JP6354621B2 - 窒化珪素質セラミックス焼結体及びその製造方法 - Google Patents
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(1) 主相のβ−Si3N4相と、粒界相のY2Si2O7相と、Si2N2O相と、個数密度1〜10個/μm2かつ平均間隔0.3μm以上で分散されたSiC微粒子と、を有し、前記Si2N2O相のうちの50〜80%のSi2N2O相が前記主相と前記粒界相との界面に存在し、前記SiC微粒子の50%以上が平均粒径0.05μm以下かつアスペクト比1.2以下であり、Al、Fe、Na、Cl、及びCの総含有量が100ppm以下であることを特徴とする窒化珪素質セラミックス焼結体。
(2) 前記Y2Si2O7相を4〜8質量%、前記Si2N2O相を1〜3質量%、前記SiC微粒子を0.5〜3質量%含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体。
(3) アルキメデス密度が3.10g/cm3以上、気孔率が0.5%以下、且つ最大欠陥サイズが10μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体。
(4) 請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法であって、α−SiCを主相とし、平均結晶径10μm以下の炭化珪素質セラミックスからなる混合用ポット及び混合用ボールを用意し、前記混合用ポットに、前記混合用ボールと、出発原料とを充填し、前記混合用ポットに回転、撹拌、又は振動の少なくともいずれかの運動を与えて、前記出発原料を分散、及び混合させると共に前記混合用ポットと混合用ボールを摩滅させて、前記出発原料中にSiC微粒子を混入させる原料混合工程と、前記原料混合工程で得られた混合粉末を、理論密度比の50体積%以上の成形体に成形する成形工程と、前記成形体を、窒素雰囲気中1810〜1840℃の焼結温度で焼結する焼結工程と、前記焼結工程後、窒素雰囲気中、1450℃以上1550℃の温度範囲の保持温度で24時間以上保持する降温過程熱処理工程と、を有し、前記出発原料は、平均粒径5μm以下のY2O3粉末、平均粒径2μm以下のSiO2粉末及び平均粒径0.5μm以下のα−Si3N4粉末とを含み、これら粉末の合計量に対する割合として前記Y2O3粉末が3〜10質量%、前記SiO2粉末が1〜5質量%となるように、前記混合用ポットに充填することを特徴とする窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法。
(5) 前記降温過程熱処理工程は、前記焼結工程後、窒素雰囲気中、1350℃以上1450℃未満の温度範囲の第一保持温度まで降温し、該第一保持温度で2時間以上保持後、前記保持温度まで再加熱し、該保持温度で24時間以上保持することを特徴とする請求項4に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法。
(6) 前記焼結温度から前記保持温度または前記第一保持温度までの降温速度を5℃/分〜10℃/分の範囲とすることを特徴とする請求項4または5に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法。
2)SiC微粒子が、個数密度1〜10個/μm2かつ平均間隔0.3μm以上で焼結体中に分散している。
3)焼結体に含まれる全SiC微粒子のうち、50%以上のSiC微粒子が平均粒径0.05μm以下でアスペクト比1.2以下である。
4)焼結体に含まれるAl、Fe、Na、Cl、Cの総含有量が100ppm以下である。
なお、従来の低融点ガラス相を有する窒化珪素焼結体は、高温下における耐酸化性及び耐熱衝撃性が劣っている。
(原料混合工程)
本発明において使用される窒化珪素原料粉末は、α型の結晶構造をもつSi3N4粉末が焼結性の点から好適であるが、一部にβ型あるいは非晶質Si3N4粉末が含まれていても構わない。焼結時に十分に高い密度とするためには、平均粒径0.5μm以下の微粒子であることが望ましい。窒化珪素原料粉末は、例えば、不純物としてAl、Fe、Na、Clが全て10ppm以下である高純度グレードの粉末を用いる。
また、Si2N2Oや酸化珪素と酸化イットリウムの複合酸化物を添加する場合、各々の添加量は、酸化珪素及び酸化イットリウムとしての換算量が前記の範囲となるように決定される。具体的には、SiO2で1〜5%、Y2O3で3〜10%が基本の配合組成だが、酸窒化物(Si2N2O)中のSiO2量は、Si2N2Oの分子量が90でSi2Oだけでは72となるのでSi2N2Oでは1×72/90=0.8、5×72/90=4.0の範囲、0.8〜4.0%となる。同じように、複合酸化物(Y2O3・SiO2)では、Y2O3・SiO2の分子量が286、Y2O3が226のため、Y2O3・SiO2では、(3×226/286)〜(10×226/286)%、即ち、2.37〜7.90%添加すればよい。
焼結前の成形体の成形密度としては1.6g/cm3以上、即ち理論密度比の50体積%以上であることが好ましい。焼結前の成形体の成形密度が理論密度比50体積%未満では、焼成時の線方向収縮が大きく、割れが出易く、10μm以上の大きな欠陥を形成する確率が高まるため好ましくない。
