラン、ヘキサメチルジシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、テトラメチルシクロテトラシロキサン、ヘキサメチルシクロテトラシロキサン、Ｍシリケート５１等が挙げられる。

また、これらケイ素を含む原料ガスを分解して無機封止材料を得るための分解ガスとしては、水素ガス、メタンガス、アセチレンガス、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス、窒素ガス、アンモニアガス、亜酸化窒素ガス、酸化窒素ガス、二酸化窒素ガス、酸素ガス、水蒸気、フッ素ガス、フッ化水素、トリフルオロアルコール、トリフルオロトルエン、硫化水素、二酸化硫黄、二硫化炭素及び塩素ガス等が挙げられる。

上述のケイ素を含む原料ガスと分解ガスとを適宜選択することで、酸化ケイ素、又は窒化物、炭化物等を含有する無機封止材料を得ることができる。

大気圧プラズマ法においては、これらの反応性ガスに対して、主にプラズマ状態になりやすい放電ガスを混合し、プラズマ放電発生装置にガスを送りこむ。このような放電ガスとしては、窒素ガス及び／又は周期表の第１８属原子、具体的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン、ラドン等が用いられる。これらの中でも特に、窒素、ヘリウム、アルゴンが好ましく用いられる。

上記放電ガスと反応性ガスを混合し、薄膜形成（混合）ガスとして大気圧プラズマ放電発生装置（プラズマ発生装置）に供給することで膜形成を行う。放電ガスと反応性ガスの割合は、得ようとする膜の性質によって異なるが、混合ガス全体に対し、放電ガスの割合を５０％以上として反応性ガスを供給する。

中でも、素子を薄型化できるということから、封止部材として薄型のフィルム状にしたポリマー基板を好ましく使用することができる。
フィルム状のポリマー基板は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された、水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が、１×１０^−３ｇ／ｍ^２・２４ｈ以下であることが好ましい。

また、以上のような基板材料は、凹板状に加工して封止部材として用いてもよい。この場合、上述した基板部材に対してサンドブラスト加工、化学エッチング加工等の加工が施され、凹状が形成される。

また、これに限らず、金属材料を用いてもよい。金属材料としては、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブデン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金が挙げられる。このような金属材料は、薄型のフィルム状にして封止部材として用いることにより、有機ＥＬ素子が設けられた発光パネル全体を薄型化できる。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。実施例で作製した有機ＥＬ素子を表１に示す。表１に示す各有機ＥＬ素子の形成方法・条件を説明する。

《有機ＥＬ素子１の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
総厚が１３６μｍ、ＰＥＴ厚が１２５μｍの両面ハードコート付きＰＥＴフィルム（以下、基材Ａとする。）上に、以下の成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。
（成膜条件）
搬送速度：７［ｍ／ｍｉｎ］
原料ガス（ＨＭＤＳＯ：ヘキサメチルジシロキサン）の供給量：１５０［ｓｃｃｍ］
酸素ガスの供給量：５００［ｓｃｃｍ］
真空度：１．５［Ｐａ］
印加電力：４．５［ｋＷ］
電源周波数：９０ｋＨｚ
成膜装置は、特開２００８−１９６００１号公報に記載の、第１成膜部と第２成膜部を有するロール・ｔｏ・ロール法によるＣＶＤ成膜装置を用いた（図５参照）。
層厚は、断層ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断層写真）を用いて測定した。第２ガスバリアー層の厚さ方向の組成は、イオンスパッタによる表面処理とＸＰＳによる分析を行い、ケイ素、炭素及び酸素を含有し、組成分布に極値を有することを確認した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
まず、パーヒドロポリシラザンを２０質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＮＮ１２０−２０）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン（ＴＭＤＡＨ））を含むパーヒドロポリシラザン２０質量％のジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＮＡＸ１２０−２０）とを、４：１（質量比）の割合で混合し、さらに乾燥後の層厚を調整するために、ジブチルエーテルで適宜希釈し、各塗布液を調製した。スピンコートにより塗布液を乾燥層厚が２５０ｎｍになるよう塗布し、８０℃で２分間乾燥した。
次いで、乾燥した塗膜に対して、波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用い、酸素濃度を０．１体積％、照射エネルギーを３．０［Ｊ／ｃｍ^２］で真空紫外線照射処理を施して、第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層まで形成した基材を、市販のスパッタリング装置の基材ホルダーに固定し、ＩＴＯをターゲットに用いて、真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、０．１〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１５０ｎｍの第１電極を形成した。
次に、第１電極まで形成した基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定した。そして、真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、基材を移動させながら化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、２０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。

次に、化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）、化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）、化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）及び化合物Ｈ−１（ホスト化合物）を、化合物Ａ−３が層厚に対し線形に３５質量％から５質量％になるように場所により蒸着速度を変化させ、化合物Ａ−１と化合物Ａ−２は層厚に依存することなく各々０．２質量％の濃度になるように、蒸着速度０．０００２ｎｍ／秒で、化合物Ｈ−１は６４．６質量％から９４．６質量％になるように場所により蒸着速度を変化させて、厚さ７０ｎｍになるよう共蒸着し発光層を形成した。
その後、化合物ＥＴ−１を層厚３０ｎｍに蒸着して電子輸送層を形成し、更にフッ化カリウム（ＫＦ）を厚さ２ｎｍで蒸着して電子注入層を形成した。更に、アルミニウム１００ｎｍを蒸着して第２電極を形成した。なお、上記化合物ＨＴ−１、化合物Ａ−１〜３、化合物Ｈ−１及び化合物ＥＴ−１は、以下に示す化合物である。

〈封止工程〉
次に、第２電極まで形成した基材を、測定した清浄度がクラス１００で、ＪＩＳ Ｂ ９９２０−２００２に準拠して、含水率１ｐｐｍ以下、酸素濃度０．８ｐｐｍ以下の窒素雰囲気、大気圧下、露点温度が−８０℃以下の環境へ移動させた。
その後、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂によりラミネートされたアルミニウム箔（厚さ１００μｍ）を封止部材として使用し、この封止部材のアルミニウム側に封止層として熱硬化型の液状接着剤（エポキシ系樹脂：株式会社スリーボンド社製 ＴＢ１６５５）を厚さ２０μｍで塗布した後、貼合した封止部材を用いて、第２電極までを作製した基材上に重ね合わせた。このとき、第１電極及び第２電極の引き出し電極の端部が外に出るように、封止部材の接着剤形成面と、素子の有機機能層面とを連続的に重ね合わせた。

次に、試料を減圧装置内へ移動させ、９０℃で０．１ＭＰａの減圧条件下で、重ね合わせた基材と封止部材とに押圧をかけて５分間保持した。続いて、試料を大気圧環境へ移動させた後、１１０℃で３０分間加熱して接着剤を硬化させ、有機ＥＬ素子１を作製した。
なお、第１電極及び第２電極からの引き出し配線等の形成に関する記載は省略している。

《有機ＥＬ素子２の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、以下の成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。
（成膜条件）
搬送速度：１０［ｍ／ｍｉｎ］
原料ガス（ＨＭＤＳＯ：ヘキサメチルジシロキサン）の供給量：１５０［ｓｃｃｍ］
酸素ガスの供給量：５００［ｓｃｃｍ］
アンモニア（ＮＨ_３）ガスの供給量：５００［ｓｃｃｍ］
真空度：１．５［Ｐａ］
印加電力：４．５［ｋＷ］
電源周波数：９０ｋＨｚ
成膜装置は、特開２００８−１９６００１号公報に記載の、第１成膜部と第２成膜部を有するロール・ｔｏ・ロール法によるＣＶＤ成膜装置を用いた（図５参照）。
層厚は、断層ＴＥＭ（透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による断層写真）を用いて測定した。第２ガスバリアー層の厚さ方向の組成は、イオンスパッタによる表面処理とＸＰＳによる分析を行い、ケイ素、炭素、酸素及び窒素を含有し、組成分布に極値を有することを確認した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子２の第３ガスバリアー層は、有機ＥＬ素子１と同様の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子１と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子２を作製した。

《有機ＥＬ素子３の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を２回として、層厚２００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第１電極としてガスバリアー層上に、下記の下地層、第１導電層及び第２導電層を形成した以外は、有機ＥＬ素子１と同様に形成した。
まず、下地液として、酢酸水溶液（ｐＨ＝４．５）にγ−メルカプトプロピルトリメトキシシランを０．０１質量％となるように添加して調製した。次に、この下地液を、第３ガスバリアー層上にウェット層厚が３μｍとなるようにワイヤーバーで塗布した後、１００℃で１５分乾燥させ、下地層を形成した。
次に、下地層上に、銀ナノ粒子ペースト（Ｍ−ｄｏｔ ＳＬＰ三ツ星ベルト製 平均粒径２０ｎｍ）をグラビア印刷試験機により、線幅５０μｍ、高さ１．５μｍ、間隔１．０ｍｍの細線格子で印刷した後、１１０℃で５分のキュア処理を行い、第１導電層を形成した。

次に、７．８ｇの導電性ポリマーＢａｙｔｒｏｎ ＰＨ５１０（Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製、固形分１．７％）と、１．７ｇのポリ（２−ヒドロキシエチルアクリレート）の２０％水溶液と、０．５ｇのＤＭＳＯとの混合液に、１０％硫酸４０μＬを加えて撹拌した後、２０μｍメッシュのフィルターでろ過した塗布液を調製した。そして、この塗布液を、第１導電層上にスピンコーターで乾燥後の層厚が３００ｎｍになるように塗布した後、１１０℃で３０分の熱処理を加え、第２導電層を形成した。その他の発光ユニットの構成は、有機ＥＬ素子１と同様に形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子３を作製した。

《有機ＥＬ素子４の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を２回として、層厚２００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第１電極として下記の窒素含有化合物と銀の蒸着膜を使用した以外は、有機ＥＬ素子１と同様に作製した。
第３ガスバリアー層まで形成した基材を、市販の真空蒸着装置の基材ホルダーに固定し、下記窒素含有化合物をタングステン製の抵抗加熱ボートに入れ、基材ホルダーと加熱ボートとを真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。また、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第２真空槽内に取り付けた。
次に、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、窒素含有化合物の入った加熱ボートに通電して加熱し、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で窒素含有層を厚さ１０ｎｍで設けた。
次に、窒素含有層を形成した基材を、真空蒸着装置の第２真空槽に搬送し、第２真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀（Ａｇ）の入った加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／秒で厚さ８ｎｍの銀（Ａｇ）からなる第１電極を形成した。なお、上記窒素含有化合物は、以下に示す化合物である。その他の発光ユニットの構成は、有機ＥＬ素子１と同様に形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子４を作製した。

《有機ＥＬ素子５の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を２回として、層厚２００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子５を作製した。

《有機ＥＬ素子６の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を５回として、層厚５００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子６を作製した。

《有機ＥＬ素子７の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を１０回として、層厚１０００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子７を作製した。

《有機ＥＬ素子８の作製》
〈第１ガスバリアー層の形成〉
基材Ａ上に、公知のバッチ式スパッタ装置を用い、定法により酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を３００ｎｍとなるように成膜し、第１ガスバリアー層を形成した。
具体的には、基材Ａをスパッタ装置の真空槽内にセットし、１０^−４Ｐａ台まで真空脱気し、真空槽内温度を１５０℃にした後、放電ガスとしてアルゴンを分圧で０．１Ｐａ導入し、反応ガスとして酸素を分圧で０．００８Ｐａ導入した。
雰囲気圧力、温度が安定したところでスパッタ電力２Ｗ／ｃｍ^２にて放電を開始し、Ｓｉターゲット上にプラズマを発生させ、スパッタリングプロセスを開始した。
プロセスが安定したところでシャッターを開き、基材Ａ上への第１ガスバリアー層の形成を開始した。３００ｎｍの膜が堆積したところでシャッターを閉じて成膜を終了した。

〈第２ガスバリアー層の形成〉
３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子８の第１ガスバリアー層と同様の形成方法により、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈貼合工程〉
基材Ａに形成した第１ガスバリアー層上に、２５μｍのシート状の感圧型接着剤（積水化学工業製ダブルタックテープ ５４０２）を静置し、感圧型接着剤の上に、ＰＥＴの第２ガスバリアー層等を形成していない面が対向するように積み重ね、常温条件で、ロールラミネーターを用いて貼り合わせた。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子８を作製した。

《有機ＥＬ素子９の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１２μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８の第１ガスバリアー層の形成方法と同様の方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子１と同様の方法に発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子９を作製した。

《有機ＥＬ素子１０の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子１と同様の方法に発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１０を作製した。

《有機ＥＬ素子１１の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子２と同様の成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子１と同様の方法に発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１１を作製した。

《有機ＥＬ素子１２の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子１の第２ガスバリアー層を形成させた成膜条件で、成膜回数を１回として、層厚１００ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子３と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１２を作製した。

《有機ＥＬ素子１３の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を２回として、層厚２００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を３００ｎｍとなるように成膜し、層厚３００ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１３を作製した。

