JP6346532B2 - 電子源ユニット及び帯電処理ユニット - Google Patents

Description

本発明は、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置に用いられる電子源ユニット、及び、当該電子源ユニットを備える帯電処理ユニットに関する。

電子源ユニットとして、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体と、を備えるものが知られている（たとえば、特許文献１参照）。特許文献１に記載された電子源ユニットは、帯電処理装置に用いられており、光電子放出体から放出された光電子により、処理対象物を所望の電位に帯電させている。

特開平４−２１８９４１号公報（特許第２９７７０９８号公報）

本発明者らは、調査研究の結果、次のような事実を新たに見出した。光電子放出体から放出された光電子により、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置では、処理対象物が電気絶縁物である場合、所望の電位に帯電させ得る効果が乏しい。特に、処理対象物が負の電位に帯電している電気絶縁物である場合、上記帯電処理装置では、帯電電荷を中和する、すなわち除電する効果は極めて低い。

本発明は、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い帯電処理装置を実現することが可能な電子源ユニット及び帯電処理ユニットを提供することを目的とする。

本発明の一態様は、処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置に用いられ、処理対象物が位置する処理空間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起させる電子を発生させる電子源ユニットであって、電子を発生させる電子発生源と、電子発生源に電位を供給する給電部と、電子発生源を収容する筐体と、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように位置し、かつ、電子発生源にて発生する電子が筐体の外側空間に向けて通過し、所望の電位とされるメッシュ状の電極部と、を備えている。

本発明の一態様に係る電子源ユニットが用いられた帯電処理装置では、給電部を通して、電極部の電位よりも小さい電位が電子発生源に供給されると、電子発生源と電極部との間には、電子発生源にて発生する電子を電極部に向けて加速させる加速電界が形成される。この加速電界により、電子発生源にて発生する電子は、メッシュ状の電極部を通過し、筐体の外側空間に効率よく導出される。ところで、帯電処理装置において、筐体の外側空間は、処理対象物が位置する処理空間であり、荷電粒子形成用ガスが存在している。このため、筐体の外側空間、すなわち処理空間に導出された電子は、処理空間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起し、正及び負の荷電粒子を生じさせる。

生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか一方の荷電粒子が、電極部及び電極部と電気的に接続される部位の電位（所望の電位）と処理対象物の電位とで形成される電界に応じて、処理対象物側に移動する。生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか他方の荷電粒子は、電極部及び上記部位側に移動する。処理対象物に移動してきた荷電粒子により、処理対象物は、所望の電位に帯電する。処理対象物が所望の電位に帯電すると、電極部及び上記部位と処理対象物との間に電界が形成されず、荷電粒子は移動しなくなる。したがって、処理対象物は、確実に所望の電位に帯電する。

これらの結果、電子源ユニットが用いられた帯電処理装置では、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い。所望の電位に帯電させるとは、正又は負の電位に帯電させることだけでなく、正又は負の電位の帯電を中和する、いわゆる除電することも含む。

筐体は、筐体の外側空間と連通する開口部を含んでおり、電極部は、開口部を覆うように筐体に配置されていてもよい。この場合、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように位置する電極部を、確実かつ容易に配置することができる。

筐体は、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、電子発生源は、筐体の長手方向に沿って延びていてもよい。この場合、電子源ユニットから外側空間に導出される電子により、処理空間に電子発生源が延びている方向に沿って存在する荷電粒子形成用ガスの分子が励起される。これにより、処理対象物が長尺状の物体であっても、当該処理対象物を確実に所望の電位に帯電させることができる。

電子発生源は、熱電子を放出するカソードを含んでいてもよい。この場合、出力の高い電子発生源を容易に実現することができる。

カソードは、イリジウムを含む材料からなる基材部と、基材部の表面を覆う、イットリウム酸化物を含む材料からなる被覆部と、を含んでいてもよい。この場合、出力が高く、かつ、安定性の高い電子発生源を容易に実現することができる。

電極部は、筒形状を呈し、カソードを囲むようにカソードの外側に配置されていてもよい。この場合、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように、電極部を確実に配置することができる。

カソードを囲むようにカソードと電極部との間に配置され、かつ、導電性を有するカバーを更に備え、カバーには、熱電子をカバー外に放出する開口が形成されており、カバーは、カソードの電位以下の電位とされてもよい。この場合、カバーにより、カバーに形成された開口に熱電子が効率よく向かうような電界を形成できるため、開口から熱電子を効率よく放出させることができる。

電子発生源は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体と、を含んでいてもよい。この場合、筐体部内の雰囲気に対して安定度の高い電子発生源を実現することができる。

エネルギー線源は、電子発生源から処理部への光電子入射軸とエネルギー線源のエネルギー線出射軸とが同軸とならないように、配置されていてもよい。この場合、エネルギー線が、処理対象物に直接、影響を及ぼすことを抑制することができる。

エネルギー線源は、光電子入射軸とエネルギー線出射軸とが交わるように配置され、光電子放出体は、エネルギー線出射軸に対して傾斜する傾斜面を含んでいてもよい。この場合、エネルギー線の処理対象物への直接的な影響をより抑制することができる。また、効率よく発生した光電子を処理室へ導くことができる。

所定波長のエネルギー線は真空紫外光を含んでいてもよい。この場合、より効率よく光電子を発生することができる。

エネルギー線源と光電子放出体との間に配置され、光電子放出体の電位と同等の電位とされるメッシュ状の電極部を更に備えていてもよい。この場合、光電子放出体から放出された光電子が、エネルギー線源側に向かうのを抑制し、光電子を筐体の外側空間に向けて効率よく導出することができる。

エネルギー線源と光電子放出体との間に配置され、かつ、所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、窓材により、筐体における光電子放出体が収容されている空間が気密に封止されてもよい。この場合、エネルギー線源に関する作業を、処理対象物が位置する処理空間内の所定の圧力雰囲気に影響を与えることなく、容易に行うことができる。

所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、窓材の一方の面には、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜が形成されており、窓材は、薄膜と光電子放出体とが同等の電位となるように、エネルギー線源と光電子放出体との間に配置されていてもよい。この場合、薄膜からも光電子が放出されるため、筐体の外側空間に導出される光電子の量が増加する。また、光電子放出体から放出された光電子が、エネルギー線源側に向かうのを抑制し、光電子を筐体の外側空間に向けて効率よく導出することができる。

光電子放出体は、胴部と底部とを有し、所定波長のエネルギー線を導入するための開口が形成された有底筒形状を呈していてもよい。この場合、光電子放出体からの光電子の放出及び放出された光電子の筐体の外側空間側への移動が効率よく行われる。

光電子放出体と電極部との間に配置されている、光電子を制御するための光電子制御部を更に備えていてもよい。この場合、たとえば、処理部内における光電子の入射範囲を制御することができる。

光電子放出体は、光電子を放出する開口が形成された胴部を有し、電極部は、筒形状を呈し、胴部を囲むように胴部の外側に配置されていてもよい。この場合、筐体の外側空間と筐体内の電子発生源が位置する空間とを仕切るように、電極部を確実に配置することができる。

本発明に係る帯電処理ユニットは、上記電子源ユニットと、筐体の外側空間を処理空間とするための処理部と、を備え、処理部は、処理対象物を処理空間に導入する導入部を有し、所望の電位とされる。

本発明に係る帯電処理ユニットでは、処理部内への処理対象物の導入及び導出を容易に行うことができる。処理部が、電極部と同じ所望の電位とされるため、処理空間を処理部内に適切に形成することができる。

処理部は、導入部と対向するように位置し、処理対象物を処理部から導出する導出部を更に有していてもよい。この場合、処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。

処理部は、互いに離間して配置された二つの部材を有し、二つの部材の間から処理空間に処理対象物を導入してもよい。この場合、より大きなサイズを有する処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。

本発明によれば、処理対象物を所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い帯電処理装置を実現することが可能な電子源ユニット及び帯電処理ユニットを提供することができる。

第１実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。 電子源ユニットの一例を示す斜視図である。 処理室部の一例を示す斜視図である。 第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。 第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。 第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。 第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。 第２実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。 電子源ユニットの一例を示す断面図である。 電子源ユニットの変形例を示す平面図である。 図１０におけるXI−XI線に沿った断面図である。 図１０におけるXII−XII線に沿った断面図である。 電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。 電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。 電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。 電子源ユニットの更なる変形例を示す斜視図である。 図１６に示された電子源ユニットの断面図である。 光電子放出体を示す斜視図である。 電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。 光電子放出体の変形例を示す斜視図である。 電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。 第４実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。 電子源ユニットの一例を示す斜視図である。 図２３に示された電子源ユニットの断面図である。 第４実施形態の変形例に係る除電処理装置を示す斜視図である。 第５実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。 電子源ユニットの一例を示す斜視図である。 除電処理装置に用いられる電子源ユニットの変形例を示す斜視図である。 帯電処理装置の適用例を説明するための図である。 帯電処理装置の適用例を説明するための図である。 帯電処理装置の適用例を説明するための図である。 帯電処理ユニットを示す斜視図である。 帯電処理ユニットの変形例を示す斜視図である。 帯電処理ユニットの変形例を示す斜視図である。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。

（第１実施形態）
図１〜図３を参照して、第１実施形態に係る帯電処理装置Ｃ１の構成を説明する。図１は、第１実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。図２は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。図３は、処理室部の一例を示す斜視図である。

帯電処理装置Ｃ１は、図１に示されるように、処理部１と電子源ユニット３とを備えている。帯電処理装置Ｃ１は、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させる装置である。たとえば、帯電処理装置Ｃ１は、帯電していない処理対象物ＰＯを正又は負の電位に帯電させることが可能である。帯電処理装置Ｃ１は、たとえば、正又は負の電位に帯電している処理対象物ＰＯを除電すること又は所望の電位に変えることも可能である。

処理部１は、処理筐体２、処理室部２０、給気部２１、及び排気部２３を有している。処理筐体２は、処理筐体２の内部空間（処理空間）を気密状態で画成可能に構成されている。処理室部２０は、処理筐体２内に配置されており、内部に処理筐体２の内部雰囲気と連通する処理空間が形成される。そのため、処理室部２０は、メッシュや開口等で構成された、処理筐体２との連通部を有する。処理筐体２及び処理室部２０は、たとえば、直方体形状を呈する導電性金属材料（たとえば、ステンレス鋼又はアルミニウムなど）からなる。

処理筐体２及び処理室部２０は、処理室部２０内に処理対象物ＰＯを導入するための導入開口（図示せず）を有している。当該導入開口を介して処理室部２０内に導入された処理対象物ＰＯは、処理室部２０内に置かれる。これにより、処理室部２０（処理部１）は、処理対象物ＰＯを包囲する。処理対象物ＰＯは、保持部材（不図示）によって、その位置が規定される。処理対象物ＰＯを包囲する処理室部２０は、所望の電位とされ、処理対象物ＰＯは、処理室部２０と電気的に絶縁された状態で、処理室部２０内に置かれる。処理筐体２及び処理室部２０の導入開口は、少なくとも帯電処理時には閉塞されるのが好ましい。少なくとも処理室部２０の導入開口は、処理室部２０と同電位の部材で閉塞されるのが好ましい。処理筐体２は、絶縁性材料からなっていてもよい。

