TW201621962A - 電子源單元及帶電處理單元 - Google Patents

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TW201621962A
TW201621962A TW104130153A TW104130153A TW201621962A TW 201621962 A TW201621962 A TW 201621962A TW 104130153 A TW104130153 A TW 104130153A TW 104130153 A TW104130153 A TW 104130153A TW 201621962 A TW201621962 A TW 201621962A
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TW104130153A
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Shigeki Matsuura
Yoshitoshi Ishihara
Akira Atsumi
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Hamamatsu Photonics Kk
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Abstract

電子源單元(3)，係被使用在用以使處理對象物(PO)帶電為所期望之電位的帶電處理裝置中，並激勵存在於處理對象物(PO)所位置之處理空間中的荷電粒子形成用氣體之分子而使電子產生。電子源單元(3)，係具備有：使電子產生之電子產生源(5)；和對於電子產生源(5)供給電位之電流導入端子(13)；和收容電子產生源(5)之電子源框體(7)；和以將電子源框體(7)之外側空間和電子源框體(7)內之電子產生源(5)所位置的空間作區隔的方式而配置，並使藉由電子產生源(5)所產生的電子朝向電子源框體(7)之外側空間而通過的網格狀之電極部(11)。電極部(11)，係被設為上述所期望之電位。

Description

電子源單元及帶電處理單元
本發明，係有關於被使用在使處理對象物帶電為所期望之電位之帶電處理裝置中的電子源單元、以及具備有該電子源單元之帶電處理單元。
具備有射出特定波長之能量線的能量線源和藉由特定波長之能量線的射入而將光電子放出至外部的光電子放出體之電子源單元，係為周知(例如，參考專利文獻1)。在專利文獻1中所記載之電子源單元，係被使用在帶電處理裝置中，並藉由從光電子放出體所放出的光電子，而使處理對象物帶電為所期望之電位。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開平4-218941號公報
本發明者們，在進行了調查研究後的結果， 係新發現到了下述一般之事實。在藉由從光電子放出體所放出的光電子來使處理對象物帶電為所期望之電位的帶電處理裝置中，當處理對象物係為電絕緣物的情況時，能夠使其帶電為所期望的電位之效果係為匱乏。當處理對象物係為正帶電有負的電位之電絕緣物的情況時，在上述帶電處理裝置中，將帶電電荷中和、亦即是將其除電的效果，係為極低。
本發明之其中一個形態，係以提供一種能夠實現使處理對象物帶電為所期望之電位的效果為極高之帶電處理裝置的電子源單元一事作為目的。本發明之另外一個形態，係以提供一種能夠實現使處理對象物帶電為所期望之電位的效果為極高之帶電處理裝置的帶電處理單元一事作為目的。
本發明之其中一種型態，係為被使用在用以使處理對象物帶電為所期望之電位的帶電處理裝置中，並激勵存在於處理對象物所位置之處理空間中的荷電粒子形成用氣體之分子的電子源單元，該電子源單元，係具備有：使電子產生之電子產生源；和對於電子產生源供給電位之供電部；和收容電子產生源之框體；和以將框體之外側空間和框體內之電子產生源所位置的空間作區隔的方式而配置，並使藉由電子產生源所產生的電子朝向框體之外側空間而通過，並且被設為所期望之電位的網格狀之電極 部。
在使用有上述其中一個形態之電子源單元的帶電處理裝置中，若是經由供電部而將較電極部之電位更小之電位供給至電子產生源處，則在電子產生源和電極部之間，係被形成有使藉由電子產生源所產生的電子朝向電極部而加速之加速電場。藉由此加速電場，藉由電子產生源所產生的電子，係通過網格狀之電極部，並有效率地被導出至框體之外側空間處。另外，在帶電處理裝置中，框體之外側空間，係為處理對象物所位置之處理空間，並存在有荷電粒子形成用氣體。因此，被導出至框體之外側空間、亦即是被導出至處理空間中的電子，係激勵存在於處理空間中之荷電粒子形成用氣體之分子。藉由此，從荷電粒子形成用氣體之分子係產生正以及負的荷電粒子。
所產生了的正以及負的荷電粒子中之其中一方的荷電粒子，係因應於藉由電極部以及被與電極部作電性連接的部位之電位(所期望之電位)和處理對象物之電位所形成的電場，而朝向處理對象物側移動。所產生了的正以及負的荷電粒子中之另外一方的荷電粒子，係朝向電極部以及上述部位側移動。藉由移動至處理對象物處之荷電粒子，處理對象物係帶電為所期望之電位。若是處理對象物帶電為所期望之電位，則在電極部以及上述部位和處理對象物之間係並不會形成電場，荷電粒子係並不會移動。故而，處理對象物係確實地帶電為所期望之電位。
基於此些之結果，在使用有電子源單元之帶 電處理裝置中，使處理對象物帶電為所期望之電位的效果係為極高。所謂使其帶電為所期望之電位，係並不僅是包含有使其帶電為正或負的電位，而亦包含有使正或負之電位的帶電中和之所謂除電。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：框體，係包含有與框體之外側空間相通連的開口部，電極部，係以覆蓋開口部的方式而被配置在框體處。於此情況，係能夠以將框體之外側空間和框體內之電子產生源所位置之空間作區隔的方式，來確實且容易地配置電極部。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：框體，係當平面性觀察時具備有長邊方向和短邊方向，電子產生源，係沿著框體之長邊方向而延伸。於此情況，藉由從電子源單元而被導出至框體之外側空間處的電子，沿著電子產生源所延伸之方向而存在的荷電粒子形成用氣體之分子係被激勵。藉由此，就算是處理對象物係身為長條狀之物體，亦能夠使該處理對象物確實地帶電為所期望之電位。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：電子產生源，係包含放出熱電子之陰極。於此情況，係能夠容易地實現輸出為高之電子產生源。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：陰極，係包含有：由包含銥之材料所成之基材部、和覆蓋基材部之表面的由包含釔氧化物之材料所成之被覆部。於此情況，係能夠容易地實現輸出為高並且安定性為高之電子 產生源。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：電極部，係呈現筒形狀，並以包圍陰極的方式而被配置在陰極之外側。於此情況，係能夠以將框體之外側空間和框體內之電子產生源所位置之空間作區隔的方式，來確實地配置電極部。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：電子源部，係以包圍陰極的方式而被配置在陰極和電極部之間，並且係更進而具備有具有導電性之蓋體，在蓋體處，係被形成有將熱電子放出至蓋體外之開口，蓋體，係被設為陰極之電位以下的電位。於此情況，藉由蓋體，由於係被形成有會使熱電子以良好效率來朝向被形成於蓋體處之開口前進一般之電場，因此係能夠從開口來將熱電子以良好效率而放出。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：電子產生源，係具備有射出特定波長之能量線的能量線源、和藉由特定波長之能量線的射入而將光電子放出至外部的光電子放出體。於此情況，係能夠實現相對於框體部內之氛圍而安定度為高之電子產生源。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：能量線源，係以不會使從電子產生源起而朝向處理部之光電子射入軸和能量線源之能量線射出軸成為同軸的方式，來作配置。於此情況，係能夠對於能量線直接對於處理對象物造成影響的情形作抑制。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：能量線源，係以會使光電子射入軸和能量線射出軸相互交叉的方式來作配置，光電子放出體，係包含有相對於能量線射出軸而傾斜的傾斜面。於此情況，係能夠對於能量線之對於處理對象物的直接性之影響更進一步作抑制。又，係能夠以良好效率來將所產生了的光電子導引至處理室中。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：特定波長之能量線，係包含真空紫外光。於此情況，係能夠更有效率地產生光電子。
上述其中一個形態，係亦可構成為，係更進而具備有：被配置在能量線源和光電子放出體之間，並被設為與光電子放出體之電位同等之電位的網格狀之電極部。於此情況，由於係對於從光電子放出體所放出的光電子之朝向能量線源側的情形作抑制，因此係能夠將光電子以良好效率來朝向框體之外側空間作導出。
上述其中一個形態，係亦可構成為，係更進而具備有：被配置在能量線源和光電子放出體之間，並使特定波長之能量線透過的窗材，藉由窗材，在框體中之收容有光電子放出體之空間係被作氣密密封。於此情況，係能夠並不對於處理對象物所位置之處理空間內的特定之壓力氛圍造成影響地，來容易地進行關連於能量線源之作業。
上述其中一個形態，係亦可構成為，係更進而具備有使特定波長之能量線透過之窗材，在窗材之其中 一面上，係被形成有構成透過型光電面並且具有導電性之薄膜，窗材，係以會使薄膜和光電子放出體成為同等之電位的方式，而被配置在能量線源和光電子放出體之間。於此情況，由於從薄膜係亦會放出光電子，因此被導出至框體之外側空間處的光電子之量係增加。又，由於係對於從光電子放出體所放出的光電子之朝向能量線源側的情形作抑制，因此係能夠將光電子以良好效率來朝向框體之外側空間作導出。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為，光電子放出體，係具備有胴體部和底部，並呈現被形成有用以導入特定波長之能量線的開口之有底筒形狀。於此情況，從光電子放出體而來的光電子之放出、和被放出了的光電子之朝向框體之外側空間側的移動，係被有效率地進行。
上述其中一個形態，係亦可構成為，係更進而具備有：被配置在光電子放出體和電極部之間的用以控制光電子之光電子控制部。於此情況，例如係能夠對於在處理部內之光電子的射入範圍作控制。
在上述其中一個形態中，係亦可構成為：光電子放出體，係具備被形成有放出光電子之開口的胴體部，電極部，係呈現筒形狀，並以包圍胴體部的方式而被配置在胴體部之外側。於此情況，係能夠以將框體之外側空間和框體內之電子產生源所位置之空間作區隔的方式，來確實地配置電極部。
本發明之另外一個形態，係為一種帶電處理單元，其係具備有上述之電子源單元、和用以將框體之外側空間作為處理空間之處理部，處理部，係具備有將處理對象物導入至處理空間中之導入部，並被設為所期望之電位。
在上述另外一個形態中，係能夠容易地進行對於處理部內之處理對象物的導入以及導出。處理部，由於係與電極部相同的而被設為所期望之電位，因此係能夠在處理部內適當地形成處理空間。
在上述另外一個形態中，係亦可構成為：處理部，係更進而具備有以與導入部相對向的方式而被作配置並將處理對象物從處理部導出之導出部。於此情況，係能夠連續地進行處理對象物之帶電處理。
在上述另外一個形態中，係亦可構成為：處理部，係具備有以相互分離的方式所配置之2個的構件，並從2個的構件之間而將處理對象物導入至處理空間中。於此情況，係能夠連續地進行具備有更大的尺寸之處理對象物之帶電處理。
若依據本發明之上述其中一個形態，則係可提供一種能夠實現使處理對象物帶電為所期望之電位的效果為極高之帶電處理裝置的電子源單元。若依據本發明之上述另外一個形態，則係可提供一種能夠實現使處理對象 物帶電為所期望之電位的效果為極高之帶電處理裝置的帶電處理單元。
1‧‧‧處理部
2‧‧‧處理框體
3‧‧‧電子源單元
5‧‧‧電子產生源
6‧‧‧陰極
7‧‧‧電子源框體
7a‧‧‧胴體部
7b‧‧‧開口部
11‧‧‧電極部
13‧‧‧電流導入端子
30‧‧‧電子產生源
31‧‧‧電子源框體
32‧‧‧能量線源
33‧‧‧光電子放出體
33a‧‧‧胴體部
33b‧‧‧底部
34‧‧‧電流導入端子
41‧‧‧電極部
42‧‧‧窗材
45‧‧‧薄膜
52‧‧‧電流導入端子
71、73‧‧‧電流導入端子
75‧‧‧蓋體
81、82‧‧‧電流導入端子
C1、C2‧‧‧帶電處理裝置
NA1~NA3‧‧‧除電處理裝置
CU‧‧‧帶電處理單元
PO‧‧‧處理對象物
[圖1]圖1，係為對於第1實施形態之帶電處理裝置作展示的立體圖。
[圖2]圖2，係為對於電子源單元之其中一例作展示的立體圖。
[圖3]圖3，係為對於處理室部之其中一例作展示的立體圖。
[圖4]圖4，係為用以對於在第1實施形態之帶電處理裝置中的帶電處理作說明之圖。
[圖5]圖5，係為用以對於在第1實施形態之帶電處理裝置中的帶電處理作說明之圖。
[圖6]圖6，係為用以對於在第1實施形態之帶電處理裝置中的帶電處理作說明之圖。
[圖7]圖7，係為用以對於在第1實施形態之帶電處理裝置中的帶電處理作說明之圖。
[圖8]圖8，係為對於第2實施形態之除電處理裝置作展示的立體圖。
[圖9]圖9，係為對於電子源單元之其中一例作展示的剖面圖。
[圖10]圖10，係為對於電子源單元之變形例作展示 的平面圖。
[圖11]圖11，係為沿著圖10中之XI-XI線的剖面圖。
[圖12]圖12，係為沿著圖10中之XII-XII線的剖面圖。
[圖13]圖13，係為對於電子源單元之又一變形例作展示的剖面圖。
[圖14]圖14，係為對於電子源單元之又一變形例作展示的剖面圖。
[圖15]圖15，係為對於電子源單元之又一變形例作展示的剖面圖。
[圖16]圖16，係為對於電子源單元之又一變形例作展示的立體圖。
[圖17]圖17，係為圖16中所示之電子源單元的剖面圖。
[圖18]圖18，係為對於光電子放出體作展示的立體圖。
[圖19]圖19，係為對於從電子源單元而來之光電子的放出作說明之圖。
[圖20]圖20，係為對於光電子放出體之變形例作展示的立體圖。
[圖21]圖21，係為對於從電子源單元而來之光電子的放出作說明之圖。
[圖22]圖22，係為對於第4實施形態之帶電處理裝 置作展示的立體圖。
[圖23]圖23，係為對於電子源單元之其中一例作展示的立體圖。
[圖24]圖24，係為圖23中所示之電子源單元的剖面圖。
[圖25]圖25，係為對於第4實施形態之變形例之除電處理裝置作展示的立體圖。
[圖26]圖26，係為對於第5實施形態之除電處理裝置作展示的立體圖。
[圖27]圖27，係為對於電子源單元之其中一例作展示的立體圖。
[圖28]圖28，係為對於被使用在除電處理裝置中的電子源單元之變形例作展示的立體圖。
[圖29]圖29，係為用以對於帶電處理裝置之適用例作說明之圖。
[圖30]圖30，係為用以對於帶電處理裝置之適用例作說明之圖。
[圖31]圖31，係為用以對於帶電處理裝置之適用例作說明之圖。
[圖32]圖32，係為對於帶電處理單元作展示之立體圖。
[圖33]圖33，係為對於帶電處理單元之變形例作展示之立體圖。
[圖34]圖34，係為對於帶電處理單元之變形例作展 示之立體圖。
以下，參考所添附之圖面，針對本發明之實施形態作詳細說明。另外，在說明中，對於相同要素或者是具備有相同功能之要素，係附加相同之元件符號，並省略重複之說明。
(第1實施形態)
參考圖1~圖3，針對第1實施形態之帶電處理裝置C1的構成作說明。圖1，係為對於第1實施形態之帶電處理裝置作展示的立體圖。圖2，係為對於電子源單元之其中一例作展示的立體圖。圖3，係為對於處理室部之其中一例作展示的立體圖。
帶電處理裝置C1，係如同圖1中所示一般，具備有處理部1和電子源單元3。帶電處理裝置C1，係為使處理對象物PO帶電為所期望之電位的裝置。帶電處理裝置C1，例如係能夠使並未帶電之處理對象物PO帶電為正或負的電位。帶電處理裝置C1，例如係亦能夠將正帶電有正或負的電位之處理對象物PO除電。帶電處理裝置C1，例如係亦能夠將正帶電有正或負的電位之處理對象物PO的電位改變為所期望之電位。
處理部1，係具備有處理框體2、處理室部20、供氣部21以及排氣部23。處理框體2，係構成為能 夠以氣密狀態而區劃出處理框體2之內部空間(處理空間)。處理室部20，係被配置在處理框體2內。在處理室部20之內部，係被形成有與處理框體2之內部氛圍相通連的處理空間。因此，處理室部20，係具備有與處理框體2之間之通連部。通連部，例如，係可藉由網格或開口等所構成。處理框體2以及處理室部20，例如，係由呈現直方體形狀之導電性金屬材料(例如不鏽鋼或鋁等)所成。
處理框體2以及處理室部20，係具備有用以將處理對象物PO導入至處理室部20內之導入開口(未圖示)。經由導入開口而被導入至處理室部20內之處理對象物PO，係被放置在處理室部20內。藉由此，處理室部20(處理部1)係包圍處理對象物PO。處理對象物PO之位置，係藉由保持構件(未圖示)而被作規定。包圍處理對象物PO之處理室部20，係被設為所期望之電位。處理對象物PO，係在被與處理室部20作電性絕緣的狀態下，被放置在處理室部20內。處理框體2以及處理室部20之導入開口，係亦可構成為至少在帶電處理時會被作閉塞。係亦可構成為，至少處理室部20之導入開口，係藉由與處理室部20相同電位之構件而被作閉塞。處理框體2，係亦可由絕緣性材料所成。
處理室部20，係被與處理框體2所被作設置之部位(以下，稱作「設置部位」)作電性絕緣。處理室部20，係並非絕對需要被與設置部位作電性絕緣。例 如，當在帶電處理裝置C1僅被作為除電處理裝置來使用的情況中而處理框體2以及設置部位被設為接地電位時，處理室部20，係亦可被與處理框體2以及設置部位作電性連接。
電子源單元3，係如同在圖2中亦有所展示一般，具備有產生電子之電子產生源5、和收容電子產生源5之電子源框體7、以及電極部11。電子產生源5，係包含放出熱電子之陰極6。陰極6，係藉由被作加熱，而放出熱電子。陰極6，例如係為燈絲等之直熱型電極。具體而言，燈絲，係亦可構成為係包含有：由包含銥之材料所成之導電性構件6a(基材部)、和覆蓋導電性構件6a之表面的由包含釔氧化物之材料所成之被覆層6b(被覆部)。銥，係化學性為安定，而難以與氧氣等產生反應。釔氧化物，其工作函數係為低，並以低溫而放出熱電子。
陰極6，係亦可為藉由加熱器之加熱而放出熱電子的旁熱型電極。陰極6，係並不被限定於放出熱電子之熱電子源。陰極6，係亦可為電場放出型電子源(例如，冷陰極等)或者是彈道電子源等之電子源。電子源框體7，係包含有收容電子產生源5之胴體部7a、和用以從電子源單元3而放出熱電子之開口部7b。胴體部7a，係呈現剖面為圓形之圓筒形狀。胴體部7a之剖面，係並不被限定於圓形，而亦可為多角形。
電子源單元3，係更進而具備有電極8、和一對之導出電極9、以及玻璃管10。電極8，係對於從陰極 6所放出的熱電子之運動作控制。一對之導出電極9，係為用以對於陰極6供給電流之電極。玻璃管10，係將陰極6(一對之導出電極9)作絕緣固定。陰極6，係位置在玻璃管10內。玻璃管10，係使其中一端開口。玻璃管10，係以會使處理部1內被維持於氣密狀態的方式，而被設置在電子源框體7(胴體部7a)處。在電子源單元3處，係亦可並不使用玻璃管10，而使用在具備有導出電極9之絕緣桿(stem)或者是真空凸緣上而將陰極6作了組裝的構造體。
陰極6之兩端部，係分別被與導出電極9作電性連接。電極8，係被與其中一方之導出電極9作電性連接。一對之導出電極9，係作為對於電子產生源5(陰極6)供給電位之供電部而起作用。電子源框體7，係由導電性金屬材料(例如不鏽鋼或鋁等)所成。在電極8處，係亦可被設置有其他之供電路徑。當在電極8處被設置有其他之供電路徑的情況時，係亦可通過此供電路徑而對於電極8供給與陰極6相異之電位。
在電子源單元3內，係藉由被供給至陰極6以及電極8處之電位而被形成有加速電場。加速電場，係使藉由電子產生源5所產生了的熱電子朝向電極部11而加速。從陰極6所放出的熱電子，係通過玻璃管10之開口而被從電子源單元3導出。形成加速電場之電位差，係被設定為使被導入至處理框體2內之熱電子難以直接到達處理對象物PO處之大小。形成加速電場之電位差，例如 係被設為10~1000V之範圍內，又以設為50~500V之範圍內為更理想。
電子源單元3，係具備有真空凸緣VF。真空凸緣VF，係可自由裝卸且氣密地被設置在處理框體2處。亦即是，電子源單元3，係藉由使真空凸緣VF被裝著於處理框體2處，而被設置於處理框體2處。在處理框體2之被設置有電子源單元3的位置處，係被形成有開口部2a。亦即是，電子源單元3(電子源框體7)內之空間，係通過開口部2a而與處理框體2內的空間相通連。真空凸緣VF，係由導電性金屬材料(例如不鏽鋼或鋁等)所成。開口部2a之形狀，係對應於電子源框體7(胴體部7a)之形狀，而為圓形狀。
電子源單元3，當藉由溶接等來一體性地被設置於處理框體2處的情況時，或者是被配置在處理框體2(處理部1)內的情況時，係並非絕對需要真空凸緣VF。真空凸緣VF，係可被與胴體部7a作一體性的形成，亦可與胴體部7a相互獨立地而被形成。
電極部11，係如同圖2中所示一般，為網格狀之導電性構件。在網格中，係不僅是包含網狀之構造體，而亦包含有格子狀、多孔狀或者是多段梳齒刃狀等的構造體。網格，係為將特定之區域二維性地分割成複數之區域的構造體。當將網格狀之導電性構件作為電極部11來使用時，電極部11，係成為能夠達成電子之透過和電場之形成。電極部11，係以覆蓋開口部7b的方式，而被 設置在電子源框體7處。電極部11，係對應於開口部7b之形狀，而在作平面性觀察時呈現圓形狀。電極部11，係以將電子源框體7之外側空間和電子源框體7內之電子產生源5(陰極6)所位置之空間作區隔的方式，而被作配置。亦即是，電極部11，係以對電子源單元3和處理框體2(處理空間)作區隔的方式，而位置在電子源單元3和處理框體2之間。電極部11由於係身為網格狀，因此，藉由陰極6所產生了的電子，係朝向電子源框體7之外側空間而通過電極部11。
亦能夠以使電極部11與電子源框體7相互絕緣並且在電極部11處被供給有所期望之電位的方式，來例如將電極部11隔著絕緣構件而固定在電子源框體7處並且將供電路徑連接於電極部11處。電極部11，係亦可藉由透過導電構件等來與處理室部20作電性接觸，來設為與處理室部20相同電位。亦可藉由另外所設置的供電構件，來對於電極部11和處理室部20供給相同之電位。當所期望之電位係為接地電位的情況時，電極部11，係亦可被與電子源框體7作電性連接。電極部11，例如係由不鏽鋼所成。電極部11之網格的大小，係被設定為熱電子之通過率為高並且在電子源單元3和處理框體2之間的電場之滲出為極少的大小。
處理室部20，係如同圖3之(a)中所示一般，例如係呈現直方體形狀。在處理室部20處，係於與處理框體2處之被設置有電子源單元3之面相對向的其中 一面上，被形成有開口部20a。開口部20a，係以與在處理框體2處之開口部2a相對向的方式而被作配置。亦即是，在處理室部20中，由於係於與電子源單元3相對向之位置處被形成有開口部20a，因此，電子源單元3(電子源框體7)內之空間，係通過開口部2a以及開口部20a而與處理部1之處理室部20內的處理空間相通連。開口部20a，係藉由被設為與處理室部20相同電位之網格狀的電極ME而被作覆蓋。
在處理室部20處，係亦可構成為，如同圖3之(b)中所示一般，藉由使與處理框體2處之被設置有電子源單元3之面相對向的其中一面之略全體作開口的方式，而被形成有開口部20a。開口部20a，係藉由被設為與處理室部20相同電位之網格狀的電極ME而被作覆蓋。在處理室部20處，係亦可構成為，如同圖3之(c)中所示一般，使六個面之略全體作開口。圖3之(c)中所示之處理室部20，係為使框部位置在直方體之各稜線處的框構造體，亦即是，係為直方體形狀之框構造體。全部的開口部20a，係藉由被設為與處理室部20相同電位之網格狀的電極ME而被作覆蓋。不論是在圖3之(a)~圖3之(c)的任一者中。均同樣的，開口部20a，係亦可並不被網格狀之電極ME作覆蓋地而被全面開放。
處理框體2和處理室部20，係相互獨立，並被供給有電位。於此情況，處理框體2和處理室部20，係相互被作電性絕緣。處理框體2和處理室部20，係並 非絕對需要相互被作電性絕緣。處理框體2和處理室部20，係亦可相互被作電性連接。於此情況，處理框體2和處理室部20，係被設定為相同之電位。當在帶電處理裝置C1僅被作為除電處理裝置來使用的情況，處理框體2和處理室部20係亦可被作電性連接。處理框體2和處理室部20，係藉由以使處理室部20會與處理框體2作接觸的方式來配置在處理框體2內，而可作電性連接。
供氣部21以及排氣部23，係被設置在處理框體2處。供氣部21以及排氣部23，係為了將處理部1內設定為特定之壓力條件下，而進行處理部1(處理框體2)內之氣體的供氣、排氣。所謂特定之壓力條件下，當然係包含有減壓下，同時亦包含有大氣壓下或加壓下。處理部1內之壓力，例如，係被設為數十~10-3Pa之範圍內，更理想係被設為10~10-2Pa之範圍內。供氣部21以及排氣部23，係進行荷電粒子形成用氣體之供氣、排氣。藉由此，係能夠將處理部1(處理框體2)內設為包含有荷電粒子形成用氣體之特定之壓力氛圍下。在荷電粒子形成用氣體中，例如係可使用大氣或者是氬(Ar)氣體等之惰性氣體。當包圍帶電處理裝置C1之氣體氛圍係被設為荷電粒子形成用氣體的情況時，為了將處理框體2內設為減壓氛圍，係亦可僅藉由排氣部23來實現。供氣部21以及排氣部23，係並不需要被設置在處理框體2處，而亦可直接設置在處理室部20處。於此情況，係有必要設為不會使供氣部21以及排氣部23對於處理室部20之 電位造成影響。
接著，參考圖4~圖7，針對由帶電處理裝置C1所進行的帶電處理作說明。圖4~圖7，係為用以對於在第1實施形態之帶電處理裝置中的帶電處理作說明之圖。圖4中之(a)~(c)，係為用以對於使處理對象物PO帶電負的電位之處理作說明之圖。圖5中之(a)~(c)，係為用以對於使處理對象物PO帶電正的電位之處理作說明之圖。圖6中之(a)~(c)，係為用以將正帶電有正的電位之處理對象物PO除電的處理作說明之圖。圖7中之(a)~(c)，係為用以將正帶電有負的電位之處理對象物PO除電的處理作說明之圖。圖4以及圖5，係對於處理對象物PO乃身為絕緣體的情況作例示。圖6以及圖7，係對於處理對象物PO乃身為導電體的情況作例示。在圖4~圖7中，為了使說明簡單化，係針對處理室部20之開口部20a並未被網格狀的電極ME而作覆蓋的形態作展示。
[帶電為負電位之處理]
如同圖4(a)中所示一般，在帶電處理裝置C1中，係於處理室部20內，配置有並未帶電、亦即是電位為0V之處理對象物PO。供氣部21以及排氣部23(在圖4中係並未圖示)，係將處理室部20(處理框體2)內設為包含有荷電粒子形成用氣體之特定的壓力氛圍。例如，處理室部20內，係被設為包含有Ar氣體並且成為0.7~1.3Pa (例如1Pa)之壓力氛圍。
在帶電處理裝置C1中，處理室部20(處理部1)，係被設定為所期望之負的電位(例如-200V)。藉由此，在處理對象物PO和處理室部20之間，係被形成有與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差(例如，200V)相對應的電場。由於電極部11和處理室部20係被設為相同之電位，因此，與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差相對應之電場，係一直被形成至電極部11之近旁處。
電子產生源5(陰極6)，係以會形成上述之加速電場的方式，而被設定為較處理室部20更低之電位(例如，-400V)。藉由此，在電子源單元3內，係被形成有與電子產生源5和處理室部20(電極部11)之間的電位差(例如，200V)相對應之加速電場。電極部11，係對於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場、和電子源單元3內之加速電場，此兩者相互影響的情形作抑制。
於在電子源單元3內被形成有加速電場並且在處理對象物PO和處理室部20(電極部11)之間被形成有上述電場的狀態下，陰極6係被通電。藉由通電，陰極6係放出熱電子。從陰極6所放出的熱電子，係藉由加速電場而被加速，並通過電極部11而被導入至處理室部20內。
如同圖4(b)中所示一般，被導入至處理室 部20內的熱電子，係激勵處理室部20內之存在於電極部11和處理對象物PO之間的荷電粒子形成用氣體之分子。藉由此，從荷電粒子形成用氣體之分子係產生正以及負的荷電粒子。亦即是，荷電粒子形成用氣體之分子，係藉由熱電子之碰撞而解離為正以及負的荷電粒子。作為荷電粒子形成用氣體，當使用Ar氣體的情況時，Ar分子係分裂為Ar+離子和電子，並產生Ar+離子和電子。
所產生的負的荷電粒子(電子)，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理對象物PO側移動。處理對象物PO，係藉由移動至處理對象物PO處之負的荷電粒子，而帶電為負的電位。所產生的正的荷電粒子(Ar+離子)，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理室部20側以及電極部11側移動。到達了處理室部20以及電極部11處之正的荷電粒子，係被中和。
因應於處理對象物Po之帶電狀態，在處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間所形成的電場係減弱。若是處理對象物PO帶電為上述之所期望之負的電位，則如同圖4(c)中所示一般，在處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間係並不會形成電場，負的荷電粒子係並不會移動。藉由此，處理對象物PO係被帶電為所期望之負的電位，處理對象物PO之電位係在有所帶電的狀態下而安定。
[帶電為正電位之處理]
如同圖5(a)中所示一般，在帶電處理裝置C1中，係於處理室部20內，配置有並未帶電、亦即是電位為0V之處理對象物PO。供氣部21以及排氣部23(在圖5中係並未圖示)，係將處理室部20(處理框體2)內設為包含有荷電粒子形成用氣體之特定的壓力氛圍。例如，處理室部20內，係被設為包含有Ar氣體並且成為0.7~1.3Pa(例如1Pa)之壓力氛圍。
在帶電處理裝置C1中，處理室部20(處理部1)，係被設定為所期望之正的電位(例如+200V)。藉由此，在處理對象物PO和處理室部20之間，係被形成有與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差(例如，200V)相對應的電場。由於電極部11和處理室部20係被設為相同之電位，因此，與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差相對應之電場，係一直被形成至電極部11之近旁處。
電子產生源5(陰極6)，係以會形成上述之加速電場的方式，而被設定為較處理室部20更低之電位(例如，-100V)。藉由此，在電子源單元3內，係被形成有與電子產生源5和處理室部20(電極部11)之間的電位差(例如，300V)相對應之加速電場。電極部11，係對於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場、和電子源單元3內之加速電 場，此兩者相互影響的情形作抑制。
於在電子源單元3內被形成有加速電場並且在處理對象物PO和處理室部20(電極部11)之間被形成有上述電場的狀態下，陰極6係被通電。藉由通電，陰極6係放出熱電子。從陰極6所放出的熱電子，係藉由加速電場而被加速，並通過電極部11而被導入至處理室部20內。
如同圖5(b)中所示一般，被導入至處理室部20內的熱電子，係激勵處理室部20內之存在於電極部11和處理對象物PO之間的荷電粒子形成用氣體之分子。藉由此，從荷電粒子形成用氣體之分子係產生正以及負的荷電粒子。所產生的正的荷電粒子，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理對象物PO側移動。處理對象物PO，係藉由移動至處理對象物PO處之正的荷電粒子，而帶電為正的電位。所產生的負的荷電粒子，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理室部20側以及電極部11側移動。到達了處理室部20以及電極部11處之負的荷電粒子，係被中和。
因應於處理對象物PO之帶電狀態，在處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間所形成的電場係減弱。若是處理對象物PO帶電為上述之所期望之正的電位，則如同圖5(c)中所示一般，在處理對象物PO和 處理室部20以及電極部11之間係並不會形成電場，正的荷電粒子係並不會移動。藉由此，處理對象物PO係被帶電為所期望之正的電位，處理對象物PO之電位係在有所帶電的狀態下而安定。
[正的電荷之除電處理]
如同圖6(a)中所示一般，在帶電處理裝置C1中，係於處理室部20內，配置有正帶電有正的電荷之處理對象物PO。處理對象物PO，例如係帶電為+1kV。供氣部21以及排氣部23(在圖6中係並未圖示)，係將處理室部20(處理框體2)內設為包含有荷電粒子形成用氣體之特定的壓力氛圍。例如，處理室部20內，係被設為包含有Ar氣體並且成為0.7~1.3Pa(例如1Pa)之壓力氛圍。
在帶電處理裝置C1中，處理室部20以及處理框體2，係被設定為接地電位。藉由此，在處理對象物PO和處理室部20之間，係被形成有與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差(例如，1kV)相對應的電場。由於電極部11和處理室部20係被設為相同之電位，因此，與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差相對應之電場，係一直被形成至電極部11之近旁處。
電子產生源5(陰極6)，係以會形成上述之加速電場的方式，而被設定為較處理室部20更低之電位(例如，-200V)。藉由此，在電子源單元3內，係被形成有與電子產生源5和處理室部20(電極部11)之間的 電位差(例如，200V)相對應之加速電場。電極部11，係對於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場、和電子源單元3內之加速電場，此兩者相互影響的情形作抑制。
於在電子源單元3內被形成有加速電場並且在處理對象物PO和處理室部20(電極部11)之間被形成有上述電場的狀態下，陰極6係被通電。藉由通電，陰極6係放出熱電子。從陰極6所放出的熱電子，係藉由加速電場而被加速，並通過電極部11而被導入至處理室部20內。
如同圖6(b)中所示一般，被導入至處理室部20內的熱電子，係激勵處理室部20內之存在於電極部11和處理對象物PO之間的荷電粒子形成用氣體之分子。藉由此，從荷電粒子形成用氣體之分子係產生正以及負的荷電粒子。所產生的負的荷電粒子，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理對象物PO側移動。處理對象物PO，係藉由移動至處理對象物PO處之負的荷電粒子，而使正的電位之帶電被中和。所產生的正的荷電粒子，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理室部20側以及電極部11側移動。到達了處理室部20以及電極部11處之正的荷電粒子，係被中和。