《有機ＥＬ素子１４の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を４回として、層厚４００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を３００ｎｍとなるように成膜し、層厚３００ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１４を作製した。

《有機ＥＬ素子１５の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で１回成膜することにより、乾燥層厚２５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１５を作製した。

《有機ＥＬ素子１６の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で２回成膜することにより、乾燥層厚５００ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１６を作製した。

《有機ＥＬ素子１７の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１８８μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１７を作製した。

《有機ＥＬ素子１８の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
２５０μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
ＰＥＴ上の第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成した面の反対側の面に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１８を作製した。

《有機ＥＬ素子１９の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
総厚が３６μｍ、ＰＥＴ厚が２５μｍの両面ハードコート付きＰＥＴフィルム（以下、基材Ｂとする。）上に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈貼合工程〉
基材Ｂ上に成膜した第１ガスバリアー層に、２０μｍのシート状の熱硬化型樹脂（株式会社スリーボンド社製 ＴＢ１６５５）を接着剤として、９０℃に加熱したロールラミネーターで貼り合わせる。
次いで、第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成したＰＥＴの層を形成していない側の面と、基材Ｂに貼り合わせた熱硬化型樹脂の第１ガスバリアー層と貼り合わせた面の反対側の面を９０℃に加熱したロールラミネーターで貼り合わせ、３０分間１００℃条件下で静置し、熱硬化樹脂を硬化させた。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子１９を作製した。

《有機ＥＬ素子２０の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
基材Ｂ上に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈貼合工程〉
基材Ｂ上に成膜した第１ガスバリアー層に、２５μｍのシート状の感圧型樹脂（積水化学工業製ダブルタックテープ ５４０２）を接着剤として、常温条件のロールラミネーターで貼り合わせる。
次いで、第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成したＰＥＴの層を形成していない側の面と、基材Ｂに貼り合わせた感圧型樹脂の第１ガスバリアー層と貼り合わせた面の反対側の面を常温条件のロールラミネーターで貼り合わせた。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

《封止工程》
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子２０を作製した。

《有機ＥＬ素子２１の作製》
〈第２ガスバリアー層の形成〉
３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈第１ガスバリアー層の形成〉
基材Ｂ上に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈貼合工程〉
基材Ｂ上に成膜した第１ガスバリアー層に、２５μｍのシート状の感圧型樹脂（積水化学工業製ダブルタックテープ ５４０２）を接着剤として、常温条件のロールラミネーターで貼り合わせる。
次いで、第２ガスバリアー層及び第３ガスバリアー層を形成したＰＥＴの層を形成していない側の面と、基材Ｂに貼り合わせた感圧型樹脂の第１ガスバリアー層と貼り合わせた面の反対側の面を常温条件のロールラミネーターで貼り合わせた。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法で発光ユニットを形成した。

〈封止工程》
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子２１を作製した。

《有機ＥＬ素子２２の作製》
〈第１ガスバリアー層の形成〉
基材Ｂ上に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈第２ガスバリアー層の形成〉
１３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法に発光ユニットを形成した。

〈貼合工程〉
基材Ｂに形成した第１ガスバリアー層上に、２５μｍのシート状の感圧型接着剤（積水化学工業製ダブルタックテープ ５４０２）を静置し、感圧型接着剤の上に、ＰＥＴの層を形成していない面が対向するように積み重ね、常温条件で、ロールラミネーターを用いて貼り合わせた。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子２２を作製した。

《有機ＥＬ素子２３の作製》
〈第１ガスバリアー層の形成〉
基材Ｂ上に、有機ＥＬ素子８と同様の第１ガスバリアー層の形成方法で、酸化シリカ（ＳｉＯ_２）を１５０ｎｍとなるように成膜し、層厚１５０ｎｍの第１ガスバリアー層を形成した。

〈第２ガスバリアー層の形成〉
３６μｍのＰＥＴ上に、有機ＥＬ素子１と同様の成膜条件で、成膜回数を３回として、層厚３００ｎｍの第２ガスバリアー層を形成した。

〈第３ガスバリアー層の形成〉
有機ＥＬ素子１と同様の第３ガスバリアー層の形成方法で３回成膜することにより、乾燥層厚７５０ｎｍの第３ガスバリアー層を形成した。

〈発光ユニットの形成〉
第３ガスバリアー層上に、有機ＥＬ素子４と同様の方法に発光ユニットを形成した。

〈貼合工程〉
基材Ｂに形成した第１ガスバリアー層上に、２５μｍのシート状の感圧型接着剤（積水化学工業製ダブルタックテープ ５４０２）を静置し、感圧型接着剤の上に、ＰＥＴの層を形成していない面が対向するように積み重ね、常温条件で、ロールラミネーターを用いて貼り合わせた。

