JP6350063B2 - 多層配線基板 - Google Patents
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Description
1. 内層配線を形成した内層材と絶縁層と上層配線用の金属箔とを積層一体化して形成される積層体と、この積層体の前記上層配線用の金属箔と絶縁層を貫通する層間接続用の穴と、この層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと、この金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間に形成される下方空間と、前記層間接続用の穴を電解フィルドめっき層で充填した層間接続と、を有する多層配線基板であって、前記層間接続用の穴を充填する電解フィルドめっき層が、少なくとも2層以上に形成されており、前記2層以上の電解フィルドめっき層のうち、最外層を除く何れかの層の電解フィルドめっき層によって、層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間の下方空間が充填され、かつ、最外層を除く何れかの層の電解フィルドめっき層によって形成される層間接続の内部の最大径が開口部の最小径と同等以上である多層配線基板。
2. 項1において、前記2層以上の電解フィルドめっき層のうち、最外層を除く何れかの層の電解フィルドめっき層によって形成される前記層間接が、層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間の下方空間を電解フィルドめっきが充填し、かつ、層間接続の内部の最大径が開口部の最小径より大きい蛸壺状である多層配線基板。
3. 項1又は2において、前記層間接続用の穴を充填する電解フィルドめっき層が、2層に形成されており、前記2層の電解フィルドめっき層のうち、下層の電解フィルドめっき層によって、層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間の下方空間が充填され、かつ、下層の電解フィルドめっき層によって形成される層間接続の内部の最大径が開口部の最小径と同等以上である多層配線基板。
4. 項1から3の何れかにおいて、前記層間接続用の穴が、前記積層体の上層配線用の金属箔と絶縁層を貫通し内層配線に到る非貫通穴である多層配線基板。
5. 項1から4の何れかにおいて、層間接続用の穴のアスペクト比が、1.0以上である多層配線基板。
加剤や充填剤を加えて調合する。
積層一体化するための成形条件としては通常の積層板の手法が適用でき、例えば多段プレス、多段真空プレス、連続成形、オートクレーブ成形機等を使用し、通常、温度100〜250℃、圧力2〜100kg/cm2(0.2〜9.8MPa)、加熱時間0.1〜5時間の範囲で成形したり、真空ラミネート装置などを用いてラミネート条件50〜150℃、0.1〜5MPaの条件で減圧下又は大気圧の条件で行ったりする。絶縁層となるプリプレグの厚みは用途によって異なるが、通常0.1〜5.0mmの厚みのものが良い。
まず、図2の工程(1−1)に示すように、内層配線1を形成した内層材2に、絶縁層3となる樹脂フィルムの厚みが30μmで、上層配線10用の銅箔4となる銅箔4の厚みが5μmの片面銅箔付樹脂フィルムを、120℃、2MPaの条件で真空ラミネートした。次に、この上層配線10用の銅箔4の表面に、厚さ0.3〜0.5μmの黒化処理層8を形成した後、図2の工程(1−2)に示すように、CO2レーザによるダイレクトレーザ工法により、直径(銅箔開口部24aの直径)35μmの層間接続用の穴5を加工した。つまり、この層間接続用の穴5は、深さが、樹脂フィルムの厚さ(30μm)と銅箔4の厚さ(5μm)を合わせた35μmであり、銅箔開口部24aの直径が35μmであった。このため、アスペクト比は、約1.0であった。層間接続用の穴5の開口部24に上層配線10用の銅箔4の飛び出し12が生じ、この上層配線10用の銅箔4の飛び出し12と層間接続用の穴5の内壁18との間に下方空間13が形成した。銅箔4の飛び出し量は、層間接続用の穴5の片側で約8μmであった。また、上層配線10用の銅箔4の飛び出し12と層間接続用の穴5の内壁18との間に形成される下方空間13の中でも、上層配線10用の銅箔4の飛び出し12の裏面近傍の領域には、直下部17が形成した。
実施例1と同様にして、図1の工程(1−1)〜、図3の工程(2−1)までを進めた。次に、図3の工程(2−2)に示すように、上層配線10用の銅箔4上の厚さとしては2μm、層間接続用の穴5内の底面19の厚さとして2〜15μmの一段目の電解フィルド銅めっき層7aを形成する。電解フィルド銅めっき液には、実施例1と同じものを用いた。このときの一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、1.0A/dm2の電流密度で、約8分であった。
実施例1と同様にして、図2の工程(1−1)〜、図3の工程(2−1)までを進めた。次に、図3の工程(2−2)に示すように、上層配線10用の銅箔4上の厚さとしては2μm、層間接続用の穴5内の底面19の厚さとして2〜15μmの一段目の電解フィルド銅めっき層7aを形成する。電解めっき液には、実施例1と同じものを用いた。このときの一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、1.0A/dm2の電流密度で、約8分であった。
実施例1と同様にして、図2の工程(1−1)〜、図3の工程(2−1)までを進めた。次に、図3の工程(2−2)に示すように、上層配線10用の銅箔4上の厚さとしては2μm、層間接続用の穴5内の底面19の厚さとして2〜15μmの一段目の電解フィルド銅めっき層7aを形成する。電解めっき液には、実施例1と同じものを用いた。このとき、一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、1.0A/dm2の電流密度で、約8分であった。
実施例1と同様にして、図2の工程(1−1)〜、図3の工程(2−1)までを進めた。次に、図3の工程(2−2)に示すように、上層配線10用の銅箔4上の厚さとしては1μm、層間接続用の穴5内の底面19の厚さとして1〜7μmの一段目の電解フィルド銅めっき層7aを形成する。電解フィルドめっき液には、実施例1と同じものを用いた。このとき、一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、1.0A/dm2の電流密度で、約4分であった。
実施例1と同様にして、図2の工程(1−1)〜、図3の工程(2−1)までを進めた。次に、図6の工程(2−2)に示すように、上層配線10用の銅箔4上の厚さとしては20μmの一段目の電解フィルド銅めっき層7aを、1段階で形成した。電解フィルド銅めっき液には、実施例1と同じものを用いた。このとき、一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、1.0A/dm2の電流密度で、約88分であった。次に、実施例1と同様にして、図4の工程(3−1)から(3−3)までを進めた。
実施例1と同様にして、図2の工程(1−1)〜、図3の工程(2−1)までを進めた。次に、図5の工程(2−2)に示すように、上層配線10用の銅箔4上の厚さとしては0.5μm、層間接続用の穴5内の底面19の厚さとして0.5〜3μmの一段目の電解フィルド銅めっき層7aを形成する。電解フィルド銅めっき液には、実施例1と同じものを用いた。このとき、一段目の電解フィルド銅めっきの条件は、1.0A/dm2の電流密度で、約2分であった。このとき、一段目の電解フィルド銅めっき層7aを形成した層間接続15の断面形状は、一段目の電解フィルドめっき層7aが下方空間13を充填していなかった。
2.内層材
3.プリプレグ又は絶縁層
4.金属箔又は銅箔
5.層間接続用の穴
6.無電解めっき層又は無電解銅めっき層
7.電解フィルドめっき層又は電解フィルド銅めっき層
7a.一段目の電解フィルドめっき層又は一段目の電解フィルド銅めっき層
7b.二段目の電解フィルドめっき層又は二段目の電解フィルド銅めっき層
8.黒化処理層
9.めっき層の境界
10.上層配線
11.エッチングレジスト
12.金属箔の飛び出し
13.下方空間
14.凹み
15.層間接続
16.ボイド
17.直下部
18.内壁
19.底部又は底面
20.(内部の)直径
21.(開口部の)直径
22.積層体
23.多層配線基板
24.開口部
24a.金属箔開口部又は銅箔開口部
24b.めっき開口部
Claims (5)
- 内層配線を形成した内層材と絶縁層と上層配線用の金属箔とを積層一体化して形成される積層体と、この積層体の前記上層配線用の金属箔と絶縁層を貫通する層間接続用の穴と、この層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと、この金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間に形成される下方空間と、前記層間接続用の穴を電解フィルドめっき層で充填した層間接続と、を有する多層配線基板であって、
前記層間接続用の穴を充填する電解フィルドめっき層が、少なくとも2層以上に形成されており、
前記2層以上の電解フィルドめっき層のうち、最外層を除く何れかの層の電解フィルドめっき層によって、層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間の下方空間が充填され、かつ、最外層を除く何れかの層の電解フィルドめっき層によって形成される層間接続の内部の最大径が開口部の最小径と同等以上である多層配線基板。 - 請求項1において、前記2層以上の電解フィルドめっき層のうち、最外層を除く何れかの層の電解フィルドめっき層によって形成される前記層間接続が、層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間の下方空間を電解フィルドめっきが充填し、かつ、層間接続の内部の最大径が開口部の最小径より大きい蛸壺状である多層配線基板。
- 請求項1又は2において、前記層間接続用の穴を充填する電解フィルドめっき層が、2層に形成されており、
前記2層の電解フィルドめっき層のうち、下層の電解フィルドめっき層によって、層間接続用の穴の開口部に形成された上層配線用の金属箔の飛び出しと前記層間接続用の穴の内壁との間の下方空間が充填され、かつ、下層の電解フィルドめっき層によって形成される層間接続の内部の最大径が開口部の最小径と同等以上である多層配線基板。 - 請求項1から3の何れかにおいて、前記層間接続用の穴が、前記積層体の上層配線用の金属箔と絶縁層を貫通し内層配線に到る非貫通穴である多層配線基板。
- 請求項1から4の何れかにおいて、層間接続用の穴のアスペクト比が、1.0以上である多層配線基板。
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