因應於處理對象物PO之帶電狀態，在處理對 象物PO和處理室部20以及電極部11之間所形成的電場係減弱。若是處理對象物PO被除電、亦即是電位成為0V，則如同圖6(c)中所示一般，在處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間係並不會形成電場，負的荷電粒子係並不會移動。藉由此，處理對象物PO之電位係被設為0V，處理對象物PO之電位係在被作了除電的狀態下而安定。
[負的電荷之除電處理]
如同圖7(a)中所示一般，在帶電處理裝置C1中，係於處理室部20內，配置有正帶電有負的電荷之處理對象物PO。處理對象物PO，例如係帶電為-1kV。供氣部21以及排氣部23(在圖7中係並未圖示)，係將處理室部20(處理框體2)內設為包含有荷電粒子形成用氣體之特定的壓力氛圍。例如，處理室部20內，係被設為包含有Ar氣體並且成為0.7~1.3Pa(例如1Pa)之壓力氛圍。
在帶電處理裝置C1中，處理室部20以及處理框體2，係被設定為接地電位。藉由此，在處理對象物PO和處理室部20之間，係被形成有與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差(例如，1kV)相對應的電場。由於電極部11和處理室部20係被設為相同之電位，因此，與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差相對應之電場，係一直被形成至電極部11之近旁處。
電子產生源5(陰極6)，係以會形成上述之 加速電場的方式，而被設定為較處理室部20更低之電位(例如，-200V)。藉由此，在電子源單元3內，係被形成有與電子產生源5和處理室部20(電極部11)之間的電位差(例如，200V)相對應之加速電場。電極部11，係對於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場、和電子源單元3內之加速電場，此兩者相互影響的情形作抑制。
於在電子源單元3內被形成有加速電場並且在處理對象物PO和處理室部20(電極部11)之間被形成有上述電場的狀態下，陰極6係被通電。藉由通電，陰極6係放出熱電子。從陰極6所放出的熱電子，係藉由加速電場而被加速，並通過電極部11而被導入至處理室部20內。
如同圖7(b)中所示一般，被導入至處理室部20內的熱電子，係激勵處理室部20內之存在於電極部11和處理對象物PO之間的荷電粒子形成用氣體之分子。藉由此，從荷電粒子形成用氣體之分子係產生正以及負的荷電粒子。所產生的正的荷電粒子，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理對象物PO側移動。處理對象物PO，係藉由移動至處理對象物PO處之正的荷電粒子，而使負的電位之帶電被中和。所產生的負的荷電粒子，係因應於與處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間的電位差相對應之電場，而朝向處理室部20側以及電極部11 側移動。到達了處理室部20以及電極部11處之負的荷電粒子，係被中和。
因應於處理對象物PO之帶電狀態，在處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間所形成的電場係減弱。若是處理對象物PO被除電、亦即是電位成為0V，則如同圖7(c)中所示一般，在處理對象物PO和處理室部20以及電極部11之間係並不會形成電場，正的荷電粒子係並不會移動。藉由此，處理對象物PO之電位係被設為0V，處理對象物PO之電位係在被作了除電的狀態下而安定。
如同上述一般，在使用有電子源單元3的帶電處理裝置C1中，若是透過一對的導線電極9(供電部)而將較電極部11之電位更小之電位供給至電子產生源5(陰極6)處，則在電子產生源5和電極部11之間係被形成有加速電場。藉由此加速電場，藉由電子產生源5所產生的電子，係通過網格狀之電極部11，並有效率地被導出至電子源框體7之外側空間處。另外，在帶電處理裝置C1中，電子源框體7之外側空間，係為處理室20內之空間(處理對象物PO所位置之處理空間)，並存在有荷電粒子形成用氣體。因此，被導出至電子源框體7之外側空間、亦即是被導出至處理室部20內的電子，係激勵存在於處理室部20中之荷電粒子形成用氣體之分子。藉由此，從荷電粒子形成用氣體之分子係產生正以及負的荷電粒子。
所產生了的正以及負的荷電粒子中之其中一方的荷電粒子，係因應於藉由電極部11以及處理室部20(被與電極部11作電性連接的部位)之電位(所期望之電位)和處理對象物PO之電位所形成的電場，而朝向處理對象物PO側移動。所產生了的正以及負的荷電粒子中之另外一方的荷電粒子，係朝向電極部11側以及處理室部20側移動。藉由移動至處理對象物PO處之荷電粒子，處理對象物PO係帶電為所期望之電位。若是處理對象物PO帶電為所期望之電位，則在電極部11和處理室部20與處理對象物PO之間係並不會形成電場，荷電粒子係並不會移動。故而，處理對象物PO係確實地帶電為所期望之電位。
在圖4~圖7中，為了使說明簡單化，係針對處理室部20之開口部20a並未被網格狀的電極ME而作覆蓋的形態作展示。就算是當在處理室部20之開口部20a處存在有與處理室部20相同電位之網格狀之電極的情況時，亦同樣的，與處理對象物PO和處理室部20之間的電位差相對應之電場，係一直被形成至存在有網格狀之電極的開口部20a處。因此，從電極部11所射出的電子，係藉由慣性力而通過存在有網格狀之電極的開口部20a。故而，就算是當在開口部20a處存在有網格狀之電極的情況時，亦能夠發揮與當在開口部20a處並不存在有網格狀之電極的情況時相同之作用效果。
基於此些之結果，在使用有電子源單元3之 帶電處理裝置C1中，使處理對象物PO帶電為所期望之電位的效果係為極高。
電子源框體7，係包含有與處理框體2之處理空間相通連的開口部7b，電極部11，係以覆蓋開口部7b的方式而被配置在電子源框體7處。藉由此，係能夠以將電子源框體7之外側空間和電子源框體7內之電子產生源5所位置之空間作區隔的方式，來確實且容易地配置電極部11。
在帶電處理裝置C1處，因應於處理部1(處理框體2)內之荷電粒子形成用氣體之壓力和電子源單元3內之加速電場，荷電粒子形成用氣體之分子進行解離的位置(以下，單純稱作「解離位置」)係會改變。當加速電場為大的情況時，解離位置係從電子源單元3而遠離。當加速電場為小的情況時，解離位置係距離電子源單元3而為近。當荷電粒子形成用氣體之壓力為高的情況時，電子(例如，熱電子)之平均自由行程由於係會變短，因此解離位置係距離電子源單元3而為近。當荷電粒子形成用氣體之壓力為低的情況時，電子之平均自由行程由於係會變長，因此解離位置係從電子源單元3而遠離。根據此些事態，係可藉由對於荷電粒子形成用氣體之壓力和加速電場作調節，而使解離位置最佳化。故而，加速電場係以身為可進行調整者為理想。加速電場，例如，係可藉由對於被供給至陰極6以及電極8處之電位作調整，而進行調整。
(第2實施形態)
參考圖8以及圖9，針對第2實施形態之除電處理裝置NA1的構成作說明。圖8，係為對於第2實施形態之除電處理裝置作展示的立體圖。圖9，係為對於電子源單元之其中一例作展示的剖面圖。
在本實施形態中，係針對帶電處理裝置中之特別乃身為用以將帶電有正或負的電位之處理對象物PO的帶電中和之所謂除電的除電處理裝置NA1作說明。處理部1，係亦可與第1實施形態相同的而具備有處理室部20。在圖8中，為了便於作說明，係針對處理部1之處理空間為僅藉由由導電性材料所成之處理框體2來構成的態樣作展示。處理框體2(至少處理框體2之內表面)和電極部11，係以能夠設定為所期望之帶電中和準位(例如接地電位)的方式，來構成之。因此，不論是帶電為正或負之何者的處理對象物PO，均能夠使其成為所期望之帶電中和準位(例如接地電位)。所謂除電處理，係指帶電為所期望之帶電中和準位的帶電處理。本變形例之除電處理裝置的動作機構，係與前述之帶電處理裝置之動作機構相同。第2實施形態之除電處理裝置NA1，關於電子源單元3之構成，係與第1實施形態之帶電處理裝置C1相異。
除電處理裝置NA1，係如同圖8以及圖9中所示一般，具備有處理部1和電子源單元3。
電子源單元3(電子源框體7)，係如同在圖9中亦有所展示一般，在作平面性觀察時具備有長邊方向和短邊方向。電子源單元3，係呈現略直方體形狀。陰極6(電子產生源5)，係沿著電子源單元3之長邊方向而延伸。胴體部7a之剖面，係為矩形狀。電極部11，係對應於開口部7b之形狀，而在作平面性觀察時呈現矩形狀。處理框體2之開口部2a之形狀，係對應於電子源單元3之平面形狀，而例如為具備有長邊方向和短邊方向之形狀。在本實施形態中，開口部2a之形狀係為矩形狀。
電子源單元3，係具備有一對的電流導入端子13。一對的電流導入端子13，係被設置在電子源框體7處，並且被與陰極6作電性連接。一對的電流導入端子13，係被配置在電子源框體7之長邊方向的兩端部處。一對之電流導入端子13，係作為對於電子產生源5(陰極6)供給電位之供電部而起作用。電極部11，係藉由被直接固定在電子源框體7處，而被與電子源框體7以及處理框體2作電性連接。因此，電極部11、電子源框體7以及處理框體2，係被設為接地電位。電極部11，係以與電子源框體7相互絕緣並且在電極部11處被供給有所期望之電位的方式，來例如將電極部11隔著絕緣構件而固定在電子源框體7處並且將供電路徑連接於電極部11處。於此情況，為了將電極部11設為接地電位，電極部11係亦可被與處理框體2作電性連接，又，電極部11係亦可另外被與接地電位作連接。
在本實施形態中，電子源框體7，係當平面性觀察時具備有長邊方向和短邊方向，陰極6，係沿著電子源框體7之長邊方向而延伸。於此情況，藉由從電子源單元3而被導出至處理框體2內之處理空間處的電子，於處理空間中沿著陰極6所延伸之方向而存在的荷電粒子形成用氣體之分子係被激勵。藉由此，就算是處理對象物係身為長條狀之物體或者是面積為大之物體，除電處理裝置NA1亦能夠將該處理對象物確實地除電。
(第3實施形態)
參考圖10~圖12，針對電子源單元3之變形例作說明。圖10，係為對於電子源單元之變形例作展示的平面圖。圖11，係為沿著圖10中之XI-XI線的剖面圖。圖12，係為沿著圖10中之XII-XII線的剖面圖。第3實施形態之電子源單元3，係並非放出熱電子而是放出光電子，在此點上，係與第1以及第2實施形態中的電子源單元3相異。
電子源單元3，係如同圖10~圖12中所示一般，具備有放出光電子之電子產生源30、和收容電子產生源30之電子源框體31、以及電極部11。電子源單元3，係與在圖8以及圖9中所示之電子源單元3相同，在作平面性觀察時具備有長邊方向和短邊方向。電子產生源30，係包含有能量線源32、和光電子放出體33。能量線源32，係射出特定波長之能量線。光電子放出體33，係 藉由特定波長之能量線的射入而將光電子放出至外部。在能量線源32處，例如係使用有長條狀之準分子燈管等。
電子源單元3，係藉由使真空凸緣VF被裝著於處理框體2處，而被設置於處理框體2處。在本實施形態中，亦同樣的，電子源單元3，當藉由溶接等來一體性地被設置於處理框體2處的情況時，或者是被配置在處理部1內的情況時，係並非絕對需要真空凸緣VF。真空凸緣VF，係可被與電子源框體31作一體性的形成，亦可與電子源框體31相互獨立地而被形成。
能量線源32，例如係為放出被包含於從X線起直到紅外線為止的帶域中之波長的能量線之能量線源。若是對於光電子放出體33之作成的容易度以及在會被曝露於大氣中的環境下之劣化程度等作考慮，則能量線源32，係亦可為放出被包含於從X線起直到UV光為止的帶域中之能量線的能量線源。在此能量線源中，例如，係存在有放出UV光或VUV光(真空紫外光)等之準分子燈管或重氫燈管、UV雷射光源或者是X線管等。作為能量線源32，係亦可使用放出具備有在光電子放出體33處的量子效率為較高之光能量的VUV光之準分子燈管等。當特定波長之能量線為包含真空紫外光的情況時，係能夠更有效率地使光電子產生。