〈封止工程〉
有機ＥＬ素子１と同様に封止し、有機ＥＬ素子２３を作製した。

［保存性評価］
作製した有機ＥＬ素子を平坦な状態に保持しながら、８５℃、８５％ＲＨの条件下で１２０分間保持、その後９０分かけて温度を−４０℃まで低下させ、湿度は特に調整することなく、−４０℃で１２０分間保持、その後９０分かけて温度を８５℃まで上昇（湿度８５％ＲＨ）させ、８０分間保持というサイクルを１００サイクル繰り返した。その後、この素子について、定電圧電源を用いて点灯して発光面積１００ｃｍ^２あたりにおける半径が１５０μｍ以上のダークスポット数を評価した。

［屈曲耐性試験及び屈曲後の外観評価］
作製した有機ＥＬ素子を直径２０ｍｍφの円柱に巻きつけた状態で保持しながら、６０℃、９０％ＲＨの条件下で１０００時間保持した。その後、この素子について、定電圧電源を用いて点灯して発光面積１００ｃｍ^２あたりにおける半径が１５０μｍ以上のダークスポット数を評価した。また、１０００時間保持後の素子の外観を目視観察し、下記の基準によりクラックの評価を実施した。なお、０．５μｍ以上の太さを有する線状の欠陥で、長さが１０００μｍ以上のものをクラックとして評価した。
○：発光面積１００ｃｍ^２におけるクラック数が５本未満
△：発光面積１００ｃｍ^２におけるクラック数が５本以上、５０本未満
×：発光面積１００ｃｍ^２におけるクラック数が５０本以上

［衝撃試験］
作製した有機ＥＬ素子に高さ５０ｃｍから５００ｇの球体を自由落下させ、素子に衝突させた。その後、平坦な状態で保持しながら、６０℃、９０％ＲＨの条件下で１０００時間保持した。その後、この素子について、定電圧電源を用いて点灯して発光面積１００ｃｍ^２あたりにおける半径が１５０μｍ以上のダークスポット数を評価した。

上記の方法を用いて表１に示す有機ＥＬ素子を作製し、行った評価の結果を表２に示した。

以上の結果より、本発明の有機ＥＬ素子は、保存性、耐屈曲性及び耐衝撃性を備えているといえる。

１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ 有機ＥＬ素子
１１ 第１ガスバリアー層
１２ 中間層
１３ 第２ガスバリアー層
１４ 第３ガスバリアー層
１５ 第１電極
１６ 有機機能層
１７ 第２電極
１８ 発光ユニット
１９ 基材
２０ 接着剤
２１ 封止層
２２ 封止部材
３０ 製造装置
３１ 送り出しローラー
３２、３３、３４、３５ 搬送ローラー
３６、３７ 成膜ローラー
３８ ガス供給管
３９ プラズマ発生用電源
４０ フィルム
４１、４２ 磁場発生装置
４３ 巻取りローラー

Claims (5)

1. 第１ガスバリアー層、中間層、第２ガスバリアー層、第３ガスバリアー層、第１電極、有機機能層、第２電極がこの順に積層された有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
   前記中間層が、樹脂を含有し、かつ当該中間層の厚さが１０〜２５０μｍの範囲内であり、
   前記第２ガスバリアー層が、ケイ素、炭素及び酸素を含有し、
   前記第２ガスバリアー層に含有されるケイ素、炭素及び酸素の組成が、厚さ方向において連続的に変化し、かつ前記炭素及び酸素の組成の分布が極値を有し、
   前記第３ガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であり、かつ、
   前記第１ガスバリアー層の水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ ^２ ・２４ｈ以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
2. 前記第１ガスバリアー層と前記第２ガスバリアー層の層厚の合計が、２０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
3. 前記第１ガスバリアー層と前記第２ガスバリアー層の層厚の合計が、１０００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
4. 前記第３ガスバリアー層が、真空紫外光を照射することにより形成されるポリシラザン改質層であることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。
5. 前記中間層が、少なくとも前記第１ガスバリアー層と接着剤を介して接着されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子。

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