JP6418348B1 - 複合部材 - Google Patents
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- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 64
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 120
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims abstract description 47
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 20
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 93
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 93
- 239000000945 filler Substances 0.000 claims description 59
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 50
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 18
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 45
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 43
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 20
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 19
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 18
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 18
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 17
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 16
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 16
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 15
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 11
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 9
- QNVNLUSHGRBCLO-UHFFFAOYSA-N 5-hydroxybenzene-1,3-dicarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=CC(C(O)=O)=C1 QNVNLUSHGRBCLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 alumina Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000001588 bifunctional effect Effects 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 5
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 3
- 150000007519 polyprotic acids Polymers 0.000 description 3
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 3
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 2
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 2
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N Terephthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C=C1 KKEYFWRCBNTPAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 2
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000378 calcium silicate Substances 0.000 description 2
- 229910052918 calcium silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N calcium;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Ca+2].[O-][Si]([O-])=O OYACROKNLOSFPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004649 carbonic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229920006026 co-polymeric resin Polymers 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 229910002026 crystalline silica Inorganic materials 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N dibutylamine Chemical compound CCCCNCCCC JQVDAXLFBXTEQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical group C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 2
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 2
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 2
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052914 metal silicate Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 2
- 229920000768 polyamine Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 2
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N (2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dimethoxy-2-(methoxymethyl)-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-trimethoxy-6-(methoxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6r)-4,5,6-trimethoxy-2-(methoxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxane Chemical compound CO[C@@H]1[C@@H](OC)[C@H](OC)[C@@H](COC)O[C@H]1O[C@H]1[C@H](OC)[C@@H](OC)[C@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](OC)[C@H](OC)O[C@@H]2COC)OC)O[C@@H]1COC LNAZSHAWQACDHT-XIYTZBAFSA-N 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 1,1-Diethoxyethane Chemical compound CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(hydroxymethyl)butanoic acid Chemical compound CCC(CO)(CO)C(O)=O JVYDLYGCSIHCMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 3-(2-phenylethenyl)furan-2,5-dione Chemical compound O=C1OC(=O)C(C=CC=2C=CC=CC=2)=C1 PYSRRFNXTXNWCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 3-(aminomethyl)-3,5,5-trimethylcyclohexan-1-amine Chemical compound CC1(C)CC(N)CC(C)(CN)C1 RNLHGQLZWXBQNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 108010010803 Gelatin Proteins 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920001479 Hydroxyethyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000005058 Isophorone diisocyanate Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002033 PVDF binder Substances 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005062 Polybutadiene Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001800 Shellac Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000147 Styrene maleic anhydride Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BVWCRASTPPDAAK-UHFFFAOYSA-N [Mo].[W].[Cu] Chemical compound [Mo].[W].[Cu] BVWCRASTPPDAAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011354 acetal resin Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 1
- 239000004566 building material Substances 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011088 calibration curve Methods 0.000 description 1
- VPKDCDLSJZCGKE-UHFFFAOYSA-N carbodiimide group Chemical group N=C=N VPKDCDLSJZCGKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000005018 casein Substances 0.000 description 1
- BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N casein, tech. Chemical compound NCCCCC(C(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CC(C)C)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(C(C)O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=O)N=C(O)C(COP(O)(O)=O)N=C(O)C(CCC(O)=N)N=C(O)C(N)CC1=CC=CC=C1 BECPQYXYKAMYBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021240 caseins Nutrition 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 239000011231 conductive filler Substances 0.000 description 1
- WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N copper molybdenum Chemical compound [Cu].[Mo] WUUZKBJEUBFVMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N copper tungsten Chemical compound [Cu].[W] SBYXRAKIOMOBFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N dicyandiamide Chemical compound NC(N)=NC#N QGBSISYHAICWAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N edrophonium chloride Chemical compound [Cl-].CC[N+](C)(C)C1=CC=CC(O)=C1 BXKDSDJJOVIHMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000008273 gelatin Substances 0.000 description 1
- 229920000159 gelatin Polymers 0.000 description 1
- 235000019322 gelatine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011852 gelatine desserts Nutrition 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N isophorone diisocyanate Chemical compound CC1(C)CC(N=C=O)CC(C)(CN=C=O)C1 NIMLQBUJDJZYEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011133 lead Substances 0.000 description 1
- 238000004811 liquid chromatography Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 239000002075 main ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid Substances OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002857 polybutadiene Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920005906 polyester polyol Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920005862 polyol Polymers 0.000 description 1
- 150000003077 polyols Chemical class 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000002516 radical scavenger Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N shellac Chemical compound OCCCCCC(O)C(O)CCCCCCCC(O)=O.C1C23[C@H](C(O)=O)CCC2[C@](C)(CO)[C@@H]1C(C(O)=O)=C[C@@H]3O ZLGIYFNHBLSMPS-ATJNOEHPSA-N 0.000 description 1
- 239000004208 shellac Substances 0.000 description 1
- 229940113147 shellac Drugs 0.000 description 1
- 235000013874 shellac Nutrition 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 229920005792 styrene-acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
熱伝導性絶縁接着膜は例えば、熱伝導性フィラーと熱硬化性樹脂であるバインダー樹脂の未硬化物および/または半硬化物とを含む熱伝導性絶縁シートを放熱部材と熱発生部材との間に配置し、加熱および加圧により硬化させることで、簡易に形成することができる。
熱を発生し得る熱発生部を含む熱発生部材の少なくとも1つの面に、熱伝導性絶縁接着膜を介して放熱ベース基板が接着された複合部材であって、
下記式(1−0)〜(4−0)を充足するものである。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧50…(1−0)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧50…(2−0)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧50…(3−0)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧50…(4−0)
X:熱伝導性絶縁接着膜を介して接着された放熱ベース基板と熱発生部材との間の25℃におけるせん断接着力(MPa)、
Y:熱伝導性絶縁接着膜の25℃における破断伸度(−)、
E:熱伝導性絶縁接着膜の25℃における弾性率(MPa)、
CTE(A):放熱ベース基板の線膨張係数(℃−1)、
CTE(B):熱伝導性絶縁接着膜の線膨張係数(℃−1)、
CTE(C):熱発生部材の熱伝導性絶縁接着膜と接する面の材質の線膨張係数(℃−1)、
L(BA):熱伝導性絶縁接着膜の放熱ベース基板と接する領域の初期の最大一軸方向長さ(m)、
L(BC):熱伝導性絶縁接着膜の熱発生部材と接する領域の初期の最大一軸方向長さ(m)。
本発明は、熱を発生し得る熱発生部を含む熱発生部材の少なくとも1つの面に、熱伝導性絶縁接着膜を介して放熱ベース基板が接着された複合部材に関する。
一般的に、上記構成の複合部材においては、各部材の線膨張係数の差に起因して温度変化により生じる応力ひずみによって熱伝導性絶縁接着膜にクラックおよび/または剥がれが生じて、絶縁性および/または熱伝導性が低下する恐れがある。
複合部材の温度変化をΔT(℃)とすると、想定されるΔTは例えば50℃以上、100℃以上、150℃以上、または200℃以上である。このような温度変化の大きい条件で使用されたとしても、熱伝導性絶縁接着膜のクラックおよび/または剥がれの発生が抑制されることが好ましい。
X:熱伝導性絶縁接着膜を介して接着された放熱ベース基板と熱発生部材との間の25℃におけるせん断接着力(MPa)、
Y:熱伝導性絶縁接着膜の25℃における破断伸度(−)、
E:熱伝導性絶縁接着膜の25℃における弾性率(MPa)、
CTE(A):放熱ベース基板の線膨張係数(℃−1)、
CTE(B):熱伝導性絶縁接着膜の線膨張係数(℃−1)、
CTE(C):熱発生部材の熱伝導性絶縁接着膜と接する面の材質の線膨張係数(℃−1)、
L(BA):熱伝導性絶縁接着膜の放熱ベース基板と接する領域の初期の最大一軸方向長さ(m)、
L(BC):熱伝導性絶縁接着膜の熱発生部材と接する領域の初期の最大一軸方向長さ(m)。
X≧E×(|CTE(B)−CTE(A)|×ΔT)…(1−A)
X≧E×(|CTE(B)−CTE(C)|×ΔT)…(2−A)
線膨張係数は1℃あたりの膨張の程度を表す指標であるから、互いに隣り合う部材の材質の線膨張係数差の絶対値に対して温度変化ΔTを乗すれば、温度変化ΔTにおける互いに隣り合う部材の材質の膨張の程度の差が表される。これに熱伝導性絶縁接着膜の弾性率を乗すことで、熱応力が表される。この値に対して、熱伝導性絶縁接着膜のせん断接着力が同一以上であれば、熱応力に対して熱伝導性絶縁接着膜のせん断接着力が充分に高いと言える。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧ΔT…(1−B)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧ΔT…(2−B)
本発明の複合部材においては、ΔTが50℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは150℃以上、特に好ましくは200℃以上の条件において、上記式(1−B)、(2−B)を充足することができる。
Y≧|CTE(B)−CTE(A)|×ΔT/L(BA)…(3−A)
Y≧|CTE(B)−CTE(C)|×ΔT/L(BC)…(4−A)
線膨張係数は1℃あたりの膨張の程度を表す指標であるから、互いに隣り合う部材の材質の線膨張係数差の絶対値に対して温度変化ΔTを乗すれば、温度変化ΔTにおける互いに隣り合う部材の材質の膨張の程度の差が表される。これを熱伝導性絶縁接着膜の隣接部材との初期接触長さで除すことで、温度変化ΔTにおける互いに隣り合う部材の材質の膨張の程度を単位長さ当たりに換算することができる。この値に対して、熱伝導性絶縁接着膜の破断伸度が同一以上であれば、ひずみ長さに対して熱伝導性絶縁接着膜の破断伸度が充分に高いと言える。
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧ΔT…(3−B)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧ΔT…(4−B)
本発明の複合部材においては、ΔTが50℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは150℃以上、特に好ましくは200℃以上の条件において、上記式(3−B)、(4−B)を充足することができる。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧50…(1−0)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧50…(2−0)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧50…(3−0)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧50…(4−0)
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧100…(1−1)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧100…(2−1)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧100…(3−1)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧100…(4−1)
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧150…(1−2)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧150…(2−2)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧150…(3−2)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧150…(4−2)
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧200…(1−3)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧200…(2−3)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧200…(3−3)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧200…(4−3)
熱伝導率はまた、試料中を熱が伝導する速度を表す熱拡散率(mm2/s)と、試料の比熱容量(J/(g・K))と、密度(g/cm3)とから、下記式で求めることができる。
熱伝導率(W/m・K)=熱拡散率(mm2/s)×比熱容量(J/(g・K))×密度(g/cm3)
熱拡散率の測定方法としては例えば、周期加熱法、ホットディスク法、温度波分析法、およびフラッシュ法等が挙げられる。例えば、フラッシュ法であれば、キセノンフラッシュアナライザーLFA447 NanoFlash(NETZSCH社製)を用いて熱拡散率を測定することができる。
放熱ベース基板は、ヒートシンク等の放熱部材のベース基板である。
放熱ベース基板の材質としては一般的に金属および/またはセラミックスが使用される。例えば、アルミニウム、銅、鉄、タングステン、モリブデン、マグネシウム、銅―タングステン合金、銅―モリブデン合金、銅―タングステンーモリブデン合金、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、および窒化ケイ素等が挙げられる。これらは1種または2種以上用いることができる。
本明細書において、Raは算術平均粗さであり、JIS B0601 2001に準じて測定することができる。
熱発生部材は、熱を発生し得る熱発生部を含む。熱発生部材としては、集積回路、ICチップ、ハイブリッドパッケージ等の半導体パッケージ、マルチモジュール等の半導体モジュール、パワートランジスタ、パワー半導体素子、パワー半導体素子を含むパワーカード、面抵抗器、および熱電変換モジュール等の各種電子部品;建材;車両、航空機、および船舶等の部材等が挙げられる。
パワーカード等のパワー半導体モジュールは、少なくとも表面(パワー半導体素子の実装面)が導電性を有する基板上に半田等の接合剤を介して1つまたは複数のパワー半導体素子が実装され、好ましくはエポキシ樹脂等の封止材で封止されたものである。パワーカード等のパワー半導体モジュールでは、パワー半導体素子が熱発生部である。パワーカード等のパワー半導体モジュールでは、その片面または両面に、熱伝導性絶縁接着膜を介して放熱ベース基板を接着することができる。この場合、熱発生部材の熱伝導性絶縁接着膜と接する部材は、少なくとも表面が導電性を有する基板、および/または、エポキシ樹脂等の封止材である。
熱伝導性絶縁接着膜は、熱伝導性および絶縁性を有し、放熱ベース基板と熱発生部材とを良好に接着できるものであればよい。高熱伝導性を発現できることから、熱伝導性絶縁接着膜は、熱伝導性絶縁フィラーとバインダー樹脂とを含むことが好ましい。
熱伝導性絶縁フィラーの形態は特に制限されず、一次粒子、一次粒子を造粒した造粒体、これらの凝集体、およびこれらの組合せが挙げられる。
球形度、熱伝導性、および絶縁性の観点から、熱伝導性球状フィラーは、アルミナおよび窒化アルミニウムからなる群より選ばれることが好ましい。
例えば、バインダー樹脂がカルボキシ基、アミノ基、およびフェノール性水酸基等の反応基を有する場合、この反応基と反応し得る硬化剤として、2官能以上のエポキシ基含有化合物、2官能以上のイソシアネート基含有化合物、2官能以上のカルボジイミド基含有化合物、2官能以上の金属キレート化合物、2官能以上の金属アルコキシド化合物、および2官能以上の金属アシレート化合物等を好ましく用いることができる。
なお、本明細書では、相互に反応し得る官能基を有する複数種の熱硬化性樹脂を用いる場合、量的に多い方を主剤、少ない方を硬化剤と称すこともある。
熱伝導性絶縁フィラー、バインダー樹脂、溶剤、および必要に応じて他の任意成分を含有する塗液を調製し、これを剥離性シート上に塗工した後、溶剤を揮発乾燥させることで、剥離性シート付きの熱伝導性絶縁シートを得ることができる。なお、熱伝導性絶縁シートを使用する際に、剥離性シートは剥離される。
