JP6414213B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス - Google Patents

Description

本発明は、電荷輸送性ワニスに関し、さらに詳述すると、ノニオン系含フッ素界面活性剤を含む電荷輸送性ワニスに関する。

有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子は、ディスプレイや照明といった分野での実用化が期待されており、低電圧駆動、高輝度、高寿命等を目的とし、材料や素子構造に関する様々な開発がなされている。
有機ＥＬ素子においては複数の機能性薄膜が用いられるが、その中の１つである正孔注入層は、陽極と正孔輸送層または発光層との電荷の授受を担い、有機ＥＬ素子の低電圧駆動および高輝度を達成するために重要な機能を果たす。

この正孔注入層の形成方法は、蒸着法に代表されるドライプロセスとスピンコート法に代表されるウェットプロセスとに大別されるが、これらのプロセスを比べると、ウェットプロセスの方が大面積に平坦性の高い薄膜を効率的に製造できることから、特にディスプレイの分野においてはウェットプロセスがよく用いられる。

このような状況下、本発明者らは、アニリン誘導体を電荷輸送性物質として含む電荷輸送性ワニスを種々開発してきている（特許文献１〜４参照）が、正孔注入層用のウェットプロセス材料に関しては常に改善が求められており、特に、有機ＥＬ素子の輝度特性や寿命特性の向上に寄与し得ることから、平坦性に優れる電荷輸送性薄膜を与える材料への要望はますます高まっている。

国際公開第２００６／０２５３４２号 国際公開第２００８／０３２６１６号 国際公開第２０１０／０５８７７７号 国際公開第２０１３／０４２６２３号

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、平坦性の良好な電荷輸送性薄膜を与える電荷輸送性ワニスを提供することを目的とする。

本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、電荷輸送性物質と有機溶媒とを含む組成物中に、パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造およびアルキレンオキシド構造を有するノニオン系含フッ素界面活性剤を配合して調製された電荷輸送性ワニスを用いることで、得られる薄膜の平坦性、例えば、バンク付きピクセル基板に適用した場合におけるピクセル内の膜の平坦性等を向上し得ることを見出し、本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、
１． 電荷輸送性物質とノニオン系含フッ素界面活性剤と有機溶媒とを含み、
前記ノニオン系含フッ素界面活性剤が、パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造と、アルキレンオキシド構造とを有することを特徴とする電荷輸送性ワニス、
２． 前記パーフルオロアルケニル基が、分岐鎖状パーフルオロアルケニル基である１の電荷輸送性ワニス、
３． 前記パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造が、式（１）〜（３）のいずれかで示される１または２の電荷輸送性ワニス、

４． 前記アルキレンオキシド構造が、−（Ａ⁰Ｏ）_n−（Ａ⁰は炭素数２〜１０のアルキレン基を表し、ｎは２〜５０の整数を表す。）で表される基を含む１〜３のいずれかの電荷輸送性ワニス、
５． 前記アルキレンオキシド構造が、−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは前記と同じ。）で表される４の電荷輸送性ワニス、
６． さらにドーパント物質を含む１〜５のいずれかの電荷輸送性ワニス、
７． １〜６のいずれかの電荷輸送性ワニスを用いて作製される電荷輸送性薄膜、
８． ７の電荷輸送性薄膜を有する電子デバイス、
９． ７の電荷輸送性薄膜を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、
１０． 前記電荷輸送性薄膜が、正孔注入層を構成する９の有機エレクトロルミネッセンス素子、
１１． １〜６のいずれかの電荷輸送性ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする電荷輸送性薄膜の製造方法
を提供する。

本発明の電荷輸送性ワニスは、所定のノニオン系含フッ素界面活性剤を含んでいるため、当該ワニスを用いることで、例えば、バンク付きピクセル基板のピクセル内にも平坦性に優れた薄膜を形成できるなど、高平坦性薄膜の作製に適している。
また、本発明の電荷輸送性ワニスから得られた薄膜は、ノニオン系含フッ素界面活性剤を含むにもかかわらず、その表面の接触角は界面活性剤を含まない薄膜と大きな差異はない。
さらに、本発明の電荷輸送性薄膜は、絶縁材料であるノニオン系含フッ素界面活性剤を含むにもかかわらず、当該薄膜を備えた有機ＥＬ素子特性にも悪影響を及ぼさない。
したがって、本発明の電荷輸送性ワニスは、有機ＥＬ素子をはじめとした電子デバイスの薄膜作製に好適に用いることができ、特に、有機ＥＬ素子の正孔注入層の作製に適している。
また、本発明の電荷輸送性ワニスは、スピンコート法やスリットコート法など、大面積に成膜可能な各種ウェットプロセスを用いた場合でも、電荷輸送性に優れた薄膜を再現性よく製造できるため、近年の有機ＥＬ素子の分野における進展にも十分対応できる。

以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係る電荷輸送性ワニスは、電荷輸送性物質とノニオン系含フッ素界面活性剤と有機溶媒とを含み、ノニオン系含フッ素界面活性剤が、パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造と、アルキレンオキシド構造とを有するものである。

本発明で用いるノニオン系含フッ素界面活性剤が有するパーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造としては、特に限定されるものではなく、直鎖状、分岐鎖状のいずれでもよいが、本発明においては分岐鎖を含むものが好ましく、分岐鎖状のパーフルオロアルケニル基を含む構造がより好ましい。
またその炭素数としても特に限定されるものではないが、炭素数２〜２０程度が好ましく、炭素数５〜２０がより好ましく、炭素数５〜１５がより一層好ましい。
好適なパーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造としては、式（１）で示されるα−パーフルオロノネニル構造や、式（２），（３）で示される構造が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

一方、アルキレンオキシド構造としても特に限定されるものではないが、−（Ａ⁰Ｏ）_n−（Ａ⁰は炭素数２〜１０のアルキレン基を表し、ｎは２〜５０の整数を表す。）で表される基を含むアルキレンオキシド構造が好ましく、−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは上記と同じ。）で表されるエチレンオキシド基を含む構造がより好ましい。
炭素数２〜１０のアルキレン基としては、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、ヘプタメチレン基、オクタメチレン基、ノナメチレン基、デシメチレン基等が挙げられる。好ましくは炭素数２〜４のアルキレン基である。
また、アルキレンオキシド鎖は、一部が分岐していてもよく、またそのアルキレン鎖中にカルボニル基を有していてもよい。

パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造をＲ_fとすると、本発明で好適に用い得るノニオン系含フッ素界面活性剤としては、式（１）および（２）の構造については、式（Ａ１）または（Ａ２）で表されるものが挙げられ、式（３）の構造については、式（Ａ３）で表されるものなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
Ｒ_f−Ｏ−（Ａ⁰Ｏ）_n−Ｒ⁰ （Ａ１）
Ｒ_f−Ｏ−（Ａ⁰Ｏ）_n−Ｒ_f （Ａ２）
Ｒ⁰−（ＯＡ⁰）_n−Ｏ−Ｒ_f−Ｏ−（Ａ⁰Ｏ）_n−Ｒ⁰ （Ａ３）
（式中、Ｒ_fは、互いに独立してパーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造を、Ｒ⁰は、互いに独立して、水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基を表す。Ａ⁰およびｎは、上記と同じ意味を表す。）

炭素数１〜２０のアルキル基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状のいずれでもよく、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−デシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐鎖状アルキル基；シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ビシクロブチル基、ビシクロペンチル基、ビシクロヘキシル基、ビシクロヘプチル基、ビシクロオクチル基、ビシクロノニル基、ビシクロデシル基等の炭素数３〜２０の環状アルキル基などが挙げられる。

より好ましくは、Ｒｆ−Ｏ−が式（１′）で表されるα−パーフルオロノネニルオキシ構造で、Ａ⁰がエチレン基のものであり、その具体例としては、α−パーフルオロノネニルオキシ−ω−メチルポリエチレンオキシド、α−パーフルオロノネニルオキシ−ω−ペルフルオロノネニルポリエチレンオキシド等が挙げられる。

なお、本発明で使用可能なノニオン系含フッ素界面活性剤は、例えば、特開２０１０−４７６８０号公報、特開２０１１−５７５８９号公報、特開２０１２−７２２８７号公報等に記載の方法で合成することができ、また、市販品としても入手可能である。
市販品の具体例としては、（株）ネオス製のノニオン系含フッ素界面活性剤であるフタージェントＭシリーズ（２５１、２１２Ｍ、２１５Ｍ、２５０（α−パーフルオロノネニルオキシ−ω−メチルポリエチレンオキシド））、同Ｆシリーズ（２０９Ｆ、２２２Ｆ、２４５Ｆ）、同Ｇシリーズ（２０８Ｇ、２１８ＧＬ、２４０Ｇ）、同Ｐ・Ｄシリーズ（２１２Ｐ、２２０Ｐ、２２８Ｐ、ＦＴＸ−２１８、ＤＦＸ−１８）、オリゴマーシリーズ（７１０ＦＬ、７１０ＦＭ、７１０ＦＳ、７３０ＦＬ、７３０ＬＭ）等が挙げられるが、中でもＭシリーズ、Ｆシリーズ、Ｇシリーズ、Ｐ・Ｄシリーズ（２１２Ｐ、２２０Ｐ、２２８Ｐ）、オリゴマーシリーズ（７１０ＦＬ、７１０ＦＭ、７１０ＦＳ）が好ましい。
本発明において、ノニオン系含フッ素界面活性剤は、１種単独で用いても、２種以上組み合わせて用いてもよい。

ノニオン系含フッ素界面活性剤の使用量は、所望の平坦化効果が発揮されるとともに、得られる薄膜の接触角や有機ＥＬ素子特性に悪影響を及ぼさない限り特に限定されるものではないが、電荷輸送性ワニス中に、０．００１〜１０質量％程度が好ましく、０．０１〜５質量％がより好ましく、０．０１〜２質量％がより一層好ましい。

本発明で用いる電荷輸送性物質としては、従来有機ＥＬ素子に用いられる電荷輸送性モノマー、電荷輸送性オリゴマーまたはポリマーであれば限定されるものではないが、電荷輸送性オリゴマーが好ましい。
電荷輸送性オリゴマーの具体例としては、アニリン誘導体、チオフェン誘導体、ピロール誘導体等の各種正孔輸送性物質が挙げられるが、中でも、アニリン誘導体、チオフェン誘導体が好ましく、アニリン誘導体がより好ましい。
また、電荷輸送性オリゴマーの分子量は、通常２００〜５，０００であるが、電荷輸送性の高い薄膜を与えるワニスを調製する観点から、好ましくは３００以上、より好ましくは４００以上、より一層好ましくは５００以上であり、平坦性の高い薄膜を与える均一なワニスを調製する観点から、好ましくは４，０００以下であり、より好ましくは３，０００以下であり、より一層好ましくは２，０００以下である。

アニリン誘導体の具体例としては、式（４）で表されるものが挙げられるが、これに限定されるものではない。

式（４）中、Ｘ¹は、−ＮＹ¹−、−Ｏ−、−Ｓ−、−（ＣＲ⁸Ｒ⁹）_L−、または単結合を表すが、ｍ１またはｍ２が０であるときは、−ＮＹ¹−を表す。
Ｙ¹は、互いに独立して、水素原子、Ｚ⁷で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ⁸で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

炭素数１〜２０のアルキル基の具体例としては、上記と同様のものが挙げられる。
炭素数２〜２０のアルケニル基の具体例としては、エテニル基、ｎ−１−プロペニル基、ｎ−２−プロペニル基、１−メチルエテニル基、ｎ−１−ブテニル基、ｎ−２−ブテニル基、ｎ−３−ブテニル基、２−メチル−１−プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、１−エチルエテニル基、１−メチル−１−プロペニル基、１−メチル−２−プロペニル基、ｎ−１−ペンテニル基、ｎ−１−デセニル基、ｎ−１−エイコセニル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のアルキニル基の具体例としては、エチニル基、ｎ−１−プロピニル基、ｎ−２−プロピニル基、ｎ−１−ブチニル基、ｎ−２−ブチニル基、ｎ−３−ブチニル基、１−メチル−２−プロピニル基、ｎ−１−ペンチニル基、ｎ−２−ペンチニル基、ｎ−３−ペンチニル基、ｎ−４−ペンチニル基、１−メチル−ｎ−ブチニル基、２−メチル−ｎ−ブチニル基、３−メチル−ｎ−ブチニル基、１，１−ジメチル−ｎ−プロピニル基、ｎ−１−ヘキシニル、ｎ−１−デシニル基、ｎ−１−ペンタデシニル基、ｎ−１−エイコシニル基等が挙げられる。

炭素数６〜２０のアリール基の具体例としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のヘテロアリール基の具体例としては、２−チエニル基、３−チエニル基、２−フラニル基、３−フラニル基、２−オキサゾリル基、４−オキサゾリル基、５−オキサゾリル基、３−イソオキサゾリル基、４−イソオキサゾリル基、５−イソオキサゾリル基、２−チアゾリル基、４−チアゾリル基、５−チアゾリル基、３−イソチアゾリル基、４−イソチアゾリル基、５−イソチアゾリル基、２−イミダゾリル基、４−イミダゾリル基、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基等が挙げられる。

Ｒ⁸およびＲ⁹は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ⁷で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ⁸で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、または−ＮＨＹ²、−ＮＹ³Ｙ⁴、−Ｃ（Ｏ）Ｙ⁵、−ＯＹ⁶、−ＳＹ⁷、−ＳＯ₃Ｙ⁸、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ⁹、−ＯＣ（Ｏ）Ｙ¹⁰、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＹ¹¹もしくはＣ（Ｏ）ＮＹ¹²Ｙ¹³基を表す。
Ｙ²〜Ｙ¹³は、互いに独立して、Ｚ⁷で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、またはＺ⁸で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基を表す。

Ｚ⁷は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、またはＺ⁹で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基である。
Ｚ⁸は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、またはＺ⁹で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基である。
Ｚ⁹は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、またはカルボン酸基である。

ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
その他、Ｒ⁷〜Ｒ⁸およびＹ²〜Ｙ¹³のアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。

これらの中でも、Ｒ⁸およびＲ⁹としては、水素原子またはＺ⁷で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子またはＺ⁷で置換されていてもよいメチル基がより好ましく、共に水素原子が最適である。

Ｌは、−（ＣＲ⁸Ｒ⁹）−で表される２価のアルキレン基の繰り返し単位数を表し、１〜２０の整数であるが、１〜１０が好ましく、１〜５がより好ましく、１〜２がより一層好ましく、１が最適である。
なお、Ｌが２以上である場合、複数のＲ⁸は、互いに同一であっても異なっていてもよく、複数のＲ⁹も、互いに同一であっても異なっていてもよい。

とりわけ、Ｘ¹としては、−ＮＹ¹−または単結合が好ましい。また、Ｙ¹としては、水素原子またはＺ⁷で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子またはＺ⁷で置換されていてもよいメチル基がより好ましく、水素原子が最適である。

Ｒ²〜Ｒ⁵は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アミノ基、アルデヒド基、水酸基、チオール基、スルホン酸基、カルボン酸基、Ｚ⁷で置換されていてもよい、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数２〜２０のアルケニル基もしくは炭素数２〜２０のアルキニル基、Ｚ⁸で置換されていてもよい、炭素数６〜２０のアリール基もしくは炭素数２〜２０のヘテロアリール基、または−ＮＨＹ²、−ＮＹ³Ｙ⁴、−Ｃ（Ｏ）Ｙ⁵、−ＯＹ⁶、−ＳＹ⁷、−ＳＯ₃Ｙ⁸、−Ｃ（Ｏ）ＯＹ⁹、−ＯＣ（Ｏ）Ｙ¹⁰、−Ｃ（Ｏ）ＮＨＹ¹¹もしくはＣ（Ｏ）ＮＹ¹²Ｙ¹³を表す（Ｙ²〜Ｙ¹³は、上記と同じ意味を表す。）。これらハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基およびヘテロアリール基としては、上記と同様のものが挙げられる。

特に、式（４）において、Ｒ²〜Ｒ⁵としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ⁷で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、またはＺ⁸で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基が好ましく、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基がより好ましく、全て水素原子が最適である。

また、Ｒ⁶およびＲ⁷としては、水素原子、ハロゲン原子、Ｚ⁷で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｚ⁸で置換されていてもよい炭素数６〜１４のアリール基、またはＺ⁸で置換されていてもよいジフェニルアミノ基（Ｙ³およびＹ⁴がＺ⁸で置換されていてもよいフェニル基である−ＮＹ³Ｙ⁴基）が好ましく、水素原子、フッ素原子、またはフッ素原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基がより好ましく、同時に水素原子またはジフェニルアミノ基がより一層好ましい。

そして、これらの中でも、Ｒ²〜Ｒ⁵が水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１〜１０のアルキル基、Ｒ⁶およびＲ⁷が水素原子、フッ素原子、フッ素原子で置換されていてもよいジフェニルアミノ基、Ｘ¹が−ＮＹ¹−または単結合、かつ、Ｙ¹が水素原子またはメチル基の組み合わせが好ましく、Ｒ²〜Ｒ⁵が水素原子、Ｒ⁶およびＲ⁷が同時に水素原子またはジフェニルアミノ基、Ｘ¹が−ＮＨ−または単結合の組み合わせがより好ましい。

式（４）において、ｍ１およびｍ２は、互いに独立して、０以上の整数を表し、１≦ｍ１＋ｍ２≦２０を満たすが、得られる薄膜の電荷輸送性とアニリン誘導体の溶解性とのバランスを考慮すると、２≦ｍ１＋ｍ２≦８を満たすことが好ましく、２≦ｍ１＋ｍ２≦６を満たすことがより好ましく、２≦ｍ１＋ｍ２≦４を満たすことがより一層好ましい。

特に、Ｙ¹〜Ｙ¹³およびＲ²〜Ｒ⁹において、置換基Ｚ⁷は、ハロゲン原子、またはＺ⁹で置換されていてもよい炭素数６〜２０のアリール基が好ましく、ハロゲン原子、またはＺ⁹で置換されていてもよいフェニル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
また、置換基Ｚ⁸は、ハロゲン原子、またはＺ⁹で置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、ハロゲン原子、またはＺ⁹で置換されていてもよい炭素数１〜４のアルキル基がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。
そして、Ｚ⁹は、ハロゲン原子が好ましく、フッ素原子がより好ましく、存在しないこと（すなわち、非置換であること）が最適である。

Ｙ¹〜Ｙ¹³およびＲ²〜Ｒ⁹では、アルキル基、アルケニル基およびアルキニル基の炭素数は、好ましくは１０以下であり、より好ましくは６以下であり、より一層好ましくは４以下である。
また、アリール基およびヘテロアリール基の炭素数は、好ましくは１４以下であり、より好ましくは１０以下であり、より一層好ましくは６以下である。

上記アニリン誘導体の分子量は、通常３００〜５，０００であるが、溶解性を高める観点から、好ましくは４，０００以下であり、より好ましくは３，０００以下であり、より一層好ましくは２，０００以下である。

なお、上記アニリン誘導体の合成法としては、特に限定されるものではないが、Bulletin of Chemical Society of Japan,67,pp.1749-1752,(1994)、Synthetic Metals,84,pp.119-120,(1997)、Thin Solid Films,520(24),pp.7157-7163,(2012)、国際公開第２００８／０３２６１７号、国際公開第２００８／０３２６１６号、国際公開第２００８／１２９９４７号、国際公開第２０１３／０８４６６４号等に記載の方法が挙げられる。

式（４）で表されるアニリン誘導体の具体例としては、フェニルジアニリン、フェニルトリアニリン、フェニルテトラアニリン、フェニルペンタアニリン、テトラアニリン（アニリン４量体）、オクタアニリン（アニリン８量体）、ヘキサデカアニリン（アニリン１６量体）や、下記式で表されるものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

（式中、ＤＰＡはジフェニルアミノ基を表す。）

（式中、Ｐｈは、フェニル基を表し、ＴＰＡは、ｐ−（ジフェニルアミノ）フェニル基を表す。）

本発明の電荷輸送性ワニスは、電荷輸送能向上等の目的で、必要に応じてドーパント物質を含んでいてもよい。
ドーパント物質としては、ワニスに使用する少なくとも一種の溶媒に溶解するものであれば特に限定されず、無機系のドーパント物質、有機系のドーパント物質のいずれも使用できる。

無機系のドーパント物質としては、塩化水素、硫酸、硝酸、リン酸等の無機酸；塩化アルミニウム（ＩＩＩ）（ＡｌＣｌ₃）、四塩化チタン（ＩＶ）（ＴｉＣｌ₄）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ₃）、三フッ化ホウ素エーテル錯体（ＢＦ₃・ＯＥｔ₂）、塩化鉄（ＩＩＩ）（ＦｅＣｌ₃）、塩化銅（ＩＩ）（ＣｕＣｌ₂）、五塩化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＣｌ₅）、五フッ化アンチモン（Ｖ）（ＳｂＦ₅）、五フッ化砒素（Ｖ）（ＡｓＦ₅）、五フッ化リン（ＰＦ₅）、トリス（４−ブロモフェニル）アルミニウムヘキサクロロアンチモナート（ＴＢＰＡＨ）等の金属ハロゲン化物；Ｃｌ₂、Ｂｒ₂、Ｉ₂、ＩＣｌ、ＩＣｌ₃、ＩＢｒ、ＩＦ₄等のハロゲン；リンモリブデン酸、リンタングステン酸等のヘテロポリ酸などが挙げられる。

有機系のドーパント物質としては、ベンゼンスルホン酸、トシル酸、ｐ−スチレンスルホン酸、２−ナフタレンスルホン酸、４−ヒドロキシベンゼンスルホン酸、５−スルホサリチル酸、ｐ−ドデシルベンゼンスルホン酸、ジヘキシルベンゼンスルホン酸、２，５−ジヘキシルベンゼンスルホン酸、ジブチルナフタレンスルホン酸、６，７−ジブチル−２−ナフタレンスルホン酸、ドデシルナフタレンスルホン酸、３−ドデシル−２−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、４−ヘキシル−１−ナフタレンスルホン酸、オクチルナフタレンスルホン酸、２−オクチル−１−ナフタレンスルホン酸、ヘキシルナフタレンスルホン酸、７−へキシル−１−ナフタレンスルホン酸、６−ヘキシル−２−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンスルホン酸、２，７−ジノニル−４−ナフタレンスルホン酸、ジノニルナフタレンジスルホン酸、２，７−ジノニル−４，５−ナフタレンジスルホン酸、国際公開第２００５／０００８３２号記載の１，４−ベンゾジオキサンジスルホン酸化合物、国際公開第２００６／０２５３４２号記載のアリールスルホン酸化合物、国際公開第２００９／０９６３５２号記載のアリールスルホン酸化合物、ポリスチレンスルホン酸等のアリールスルホン化合物；１０−カンファースルホン酸等の非アリールスルホン化合物；７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン（ＴＣＮＱ）、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノ−１，４−ベンゾキノン（ＤＤＱ）等の有機酸化剤が挙げられる。
これら無機系および有機系のドーパント物質は、１種類単独で用いてもよく、２種類以上組み合わせて用いてもよい。

これらのドーパント物質の中でもヘテロポリ酸が好適であり、ドーパント物質としてヘテロポリ酸を用いることで、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極からの高正孔受容能のみならず、アルミニウムに代表される金属陽極からの高正孔受容能を示す電荷輸送性に優れた薄膜を得ることができる。
ヘテロポリ酸とは、代表的に式（Ｂ１）で示されるＫｅｇｇｉｎ型あるいは式（Ｂ２）で示されるＤａｗｓｏｎ型の化学構造で示される、ヘテロ原子が分子の中心に位置する構造を有し、バナジウム（Ｖ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の酸素酸であるイソポリ酸と、異種元素の酸素酸とが縮合してなるポリ酸である。このような異種元素の酸素酸としては、主にケイ素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）の酸素酸が挙げられる。

ヘテロポリ酸の具体例としては、リンモリブデン酸、ケイモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸等が挙げられ、これらは単独で用いてもよく、２種以上組み合わせて用いてもよい。なお、本発明で用いるヘテロポリ酸は、市販品として入手可能であり、また、公知の方法により合成することもできる。
特に、ドーパント物質が１種類のヘテロポリ酸単独からなる場合、その１種類のヘテロポリ酸は、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸が最適である。また、ドーパント物質が２種類以上のヘテロポリ酸からなる場合、その２種類以上のヘテロポリ酸の１つは、リンタングステン酸またはリンモリブデン酸が好ましく、リンタングステン酸がより好ましい。
なお、ヘテロポリ酸は、元素分析等の定量分析において、一般式で示される構造から元素の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。
すなわち、例えば、一般的には、リンタングステン酸は化学式Ｈ₃（ＰＷ₁₂Ｏ₄₀）・ｎＨ₂Ｏで、リンモリブデン酸は化学式Ｈ₃（ＰＭｏ₁₂Ｏ₄₀）・ｎＨ₂Ｏでそれぞれ示されるが、定量分析において、この式中のＰ（リン）、Ｏ（酸素）またはＷ（タングステン）もしくはＭｏ（モリブデン）の数が多いもの、または少ないものであっても、それが市販品として入手したもの、あるいは、公知の合成方法にしたがって適切に合成したものである限り、本発明において用いることができる。この場合、本発明に規定されるヘテロポリ酸の質量とは、合成物や市販品中における純粋なリンタングステン酸の質量（リンタングステン酸含量）ではなく、市販品として入手可能な形態および公知の合成法にて単離可能な形態において、水和水やその他の不純物等を含んだ状態での全質量を意味する。

また、ドーパント物質としてアリールスルホン酸化合物も好適に使用できる。とりわけ、式（５）または（６）で表されるアリールスルホン酸化合物が好ましい。

Ａ¹は、ＯまたはＳを表すが、Ｏが好ましい。
Ａ²は、ナフタレン環またはアントラセン環を表すが、ナフタレン環が好ましい。
Ａ³は、２〜４価のパーフルオロビフェニル基を表し、ｐは、Ａ¹とＡ³との結合数を示し、２≦ｐ≦４を満たす整数であるが、Ａ³が２価のパーフルオロビフェニル基であり、かつ、ｐが２であることが好ましい。
ｑは、Ａ²に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｑ≦４を満たす整数であるが、２が最適である。

Ａ⁴〜Ａ⁸は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基、または炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基を表すが、Ａ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つは、ハロゲン原子である。

炭素数１〜２０のハロゲン化アルキル基としては、トリフルオロメチル基、２，２，２−トリフルオロエチル基、１，１，２，２，２−ペンタフルオロエチル基、３，３，３−トリフルオロプロピル基、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピル基、１，１，２，２，３，３，３−ヘプタフルオロプロピル基、４，４，４−トリフルオロブチル基、３，３，４，４，４−ペンタフルオロブチル基、２，２，３，３，４，４，４−ヘプタフルオロブチル基、１，１，２，２，３，３，４，４，４−ノナフルオロブチル基等が挙げられる。

炭素数２〜２０のハロゲン化アルケニル基としては、パーフルオロビニル基、パーフルオロプロペニル基（アリル基）、パーフルオロブテニル基等が挙げられる。
その他、ハロゲン原子、炭素数１〜２０のアルキル基の例としては上記と同様のものが挙げられるが、ハロゲン原子としては、フッ素原子が好ましい。

これらの中でも、Ａ⁴〜Ａ⁸は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のハロゲン化アルキル基、または炭素数２〜１０のハロゲン化アルケニル基であり、かつ、Ａ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つは、フッ素原子であることが好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のアルキル基、炭素数１〜５のフッ化アルキル基、または炭素数２〜５のフッ化アルケニル基であり、かつ、Ａ⁴〜Ａ⁸のうち少なくとも３つはフッ素原子であることがより好ましく、水素原子、フッ素原子、シアノ基、炭素数１〜５のパーフルオロアルキル基、または炭素数１〜５のパーフルオロアルケニル基であり、かつ、Ａ⁴、Ａ⁵およびＡ⁸がフッ素原子であることがより一層好ましい。
なお、パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基であり、パーフルオロアルケニル基とは、アルケニル基の水素原子全てがフッ素原子に置換された基である。

ｒは、ナフタレン環に結合するスルホン酸基数を表し、１≦ｒ≦４を満たす整数であるが、２〜４が好ましく、２が最適である。

ドーパント物質として用いるアリールスルホン酸化合物の分子量は、特に限定されるものではないが、電荷輸送性オリゴマーとともに用いた場合の有機溶媒への溶解性等を考慮すると、好ましくは２０００以下、より好ましくは１５００以下である。

以下、本発明において、ドーパント物質として好適なアリールスルホン酸化合物の具体例を挙げるが、これらに限定されるわけではない。

本発明の電荷輸送性ワニスにドーパント物質を含める場合、ドーパント物質の使用量は、ドーパント物質の種類、所望の電荷輸送性の程度等を考慮して適宜決定するため、一概には規定できないが、一般的に、質量比で、電荷輸送性物質１に対して、０．０１〜５０の範囲内となる。

電荷輸送性ワニスを調製する際に用いられる有機溶媒としては、電荷輸送性物質、ノニオン系含フッ素界面活性剤および必要に応じて用いられるドーパント物質を良好に溶解し得る高溶解性溶媒を用いることができる。
このような高溶解性溶媒としては、例えば、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジエチレングリコールモノメチルエーテル等の有機溶媒が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができ、その使用量は、ワニスに使用する溶媒全体に対して５〜１００質量％とすることができる。
なお、電荷輸送性物質、ノニオン系含フッ素界面活性剤等は、いずれも上記溶媒に完全に溶解しているか、均一に分散している状態となっていることが好ましく、完全に溶解していることがより好ましい。

また、本発明においては、ワニスに、２５℃で１０〜２００ｍＰａ・ｓ、特に３５〜１５０ｍＰａ・ｓの粘度を有し、常圧（大気圧）で沸点５０〜３００℃、特に１５０〜２５０℃の高粘度有機溶媒を少なくとも１種類含有させることで、ワニスの粘度の調整が容易になり、その結果、平坦性の高い薄膜を再現性よく与える、用いる塗布方法に応じたワニス調製が可能となる。
高粘度有機溶媒としては、例えば、シクロヘキサノール、エチレングリコール、エチレングリコールジグリシジルエーテル、１，３−オクチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、１，３−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、プロピレングリコール、へキシレングリコール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は単独で用いてもよく、２種以上混合して用いてもよい。
本発明のワニスに用いられる溶媒全体に対する高粘度有機溶媒の添加割合は、固体が析出しない範囲内であることが好ましく、固体が析出しない限りにおいて、添加割合は、５〜９０質量％が好ましい。

さらに、基板に対する濡れ性の向上、溶媒の表面張力の調整、極性の調整、沸点の調整等の目的で、その他の溶媒を、ワニスに使用する溶媒全体に対して１〜９０質量％、好ましくは１〜５０質量％の割合で混合することもできる。
このような溶媒としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジアセトンアルコール、γ−ブチロラクトン、エチルラクテート、ｎ−ヘキシルアセテート等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらの溶媒は１種単独で、または２種以上混合して用いることができる。

本発明のワニスの粘度は、作製する薄膜の厚み等や固形分濃度に応じて適宜設定されるものではあるが、通常、２５℃で１〜５０ｍＰａ・ｓである。
また、本発明における電荷輸送性ワニスの固形分濃度は、ワニスの粘度および表面張力等や、作製する薄膜の厚み等を勘案して適宜設定されるものではあるが、通常、０．１〜１０．０質量％程度であり、ワニスの塗布性を向上させることを考慮すると、好ましくは０．５〜５．０質量％程度、より好ましくは１．０〜３．０質量％程度である。

以上で説明した電荷輸送性ワニスを基材上に塗布して焼成することで、基材上に電荷輸送性薄膜を形成させることができる。
ワニスの塗布方法としては、特に限定されるものではなく、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り、インクジェット法、スプレー法、スリットコート法等が挙げられ、塗布方法に応じてワニスの粘度および表面張力を調節することが好ましい。

また、本発明のワニスを用いる場合、焼成雰囲気も特に限定されるものではなく、大気雰囲気だけでなく、窒素等の不活性ガスや真空中でも均一な成膜面および高い電荷輸送性を有する薄膜を得ることができる。