処理室部２０は、処理筐体２が設置される部位（以下、「設置部位」と称する）と電気的に絶縁されている。処理室部２０は、必ずしも、設置部位と電気的に絶縁されている必要はない。たとえば、帯電処理装置Ｃ１が除電処理装置のみとして用いられる場合であって、処理筐体２及び設置部位がグラウンド電位（接地電位）とされているときには、処理室部２０は、処理筐体２及び設置部位と電気的に接続されていてもよい。

電子源ユニット３は、図２にも示されているように、電子を発生させる電子発生源５と、電子発生源５を収容する電子源筐体７と、電極部１１と、を有している。電子発生源５は、熱電子を放出するカソード６を含んでいる。カソード６は、加熱されることにより熱電子を放出する。カソード６は、たとえば、フィラメントなどの直熱型電極である。具体的には、フィラメントは、イリジウムを含む材料からなる導電性部材６ａ（基材部）と、導電性部材６ａの表面を覆う、イットリウム酸化物を含む材料からなるコーティング層６ｂ（被覆部）と、を含んでいることが好ましい。イリジウムは、化学的に安定しており、酸素ガスなどと反応し難い。イットリウム酸化物は、仕事関数が低く、低温で熱電子を放出する。

カソード６は、ヒータの加熱により熱電子を放出する傍熱型電極であってもよい。カソード６は、熱電子を放出する熱電子源に限らず、冷陰極などの電界放出型電子源や弾導電子源といったその他の電子源であってもよい。電子源筐体７は、電子発生源５を収容する胴部７ａと、電子源ユニット３から熱電子を放出するための開口部７ｂと、を含んでいる。胴部７ａは、断面が円形の円筒形状を呈している。胴部７ａの断面は、円形に限られず、多角形であってもよい。

電子源ユニット３は、カソード６から放出された熱電子の運動を制御するための電極８と、カソード６に電流を供給するための一対のリード電極９と、カソード６（一対のリード電極９）を絶縁固定するガラス管１０と、を更に有している。カソード６は、ガラス管１０内に位置している。ガラス管１０は、一端が開口している。ガラス管１０は、処理部１内が気密状態に維持されるように、電子源筐体７（胴部７ａ）に設けられている。また、ガラス管１０が用いられることなく、リード電極９を備えた絶縁ステム又は真空フランジ上にカソード６を組み上げた構造体が用いられてもよい。

カソード６の両端部は、リード電極９にそれぞれ電気的に接続されている。電極８は、一方のリード電極９に電気的に接続されている。一対のリード電極９は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。電子源筐体７は、導電性金属材料（たとえば、ステンレス鋼又はアルミニウムなど）からなる。電極８には、別の給電経路が設けられていてもよい。電極８に別の給電経路が設けられている場合、当該給電経路を通して、カソード６とは別の電位を電極８に供給してもよい。

電子源ユニット３内には、カソード６及び電極８に供給される電位によって、電子発生源５にて発生した熱電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界が形成される。カソード６から放出された熱電子は、ガラス管１０の開口を通して、電子源ユニット３から導出される。加速電界を形成する電位差は、処理筐体２内に導入された熱電子が、処理対象物ＰＯに直接到達し難い大きさに設定される。加速電界を形成する電位差は、たとえば、１０〜１０００Ｖの範囲内とされ、５０〜５００Ｖの範囲内であることが好ましい。

電子源ユニット３は、処理筐体２に気密に着脱自在に装着される真空フランジＶＦを有している。すなわち、電子源ユニット３は、真空フランジＶＦが処理筐体２に装着されることにより、処理筐体２に設けられている。処理筐体２における電子源ユニット３が設けられる位置には、開口部２ａが形成されている。すなわち、電子源ユニット３（電子源筐体７）内の空間は、開口部２ａを通して、処理筐体２内の空間と連通している。真空フランジＶＦは、導電性金属材料（たとえば、ステンレス鋼又はアルミニウムなど）からなる。開口部２ａの形状は、電子源筐体７（胴部７ａ）の形状に対応して、円形状である。

電子源ユニット３が、溶接などにより処理筐体２と一体的に設けられている場合、又は、処理筐体２（処理部１）内に配置される場合は、真空フランジＶＦは必ずしも必要ではない。真空フランジＶＦは、胴部７ａと一体形成されていてもよく、胴部７ａと別体に形成されていてもよい。

電極部１１は、図２に示されるように、メッシュ状の導電性部材である。メッシュとは、網状に限らず、格子状、多孔状、又は多段櫛刃状などの、所定の領域を複数の領域に二次元的に分割する構造であって、メッシュ状の導電性部材が電極部１１として用いられた際には、電子の透過と電界の形成を可能とする構造体である。電極部１１は、開口部７ｂを覆うように電子源筐体７に設けられている。電極部１１は、開口部７ｂの形状に対応して、平面視で、円形状を呈している。電極部１１は、電子源筐体７の外側空間と電子源筐体７内の電子発生源５（カソード６）が位置する空間とを仕切るように位置する。すなわち、電極部１１は、電子源ユニット３と処理筐体２（処理空間）とを仕切るように電子源ユニット３と処理筐体２との間に位置することとなる。電極部１１はメッシュ状であることから、カソード６にて発生しる電子が電子源筐体７の外側空間に向けて通過する。

電極部１１は、電子源筐体７とは絶縁され、かつ、所望の電位が供給されるように、たとえば絶縁部材を介して電子源筐体７に固定されると共に、電極部１１への給電経路が設けられていることが好ましい。電極部１１は、処理室部２０と同電位にされる場合、導電部材などを介して処理室部２０に電気的に接触させることにより、処理室部２０と同電位としてもよい。また、電極部１１と処理室部２０とに、別途設けた給電部材によって、同じ電位が供給されてもよい。なお、所望の電位がグラウンド電位の場合、電極部１１は、電子源筐体７と電気的に接続されていてもよい。電極部１１は、たとえば、ステンレス鋼からなる。電極部１１のメッシュの大きさは、熱電子の通過率が高く、かつ、電子源ユニット３と処理筐体２との間で電界の染み出しが極めて少ない大きさに設定される。

処理室部２０は、図３の（ａ）に示されるように、たとえば、直方体形状を呈している。処理室部２０には、処理筐体２における電子源ユニット３が設けられる面に対向する一つの面に開口部２０ａが形成されている。開口部２０ａは、処理筐体２における開口部２ａと対向するように位置している。すなわち、処理室部２０には、電子源ユニット３と対向する位置に開口部２０ａが形成されているため、電子源ユニット３（電子源筐体７）内の空間は、開口部２ａ及び開口部２０ａを通して、処理部１の処理室部２０内の処理空間と連通している。開口部２０ａは、処理室部２０と同電位とされるメッシュ状の電極ＭＥに覆われている。

処理室部２０には、図３の（ｂ）に示されるように、処理筐体２における電子源ユニット３が設けられる面に対向する一つの面の略全体が開口することにより、開口部２０ａが形成されていてもよい。開口部２０ａは、処理室部２０と同電位とされるメッシュ状の電極ＭＥに覆われている。処理室部２０には、図３の（ｃ）に示されるように、六つの面の略全体が開口していてもよい。図３の（ｃ）に示された処理室部２０は、直方体の各稜に枠部が位置する枠構造体、すなわち、直方体形状の枠構造体である。全ての開口部２０ａは、処理室部２０と同電位とされるメッシュ状の電極ＭＥに覆われている。なお、図３の（ａ）〜図３の（ｃ）のいずれにおいても、開口部２０ａは、メッシュ状の電極ＭＥで覆われることなく、開放されていてもよい。

処理筐体２と処理室部２０とは、それぞれ独立して、電位が供給される。この場合、処理筐体２と処理室部２０とは、互いに電気的に絶縁されている。処理筐体２と処理室部２０とは、必ずしも、互いに電気的に絶縁されている必要はなく、互いに電気的に接続されていてもよい。この場合、処理筐体２と処理室部２０とは、同じ電位に設定される。帯電処理装置Ｃ１が除電処理装置のみとして用いられる場合には、処理筐体２と処理室部２０とは、電気的に接続されていることが好ましい。処理筐体２と処理室部２０とは、処理室部２０を処理筐体２と接触するように処理筐体２内に配置することにより、電気的に接続することができる。

給気部２１及び排気部２３は、処理筐体２に設けられている。給気部２１及び排気部２３は、処理部１内を所定の圧力条件下に設定するために、処理部１（処理筐体２）内のガスの給排気を行う。所定の圧力条件下とは、減圧下はもちろんのこと、大気圧下又は加圧下であってもよい。処理部１内の圧力は、たとえば、数十〜１０^−３Ｐａの範囲内とされ、より好ましくは１０〜１０^−２Ｐａの範囲内とされる。また、給気部２１及び排気部２３は、荷電粒子形成用ガスの給排気を行う。これにより、処理部１（処理筐体２）内を、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とすることが可能である。荷電粒子形成用ガスには、たとえば、大気又はアルゴン（Ａｒ）ガスなどの不活性ガスを用いることができる。帯電処理装置Ｃ１を取り巻く雰囲気が荷電粒子形成用ガスとされる場合、所定の圧力雰囲気として減圧雰囲気とするには、排気部２３のみで実現することもできる。給気部２１及び排気部２３は、処理筐体２に設けられている必要はなく、処理室部２０に直接設けられていてもよい。この場合、給気部２１及び排気部２３が処理室部２０の電位に影響しないようにする必要がある。

次に、図４〜図７を参照して、帯電処理装置Ｃ１による帯電処理について説明する。図４〜図７は、第１実施形態に係る帯電処理装置での帯電処理を説明するための図である。図４の（ａ）〜（ｃ）は、処理対象物ＰＯを負の電位に帯電させる処理を説明するための図である。図５の（ａ）〜（ｃ）は、処理対象物ＰＯを正の電位に帯電させる処理を説明するための図である。図６の（ａ）〜（ｃ）は、正の電位に帯電している処理対象物ＰＯを除電する処理を説明するための図である。図７の（ａ）〜（ｃ）は、負の電位に帯電している処理対象物ＰＯを除電する処理を説明するための図である。図４及び図５においては、処理対象物ＰＯが絶縁体である場合を例示し、図６及び図７においては、処理対象物ＰＯが導電体である場合を例示する。説明の容易化のために、処理室部２０の開口部２０ａがメッシュ状の電極ＭＥで覆われていない態様とする。

［負の電位への帯電処理］
図４の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、帯電していない、すなわち電位が０Ｖである処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。給気部２１及び排気部２３（図４では不図示）により、処理室部２０（処理筐体２）内は、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とされる。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７〜１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。

帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０（処理部１）が、所望の負の電位（たとえば、−２００Ｖ）に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。

電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、−４００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１により、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのが抑制されている。

電子源ユニット３内に加速電界が形成され、かつ、処理対象物ＰＯと処理室部２０（電極部１１）との間に上記電界が形成されている状態で、カソード６に通電し、カソード６から熱電子を放出させる。カソード６から放出された熱電子は、加速電界により加速され、電極部１１を通過し、処理室部２０内に導入される。

図４の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起し、正及び負の荷電粒子を生じさせる。すなわち、荷電粒子形成用ガスの分子は、熱電子の衝突により、正及び負の荷電粒子に解離する。荷電粒子形成用ガスとして、Ａｒガスが用いられる場合、Ａｒ分子が、Ａｒ^＋イオンと電子とに開裂し、Ａｒ^＋イオンと電子とが生じる。

生じた負の荷電粒子（電子）は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた負の荷電粒子により、負の電位に帯電していく。生じた正の荷電粒子（Ａｒ^＋イオン）は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した正の荷電粒子は、中和される。

処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まっていく。処理対象物ＰＯが、上述した所望の負の電位に帯電すると、図４の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、負の荷電粒子は移動しなくなる。これにより、処理対象物ＰＯは、所望の負の電位に帯電され、処理対象物ＰＯの電位は、帯電した状態で安定する。

［正の電位への帯電処理］
図５の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、帯電していない、すなわち電位が０Ｖである処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。給気部２１及び排気部２３（図５では不図示）により、処理室部２０（処理筐体２）内は、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とされる。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７〜１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。

帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０（処理部１）が、所望の正の電位（たとえば、＋２００Ｖ）に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。

電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、−１００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、３００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１により、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのが抑制されている。

電子源ユニット３内に加速電界が形成され、かつ、処理対象物ＰＯと処理室部２０（電極部１１）との間に上記電界が形成されている状態で、カソード６に通電し、カソード６から熱電子を放出させる。カソード６から放出された熱電子は、加速電界により加速され、電極部１１を通過し、処理室部２０内に導入される。

図５の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起し、正及び負の荷電粒子を生じさせる。生じた正の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた正の荷電粒子により、正の電位に帯電していく。生じた負の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した負の荷電粒子は、中和される。

処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まっていく。処理対象物ＰＯが、上述した所望の正の電位に帯電すると、図５の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、正の荷電粒子は移動しなくなる。これにより、処理対象物ＰＯは、所望の正の電位に帯電され、処理対象物ＰＯの電位は、帯電した状態で安定する。

［正の電荷の除電処理］
図６の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、正の電荷に帯電している処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。処理対象物ＰＯは、たとえば、＋１ｋＶに帯電している。給気部２１及び排気部２３（図６では不図示）により、処理室部２０（処理筐体２）内は、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とされる。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７〜１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。

帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０及び処理筐体２が、グラウンド電位（接地電位）に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、１ｋＶ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。

電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、−２００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１により、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのが抑制されている。

電子源ユニット３内に加速電界が形成され、かつ、処理対象物ＰＯと処理室部２０（電極部１１）との間に上記電界が形成されている状態で、カソード６に通電し、カソード６から熱電子を放出させる。カソード６から放出された熱電子は、加速電界により加速され、電極部１１を通過し、処理室部２０内に導入される。

図６の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起し、正及び負の荷電粒子を生じさせる。生じた負の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた負の荷電粒子により、正の電位の帯電が中和されていく。生じた正の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した正の荷電粒子は、中和される。

処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まっていく。処理対象物ＰＯが、除電されると、すなわち電位が０Ｖとなると、図６の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、負の荷電粒子は移動しなくなる。これにより、処理対象物ＰＯは、電位が０Ｖとされ、処理対象物ＰＯの電位は、除電された状態で安定する。

［負の電荷の除電処理］
図７の（ａ）に示されるように、帯電処理装置Ｃ１には、負の電荷に帯電している処理対象物ＰＯが処理室部２０内に配置されている。処理対象物ＰＯは、たとえば、−１ｋＶに帯電している。給気部２１及び排気部２３（図７では不図示）により、処理室部２０（処理筐体２）内は、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下とされる。たとえば、処理室部２０内は、Ａｒガスを含み、かつ、０．７〜１．３Ｐａ（たとえば１Ｐａ）とされた圧力雰囲気下とされる。

帯電処理装置Ｃ１では、処理室部２０及び処理筐体２が、グラウンド電位（接地電位）に設定される。これにより、処理対象物ＰＯと処理室部２０との間に、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差（たとえば、１ｋＶ）に対応する電界が形成される。電極部１１と処理室部２０とが同じ電位とされているため、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、電極部１１の近傍まで形成される。

電子発生源５（カソード６）は、上述した加速電界が形成されるように、処理室部２０よりも低い電位（たとえば、−２００Ｖ）に設定される。これにより、電子源ユニット３内には、電子発生源５と処理室部２０（電極部１１）との電位差（たとえば、２００Ｖ）に対応する加速電界が形成される。電極部１１により、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界と、電子源ユニット３内の加速電界と、が互いに影響し合うのが抑制されている。

電子源ユニット３内に加速電界が形成され、かつ、処理対象物ＰＯと処理室部２０（電極部１１）との間に上記電界が形成されている状態で、カソード６に通電し、カソード６から熱電子を放出させる。カソード６から放出された熱電子は、加速電界により加速され、電極部１１を通過し、処理室部２０内に導入される。

図７の（ｂ）に示されるように、処理室部２０内に導入された熱電子は、処理室部２０内の電極部１１と処理対象物ＰＯとの間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起し、正及び負の荷電粒子を生じさせる。生じた正の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。処理対象物ＰＯは、処理対象物ＰＯに移動してきた正の荷電粒子により、負の電位の帯電が中和されていく。生じた負の荷電粒子は、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との電位差に対応する電界に応じて、処理室部２０側及び電極部１１側に移動する。処理室部２０及び電極部１１に到達した負の荷電粒子は、中和される。

処理対象物ＰＯの帯電状態に応じ、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間に形成される電界が弱まっていく。処理対象物ＰＯが、除電されると、すなわち電位が０Ｖとなると、図７の（ｃ）に示されるように、処理対象物ＰＯと処理室部２０及び電極部１１との間には電界が形成されず、正の荷電粒子は移動しなくなる。これにより、処理対象物ＰＯは、電位が０Ｖとされ、処理対象物ＰＯの電位は、除電された状態で安定する。

以上のように、電子源ユニット３が用いられた帯電処理装置Ｃ１では、一対のリード電極９（給電部）を通して、電極部１１の電位よりも小さい電位が電子発生源５（カソード６）に供給されると、電子発生源５と電極部１１との間には加速電界が形成される。この加速電界により、電子発生源５にて発生する電子は、メッシュ状の電極部１１を通過し、電子源筐体７の外側空間に効率よく導出される。ところで、帯電処理装置Ｃ１において、電子源筐体７の外側空間は、処理室部２０内の空間（処理対象物ＰＯが位置する処理空間）であり、荷電粒子形成用ガスが存在している。このため、電子源筐体７の外側空間、すなわち処理室部２０内に導出された電子は、処理室部２０内に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起し、正及び負の荷電粒子を生じさせる。

生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか一方の荷電粒子が、電極部１１及び処理室部２０（電極部１１と電気的に接続される部位）の電位（所望の電位）と処理対象物ＰＯの電位とで形成される電界に応じて、処理対象物ＰＯ側に移動する。生じた正及び負の荷電粒子のうちいずれか他方の荷電粒子は、電極部１１側及び処理室部２０側に移動する。処理対象物ＰＯに移動してきた荷電粒子により、処理対象物ＰＯは、所望の電位に帯電する。処理対象物ＰＯが所望の電位に帯電すると、電極部１１及び処理室部２０と処理対象物ＰＯとの間に電界が形成されず、荷電粒子は移動しなくなる。したがって、処理対象物ＰＯは、確実に所望の電位に帯電する。

なお、説明の容易化のために、処理室部２０の開口部２０ａがメッシュ状の電極ＭＥにて覆われていない態様としたが、処理室部２０の開口部２０ａにも、処理室部２０と同電位のメッシュ状の電極が存在する場合であっても、処理対象物ＰＯと処理室部２０との電位差に対応する電界は、メッシュ状の電極が存在する開口部２０ａまで形成される。このため、電極部１１から出射された電子は、慣性力でメッシュ状の電極が存在する開口部２０ａを通過する。したがって、開口部２０ａにメッシュ状の電極が存在する場合であっても、開口部２０ａにメッシュ状の電極が存在しない場合と同様の作用効果を奏する。

これらの結果、電子源ユニット３が用いられた帯電処理装置Ｃ１では、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い。

電子源筐体７は、処理筐体２内の処理空間と連通する開口部７ｂを含んでおり、電極部１１は、開口部７ｂを覆うように電子源筐体７に配置されている。これにより、電子源筐体７の外側空間と電子源筐体７内の電子発生源５が位置する空間とを仕切るように位置する電極部１１を、確実かつ容易に配置することができる。

帯電処理装置Ｃ１では、処理部１（処理筐体２）内の荷電粒子形成用ガスの圧力と、電子源ユニット３内の加速電界と、に応じ、荷電粒子形成用ガスの分子が解離する位置（以下、単に「解離位置」と称する）が変化する。加速電界が大きいと、解離位置は電子源ユニット３から離れ、加速電界が小さいと、解離位置は電子源ユニット３に近づく。荷電粒子形成用ガスの圧力が高いと、電子（たとえば、熱電子）の平均自由行程が短くなり、解離位置は電子源ユニット３に近づく。荷電粒子形成用ガスの圧力が低いと、電子の平均自由行程が長くなり、解離位置は電子源ユニット３から離れる。これらのことから、荷電粒子形成用ガスの圧力と加速電界とを調節することにより、解離位置を最適化することができる。したがって、加速電圧は調整可能であることが好ましい。加速電圧は、たとえば、カソード６及び電極８に供給される電位を調整することによって、調整することができる。

（第２実施形態）
図８及び図９を参照して、第２実施形態に係る除電処理装置ＮＡ１の構成を説明する。図８は、第２実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。図９は、電子源ユニットの一例を示す断面図である。

本実施形態においては、帯電処理装置において、特に、正又は負の電位に帯電した処理対象物ＰＯの帯電を中和する、いわゆる除電するための除電処理装置ＮＡ１を説明する。処理部１は第１実施形態と同様に処理室部２０を備えていてもよい。しかしながら、説明を容易にするため、処理部１の処理空間は導電性材料からなる処理筐体２のみで構成し、処理筐体２（少なくともその内表面）と電極部１１は、所望の帯電中和レベル（たとえばグラウンド電位）に設定できるように構成されている。このため、正負いずれに帯電した処理対象物ＰＯであっても、所望の帯電中和レベル（たとえばグラウンド電位）にすることができる。これは、所望の帯電中和レベルへの帯電処理であり、その動作機構は前述の帯電処理装置の動作機構と同様である。第２実施形態に係る除電処理装置ＮＡ１は、電子源ユニット３の構成に関して、第１実施形態に係る帯電処理装置Ｃ１と相違する。

除電処理装置ＮＡ１は、図８及び図９に示されるように、処理部１と、電子源ユニット３と、を備えている。

電子源ユニット３（電子源筐体７）は、図９にも示されているように、平面視で長手方向と短手方向とを有している。電子源ユニット３は、略直方体形状を呈している。カソード６（電子発生源５）は、電子源ユニット３の長手方向に沿って延びている。胴部７ａの断面は、矩形状である。電極部１１は、開口部７ｂの形状に対応して、平面視で、矩形状を呈している。処理筐体２の開口部２ａの形状は、電子源ユニット３の平面形状に対応させて、たとえば、長手方向と短手方向とを有している形状である。本実施形態では、開口部２ａの形状は矩形状である。