図面を参照して、本発明に係る第1〜第5実施形態の複合部材の構造について、説明する。図1〜図5は模式断面図であり、同じ構成要素には同じ参照符号を付してある。
図2に示す第2実施形態の複合部材2は、パワー半導体素子等の熱発生部材10の両面に熱伝導性絶縁接着膜20を介して放熱ベース基板30が接着されたものである。
複合部材1、2では、熱発生部材10のほぼ全体が熱発生部である。
図3に示す第3実施形態の複合部材3は、上記のパワー半導体モジュール50の片面(基板51の非実装面)に熱伝導性絶縁接着膜20を介して放熱ベース基板30が接着されたものである。図3に示す例では、基板51側に熱伝導性絶縁接着膜20と放熱ベース基板30とを配置しているが、封止材54側にこれらを配置してもよい。
図4に示す第4実施形態の複合部材4は、上記のパワー半導体モジュール50の両面に熱伝導性絶縁接着膜20を介して放熱ベース基板30が接着されたものである。
図5に示す第5実施形態の複合部材5は、上記のパワー半導体モジュール60の両面に熱伝導性絶縁接着膜20を介して放熱ベース基板30が接着されたものである。
図1〜図5に示す複合部材は、適宜設計変更が可能である。
(線膨張係数)
金属等の線膨張係数が公知である材料については、文献値を用いた。熱伝導性絶縁接着膜等の線膨張係数が未知の材料については、下記手法により線膨張係数を求めた。
幅4mm、長さ20mmの短冊状の試料に対して、TAインスツルメント社製TMA Q400を用い、5gの荷重で−40℃から180℃まで昇温速度10℃/分の条件で加熱負荷をかけたときの変位を測定した。線膨張係数は、試料温度を横軸に変位を縦軸に取ってプロットした際の−40〜150℃の間の傾きの平均により求めた。
熱伝導性絶縁接着膜形成用の熱伝導性絶縁シートを2枚の剥離性シートで挟み、複合部材のテストピース製造と同じ加熱加圧条件(150℃で60分間、3MPaの加熱加圧条件、または150℃で60分間、1MPaの加熱加圧条件)で熱プレスした後、2枚の剥離性シートを剥がして、熱伝導性絶縁接着膜単体を得た。この熱伝導性絶縁接着膜単体から幅10mm長さ50mmの短冊状の試料を切り出した。オリエンテック社製テンシロンRTE−1210を用い、一対のチャックで試料の両端部を把持し、25℃−50%RHの雰囲気下、引張強度2mm/分の条件で測定を実施した。試験開始時の一対のチャック間距離は25mmとした。
得られた測定値を用い、JIS−K7161:1994に準拠して、弾性率を算出した。また、試料が破断したときの長さを求め、下記式より破断伸度を求めた。なお、初期長さは25mm(試験開始時の一対のチャック間距離)である。
破断伸度(−)=((破断したときの長さ)−(初期長さ))/(初期長さ)
(平均粒子径)
フィラーの平均粒子径は、Malvern Instruments社製粒度分布計マスターサイザー2000を用いて測定した。測定の際には乾式ユニットを用い、空気圧は2.5バールとした。フィード速度はサンプルにより最適化した。
(固形分量)
薄型蓋付き金属容器内に樹脂溶液1gを量り採り、200℃のオーブンで20分間加熱した後の残質量を測定し、次式により固形分量を求めた。
固形分量(質量%)=(残質量(g)/1g)×100
東ソー製GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー)「HLC8220GPC」を用いて、Mwを測定した。GPCは、溶媒(THF;テトラヒドロフラン)に溶解した物質を分子サイズの差によって分離定量する液体クロマトグラフィーである。
カラムとして、2本の「TOSOH TSKgel Super HZM-N」(東ソー社製)を直列に接続したものを用い、試料濃度0.1質量%、流量0.34ml/min、圧力7.4MPa、カラム温度40℃の条件で、測定を実施して、ポリスチレン換算のMwを求めた。装置内蔵ソフトを使用して、検量線の作成、分子量およびピーク面積の算出を行い、保持時間5〜9.85分の範囲を分析対象としてMwを求めた。
樹脂溶液10gをガラス製のスクリュー管に入れ、これを25℃の恒温槽内に一晩静置した後、B型粘度計(東機産業社製 TVB−15)を用い、ロータNo.4、回転数30rpmの条件で、粘度を測定した。
用いた熱伝導性絶縁フィラーは、以下の通りである。
(熱伝導性球状フィラー)
AO509:平均粒子径10μmの球状アルミナ((株)アドマテックス製アドマファインAO−509)、
CB−A20S:平均粒子径20μmの球状アルミナ(昭和電工株式会社製アルナビーズCB−A20S)、
DAW−45:平均粒子径45μmの球状アルミナ(デンカ株式会社製DAW−45)、A30:平均粒子径30μmの球状アルミナ(昭和電工株式会社製アルナビーズCB−A30S)
(窒化ホウ素フィラー)
PTX60:平均粒子径55〜65μmの造粒窒化ホウ素フィラー(モメンティブ株式会社製PTX−60)、
PTX25:平均粒子径25μmの造粒窒化ホウ素フィラー(モメンティブ株式会社PTX−25)、
agg100:平均粒子径65〜85μmの造粒窒化ホウ素フィラー(スリーエムジャパン株式会社製、Agglomerates100)、
agg50:平均粒子径15〜30μmの造粒窒化ホウ素フィラー(スリーエムジャパン株式会社製、Agglomerates50)。
攪拌機、温度計、還流冷却器、滴下装置、および窒素導入管を備えた反応容器に、テレフタル酸とアジピン酸と3−メチル−1,5−ペンタンジオールとから得られたポリエステルポリオール((株)クラレ製「クラレポリオールP−1011」、Mn=1006)401.9部、ジメチロールブタン酸12.7部、イソホロンジイソシアネート151.0部、およびトルエン40部を仕込み、窒素雰囲気下90℃3時間反応させた。これにトルエン300部を加えてイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー溶液を得た。
次に、イソホロンジアミン27.8部、ジ−n−ブチルアミン3.2部、2−プロパノール342.0部、およびトルエン396.0部を混合した溶液に、得られたイソシアネート基を有するウレタンプレポリマー溶液815.1部を添加し、70℃3時間反応させた。反応終了後に、トルエン144.0部および2−プロパノール72.0部の混合溶剤を用いて希釈した。以上のようにして、固形分量30質量%、Mw120,000、粘度3,000mPa・sの熱硬化性のポリウレタンポリウレア樹脂(樹脂R1)の溶液を得た。
撹拌機、水分定量受器を付けた還流冷却管、窒素導入管、および温度計を備えた4口フラスコに、炭素数36の多塩基酸化合物としてプリポール1009(クローダジャパン株式会社製)を70.78部、フェノール性水酸基を有する多塩基酸化合物として5−ヒドロキシイソフタル酸(スガイ化学社製、以下「5−HIPA」ともいう)を5.24部、炭素数36のポリアミン化合物としてプリアミン1074(クローダジャパン株式会社製)を82.84部、トルエンを4.74部仕込んだ。これらの混合物を撹拌しながら、水の流出を確認しつつ、温度を220℃まで昇温し、脱水反応を続けた。1時間ごとにサンプリングを行い、Mwが40,000になったことを確認し、充分に冷却した後、シクロヘキサノン40部、トルエン91.34部、およびイソプロピルアルコール96.12部を希釈溶剤として加え、充分に溶解させた。以上のようにして、固形分量40.2質量%、Mw41,038、粘度9,580mPa・sのフェノール性水酸基含有ポリアミド樹脂(樹脂R2)の溶液を得た。
撹拌機、水分定量受器を付けた還流冷却管、窒素導入管、温度計を備えた4口フラスコに、炭素数36の多塩基酸化合物としてプリポール1009(クローダジャパン株式会社製)を70.99部、フェノール性水酸基を有する多塩基酸化合物として5−ヒドロキシイソフタル酸(5−HIPA)を5.24部、炭素数36のポリアミン化合物としてプリアミン1074(クローダジャパン株式会社製)を83.77部、キシレンを4.2部仕込み、撹拌しながら、水の流出を確認しつつ、温度を220℃まで昇温し、脱水反応を続けた。1時間ごとにサンプリングを行い、Mwが45,000になったことを確認し、充分に冷却した後、トルエン112.5部およびイソプロピルアルコール112.5部を希釈溶剤として加え、75℃で充分に溶解させた。以上のようにして、固形分量40.5質量%、Mw45,251、粘度22,750mPa・sのフェノール性水酸基含有ポリアミド樹脂(樹脂R3)の溶液を得た。
樹脂R1と、アルミナフィラーとしてCB−A20Sと、窒化ホウ素フィラーとしてPTX60とを混合した。配合割合は、樹脂R1を40体積%、CB−A20Sを45体積%、PTX60を15体積%とした。さらに、硬化剤としてエピコート1001の50%トルエン溶液(ジャパンエポキシレジン(株)製)を、固形分換算として樹脂に対して2%となるように添加し、全体の固形分が50%となるようにトルエンで調整した。次いで、得られた塗液を乾燥後の膜厚が50μmとなるように剥離性シート上に塗工し、乾燥させた。このようにして、剥離性シート上に2種の熱伝導性絶縁フィラーと未硬化のバインダー樹脂とを含むシート(A’−1)を得た。これを2セット用意した。
樹脂R1を樹脂R2に変更し、硬化剤をTETRAD−X(三菱瓦斯化学株式会社製、5%トルエン溶液)に変更した以外は製造例1のシート(A’−1)と同様にして、剥離性シート上にシート(A’−2)を形成した。
樹脂R1を樹脂R2に変更し、硬化剤をTETRAD−X(三菱瓦斯化学株式会社製、5%トルエン溶液)に変更した以外は製造例1のシート(B’−1)と同様にして、剥離性シート上にシート(B’−2)を形成した。
製造例1と同様の方法にて、剥離性シート/シート(A’−2)/シート(B’−2)/シート(A’−2)/剥離性シートの積層体を得、ロールラミネートし、2枚の剥離性シートを剥がして、熱伝導性絶縁接着膜形成用の3層構造の熱伝導性絶縁シート(S−2)を得た。
樹脂R2の添加量を45体積%とし、アルミナフィラーとして45体積%のAO509を用い、窒化ホウ素フィラーとして10体積%のagg100を用いた以外は製造例2のシート(A’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(A’−3)を形成した。
樹脂R2の添加量を45体積%とし、アルミナフィラーとしてA30を用い、PTX60の添加量を45体積%とした以外は製造例2のシート(B’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(B’−3)を形成した。
製造例2と同様の方法にて、剥離性シート/シート(A’−3)/シート(B’−3)/シート(A’−3)/剥離性シートの積層体を得、ロールラミネートし、2枚の剥離性シートを剥がして、熱伝導性絶縁接着膜形成用の3層構造の熱伝導性絶縁シート(S−3)を得た。
硬化剤の添加量を固形分換算で樹脂に対して10質量%に変更した以外は製造例2のシート(A’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(A’−4)を形成した。
硬化剤の添加量を固形分換算で樹脂に対して10質量%に変更した以外は製造例2のシート(B’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(B’−4)を形成した。
製造例2と同様の方法にて、剥離性シート/シート(A’−4)/シート(B’−4)/シート(A’−4)/剥離性シートの積層体を得、ロールラミネートし、2枚の剥離性シートを剥がして、熱伝導性絶縁接着膜形成用の3層構造の熱伝導性絶縁シート(S−2)を得た。
樹脂R2を樹脂R3に変更し、硬化剤の添加量を固形分換算で樹脂に対して10質量%に変更した以外は製造例2のシート(A’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(A’−5)を形成した。
樹脂R2を樹脂R3に変更し、硬化剤の添加量を固形分換算で樹脂に対して10質量%に変更した以外は製造例2のシート(B’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(B’−5)を形成した。
製造例2と同様の方法にて、剥離性シート/シート(A’−5)/シート(B’−5)/シート(A’−5)/剥離性シートの積層体を得、ロールラミネートし、2枚の剥離性シートを剥がして、熱伝導性絶縁接着膜形成用の3層構造の熱伝導性絶縁シート(S−5)を得た。
樹脂R1とアルミナフィラーとしてAO509とを混合した。配合割合は、樹脂R1を30体積%、アルミナフィラーを70体積%とした。さらに、硬化剤としてエピコート1001の50%トルエン溶液(ジャパンエポキシレジン(株)製)を、固形分換算として樹脂に対して2%となるように添加し、全体の固形分が50%となるようにトルエンで調整した。次いで、得られた塗液を乾燥後の膜厚が100μmとなるように剥離性シート上に塗工し、乾燥させた。このようにして、剥離性シート上に、1種の熱伝導性絶縁フィラーと未硬化のバインダー樹脂とを含む単層構造の熱伝導性絶縁シート(S−6)を形成した。
樹脂R1の添加量を55体積%、アルミナフィラーの添加量を45体積%に変更した以外は製造例6と同様にして、剥離性シート上に、1種の熱伝導性絶縁フィラーと未硬化のバインダー樹脂とを含む単層構造の熱伝導性絶縁シート(S−7)を形成した。
樹脂として25体積%の樹脂R2を用い、アルミナフィラーの代わりに75体積%の窒化ホウ素フィラーPTX25を用いた以外は、製造例6と同様にして、剥離性シート上に、1種の熱伝導性絶縁フィラーと未硬化のバインダー樹脂とを含む単層構造の熱伝導性絶縁シート(S−8)を形成した。
樹脂R2の添加量を45体積%とし、アルミナフィラーとして35体積%のAO509を用い、窒化ホウ素フィラーとして20体積%のagg50を用いた以外は製造例2のシート(A’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(A’−9)を形成した。
樹脂R2の添加量を50体積%とし、アルミナフィラーを用いず、PTX60の添加量を50体積%とした以外は製造例2のシート(B’−2)と同様にして、剥離性シート上にシート(B’−9)を形成した。
製造例2と同様の方法にて、剥離性シート/シート(A’−9)/シート(B’−9)/シート(A’−9)/剥離性シートの積層体を得、ロールラミネートし、2枚の剥離性シートを剥がして、熱伝導性絶縁接着膜形成用の3層構造の熱伝導性絶縁シート(S−9)を得た。
樹脂R1を、エポキシ基含有スチレン樹脂G−1010S(日油株式会社製)/結晶性ビフェニル骨格エポキシ樹脂YX−4000(三菱化学株式会社製)/ビスフェノールA型液状エポキシ樹脂エピコート828US(三菱化学株式会社製)(質量比:35/50/5)の混合樹脂R4に変更し、硬化剤として、ジシアンジアミドと2MZA−PW(四国化成株式会社製)の混合物(質量比:60/40)を、固形分換算で樹脂に対して2質量%使用した以外は製造例6と同様にして、剥離性シート上に、1種の熱伝導性絶縁フィラーと未硬化のバインダー樹脂とを含む単層構造の熱伝導性絶縁シート(S−11)を形成した。
