JP2010128131A - 光走査装置、および、これを備えた画像形成装置 - Google Patents

Abstract

【課題】製造コストの増加を抑制しつつ、第１走査方向および第２走査方向の走査ごとにビーム光の走査位置を検知し、ビーム光の検知タイミング基づいて光走査ユニットの走査を精度良く制御することができる光走査装置、および、これを備えた画像形成装置を提供する。
【解決手段】レーザ走査装置２０は、ＭＥＭＳ２６、検知センサ２４、反射ミラー２５、制御部６０を備えている。ＭＥＭＳ２６は、ビーム光を感光体ドラム４０の被走査ライン上を往復走査する。制御部６０は、信号分離部６１を有する。検知センサ２４は、ビーム光を検知する。検知センサ２４と反射ミラー２５は、感光体ドラム４０を挟んで走査範囲内に配置されている。信号分離部６１は、検知センサ２４が検知する検知信号Ｓ１を検知信号Ｓ１と検知信号Ｓ２とに分離する。制御部６０は、検知信号Ｓ１、検知信号Ｓ２の検知タイミングに基づいてＭＥＭＳ２６の駆動を制御する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ビーム光を感光体に走査し潜像を感光体に形成する光走査装置、およびこれを備えた画像形成装置に関するものである。

レーザプリンタ等の画像形成装置では、感光体に潜像を形成する光走査装置を備えている。このような光走査装置の中には、ビーム光を第１走査方向および第２走査方向に往復走査する走査ユニットを有し、走査ユニットが走査するビーム光を用いて感光体の潜像形成領域に潜像を形成するものもある。

潜像形成領域を往復走査する光走査装置では、例えば、周辺環境の温度変化によって走査ユニットの走査速度が変化する場合がある。走査速度が変化すると、潜像の書き込み位置にずれが生じ問題であった。

そこで、従来の光走査装置の中には、走査ユニットの走査範囲内の終端部に走査ユニットが照射するビーム光を検知する光センサ（検知部）を備え、光センサがビーム光を検知する検知信号に基づいて走査ユニットのビーム光の変調開始タイミング、すなわち潜像の書き込み開始タイミングを制御するものもある（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００７−８６６７７号公報

しかし、上記特許文献に示す光走査装置では走査範囲内を1往復するごとにしかビーム光を検知するごとができない。このため、光走査ユニットの走査を精度良く制御することができないという問題があった。

また、光走査装置の走査範囲内の両端部に検知部を設け、第１走査方向および第２走査方向の走査ごとにビーム光の走査位置を検知し、ビーム光の検知タイミングに基づいて光走査ユニットの走査を制御するには検知部を２つ設ける必要があるため製造コストの増加を招き問題であった。

そこで、本発明は、製造コストの増加を抑制しつつ、第１走査方向および第２走査方向の走査ごとにビーム光の走査位置を検知し、ビーム光の検知タイミング基づいて光走査ユニットの走査を精度良く制御することができる光走査装置、および、これを備えた画像形成装置を提供することを目的とする。

この発明の光走査装置は、感光体表面の潜像形成領域を含む走査範囲内を第１走査方向および第２走査方向に往復走査する光走査装置であり、走査ユニット、検知部、反射部材、制御部を備えている。走査ユニットは、ビーム光によって走査範囲内を往復走査し、潜像形成領域を露光処理する。検知部は、走査ユニットが潜像形成領域を第１走査方向に走査してから第２走査方向に潜像形成領域を走査するまでの間に照射するビーム光を第１検知位置で検知する。反射部材は、走査ユニットが潜像形成領域を第２走査方向に走査してから第１走査方向に潜像形成領域を走査するまでの間に照射するビーム光を検知する第２検知位置に配置され、ビーム光を検知部が検知するように反射する。制御部は、第１検知位置で検知された第１検知信号と第２検知位置で検知された第２検知信号とに検知部がビーム光を検知した検知信号を分離する分離手段を有している。制御部は、第１検知信号と第２検知信号との検知タイミングに基づいて走査ユニットを制御する。

この構成では、検知部が検知した検知信号を第１検知位置で検知された第１検知信号と第２検知位置で検知された第２検知信号とに分離し、第１検知信号および第２検知信号の検知タイミングに基づいて走査ユニットを制御する。

この発明によれば、製造コストの増加を抑制しつつ、第１走査方向および第２走査方向の走査ごとにビーム光の走査位置を検知し、ビーム光の検知タイミング基づいて光走査ユニットの走査を精度良く制御することができる

以下、本発明の実施形態である画像形成装置について説明する。

図１は、本発明の実施形態である画像形成装置の概略構成を示す図である。

画像形成装置１０は、感光体ドラム４０、レーザ走査装置（光走査装置）２０、現像器（現像ユニット）５０、帯電器、クリーニングユニット、転写ローラ、定着ユニット等を備え、用紙にトナー像を印刷処理する。

レーザ走査装置２０は、レーザダイオード２２、アークサインレンズ２３、検知センサ２４、反射ミラー２５、ＭＥＭＳ（走査ユニット）２６、制御部６０を備え、感光体ドラム４０に向かってレーザ光を照射する。なお、ＭＥＭＳとは、Micro Electro Mechanical Systemsを意味する。

感光体ドラム４０は、１点鎖線で図示する回転方向へ回転しつつ、レーザ走査装置２０から照射されるレーザ光によって表面に静電潜像が形成される。なお、本実施形態では、感光体ドラム４０に静電潜像を形成するするレーザ走査装置を例に挙げているが、潜像を感光体に形成するレーザ走査装置であれば良い。例えば、感光フィルムに潜像を形成するレーザ走査装置にも本発明に係るレーザ走査装置を適用することができる。

現像器５０は、静電潜像が形成された感光体ドラム４０にトナーを供給し、トナー像を感光体ドラム４０表面に担持させる。転写ローラは、感光体ドラム４０の回転方向において現像器５０の下流側に配置されている。転写ローラおよび感光体ドラム４０は、用紙を挟み込み感光体ドラム４０が担持するトナー像を用紙に転写する。トナー像の転写された用紙は、定着ユニットで加熱及び圧着され、排紙トレイへ排出される。

帯電器（図示せず）は、レーザ走査装置２０によって感光体ドラム４０の表面が露光処理される前に、感光体ドラム４０の表面を帯電させる。クリーニングユニット（図示せず）は、用紙への転写処理を行った後に、感光体ドラム４０表面に残留するトナーを拭き取る。

図２は、ＭＥＭＳ２６周辺の構成の一部を示す概略図である。図３は、制御部６０の構成を示すブロック図である。

ＭＥＭＳ２６は、ガルバノミラー２１を往復揺動する。ＭＥＭＳ２６は、ガルバノミラー２１を主走査方向に沿って往復揺動するインダクタ２７を有している。ガルバノミラー２１は、感光体ドラム４０に面する反射面でレーザダイオード２２から照射されたビーム光をアークサインレンズ２３へ向かって反射する。ガルバノミラー２１は、表裏に磁極を有し、インダクタ２７の周囲に形成される磁界の向きに応じて予め設定された角度範囲内で往復揺動する。これにより、レーザダイオード２２から出射されたビーム光を所定の走査範囲内へ走査させることができる。

検知センサ２４および反射ミラー２５は、ガルバノミラー２１から感光体ドラム４０表面の被走査ライン上（潜像形成領域）へ照射されるビームを遮らない両端部にそれぞれ配置されている。検知センサ２４は、一例として、ＢＤ（ビームディテクタ）センサを用いる。検知センサ２４は、ガルバノミラー２１からアークサインレンズ２３を経て照射されるビーム光を検知する。

反射ミラー２５は、アークサインレンズ２３を経て照射されるビーム光を検知センサ２４へ向かって反射する。検知センサ２４は、反射ミラー２５から照射されるビーム光も検知する。これにより、走査範囲内の両端部に照射されるビーム光を検知センサ２４で検知することができる。

制御部６０は、信号分離部（分離手段）６１、信号比較部６２、電源電圧制御部６３、ＭＥＭＳ駆動部６４を有している。

ＭＥＭＳ駆動部６４は、極性の向きが異なる第１駆動電圧Ｖｃｃ１と第２駆動電圧Ｖｃｃ２とを交互にインダクタ２７に印加して、インダクタ２７に流れる電流の向きを交互に反転させることができる。このため、インダクタ２７周辺に形成される磁界の向きを反転させ、ガルバノミラー２１を往復揺動させることができる。

第１駆動電圧Ｖｃｃ１が印加されるとガルバノミラー２１は、反射ミラー２５側、すなわちＡ方向（第２走査方向）へ揺動される。第２駆動電圧Ｖｃｃ２が印加されるとガルバノミラー２１は、検知センサ２４側、すなわちＢ方向（第１走査方向）へ揺動される。

ＭＥＭＳ駆動部６４は、第１駆動電圧Ｖｃｃ１の印加タイミングに同期した第１駆動信号ＣＬＫ１を信号比較部６２に送信する。

図４（Ａ）〜（Ｅ）は、遅延信号ＣＬＫ２、反転信号ＣＬＫ２Ｒ、検知信号Ｓ、検知信号Ｓ１、検知信号Ｓ２、をこの順にそれぞれ示すタイミングチャートである。

信号比較部６２は、第１駆動信号ＣＬＫ１を１／４周期遅延させた遅延信号ＣＬＫ２を生成し信号分離部６１へ送信する。

信号分離部６１は、遅延信号ＣＬＫ２を反転させた反転信号ＣＬＫ２Ｒを生成する。また、信号分離部６１は、検知センサ２４から検知信号Ｓを受信する。

信号分離部６１は、反転信号ＣＬＫ２ＲがＯＮ状態であるときに受信した検知信号Ｓを反射ミラー２５が検知した検知信号Ｓ１として信号比較部６２へ送信する。一方、信号分離部６１は、反転信号ＣＬＫ２ＲがＯＦＦ状態であるときに受信した検知信号Ｓを反射ミラー２５を経ずに検知センサ２４が受光した検知信号Ｓ２として信号比較部６２へ送信する。これにより、反転信号ＣＬＫ２ＲのＯＮ／ＯＦＦ状態を基準にして検知信号Ｓを検知信号Ｓ１と検知信号Ｓ２に分離することができる。

なお、本実施形態では、検知センサ２４および反射ミラー２５がそれぞれ検知した検知信号Ｓを反転信号ＣＬＫ２ＲのＯＮ／ＯＦＦ状態に基づいて検知信号Ｓ１と検知信号Ｓ２とに分離する例を挙げているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、検知センサ２４周辺を走査するときのビーム光の波長と、反射ミラー２５周辺を走査するときのビーム光の波長を予め設定した異なる波長に変調することも考えられる。この場合には、予め設定した異なる波長に応じて検知信号Ｓを分離することで本実施形態に係るレーザ走査装置２０と同様の効果を得ることができる。

信号比較部６２は、検知信号Ｓ１、Ｓ２の検知タイミングを基にしてＡ方向の走査時間およびＢ方向の走査時間を計測し、計測した走査時間が予め設定された時間とずれている場合には、ＭＥＭＳ駆動部６４がＭＥＭＳ２６に供給する駆動電圧を基準電圧から変化させる。これにより、ガルバノミラー２１の回転速度を調整して走査時間のずれを修正することができる。

図５は、ＭＥＭＳ駆動部６４及びＭＥＭＳ２６の回路構成を示す回路図である。

ＭＥＭＳ駆動部６４の各入力端子には、電源電圧制御部６３から第１駆動電圧Ｖｃｃ１、第２駆動電圧Ｖｃｃ２がそれぞれ印加されている。また、ＭＥＭＳ駆動部６４には、パルス発生部（図示せず）で生成されるクロック信号ＣＬＫ＿ＩＮ１がＭＥＭＳ駆動部６４のトランジスタＱ６のベースに入力され、クロック信号ＣＬＫ＿ＩＮ２がＭＥＭＳ駆動部６４のトランジスタＱ５のベースに入力される。パルス発生部は、クロック信号ＣＬＫ＿ＩＮ１とクロック信号ＣＬＫ＿ＩＮ２とを交互にＭＥＭＳ駆動部６４へ送信する。

ＭＥＭＳ駆動部６４では、クロック信号ＣＬＫ＿ＩＮ２が入力してトランジスタＱ５がＯＮ状態になるのに伴って、トランジスタＱ１、Ｑ４がＯＮ状態となり、駆動電流がインダクタ２７をＢ方向に通過する。一方、クロック信号ＣＬＫ＿ＩＮ１が入力してトランジスタＱ６がＯＮ状態になるのに伴って、トランジスタＱ２、Ｑ３がＯＮ状態となり、駆動電流がインダクタ２７をＡ方向に通過する。これにより、インダクタ２７を通過する電流の向きが交互に反転し、磁界の向きも反転させることができる。この結果、ガルバノミラー２１をＡ方向またはＢ方向に所定周期で往復揺動させることができる。

図６（Ａ）は、第１駆動信号ＣＬＫ１の波形を示している。図６（Ｂ）は、第１駆動信号ＣＬＫ１を１／４周期遅延させた遅延信号ＣＬＫ２の波形を示す図である。図６（Ｃ）は、ビーム光がＡ方向またはＢ方向のいずれの方向に向かって走査されるのかを示す信号である。図６（Ｄ）は、感光体ドラム４０の被走査ライン上へのビーム光の走査の有無と、走査方向がＡ方向またはＢ方向のいずれであるかを示している。

図６（Ｅ）は、検知センサ２４のＯＮ／ＯＦＦタイミングを示している。検知信号Ｓのうち、検知信号Ｓ２を破線で示し、検知信号Ｓ１は実線で示している。

時間長さＨは、Ａ方向に走査するビーム光が反射ミラー２５で反射され検知センサ２４が検知してからＢ方向に走査するビーム光が再び反射ミラー２５で反射され検知センサ２４が検知するまでの時間である。

時間長さＩは、Ｂ方向に走査するビーム光が反射ミラー２５で反射され検知センサ２４が検知してからビーム光が再び検知センサ２４に検知されるまでの時間である。

時間長さＪは、Ｂ方向に走査するビーム光を検知センサ２４が検知してからＡ方向に走査するビーム光を再び検知センサ２４が検知するまでの時間である。

時間長さＫは、Ａ方向に走査するビーム光を検知センサ２４が検知してからビーム光が反射ミラー２５で反射され検知センサ２４が再び検知するまでの時間である。

なお、本実施形態では、一例として、時間長さＨ、Ｊは、３μｓｅｃ、時間長さＩ、Ｊは、５０μｓｅｃに設定されている。

なお、Ａ方向およびＢ方向への走査時間が設定時間から変化した場合についてＢ方向への走査時間をＩ´とし、Ａ方向への走査時間をＫ´として示している。ここでは、Ｉ´が４９．９２μｓｅｃであり、Ｋ´が５１μｓｅｃである場合を例に挙げて説明する。

図６（Ｆ）、図（Ｇ）は、電源電圧制御部６３がＭＥＭＳ駆動部６４に供給する第１駆動電圧Ｖｃｃ１および第２駆動電圧Ｖｃｃ２の電圧値の変化を示している。第１駆動電圧Ｖｃｃ１および第２駆動電圧Ｖｃｃ２の基準電圧は２１Ｖに設定されている。Ａ方向およびＢ方向への走査時間が設定時間から変化していない場合には、電源電圧制御部６３は第１駆動電圧Ｖｃｃ１および第２駆動電圧Ｖｃｃ２を基準電圧に維持する。一方、Ａ方向およびＢ方向への走査時間が設定時間から変化した場合には、電源電圧制御部６３は信号比較部６２からの入力に基づいて第１駆動電圧Ｖｃｃ１および第２駆動電圧Ｖｃｃ２を走査時間の増減量に応じて変化させる。これにより、ガルバノミラー２１の走査速度を変化させて走査時間の設定時間からのずれを補正することができる。

図７は、検知信号Ｓ１および検知信号Ｓ２に基づく駆動電圧の駆動制御の流れを説明するブロック図である。

信号比較部６２は、第１計数部６２Ａ、第２計数部６２Ｂ、カウントデータ比較部６２Ｃを有している。信号比較部６２は、基準クロックを用いて各時間長さをカウントする。本実施形態では、基準クロックは１００ＭＨｚである。このため、信号比較部６２は１μｓｅｃを１００カウントとして各演算処理を実行する。

第１計数部６２Ａは、信号分離部６１から送信される検知信号Ｓ１、検知信号Ｓ２を基にして時間長さＨ、Ｉを計測する。第１計数部６２Ａは、第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＮ状態のときに検知される検知信号Ｓ１と第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＦＦ状態のときに検知される検知信号Ｓ１との間の時間長さＨ（３μｓｅｃ）を３００カウントとして計測する。

第１計数部６２Ａは、第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＦＦ状態のときに検知される検知信号Ｓ１と、第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＦＦ状態のときに検知される検知信号Ｓ２との間の時間長さＩ（５０μｓｅｃ）を５０００カウントとして計測する。

第１計数部６２Ａは、計測した時間長さＨ、Ｉのうち、時間長さＩだけをカウントデータ比較部６２Ｃへ送信する。

第２計数部６２Ｂは、信号分離部６１から送信される検知信号Ｓ１、検知信号Ｓ２を基にして、時間長さＪ、Ｋを計測する。第２計数部６２Ｂは、第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＦＦ状態のときに検知される検知信号Ｓ２と、第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＮ状態のときに検知される検知信号Ｓ２との間の時間長さＪ（３μｓｅｃ）を３００カウントとして計測する。

第２計数部６２Ｂは、第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＮ状態のときに検知される検知信号Ｓ２と第１駆動信号ＣＬＫ１がＯＮ状態のときに検知される検知信号Ｓ１との間の時間長さＫ（５０μｓｅｃ）を５０００カウントとして計測する。

第２計数部６２Ｂは、計測した時間長さＪ、Ｋのうち、時間長さＫだけをカウントデータ比較部６２Ｃへ送信する。

カウントデータ比較部６２Ｃは、第１計数部６２Ａおよび第２計数部６２Ｂが計測した時間長さＩ、Ｋが設定した時間長さからずれている場合に、設定した時間長さからのずれに応じた電圧Ｖ１、Ｖ２を計算して電源電圧制御部６３へ供給する。

カウントデータ比較部６２Ｃは、第１計数部６２Ａおよび第２計数部６２Ｂが計測した時間長さＩ、Ｋのカウント数と、設定値である５０００カウントとを比較する。カウントデータ比較部６２Ｃは、カウント数が増減している場合には、１カウント当たり０．０２１Ｖの電圧を割り当てた電圧値を計算する。第１計数部６２Ａおよび第２計数部６２Ｂが計測した時間長さがＩ´（４９．９２μｓｅｃ）、Ｋ´（５１μｓｅｃ）に変化した場合を例に挙げて説明する。

カウントデータ比較部６２Ｃは、時間長さＩと時間長さＩ´との差分カウント数を計算し、差分カウント数に応じた電圧Ｖ１を生成する。ここで、差分カウント数は８カウントであり、電圧Ｖ１は０．１６８Ｖである。

カウントデータ比較部６２Ｃは、時間長さＫと時間長さＫ´との差分カウント数を計算し、差分カウント数に応じた電圧Ｖ２を生成する。ここで、差分カウント数は−１００カウントであり、電圧Ｖ２は−２．１Ｖである。

電源電圧制御部６３は、第１駆動電圧Ｖｃｃ１および第２駆動電圧Ｖｃｃ２をＭＥＭＳ駆動部６４に供給する。電源電圧制御部６３は、カウントデータ比較部６２Ｃから電圧Ｖ１が印加された場合には、第１駆動電圧Ｖｃｃ１から電圧Ｖ１を差し引いてＭＥＭＳ２６に供給する。具体的には、電圧Ｖ１が０．１６８Ｖの場合には、電源電圧制御部６３はＶｃｃ１を２１Ｖから２０．８３２Ｖに変更する。

電源電圧制御部６３は、カウントデータ比較部６２Ｃから電圧Ｖ２が印加された場合には、第２駆動電圧Ｖｃｃ２から電圧Ｖ２を差し引いてＭＥＭＳ２６に供給する。具体的には、電圧Ｖ２が−２．１Ｖの場合には、電源電圧制御部６３はＶｃｃ２から−２．１Ｖを差し引いて２３．１０Ｖに変更する。

これにより、走査ごとの走査時間を計測して走査時間が設定時間から増減している場合には、増減幅に応じてインダクタ２７に印加する電圧を変化させて走査時間が設定時間となるように走査速度を補正することができる。また、検知センサ２４のみで走査範囲の両端に照射されるビーム光を検知することができるので、製造コストの増加を抑制することができる。

上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図されている。

本発明の実施形態である画像形成装置の概略構成を示す図である。 ガルバノミラー周辺の構成を示す図である。 制御部のガルバノミラーの駆動制御の構成を示すブロック図である。 （Ａ）は、第１駆動信号の周期を１／４周期遅延させた遅延信号のＯＮ／ＯＦＦ状態を示す図である。（Ｂ）は、（Ａ）に示す遅延信号を反転させた反転信号のＯＮ／ＯＦＦ状態を示す図である。（Ｃ）は、検知信号のＯＮ／ＯＦＦ状態を示すタイミングチャートである。（Ｄ）は、反射ミラー側で検知した検知信号のＯＮ／ＯＦＦ状態を示す図である。（Ｅ）は、検知センサ側で検知した検知信号のＯＮ／ＯＦＦ状態を示す図である。 ＭＥＭＳ駆動部およびＭＥＭＳの回路構成を示す回路図である。 （Ａ）は、第１駆動信号の波形を示している。（Ｂ）は、遅延信号の波形を示す図である。（Ｃ）は、走査を開始する方向がＡ方向またはＢ方向のいずれの方向であるのかを示す信号である。（Ｄ）は、被走査ライン上へのビーム光の走査の有無と、走査方向がＡ方向またはＢ方向のいずれであるのかを示す図である。（Ｅ）は、検知センサのＯＮ／ＯＦＦタイミングを示している。（Ｆ）は、電源電圧制御部がＭＥＭＳ駆動部に供給する第１駆動電圧の電圧値の変化の一例を示している。（Ｇ）は、電源電圧制御部がＭＥＭＳ駆動部に供給する第２駆動電圧の電圧値の変化の一例を示している。 インダクタに印加する駆動電圧の制御の流れを説明するブロック図である。

符号の説明

２０ レーザ走査装置
２６ ＭＥＭＳ（走査ユニット）
２４ 検知センサ（検知部）
２５ 反射ミラー（反射部材）
４０ 感光体ドラム
６０ 制御部
６１ 信号分離部（分離手段）

Claims (3)

1. 感光体表面の潜像形成領域を含む走査範囲内を第１走査方向および第２走査方向に往復走査する光走査装置であって、
   ビーム光によって前記走査範囲内を往復走査し、前記潜像形成領域を露光処理する走査ユニットと、
   前記走査ユニットが前記潜像形成領域を前記第１走査方向に走査してから前記第２走査方向に前記潜像形成領域を走査するまでの間に照射するビーム光を第１検知位置で検知する検知部と、
   前記走査ユニットが前記潜像形成領域を前記第２走査方向に走査してから前記第１走査方向に前記潜像形成領域を走査するまでの間に照射するビーム光を検知する第２検知位置に配置され、ビーム光を前記検知部が検知するように反射する反射部材と、
   前記第１検知位置で検知された第１検知信号と前記第２検知位置で検知された第２検知信号とに前記検知部がビーム光を検知した検知信号を分離する分離手段を有し、前記第１検知信号と前記第２検知信号との検知タイミングに基づいて前記走査ユニットを制御する制御部と、
   を備えた光走査装置。
2. 前記分離手段は、前記走査ユニットが前記第１走査方向に前記潜像形成領域を走査した後に前記第２走査方向に前記潜像形成領域の走査を開始するまでの間に前記検知部が検知した検知信号を第１検知信号とし、前記走査ユニットが前記第２走査方向に前記潜像形成領域を走査した後に前記第１走査方向に前記潜像形成領域の走査を開始するまでの間に前記検知部が検知した検知信号を第２検知信号として、前記検知部が検知した検知信号を分離する、
   請求項１に記載の光走査装置。
3. 請求項１または２に記載の光走査装置と、
   前記走査範囲内を走査するビーム光によって表面に静電潜像が形成される感光体と、
   前記感光体表面の前記静電潜像にトナーを供給する現像ユニットと、
   を備えた画像形成装置。

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