電子源ユニット３は、電子源筐体７に設けられ、かつ、カソード６に電気的に接続されている一対の電流導入端子１３を有している。一対の電流導入端子１３は、電子源筐体７の長手方向での両端部に配置されている。一対の電流導入端子１３は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。また、電極部１１は、電子源筐体７に直接固定されることにより、電子源筐体７及び処理筐体２と電気的に接続されている。このため、電極部１１、電子源筐体７、及び処理筐体２は、グラウンド電位とされている。なお、電極部１１は、電子源筐体７とは絶縁され、かつ、所望の電位を供給できるように、たとえば絶縁部材を介して電子源筐体７に固定されると共に、電極部１１への給電経路が設けられていてもよい。この場合、電極部１１がグラウンド電位とされるためには、電極部１１は処理筐体２と電気的に接続されてもよく、また、別途グラウンド電位と接続されてもよい。

本実施形態では、電子源筐体７が、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、カソード６は、電子源筐体７の長手方向に沿って延びていている。この場合、電子源ユニット３から処理筐体２内の処理空間に導出される電子により、処理空間にカソード６が延びている方向に沿って存在する荷電粒子形成用ガスの分子が励起される。これにより、除電処理装置ＮＡ１は、処理対象物が長尺状の物体又は面積が大きな物体であっても、当該処理対象物を確実に除電することができる。

（第３実施形態）
図１０〜図１２を参照して、電子源ユニット３の変形例を説明する。図１０は、電子源ユニットの変形例を示す平面図である。図１１は、図１０におけるXI−XI線に沿った断面図である。図１２は、図１０におけるXII−XII線に沿った断面図である。第３実施形態に係る電子源ユニット３は、熱電子ではなく光電子を放出する点で、第１及び第２実施形態における電子源ユニット３と相違する。

電子源ユニット３は、図１０〜図１２に示されるように、光電子を放出する電子発生源３０と、電子発生源３０を収容する電子源筐体３１と、電極部１１と、を有している。電子源ユニット３は、図８及び図９に示された電子源ユニット３と同じく、平面視で長手方向と短手方向とを有している。電子発生源３０は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源３２と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体３３と、を含んでいる。エネルギー線源３２は、たとえば、長尺状のエキシマランプなどが用いられる。

電子源ユニット３は、真空フランジＶＦが処理筐体２に装着されることにより、処理筐体２に設けられている。本実施形態においても、電子源ユニット３が、溶接などにより処理筐体２と一体的に設けられている場合、又は、処理部１内に配置される場合は、真空フランジＶＦは必ずしも必要ではない。真空フランジＶＦは、電子源筐体３１と一体形成されていてもよく、電子源筐体３１と別体に形成されていてもよい。

エネルギー線源３２は、たとえばＸ線から赤外線までの帯域に含まれる波長のエネルギー線を放出するエネルギー線源である。光電子放出体３３の作成し易さ、及び、大気に曝される環境下での劣化などを考慮すると、エネルギー線源３２は、Ｘ線からＵＶ光までの帯域に含まれるエネルギー線を放出するエネルギー線源であることが好ましい。当該エネルギー線源には、たとえば、ＵＶ光又はＶＵＶ光（真空紫外光）などを放出するエキシマランプ又は重水素ランプ、ＵＶレーザ光源、若しくは、Ｘ線管などがある。エネルギー線源３２として、特に、光電子放出体３３の量子効率が比較的高い、光エネルギーのＶＵＶ光を放出するエキシマランプなどが好ましい。所定波長のエネルギー線が真空紫外光を含んでいる場合、より効率よく光電子を発生することができる。

電子源筐体３１は、電子源ユニット３の長手方向で対向する一対の端面部３１ａと、一対の端面部３１ａを連結するように電子源ユニット３の長手方向に延び、かつ、互いに対向している一対の側面部３１ｂと、一対の端面部３１ａと一対の側面部３１ｂとに接続される上面部３１ｃと、を有している。電子源筐体３１は、電子源ユニット３から光電子を放出するための開口部３１ｄを、上面部３１ｃと対向する位置に含んでいる。

エネルギー線源３２は、ガス導入管３５内に配置されている。ガス導入管３５は、その両端部が、Ｏリングを介して、電子源筐体３１の一対の端面部３１ａに気密に保持されている。ガス導入管３５は、電子源筐体３１を電子源ユニット３の長手方向に貫通するように配置されている。エネルギー線源３２も、電子源筐体３１を電子源ユニット３の長手方向に貫通するように配置されている。ガス導入管３５は、エネルギー線源３２から出射される所定波長のエネルギー線を透過する材料からなり、たとえば、石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる。ガス導入管３５は、金属などからなる管状部材であってもよい。この場合、当該管状部材の所定位置に開口が設けられ、当該開口に石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる窓材が設けられることが好ましい。

ガス導入管３５の一端部には、ガス導入管３５内にガスを導入するガス導入部３７が接続されている。ガス導入管３５の他端部は、ガス導入管３５内に導入されたガスを排出するガス排出部として機能する。ガス導入管３５内に導入されるガスは、窒素などの不活性ガスが用いられ、エネルギー線源３２を冷却する。ガスは、ガス導入部３７からガス導入管３５内に導入され、ガス排出部から排出されるため、光子の透過率が低下するのを抑制できる。ガス導入管３５の他端部からは、エネルギー線源３２の電極に接続された電源線３８，３９が導出される。ガスの導排出又は電源線３８，３９の導出は、ガス導入管３５のいずれの端部から行われてもよい。電源線３８、３９が導出される部位は、ガス導入管３５の開放端に限られない。ガス導入管３５の両端がガス導排出可能に密閉され、ガス導入管３５の内外を貫通する給電部と接続して電源線３８、３９が導出されてもよい。

光電子放出体３３は、絶縁基板３６を介して電子源筐体３１に設けられている。光電子放出体３３は、電子源筐体３１と電気的に絶縁されている。光電子放出体３３は、電子源筐体３１の各面部３１ａ〜３１ｃに沿うように延びている五つの面部を有している。光電子放出体３３は、五つの面部の内側表面が、光電子の放出面となる。すなわち、電子源筐体３１の開口部３１ｄに対応する位置が開口している。光電子放出体３３の五つの面部は、ガス導入管３５を介して、エネルギー線源３２を囲むように位置している。光電子放出体３３は、電子源筐体３１に設けられている電流導入端子３４と電気的に接続されている。光電子放出体３３は、電子源筐体３１に対し、着脱自在に設けられている。これにより、光電子放出体３３の交換が可能となる。電流導入端子３４は、電子発生源３０（光電子放出体３３）に電位を供給する給電部として機能する。光電子放出体３３の面部は五つに限らず、光電子が処理筐体２側に放出されやすい構造の多面体でよい。

光電子放出体３３は、大気に曝される環境下においても劣化が少なく、かつ、エネルギー線源３２から出射されるエネルギー線（たとえば、ＵＶ光又はＶＵＶ光など）に対して量子効率が高い材料が用いられ、当該材料として、たとえは、Ａｕ、Ｎｉ、ステンレス鋼、Ａｌ、ダイヤモンド薄膜、ＤＬＣ（diamond−like carbon）薄膜、又はＡｌ_２Ｏ_３薄膜などが挙げられる。ＵＶ光又はＶＵＶ光に対し、量子効率が高い材料は、Ａｕが一般的である。ＶＵＶ光に対しては、Ａｌ、Ａｌ_２Ｏ_３薄膜、又はダイヤモンド薄膜が、量子効率が比較的高い材料である。各薄膜は、金属基体の表面に成膜される。光電子放出体３３の光電子の放出面は、鏡面処理が施されていてもよい。

電極部１１は、電子源筐体３１の開口部３１ｄを覆うように、当該開口部３１ｄに設けられている。電極部１１は、電子源筐体３１とは絶縁され、かつ、所望の電位が供給されるように、たとえば絶縁部材を介して電子源筐体３１に固定されると共に、電極部１１への給電経路が設けられていることが好ましい。所望の電位の値によっては、電極部１１は、電子源筐体３１と同電位になるように、電子源筐体３１と直接固定されていてもよい。電極部１１は、開口部３１ｄの形状に対応して、平面視で、矩形状を呈している。電極部１１は、電流導入端子３４を通して光電子放出体３３に供給される電位との差により、電子発生源３０にて発生した光電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界を電子源ユニット３内に形成する。

電極部１１は、処理対象物ＰＯと処理筐体２との電位差に対応する電界を電子源ユニット３と処理筐体２との境界近傍まで形成する。また、電極部１１は、電子源ユニット３内に形成される加速電界と、処理対象物ＰＯと処理筐体２及び電極部１１との電位差に対応する電界と、が互いに影響し合うのを抑制する。電極部１１は、光電子放出体３３とは電気的に絶縁されている。加速電界は、処理筐体２内に導入された光電子が、処理対象物ＰＯに直接到達し難い強さに設定される。加速電界は、上述したように、たとえば、１０〜１０００Ｖの範囲内の加速電圧で形成される強さとされる。加速電界は、５０〜５００Ｖの範囲内の加速電圧で形成される強さであることが好ましい。

本実施形態では、電子源ユニット３は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源３２と、所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体３３と、を含んでいる。これにより、帯電処理装置（除電処理装置）（電子源筐体３１）内の雰囲気（圧力及び真空度など）によって性能及び寿命などに影響を受けることの少ない、密封構造のエネルギー線源（たとえばランプなど）を用いることができる。この結果、帯電処理装置（除電処理装置）内の雰囲気に対して安定度の高い電子発生源を実現することができる。

本実施形態では、電子源筐体３１が、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、エネルギー線源３２は、電子源筐体７の長手方向に沿って延びていている。この場合、電子源ユニット３から処理筐体２内の処理空間に導出される電子により、処理空間にカソード６が延びている方向に沿って存在する荷電粒子形成用ガスの分子が励起される。これにより、図９〜図１１に示された電子源ユニット３を備える帯電処理装置は、処理対象物が長尺状の物体又は面積が大きな物体であっても、当該処理対象物を確実に所望の電位に帯電させることができる。

図１３〜図１５を参照して、電子源ユニット３の更なる変形例を説明する。図１３〜図１５は、電子源ユニットの更なる変形例を示す断面図である。図１３〜図１５に示された断面構成は、電子源ユニット３の長手方向に直交する面で切断した際の断面構成に相当する。いずれの変形例においても、電極部１１は、電子源筐体３１とは絶縁され、かつ、所望の電位が供給されるように、たとえば絶縁部材を介して電子源筐体３１に固定されると共に、電極部１１への給電経路が設けられていることが好ましい。所望の電位の値によっては、電極部１１は、電子源筐体３１と同電位になるように、電子源筐体３１と直接固定されていてもよい。

図１３に示された変形例では、エネルギー線源３２は、一方の側面部３１ｂ側に配置されている。すなわち、エネルギー線源３２は、電子源ユニット３から処理空間への光電子入射軸Ａ１と、エネルギー線源３２のエネルギー線出射軸Ａ２とが同軸とならないように、より詳細には光電子入射軸Ａ１とエネルギー線出射軸Ａ２とが略直交するように、配置されている。一方の側面部３１ｂ及び光電子放出体３３における一方の側面部３１ｂに対向する面には、エネルギー線源３２からのエネルギー線を、光電子放出体３３の内側空間に導くための開口が形成されている。光電子放出体３３は、電子源ユニット３の長手方向に直交する断面において、光電子が開口部３１ｄに向けて放出されるように傾斜面を有している。すなわち、光電子放出体３３は、エネルギー線源３２のエネルギー線出射軸Ａ２に対して傾斜する傾斜面を含んでいる。傾斜面は、それぞれ角度が異なる複数の傾斜面からなっていてもよい。

電子源ユニット３は、メッシュ状の電極部４１を含んでいる。電極部４１は、エネルギー線源３２と光電子放出体３３との間に配置され、光電子放出体３３と同じの電位とされる。本変形例では、電極部４１は、光電子放出体３３に設けられている。電極部４１は、たとえば、Ａｕ又はＡｌなどの光電子放出特性が高い材料からなる。電極部４１は、たとえば、ステンレス鋼からなり、表面にＡｕ、Ａｌ、又はＡｌ_２Ｏ_３などからなる薄膜が形成されているメッシュであってもよい。電子源ユニット３は、必ずしも電極部４１を含んでいる必要はなく、電子源ユニット３は、電極部４１を含んでいなくてもよい。

本変形例では、電極部４１により、光電子放出体３３から放出された光電子が、エネルギー線源３２側に向かうのを抑制し、光電子を処理部１（図１２では不図示）に向けて効率よく導くことができる。また、電極部４１により、エネルギー線源３２などの帯電を防ぐことができる。

図１３に示された電子源ユニット３では、エネルギー線源３２が一つの側面部３１ｂ側に配置され、かつ、光電子入射軸Ａ１とエネルギー線出射軸Ａ２とが同軸とならないよう、より詳細には光電子入射軸Ａ１とエネルギー線出射軸Ａ２とが略直交するように、配置されているので、エネルギー線源３２から放出されたエネルギー線が、処理部１（図１２では不図示）に直接照射され難い。このため、処理部１におけるエネルギー線が照射された部位にて、物質の解離などが生じるのを抑制することができる。さらに、光電子放出体３３は、電子源ユニット３の長手方向に直交する断面において、光電子が開口部３１ｄに向けて放出されるように傾斜面を有している。すなわち、光電子放出体３３は、エネルギー線源３２のエネルギー線出射軸Ａ２に対して傾斜する傾斜面を含んでいるので、効率よく発生した光電子を処理空間へ導くことができる。

図１４に示された変形例では、電子源ユニット３は、窓材４２を含んでいる。窓材４２は、エネルギー線源３２と光電子放出体３３との間に配置され、かつ、所定波長のエネルギー線を透過する。エネルギー線源３２がたとえば軟Ｘ線源である場合には、窓材４２は、Ｂｅ又はＴｉの薄膜といったＸ線透過性材料などからなる。エネルギー線源３２がたとえばＵＶ光源又はＶＵＶ光源である場合には、窓材４２は、石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる。

窓材４２により、電子源ユニット３（電子源筐体３１）における光電子放出体３３が収容されている空間が気密に封止される。窓材４２は、Ｏリング４３を介して、電子源筐体３１に設けられている。エネルギー線源３２は、電子源筐体３１に着脱可自在でかつ気密に設けられる収容部４４内に収容されている。窓材４２は、収容部４４を電子源筐体３１に取り付けることにより、収容部４４と電子源筐体３１とで挟持されることにより、電子源筐体３１に設けられる。収容部４４の内部空間には、エネルギー線源３２の冷却及びエネルギー線量の低下を抑制するため、たとえば窒素ガスといった不活性ガスを流通させることが好ましい。

本変形例では、窓材４２により、電子源筐体３１における光電子放出体３３が収容されている空間が気密に封止されているため、エネルギー線源３２に関する交換及び保守といった作業を、処理対象物ＰＯが位置する処理空間内の所定の圧力雰囲気に影響を与えることなく、容易に行うことができる。本変形例でも、電極部４１により、光電子を処理部１に向けて効率よく導くことができると共に、エネルギー線源３２及び窓材４２などの帯電を防ぐことができる。

図１４に示された電子源ユニット３でも、エネルギー線源３２が一つの側面部３１ｂ側に配置されているので、エネルギー線源３２から放出されたエネルギー線が、処理部１に直接照射され難い。このため、処理部１におけるエネルギー線が照射された部位にて、物質の解離などが生じるのを抑制することができる。

図１５に示された変形例では、窓材４２は、光電子放出体３３に設けられている。窓材４２は、収容部４４を電子源筐体３１に取り付けることにより、収容部４４と光電子放出体３３とで挟持されることにより、光電子放出体３３に設けられる。収容部４４は、Ｏリング４３を介して、電子源筐体３１に設けられている。光電子放出体３３は、電子源ユニット３の長手方向に直交する断面において、光電子が開口部３１ｄに向けて放出されるように湾曲面を有している。

窓材４２における光電子放出体３３側の面に、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜４５が形成されている。薄膜４５は、たとえば、厚みが数ｎｍ〜数百ｎｍであり、かつ、Ａｕ、Ａｌ、又はＡｌ_２Ｏ_３などからなる。薄膜４５は、窓材４２が光電子放出体３３に設けられている状態で、光電子放出体３３と同等の電位となるように接触している。すなわち、窓材４２は、薄膜４５と光電子放出体３３とが接触するように、エネルギー線源３２と光電子放出体３３との間に配置されている。薄膜４５は、光電子放出体３３との接触により、光電子放出体３３と同じ電位とされる。薄膜４５と光電子放出体３３とは、物理的に接触することなく、導電部材などを介して電気的に接触させて同電位としてもよく、別途設けた給電部材によって光電子放出体３３と同じ電位を薄膜４５に供給してもよい。また、必要に応じて光電子放出体３３と薄膜４５の電位を変えてもよい。この場合、放出される光電子の分布を変えることができる。

本変形例では、薄膜４５からも光電子が放出されるため、処理部１に導かれる光電子の量が増加する。薄膜４５により、光電子を処理部１に向けて効率よく導くことができる。これらの結果、本変形例によれば、帯電処理の効果を高めることができる。

図１６〜図１８を参照して、電子源ユニット３の更なる変形例を説明する。図１６は、電子源ユニットを示す斜視図である。図１７は、図１６に示された電子源ユニットの断面図である。図１８は、光電子放出体を示す斜視図である。

電子源ユニット３は、電子源筐体３１、エネルギー線源３２、光電子放出体３３、及び電極部１１を含んでいる。エネルギー線源３２は、たとえば、エキシマランプ又は重水素ランプなどが用いられる。エネルギー線源３２は、発光部組立体４８とガラス製の密封容器４９とを備えている。密封容器４９は、発光部組立体４８を収容する側管部４９ａと、側管部４９ａから突出すると共に側管部４９ａに連通する突出部４９ｂと、を有している。突出部４９ｂの先端は、エネルギー線（ＶＵＶ光）を出射する光出射窓によって封止されている。

電子源筐体３１は、両端が開口した筒形状を呈している。電子源筐体３１の一方の端部には、真空フランジＶＦが設けられている。電極部１１は、真空フランジＶＦの開口を覆うように真空フランジＶＦに設けられている。電極部１１は、電子源筐体３１とは絶縁され、かつ、所望の電位が供給されるように、たとえば絶縁部材を介して電子源筐体３１に固定されると共に、電極部１１への給電経路が設けられていることが好ましい。所望の電位の値によっては、電極部１１は、電子源筐体３１と同電位になるように、電子源筐体３１と直接固定されていてもよい。

電子源筐体３１の他方の端部には、他方の端部の開口を塞ぐように、電気絶縁性の基板５０が配置されている。電子源筐体３１の他方の端部は、基板５０が配置された状態で、クイックカップリング（Quick-release Coupling）５１により気密に封止されている。クイックカップリング５１は、クランプ５１ａを有している。基板５０には、電流導入端子５２が気密に設けられている。電流導入端子５２は、たとえば、溶接などにより、基板５０に固定される。基板５０は、クイックカップリング５１のブランクフランジとして機能する。

光電子放出体３３は、電子源筐体３１内に配置されている。光電子放出体３３は、図１７にも示されるように、胴部３３ａと底部３３ｂとを有しており、底部３３ｂと対向する一端が開口した有底筒形状を呈している。胴部３３ａは、断面が円形の円筒形状を呈している。胴部３３ａの断面は、円形に限られず、多角形であってもよい。底部３３ｂの内側面は、平面とされている。光電子放出体３３は、固定基板５３及び絶縁性基板５４を介して、基板５０に設けられている。固定基板５３は、導電性を有している。固定基板５３は、ねじ止めなどにより、絶縁性基板５４に着脱自在に設けられる。絶縁性基板５４は、ねじ止めなどにより、基板５０に着脱自在に設けられる。

光電子放出体３３は、底部３３ｂに形成された突部が固定基板５３と螺合することにより、固定基板５３に固定される。すなわち、光電子放出体３３は、固定基板５３に着脱自在に設けられる。これにより、光電子放出体３３の交換を容易に行うことができる。電流導入端子５２の先端には、スリーブ５５が設けられている。光電子放出体３３は、スリーブ５５が螺合などにより固定基板５３に設けられることにより、固定基板５３及びスリーブ５５を介して、電流導入端子５２に電気的に接続される。電流導入端子５２は、電子発生源３０（光電子放出体３３）に電位を供給する給電部として機能する。

光電子放出体３３の胴部３３ａには、図１８にも示されるように、エネルギー線源３２が備える密封容器４９の突出部４９ｂが挿通される開口が形成されている。突出部４９ｂは、電子源筐体３１に一体的に形成された筒状部５６にも挿通されており、Ｏリング５７を介して、筒状部５６に気密に設けられている。エネルギー線源３２は、電子源筐体３１に着脱自在に設けられている。エネルギー線源３２からのエネルギー線が胴部３３ａの開口を介して光電子放出体３３の光電子放出面に照射できれば、光電子放出体３３の胴部３３ａの開口に密封容器４９の突出部４９ｂを挿通しなくてもよい。また、電子源筐体３１は、胴部３３ａの開口を臨む位置に、エネルギー線を透過する窓材を備えていてもよい。この場合、エネルギー線源３２は電子源筐体３１の内部雰囲気外に配置される。

光電子放出体３３は、エネルギー線源３２からのエネルギー線が照射されると、光電子を放出する。このとき、電子源ユニット３内に加速電界（たとえば、２００Ｖ）が形成されていると、図１９に示されるように、放出された光電子が、電子源ユニット３から放出される。図１９は、電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。図１９では、光電子の飛行軌跡が示されている。光電子は、広範囲に拡がりながらも、処理室部２０の中央部に向けて集中するように飛行している。ただし、実際には、光電子は、荷電粒子形成用ガスの分子に衝突することにより、処理対象物ＰＯには殆ど到達しない。

本変形例では、光電子放出体３３からの光電子の放出及び放出された光電子の処理部１側への移動が効率よく行われる。また、図１６に示された電子源ユニット３では、エネルギー線源３２の突出部４９ｂが光電子放出体３３の胴部３３ａに形成された開口に挿通されているため、エネルギー線源３２から放出されたエネルギー線が、処理空間に直接照射され難い。このため、処理空間におけるエネルギー線が照射された部位にて、物質の解離などが生じるのを抑制することができる。

図２０及び図２１を参照して、光電子放出体３３の変形例を説明する。図２０は、光電子放出体の変形例を示す斜視図である。図２１は、電子源ユニットからの光電子の放出を説明するための図である。

図２０の（ａ）に示された光電子放出体３３では、底部３３ｂの内側面は、胴部３３ａの内径より小さい直径を有する平面部分と、胴部３３ａの端から胴部３３ａの平面部分にテーパ状に傾斜している傾斜面部分と、を含んでいる。すなわち、底部３３ｂの内側面により形成される空間は、円錐台形状を呈する。図２０の（ｂ）に示された光電子放出体３３では、底部３３ｂの内側面は、凹状球面を呈している。

図２０の（ａ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合、図２１の（ａ）に示されるように、図１８に示された光電子放出体３３が用いられた場合よりも、光電子は、処理筐体２の中央部に向けてより集中するように飛行する。図２０の（ｂ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合、図２１の（ｂ）に示されるように、図１８に示された光電子放出体３３が用いられた場合よりも、光電子は、処理筐体２の中央部のより広い範囲に向けて飛行する。

図２０の（ｃ）に示された光電子放出体３３は、複数の電極部分（本変形例では、第一〜第三電極部分５８ａ，５８ｂ，５８ｃ）を有している。第一電極部分５８ａは、光電子放出部を備えており、光電子放出体３３の本体部である。第一電極部分５８ａと第二電極部分５８ｂとの間には、電気絶縁体５９ａが配置されており、第一電極部分５８ａと第二電極部分５８ｂとは、電気絶縁体５９ａにより電気的に絶縁されている。第二電極部分５８ｂと第三電極部分５８ｃとの間には、電気絶縁体５９ｂが配置されており、第二電極部分５８ｂと第三電極部分５８ｃとは、電気絶縁体５９ｂにより電気的に絶縁されている。たとえば、第一電極部分５８ａと第三電極部分５８ｃとが負の電位とされ、第二電極部分５８ｂがグラウンド電位（接地電位）とされる。第二電極部分５８ｂは、メッシュ形状を呈していてもよい。第一電極部分５８ａには、エネルギー線源３２が備える密封容器４９の突出部４９ｂが挿通される開口が形成されている。第一電極部分５８ａの底部には、固定基板５３と螺合する突部が形成されている。

図２０の（ｃ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合、図２１の（ｃ）に示されるように、図１８並びに図２０の（ａ）及び（ｂ）に示された光電子放出体３３が用いられた場合によりも、処理筐体２の中央部に向けて全体的に集中するように飛行する。図２０の（ｃ）に示された光電子放出体３３は、図２１の（ｃ）に示されるように、電子源ユニット３が、処理筐体２の本体部分から突出する突出部に設けられる構成において、有用である。この場合、突出部での光電子の吸収などが抑制され、光電子を効率よく、電子源ユニット３に導くことができる。すなわち、光電子放出体３３の本体部である第一電極部分５８ａと電極部１１との間に、光電子を制御するための光電子制御部としての第二電極部分５８ｂ及び第三電極部分５８ｃが配置されているので、処理空間内における光電子の入射範囲を制御することができる。また、第一〜第三電極部分５８ａ，５８ｂ，５８ｃの電位を変更することにより、光電子を集中させることなく、発散するように飛行させることができる。

（第４実施形態）
図２２〜図２４を参照して、第４実施形態に係る帯電処理装置Ｃ２の構成を説明する。図２２は、第４実施形態に係る帯電処理装置を示す斜視図である。図２３は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。図２４は、図２３に示された電子源ユニットの断面図である。

帯電処理装置Ｃ２は、図２２に示されるように、処理部１と電子源ユニット３とを備えている。処理部１は、処理筐体２、処理室部２０、給気部２１、及び排気部２３を有している。帯電処理装置Ｃ２も、帯電処理装置Ｃ１と同じく、帯電していない処理対象物を正又は負の電位に帯電させることも可能であり、また、正又は負の電位に帯電している処理対象物を除電すること又は所望の電位に変えることも可能である。

電子源ユニット３は、処理室部２０（処理部１）内に配置されている。電子源ユニット３は、図２３にも示されるように、電極部１１、電子発生源３０、電流導入端子３４、窓材６０、固定基板６１、絶縁性基板６２、及びフランジ６３を有している。電子発生源３０は、エネルギー線源３２と、光電子放出体３３と、を含んでいる。

光電子放出体３３は、図２４にも示されるように、胴部３３ａと一対の底部３３ｂとを有しており、両端が閉塞された筒形状を呈している。各底部３３ｂの内側面は、平面とされている。胴部３３ａには、開口が形成されている。胴部３３ａに形成された開口から、光電子が電子源ユニット３外に放出される。

一方の底部３３ｂにも、開口が形成されている。底部３３ｂに形成された開口には、窓材６０が設けられており、当該開口は窓材６０により封止されている。窓材６０は、所定波長のエネルギー線を透過する。窓材６０を通して、光電子放出体３３内にエネルギー線が入射する。エネルギー線がたとえば軟Ｘ線である場合には、窓材６０は、Ｂｅ又はＴｉの薄膜といったＸ線透過性材料などからなる。エネルギー線がたとえばＵＶ光又はＶＵＶ光である場合には、窓材６０は、石英ガラス又はＭｇＦ_２などからなる。窓材６０における光電子放出体３３の内側に向かう面には、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜が形成されていてもよい。

光電子放出体３３は、固定基板６１及び絶縁性基板６２を介して、フランジ６３に設けられている。固定基板６１及びフランジ６３は、導電性を有している。光電子放出体３３は、ねじ止めにより、固定基板６１に着脱自在に設けられる。光電子放出体３３は、固定基板６１と電気的に接続されている。固定基板６１は、ねじ止めなどにより、絶縁性基板６２に着脱自在に設けられる。絶縁性基板６２は、ねじ止めなどにより、フランジ６３に着脱自在に設けられる。フランジ６３には、二つの電流導入端子３４ａ，３４ｂが気密に設けられている。電流導入端子３４ａは、固定基板６１と電気的に接続され、固定基板６１を通して光電子放出体３３と電気的に接続されている。電流導入端子３４ｂは、絶縁性基板６２に固定された電極部１１と電気的に接続されている。電流導入端子３４ａを通して光電子放出体３３に、また、電流導入端子３４ｂを通して電極部１１に、後述する加速電界を形成するための電位がそれぞれ供給される。加速電界は、光電子放出体３３にて発生した光電子を電極部１１に向けて加速させる。

エネルギー線源３２は、エネルギー線の出射部位（たとえば、光出射窓など）が窓材６０と対向（接触）するように配置されている。エネルギー線源３２は、固定基板６１、絶縁性基板６２、及びフランジ６３に形成された各貫通孔に挿通された状態で、フランジ６３に設けられている。エネルギー線源３２は、Ｏリング６４を介して、フランジ６３に気密に設けられている。光電子放出体３３に形成された開口に窓材６０を設けることなく、当該開口にエネルギー線源３２のエネルギー線出射部を挿入してもよい。また、光電子放出体３３に形成された開口を通して、エネルギー線のみをエネルギー線源３２から光電子放出体３３に導入してもよい。この場合、Ｏリングなどを用いて、固定基板６１とエネルギー線源３２との間を気密に密閉するのが好ましい。

電極部１１は、図２３にも示されるように、筒形状を呈し、胴部３３ａの外周外側に位置している。すなわち、電極部１１は、胴部３３ａを囲むように、胴部３３ａの外側に配置されている。電極部１１は、ねじ止めなどにより、絶縁性基板６２に着脱自在に設けられる。電極部１１は、処理室部２０と同じ電位とされる。電極部１１は、処理室部２０との直接接触、又は、導電性部材を介した電気的接続により、処理室部２０と同じ電位してもよい。また、電極部１１は、別途設けた給電部材によって処理室部２０と同じ電位を供給することにより、処理室部２０と同じ電位してもよい。なお、所望の電位がフランジ６３の電位と等しい場合（たとえば、除電する場合）には、絶縁性基板６２を設けることなく、電極部１１はフランジ６３に直接固定されてもよい。本実施形態においても、電極部１１は、光電子放出体３３とは電気的に絶縁されている。

電極部１１は、胴部３３ａに形成された開口と対向するように、絶縁性基板６２に設けられている。電極部１１は、電子源ユニット３（電子発生源３０）と処理対象物ＰＯとの間に配置されることとなる。電極部１１のメッシュの大きさは、光電子の通過率が高く、かつ、電極部１１の内側と外側との間で電界の染み出しが極めて少ない大きさに設定される。電極部１１は、胴部３３ａに形成された開口と対向する領域のみが、メッシュ状とされていてもよい。このように、電子源ユニット３内の空間は、胴部３３ａに形成された開口及びメッシュ状の電極部１１を通して、処理部１の処理室部２０内の処理空間と連通している。メッシュとは、網状に限らず、格子状、多孔状、又は多段櫛刃状などの、所定の領域を複数の領域に二次元的に分割する構造であって、メッシュ状の導電性部材が電極部１１として用いられた際には、電子の透過と電界の形成を可能とする構造体である。

電子源ユニット３には、電子発生源３０（光電子放出体３３）にて発生した光電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界が形成される。加速電界は、電極部１１と光電子放出体３３との電位差により形成される。光電子放出体３３から放出された光電子は、胴部３３ａに形成された開口を通して、電子源ユニット３から導出される。

帯電処理装置Ｃ２は、管状部材６５を備えている。管状部材６５の一端部には、フランジ６３が着脱自在でかつ気密に設けられている。すなわち、管状部材６５は、電子源ユニット３（光電子放出体３３）が配置されている一端部を有する。フランジ６３は、ねじ止めなどにより、管状部材６５の一端部に設けられる。フランジ６３と管状部材６５の一端部との間には、Ｏリング６６が設けられており、Ｏリング６６により、気密状態が保たれる。管状部材６５の一端部は、フランジ６３により閉塞される。

管状部材６５の他端部には、真空フランジ６７が設けられている。管状部材６５の他端部は、開放されている。管状部材６５は、真空フランジ６７が処理筐体２に装着されることにより、処理筐体２に設けられる。管状部材６５は、着脱自在に処理筐体２に設けられている。管状部材６５及び真空フランジ６７は、導電性を有している。フランジ６３、管状部材６５、及び真空フランジ６７は、たとえばステンレス鋼などからなる。真空フランジ６７は、管状部材６５と一体形成されていてもよく、管状部材６５と別体に形成されていてもよい。

処理筐体２における管状部材６５が設けられる位置には、開口部が形成されている。同じく、処理室部２０にも、管状部材６５の一端部側で保持された電極部１１が挿通される開口部が形成されている。すなわち、管状部材６５は、一端部（電子源ユニット３）が処理筐体２内に位置すると共に、電極部１１が処理室部２０内に位置するように、開口部２ｂに挿通された状態で、処理筐体２に設けられる。したがって、管状部材６５は、管状部材６５の内側空間が処理部１（処理室部２０）の外側空間と繋がるように、管状部材６５の他端部が処理筐体２に設けられる。管状部材６５が処理筐体２に設けられた状態であっても、管状部材６５の内側空間は、処理部１の外気と同じ雰囲気となる。管状部材６５の長さ、及び、処理筐体２及び処理室部２０における開口部が形成される位置は、処理対象物ＰＯの位置などに応じて、適宜設定される。

電流導入端子３４に接続される電源線、及び、エネルギー線源３２に接続される電源線は、管状部材６５の内側空間を通り、処理筐体２外に導出される。エネルギー線源３２を冷却する必要がある場合、管状部材６５の内側空間は、エネルギー線源３２を冷却する流体の導入及び排出経路に利用できる。

本実施形態においても、電子源ユニット３が用いられた帯電処理装置Ｃ２では、上述した帯電処理装置Ｃ１と同様に、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させ得る効果が極めて高い。

光電子放出体３３は、光電子を電子源ユニット３外に放出する開口が形成された胴部３３ａを有し、電極部１１は、筒形状を呈し、胴部３３ａを囲むように胴部３３ａの外側に配置されている。これにより、メッシュ状の電極部１１を電子源ユニット３と処理対象物ＰＯとの間に確実に配置することができる。

本実施形態では、帯電処理装置Ｃ２は、電子源ユニット３が配置されている一端部を有する管状部材６５を備え、管状部材６５は、管状部材６５の内側空間が処理部１（処理室部２０）の外側空間と繋がるように、その他端部が処理部１に設けられている。このため、管状部材６５の内側空間を、電子源ユニット３に接続される電源線の配線スペース及び電子源ユニット３を冷却する流体の導入及び排出経路に利用することができる。

次に、図２５を参照して、第４実施形態の変形例を説明する。図２５は、第４実施形態の変形例に係る除電処理装置を示す斜視図である。

本変形例においては、帯電処理装置が、特に、正又は負の電位に帯電した処理対象物ＰＯの帯電を中和する、いわゆる除電処理装置である変形例を説明する。処理部１は前述の実施形態と同様に処理室部２０を備えていてもよい。しかしながら、説明を容易にするため、処理部１の処理空間は導電性材料からなる処理筐体２のみで構成し、処理筐体２（少なくともその内表面）と電極部１１は、所望の帯電中和レベル（たとえばグラウンド電位）に設定できるように構成されている。このため、正負いずれに帯電した処理対象物ＰＯであっても、所望の帯電中和レベル（たとえばグラウンド電位）にすることができる。これは、所望の帯電中和レベルへの帯電処理であり、その動作機構は前述の帯電処理装置の動作機構と同様である。

図２５に示された除電処理装置ＮＡ２では、管状部材６５が屈曲可能なフレキシブル管である。管状部材６５がフレキシブル管である場合、処理筐体２内における電子源ユニット３の位置を自由に設定することができる。たとえば、装置としての構成上、処理筐体２内に除電処理に際しての障害物６９が存在する場合、障害物６９を回避して、電子源ユニット３を処理対象物ＰＯの近傍に位置させることができる。

（第５実施形態）
図２６及び図２７を参照して、第５実施形態に係る除電処理装置ＮＡ３の構成を説明する。図２６は、第５実施形態に係る除電処理装置を示す斜視図である。図２７は、電子源ユニットの一例を示す斜視図である。第５実施形態に係る除電処理装置ＮＡ３は、管状部材６５を備えていない点で、図２５に示された除電処理装置ＮＡ２と相違する。

除電処理装置ＮＡ３は、図２６に示されるように、処理部１と電子源ユニット３とを備えている。処理部１は、処理筐体２、給気部２１、及び排気部２３を有している。

電子源ユニット３は、処理筐体２（処理部１）内に配置されている。電子源ユニット３は、電子発生源５（カソード６）、電極部１１、複数の電流導入端子７１，７３，７７、基板７４、カバー７５、及び絶縁性基板７６を有している。

カソード６の一端部は、電流導入端子７１に電気的に接続されている。カソード６の他端部は、導電性を有する支持ピン７２に接続されている。これにより、カソード６が直線状に架設される。支持ピン７２は、電流導入端子７３に電気的に接続されており、カソード６の他端部は、支持ピン７２を通して、電流導入端子７３に電気的に接続される。一対の電流導入端子７１，７３は、導電性を有する基板７４に気密に設けられている。

電子源ユニット３内には、カソード６に供給される電位によって、カソード６にて発生した熱電子を電極部１１に向けて加速させる加速電界が形成される。加速電界は、電極部１１とカソード６との電位差により形成される。一対の電流導入端子７１，７３は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。

カバー７５は、導電性を有する。カバー７５は、有底筒形状を呈しており、カソード６及び支持ピン７２を囲むように、カソード６と電極部１１との間に配置されている。カバー７５の断面は、円形に限られず、多角形であってもよい。カバー７５には、開口７５ａが形成されている。カバー７５に形成された開口７５ａから、熱電子が電子源ユニット３外に放出される。カバー７５は、開口端側において、絶縁性基板７６に設けられている。絶縁性基板７６は、基板７４に設けられている。カバー７５は、基板７４と電気的に絶縁されている。

電極部１１は、カバー７５を囲んでその全体を収容するようにカバー７５の外側に配置される。したがって、電極部１１は、カソード６を囲むようにカソード６の外側に配置されることとなる。電極部１１は、カソード６とは電気的に絶縁されている。電極部１１は、カバー７５に形成された開口７５ａと対向する領域のみが、メッシュ状とされていてもよい。電極部１１は、図示しない給電手段（たとえば真空対応のケーブル）を通して、処理筐体２と電気的に接続されている。たとえば、電極部１１が固定されていると共に電気的に接続された基板７４と真空フランジ８０とが、真空対応のケーブルの外側の被覆網線を通して電気的に接続され、更に真空フランジ８０が処理筐体２に固定されつつ電気的に接続されることで、電極部１１と処理筐体２とが電気的に接続される。

カバー７５は、電流導入端子７７と電気的に接続されている。電流導入端子７７は、基板７４に気密に設けられている。カバー７５には、電流導入端子７７を通して、カソード６の電位より小さい電位、又は、カソード６の電位と同等の電位が供給される。絶縁性基板７６には、各電流導入端子７１，７３，７７が挿通される貫通孔が形成されている。

各電流導入端子７１，７３，７７は、それぞれ真空対応のケーブル７８を通して、対応する電流導入端子７９に電気的に接続されている。各電流導入端子７９は、真空フランジ８０に気密に設けられている。真空フランジ８０は、着脱自在に処理筐体２に設けられる。処理筐体２における真空フランジ８０が設けられる位置には、開口部が形成されている。真空フランジ８０は、電子源ユニット３及び各ケーブル７８が処理筐体２内に位置するように開口部から挿通された状態で、処理筐体２に設けられる。すなわち、電子源ユニット３は、各ケーブル７８により、真空フランジ８０から吊り下げられた状態で、処理筐体２内に位置する。

本実施形態においても、電子源ユニット３が用いられた除電処理装置ＮＡ３では、上述した帯電処理装置Ｃ１，Ｃ２及び除電処理装置ＮＡ１，ＮＡ２と同様に、処理対象物ＰＯを所望の電位に帯電させ得る（処理対象物ＰＯを除電させ得る）効果が極めて高い。

本実施形態では、電子源ユニット３は、各ケーブル７８により吊り下げられているので、処理筐体２内における電子源ユニット３の位置を自由に設定することができる。この結果、処理対象物ＰＯを確実に除電することができる。

本実施形態では、開口７５ａが形成されたカバー７５が、カソード６を囲むようにカソード６と電極部１１との間に配置されている。熱電子は、カソード６から放射状に放出される。カバー７５が、カソード６の電位以下の電位、つまりカソード６の電位と同等の電位、又は、カソード６の電位より小さい電位とされていると、カソード６から放出された熱電子がカバー７５に形成された開口７５ａに効率よく向かうような電界が形成される。このため、開口７５ａから熱電子を効率よく放出させることができる。

電極部１１は、筒形状を呈し、カソード６（カバー７５）を囲むようにカソード６（カバー７５）の外側に配置されている。これにより、メッシュ状の電極部１１を電子源ユニット３と処理対象物ＰＯとの間に確実に配置することができる。

次に、図２８を参照して、除電処理装置ＮＡ３に用いられる電子源ユニット３の変形例を説明する。図２８は、除電処理装置に用いられる電子源ユニットの変形例を示す斜視図である。

図２８に示された電子源ユニット３は、カソード６、電極部１１、一対の電流導入端子８１，８２、及び一対の基板８３を有している。カソード６の両端部は、一対の電流導入端子８１，８２に電気的に接続されている。カソード６は、一対の電流導入端子８１，８２の間を直線状に延びている。筒形状を呈する電極部１１は、カソード６を囲むようにカソード６の外側に配置されている。一対の電流導入端子８１，８２は、電子発生源５（カソード６）に電位を供給する給電部として機能する。

カソード６が延びている方向での電極部１１の両端部は、一対の基板８３に電気的に接続されている。各基板８３は、対応する電流導入端子８１，８２に電気的に絶縁された状態で設けられている。一対の基板８３は、図示しない給電手段（たとえば真空対応のケーブル）を通して、処理筐体２と電気的に接続されている。たとえば、真空対応のケーブルの外側の被覆網線を通して、基板８３と真空フランジ８０とが電気的に接続され、更に真空フランジ８０が処理筐体２に固定される。これにより、電極部１１と処理筐体２とは、一対の基板８３及び図示しない給電手段（たとえば真空対応のケーブル）を通して、互いに電気的に接続される。

各電流導入端子８１，８２は、それぞれ真空対応のケーブル８５を通して、対応する電流導入端子８６に電気的に接続されている。各電流導入端子８６は、真空フランジ８０に気密に設けられている。図示は省略するが、真空フランジ８０は、上述した第５実施形態での真空フランジ８０と同様に、着脱自在に処理筐体２に設けられる。処理筐体２における真空フランジ８０が設けられる位置には、開口部が形成されている。真空フランジ８０は、電子源ユニット３及び各ケーブル８５が処理筐体２内に位置するように開口部から挿通された状態で、処理筐体２に設けられる。すなわち、電子源ユニット３は、各ケーブル８５により、真空フランジ８０から吊り下げられた状態で、処理筐体２内に位置する。

本変形例でも、電子源ユニット３は、各ケーブル８５により吊り下げられているので、処理筐体２内における電子源ユニット３の位置を自由に設定することができる。この結果、処理対象物ＰＯを確実に除電することができる。

熱電子は、カソード６から放射状に放出される。このため、正及び負の荷電粒子を広範囲に生じさせることができ、除電処理を広範囲で行うことができる。

続いて、図２９〜図３１を参照して、本実施形態に係る帯電処理装置の適用例を説明する。図２９〜図３１は、帯電処理装置の適用例を説明するための図である。

図２９では、本実施形態に係る帯電処理装置が、フィルムＦの表面に機能性膜（たとえば、反射防止膜又はガスバリア膜など）を成膜する装置９０に適用されている。装置９０は、処理筐体２内に位置している。電子源ユニット３は、成膜部９１の前段に配置されており、成膜前のフィルムＦを除電する。

図３０では、本実施形態に係る帯電処理装置が、スパッタリング装置９２に適用されている。スパッタリング装置９２は、ターゲットＴを保持するターゲットホルダー９３、磁場発生用のマグネット９４、及び成膜対象物（たとえば、Ｓｉウェハなど）を保持する電極９５を備えている。本実施形態に係る帯電処理装置は、スパッタリングを行う前に、成膜対象物を除電する。電子源ユニット３は、処理筐体２内に位置していてもよい。

図３１では、本実施形態に係る帯電処理装置が、ハードディスクメディア用の基板９６の除電処理装置９７に適用されている。基板９６は、たとえばＡｌ又はガラスなどからなる。除電処理装置９７では、基板９６は、メディアホルダ９８に保持されている。除電処理装置９７で除電された基板９６は、成膜装置により、磁性体などからなる薄膜が形成される。本適用例でも、電子源ユニット３は、処理筐体２内に位置していてもよい。

以上、本発明の実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。

たとえば、電子源ユニット３は、複数の電子発生源５を有していてもよい。電子発生源５は、複数のカソード６を含んでいてもよい。電子発生源３０は、複数のエネルギー線源３２を含んでいてもよい。帯電処理装置Ｃ１，Ｃ２及び除電処理装置ＮＡ１〜ＮＡ３は、複数の電子源ユニット３を備えていてもよい。

図３２に示されるように、電子源ユニット３と処理部１とは、これらが一体化された帯電処理ユニットＣＵを構成していてもよい。すなわち、帯電処理ユニットＣＵは、電子源ユニット３と処理部１とを備えている。本例では、処理部１は、電子源筐体７の外側空間を処理空間とするための部材である。図３２は、帯電処理ユニットを示す斜視図である。処理部１の一端側には電子源ユニット３が固定されるとともに、処理部１の他端側には開口部１ａが形成されている。開口部１ａは、処理対象物（図示せず）を処理部１内に導入するための導入部となる。帯電処理は、たとえば、処理対象物が処理部１によって覆われるように、処理対象物に処理部１が被せられた状態で行われる。処理部１は、電極部１１と同じ所望の電位とされる。

帯電処理ユニットＣＵでは、処理部１内への処理対象物の導入及び導出を容易に行うことができる。処理部１が、電極部１１と同じく所望の電位とされるため、処理空間を処理部１内に適切に形成することができる。

処理対象物の周囲が処理部１と同電位であり、処理対象物に処理部１を被せることで、開口部１ａが処理部１と同電位の部材で覆われることが好ましい。たとえば、処理対象物が処理部１と同電位である処理台上に配置され、その処理台に対して処理部１を被せてもよい。処理部１と処理台とは、処理部１内において電界が安定に形成できるように十分に近接していればよく、また、接触していてもよい。導入部となる開口部１ａは、電子発生源５と対向する面に限られず、たとえば側面などの電子源筐体７との接合部以外の部位に設けられていてもよい。電子発生源５と対向する面（図３２における開口部１ａに相当する面）は、処理部１と同電位の部材によって覆われているのが好ましい。

処理部１の内部空間が、荷電粒子形成用ガスを含む所定の圧力雰囲気下であるためには、帯電処理ユニットＣＵが配置される帯電処理部の内部空間自体が所定の圧力雰囲気下とされていてもよく、また、図示しない荷電粒子形成用ガス供給部（及び排気部）によって処理部１内を所定の圧力雰囲気下とされていてもよい。前者の場合、処理部１は、帯電処理部の内部空間と連通しやすいようにメッシュ部が設けられていることが好ましい。後者の場合、図３２にも示されるように、処理部１は、処理部１の内側に帯電処理部の内部空間とは区画された空間が形成されるように、内側空間を囲む壁状部材からなることが好ましい。

電極部１１と処理部１とは同電位とされており、直接接触していてもよく、また、導電性部材を介することで電気的に接続されていてもよい。また、電極部１１と処理部１とは、互いに個別の給電経路を通して同電位が供給されていてもよい。電極部１１は、処理部１と一体に形成されることにより、電子源筐体７と接続されていてもよい。なお、電極部１１及び処理部１は、電子源筐体７とは絶縁され、かつ、所望の電位が供給されるように、たとえば絶縁部材を介して電子源筐体７に固定されると共に、電極部１１及び処理部１への給電経路が設けられていることが好ましい。所望の電位の値によっては、電極部１１及び処理部１は、電子源筐体７と同電位になるように、電子源筐体７と直接固定されていてもよい。

図３３に示されるように、処理部１は、開口部１ａと、処理対象物（図示せず）を処理部１から導出する開口部（導出部）１ｂと、を有していてもよい。一対の開口部１ａ，１ｂは、互いに対向するように位置している。処理部１における、電子発生源５と対向する部位は、閉塞されている。一対の開口部１ａ，１ｂの間において、連続した処理対象物、又は、連続した台座（図示せず）に搭載された処理対象物を移動させてもよい。これにより、処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。

開口部１ａ，１ｂの大きさ（開口面積）は、処理対象物の大きさに極力近い大きさに設定することが好ましい。処理対象物が台座に搭載される場合には、開口部１ａ，１ｂの大きさは、上記台座を含んだ大きさに極力近い大きさに設定することが好ましい。これにより、開口部１ａ，１ｂから処理部１内に、処理部１の周辺に存在する別の電界が浸入し、処理部１内の処理領域の電界に影響を与えることを抑制することができる。

開口部１ａ，１ｂの数は、一対に限られない。処理部１は、複数対の開口部１ａ，１ｂを有していてもよい。複数対の開口部１ａ，１ｂは、処理対象物の導入方向（導出方向）から見て、左右に並ぶように位置させることができる。この場合、複数の処理対象物を並列して帯電処理することができる。

図３４に示されるように、処理部１は、互いに離間して配置された二つの部材１０１，１０３を有していてもよい。二つの部材１０１，１０３は、たとえば、一面が開口した箱状の部材であり、同電位とされる。部材１０３における、電子発生源５と対向する部位は、閉塞されている。二つの部材１０１，１０３の間において、連続した処理対象物（図示せず）、又は、連続した台座（図示せず）に搭載された処理対象物を移動させる。すなわち、二つの部材１０１，１０３の間に処理対象物を位置させることにより、二つの部材１０１，１０３で処理対象物を包囲する。これにより、より大きなサイズを有する処理対象物の帯電処理を連続して行うことができる。

二つの部材１０１，１０３の間隔は、処理対象物の大きさ（厚み）に極力近い大きさに設定することが好ましい。処理対象物が台座に搭載される場合には、二つの部材１０１，１０３の間隔は、上記台座を含んだ大きさ（厚み）に極力近い大きさに設定することが好ましい。これにより、二つの部材１０１，１０３の間から処理室部７０内に、処理部１の周辺に存在する別の電界が浸入し、処理部１内の処理領域の電界に影響を与えることを抑制することができる。また、処理対象物の幅に対し、二つの部材１０１，１０３の幅を大きく設定することも好ましい。二つの部材１０１，１０３の間において、複数の処理対象物を横方向に並べて、同時に帯電処理してもよい。

１…処理部、２…処理筐体、３…電子源ユニット、５…電子発生源、６…カソード、７…電子源筐体、７ａ…胴部、７ｂ…開口部、１１…電極部、１３…電流導入端子、３０…電子発生源、３１…電子源筐体、３２…エネルギー線源、３３…光電子放出体、３３ａ…胴部、３３ｂ…底部、３４…電流導入端子、４１…電極部、４２…窓材、４５…薄膜、５２…電流導入端子、７１，７３…電流導入端子、７５…カバー、８１，８２…電流導入端子、Ｃ１，Ｃ２…帯電処理装置、ＮＡ１〜ＮＡ３…除電処理装置、ＣＵ…帯電処理ユニット、ＰＯ…処理対象物。

Claims (20)

1. 処理対象物を所望の電位に帯電させる帯電処理装置に用いられ、前記処理対象物が位置する処理空間に存在する荷電粒子形成用ガスの分子を励起させる電子を発生させる電子源ユニットであって、
   電子を発生させる電子発生源と、
   前記電子発生源に電位を供給する給電部と、
   前記電子発生源を収容する筐体と、
   前記筐体の外側空間と前記筐体内の前記電子発生源が位置する空間とを仕切るように位置し、かつ、前記電子発生源にて発生する電子が前記筐体の外側空間に向けて通過し、前記所望の電位とされるメッシュ状の電極部と、を備えている、電子源ユニット。
2. 前記筐体は、前記筐体の外側空間と連通する開口部を含んでおり、
   前記電極部は、前記開口部を覆うように前記筐体に配置されている、請求項１に記載の電子源ユニット。
3. 前記筐体は、平面視で長手方向と短手方向とを有しており、
   前記電子発生源は、前記筐体の長手方向に沿って延びている、請求項１又は２に記載の電子源ユニット。
4. 前記電子発生源は、熱電子を放出するカソードを含んでいる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子源ユニット。
5. 前記カソードは、イリジウムを含む材料からなる基材部と、前記基材部の表面を覆う、イットリウム酸化物を含む材料からなる被覆部と、を含んでいる、請求項４に記載の電子源ユニット。
6. 前記電極部は、筒形状を呈し、前記カソードを囲むように前記カソードの外側に配置されている、請求項４に記載の電子源ユニット。
7. 前記カソードを囲むように前記カソードと前記電極部との間に配置され、かつ、導電性を有するカバーを更に備え、
   前記カバーには、熱電子を前記カバー外に放出する開口が形成されており、
   前記カバーは、前記カソードの電位以下の電位とされる、請求項６に記載の電子源ユニット。
8. 前記電子発生源は、所定波長のエネルギー線を出射するエネルギー線源と、前記所定波長のエネルギー線の入射により光電子を外部に放出する光電子放出体と、を含んでいる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の電子源ユニット。
9. 前記エネルギー線源は、前記電子発生源から前記処理空間への光電子入射軸と前記エネルギー線源のエネルギー線出射軸とが同軸とならないように、配置されている、請求項８に記載の電子源ユニット。
10. 前記エネルギー線源は、前記光電子入射軸と前記エネルギー線出射軸とが交わるように配置され、
    前記光電子放出体は、前記エネルギー線出射軸に対して傾斜する傾斜面を含んでいる請求項９に記載の電子源ユニット。
11. 前記所定波長のエネルギー線は真空紫外光を含んでいる、請求項８に記載の電子源ユニット。
12. 前記エネルギー線源と前記光電子放出体との間に配置され、前記光電子放出体の電位と同等の電位とされるメッシュ状の電極部を更に備えている、請求項８に記載の電子源ユニット。
13. 前記エネルギー線源と前記光電子放出体との間に配置され、かつ、前記所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、
    前記窓材により、前記筐体における前記光電子放出体が収容されている空間が気密に封止される、請求項８又は１２に記載の電子源ユニット。
14. 前記所定波長のエネルギー線を透過する窓材を更に備え、
    前記窓材の一方の面には、透過型光電面を構成し、かつ、導電性を有する薄膜が形成されており、
    前記窓材は、前記薄膜と前記光電子放出体とが同等の電位となるように、前記エネルギー線源と前記光電子放出体との間に配置されている、請求項８に記載の電子源ユニット。
15. 前記光電子放出体は、胴部と底部とを有し、前記所定波長のエネルギー線を導入するための開口が形成された有底筒形状を呈している、請求項８に記載の電子源ユニット。
16. 前記光電子放出体と前記電極部との間に配置されている、前記光電子を制御するための光電子制御部を更に備えている、請求項８に記載の電子源ユニット。
17. 前記光電子放出体は、光電子を放出する開口が形成された胴部を有し、
    前記電極部は、筒形状を呈し、前記胴部を囲むように前記胴部の外側に配置されている、請求項８に記載の電子源ユニット。
18. 請求項１又は２に記載の電子源ユニットと、
    前記筐体の前記外側空間を処理空間とするための処理部と、を備え、
    前記処理部は、前記処理対象物を前記処理空間に導入する導入部を有し、前記所望の電位とされる、帯電処理ユニット。
19. 前記処理部は、前記導入部と対向するように位置し、前記処理対象物を前記処理部から導出する導出部を更に有している、請求項１８に記載の帯電処理ユニット。
20. 前記処理部は、互いに離間して配置された二つの部材を有し、
    前記二つの部材の間から前記処理空間に前記処理対象物を導入する、請求項１８に記載の帯電処理ユニット。

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