硬化剤の添加量を固形分換算で樹脂に対して5%に変更した以外は、製造例10と同様にして、剥離性シート上に、1種の熱伝導性絶縁フィラーと未硬化のバインダー樹脂とを含む単層構造の熱伝導性絶縁シート(S−12)を形成した。
実施例1〜11、比較例1、2の各例においては、表1に示す材質および線膨張係数の放熱ベース基板(幅25mm、長さ100mm、厚み2mm)と、表1に示す熱伝導性絶縁シートと、表1に示す材質および線膨張係数の熱発生部材の熱伝導性絶縁接着膜と接する部材(幅25mm、長さ100mm、厚み2mm)とを重ね、表1に示す加熱加圧条件で熱プレスを行って、複合部材のテストピースを得た。熱伝導性絶縁接着シートの上下の部材に挟まれた部分の大きさは、幅25mm、長さ40mmとした。この「長さ40mm」が初期の最大一軸方向長さである。
熱伝導性絶縁接着膜の形成に用いた熱伝導性絶縁シートを用い、表1に示す加熱加圧条件で熱プレスを行って、得られた熱伝導性絶縁接着膜単体の破断伸度と線膨張係数の評価結果を表1に示す。その他の主な製造条件を表1に示す。
得られたテストピースについて、下記方法にてせん断接着力の評価と初期の絶縁破壊電圧(耐電圧)の評価を実施した。
次いで、エスペック株式会社製冷熱衝撃装置TSE−12−Aを用い、−40℃で15分間保持した後150℃で15分間保持する冷熱サイクルを3000サイクル実施した。この冷熱サイクル試験後に再度、下記方法にて絶縁破壊電圧(耐電圧)の評価を実施した。
(せん断接着力)
せん断接着力は、JIS K 6850に準拠して測定した。
複合部材のテストピースに対して、島津製作所社製SHIMADZU/Autogragh AGS−Xを用い、25℃にて引張り速度1mm/分の条件でせん断力を測定した。測定は2回行い、平均値をせん断接着力とした。
冷熱サイクル試験前(初期)と冷熱サイクル試験後に、以下の方法にて絶縁破壊電圧の測定を行った。
複合部材のテストピースを25℃−50%RHの環境下で一晩放置した後、絶縁破壊電圧の測定を行った。耐電圧試験機(鶴賀電機株式会社製TM650)を用い、放熱ベース基板と熱発生部材の熱伝導性絶縁接着膜と接する部材とにそれぞれ電極を取り付け、25℃−50%RHの環境下で、100秒間かけて電圧を0kVから10kVまで上昇させ、閾値2mAを超えた時点の電圧を読み取った。4つの試料で測定を行い、平均値を絶縁破壊電圧とした。以下の基準で評価した。
◎:絶縁破壊電圧が6kV以上。
○:絶縁破壊電圧が3kV以上6kV未満。
△:絶縁破壊電圧が0kV超3kV未満。
×:電圧印加直後に絶縁破壊が起こり、測定不可。
実施例1〜11、比較例1、2の各例において、式(1−B)〜(4−B)の左辺の値と評価結果を表2に示す。
実施例1〜11では、バインダー樹脂の種類、バインダー樹脂の分子量、硬化剤の割合、熱伝導性絶縁フィラーの種類および量等の熱伝導性絶縁シートの組成、並びに、熱伝導性絶縁シートの加熱加圧条件を調整することで、式(1−B)〜(4−B)の左辺の値をいずれも50以上、好ましくは100以上、より好ましくは150以上、特に好ましくは200以上とすることができた。実施例1〜11では、式(1−0)〜(4−0)、好ましくは式(1−1)〜(4−1)、より好ましくは式(1−2)〜(4−2)、特に好ましくは式(1−3)〜(4−3)を充足する複合部材のテストピースを製造することができた。
上記のことから、実施例1〜11で得られた複合部材のテストピースは、50℃以上、好ましくは100℃以上、より好ましくは150℃以上、特に好ましくは200℃以上の温度変化ΔTに対して良好な耐久性を有することができると考えられる。実際の評価において、実施例1〜11で得られた複合部材のテストピースはいずれも、初期の絶縁破壊電圧が高く良好であり、−40℃と150℃との間で温度を変化させた冷熱サイクル試験を実施した後においても絶縁破壊電圧の低下が小さく、耐久性が良好であった。
10 熱発生部材
20 熱伝導性絶縁接着膜
30 放熱ベース基板
50、60 パワー半導体モジュール(熱発生部材)
51、61、65 基板
52、62、64 半田層
53、63 パワー半導体素子(熱発生部)
54、66 封止材
Claims (9)
- 熱を発生し得る熱発生部を含む熱発生部材の少なくとも1つの面に、熱伝導性絶縁接着膜を介して放熱ベース基板が接着された複合部材であって、
下記式(1−0)〜(4−0)を充足するものであり、
前記熱伝導性絶縁接着膜は、−40℃以上25℃未満の範囲における弾性率が10GPa以下であり、25℃以上200℃以下の範囲における弾性率が1GPa以下である、複合部材。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧50…(1−0)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧50…(2−0)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧50…(3−0)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧50…(4−0)
上記式中、各符号は以下のパラメータを示す。
X:熱伝導性絶縁接着膜を介して接着された放熱ベース基板と熱発生部材との間の25℃におけるせん断接着力(MPa)、
Y:熱伝導性絶縁接着膜の25℃における破断伸度(−)、
E:熱伝導性絶縁接着膜の25℃における弾性率(MPa)、
CTE(A):放熱ベース基板の線膨張係数(℃−1)、
CTE(B):熱伝導性絶縁接着膜の線膨張係数(℃−1)、
CTE(C):熱発生部材の熱伝導性絶縁接着膜と接する面の材質の線膨張係数(℃−1)、
L(BA):熱伝導性絶縁接着膜の放熱ベース基板と接する領域の初期の最大一軸方向長さ(m)、
L(BC):熱伝導性絶縁接着膜の熱発生部材と接する領域の初期の最大一軸方向長さ(m)。 - 下記式(1−1)〜(4−1)を充足する、請求項1に記載の複合部材。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧100…(1−1)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧100…(2−1)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧100…(3−1)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧100…(4−1) - 下記式(1−2)〜(4−2)を充足する、請求項1に記載の複合部材。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧150…(1−2)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧150…(2−2)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧150…(3−2)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧150…(4−2) - 下記式(1−3)〜(4−3)を充足する、請求項1に記載の複合部材。
X/(E×|CTE(B)−CTE(A)|)≧200…(1−3)
X/(E×|CTE(B)−CTE(C)|)≧200…(2−3)
Y/|CTE(B)−CTE(A)|×L(BA)≧200…(3−3)
Y/|CTE(B)−CTE(C)|×L(BC)≧200…(4−3) - 前記熱伝導性絶縁接着膜が熱伝導性絶縁フィラーとバインダー樹脂とを含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の複合部材。
- 前記放熱ベース基板の材質が金属であり、前記熱発生部材の前記熱伝導性絶縁接着膜と接する面の材質が金属および/または樹脂である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の複合部材。
- 前記熱伝導性絶縁接着膜の線膨張係数が10×10−6〜120×10−6(℃−1)である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の複合部材。
- 前記熱伝導性絶縁接着膜の25℃における破断伸度が0.02(−)以上である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複合部材。
- 前記熱発生部材がパワー半導体素子を含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の複合部材。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017156413 | 2017-08-14 | ||
JP2017156413 | 2017-08-14 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018189595A Division JP2019041111A (ja) | 2017-08-14 | 2018-10-05 | 複合部材 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6418348B1 true JP6418348B1 (ja) | 2018-11-07 |
JP2019036716A JP2019036716A (ja) | 2019-03-07 |
Family
ID=64098791
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018130155A Active JP6418348B1 (ja) | 2017-08-14 | 2018-07-09 | 複合部材 |
JP2018189595A Pending JP2019041111A (ja) | 2017-08-14 | 2018-10-05 | 複合部材 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018189595A Pending JP2019041111A (ja) | 2017-08-14 | 2018-10-05 | 複合部材 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11407201B2 (ja) |
EP (1) | EP3671827A4 (ja) |
JP (2) | JP6418348B1 (ja) |
KR (1) | KR102535298B1 (ja) |
CN (1) | CN111052358B (ja) |
TW (1) | TWI759506B (ja) |
WO (1) | WO2019035445A1 (ja) |
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TWI721598B (zh) * | 2019-10-14 | 2021-03-11 | 國立高雄科技大學 | 複合絕緣材料及其製備方法 |
JP7363613B2 (ja) | 2020-03-13 | 2023-10-18 | 三菱マテリアル株式会社 | ヒートシンク一体型絶縁回路基板 |
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JP2017156413A (ja) | 2016-02-29 | 2017-09-07 | 株式会社巴川製紙所 | 光ファイバ保持シート |
-
2018
- 2018-07-09 TW TW107123705A patent/TWI759506B/zh active
- 2018-07-09 JP JP2018130155A patent/JP6418348B1/ja active Active
- 2018-08-13 EP EP18845778.2A patent/EP3671827A4/en active Pending
- 2018-08-13 WO PCT/JP2018/030208 patent/WO2019035445A1/ja unknown
- 2018-08-13 KR KR1020207005996A patent/KR102535298B1/ko active IP Right Grant
- 2018-08-13 US US16/638,752 patent/US11407201B2/en active Active
- 2018-08-13 CN CN201880052316.1A patent/CN111052358B/zh active Active
- 2018-10-05 JP JP2018189595A patent/JP2019041111A/ja active Pending
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JP7524581B2 (ja) | 2020-03-31 | 2024-07-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 銅ベース基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2019036716A (ja) | 2019-03-07 |
JP2019041111A (ja) | 2019-03-14 |
TWI759506B (zh) | 2022-04-01 |
CN111052358B (zh) | 2023-07-18 |
KR20200040787A (ko) | 2020-04-20 |
EP3671827A4 (en) | 2021-05-19 |
TW201910136A (zh) | 2019-03-16 |
KR102535298B1 (ko) | 2023-05-22 |
US20210129489A1 (en) | 2021-05-06 |
US11407201B2 (en) | 2022-08-09 |
WO2019035445A1 (ja) | 2019-02-21 |
EP3671827A1 (en) | 2020-06-24 |
CN111052358A (zh) | 2020-04-21 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180801 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180924 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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