焼成温度は、得られる薄膜の用途、得られる薄膜に付与する電荷輸送性の程度、溶媒の種類や沸点等を勘案して、１００〜２６０℃程度の範囲内で適宜設定されるものではあるが、得られる薄膜を有機ＥＬ素子の正孔注入層として用いる場合、１４０〜２５０℃程度が好ましく、１４５〜２４０℃程度がより好ましい。
なお、焼成の際、より高い均一成膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で、２段階以上の温度変化をつけてもよく、加熱は、例えば、ホットプレートやオーブン等、適当な機器を用いて行えばよい。

電荷輸送性薄膜の膜厚は、特に限定されないが、有機ＥＬ素子内で正孔注入層として用いる場合、５〜２００ｎｍが好ましい。膜厚を変化させる方法としては、ワニス中の固形分濃度を変化させたり、塗布時の基板上の溶液量を変化させたりするなどの方法がある。

本発明の電荷輸送性ワニスを用いてＯＬＥＤ素子を作製する場合の使用材料や、作製方法としては、下記のようなものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
使用する電極基板は、洗剤、アルコール、純水等による液体洗浄を予め行って浄化しておくことが好ましく、例えば、陽極基板では使用直前にＵＶオゾン処理、酸素−プラズマ処理等の表面処理を行うことが好ましい。ただし陽極材料が有機物を主成分とする場合、表面処理を行わなくともよい。

本発明の電荷輸送性ワニスから得られる薄膜からなる正孔注入層を有するＯＬＥＤ素子の作製方法の例は、以下のとおりである。
上記の方法により、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して焼成し、電極上に正孔注入層を作製する。これを真空蒸着装置内に導入し、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子輸送層／ホールブロック層、陰極金属を順次蒸着してＯＬＥＤ素子とする。なお、必要に応じて、発光層と正孔輸送層との間に電子ブロック層を設けてよい。
陽極材料としては、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）に代表される透明電極や、アルミニウムに代表される金属やこれらの合金等から構成される金属陽極が挙げられ、平坦化処理を行ったものが好ましい。高電荷輸送性を有するポリチオフェン誘導体やポリアニリン誘導体を用いることもできる。
なお、金属陽極を構成するその他の金属としては、スカンジウム、チタン、バナジウム、クロム、マンガン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、ガリウム、イットリウム、ジルコニウム、ニオブ、モリブデン、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、カドミウム、インジウム、スカンジウム、ランタン、セリウム、プラセオジム、ネオジム、プロメチウム、サマリウム、ユウロピウム、ガドリニウム、テルビウム、ジスプロシウム、ホルミウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ハフニウム、タリウム、タングステン、レニウム、オスミウム、イリジウム、プラチナ、金、チタン、鉛、ビスマスやこれらの合金等が挙げられるが、これらに限定されるわけではない。

正孔輸送層を形成する材料としては、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体、［（トリフェニルアミン）ダイマー］スピロダイマー、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン（α−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジメチル−フルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−９，９−ジフェニル−フルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−２，２’−ジメチルベンジジン、２，２’，７，７’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９−スピロビフルオレン、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ビフェニル−４−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、９，９−ビス［４−（Ｎ，Ｎ−ビス−ナフタレン−２−イル−アミノ）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、９，９−ビス［４−（Ｎ−ナフタレン−１−イル−Ｎ−フェニルアミノ）−フェニル］−９Ｈ−フルオレン、２，２’，７，７’−テトラキス［Ｎ−ナフタレニル（フェニル）−アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ’−ビス（フェナントレン−９−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン、２，２’−ビス［Ｎ，Ｎ−ビス（ビフェニル−４−イル）アミノ］−９，９−スピロビフルオレン、２，２’−ビス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）−９，９−スピロビフルオレン、ジ−［４−（Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ）−フェニル］シクロヘキサン、２，２’，７，７’−テトラ（Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル））アミノ−９，９−スピロビフルオレン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−ナフタレン−２−イル−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ−（３−メチルフェニル）−３，３’−ジメチルベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレニル）−Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ（ナフタレニル）−ベンジジン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン−１，４−ジアミン、Ｎ¹，Ｎ⁴−ジフェニル−Ｎ¹，Ｎ⁴−ジ（ｍ−トリル）ベンゼン−１，４−ジアミン、Ｎ²，Ｎ²，Ｎ⁶，Ｎ⁶−テトラフェニルナフタレン−２，６−ジアミン、トリス（４−（キノリン−８−イル）フェニル）アミン、２，２’−ビス（３−（Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ）フェニル）ビフェニル、４，４’，４”−トリス［３−メチルフェニル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’，４”−トリス［１−ナフチル（フェニル）アミノ］トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のトリアリールアミン類、５，５”−ビス−｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］フェニル｝−２，２’：５’，２”−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類などが挙げられる。

発光層を形成する材料としては、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ₃）、ビス（８−キノリノラート）亜鉛（ＩＩ）（Ｚｎｑ₂）、ビス（２−メチル−８−キノリノラート）（ｐ−フェニルフェノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（ＢＡｌｑ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２−ｔ−ブチル−９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２，７−ビス［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン、２−メチル−９，１０−ビス（ナフタレン−２−イル）アントラセン、２−（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン、２，７−ビス（９，９−スピロビフルオレン−２−イル）−９，９−スピロビフルオレン、２−［９，９−ジ（４−メチルフェニル）−フルオレン−２−イル］−９，９−ジ（４−メチルフェニル）フルオレン、２，２’−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン、１，３，５−トリス（ピレン−１−イル）ベンゼン、９，９−ビス［４−（ピレニル）フェニル］−９Ｈ−フルオレン、２，２’−ビ（９，１０−ジフェニルアントラセン）、２，７−ジピレニル−９，９−スピロビフルオレン、１，４−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン、１，３−ジ（ピレン−１−イル）ベンゼン、６，１３−ジ（ビフェニル−４−イル）ペンタセン、３，９−ジ（ナフタレン−２−イル）ペリレン、３，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）ペリレン、トリス［４−（ピレニル）−フェニル］アミン、１０，１０’−ジ（ビフェニル−４−イル）−９，９’−ビアントラセン、Ｎ，Ｎ’−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’：４’，１’’：４’’，１’’’−クウォーターフェニル］−４，４’’’−ジアミン、４，４’−ジ［１０−（ナフタレン−１−イル）アントラセン−９−イル］ビフェニル、ジベンゾ｛［ｆ，ｆ’］−４，４’，７，７’−テトラフェニル｝ジインデノ［１，２，３−ｃｄ：１’，２’，３’−ｌｍ］ペリレン、１−（７−（９，９’−ビアントラセン−１０−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ピレン、１−（７−（９，９’−ビアントラセン−１０−イル）−９，９−ジヘキシル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）ピレン、１，３−ビス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン、１，３，５−トリス（カルバゾール−９−イル）ベンゼン、４，４’，４”−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）ビフェニル（ＣＢＰ）、４，４’−ビス（カルバゾール−９−イル）−２，２’−ジメチルビフェニル、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジメチルフルオレン、２，２’，７，７’−テトラキス（カルバゾール−９−イル）−９，９−スピロビフルオレン、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジ（ｐ−トリル）フルオレン、９，９−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）−フェニル］フルオレン、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−スピロビフルオレン、１，４−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリフェニルシリル）ベンゼン、ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−４−メチルフェニルメタン、２，７−ビス（カルバゾール−９−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン、４，４”−ジ（トリフェニルシリル）−ｐ−ターフェニル、４，４’−ジ（トリフェニルシリル）ビフェニル、９−（４−ｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（トリフェニルシリル）−９Ｈ−カルバゾール、９−（４−ｔ−ブチルフェニル）−３，６−ジトリチル−９Ｈ−カルバゾール、９−（４−ｔ−ブチルフェニル）−３，６−ビス（９−（４−メトキシフェニル）−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９Ｈ−カルバゾール、２，６−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン、トリフェニル（４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル）シラン、９，９−ジメチル−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−７−（４−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾール−２−イル）フェニル）−９Ｈ−フルオレン−２−アミン、３，５−ビス（３−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン、９，９−スピロビフルオレン−２−イル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、９，９’−（５−（トリフェニルシリル）−１，３−フェニレン）ビス（９Ｈ−カルバゾール）、３−（２，７−ビス（ジフェニルフォスフォリル）−９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール、４，４，８，８，１２，１２−ヘキサ（ｐ−トリル）−４Ｈ−８Ｈ−１２Ｈ−１２Ｃ−アザジベンゾ［ｃｄ，ｍｎ］ピレン、４，７−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−１，１０−フェナントロリン、２，２’−ビス（４−（カルバゾール−９−イル）フェニル）ビフェニル、２，８−ビス（ジフェニルフォスフォリル）ジベンゾ［ｂ，ｄ］チオフェン、ビス（２−メチルフェニル）ジフェニルシラン、ビス［３，５−ジ（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジフェニルシラン、３，６−ビス（カルバゾール−９−イル）−９−（２−エチル−ヘキシル）−９Ｈ−カルバゾール、３−（ジフェニルフォスフォリル）−９−（４−（ジフェニルフォスフォリル）フェニル）−９Ｈ−カルバゾール、３，６−ビス［（３，５−ジフェニル）フェニル］−９−フェニルカルバゾール等が挙げられ、発光性ドーパントと共蒸着することによって、発光層を形成してもよい。

