JP6358064B2 - プラズマ成膜方法 - Google Patents
プラズマ成膜方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6358064B2 JP6358064B2 JP2014245485A JP2014245485A JP6358064B2 JP 6358064 B2 JP6358064 B2 JP 6358064B2 JP 2014245485 A JP2014245485 A JP 2014245485A JP 2014245485 A JP2014245485 A JP 2014245485A JP 6358064 B2 JP6358064 B2 JP 6358064B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film formation
- chamber
- film
- film forming
- flow rate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
110…ガス供給機構
112…原料タンク
113…原料ガス供給配管
113C…流量調整機器
114…窒素タンク
115…窒素供給配管
115C…流量調整機器
116…アルゴンタンク
117…アルゴン供給配管
117C…流量調整機器
121…第1成膜室
122…第2成膜室
130…真空ポンプ
131…排気配管
140…連通配管
200…制御装置
V1〜V12…バルブ
Claims (1)
- プラズマ成膜方法であって、
成膜室のガスを排気する排気行程と、
原料ガス供給源から前記成膜室に到るガス供給配管を経て、前記成膜室に小流量の第1の流量で原料ガスを供給し、前記成膜室にて前記原料ガスから成膜する第1成膜工程と、
前記ガス供給配管を経て、前記成膜室に前記第1の流量より大流量の第2の流量で原料ガスを供給し、前記成膜室にて前記原料ガスから成膜する第2成膜工程と、
前記第1の流量に流量調整された前記原料ガスが前記成膜室に供給される前に、前記ガス供給配管の残存ガスを排気する残存ガス排気工程とを含む成膜処理により前記成膜室において成膜対象基板への成膜を図るに当たり、
前記成膜室としての第1成膜室と第2成膜室の一方の成膜室で前記成膜処理が実行されている成膜状況下では、他方の成膜室では、該他方の成膜室で前記成膜処理済みの前記成膜対象基板を前記他方の成膜室から搬出して前記他方の成膜室に新たな前記成膜対象基板を搬入する第1運用工程と、
前記一方の成膜室で前記成膜処理が完了すると、前記他方の成膜室で前記成膜処理を実行し、前記一方の成膜室では、該一方の成膜室で前記成膜処理済みの前記成膜対象基板を前記一方の成膜室から搬出して前記一方の成膜室に新たな前記成膜対象基板を搬入する第2運用工程とを備え、前記第1運用工程と前記第2運用工程とを複数回繰り返す、
プラズマ成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014245485A JP6358064B2 (ja) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | プラズマ成膜方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014245485A JP6358064B2 (ja) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | プラズマ成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016108590A JP2016108590A (ja) | 2016-06-20 |
JP6358064B2 true JP6358064B2 (ja) | 2018-07-18 |
Family
ID=56123339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014245485A Active JP6358064B2 (ja) | 2014-12-04 | 2014-12-04 | プラズマ成膜方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6358064B2 (ja) |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5670218A (en) * | 1995-10-04 | 1997-09-23 | Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. | Method for forming ferroelectric thin film and apparatus therefor |
JPH09309794A (ja) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド膜およびその合成方法 |
JP3706685B2 (ja) * | 1996-06-10 | 2005-10-12 | キヤノン株式会社 | 半導体を作製する装置のガス供給方法 |
JP2002129337A (ja) * | 2000-10-24 | 2002-05-09 | Applied Materials Inc | 気相堆積方法及び装置 |
JP5264039B2 (ja) * | 2004-08-10 | 2013-08-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
US20100258169A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | Applied Materials , Inc. | Pulsed plasma deposition for forming microcrystalline silicon layer for solar applications |
JP5218248B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2013-06-26 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 気相成長装置と半導体装置の製造方法 |
JP2012199473A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法 |
-
2014
- 2014-12-04 JP JP2014245485A patent/JP6358064B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2016108590A (ja) | 2016-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2009099776A9 (en) | Closed loop mocvd deposition control | |
JP2010251760A5 (ja) | ||
TWI567214B (zh) | A method for forming a nitride semiconductor layer, and a method of manufacturing the semiconductor device | |
JP2012138500A (ja) | タングステン膜又は酸化タングステン膜上への酸化シリコン膜の成膜方法及び成膜装置 | |
CN104508795A (zh) | 用于沉积第iii族氮化物半导体膜的方法 | |
TW201742936A (zh) | 半導體設備的成膜方法、氮化鋁成膜方法以及電子裝置 | |
US20170062212A1 (en) | Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method | |
CN102605344A (zh) | 基板处理装置的干式清洁方法 | |
JP2014216540A (ja) | 成膜装置のクリーニング方法および成膜装置 | |
KR20200078423A (ko) | 텅스텐 막에서의 결함들을 감소시키거나 제거하는 방법들 | |
US20220223411A1 (en) | Methods for depositing gap-filling fluids and related systems and devices | |
JP2013125851A (ja) | 成膜装置及び成膜方法 | |
JP7274729B2 (ja) | Iii族窒化物半導体の製造方法 | |
JP2007227435A (ja) | 半導体製造装置のクリーニング方法およびクリーニング装置ならびに半導体製造装置 | |
JP6358064B2 (ja) | プラズマ成膜方法 | |
JP2012059866A (ja) | Mocvd装置及びそのクリーニング方法 | |
US9920425B2 (en) | Semiconductor manufacturing apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
CN103943467A (zh) | 利用应力梯度分离氮化物自支撑衬底的方法 | |
WO2016080450A1 (ja) | 気相成長方法 | |
CN106987825A (zh) | 一种基于单原子层沉积的金属生长方法 | |
US7972961B2 (en) | Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers | |
JP2010202912A (ja) | 原子層成長装置および方法 | |
KR101895110B1 (ko) | 성막 방법 및 성막 장치 | |
KR20210090248A (ko) | 부착물 제거 방법 및 성막 방법 | |
JP2015156418A (ja) | 気相成長方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20170413 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20171227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180314 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180522 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180604 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6358064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |