JP6350496B2 - 画像形成装置 - Google Patents

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Description

本発明は、電子写真方式の画像形成装置に関する。
一般に、電子写真方式の画像形成装置は、光ビームを出力する半導体レーザーなどの光源と、回転する感光体の表面に対して主走査方向に沿って前記光ビームを走査する光走査部とを備える。
前記光ビームがポリゴンミラーによって一定の角速度で走査される場合、前記光ビームは、fθレンズを通じて前記感光体の表面に照射される。これにより、前記感光体の表面における前記光ビームの走査速度が一定になる。
そして、制御部が、所定の画素クロックに同期して、画像データにおける各画素データに対応する前記光源の発光制御を実行する。これにより、前記画像データに対応した静電潜像が、前記光ビームによって前記感光体の表面に書き込まれる。
一方、前記光ビームが、MEMS(Micro Electro Mechanical System)方式のミラーによって往復走査されることが考えられる。以下、MEMS方式のミラーのことをMEMSミラーと称する。前記MEMSミラーは、正弦波状の駆動信号に共振するミラーによって前記光ビームを反射する。なお、ガルバノミラーも同様に前記光ビームを往復走査させる。
前記光ビームが前記MEMSミラーからfθレンズを通じて前記感光体に照射される場合、前記感光体の表面における前記光ビームの走査速度は、全走査範囲の両端に近い位置ほど低速になる。そのため、前記発光制御における前記画素クロックの周期と、前記光ビームが1画素分の露光範囲を走査する時間とのミスマッチが生じる。このミスマッチは、画像の歪みなど、画質に悪影響を及ぼす。
また、前記ガルバノミラーが用いられる場合に、特殊な走査レンズが前記fθレンズの代わりに採用されることにより、前記感光体の表面における前記光ビームの走査速度を一定にすることが知られている(例えば、特許文献1参照)。
特開2005−215571号公報
ところで、前記MEMSミラーと、前記感光体の表面における前記光ビームの走査速度を一定化する前記走査レンズとが採用される場合、前記感光体の表面における前記光ビームのスポット径が、走査位置に応じて変動する。前記光ビームのスポット径の変動は、画質に悪影響を及ぼす。
本発明の目的は、静電潜像がMEMS方式のミラーによって走査される光ビームによって形成される場合に、光ビームのスポット径の変動を防止しつつ、発光制御における画素クロックの周期と前記光ビームが1画素分の露光範囲を走査する時間とのミスマッチを防止することができる画像形成装置を提供することにある。
本発明の一の局面に係る画像形成装置は、光ビームを出力する光源と、感光体と、光偏向器と、走査レンズと、変調画素クロック生成部と、発光制御部とを備える。前記感光体は、前記光ビームによって表面に静電潜像が書き込まれる部材である。前記光偏向器は、入力される正弦波状の駆動信号に共振するミラーによって前記光ビームを反射する。これにより、前記光偏向器は、前記光ビームを前記感光体の表面に対して主走査方向に沿って往復走査させる。前記走査レンズは、前記光偏向器から前記感光体に至る途中の前記光ビームが通過するレンズである。前記走査レンズは、前記光ビームの入射角をθ、焦点距離をf、像高をYとしたときに、Y=fθの特性、または、少なくとも前記光ビームが当該レンズを通過しない場合に比べてY=fθに近づける特性を有する。前記変調画素クロック生成部は、画像データ処理における画素単位の処理の基準となる基準画素クロックを、前記駆動信号に対する逓倍処理および位相シフト処理により得られる信号で周波数変調することにより、変調画素クロックを生成する。前記発光制御部は、前記変調画素クロックに同期して、画像データにおける各画素データに対応する前記光源の発光制御を実行する。
本発明によれば、静電潜像がMEMS方式のミラーによって走査される光ビームによって形成される場合に、光ビームのスポット径の変動を防止しつつ、発光制御における画素クロックの周期と前記光ビームが1画素分の露光範囲を走査する時間とのミスマッチを防止することができる画像形成装置を提供することが可能になる。
図1は、第1実施形態に係る画像形成装置の構成図である。 図2は、第1実施形態に係る画像形成装置における発光制御関連機器のブロック図である。 図3は、第1実施形態に係る画像形成装置における画素クロックの変調に関する信号のタイムチャートである。 図4は、第1実施形態に係る画像形成装置における発光制御のタイミング調整に関する信号のタイムチャートである。 図5は、第2実施形態に係る画像形成装置における発光制御関連機器のブロック図である。 図6は、第2実施形態に係る画像形成装置における発光制御のタイミング調整に関する信号のタイムチャートである。 図7は、第3実施形態に係る画像形成装置における発光制御関連機器のブロック図である。
以下、添付図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。なお、以下の実施形態は、本発明を具体化した一例であって、本発明の技術的範囲を限定する性格を有さない。
[第1実施形態]
まず、図1を参照しつつ、第1実施形態に係る画像形成装置10の構成について説明する。画像形成装置10は、シートに画像を形成する電子写真方式の画像形成装置である。前記シートは、紙などのシート状の画像形成媒体である。
画像形成装置10は、本体部100内に、シート供給部2、シート搬送機構3および画像形成部4などを備える。
シート供給部2において、シート送出部22が、シートカセット21に収容された前記シートを搬送路30へ送り出す。
シート搬送機構3において、複数組の搬送ローラー対31が、前記シートを搬送路30に沿って搬送する。さらに、最も後段の搬送ローラー対31が、前記シートを本体部100内から排出トレイ101へ排出する。
画像形成部4は、感光体41、帯電部42、現像部43、転写部45、クリーニング部47、露光部48および定着部49などを備える。ドラム状の感光体41が回転し、帯電部42が感光体41の表面を一様に帯電させる。
例えば、感光体41が、有機感光体またはアモルファスシリコン感光体などであることが考えられる。帯電した感光体41の表面には、静電潜像が、光ビームB0によって書き込まれる。
露光部48は、光ビームB0を出力する光源5と、光走査部6とを備える。光源5の典型例は、半導体レーザーである。
光走査部6は、回転する感光体41の外周面に対して主走査方向R1に沿って光ビームB0を走査する。これにより、光走査部6は、帯電した感光体41の外周面に静電潜像を書き込む。
感光体41の外周面における主走査方向R1は、感光体41の回転中心線に平行な方向である。感光体41が回転することにより、感光体41の外周面における光ビームB0の走査位置は、副走査方向R2に順次ずれる。感光体41の外周面における副走査方向R2は、感光体41の回転方向に対し反対の方向である。
光走査部6は、光ビームB0を反射して走査するMEMSミラー61、走査レンズ62および固定されたミラー63などの光学機器を備える。MEMSミラー61は、MEMS方式の光偏光器、即ち、MEMS方式によって動作するミラーである。
MEMSミラー61は、入力される正弦波状の駆動信号S0に共振するミラーによって光ビームB0を反射する。これにより、MEMSミラー61は、光ビームB0を感光体41の表面に対して主走査方向R1に沿って往復走査させる。
MEMSミラー61が採用される場合、光ビームB0は、駆動信号S0のレベル変化、即ち、正弦波のレベル変化に応じた角速度で走査される。
走査レンズ62は、MEMSミラー61から感光体41に至る途中の光ビームB0が通過するレンズである。走査レンズ62における光ビームB0の入射角をθ、焦点距離をf、像高をYとしたときに、走査レンズ62は、Y=fθの特性、または、少なくとも光ビームB0が走査レンズ62を通過しない場合に比べてY=fθに近づける特性を有する。
例えば、走査レンズ62がfθレンズであることが考えられる。fθレンズは、Y=fθの特性を有するレンズである。
走査レンズ62が、Y=fθの特性を有する場合、光ビームB0が一定の角速度で走査されたときに、感光体41の表面における光ビームB0の走査速度Sv0が一定になる。また、走査レンズ62が、Y=fθに近似する特性を有する場合、光ビームB0が一定の角速度で走査されたときに、光ビームB0の走査速度Sv0が概ね一定になる。なお、走査速度Sv0は、走査レンズ62を通過後の光ビームB0の主走査方向R1における速度であるともいえる。
換言すれば、走査レンズ62が、Y=fθの特性を有する場合、走査速度Sv0は、光ビームB0の走査の角速度ω0に比例する。また、走査レンズ62が、Y=fθに近似する特性を有する場合、走査速度Sv0は、光ビームB0の走査の角速度ω0に概ね比例する。
また、走査レンズ62が、Y=fθの特性、または、Y=fθに近似する特性を有する場合、感光体41の表面における光ビームB0のスポット径の変動は小さい。
換言すれば、走査レンズ62の特性がY=fθに近いほど、感光体41の表面における光ビームB0のスポット径の変動がより小さく押さえられる。これにより、スポット径の変動に起因する画質への悪影響が軽減される。従って、画質への悪影響が許容される範囲において、走査レンズ62特性がY=fθから少し外れていてもよい。
現像部43は、前記静電潜像をトナーによって現像する。これにより、トナー像が感光体41の外周面に形成される。転写部45は、感光体41の前記トナー像を、搬送路30を移動中の前記シートに転写する。
クリーニング部47は、感光体41の外周面に残存する前記トナーを除去する。定着部49は、画像形成後の前記シートを加熱し、前記トナー像を前記シートに定着させる。
画像形成装置10は、不図示の通信部を通じて、外部の情報端末から印刷ジョブのデータを受信する。さらに、画像形成装置10の制御部8において、画像処理部81が、画像データ処理を実行する。例えば、画像処理部81は、前記印刷ジョブのデータを画像形成用のラスタデータなどの画像データD0へ変換する。
さらに、制御部8の発光制御部82が、画像データD0における描画対象となる複数の画素のデータに応じて、光源5の発光状態を制御する。光ビームB0は、感光体41の外周面における画像データD0の各画素に対応する部分各々に照射される。
ところで、MEMSミラー61と、感光体41の表面における光ビームB0の走査速度Sv0を一定化する走査レンズとが採用される場合、感光体41の表面における光ビームB0のスポット径が、走査位置に応じて変動する。光ビームB0のスポット径の変動は、画質に悪影響を及ぼす。
また、光ビームB0の走査位置に応じて、光源5の発光制御における1画素当たりの処理のクロック数を順次切り替える処理が行われることも考えられる。しかしながら、そのような処理は煩雑である。さらに、この処理では、1画素当たりの処理時間を、感光体41の表面における光ビームB0の走査速度Sv0に反比例した正確な時間に設定することが難しい。このことは、画像の歪みなど、画質に悪影響を及ぼしやすい。
一方、画像形成装置10が採用されれば、光ビームB0のスポット径の変動を防止しつつ、光源5の制御における画素クロックの周期と光ビームB0が1画素分の露光範囲を走査する時間とのミスマッチを防止することができる。以下、画像形成装置10における光源5の発光制御に関連する機器について説明する。
図2に示されるように、画像形成装置10の制御部は、画像処理部81および発光制御部82に加え、駆動信号生成部80、基準画素クロック生成部83、位相同期回路84、周波数変調部85および主走査同期信号生成部86などを備える。
例えば、画像処理部81、発光制御部82、基準画素クロック生成部83、位相同期回路84、周波数変調部85および主走査同期信号生成部86が、ASIC(Application Specific Integrated Circuit)またはDSP(Digital Signal Processor)などによって構成されることが考えられる。
駆動信号生成部80は、正弦波状の駆動信号S0を生成し、その駆動信号S0をMEMSミラー61に供給する回路である。本実施形態において、駆動信号S0は、位相同期回路84にも供給される。
基準画素クロック生成部83は、画像処理部81に供給される基準画素クロックCk0を生成する回路である。画像処理部81は、基準画素クロックCk0に同期して、1画素分の画像処理を実行する。
即ち、基準画素クロックCk0は、画像データD0の処理における画素単位の処理の基準となるクロックである。本実施形態において、基準画素クロックCk0は、周波数変調部85にも供給される。
位相同期回路84は、駆動信号S0に対して逓倍処理および位相シフト処理を施すことによって角速度信号S1を生成する回路である。角速度信号S1は、駆動信号S0によって動作するMEMSミラー61によって走査される光ビームB0の角速度ω0の変化を表す信号である。
図3に示されるように、角速度信号S1は、正弦波である駆動信号S0に対する逓倍処理および位相シフト処理によって得られる。例えば、位相同期回路84は、駆動信号S0に対し、2逓倍の処理、および、位相を90°シフトする処理を施す。これにより、角速度信号S1が得られる。
前述したように、走査レンズ62の作用により、走査速度Sv0は、角速度ω0に比例、または、概ね比例する。そのため、本実施形態において、角速度信号S1は、走査速度Sv0の変化を表す信号、または、概ね走査速度Sv0の変化を表すでもある。
図3に示されるように、周波数変調部85は、基準画素クロックCk0を角速度信号S1で周波数変調することにより、変調画素クロックCk1を生成する回路である。なお、位相同期回路84および周波数変調部85は、変調画素クロック生成部の一例である。
変調画素クロックCk1の周期は、光ビームB0の角速度ω0に反比例した周期となる。従って、走査レンズ62の作用により、変調画素クロックCk1の周期は、光ビームB0の走査速度Sv0に反比例、または、概ね反比例した周期となるように変化する。
従って、変調画素クロックCk1が発生するごとに光ビームB0が感光体41の表面を走査する距離が、均一化、または、概ね均一化される。
発光制御部82は、変調画素クロックCk1に同期して、画像データD0における各画素データに対応する光源5の発光制御を実行する。これにより、1画素分ごとの前記静電潜像の書き込みが、変調画素クロックCk1に同期して実行される。例えば、発光制御部82は、変調画素クロックCk1に同期して、1画素ごとの画像濃度に応じた光源5の点滅制御を実行する。
発光制御部82が、変調画素クロックCk1を前記静電潜像の書き込みのクロックとして用いることにより、前記発光制御における画素単位のクロックの周期と、光ビームB0が1画素分の露光範囲を走査する時間とのミスマッチの発生が回避される。
主走査同期信号生成部86は、主走査同期信号Y0を生成する回路である。主走査同期信号Y0は、主走査方向R1の1ライン分ごとの前記静電潜像の書き込み開始の基準となる信号である。
発光制御部82は、主走査同期信号Y0が所定の変化を示した時点を基準にして、主走査方向R1の1ライン毎の前記発光制御の開始タイミングを調整する。例えば、発光制御部82は、主走査同期信号Y0が所定の変化を示すごとに、その時点から予め定められた時間が経過したときから主走査方向R1の1ライン毎の前記発光制御を開始する。
本実施形態において、主走査同期信号生成部86は、2つの光検出センサー7a,7bの検出結果に基づいて、主走査同期信号Y0を生成する。以下の説明において、光ビームB0の全走査範囲のうち、前記静電潜像の書き込みの対象となり得る最大範囲のことを有効走査範囲と称する。
第1光検出センサー7aは、光ビームB0の全走査範囲の第1端側における、前記有効走査範囲の外側の位置で光ビームB0を検出するセンサーである。第2光検出センサー7bは、光ビームB0の全走査範囲の第2端側における、前記有効走査範囲の外側の位置で光ビームB0を検出するセンサーである。
図4に示される例では、第1光検出センサー7aが光ビームB0を検出しているときに、第1光検出センサー7aの検出信号X1がONになる。同様に、第2光検出センサー7bが光ビームB0を検出しているときに、第2光検出センサー7bの検出信号X2がONになる。
第1光検出センサー7aは、光ビームB0が全走査範囲における前記第1端側の特定範囲を走査中に光ビームB0を検出する。図4に示される例では、光ビームB0が前記第1端寄りの前記特定範囲を走査中に、第1光検出センサー7aは、比較的短時間のうちに、光ビームB0を2回検出する。
同様に、第2光検出センサー7bは、光ビームB0が全走査範囲における前記第2端側の特定範囲を走査中に、比較的短時間のうちに、光ビームB0を2回検出する。
主走査同期信号生成部86は、第1光検出センサー7aが予め定められた変化を示してから予め定められた第1待機時間t1が経過したときに、一定の期間、主走査同期信号Y0をONに設定する。発光制御部82は、この主走査同期信号Y0の変化時点を基準にして、前記第1端側から前記第2端側へ向かう走査往路における前記発光制御の開始タイミングを調整する。
同様に、主走査同期信号生成部86は、第2光検出センサー7bが予め定められた変化を示してから予め定められた第2待機時間t2が経過したときに、一定の期間、主走査同期信号Y0をONに設定する。発光制御部82は、この主走査同期信号Y0の変化時点を基準にして、前記第2端側から前記第1端側へ向かう走査復路における前記発光制御の開始タイミングを調整する。
以上に示されるように、発光制御部82は、光ビームB0が往路を走査中および復路を走査中の両方において前記発光制御を実行する。
以上に示されるように、画像形成装置10が採用されれば、光ビームB0のスポット径の変動を防止しつつ、前記発光制御における画素クロックの周期と光ビームB0が1画素分の露光範囲を走査する時間とのミスマッチを防止することができる。
また、MEMSミラー61が採用されることにより、光走査部6を小型化でき、さらに、光走査部6の起動時間が短縮される。
[第2実施形態]
次に、図5,6を参照しつつ、第2実施形態に係る画像形成装置10Aについて説明する。画像形成装置10Aは、画像形成装置10と比較して、主走査同期信号Y0を生成するための構成が異なる。
図5,6において、図1〜4に示される構成要素と同じ構成要素は、同じ参照符号が付されている。以下、画像形成装置10Aにおける画像形成装置10と異なる点について説明する。
図5に示されるように、画像形成装置10Aの制御部8は、走査範囲検出部7cおよび両端走査検出部7dを備える。
走査範囲検出部7cは、光ビームB0が全走査範囲の一端側の特定範囲を走査中であるか否かを検出する回路である。本実施形態において、走査範囲検出部7cは、基準電圧生成部803および電圧比較部804を含む。
基準電圧生成部803は、駆動信号S0の中心電圧またはそれに近い予め定められた一定の基準電圧V0を生成する回路である(図6参照)。
電圧比較部804は、駆動信号S0の電圧と基準電圧V0との大小を比較する電圧比較回路である。
S0>V0である状態は、光ビームB0が全走査範囲の一端側の前記特定範囲を走査中である状態であり、S0≦V0である状態は、その他の状態である。従って、電圧比較部804の出力信号X3は、光ビームB0が全走査範囲の一端側の前記特定範囲を走査中であるか否かを表す。
両端走査検出部7dは、光ビームB0が全走査範囲の両端各々寄りの位置を走査中であるか否かを検出する回路である。本実施形態において、両端走査検出部7dは、基準周波数生成部801および周波数比較部802を含む。
基準周波数生成部801は、予め定められた一定の基準周波数F0の発振信号を生成する回路である。基準周波数F0は、変調画素クロックCk1の最低周波数Fck0よりも高く、最低周波数Fck0に近い。基準周波数F0は、光ビームB0が前記有効走査範囲の外側を走査しているときの変調画素クロックCk1の周波数である。
周波数比較部802は、変調画素クロックCk1の周波数Fck1と基準周波数F0との大小を比較する回路である。周波数比較部802の出力信号X4は、両周波数の比較結果を表す。変調画素クロックCk1の周波数Fck1が基準周波数F0を下回っている状態は、光ビームB0が全走査範囲の第1端寄りの位置および第2端寄りの位置の各々を走査中の状態である。
画像形成装置10Aにおいて、主走査同期信号生成部86は、電圧比較部804の出力信号X3および周波数比較部802の出力信号X4の組合せが予め定められた状態になった時点を基準にして、一定の期間、主走査同期信号Y0をONに設定する(図6参照)。
本実施形態において、周波数比較部802の出力信号X4は、光ビームB0が全走査範囲の前記第1端寄りおよび前記第2端寄りのいずれを走査中であるのかの情報を含まない。そこで、主走査同期信号生成部86は、電圧比較部804の出力信号X3の状態により、光ビームB0が全走査範囲の前記第1端側および前記第2端側のいずれを走査中であるのかを判定する。
そして、発光制御部82は、主走査同期信号Y0がONに変化した時点を基準にして、主走査方向R1の1ラインごとの前記発光制御のタイミングを調整する。
画像形成装置10Aが採用される場合も、画像形成装置10が採用される場合と同様の効果が得られる。さらに、画像形成装置10Aにおいては、主走査方向R1の1ラインごとの前記発光制御のタイミングを調整するための光検出センサー7a,7bは不要である。
また、前記発光制御のタイミングの調整は、画質に直結するため、主走査同期信号Y0の生成には、高い精度が求められる。
画像形成装置10Aにおいては、周波数比較部802が、光ビームB0が全走査範囲の両端各々寄りの位置を走査中であるか否かを検出する。周波数比較部802は、電圧比較部804に比べて、環境温度の変化に対する精度のロバスト性が高い。
従って、画像形成装置10Aは、高い精度で主走査同期信号Y0を生成することができ、ひいては、環境変化に対する画質の安定性が高い。
なお、電圧比較部804は、光ビームB0が全走査範囲の前記第1端側および前記第2端側のいずれを走査中であるのかを判定できればよい。そのため、電圧比較部804に高い精度は必要ない。
[第3実施形態]
次に、図7を参照しつつ、第3実施形態に係る画像形成装置10Bについて説明する。画像形成装置10Bは、画像形成装置10Aの応用例である。画像形成装置10Bは、画像形成装置10Aと比較して、走査範囲検出部7cの代わりに第1光検出センサー7aを備える点が異なる。
図7において、図1〜6に示される構成要素と同じ構成要素は、同じ参照符号が付されている。以下、画像形成装置10Bにおける画像形成装置10Aと異なる点について説明する。
図7に示されるように、画像形成装置10Bは、画像形成装置10と同様に第1光検出センサー7aを備える。
第1光検出センサー7aは、光ビームB0が全走査範囲の第1端側の特定範囲を走査中であるか否かを検出するセンサーである。光ビームB0が前記第1端寄りの前記特定範囲を走査中に、第1光検出センサー7aは、光ビームB0を検出する(図4の検出信号X1を参照)。第1光検出センサー7aは、画像形成装置10Aの走査範囲検出部7cの機能を代替する。
画像形成装置10Bにおいて、主走査同期信号生成部86は、第1光検出センサー7aの検出信号X1および周波数比較部802の出力信号X4の組合せが予め定められた状態になった時点を基準にして、一定の期間、主走査同期信号Y0をONに設定する。
画像形成装置10Bの主走査同期信号生成部86は、第1光検出センサー7aの検出信号X1の状態により、光ビームB0が全走査範囲の前記第1端寄りおよび前記第2端寄りのいずれを走査中であるのかを判定する。
そして、発光制御部82は、主走査同期信号Y0がONに変化した時点を基準にして、主走査方向R1の1ラインごとの前記発光制御のタイミングを調整する。
画像形成装置10Bが採用される場合も、画像形成装置10,10Aが採用される場合と同様の効果が得られる。
また、画像形成装置10Bにおいては、主走査方向R1の1ラインごとの前記発光制御のタイミングを調整するための光検出センサーが1つで足りる。
なお、本発明に係る画像形成装置は、各請求項に記載された発明の範囲において、以上に示された実施形態及び応用例を自由に組み合わせること、或いは実施形態及び応用例を適宜、変形する又は一部を省略することによって構成されることも可能である。
2 :シート供給部
3 :シート搬送機構
4 :画像形成部
5 :光源
6 :光走査部
7a :第1光検出センサー
7b :第2光検出センサー
7c :走査範囲検出部
7d :両端走査検出部
8 :制御部
10,10A,10B:画像形成装置
21 :シートカセット
22 :シート送出部
30 :搬送路
31 :搬送ローラー対
41 :感光体
42 :帯電部
43 :現像部
45 :転写部
47 :クリーニング部
48 :露光部
49 :定着部
61 :MEMSミラー
62 :走査レンズ
63 :ミラー
80 :駆動信号生成部
81 :画像処理部
82 :発光制御部
83 :基準画素クロック生成部
84 :位相同期回路(変調画素クロック生成部)
85 :周波数変調部(変調画素クロック生成部)
86 :主走査同期信号生成部
100 :本体部
101 :排出トレイ
801 :基準周波数生成部
802 :周波数比較部
803 :基準電圧生成部
804 :電圧比較部
B0 :光ビーム
Ck0 :基準画素クロック
Ck1 :変調画素クロック
D0 :画像データ
F0 :基準周波数
Fck0 :変調画素クロックの最低周波数
Fck1 :変調画素クロックの周波数
R1 :主走査方向
R2 :副走査方向
S0 :駆動信号
S1 :角速度信号
Sv0 :走査速度
V0 :基準電圧
Y0 :主走査同期信号
ω0 :角速度

Claims (5)

  1. 光ビームを出力する光源と、
    前記光ビームによって表面に静電潜像が書き込まれる感光体と、
    入力される正弦波状の駆動信号に共振するミラーによって前記光ビームを反射することにより、前記光ビームを前記感光体の表面に対して主走査方向に沿って往復走査させる光偏向器と、
    前記光偏向器から前記感光体に至る途中の前記光ビームが通過するレンズであり、前記光ビームの入射角をθ、焦点距離をf、像高をYとしたときに、Y=fθの特性、または、少なくとも前記光ビームが当該レンズを通過しない場合に比べてY=fθに近づける特性を有する走査レンズと、
    画像データ処理における画素単位の処理の基準となる基準画素クロックを、前記駆動信号に対する逓倍処理および位相シフト処理により得られる信号で周波数変調することにより、変調画素クロックを生成する変調画素クロック生成部と、
    前記変調画素クロックに同期して、画像データにおける各画素データに対応する前記光源の発光制御を実行する発光制御部と、を備える画像形成装置。
  2. 前記光ビームが全走査範囲の一端側の特定範囲を走査中であるか否かを検出する走査範囲検出部と、
    前記変調画素クロックの周波数と予め定められた一定の基準周波数との大小を比較する周波数比較部と、を備え、
    前記発光制御部は、前記走査範囲検出部の検出結果および前記周波数比較部の比較結果の組合せが予め定められた状態になった時点を基準に、前記主走査方向の1ラインごとの前記発光制御のタイミングを調整する、請求項1に記載の画像形成装置。
  3. 前記走査範囲検出部が、前記駆動信号の電圧と予め定められた一定の基準電圧との大小を比較する電圧比較部である、請求項2に記載の画像形成装置。
  4. 前記走査範囲検出部が、前記光ビームの全走査範囲の一端寄りの位置で前記光ビームを検出する光検出センサーである、請求項2に記載の画像形成装置。
  5. 前記発光制御部は、前記光ビームが往路を走査中および復路を走査中の両方において前記発光制御を実行する、請求項2から請求項4のいずれか1項に記載の画像形成装置。
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