発光性ドーパントとしては、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン、２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジノ［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン、キナクリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）₃）、ビス（２−フェニルピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）₂（ａｃａｃ））、トリス［２−（ｐ−トリル）ピリジン］イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｍｐｐｙ）₃）、９，１０−ビス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｐ−トリル）アミノ］アントラセン、９，１０−ビス［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］アントラセン、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（ＩＩ）、Ｎ¹⁰，Ｎ¹⁰，Ｎ^10'，Ｎ^10'−テトラ（ｐ−トリル）−９，９’−ビアントラセン−１０，１０’−ジアミン、Ｎ¹⁰，Ｎ¹⁰，Ｎ^10’，Ｎ^10'−テトラフェニル−９，９’−ビアントラセン−１０，１０’−ジアミン、Ｎ¹⁰，Ｎ^10'−ジフェニル−Ｎ¹⁰，Ｎ^10'−ジナフタレニル−９，９’−ビアントラセン−１０，１０’−ジアミン、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン、１，４−ビス［２−（３−Ｎ−エチルカルバゾリル）ビニル］ベンゼン、４，４’−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン、ビス［３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）］イリジウム（ＩＩＩ）、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル、ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジナト）テトラキス（１−ピラゾリル）ボレートイリジウム（ＩＩＩ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（ナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−トリス（９，９−ジメチルフルオレニレン）、２，７−ビス｛２−［フェニル（ｍ−トリル）アミノ］−９，９−ジメチル−フルオレン−７−イル｝−９，９−ジメチル−フルオレン、Ｎ−（４−（（Ｅ）−２−（６（（Ｅ）−４−（ジフェニルアミノ）スチリル）ナフタレン−２−イル）ビニル）フェニル）−Ｎ−フェニルベンゼンアミン、ｆａｃ−イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ^2'）、ｍｅｒ−イリジウム（ＩＩＩ）トリス（１−フェニル−３−メチルベンズイミダゾリン−２−イリデン−Ｃ，Ｃ^2'）、２，７−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］−９，９−スピロビフルオレン、６−メチル−２−（４−（９−（４−（６−メチルベンゾ［ｄ］チアゾール−２−イル）フェニル）アントラセン−１０−イル）フェニル）ベンゾ［ｄ］チアゾール、１，４−ジ［４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニル）アミノ］スチリルベンゼン、１，４−ビス（４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）スチリル）ベンゼン、（Ｅ）−６−（４−（ジフェニルアミノ）スチリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルナフタレン−２−アミン、ビス（２，４−ジフルオロフェニルピリジナト）（５−（ピリジン−２−イル）−１Ｈ−テトラゾレート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）ピラゾール）（（２，４−ジフルオロベンジル）ジフェニルフォスフィネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）ピラゾレート）（ベンジルジフェニルフォスフィネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（１−（２，４−ジフルオロベンジル）−３−メチルベンズイミダゾリウム）（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾレート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジル）ピラゾレート）（４’，６’−ジフルオロフェニルピリジネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルピリジナト）（３，５−ビス（トリフルオロメチル）−２−（２’−ピリジル）ピロレート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（４’，６’−ジフルオロフェニルピリジナト）（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾレート）イリジウム（ＩＩＩ）、（Ｚ）−６−メシチル−Ｎ−（６−メシチルキノリン−２（１Ｈ）−イリデン）キノリン−２−アミン−ＢＦ₂、（Ｅ）−２−（２−（４−（ジメチルアミノ）スチリル）−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）マロノニトリル、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−ジュロリジル−９−エニル−４Ｈ−ピラン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン、４−（ジシアノメチレン）−２−ｔ−ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジン−４−イル−ビニル）−４Ｈ−ピラン、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユーロピウム（ＩＩＩ）、５，６，１１，１２−テトラフェニルナフタセン、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（１−フェニルイソキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス［１−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス［２−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）キノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［４，４’−ジ−ｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）・ビス（ヘキサフルオロフォスフェート）、トリス（２−フェニルキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルキノリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、２，８−ジ−ｔ−ブチル−５，１１−ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）−６，１２−ジフェニルテトラセン、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、５，１０，１５，２０−テトラフェニルテトラベンゾポルフィリン白金、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−トリフルオロメチル−５−（２−ピリジン）−ピラゾレート）ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾレート）ジフェニルメチルフォスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（２−ピリジル）−１，２，４−トリアゾール）ジメチルフェニルフォスフィン、オスミウム（ＩＩ）ビス（３−（トリフルオロメチル）−５−（４−ｔ−ブチルピリジル）−１，２，４−トリアゾレート）ジメチルフェニルフォスフィン、ビス［２−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）キノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［２−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）キノリン］イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［２−フェニル−４−メチルキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルキノリン）（２−（３−メチルフェニル）ピリジネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−（９，９−ジエチル−フルオレン−２−イル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾ［ｄ］イミダゾラト）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルピリジン）（３−（ピリジン−２−イル）−２Ｈ−クロメン−２−オネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（２−フェニルキノリン）（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオネート）イリジウム（ＩＩＩ）、ビス（フェニルイソキノリン）（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオネート）イリジウム（ＩＩＩ）、イリジウム（ＩＩＩ）ビス（４−フェニルチエノ［３，２−ｃ］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^2'）アセチルアセトネート、（Ｅ）−２−（２−ｔ−ブチル−６−（２−（２，６，６−トリメチル−２，４，５，６−テトラヒドロ−１Ｈ−ピローロ［３，２，１−ｉｊ］キノリン−８−イル）ビニル）−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）マロノニトリル、ビス（３−トリフルオロメチル−５−（１−イソキノリル）ピラゾレート）（メチルジフェニルフォスフィン）ルテニウム、ビス［（４−ｎ−ヘキシルフェニル）イソキノリン］（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、白金（ＩＩ）オクタエチルポルフィン、ビス（２−メチルジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）、トリス［（４−ｎ−ヘキシルフェニル）キソキノリン］イリジウム（ＩＩＩ）等が挙げられる。

電子輸送層／ホールブロック層を形成する材料としては、８−ヒドロキシキノリノレート−リチウム、２，２’，２”−（１，３，５−ベンジントリル）−トリス（１−フェニル−１−Ｈ−ベンズイミダゾール）、２−（４−ビフェニル）５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、ビス（２−メチル−８−キノリノレート）−４−（フェニルフェノラト）アルミニウム、１，３−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、６，６’−ビス［５−（ビフェニル−４−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−２−イル］−２，２’−ビピリジン、３−（４−ビフェニル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール、４−（ナフタレン−１−イル）−３，５−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、２，７−ビス［２−（２，２’−ビピリジン−６−イル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］−９，９−ジメチルフルオレン、１，３−ビス［２−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ−５−イル］ベンゼン、トリス（２，４，６−トリメチル−３−（ピリジン−３−イル）フェニル）ボラン、１−メチル−２−（４−（ナフタレン−２−イル）フェニル）−１Ｈ−イミダゾ［４，５ｆ］［１，１０］フェナントロリン、２−（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン、フェニル−ジピレニルフォスフィンオキサイド、３，３’，５，５’−テトラ［（ｍ−ピリジル）−フェン−３−イル］ビフェニル、１，３，５−トリス［（３−ピリジル）−フェン−３−イル］ベンゼン、４，４’−ビス（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）ビフェニル、１，３−ビス［３，５−ジ（ピリジン−３−イル）フェニル］ベンゼン、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム、ジフェニルビス（４−（ピリジン−３−イル）フェニル）シラン、３，５−ジ（ピレン−１−イル）ピリジン等が挙げられる。

電子注入層を形成する材料としては、酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化ナトリウム（ＮａＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ₂）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ₂）、三酸化モリブデン（ＭｏＯ₃）、アルミニウム、Ｌｉ（ａｃａｃ）、酢酸リチウム、安息香酸リチウム等が挙げられる。
陰極材料としては、アルミニウム、マグネシウム−銀合金、アルミニウム−リチウム合金、リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等が挙げられる。
電子ブロック層を形成する材料としては、トリス（フェニルピラゾール）イリジウム等が挙げられる。

本発明の電荷輸送性ワニスを用いたＰＬＥＤ素子の作製方法は、特に限定されないが、以下の方法が挙げられる。
上記ＯＬＥＤ素子作製において、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の真空蒸着操作を行う代わりに、正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成することによって本発明の電荷輸送性ワニスによって形成される電荷輸送性薄膜を有するＰＬＥＤ素子を作製することができる。
具体的には、陽極基板上に本発明の電荷輸送性ワニスを塗布して上記の方法により正孔注入層を作製し、その上に正孔輸送性高分子層、発光性高分子層を順次形成し、さらに陰極を蒸着してＰＬＥＤ素子とする。

使用する陰極および陽極材料としては、上記ＯＬＥＤ素子作製時と同様のものが使用でき、同様の洗浄処理、表面処理を行うことができる。
正孔輸送性高分子層および発光性高分子層の形成法としては、正孔輸送性高分子材料もしくは発光性高分子材料、またはこれらにドーパント物質を加えた材料に溶媒を加えて溶解するか、均一に分散し、正孔注入層または正孔輸送性高分子層の上に塗布した後、それぞれ焼成することで成膜する方法が挙げられる。

正孔輸送性高分子材料としては、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，１’−ビフェニレン−４，４−ジアミン）］、ポリ［（９，９−ビス｛１’−ペンテン−５’−イル｝フルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（Ｎ，Ｎ’−ビス｛ｐ−ブチルフェニル｝−１，４−ジアミノフェニレン）］、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）−ベンジジン］−エンドキャップド ウィズ ポリシルシスキノキサン、ポリ［（９，９−ジジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−（４，４’−（Ｎ−（ｐ−ブチルフェニル））ジフェニルアミン）］等が挙げられる。

発光性高分子材料としては、ポリ（９，９−ジアルキルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリフルオレン誘導体、ポリ（２−メトキシ−５−（２’−エチルヘキソキシ）−１，４−フェニレンビニレン）（ＭＥＨ−ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ポリ（３−アルキルチオフェン）（ＰＡＴ）等のポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等が挙げられる。

溶媒としては、トルエン、キシレン、クロロホルム等を挙げることができ、溶解または均一分散法としては撹拌、加熱撹拌、超音波分散等の方法が挙げられる。
塗布方法としては、特に限定されるものではなく、インクジェット法、スプレー法、ディップ法、スピンコート法、転写印刷法、ロールコート法、刷毛塗り等が挙げられる。なお、塗布は、窒素、アルゴン等の不活性ガス下で行うことが好ましい。
焼成する方法としては、不活性ガス下または真空中、オーブンまたはホットプレートで加熱する方法が挙げられる。

以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、使用した装置は以下のとおりである。
（１）基板洗浄：長州産業（株）製 基板洗浄装置（減圧プラズマ方式）
（２）ワニスの塗布：ミカサ（株）製 スピンコーターＭＳ−Ａ１００
（３）膜厚測定および平坦性評価：（株）小坂研究所製 微細形状測定機サーフコーダＥＴ−４０００
（４）接触角測定：協和界面化学（株）製 接触角計
（５）ＥＬ素子の作製：長州産業（株）製 多機能蒸着装置システムＣ−Ｅ２Ｌ１Ｇ１−Ｎ
（６）ＥＬ素子の寿命測定（半減期測定）：（株）イーエッチシー製 有機ＥＬ輝度寿命評価システムＰＥＬ−１０５Ｓ

［１］電荷輸送性ワニスの調製
［調製例１］電荷輸送性ワニスＡ
国際公開第２０１３／０８４６６４号記載の方法に従って合成した式［１］で表されるアニリン誘導体０．１３７ｇと、国際公開第２００６／０２５３４２号記載の方法に従って合成した式［２］で表されるアリールスルホン酸０．２７１ｇと、ノニオン系含フッ素界面活性剤であるフタージェント２５１（（株）ネオス製）０．０２ｇとを、窒素雰囲気下で１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン６．６ｇに溶解させた。得られた溶液に、２，３−ブタンジオール８．０ｇ、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル５．４ｇを順次加えて撹拌し、電荷輸送性ワニスＡを調製した。

［調製例２］電荷輸送性ワニスＢ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２１２Ｍ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＢを調製した。

［調製例３］電荷輸送性ワニスＣ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２１５Ｍ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＣを調製した。

［調製例４］電荷輸送性ワニスＤ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２５０（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＤを調製した。

［調製例５］電荷輸送性ワニスＥ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２０９Ｆ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＥを調製した。

［調製例６］電荷輸送性ワニスＦ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２２２Ｆ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＦを調製した。

［調製例７］電荷輸送性ワニスＧ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２４５Ｆ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＧを調製した。

［調製例８］電荷輸送性ワニスＨ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２０８Ｇ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＨを調製した。

［調製例９］電荷輸送性ワニスＩ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２４０Ｇ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＩを調製した。

［調製例１０］電荷輸送性ワニスＪ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２１２Ｐ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＪを調製した。

［調製例１１］電荷輸送性ワニスＫ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２２０Ｐ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＫを調製した。

［調製例１２］電荷輸送性ワニスＬ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント２２８Ｐ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＬを調製した。

［比較調製例１］電荷輸送性ワニスＭ
フタージェント２５１を用いなかった以外は、調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＭを調製した。

［調製例１３］電荷輸送性ワニスＮ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント７１０ＦＬ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＮを調製した。

［調製例１４］電荷輸送性ワニスＯ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント７１０ＦＬ（（株）ネオス製）を０．０４ｇ用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＯを調製した。

［調製例１５］電荷輸送性ワニスＰ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント７１０ＦＭ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＰを調製した。

［調製例１６］電荷輸送性ワニスＱ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント７１０ＦＭ（（株）ネオス製）を０．０４ｇ用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＱを調製した。

［調製例１７］電荷輸送性ワニスＲ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント７１０ＦＳ（（株）ネオス製）を用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＲを調製した。

［調製例１８］電荷輸送性ワニスＳ
フタージェント２５１の代わりに、フタージェント７１０ＦＳ（（株）ネオス製）を０．０４ｇ用いた以外は調製例１と同様の方法で電荷輸送性ワニスＳを調製した。

［２］ピクセル内平坦性評価
［実施例１−１，比較例１−１］
ポジ型感光性ポリイミドを用いて作製したピクセル幅（構造物間）５０×１００μｍの構造物付きＩＴＯ基板に、電荷輸送性ワニスＡ〜Ｍをスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレートにて８０℃で１分間乾燥し、２３０℃で１５分間の加熱焼成を行って膜厚３０ｎｍの薄膜を作製した。触針式膜厚計にてピクセル部分の膜の最大段差を測定した。結果を表１に示す。

表１に示されるように、ノニオン系含フッ素界面活性剤を添加していない電荷輸送性ワニスＭでは最大段差が１７．４ｎｍあるのに対し、ノニオン系含フッ素界面活性剤を添加した電荷輸送性ワニスＡ〜Ｌでは最大段差が３ｎｍ以下となり、ピクセル内平坦性が著しく向上していることがわかる。

［実施例１−２］
ポジ型感光性ポリイミドを用いて作製したピクセル幅（構造物間）５０×１００μｍの構造物付きＩＴＯ基板に、電荷輸送性ワニスＮ〜Ｓをスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレートにて８０℃で１分間乾燥し、２３０℃で１５分間の加熱焼成を行って膜厚３０ｎｍ、６０ｎｍ、１００ｎｍの薄膜を作製した。触針式膜厚計にてピクセル部分の膜の最大段差を測定した。結果を表２に示す。

