JP6366467B2 - 発光装置の製造方法 - Google Patents
発光装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6366467B2 JP6366467B2 JP2014223440A JP2014223440A JP6366467B2 JP 6366467 B2 JP6366467 B2 JP 6366467B2 JP 2014223440 A JP2014223440 A JP 2014223440A JP 2014223440 A JP2014223440 A JP 2014223440A JP 6366467 B2 JP6366467 B2 JP 6366467B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicone resin
- irradiation
- irradiation energy
- excimer lamp
- tackiness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Description
上記の照射する工程では、酸素濃度が0%〜5%の環境においてシリコーン樹脂の表面に紫外光を照射することが好ましい。
上記の封止する工程では、JISK6253で規定されているタイプD硬度が30以下のシリコーン樹脂を基板上に充填することが好ましい。
実施例1と同様のLEDパッケージを用意し、照射工程を実施せずに第1の実験を行ったところ、直径がどちらの場合も、すべてのビーズが転がらないという結果になった。また、第2の実験における水滴の接触角は95度であった。したがって、エキシマランプを用いた照射工程を実施しない比較例1ではタック性が残存していることが確かめられた。
実施例1と同様のLEDパッケージを用意し、エキシマランプにより、シリコーン樹脂の表面における照射エネルギーが142.9mJ/cm2になるように照射工程を実施した。エキシマランプと照射エネルギーの測定装置は実施例1と同一のものを使用し、測定環境の酸素濃度も実施例1と同一に設定した。比較例2の照射後のシリコーン樹脂について第1の実験を行ったところ、直径がどちらの場合も、5個のうちの3個のビーズが転がらずに残るという結果になった。また、第2の実験における水滴の接触角を測定すると、72度であった。したがって、比較例2の照射後のシリコーン樹脂では、タック性が残存していることが確かめられた。また、比較例2の照射後のシリコーン樹脂では、クラックと変色は発生しなかった。
実施例1と同様のLEDパッケージを用意し、エキシマランプにより酸素濃度10%の環境下で照射工程を実施した。エキシマランプと照射エネルギーの測定装置は実施例1と同一のものを使用し、シリコーン樹脂の表面における照射エネルギーを190.0mJ/cm2とした。比較例3の照射後のシリコーン樹脂について第1の実験を行ったところ、直径がどちらの場合も、5個のうちの2個のビーズが転がらずに残るという結果になった。また、第2の実験における水滴の接触角は60度であった。したがって、比較例3の照射後のシリコーン樹脂では、タック性が残存していることが確かめられた。また、比較例3の照射後のシリコーン樹脂では、クラックと変色は発生しなかった。
実施例1と同様のLEDパッケージを用意し、エキシマランプにより、シリコーン樹脂の表面における照射エネルギーが2145mJ/cm2になるように照射工程を実施した。エキシマランプと照射エネルギーの測定装置は実施例1と同一のものを使用し、測定環境の酸素濃度も実施例1と同一に設定した。
実施例1と同様のLEDパッケージを用意し、エキシマランプにより、シリコーン樹脂の表面における照射エネルギーが2860mJ/cm2になるように照射工程を実施した。エキシマランプと照射エネルギーの測定装置は実施例1と同一のものを使用し、測定環境の酸素濃度も実施例1と同一に設定した。
実施例1と同様のLEDパッケージを用意し、ピーク波長が172nmのエキシマランプに代えて、表面改質に関わる主な波長が185nmと254nmである低圧水銀ランプを光源とするUVオゾン処理装置を使用して、照射工程を実施した。照射エネルギーは、シリコーン樹脂の表面において24000mJ/cm2となるように設定した。また、照射エネルギーの測定装置は実施例1と同一のものを使用し、測定環境の酸素濃度も実施例1と同一に設定した。ただし、波長が185nmの光は波長が254nmの光に対して非常に弱いことから、酸素に阻まれてほとんどシリコーン樹脂の表面に到達していないため、実質的には波長254nmの光のみがシリコーン樹脂の表面に照射されている。比較例6の照射後のシリコーン樹脂について第2の実験を行ったところ、水滴の接触角は83度であった。したがって、比較例6の照射後のシリコーン樹脂は、タック性が残存していることが確かめられた。また、比較例6のシリコーン樹脂では、クラックは発生しなかったが、黄色く変色していた。
2 エキシマランプ
10 実装基板
20 回路基板
30 LED素子
50 シリコーン樹脂
51 表面
Claims (2)
- 基板上に発光ダイオードを実装する工程と、
実装された前記発光ダイオードをシリコーン樹脂により封止する工程と、
前記シリコーン樹脂の最表面における照射エネルギーが280mJ/cm2〜1500mJ/cm2になるように、酸素濃度が0%〜5%の環境において前記シリコーン樹脂の表面に波長が100nm〜200nmの紫外光を照射して、前記シリコーン樹脂の表面をもとのシリコーン樹脂の中にSiO 2 が多数の島状に点在した状態に変化させる工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記封止する工程では、JISK6253で規定されているタイプD硬度が30以下のシリコーン樹脂を前記基板上に充填する、請求項1に記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014223440A JP6366467B2 (ja) | 2014-10-31 | 2014-10-31 | 発光装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014223440A JP6366467B2 (ja) | 2014-10-31 | 2014-10-31 | 発光装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016092139A JP2016092139A (ja) | 2016-05-23 |
JP6366467B2 true JP6366467B2 (ja) | 2018-08-01 |
Family
ID=56018679
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014223440A Active JP6366467B2 (ja) | 2014-10-31 | 2014-10-31 | 発光装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6366467B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9935247B2 (en) | 2014-07-23 | 2018-04-03 | Crystal Is, Inc. | Photon extraction from ultraviolet light-emitting devices |
JP6773063B2 (ja) | 2018-02-22 | 2020-10-21 | 日亜化学工業株式会社 | 透光性部材の形成方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2700091B2 (ja) * | 1994-02-25 | 1998-01-19 | 信越ポリマー株式会社 | 表面改質されたシリコ−ンゴム成形体 |
JP3436435B2 (ja) * | 1995-02-22 | 2003-08-11 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 紫外線硬化型シリコーン組成物の硬化方法 |
JP2000212441A (ja) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | Denki Kagaku Kogyo Kk | シリコ―ン固化物 |
JP4602736B2 (ja) * | 2004-10-21 | 2010-12-22 | 株式会社フジクラ | 半導体発光装置 |
JP2007152942A (ja) * | 2005-11-11 | 2007-06-21 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 紫外線硬化型樹脂の硬化方法、フラットパネルの製造方法、および紫外線照射装置 |
US20110062424A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Nitto Denko Corporation | Polymer compositions comprising additive block copolymers |
JP5827878B2 (ja) * | 2011-11-28 | 2015-12-02 | 日東電工株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP6068175B2 (ja) * | 2013-02-12 | 2017-01-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板、発光装置、配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-10-31 JP JP2014223440A patent/JP6366467B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016092139A (ja) | 2016-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10205067B2 (en) | LED with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer | |
US8227269B2 (en) | Manufacture of light emitting devices with phosphor wavelength conversion | |
US20120142124A1 (en) | Method of applying phosphor to semiconductor light-emitting device | |
CN109690181B (zh) | 光学半导体元件覆盖用薄片 | |
JP5373244B2 (ja) | 発光ダイオード用レンズ部品及び発光ダイオード光源装置 | |
TW200731408A (en) | UV curing of low-k porous dielectrics | |
JP6366467B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP6622032B2 (ja) | 発光装置 | |
JPWO2018143437A1 (ja) | Ledパッケージおよびその製造方法 | |
JP2014154768A5 (ja) | ||
JP2019061230A (ja) | 量子ドットに基づいて色変換する発光装置、および、その製造方法 | |
JP2017212301A (ja) | 発光装置、照明装置、車両用照明装置、および、発光装置の製造方法 | |
CN111081853B (zh) | Led组件、量子点led发光件、量子点led封装结构及显示设备 | |
JP2007080874A (ja) | 発光装置 | |
TW201535773A (zh) | 光半導體裝置及其製造方法、以及銀用表面處理劑及發光裝置 | |
JP2007300043A (ja) | 発光装置 | |
JP6656238B2 (ja) | 光学部材、光半導体デバイス、および照明装置 | |
JP2016531954A (ja) | 反射性組成物 | |
JP2011165827A (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2020126152A (ja) | 蛍光体保護フィルム | |
JP6193478B2 (ja) | 波長変換要素の製造方法、波長変換要素、および波長変換要素を備えた部品 | |
TWM566404U (zh) | Light-emitting diode package with water blocking oxygen structure | |
TW201525044A (zh) | 發光裝置及波長轉換層的製作方法 | |
TWI812356B (zh) | 半導體加工的方法及製具 | |
TWI431024B (zh) | 光化學膜及其表面改質方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180207 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180220 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180420 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180605 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180703 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6366467 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |