JP6392104B2 - ガスセンサ素子及びガスセンサ - Google Patents
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Description
ここで、固体電解質層1090の表面には、電極1100を挟み込むようにしてガス非透過性の緻密層1110が積層されている。そして、この緻密層1110の先端側に電極1100を取り囲む略矩形の貫通孔1120が設けられ、多孔質層1130は貫通孔1120に埋設されている。このようにして、多孔質層1130を介して電極1100と外部との間でガスが出入可能になっている。
そこで、本発明は、外部に酸素を汲み出し又は汲み入れる電極を有するガスセンサ素子の強度を向上させたガスセンサ素子及びガスセンサの提供を目的とする。
従って、従来のガスセンサ素子のように、第2電極を直接覆うガス非透過性の緻密層に貫通孔を設けてガス透過性の多孔質体を埋設する必要がなくなり、被水等の熱衝撃が加わったときに貫通孔の角部から緻密層にクラック等が生じることを抑制し、ガスセンサ素子の強度を向上させることができる。又、固体電解質体の表面全体に、第2電極を挟み込むように多孔質層(拡散抵抗層)を積層して多孔質層の側面からガス透過の経路を確保する構造に比べ、層間強度の低下を抑制してガスセンサ素子の強度を向上できる。
従って、従来のガスセンサ素子のように、第2電極を直接覆うガス非透過性の緻密層に貫通孔を設けてガス透過性の多孔質体を埋設する必要がなくなり、被水等の熱衝撃が加わったときに貫通孔の角部から緻密層にクラック等が生じることを抑制し、ガスセンサ素子の強度を向上させることができる。又、固体電解質体の表面全体に、第2電極を挟み込むように多孔質層(拡散抵抗層)を積層して多孔質層の側面からガス透過の経路を確保する構造に比べ、層間強度の低下を抑制してガスセンサ素子の強度を向上できる。
一方、連通路が長手方向に延びているため、連通路の長さ(他の層との接触面積)が長くなり、ガスセンサ素子の強度及び層間強度の低下が懸念される。そこで、連通路がガスセンサ素子の先端側又は後端側のいずれか一方で外部と連通するように構成し、電極部のうち長手方向に沿って見た時に、連通路よりも反対側に延びる領域を緻密層で直接覆うことで、強度及び密着性の高い緻密層がこの領域に介在し、該領域でのガスセンサ素子の強度及び層間強度が向上する。これにより、連通路が長手方向に延びていても、ガスセンサ素子の強度及び層間強度の低下を抑制できる。
このガスセンサ素子によれば、連通路に多孔質体を充填されているため、連通路を空隙(内部空間)とする場合に比べると連通路の強度が高くなり、ガスセンサ素子の強度及び層間強度をより一層向上できる。
図1は、本発明の第1の実施形態に係るガスセンサ(NOxセンサ)1の縦断面図(軸線AXに沿った長手方向に切断した断面図)、図2は第1の実施形態に係るガスセンサ素子10の斜視図、図3は図2のB−B線(軸線AX)に沿う断面図、図4はガスセンサ素子10のIp1セル(第1ポンプセル)110近傍の分解斜視図である。
なお、ガスセンサ素子の「幅方向」と区別するために、軸線AXに沿う方向(軸線方向)を適宜「長手方向」と称する。ガスセンサ素子の「幅方向」は、「長手方向(軸線方向)」と垂直な方向である。
さらに詳しくは、ガスセンサ1は、ガスセンサ素子10の後端部10k(図1において上端の部位)が挿入される挿入孔62を有する保持部材60と、この保持部材60の内側に保持された6個の端子部材とを備える。なお、図1では、6個の端子部材のうち2個の端子部材(具体的には、端子部材75,76)のみを図示している。
さらに、6個の端子部材(端子部材75,76など)には、それぞれ、異なるリード線71が電気的に接続されている。例えば、図1に示すように、端子部材75のリード線把持部77によって、リード線71の芯線が加締められて把持される。また、端子部材76のリード線把持部78によって、他のリード線71の芯線が加締められて把持される。
また、主体金具20の貫通孔23の内部には、環状のセラミックホルダ42、滑石粉末を環状に充填してなる2つの滑石リング43,44、及びセラミックスリーブ45が配置されている。詳細には、ガスセンサ素子10の径方向周囲を取り囲む状態で、セラミックホルダ42、滑石リング43,44、及びセラミックスリーブ45が、この順に、主体金具20の軸線方向先端側(図1において下端側)から軸線方向後端側(図1において上端側)にわたって重ねて配置されている。
主体金具20の先端部20bには、ガスセンサ素子10の先端部10sを覆うように、複数の孔を有する金属製(具体的にはステンレス)の外部プロテクタ31及び内部プロテクタ32が、溶接によって取り付けられている。一方、主体金具20の後端部には、外筒51が溶接によって取り付けられている。外筒51は、軸線AX方向に延びる筒状をなし、ガスセンサ素子10を包囲している。
保持部材60の後端面61上には、絶縁部材90が配置されている。絶縁部材90は、電気絶縁性材料(具体的にはアルミナ)からなり、円筒状をなす。この絶縁部材90には、軸線AX方向に貫通する貫通孔91が合計6個形成されている。この貫通孔91には、前述した端子部材のリード線把持部(リード線把持部77,78など)が配置されている。
又、Ip1+電極112にはIp1+リード116が接続されている(図2参照)。又、Ip1−電極113にはIp1−リード(図示せず)が接続されている。Ip1+リード及びIp1−リードは、Pt粉末とセラミック粉末とを含むサーメットにより形成されているが、Ip1+電極112及びIp1−電極113と異なり、緻密に形成されている。このため、Ip1+リード及びIp1−リードは、非透水性を有している。
また、Ip1+電極112(とIp1+リード116)の表面側(図3において上面側)の一部には、Ip1+電極112を覆うようにしてアルミナ等からなるガス非透過性の保護層115が積層されている。
固体電解質体111及び電極112、113は、Ip1セル110(第1ポンプセル)を構成する。このIp1セル110は、電極112、113間に流すポンプ電流Ip1に応じて、電極112の接する雰囲気(ガスセンサ素子10の外部の雰囲気)と電極113の接する雰囲気(後述する第1測定室150内の雰囲気)との間で酸素の汲み出し及び汲み入れ(いわゆる酸素ポンピング)を行う。
なお、図2に示すように、ガスセンサ素子10の長手方向に沿う側面には、ガスセンサ素子10の幅方向に延びて断面が略矩形の連通路251,252が矩形スリット状に開口し、Ip1+電極112と外部とを連通すると共に、Ip1+電極112自身がガス透過性を有している。そして、Ip1+電極112で電極反応が生じ、これに伴って酸素が生じるが、この酸素はIp1+電極112内を移動した後、Ip1+電極112のうち連通路251,252に接する面から連通路251,252を介して外部へ汲み出され又は外部から汲み入れられる。Ip1+電極112及び連通路251,252の詳細については後述する。
又、Vs−電極122にはVs−リード(図示せず)が接続され、Vs+電極123にはVs+リード(図示せず)が接続されている。Vs−リード及びVs+リードは、Pt粉末とセラミック粉末とを含むサーメットにより形成されているが、Vs−リードはVs−電極122、Vs+電極123及びVs+リードと異なり、緻密に形成されている。このため、Vs−リードは、非透水性を有している。ここでVs+リードはガス透過性及び透水性を有する。
第1測定室150の後端側(図2において右側)には、第1測定室150と後述する第2測定室160との間の仕切りとして、排ガスの単位時間あたりの流通量を制限する第2多孔質体152が設けられている。
又、Ip2+電極132にはIp2+リード(図示せず)が接続され、Ip2−電極133にはIp2−リード(図示せず)が接続されている。Ip2+リード及びIp2−リードは、Pt粉末とセラミック粉末とを含むサーメットにより形成されているが、Ip2+リードは、Ip2+電極132及びIp2−電極133と同時に形成されるため、多孔質に形成されている。このため、Ip2+リードは、ガス透過性及び透水性を有している。
また、Ip2−電極133と積層方向に対向する位置には、ガスセンサ素子の内部空間としての第2測定室160が形成されている。この第2測定室160は、絶縁体145を積層方向に貫通する開口部145cと、固体電解質体121を積層方向に貫通する開口部125と、絶縁体140を積層方向に貫通する開口部141とにより構成されている。
第1測定室150と第2測定室160とは、ガス透過性及び透水性を有する第2多孔質体152を通じて連通している。従って、第2測定室160は、第1多孔質体151、第1測定室150、及び第2多孔質体152を通じて、ガスセンサ素子10の外部と連通している。
ところで、電極112、113、122、133に接続される各リード用ペーストは、前述の電極用ペーストに比べて、有機バインダーの添加量を少量(約半分の量)にしている。このように、加熱により消失して内部空孔を形成する有機バインダの添加量を少量とすることで、内部空孔の少ない緻密なリードが形成される。
さらに、固体電解質体111の裏面上のIp1−電極113を除く部位には、アルミナ絶縁層119が形成され、Ip1−電極113はアルミナ絶縁層119を積層方向に貫通する貫通孔119b(図4参照)を通じて、固体電解質体111と接触する。
さらに、固体電解質体121の裏面上のVs+電極123を除く部位に、アルミナ絶縁層129が形成され、Vs+電極123はアルミナ絶縁層129を積層方向に貫通する貫通孔(図示せず)を通じて、固体電解質体121と接触する。
ガスセンサ素子10の固体電解質体111、121、131は、ヒータパターン164の昇温に伴い加熱され、活性化する。これにより、Ip1セル110、Vsセル120、及びIp2セル130が動作するようになる。
排気通路(図示なし)内を流通する排ガス(測定対象ガス)は、第1多孔質体151による流通量の制限を受けつつ第1測定室150内に導入される。このとき、Vsセル120には、電極123側から電極122側へ微弱な電流Icpが流されている。このため、排ガス中の酸素は、負極側となる第1測定室150内の電極122から電子を受け取ることができ、酸素イオンとなって固体電解質体121内を流れ、基準酸素室170内に移動する。つまり、電極122、123間で電流Icpが流されることによって、第1測定室150内の酸素が基準酸素室170内に送り込まれる。
このように、第1測定室150において酸素濃度が調整された排ガスは、第2多孔質体152を通じて、第2測定室160内に導入される。第2測定室160内で電極133と接触した排ガス中のNOxは、電極132、133間に電圧Vp2を印加されることで、電極133上で窒素と酸素に分解(還元)され、分解された酸素は、酸素イオンとなって固体電解質体131内を流れ、基準酸素室170内に移動する。このとき、第1測定室150で汲み残された残留酸素も同様に、Ip2セル130によって基準酸素室170内に移動する。これにより、Ip2セル130には、NOx由来の電流及び残留酸素由来の電流が流れる。なお、基準酸素室170内に移動
した酸素は、基準酸素室170内に接するVs+電極123とVsリード及びIp2+電極13
2とIp2+リードを介して外部(大気)に放出される、このため、Vs+リード及びIp2+
リードは多孔質となっている。
図5に示すように、Ip1+電極112は、軸線AX方向が長辺をなす矩形状であり、そのうち後端側の1つの角部から幅方向外側に向かって舌片状の接続部112dが延び、接続部112dはIp1+リード116の先端部と接続している。一方、ガスセンサ素子10の両側面には、Ip1+電極112の幅方向両端部からそれぞれガスセンサ素子10の上面を跨いで幅方向に延びる連通路251,252が開口している(図6参照)。又、各連通路251,252は、Ip1+電極112の幅方向の中央部で分離され、この中央部のIp1+電極112の上面112cを保護層115が直接覆っている。
なお、図6に示すように、各連通路251,252は、Ip1+電極112の幅方向両端部の上面112aをそれぞれ覆うようにして、保護層115と固体電解質体111の間をガスセンサ素子10の両側面に向かって幅方向に延びている。このため、図4に示すように、アルミナ絶縁層118の貫通孔118bは、Ip1+電極112の幅方向両端からガスセンサ素子10の両側面へ向かって切り抜かれている。
さらに、本実施形態では、軸線AX方向に沿って各連通路251,252の長さW2がIp1+電極112の長さW1よりもそれぞれ短くなっている。ここで、幅W2は連通路251、252の最大幅であり、W1はIp1+電極の最大長さである。なお、各連通路251,252は、軸線AX方向に沿ってIp1+電極112の中央部に配置されている。
又、固体電解質体111の表面全体に、Ip1+電極112を挟み込むように多孔質層(拡散抵抗層)を積層して多孔質層の側面からガス透過の経路を確保する構造に比べ、層間強度の低下を抑制してガスセンサ素子10の強度を向上できる。特に、各連通路251,252の長さW2をIp1+電極112の長さW1よりも短くしているので、多孔質体又は空隙からなるために他の層より強度及び密着性が劣る各連通路251,252と、他の層との接触面積を低減することができ、ガスセンサ素子10の強度及び層間強度の低下を大幅に抑制することができる。
なお、Ip1+電極112からの酸素の汲み出し又は汲み入れには、それほど大きな表面積は要求されず、Ip1+電極112の側面112e及び上面112aから十分に酸素の汲み出し又は汲み入れを行うことができる。
さらに、本実施形態では、連通路251,252をIp1+電極112の中央部Rで2つに分離し、この中央部RにおけるIp1+電極112の上面112cを保護層115が直接覆っている。このため、強度及び密着性の高い保護層115が中央部Rに介在することによって、中央部Rでのガスセンサ素子10の強度及び層間強度が向上し、ガスセンサ素子10の強度をより一層向上できる。
なお、保護層115がIp1+電極112を「覆う」とは、Ip1+電極112の上面112cのように保護層115がIp1+電極112を直接覆う(Ip1+電極112に接する)場合の他、Ip1+電極112の上面112aのように保護層115とIp1+電極112との間に連通路251,252が介在する場合も含む。
図7は第2の実施形態に係るガスセンサ素子200の斜視図、図8は図7のD−D線に沿う断面図、図9はガスセンサ素子200のIp1セル(第1ポンプセル)210近傍の分解斜視図、図10はIp1+電極212及びIp1+リード116の上面図である。なお、図10は保護層215を取り去った状態での上面図を示す。
そして、Ip1+電極212の側面212e及び上面212aが連通路260に接し、Ip1+電極212が連通路260を介して外部と連通するようになっている。又、本実施形態では、連通路260は、ガス透過性及び透水性を有する多孔質体を充填してなるが、連通路260を空隙としてもよい。
従って、Ip1+電極212を覆う保護層215に貫通孔を設けてガス透過性の多孔質体を埋設する必要がなくなり、ガスセンサ素子200の強度及び層間強度を向上させることができる。特に、連通路260の長さW2をIp1+電極112の長さW1よりも短くしているので、多孔質体又は空隙からなるために他の層より強度及び密着性に劣る連通路260と、他の層との接触面積を低減することができ、ガスセンサ素子200の強度及び層間強度の低下を大幅に抑制することができる。
図11は第3の実施形態に係るガスセンサ素子300の斜視図、図12は図11のE−E線に沿う断面図、図13はガスセンサ素子300のIp1セル(第1ポンプセル)310近傍の分解斜視図、図14はIp1+電極312及びIp1+リード116の上面図である。なお、図14は保護層315を取り去った状態での上面図を示す。
そして、図12に示すように、Ip1+電極312の先端向き面312f及び上面312aが連通路350に接し、Ip1+電極312が連通路350を介して外部と連通するようになっている。又、本実施形態では、連通路350は、ガス透過性及び透水性を有する多孔質体を充填してなるが、連通路350を空隙としてもよい。
ここで、第1の実施形態と同様、Ip1+リード116の幅W3は、Ip1+電極312の幅W4よりも狭い。さらに、本実施形態では、図14に示すように、幅方向に沿って連通路350の長さW5がIp1+電極312の長さW4よりも短くなっている。
従って、Ip1+電極312を覆う保護層315に貫通孔を設けてガス透過性の多孔質体を埋設する必要がなくなり、ガスセンサ素子300の強度及び層間強度を向上させることができる。特に、連通路350の長さW5をIp1+電極312の長さW4よりも短くしているので、他の層より強度及び密着性に劣る連通路350と、他の層との接触面積を低減することができ、ガスセンサ素子300の強度及び層間強度の低下を大幅に抑制することができる。
本実施形態においては、連通路350が軸線AX方向に延びているため、連通路350の長さ(他の層との接触面積)が長くなり、ガスセンサ素子の強度及び層間強度の低下が懸念される。そこで、連通路350がガスセンサ素子300の先端側のみで外部と連通するように構成し、領域SにてIp1+電極312を保護層315で直接覆うことで、強度及び密着性の高い保護層315が領域Sに介在し、領域Sでのガスセンサ素子300の強度及び層間強度が向上する。これにより、連通路350が軸線AX方向に延びていても、ガスセンサ素子300の強度及び層間強度の低下を抑制できる。
図15は第4の実施形態に係るガスセンサ素子400の斜視図、図16は図15のF−F線に沿う断面図、図17はガスセンサ素子400のIp1セル(第1ポンプセル)410近傍の分解斜視図、図18はIp1+電極412及びIp1+リード116の上面図である。なお、図18は保護層415を取り去った状態での上面図を示す。
そして、図16に示すように、Ip1+電極412の後端向き面412c及び上面412aが連通路450に接し、Ip1+電極412が連通路450を介して外部と連通するようになっている。又、本実施形態では、連通路450は、ガス透過性及び透水性を有する多孔質体を充填してなるが、連通路450を空隙としてもよい。
ここで、第1の実施形態と同様、Ip1+リード116の幅W3は、Ip1+電極412の幅W4よりも狭い。さらに、本実施形態では、幅方向に沿って連通路450の長さW5がIp1+電極412の長さW4よりも短くなっている。
従って、Ip1+電極412を覆う保護層415に貫通孔を設けてガス透過性の多孔質体を埋設する必要がなくなり、ガスセンサ素子400の強度及び層間強度を向上させることができる。特に、連通路350の長さW5をIp1+電極312の長さW4よりも短くしているので、連通路450と他の層との接触面積を低減することができ、ガスセンサ素子400の強度及び層間強度の低下を大幅に抑制することができる。
本実施形態においても、連通路450が軸線AX方向に延びているため、連通路350の長さ(他の層との接触面積)が長くなり、ガスセンサ素子の強度及び層間強度の低下が懸念される。そこで、連通路450がガスセンサ素子400の後端側のみで外部と連通するように構成し、領域S2にてIp1+電極412を保護層415で直接覆うことで、強度及び密着性の高い保護層415が領域S2に介在し、領域S2でのガスセンサ素子400の強度及び層間強度が向上する。これにより、連通路450が軸線AX方向に延びていても、ガスセンサ素子400の強度及び層間強度の低下を抑制できる。
例えば、第2電極の電極部及び連通路の大きさや形状、配置位置、個数も限定されない。
例えば、図19に示すように、第1の実施形態において、各連通路251y,252yをIp1+電極112と面一にし、各連通路251y,252yがIp1+電極112の両側面112eにのみそれぞれ接するようにしてもよい。
図20に示すように、第1の実施形態において、ガスセンサ素子10の側面とIp1+電極112の両側面112eとの間に、連通路251,252の代わりにIp1+電極112と面一にガス非透過性の絶縁層171、172をそれぞれ充填し、絶縁層172よりも絶縁層151z側にのみ連通路251z,252zを設けてもよい。この場合、各連通路251z,252zはIp1+電極112の上面112aにのみそれぞれ接する。
図21に示すように、第2の実施形態において、連通路260yをIp1+電極112の後端側に配置し、連通路260yがIp1+電極212の後端向き面212hにのみ接するようにしてもよい。
図22に示すように、第3の実施形態において、連通路350yをIp1+電極312の側面に配置し、連通路350yがIp1+電極312の一側面312eにのみ接するようにしてもよい。なお、この場合、Ip1+電極312のうち、連通路350yの後端縁350yeよりも後端側の領域Sが保護層315で直接覆われている。
10、200、300、400 ガスセンサ素子
111 固体電解質体
112、212、312、412、116 第2電極
112、212、312、412 電極部
113 第1電極
115 緻密層(保護層)
116 リード部
150 測定室
251、252、260、350、450 連通路
AX 長手方向(軸線方向)
W1 長手方向に沿って見た時の電極部の長さ
W2 長手方向に沿って見た時の連通路の長さ
W3 リード部の幅
W4 リード部の幅と同じ方向における(幅方向に沿う)電極部の幅
W5 幅方向に沿う連通路の長さ
S,S2 電極部のうち長手方向に沿って連通路よりも反対側に延びる領域
Claims (4)
- 板状の固体電解質体と、
該固体電解質体上に積層して設けられた第1電極及び第2電極からなる一対の電極であって、前記第1電極は前記固体電解質体と積層方向に隣接する測定室内に露出し、前記第2電極は電極部と該電極部よりも狭幅なリード部とを有して外部との間で酸素を汲み出し及び汲み入れる一対のポンプ電極と、を有し、長手方向に延びるガスセンサ素子であって、
さらに、前記第2電極を覆う緻密層と、
前記ガスセンサ素子の幅方向に延びて前記電極部と前記外部とを連通する連通路と、を有し、
前記長手方向に沿って見た時に、前記連通路の長さが前記電極部の長さよりも短いガスセンサ素子。 - 板状の固体電解質体と、
該固体電解質体上に積層して設けられた第1電極及び第2電極からなる一対の電極であって、前記第1電極は前記固体電解質体と積層方向に隣接する測定室内に露出し、前記第2電極は電極部と該電極部よりも狭幅なリード部とを有して外部との間で酸素を汲み出し及び汲み入れる一対のポンプ電極と、を有し、長手方向に延びるガスセンサ素子であって、
さらに、前記第2電極を覆う緻密層と、
前記長手方向に延びて前記ガスセンサ素子の先端側又は後端側のいずれか一方で前記電極部と前記外部とを連通する連通路と、を有し、
前記ガスセンサ素子の幅方向に沿って見た時に、前記連通路の長さが前記電極部の長さよりも短く、
前記電極部のうち、前記長手方向に沿って見た時に、前記連通路よりも反対側に延びる領域が前記緻密層で直接覆われているガスセンサ素子。 - 前記連通路に多孔質体が充填されてなる請求項1又は2記載のガスセンサ素子。
- 請求項1〜3のいずれか一項に記載のガスセンサ素子を有するガスセンサ。
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