焼結方法としては、窒素ガスを含む雰囲気にて、例えば無加圧焼結法、ガス圧焼結法、熱間静水圧プレス焼結法、ホットプレス焼結法、等の各種焼結法を用いることができ、これらを組み合わせることも可能だが、最も好ましいのはガス圧焼結法である。窒素ガスを含む雰囲気で焼結するのは、焼結中に再析出するβ−Si3N4結晶相の揮発分解を抑制することが可能になるためである。
また、大型厚肉形状の成形体を製造する場合には、十分な緻密化を図るために、0.数〜数MPaまでのガス圧焼結後に、数十から数百MPaの高圧の窒素ガス雰囲気中での熱間静水圧プレス焼結を行うことが好ましい。ガス圧及び熱間静水圧プレス焼結条件としては、焼結温度が1810〜1840℃であることが望ましい。
粒界相として、Y2Si2O7相及びβ−Si3N4相とY2Si2O7相の2相の界面に50〜80%存在するSi2N2O相を結晶化させるためには、焼結後に、窒素雰囲気中、1450℃以上1550℃以下の温度範囲の保持温度で24時間以上保持する降温過程熱処理工程を実施することが好ましい。
窒化珪素(Si3N4)粉末(α化率97%以上、純度99.7%、不純物としてAl、Fe、Na、Clが全て10ppm以下、平均粒径0.3μm)に酸化イットリウム(Y2O3)粉末(不純物としてAl、Fe、Na、Clが全て10ppm以下、平均粒径2.0μm)、酸化珪素(SiO2)粉末(不純物としてAl、Fe、Na、Clが全て10ppm以下、平均粒径0.5μm)を、第1表に示す所定量(質量%)になるように混合して出発原料とした。
比較例6及び7では、ポットの内壁、蓋やボールにSiC材ではなく、不純物としてAl、Fe、Na、Clが全て100ppm以上のSi3N4材を用いて原料混合した。その結果、本発明の結晶相構造が得られなかった。また、比較例6では、異常粒成長によりアルキメデス密度が3.10g/cm3を下回った。
1)β−Si3N4相の粒界相にY2Si2O7が存在し、前記2相の界面にSi2N2O相が50〜80%存在すること。
2)SiC微粒子の平均粒径が0.05μm以下で、アスペクト比が1.2以下の割合が50%以上であること。
3)SiC微粒子の個数密度が1〜10個/μm2、平均間隔0.3μm以上の分布状態で分散配合していること。
Claims (6)
- 主相のβ−Si3N4相と、
粒界相のY2Si2O7相と、
Si2N2O相と、
個数密度1〜10個/μm2かつ平均間隔0.3μm以上で分散されたSiC微粒子と、を有し、
前記Si2N2O相のうちの50〜80%のSi2N2O相が前記主相と前記粒界相との界面に存在し、
前記SiC微粒子の50%以上が平均粒径0.05μm以下かつアスペクト比1.2以下であり、
Al、Fe、Na、Cl、及びCの総含有量が100ppm以下であることを特徴とする窒化珪素質セラミックス焼結体。 - 前記Y2Si2O7相を4〜8質量%、前記Si2N2O相を1〜3質量%、前記SiC微粒子を0.5〜3質量%含むことを特徴とする請求項1に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体。
- アルキメデス密度が3.10g/cm3以上、気孔率が0.5%以下、且つ最大欠陥サイズが10μm以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法であって、
α−SiCを主相とし、平均結晶径10μm以下の炭化珪素質セラミックスからなる混合用ポット及び混合用ボールを用意し、前記混合用ポットに、前記混合用ボールと、出発原料とを充填し、前記混合用ポットに回転、撹拌、又は振動の少なくともいずれかの運動を与えて、前記出発原料を分散、及び混合させると共に前記混合用ポットと混合用ボールを摩滅させて、前記出発原料中にSiC微粒子を混入させる原料混合工程と、
前記原料混合工程で得られた混合粉末を、理論密度比の50体積%以上の成形体に成形する成形工程と、
前記成形体を、窒素雰囲気中1810〜1840℃の焼結温度で焼結する焼結工程と、
前記焼結工程後、窒素雰囲気中、1450℃以上1550℃の温度範囲の保持温度で24時間以上保持する降温過程熱処理工程と、を有し、
前記出発原料は、平均粒径5μm以下のY2O3粉末、平均粒径2μm以下のSiO2粉末及び平均粒径0.5μm以下のα−Si3N4粉末とを含み、これら粉末の合計量に対する割合として前記Y2O3粉末が3〜10質量%、前記SiO2粉末が1〜5質量%となるように、前記混合用ポットに充填することを特徴とする窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法。 - 前記降温過程熱処理工程は、
前記焼結工程後、窒素雰囲気中、1350℃以上1450℃未満の温度範囲の第一保持温度まで降温し、該第一保持温度で2時間以上保持後、前記保持温度まで再加熱し、該保持温度で24時間以上保持することを特徴とする請求項4に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法。 - 前記焼結温度から前記保持温度または前記第一保持温度までの降温速度を5℃/分〜10℃/分の範囲とすることを特徴とする請求項4または5に記載の窒化珪素質セラミックス焼結体の製造方法。
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