表２に示されるように、ノニオン系含フッ素界面活性剤を添加した電荷輸送性ワニスＮ〜Ｓでは３０〜１００ｎｍの膜厚で最大段差が３ｎｍ以下となり、ピクセル内平坦性が著しく向上していることがわかる。

［３］接触角評価
［実施例２−１，比較例２−１］
ベタＩＴＯ基板に電荷輸送性ワニスＡ〜Ｍをスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレートにて８０℃で１分間乾燥し、２３０℃で１５分間の加熱焼成を行って膜厚３０ｎｍの薄膜を作製した。得られた薄膜につき、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）および３−フェノキシトルエン（３ＰＴ）の接触角を測定した。結果を表３に示す。

表３に示されるように、ノニオン系含フッ素界面活性剤を添加した電荷輸送性ワニスＡ〜Ｌから作製した薄膜上の接触角は、ノニオン系含フッ素界面活性剤を添加していない電荷輸送性ワニスＭから作製した薄膜上の接触角と変化はなく、添加した界面活性剤は上層の濡れ性に悪影響を与えていないことがわかる。

［実施例２−２］接触角評価
ベタＩＴＯ基板に電荷輸送性ワニスＮ〜Ｓをスピンコートにより成膜し、大気中、ホットプレートにて８０℃で１分間乾燥し、２３０℃で１５分間の加熱焼成を行って膜厚３０ｎｍ、６０ｎｍ、１００ｎｍの薄膜を作製した。得られた薄膜につき、シクロヘキシルベンゼン（ＣＨＢ）の接触角を測定した。結果を表４に示す。

表４に示されるように、ノニオン系含フッ素界面活性剤を添加した電荷輸送性ワニスＮ〜Ｓから作製した薄膜上の接触角は、３０〜１００ｎｍの膜厚で全て５°以下であり、添加した界面活性剤は上層塗布時の濡れ性に悪影響を与えていないことがわかる。

［４］有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ素子）の作製およびその特性評価
電気特性を評価する際の基板には、インジウム錫酸化物が表面上に膜厚１５０ｎｍでパターニングされた２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．７ｔのガラス基板（以下、ＩＴＯ基板と略す）を用いた。ＩＴＯ基板は、Ｏ₂プラズマ洗浄装置（１５０Ｗ、３０秒間）を用いて、表面上の不純物を除去してから使用した。

［実施例３−１］電荷輸送性ワニスＡを用いたＯＬＥＤ素子の作製
調製例１で得られた電荷輸送性ワニスＡを、スピンコーターを用いてＩＴＯ基板に塗布した後、８０℃で１分間乾燥し、さらに２３０℃で１５分間焼成し、ＩＴＯ基板上に３５ｎｍの均一な薄膜を形成した。
次いで、薄膜を形成したＩＴＯ基板に対し、蒸着装置（真空度１．０×１０^-5Ｐａ）を用いてＮ，Ｎ′−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム（ＩＩＩ）（Ａｌｑ₃）、フッ化リチウム、およびアルミニウムの薄膜を順次積層し、ＯＬＥＤ素子を得た。この際、蒸着レートは、Ａｌｑ₃およびアルミニウムについては０．２ｎｍ／秒、フッ化リチウムについては０．０２ｎｍ／秒の条件でそれぞれ行い、膜厚は、それぞれ３０ｎｍ、４０ｎｍ、０．５ｎｍおよび１００ｎｍとした。
なお、空気中の酸素、水等の影響による特性劣化を防止するため、ＯＬＥＤ素子は封止基板により封止した後、その特性を評価した。封止は、以下の手順で行った。
酸素濃度２ｐｐｍ以下、露点−８５℃以下の窒素雰囲気中で、有機ＥＬ素子を封止基板の間に収め、封止基板を接着材（ナガセケムテックス（株）製，ＸＮＲ５５１６Ｚ−Ｂ１）により貼り合わせた。この際、捕水剤（ダイニック（株）製，ＨＤ−０７１０１０Ｗ−４０）をＯＬＥＤ素子と共に封止基板内に収めた。
貼り合わせた封止基板に対し、ＵＶ光を照射（波長：３６５ｎｍ、照射量：６０００ｍＪ／ｃｍ²）した後、８０℃で１時間、アニーリング処理して接着材を硬化させた。

［実施例３−２］電荷輸送性ワニスＢを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例２で得られた電荷輸送性ワニスＢを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−３］電荷輸送性ワニスＣを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例３で得られた電荷輸送性ワニスＣを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−４］電荷輸送性ワニスＤを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例４で得られた電荷輸送性ワニスＤを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−５］電荷輸送性ワニスＥを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例５で得られた電荷輸送性ワニスＥを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−６］電荷輸送性ワニスＦを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例６で得られた電荷輸送性ワニスＦを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−７］電荷輸送性ワニスＧを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例７で得られた電荷輸送性ワニスＧを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−８］電荷輸送性ワニスＨを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例８で得られた電荷輸送性ワニスＨを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−９］電荷輸送性ワニスＩを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例９で得られた電荷輸送性ワニスＩを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１０］電荷輸送性ワニスＪを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１０で得られた電荷輸送性ワニスＪを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１１］電荷輸送性ワニスＫを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１１で得られた電荷輸送性ワニスＫを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１２］電荷輸送性ワニスＬを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１２で得られた電荷輸送性ワニスＬを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１３］電荷輸送性ワニスＮを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１３で得られた電荷輸送性ワニスＮを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１４］電荷輸送性ワニスＯを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１４で得られた電荷輸送性ワニスＯを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１５］電荷輸送性ワニスＰを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１５で得られた電荷輸送性ワニスＰを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１６］電荷輸送性ワニスＱを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１６で得られた電荷輸送性ワニスＱを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１７］電荷輸送性ワニスＲを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１７で得られた電荷輸送性ワニスＲを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［実施例３−１８］電荷輸送性ワニスＳを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに調製例１８で得られた電荷輸送性ワニスＳを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

［比較例３−１］電荷輸送性ワニスＭを用いたＯＬＥＤ素子の作製
電荷輸送性ワニスＡの代わりに比較調製例１で得られた電荷輸送性ワニスＭを用いた以外は、実施例３−１と同様の方法でＯＬＥＤ素子を作製した。

実施例３−１〜３−１８および比較例３−１で得られたＯＬＥＤ素子の輝度５０００ｃｄ／ｍ²における電圧、電流密度および電流効率、並びに輝度の半減期（初期輝度５０００ｃｄ／ｍ²）を測定した。結果を表５に示す。

表５に示されるように、ワニスにノニオン系含フッ素界面活性剤を添加した実施例３−１〜３−１８の素子は、それを添加していない比較例３−１の素子と初期特性および半減期寿命に大差なく、添加したノニオン系含フッ素界面活性剤は、素子特性に影響を与えないことがわかる。

Claims (11)

1. 電荷輸送性物質とノニオン系含フッ素界面活性剤と有機溶媒とを含み、
   前記ノニオン系含フッ素界面活性剤が、パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造と、アルキレンオキシド構造とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
2. 前記パーフルオロアルケニル基が、分岐鎖状パーフルオロアルケニル基である請求項１記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
3. 前記パーフルオロアルケニル基含有パーフルオロ炭化水素構造が、式（１）〜（３）のいずれかで示される請求項１または２記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
   

   
4. 前記アルキレンオキシド構造が、−（Ａ⁰Ｏ）_n−（Ａ⁰は炭素数２〜１０のアルキレン基を表し、ｎは２〜５０の整数を表す。）で表される基を含む請求項１〜３のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
5. 前記アルキレンオキシド構造が、−（ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ）_n−（ｎは前記と同じ。）で表される請求項４記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
6. さらにドーパント物質を含む請求項１〜５のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
7. 前記ドーパント物質が、アリールスルホン酸化合物を含む請求項６記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
8. 前記アリールスルホン酸化合物の分子量が、２０００以下である請求項７記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニス。
9. 請求項１〜８のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニスを用いて作製される有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層。
10. 請求項９記載の正孔注入層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子。
11. 請求項１〜８のいずれか１項記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層形成用ワニスを基材上に塗布し、溶媒を蒸発させることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の正孔注入層の製造方法。