JP6404738B2 - 電子デバイス用エピタキシャル基板および高電子移動度トランジスタならびにそれらの製造方法 - Google Patents
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Description
(1)SiC単結晶基板と、該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファと、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、前記バッファは、前記SiC単結晶基板と接する初期成長層および該初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体を少なくとも有し、前記初期成長層はBa1Alb1Gac1Ind1N (0≦a1≦0.5, 0.5≦b1≦1, 0≦c1≦0.5, 0≦d1≦0.5, a1+b1+c1+d1=1)材料からなり、前記超格子積層体はBa2Alb2Gac2Ind2N (0≦a2≦0.5, 0.5≦b2≦1, 0≦c2≦0.5, 0≦d2≦0.5, a2+b2+c2+d2=1)材料からなる第1層と、Ba3Alb3Gac3Ind3N (0≦a3≦0.26, 0.1≦b3≦0.36, 0.64≦c3≦0.9, 0≦d3≦0.26, a3+b3+c3+d3=1)材料からなる第2層とを交互に積層してなり、前記初期成長層と前記超格子積層体の間に、Ba4Alb4Gac4Ind4N (0≦a4≦1, 0≦b4≦b3/2, 0≦c4≦1, 0≦d4≦1, a4+b4+c4+d4=1)材料からなる調整層が挿設されていることを特徴とする、電子デバイス用エピタキシャル基板。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、同一の構成要素には原則として同一の参照番号を付して、説明を省略する。また、各図において、説明の便宜上、基板および各層の縦横の比率を実際の比率から誇張して示している。なお、超格子積層体6の積層構造の一部を省略している。なお、各層のBaAlbGacIndN材料における各組成比(a,b,c,d)の値は、例えばエネルギー分散型X線分析(EDS)を用いて測定することができる。十分な厚さがあればSEM-EDSを用いることができ、超格子積層体のように各層の厚さが薄い場合にはTEM-EDSを用いて同定することができる。
初期成長層5は、Ba1Alb1Gac1Ind1N (0≦a1≦0.5, 0.5≦b1≦1, 0≦c1≦0.5, 0≦d1≦0.5, a1+b1+c1+d1=1)材料からなるAl含有III族窒化物材料で形成する。Al含有の超格子積層体6のクラック発生を抑制するためには、超格子積層体の最もAlの組成の少ない層よりも初期成長層5のAl組成を大きくすることが好ましい。必ずしも、初期成長層5が単一組成である必要はなく、上記組成の範囲内で傾斜組成とすることもできる。また、単一組成だとしても、組成を変化させた複数層構造とすることもできる。なお、クラック抑制効果の観点からは、初期成長層5をAlb1Gac1N (a1=0, 0.9≦b1≦1, 0≦c1≦0.1, d1=0, a1+b1+c1+d1=1)とすることが好ましく、AlN (a1=0, b1=1, c1=0, d1=0)とすることが最も好ましい。初期成長層5の組成をAlNとすることが最も効果が高いが、b1>0.9とすれば、AlNの場合と同等の効果が得られることが確認されている。また、組成の関係を前記のようにすることにより超格子積層体内の引張応力を効果的に抑えることもできる。ただし、ここでいうAlN材料は、意図したもの意図しないものに関わらず、モル比で1%以下の微量不純物を含んでいてもよく、たとえば、上記Ga, Inを始めとして、Si, H, O, C, B, Mg, As, P,遷移金属などの不純物を含んでもよい。特に、Fe系の不純物を意図的に添加することで、より耐圧を向上させることができ、好ましい。また、初期成長層5の厚みは、10nm〜200nmの範囲とすることが好ましい。初期成長層が薄すぎる場合には超格子積層体内の引張応力を十分に抑制できないため、超格子積層体内にクラックが発生することがあり、厚すぎる場合には、初期層内の引張応力が蓄積されてしまうため、初期成長層でのクラックが発生することがある。
前述のとおり、第1実施形態の電子デバイス用エピタキシャル基板を高電子移動度トランジスタ(HEMT)に用いることが好ましい。すなわち、本発明の第2実施形態に従う高電子移動度トランジスタは、第1実施形態に従う電子デバイス用エピタキシャル基板1において、主積層体4がチャネル層4aおよび該チャネル層4a上の電子供給層4bを含み、電子供給層4b上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極(図示せず)を有することを特徴とする。
本発明の一実施形態に従う、図2に示す電子デバイス用エピタキシャル基板1の製造方法は、SiC単結晶基板2上に絶縁層としてのバッファ3を形成する工程と、バッファ3上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体4を形成する工程と、を含む。そして、バッファ3を形成する工程において、SiC単結晶基板2と接する初期成長層5、調整層7および超格子多層構造からなる超格子積層体6を順次形成する。ここで、初期成長層5はBa1Alb1Gac1Ind1N (0≦a1≦0.5, 0.5≦b1≦1, 0≦c1≦0.5, 0≦d1≦0.5, a1+b1+c1+d1=1)材料からなり、超格子積層体6はBa2Alb2Gac2Ind2N (0≦a2≦0.5, 0.5≦b2≦1, 0≦c2≦0.5, 0≦d2≦0.5, a2+b2+c2+d2=1)材料からなる第1層6aと、Ba3Alb3Gac3Ind3N (0≦a3≦0.26, 0.1≦b3≦0.36, 0.64≦c3≦0.9, 0≦d3≦0.26, a3+b3+c3+d3=1)材料からなる第2層6bとを交互に積層してなり、調整層7は、Ba4Alb4Gac4Ind4N (0≦a4≦1, 0≦b4≦b3/2, 0≦c4≦1, 0≦d4≦1, a4+b4+c4+d4=1)材料からなることを特徴とする。
第1の方法:炭素を含む炭素源ガスを、調整層7、超格子積層体6および主積層体4の成長中に別途添加する。メタン,エタン,エチレン,アセチレン,ベンゼン,シクロペンタン等が例示される。
第2の方法:有機金属中のメチル基,エチル基等を、超格子積層体6およびチャネル層5のエピタキシャル成長時に混入させる。有機金属の分解を抑えるように、成長温度,成長圧力,成長速度,成長時のアンモニア流量,水素流量,窒素流量等を適宜設定することにより、エピタキシャル成長時に添加される炭素濃度を調整することが可能である。
なお、本願では、超格子積層体6のC濃度は、SIMSにより、超格子積層体6の厚さの1/2を除去した箇所の測定値とする。主積層体4のバッファ3側の部分4´のC濃度は、
SIMSにより、前記部分4´の厚さの1/2を除去した箇所の測定値とする。
本発明の第4実施形態に従う高電子移動度トランジスタの製造方法は、第3実施形態に従う電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法により製造された製造された電子デバイス用エピタキシャル基板1を用いる高電子移動度トランジスタの製造方法であって、主積層体4を形成する工程において、チャネル層4aおよび電子供給層4bを順次形成し、電子供給層4b上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極(図示せず)を形成する工程を更に含むことを特徴とする。
比抵抗が105Ω・cmの300μm厚の(0001)面3インチ6H-SiC単結晶基板上に、初期成長層(AlN材料、厚さ:100nm)と、調整層(Al0.02Ga0.98N材料(b4=0.02)、厚さ:30nm)と、第1層(AlN材料、厚さ:1.5nm)および第2層(Al0.15Ga0.85N材料(b3=0.15)、厚さ:25nm)を交互に積層してなる5.5組の超格子積層体とを順次成長させてバッファを形成した。また、基板のオフ角は0.3°である。なお、超格子積層体の初めと最後を第1層としており、第1層を6層、第2層を5層形成している。
次いで、この超格子積層体上にチャネル層(GaN材料:厚さ1.5μm)および電子供給層(Al0.25Ga0.75N材料:厚さ20nm)をエピタキシャル成長させてHEMT構造の主積層体を形成した後、SiH4ガスとアンモニアガスを用いて窒化ケイ素膜を20nm形成して、発明例1にかかる電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
なお、各層の成長方法としてはMOCVD法を使用し、III族原料としては、TMA(トリメチルアルミニウム)およびTMG(トリメチルガリウム)、V族原料としてはアンモニアを用い、キャリアガスとして、水素および窒素ガスを用いた。
調整層をAl0.02Ga0.98N材料に替えてGaN材料(すなわち、b4=0)とした以外の条件は発明例1と全て同じとして、発明例2に係る電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
調整層をAl0.02Ga0.98N材料に替えてAl0.05Ga0.95N材料(すなわち、b4=0.05)とした以外の条件は発明例1と全て同じとして、発明例3に係る電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
調整層をAl0.02Ga0.98N材料に替えてAl0.07Ga0.93N材料(すなわち、b4=0.03)とした以外の条件は発明例1と全て同じとして、発明例4に係る電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
調整層をAl0.02Ga0.98N材料に替えてAl0.10Ga0.90N材料(すなわち、b4=0.10)とした以外の条件は発明例1と全て同じとして、比較例1に係る電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
調整層をAl0.02Ga0.98N材料に替えてAl0.15Ga0.85N材料(すなわち、b4=0.15)とした以外の条件は発明例1と全て同じとして、比較例1に係る電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
調整層を形成しなかった以外の条件は発明例1と全て同じとして、比較例1に係る電子デバイス用エピタキシャル基板を作製した。
発明例1〜4、比較例1,2および従来例1の電子デバイス用エピタキシャル基板について、光学干渉方式による反り測定装置(Nidek社製、FT−900)を用いて、基板全体の反り量(SORI)をSEMI M1−0302に準じて測定した。結果を表2に示し、調整層のAl組成b4に対するSORIを示すグラフを図4に示す(従来例1は図示せず)。なお、表2には、調整層のAl組成b4と、第2層のAl組成b3との大小関係を併せて示す。
2 SiC単結晶基板
3 バッファ
4 主積層体
4a チャネル層
4b 電子供給層
5 初期成長層
6 超格子積層体
6a 第1層
6b 第2層
7 調整層
Claims (10)
- SiC単結晶基板と、
該SiC単結晶基板上に形成した絶縁層としてのバッファと、
該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板であって、
前記バッファは、前記SiC単結晶基板と接する初期成長層および該初期成長層上の超格子多層構造からなる超格子積層体を少なくとも有し、
前記初期成長層はBa1Alb1Gac1Ind1N (0≦a1≦0.5, 0.5≦b1≦1, 0≦c1≦0.5, 0≦d1≦0.5, a1+b1+c1+d1=1)材料からなり、
前記超格子積層体はBa2Alb2Gac2Ind2N (0≦a2≦0.5, 0.5≦b2≦1, 0≦c2≦0.5, 0≦d2≦0.5, a2+b2+c2+d2=1)材料からなる第1層と、Ba3Alb3Gac3Ind3N (0≦a3≦0.26, 0.1≦b3≦0.36, 0.64≦c3≦0.9, 0≦d3≦0.26, a3+b3+c3+d3=1)材料からなる第2層とを交互に積層してなり、
前記初期成長層と前記超格子積層体の間に、Ba4Alb4Gac4Ind4N (0≦a4≦1, 0≦b4≦b3/2, 0≦c4≦1, 0≦d4≦1, a4+b4+c4+d4=1)材料からなる調整層が挿設されていることを特徴とする、電子デバイス用エピタキシャル基板。 - 前記b4が、b4≦b3/3である、請求項1に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
- 前記b4が、b4≦0.05である、請求項1または2に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
- 前記b4が、b4≧0.01である、請求項1〜3のいずれか1項に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
- 前記超格子積層体のC濃度が1×1018 atoms/cm3以上であり、かつ、前記調整層のC濃度が1×1018 atoms/cm3以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
- 前記主積層体の前記バッファ側の部分は、C濃度が1×1018 atoms/cm3以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
- 前記調整層の厚さは、10nm以上50nm以下である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板を用いた高電子移動度トランジスタであって、
前記主積層体がチャネル層および該チャネル層上の電子供給層を含み、前記電子供給層上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を有することを特徴とする高電子移動度トランジスタ。 - SiC単結晶基板上に絶縁層としてのバッファを形成する工程と、
該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体を形成する工程と、を含む、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法であって、
前記バッファを形成する工程において、前記SiC単結晶基板と接する初期成長層、調整層および超格子多層構造からなる超格子積層体を順次形成し、
前記初期成長層はBa1Alb1Gac1Ind1N (0≦a1≦0.5, 0.5≦b1≦1, 0≦c1≦0.5, 0≦d1≦0.5, a1+b1+c1+d1=1)材料からなり、
前記超格子積層体はBa2Alb2Gac2Ind2N (0≦a2≦0.5, 0.5≦b2≦1, 0≦c2≦0.5, 0≦d2≦0.5, a2+b2+c2+d2=1)材料からなる第1層と、Ba3Alb3Gac3Ind3N (0≦a3≦0.26, 0.1≦b3≦0.36, 0.64≦c3≦0.9, 0≦d3≦0.26, a3+b3+c3+d3=1) 材料からなる第2層とを交互に積層してなり、
前記調整層は、Ba4Alb4Gac4Ind4N (0≦a4≦1, 0≦b4≦b3/2, 0≦c4≦1, 0≦d4≦1, a4+b4+c4+d4=1)材料からなることを特徴とする、電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法。 - 請求項9に記載の製造方法により製造された電子デバイス用エピタキシャル基板を用いる高電子移動度トランジスタの製造方法であって、
前記主積層体を形成する工程において、チャネル層および電子供給層を順次形成し、
前記電子供給層上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極を形成する工程を更に含むことを特徴とする高電子移動度トランジスタの製造方法。
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