電子源框體31，係具備有一對之端面部31a、和一對之側面部31b、以及上面部31c。一對之端面部31a，係在電子源單元3之長邊方向上相互對向。一對 之側面部31b，係以將一對之端面部31a作連結的方式而在電子源單元3之長邊方向上延伸，並且相互對向。上面部31c，係被與一對之端面部31a和一對之側面部31b作連接。電子源框體31，係在與上面部31c相對向的位置處，包含有用以從電子源單元3而放出光電子之開口部31d。
能量線源32，係被配置在氣體導入管35內。氣體導入管35之兩端部，係隔著O型環而被氣密性地保持在電子源框體31之一對的端面部31a處。氣體導入管35，係以在電子源單元3之長邊方向上貫通電子源框體31的方式而被作配置。能量線源32，亦係以在電子源單元3之長邊方向上貫通電子源框體31的方式而被作配置。氣體導入管35，係由會使從能量線源32所射出之特定波長之能量線透過的材料所成。氣體導入管35，例如係由石英玻璃或MgF2等所成。氣體導入管35，係亦可為由金屬等所成之管狀構件。於此情況，係亦可在管狀構件之特定位置處設置有開口，並在開口處設置有由石英玻璃或MgF2等所成之窗材。
將氣體導入至氣體導入管35內之氣體導入部37，係被連接於氣體導入管35之其中一端部處。氣體導入管35之另外一端部，係作為將被導入至氣體導入管35內之氣體排出的氣體排出部而起作用。在被導入至氣體導入管35內之氣體中，係使用有氮等之惰性氣體。被導入至氣體導入管35內之氣體，係將能量線源32冷卻。氣 體，由於係從氣體導入部37而被導入至氣體導入管35內，並被從氣體排出部而排出，因此係能夠對於光子之透過率降低的情況作抑制。被與能量線源32之電極作連接的電源線38、39，係從氣體導入管35之另外一端部而被導出。氣體之導入及排出、以及電源線38、39之導出，不論是從氣體導入管35之何者的端部來進行均可。電源線38、39之被導出的部位，係並不被限定於氣體導入管35之開放端。亦可將氣體導入管35之兩端以能夠進行氣體之導入、排出的方式來作密閉，並且將被與電源線38、39作連接之供電部以貫通氣體導入管35的方式來作設置。電源線38、39，係藉由被與供電部作連接，而被從氣體導入管35導出。
光電子放出體33，係隔著絕緣基板36而被設置在電子源框體31處。光電子放出體33，係與電子源框體31之間作電性絕緣。光電子放出體33，係具備有以沿著電子源框體31之各面部31a~31c的方式而延伸之5個的面部。在光電子放出體33處，5個的面部之內側表面係身為光電子之放出面。在光電子放出體33處，與電子源框體31之開口部31d相對應的位置係有所開口。光電子放出體33之5個的面部，係隔著氣體導入管35，而位置為會包圍能量線源32。光電子放出體33，係與被設置在電子源框體31處之電流導入端子34作電性連接。光電子放出體33，係相對於電子源框體31而可自由裝卸地作設置。藉由此，光電子放出體33之交換係成為可能。電 流導入端子34，係作為對於電子產生源30(光電子放出體33)供給電位之供電部而起作用。光電子放出體33之面部的數量，係並不被限定於5個。光電子放出體33之面部，係只要是身為容易將光電子放出至處理框體2側的多面體構造即可。
在光電子放出體33處，係採用有就算是在被曝露於大氣中的環境下劣化亦為少並且相對於從能量線源32所射出之能量線(例如，UV光或VUV光等)而量子效率為高的材料。作為光電子放出體33之材料，例如，係可列舉出Au、Ni、不鏽鋼、Al、鑽石薄膜、DLC(Diamond-Like Carbon)薄膜或者是Al2O3薄膜等。相對於UV光或VUV光而量子效率為高的材料，一般性而言係為Au。相對於VUV光而量子效率為較高的材料，係為Al、Al2O3薄膜或者是鑽石薄膜。各薄膜，係被成膜於金屬基體之表面上。光電子放出體33之光電子的放出面，係亦可被施加有鏡面處理。
電極部11，係以覆蓋電子源框體31之開口部31d的方式，而被設置在開口部31d處。亦能夠以使電極部11與電子源框體31相互絕緣並且在電極部11處被供給有所期望之電位的方式，來例如將電極部11隔著絕緣構件而固定在電子源框體31處並且將供電路徑連接於電極部11處。依存於所期望之電位之值，電極部11，係亦能夠以與電子源框體31成為相同電位的方式而直接固定在電子源框體31處。電極部11，係對應於開口部31b之 形狀，而在作平面性觀察時呈現矩形狀。電極部11，係藉由與透過電流導入端子34所被供給至光電子放出體33處之電位間之差，而在電子源單元3內形成使藉由電子產生源30所產生的光電子朝向電極部11而加速的加速電場。
電極部11，係將與處理對象物PO和處理框體2之間的電位差相對應之電場，一直形成至電子源單元3和處理框體2之間的邊界近旁處。電極部11，係對於被形成於電子源單元3內之加速電場、和與處理對象物PO和處理框體2以及電極部11之間的電位差相對應之電場，此兩者相互影響的情形作抑制。電極部11，係與光電子放出體33之間作電性絕緣。加速電場，係被設定為使被導入至處理框體2內之光電子難以直接到達處理對象物PO處之強度。加速電場，係如同上述一般，例如係被設為藉由10~1000V之範圍內的電壓所形成之強度。加速電場，較理想，係為藉由50~500V之範圍內的電壓所形成之強度。
在本實施形態中，電子源單元3，係包含有射出特定波長之能量線的能量線源32、和藉由特定波長之能量線的射入而將光電子放出至外部的光電子放出體33。藉由此，係能夠使用起因於帶電處理裝置或者是除電處理裝置(電子源框體31)內之氛圍(壓力以及真空度等)而導致性能以及壽命受到影響的情況為少之密封構造的能量線源(例如燈管等)。其結果，係能夠實現相對於 帶電處理裝置或者是除電處理裝置內之氛圍而安定度為高之電子產生源。
在本實施形態中，電子源框體31，係在作平面性觀察時具備有長邊方向和短邊方向。能量線源32，係沿著電子源框體7的長邊方向而延伸。於此情況，藉由從電子源單元3而被導出至處理框體2內之處理空間處的電子，於處理空間中沿著陰極6所延伸之方向而存在的荷電粒子形成用氣體之分子係被激勵。藉由此，具備有圖9~圖11中所示之電子源單元3的帶電處理裝置，就算是處理對象物係身為長條狀之物體或者是面積為大之物體，亦能夠使該處理對象物確實地帶電為所期望之電位。
參考圖13~圖15，針對電子源單元3之又一變形例作說明。圖13~圖15，係為對於電子源單元之又一變形例作展示的剖面圖。圖13~圖15中所示之剖面構成，係相當於以與電子源單元3之長邊方向相正交的面來作了切斷時之剖面構成。不論是在何者之變形例中，均同樣的，亦能夠以使電極部11與電子源框體31相互絕緣並且在電極部11處被供給有所期望之電位的方式，來例如將電極部11隔著絕緣構件而固定在電子源框體31處並且將供電路徑連接於電極部11處。依存於所期望之電位之值，電極部11，係亦能夠以與電子源框體31成為相同電位的方式而直接固定在電子源框體31處。
在圖13所示之變形例中，能量線源32，係被配置在其中一方之側面部31b側處。亦即是，能量線源 32，係以不會使從電子源單元3起而朝向處理空間之光電子射入軸A1和能量線源32之能量線射出軸A2成為同軸的方式，來作配置。更詳細而言，能量線源32，係以會使光電子射入軸A1和能量線射出軸A2成為略正交的方式，來作配置。在其中一方之側面部31b、和在光電子放出體33處之與其中一方之側面部31b相對向之面處，係被形成有用以將從能量線源32而來之能量線導引至光電子放出體33之內側空間處的開口。光電子放出體33，係在與電子源單元3之長邊方向相正交的剖面處，以會使光電子被朝向開口部31d而放出的方式而具備有傾斜面。亦即是，光電子放出體33，係包含有相對於能量線源32之能量線射出軸A2而傾斜的傾斜面。傾斜面，係亦可由角度互為相異之複數之傾斜面所成。
電子源單元3，係包含有網格狀之電極部41。電極部41，係被配置在能量線源32和光電子放出體33之間，並被設為與光電子放出體33相同之電位。在本變形例中，電極部41，係被設置在光電子放出體33處。電極部41，例如係由Au或Al等之光電子放出特性為高的材料所成。電極部41，例如係亦可為由不鏽鋼所成之網格。在由不鏽鋼所成之網格的表面上，係被形成有由Au、Al或者是Al2O3等所成之薄膜。電子源單元3，係並非絕對需要包含有電極部41，電子源單元3，係亦可並不包含電極部41。
在本變形例中，電極部41，由於係對於從光 電子放出體33所放出的光電子之朝向能量線源32側的情形作抑制，因此係能夠將光電子以良好效率來朝向處理部1(在圖12中係並未圖示)作導引。電極部41，係防止能量線源32等之帶電。
在圖13所示之電子源單元3處，能量線源32，係以不會使光電子射入軸A1和能量線射出軸A2成為同軸的方式，來配置在其中一個的側面部31b側處。詳細而言，能量線源32，係以會使光電子射入軸A1和能量線射出軸A2成為略正交的方式，來作配置。藉由此，從能量線源32所放出的能量線，係難以直接被照射至處理部1(在圖12中係並未圖示)處。因此，係能夠對於在處理部1中之被照射有能量線的部位處而產生物質之解離等的情況作抑制。光電子放出體33，係在與電子源單元3之長邊方向相正交的剖面處，以會使光電子被朝向開口部31d而放出的方式而具備有傾斜面。亦即是，光電子放出體33，係包含有相對於能量線源32之能量線射出軸A2而傾斜的傾斜面。藉由此，光電子放出體33，係能夠以良好效率來將所發生了的光電子導引至處理空間中。
在圖14所示之變形例中，電子源單元3，係包含有窗材42。窗材42，係被配置在能量線源32和光電子放出體33之間，並且使特定波長之能量線透過。當能量線源32例如係為軟X線源的情況時，窗材42，係由Be或Ti之薄膜等的X線透射性材料所成。當能量線源32例如係為UV光源或VUV光源的情況時，窗材42係由石 英玻璃或MgF2等所成。
窗材42，係將在電子源單元3(電子源框體31)處之收容有光電子放出體33的空間作氣密密封。窗材42，係隔著O型環43而被設置在電子源框體31處。能量線源32，係被收容在收容部44內。收容部44，係可自由裝卸且氣密地被設置在電子源框體31處。窗材42，係藉由當將收容部44安裝在電子源框體31處時會被收容部44和電子源框體31所挾持，而被設置在電子源框體31處。為了對於能量線源32之冷卻以及能量線量之降低作抑制，在收容部44之內部空間中，例如係亦可流通有氮氣等之惰性氣體。
在本變形例中，窗材42，係將在電子源框體31處之收容有光電子放出體33的空間作氣密密封。因此，係能夠並不對於處理對象物PO所位置之處理空間內的特定之壓力氛圍造成影響地，來容易地進行關連於能量線源32之交換以及維修等的作業。在本變形例中，亦同樣的，電極部41，係將光電子有效率地朝向處理部1作導引，並且防止能量線源32以及窗材42等之帶電。
在圖14所示之電子源單元3中，亦同樣的，由於能量線源32係被配置在1個的側面部31b側處，因此，從能量線源32所放出的能量線，係難以直接被照射至處理部1處。因此，係能夠對於在處理部1中之被照射有能量線的部位處而產生物質之解離等的情況作抑制。
在圖15所示之變形例中，窗材42，係被設置 在光電子放出體33處。窗材42，係藉由當將收容部44安裝在電子源框體31處時會被收容部44和光電子放出體33所挾持，而被設置在光電子放出體33處。收容部44，係隔著O型環43而被設置在電子源框體31處。光電子放出體33，係在與電子源單元3之長邊方向相正交的剖面處，以會使光電子被朝向開口部31d而放出的方式而具備有彎曲面。
在窗材42處之光電子放出體33側的面處，係構成透射型光電面，並且被形成有具備導電性之薄膜45。薄膜45，例如，其厚度係為數nm~數百nm，並且係由Au、Al或Al2O3等所成。薄膜45，係在窗材42被設置於光電子放出體33處的狀態下，以會成為與光電子放出體33同等之電位的方式，而與光電子放出體33相接觸。亦即是，窗材42，係以會使薄膜45與光電子放出體33相接觸的方式，而被配置在能量線源32和光電子放出體33之間。薄膜45，係藉由與光電子放出體33之間之接觸，而被設為與光電子放出體33相同之電位。薄膜45和光電子放出體33，係亦可並不作物理性接觸地，而透過導電性構件等來作電性接觸並設為相同電位。亦可藉由另外所設置的供電構件，來對於薄膜45供給與光電子放出體33相同之電位。亦可因應於需要，來改變光電子放出體33和薄膜45之電位。於此情況，係能夠使被放出的光電子之分布改變。
在本變形例中，由於從薄膜45係亦會放出光 電子，因此被導引至處理部1處的光電子之量係增加。薄膜45，係將光電子有效率地朝向處理部1作導引。基於此些之結果，若依據本變形例，則係能夠將帶電處理之效果提高。
參考圖16~圖18，針對電子源單元3之又一變形例作說明。圖16，係為對於電子源單元作展示的立體圖。圖17，係為圖16中所示之電子源單元的剖面圖。圖18，係為對於光電子放出體作展示的立體圖。
電子源單元3，係包含有電子源框體31、和能量線源32、和光電子放出體33、以及電極部11。能量線源32，例如係使用準分子燈管或重氫燈管等。能量線源32，係具備有發光部組裝體48和玻璃製之密封容器49。密封容器49，係具備有側管部49a、和突出部49b。側管部49a，係收容發光部組裝體48。突出部49b，係從側管部49a而突出，並且與側管部49a相通連。突出部49b之前端，係藉由射出能量線(VUV光)之光射出窗而被作密封。
電子源框體31，係呈現使兩端作了開口的筒形狀。在電子源框體31之其中一端部處，係被設置有真空凸緣VF。電極部11，係以覆蓋真空凸緣VF之開口的方式，而被設置在真空凸緣VF處。亦能夠以使電極部11與電子源框體31相互絕緣並且在電極部11處被供給有所期望之電位的方式，來例如將電極部11隔著絕緣構件而固定在電子源框體31處並且將供電路徑連接於電極部11 處。依存於所期望之電位之值，電極部11，係亦能夠以與電子源框體31成為相同電位的方式而直接固定在電子源框體31處。
在電子源框體31之另外一端部處，係以將另外一端部的開口作閉塞的方式，而被配置有電性絕緣性之基板50。電子源框體31之另外一端部，在被配置有基板50之狀態下，係藉由快速鬆脫耦合器(Quick-release Coupling)51而被作氣密密封。快速鬆脫耦合器51，係具備有夾鉗51a。在基板50處，係被氣密性地設置有電流導入端子52。電流導入端子52，例如係藉由熔接等而被固定在基板50上。基板50，係作為快速鬆脫耦合器51之無孔凸緣(blank flange)而起作用。
光電子放出體33，係被配置在電子源框體31內。光電子放出體33，係如同在圖17中亦有所展示一般，具備有胴體部33a和底部33b，並呈現使與底部33b相對向之其中一端作了開口的有底筒形狀。胴體部33a，係呈現剖面為圓形之圓筒形狀。胴體部33a之剖面，係並不被限定於圓形，而亦可為多角形。底部33b之內側面，係被設為平面。光電子放出體33，係隔著固定基板53以及絕緣性基板54而被設置在基板50處。固定基板53，係具備有導電性。固定基板53，係藉由螺絲鎖緊等而被可自由裝卸地設置在絕緣性基板54處。絕緣性基板54，係藉由螺絲鎖緊而被可自由裝卸地設置在基板50處。
光電子放出體33，係藉由使被形成於底部 33b處之突部被與固定基板53相螺合，而被固定在固定基板53處。亦即是，光電子放出體33，係被可自由裝卸地設置在固定基板53處。藉由此，係成為能夠容易地進行光電子放出體33之交換。在電流導入端子52之前端處，係被設置有套筒55。套筒55，係藉由螺合等而被設置在固定基板53處，光電子放出體33，係經由固定基板53以及套筒55，而被與電流導入端子52作電性連接。電流導入端子52，係作為對於電子產生源30(光電子放出體33)供給電位之供電部而起作用。
在光電子放出體33之胴體部33a處，係如同在圖18中亦有所展示一般，被形成有使能量線源32所具備的密封容器49之突出部49a作插通的開口。突出部49b，係亦被插通於被與電子源框體31一體性地形成之筒狀部56中，並隔著O型環57而被氣密性地設置在筒狀體56處。能量線源32，係相對於電子源框體31而可自由裝卸地作設置。只要是能夠使從能量線源32而來之能量線經由胴體部33a之開口而被照射至光電子放出體33之光電子放出面上，則密封容器49之突出部49b，係亦可並不被插通於光電子放出體33之胴體部33a的開口中。電子源框體31，係亦可於面臨胴體部33a之開口的位置處，具備有使能量線透過之窗材。於此情況，能量線源32係被配置在電子源框體31之內部氛圍之外。
藉由被照射有從能量線源32而來之能量線，光電子放出體33係放出光電子。此時，當在電子源單元 3內被形成有加速電場(例如，200V)的情況時，如同圖19中所示一般，被放出的光電子，係被從電子源單元3而放出。圖19，係為用以對於從電子源單元而來之光電子的放出作說明之圖。在圖19中，係對於光電子之飛行軌跡作展示。光電子，係以一面擴散至廣範圍一面朝向處理室部20之中央部集中的方式而飛行。實際上，光電子，係起因於與荷電粒子形成用氣體之分子相碰撞一事，而幾乎不會到達處理對象物PO處。
在本變形例中，從光電子放出體33而來的光電子之放出、和被放出了的光電子之朝向處理部1側的移動，係被有效率地進行。在圖16所示之電子源單元3中，由於能量線源32之突出部49b係被插通於被形成在光電子放出體33之胴體部33a處的開口中，因此，從能量線源32所放出的能量線，係難以直接被照射至處理空間處。因此，係能夠對於在處理空間中之被照射有能量線的部位處而產生物質之解離等的情況作抑制。
參考圖20以及圖21，針對光電子放出體33之變形例作說明。圖20，係為對於光電子放出體之變形例作展示的立體圖。圖21，係為用以對於從電子源單元而來之光電子的放出作說明之圖。
在圖20(a)中所示的光電子放出體33處，底部33b之內側面，係包含有平面部分和傾斜面部分。平面部分，係具備有較胴體部33a之內徑而更小的直徑。傾斜面部分，係從胴體部33a之端部起朝向胴體部33a之平 面部分而傾斜為錐狀。亦即是，藉由底部33b之內側面所形成的空間，係呈現圓錐台形狀。在圖20之(b)所示的光電子放出體33處，底部33b之內側面，係呈現凹狀球面。
當使用圖20(a)中所示之光電子放出體33的情況時，如同在圖21(a)中所示一般，相較於使用在圖18中所示之光電子放出體33的情況，光電子係以更加朝向處理框體2之中央部集中的方式而飛行。當使用圖20(b)中所示之光電子放出體33的情況時，如同在圖21(b)中所示一般，相較於使用在圖18中所示之光電子放出體33的情況，光電子係朝向處理框體2之中央部的更廣之範圍而飛行。
在圖20(c)中所示之光電子放出體33，係具備有複數之電極部分(在本變形例中，係為第1、第2以及第3電極部分58a、58b、58c)。第1電極部分58a，係具備有光電子放出部，並身為光電子放出體33之本體部。在第1電極部分58a和第2電極部分58b之間，係被配置有電性絕緣體59a，第1電極部分58a和第2電極部分58b，係藉由電性絕緣體59a而被作電性絕緣。在第2電極部分58b和第3電極部分58c之間，係被配置有電性絕緣體59b，第2電極部分58b和第3電極部分58c，係藉由電性絕緣體59b而被作電性絕緣。例如，第1電極部分58a和第3電極部分58c係被設為負的電位，第2電極部分58b係被設為接地電位。第2電極部分 58b，係亦可呈現網格形狀。在第1電極部分58a處，係被形成有使能量線源32所具備的密封容器49之突出部49b作插通的開口。在第1電極部分58a之底部，係被形成有與固定基板53相螺合之突部。
當使用圖20(c)中所示之光電子放出體33的情況時，如同在圖21(c)中所示一般，相較於使用在圖18以及圖20之(a)以及(b)中所示之光電子放出體33的情況，光電子係以更加朝向處理框體2之中央部而全體性地集中的方式而飛行。圖20(c)中所示之光電子放出體33，係如同在圖21(c)中所示一般，在電子源單元3為被設置在從處理框體2之本體部分而突出之突出部處的構成中，係為有用。於此情況，在突出部處之光電子的吸收等係被抑制，而能夠將光電子有效率地導引至電子源單元3處。亦即是，在身為光電子放出體33之本體部的第1電極部分58a和電極部11之間，由於係被配置有作用用以對於光電子作控制之光電子控制部的第2電極部分58b以及第3電極部分58c，因此係能夠對於在處理空間內之光電子的射入範圍作控制。藉由對於第1、第2以及第3電極部分58a、58b、58c之電位作變更，係能夠使光電子以並非集中而是輻散的方式來飛行。
(第4實施形態)
參考圖22~圖24，針對第4實施形態之帶電處理裝置C2的構成作說明。圖22，係為對於第4實施形態之帶 電處理裝置作展示的立體圖。圖23，係為對於電子源單元之其中一例作展示的立體圖。圖24，係為圖23中所示之電子源單元的剖面圖。
帶電處理裝置C2，係如同圖22中所示一般，具備有處理部1和電子源單元3。處理部1，係具備有處理框體2、處理室部20、供氣部21以及排氣部23。帶電處理裝置C2，係與帶電處理裝置C1相同的，能夠使並未帶電之處理對象物帶電為正或負的電位。帶電處理裝置C2，係亦能夠將正帶電有正或負的電位之處理對象物除電或者是改變為所期望之電位。
電子源單元3，係被配置在處理室部20(處理部1)內。電子源單元3，係如同在圖23中亦有所展示一般，具備有電極部11、和電子產生源30、和電流導入端子34、和窗材60、和固定基板61、和絕緣性基板62、以及凸緣63。電子產生源30，係包含有能量線源32、和光電子放出體33。
光電子放出體33，係如同在圖24中亦有所展示一般，具備有胴體部3a和一對之底部33b，並呈現使兩端被作了閉塞的筒形狀。各底部33b之內側面，係被設為平面。在胴體部33a處，係被形成有開口。光電子係從被形成於胴體部33a處之開口而被放出至電子源單元3外。
在其中一方之底部33b處，亦係被形成有開口。在被形成於底部33b處之開口處，係被設置有窗材 60，開口係藉由窗材60而被密封。窗材60，係使特定波長之能量線透過。能量線係通過窗材60而射入至光電子放出體33內。當能量線例如係為軟X線的情況時，窗材60，係由Be或Ti之薄膜等的X線透射性材料所成。當能量線源32例如係為UV光源或VUV光源的情況時，窗材60係由石英玻璃或MgF2等所成。在窗材60之朝向光電子放出體33之內側的面處，係亦可構成透射型光電面並且被形成有具備導電性之薄膜。
光電子放出體33，係隔著固定基板61以及絕緣性基板62而被設置在凸緣63處。固定基板61以及凸緣63，係具備有導電性。光電子放出體33，係藉由螺絲鎖緊而被可自由裝卸地設置在固定基板61處。光電子放出體33，係被與固定基板61作電性連接。固定基板61，係藉由螺絲鎖緊等而被可自由裝卸地設置在絕緣性基板62處。絕緣性基板62，係藉由螺絲鎖緊等而被可自由裝卸地設置在凸緣63處。在凸緣63處，係氣密性地被設置有2個的電流導入端子34a、34b。電流導入端子34a，係被與固定基板61作電性連接，並透過固定基板61而被與光電子放出體33作電性連接。電流導入端子34b，係被與固定在絕緣性基板62上的電極部11作電性連接。通過電流導入端子34a，而分別對於光電子放出體33供給用以形成後述之加速電場的電位。通過電流導入端子34b，而分別對於電極部11供給用以形成後述之加速電場的電位。加速電場，係使藉由光電子放出體33所產生了的光 電子朝向電極部11而加速。
能量線源32，係以使能量線之射出部位(例如，光射出窗等)與窗材60相對向(接觸)的方式而被作配置。能量線源32，係以被插通於被形成在固定基板61、絕緣性基板62以及凸緣63處之各貫通孔中的狀態下，而被設置於凸緣63處。能量線源32，係隔著O型環64而被氣密地設置於凸緣63處。亦可並不在被形成於光電子放出體33處之開口處設置窗材60地，而使能量線源32之能量線射出部被插入至開口中。亦可通過被形成於光電子放出體33處之開口，而僅將能量線從能量線源32來導入至光電子放出體33中。於此情況，係亦可使用O型環等，來將固定基板61和能量線源32之間作氣密密閉。
電極部11，係如同在圖23中亦有所展示一般，呈現筒形狀，並位置在胴體部33a之外周外側處。亦即是，電極部11，係以包圍胴體部33a的方式，而被配置在胴體部33a之外側處。電極部11，係藉由螺絲鎖緊等而被可自由裝卸地設置在絕緣性基板62處。電極部11，係被設為與處理室部20相同電位。電極部11，係亦可藉由與處理室部20之間的直接接觸或者是透過導電性構件所進行之電性連接，來設為與處理室部20相同電位。電極部11，係亦可藉由以另外所設置的供電構件來供給與處理室部20相同之電位，來設為與處理室部20相同電位。當所期望之電位為與凸緣36之電位相等的情況 時(例如，當進行除電的情況時)，係亦可並不設置絕緣性基板62地而將電極部11直接固定在凸緣63處。在本實施形態中，亦同樣的，電極部11，係與光電子放出體33之間作電性絕緣。
電極部11，係以與被形成於胴體部33a處之開口相對向的方式，而被設置於絕緣性基板62處。電極部11，係被配置在電子源單元3(電子產生源30)和處理對象物PO之間。電極部11之網格的大小，係被設定為光電子之通過率為高並且在電極部11之內側和外側之間的電場之滲出為極少的大小。電極部11，係亦可僅將與被形成於胴體部33a處之開口相對向的區域設置為網格狀。電子源單元3內之空間，係通過被形成於胴體部33a處之開口以及網格狀之電極部11，而與處理部1之處理室部20內的處理空間相通連。在網格中，係不僅是包含網狀之構造體，而亦包含有格子狀、多孔狀或者是多段梳齒刃狀等的構造體。網格，係為將特定之區域二維性地分割成複數之區域的構造體。當將網格狀之導電性構件作為電極部11來使用時，電極部11，係成為能夠達成電子之透過和電場之形成。
在電子源單元3處，係被形成有使藉由電子產生源30(光電子放出體33)所產生了的光電子朝向電極部11而加速之加速電場。加速電場，係藉由電極部11和光電子放出體33之間的電位差而形成。從光電子放出體33所放出的光電子，係通過被形成於胴體部33a處之 開口而被從電子源單元3導出。
帶電處理裝置C2，係具備有管狀構件65。在管狀構件65之其中一端部處，凸緣63係被可自由裝卸且氣密性地作設置。亦即是，管狀構件65，係具備有電子源單元3(光電子放出體33)所被作配置的其中一端部。凸緣63，係藉由螺絲鎖緊等而被設置在管狀構件65之其中一端部處。在凸緣63和管狀構件65之其中一端部之間，係被設置有O型環66。O型環66，係保持凸緣63之氣密狀態。管狀構件65之其中一端部，係藉由凸緣63而被作閉塞。
在管狀構件65之另外一端部處，係被設置有真空凸緣67。管狀構件65之另外一端部係被開放。管狀構件65，係藉由使真空凸緣67被裝著於處理框體2處，而被設置於處理框體2處。管狀構件65，係可自由裝卸地被設置在處理框體2處。管狀構件65以及真空凸緣67，係具備有導電性。凸緣63、管狀構件65以及真空凸緣67，例如係由不鏽鋼等所成。真空凸緣67，係可被與管狀構件65作一體性的形成，又，亦可與管狀構件65相互獨立地而被形成。
在處理框體2之被設置有管狀構件65的位置處，係被形成有開口部。在處理室部20處，亦係被形成有使被保持在管狀構件65之其中一端部側處的電極部11作插通之開口部。亦即是，管狀構件65，係以使其中一端部(電子源單元3)位置在處理框體2內並且使電極部 11位置在處理室部20內的方式，而在被插通於開口部處的狀態下，被設置在處理框體2處。故而，管狀構件65之另外一端部，係以使管狀構件65之內側空間會與處理部1(處理室部20)之外側空間相連接的方式，而被設置於處理框體2處。就算是在管狀構件65被設置於處理框體2處的狀態下，亦同樣的，管狀構件65之內側空間，係成為與處理部1之外氣相同的氣體氛圍。關於管狀構件65之長度以及在處理框體2和處理室部20處之被形成有開口部的位置，係因應於處理對象物PO之位置等而被適宜作設定。
被與電流導入端子34作連接之電源線、以及被與能量線源32作連接之電源線，係通過管狀構件65之內側空間而被導出至處理框體2外。當有必要將能量線源32冷卻的情況時，管狀構件65之內側空間，係被利用來作為將能量線源32作冷卻的流體之導入以及排出路徑。
在本實施形態中，亦同樣的，在使用有電子源單元3之帶電處理裝置C2中，係與上述之帶電處理裝置C1相同的，使處理對象物PO帶電為所期望之電位的效果係為極高。
光電子放出體33，係具備被形成有將光電子放出至電子源單元3外之開口的胴體部33a。電極部11，係呈現筒形狀，並以包圍胴體部33a的方式，而被配置在胴體部33a之外側處。藉由此些構成，係能夠將網格狀之電極部11確實地配置在電子源單元3和處理對象物PO 之間。
在本實施形態中，帶電處理裝置C2，係具備有管狀構件65，該管狀構件65係具備有電子源單元3所被作配置的其中一端部。管狀構件65之另外一端部，係以使管狀構件65之內側空間會與處理部1(處理室部20)之外側空間相連接的方式，而被設置於處理部1處。因此，係能夠將管狀構件65之內側空間，利用來作為被連接於電子源單元3處之電源線的配線空間或者是將電子源單元3作冷卻的流體之導入以及排出路徑。
接著，參考圖25，針對第4實施形態之變形例作說明。圖25，係為對於第4實施形態之變形例之除電處理裝置作展示的立體圖。
在本變形例中，係針對帶電處理裝置特別乃身為能夠將帶電有正或負的電位之處理對象物PO的帶電中和之所謂除電處理裝置的變形例作說明。處理部1，係亦可與前述之實施形態相同的而具備有處理室部20。在圖25中，為了便於作說明，係針對處理部1之處理空間為僅藉由由導電性材料所成之處理框體2來構成的態樣作展示。處理框體2(至少處理框體2之內表面)和電極部11，係以能夠設定為所期望之帶電中和準位(例如接地電位)的方式，來構成之。因此，不論是帶電為正或負之何者的處理對象物PO，均能夠使其成為所期望之帶電中和準位(例如接地電位)。所謂除電處理，係指帶電為所期望之帶電中和準位的帶電處理。本變形例之除電處理裝置 的動作機構，係與前述之帶電處理裝置之動作機構相同。
在圖25所示之除電處理裝置NA2中，管狀構件65係為可彎折之可撓性管。當管狀構件65乃身為可撓性管的情況時，係能夠自由地設定在處理框體2內之電子源單元3的位置。例如，當起因於裝置之構成上的原因，而在對於處理框體2內進行除電處理時係會存在有障礙物69的情況時，係能夠避開障礙物69並使電子源單元3位置於處理對象物PO之近旁處。
(第5實施形態)
參考圖26以及圖27，針對第5實施形態之除電處理裝置NA3的構成作說明。圖26，係為對於第5實施形態之除電處理裝置作展示的立體圖。圖27，係為對於電子源單元之其中一例作展示的立體圖。第5實施形態之除電處理裝置NA3，在並未具備有管狀構件65一點上，係與圖25中所示之除電處理裝置NA2相異。
除電處理裝置NA3，係如同圖26中所示一般，具備有處理部1和電子源單元3。處理部1，係具備有處理框體2、供氣部21以及排氣部23。
電子源單元3，係被配置在處理框體2(處理部1)內。電子源單元3，係具備有電子產生源5(陰極6)、和電極部11、和複數之電流導入端子71、73、77、和基板74、和蓋體75、以及絕緣性基板76。
陰極6之其中一端部，係被與電流導入端子 71作電性連接。陰極6之另外一端部，係被與具備有導電性之支持銷72作連接。藉由此，陰極6係被架設為直線狀。支持銷72，係被與電流導入端子73作電性連接，陰極6之另外一端部，係透過支持銷72而被與電流導入端子73作電性連接。一對之電流導入端子71、73，係被氣密性地設置在具備有導電性之基板74處。
在電子源單元3內，係藉由被供給至陰極6處之電位，而被形成有使藉由陰極6所產生的熱電子朝向電極部11而加速之加速電場。加速電場，係藉由電極部11和陰極6之間的電位差而形成。一對之電流導入端子71、73，係作為對於電子產生源5(陰極6)供給電位之供電部而起作用。
蓋體75，係具備有導電性。蓋體75，係呈現有底筒形狀，並以包圍陰極6以及支持銷72的方式，而被配置在陰極6和電極部11之間。蓋體75之剖面，係並不被限定於圓形，而亦可為多角形。在蓋體75處，係被形成有開口75a。熱電子係從被形成於蓋體75處之開口75a而被放出至電子源單元3外。蓋體75，係於開口端側處而被設置在絕緣性基板76處。絕緣性基板76，係被設置在基板74處。蓋體75，係被與基板74作電性絕緣。
電極部11，係以包圍蓋體75並且將蓋體75全體作收容的方式，而被配置在蓋體75之外側處。故而，電極部11，係以包圍陰極6的方式，而被配置在陰極6之外側處。電極部11，係與陰極6之間作電性絕 緣。電極部11，係亦可僅將與被形成於蓋體75處之開口75a相對向的區域設置為網格狀。電極部11，係透過未圖示之供電構件(例如，對應於真空之纜線)而被與處理框體2作電性連接。例如，被固定並且電性連接有電極部11之基板74、和真空凸緣80，係透過對應於真空之纜線的外側之被覆網線而被作電性連接，並且真空凸緣80係被固定在處理框體2處。藉由使真空凸緣80被固定於處理框體2處，真空凸緣80和處理框體2係被作電性連接。藉由此些構成，電極部11和處理框體2係被作電性連接。
蓋體75，係被與電流導入端子77作電性連接。電流導入端子77，係被氣密性地設置於基板74處。在蓋體75處，係透過電流導入端子77而被供給有較陰極6之電位更小的電位或者是與陰極6之電位同等的電位。在絕緣性基板76處，係被形成有使各電流導入端子71、73、77作插通之貫通孔。
各電流導入端子71、73、77，係分別透過對應於真空之纜線78，而被與所對應之電流導入端子79作電性連接。各電流導入端子79，係被氣密性地設置在真空凸緣80處。真空凸緣80，係可自由裝卸地被設置在處理框體2處。在處理框體2之被設置有真空凸緣80的位置處，係被形成有開口部。真空凸緣80，係在以會使電子源單元3以及各纜線78位置在處理框體2內的方式而被從開口部來作了插通的狀態下，被設置在處理框體2 處。亦即是，電子源單元3，係藉由各纜線78，而以從真空凸緣80來作了吊下的狀態而位置在處理框體2內。
在本實施形態中，亦同樣的，在使用有電子源單元3之除電處理裝置NA3中，與上述之帶電處理裝置C1、C2以及除電處理裝置NA1、NA相同的，能夠使處理對象物PO帶電為所期望之電位(能夠將處理對象物PO除電)的效果係為極高。
在本實施形態中，電子源單元3，由於係藉由各纜線78而被吊下，因此係能夠自由地設定在處理框體2內之電子源單元3的位置。其結果，係能夠將處理對象物PO確實地除電。
在本實施形態中，被形成有開口75a之蓋體75，係以包圍陰極6的方式，而被配置在陰極6和電極部11之間。熱電子係從陰極6而以輻射狀被放出。當蓋體75係身為陰極6之電位以下的電位、亦即是係身為與陰極6之電位同等之電位或者是較陰極6之電位更小之電位的情況時，係形成會使從陰極6所放出之熱電子以良好效率來朝向被形成於蓋體75處之開口75a的電場。因此，係能夠從開口75a而以良好效率來將熱電子放出。
電極部11，係呈現筒形狀，並以包圍陰極6(蓋體75)的方式，而被配置在陰極6(蓋體75)之外側處。藉由此，係能夠將網格狀之電極部11確實地配置在電子源單元3和處理對象物PO之間。
接著，參考圖28，針對被使用在除電處理裝 置NA3中的電子源單元3之變形例作說明。圖28，係為對於被使用在除電處理裝置中的電子源單元之變形例作展示的立體圖。
圖28中所示之電子源單元3，係具備有陰極6、和電極部11、和一對的電流導入端子81、82、以及一對的基板83。陰極6之兩端部，係被與一對之電流導入端子81、82作電性連接。陰極6，係在一對之電流導入端子81、82之間而延伸為直線狀。呈現筒形狀之電極部11，係以包圍陰極6的方式，而被配置在陰極6之外側處。一對之電流導入端子81、82，係作為對於電子產生源5(陰極6)供給電位之供電部而起作用。
在陰極6所延伸的方向上之電極部11之兩端部，係被與一對之基板83作電性連接。各基板83，係在與所對應之電流導入端子81、82相互電性絕緣的狀態下而被設置。一對之基板83，係透過未圖示之供電構件(例如，對應於真空之纜線)而被與處理框體2作電性連接。例如，基板83和真空凸緣80，係透過對應於真空之纜線的外側之被覆網線而被作電性連接，並且真空凸緣80係被固定在處理框體2處。藉由此，電極部11和處理框體2，係透過一對之基板83以及未圖示之供電構件(例如，對應於真空之纜線)，而被相互作電性連接。
各電流導入端子81、82，係分別透過對應於真空之纜線85，而被與所對應之電流導入端子86作電性連接。各電流導入端子86，係被氣密性地設置在真空凸 緣80處。雖係省略圖示，但是，真空凸緣80，係與上述之第5實施形態中之真空凸緣80相同的，而可自由裝卸地被設置在處理框體2處。在處理框體2之被設置有真空凸緣80的位置處，係被形成有開口部。真空凸緣80，係在以會使電子源單元3以及各纜線85位置在處理框體2內的方式而被從開口部來作了插通的狀態下，被設置在處理框體2處。亦即是，電子源單元3，係藉由各纜線85，而以從真空凸緣80來作了吊下的狀態而位置在處理框體2內。
在本變形例中，亦同樣的，電子源單元3，由於係藉由各纜線85而被吊下，因此係能夠自由地設定在處理框體2內之電子源單元3的位置。其結果，係能夠將處理對象物PO確實地除電。
熱電子係從陰極6而以輻射狀被放出。因此，係能夠在廣範圍中而產生正以及負的荷電粒子，而能夠以廣範圍來進行除電處理。
接著，參考圖29~圖31，針對本實施形態之帶電處理裝置的適用例作說明。圖29~圖31，係為用以對於帶電處理裝置之適用例作說明之圖。
在圖29中，本實施形態之帶電處理裝置，係被適用於在薄膜F之表面上成膜功能性膜(例如，反射防止膜或氣體阻障膜等)的裝置90中。裝置90，係位置在處理框體2內。電子源單元3，係被配置在成膜部91之前段處，並將成膜前之薄膜F除電。
在圖30中，本實施形態之帶電處理裝置，係被適用於濺鍍裝置92中。濺鍍裝置92，係具備有保持靶材T之靶材支持器93、磁場產生用之磁鐵94、以及保持成膜對象物(例如，Si晶圓等)之電極95。本實施形態之帶電處理裝置，係在進行濺鍍之前，將成膜對象物除電。電子源單元3，係亦可位置在處理框體2內。
在圖31中，本實施形態之帶電處理裝置，係被適用於硬碟媒體用之基板96的除電處理裝置97中。基板96，例如係由Al或玻璃所成。在除電處理裝置97中，基板96係被保持於媒體支持器98處。在藉由除電處理裝置97而作了除電的基板96處，係藉由成膜裝置而被形成有由磁性體等所成之薄膜。在本適用例中，亦同樣的。電子源單元3，係亦可位置在處理框體2內。
以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明係並非絕對為被限定於上述之實施形態，在不脫離其之要旨的範圍內，係可作各種之變更。
例如，電子源單元3，係亦可具備有複數之電子產生源5。電子產生源5，係亦可包含有複數之陰極6。電子產生源30，係亦可包含有複數之能量線源32。帶電處理裝置C1、C2以及除電處理裝置NA1~NA3，係亦可具備有複數之電子源單元3。
如同圖32中所示一般，電子源單元3和處理部1，係亦可構成將此些作了一體化的帶電處理單元CU。亦即是，帶電處理單元CU，係具備有電子源單元3 和處理部1。在本例中，處理部1，係為用以將電子源框體7之外側空間設為處理空間的構件。圖32，係為對於帶電處理單元作展示之立體圖。在處理部1之其中一端側處，係被固定有電子源單元3，並且，在處理部1之另外一端側處，係被形成有開口部1a。開口部1a，係為用以將處理對象物(未圖示)導入至處理室部1內之導入部。帶電處理，例如，係以藉由處理部1而覆蓋處理對象物的方式，來在使處理對象物被處理部1所被覆的狀態下而進行。處理部1，係被設為與電極部11相同之所期望的電位。
在帶電處理單元CU中，係能夠容易地進行對於處理部1內之處理對象物的導入以及導出。處理部1，由於係與電極部11相同的而被設為所期望之電位，因此係能夠在處理部1內適當地形成處理空間。
當處理對象物之周圍為與處理部1相同電位的情況時，係亦可藉由將處理部1被覆在處理對象物上的方式，來藉由與處理部1相同電位之構件而覆蓋開口部1a。例如，係亦可構成為：處理對象物係被配置在與處理部1相同電位之處理台上，並對於該處理台而被覆處理部1。處理部1和處理台，係只要以能夠在處理室部1內而安定地產生電場的方式來充分地相互接近即可。又，處理部1和處理台，係亦可相互作接觸。成為導入部之開口部1a，係並不被限定於與電子產生源5相對向之面，而例如亦可設置在側面等的與電子源框體7間之接合部以外之部 位處。與電子產生源5相對向之面(在圖32中之相當於開口部1a之面)，係亦可藉由與處理部1相同電位之構件而被作覆蓋。
為了將處理部1之內部空間設為包含有荷電粒子形成用氣體之特定之壓力氛圍，係亦可將被配置有帶電處理單元CU之帶電處理部的內部空間自身設為特定之壓力氛圍。又，係亦可藉由未圖示之荷電粒子形成用氣體供給部(以及排氣部)，來將處理部1內設為特定之壓力氛圍。於前者的情況時，處理部1，係亦能夠以容易與帶電處理部之內部空間相通連的方式，而設置有網格部。於後者的情況時，如同在圖32中亦有所展示一般，處理部1，係亦能夠由以在處理部1之內側而形成被與帶電處理部之內部空間作了區劃之空間的方式而將內側空間作包圍之壁狀構件所構成。
當將電極部11和處理部1設為相同電位的情況時，電極部11和處理部1係亦可直接作接觸。電極部11和處理部1，係亦可藉由中介有導電性構件而被作電性連接。電極部11和處理部1，係亦可構成為相互透過個別之供電路徑而被供給有相同之電位。電極部11，係亦可藉由被與處理部1一體性地形成，而被與電子源框體7作連接。亦能夠以使電極部11以及處理部1被與電子源框體7相互絕緣並且在電極部11以及處理部1處被供給有所期望之電位的方式，來例如將電極部11以及處理部1隔著絕緣構件而固定在電子源框體7處並且將供電路徑 連接於電極部11以及處理部1處。依存於所期望之電位之值，電極部11以及處理部1，係亦能夠以與電子源框體7成為相同電位的方式而直接固定在電子源框體7處。
圖33中所示之處理部1，係具備有開口部1a、和用以將處理對象物(未圖示)從處理部1而導出之開口部(導出部)1b。一對之開口部1a、1b，係以相互對向的方式而被作配置。處理部1處之與電子產生源5相對向的部位，係被作閉塞。係亦可在一對之開口部1a、1b之間，使連續之處理對象物或者是被搭載在連續之台座(未圖示)上的處理對象物移動。藉由此，係能夠連續地進行處理對象物之帶電處理。
開口部1a、1b之大小(開口面積)，係亦可設定為儘量接近於處理對象物之大小的大小。當處理對象物為被搭載於台座上的情況時，開口部1a、1b之大小，係亦可設定為儘量接近於包含有上述台座之大小的大小。於此情況，存在於處理部1之周邊處的其他電場從開口部1a、1b而侵入至處理部1內的情形係被作抑制。藉由此，係能夠對於對處理部1內之處理區域的電場造成影響之情形作抑制。
開口部1a、1b之數量，係並不被限定於一對。處理部1，係亦可具備有複數對之開口部1a、1b。複數對之開口部1a、1b，係可配置為當從處理對象物之導入方向(導出方向)作觀察時會如同左右並排一般之位置。於此情況，係能夠並行地進行複數之處理對象物之帶 電處理。
圖34中所示之處理部1，係具備有以相互分離的方式而被作了配置的2個的構件101、103。2個的構件101、103，例如係為使一面作了開口的箱狀之構件，並被設為相同電位。在構件103處之與電子產生源5相對向的部位，係被作閉塞。在2個的構件101、103之間，使連續之處理對象物(未圖示)或者是被搭載在連續之台座(未圖示)上的處理對象物移動。亦即是，藉由使處理對象物位置在2個的構件101、103之間，2個的構件101、103係包圍處理對象物。藉由此，係能夠連續地進行具備有更大的尺寸之處理對象物之帶電處理。
2個的構件101、103之間隔，係亦可設定為儘量接近於處理對象物之大小(厚度)的大小。當處理對象物為被搭載於台座上的情況時，2個的構件101、103之間隔，係亦可設定為儘量接近於包含有上述台座之大小(厚度)的大小。於此情況，存在於處理部1之周邊處的其他電場從2個的構件101、103之間而侵入至處理部1內的情形係被作抑制。藉由此，係能夠對於對處理部1內之處理區域的電場造成影響之情形作抑制。亦可相對於處理對象物之寬幅，而將2個的構件101、103之寬幅設定為更大。在2個的構件101、103之間，係亦可將複數之處理對象物在橫方向上作並排，並同時進行帶電處理。
[產業上之利用可能性]
本發明，係可利用在使處理對象物帶電為所期望之電位之帶電處理裝置的電子源單元中。
3‧‧‧電子源單元
5‧‧‧電子產生源
6‧‧‧陰極
6a‧‧‧導電性構件
6b‧‧‧被覆層
7‧‧‧電子源框體
7a‧‧‧胴體部
7b‧‧‧開口部
8‧‧‧電極
9‧‧‧導出電極
10‧‧‧玻璃管
11‧‧‧電極部
VF‧‧‧真空凸緣

Claims (20)

  1. 一種電子源單元，係被使用在用以使處理對象物帶電為所期望之電位的帶電處理裝置中，並激勵存在於前述處理對象物所位置之處理空間中的荷電粒子形成用氣體之分子，該電子源單元，係具備有：使電子產生之電子產生源；和對於前述電子產生源供給電位之供電部；和收容前述電子產生源之框體；和以將前述框體之外側空間和前述框體內之前述電子產生源所位置的空間作區隔的方式而配置，並使藉由前述電子產生源所產生的電子朝向前述框體之外側空間而通過，並且被設為前述所期望之電位的網格狀之電極部。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之電子源單元，其中，前述框體，係包含有與前述框體之外側空間相通連的開口部，前述電極部，係以覆蓋前述開口部的方式而被配置在前述框體處。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之電子源單元，其中，前述框體，係當平面性觀察時具備有長邊方向和短邊方向，前述電子產生源，係沿著前述框體之長邊方向而延 伸。
  4. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之電子源單元，其中，前述電子產生源，係包含放出熱電子之陰極。
  5. 如申請專利範圍第4項所記載之電子源單元，其中，前述陰極，係包含有：由包含銥之材料所成之基材部、和覆蓋前述基材部之表面的由包含釔氧化物之材料所成之被覆部。
  6. 如申請專利範圍第4項所記載之電子源單元，其中，前述電極部，係呈現筒形狀，並以包圍前述陰極的方式而被配置在前述陰極之外側。
  7. 如申請專利範圍第6項所記載之電子源單元，其中，係更具備有：以包圍前述陰極的方式而被配置在前述陰極和前述電極部之間，並且具有導電性之蓋體，在前述蓋體處，係被形成有將熱電子放出至前述蓋體外之開口，前述蓋體，係被設為前述陰極之電位以下的電位。
  8. 如申請專利範圍第1~3項中之任一項所記載之電子源單元，其中，前述電子產生源，係包含有射出特定波長之能量線的能量線源、和藉由前述特定波長之能量線的射入而將光電子放出至外部的光電子放出體。
  9. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，前述能量線源，係以不會使從前述電子產生源起而朝 向前述處理空間之光電子射入軸和前述能量線源之能量線射出軸成為同軸的方式，來作配置。
  10. 如申請專利範圍第9項所記載之電子源單元，其中，前述能量線源，係以會使前述光電子射入軸和前述能量線射出軸相互交叉的方式來作配置，前述光電子放出體，係包含有相對於前述能量線射出軸而傾斜的傾斜面。
  11. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，前述特定波長之能量線，係包含真空紫外光。
  12. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，係更進而具備有：被配置在前述能量線源和前述光電子放出體之間，並被設為與前述光電子放出體之電位同等之電位的網格狀之電極部。
  13. 如申請專利範圍第8項或第12項所記載之電子源單元，其中，係更進而具備有：被配置在前述能量線源和前述光電子放出體之間，並使前述特定波長之能量線透過的窗材，藉由前述窗材，在前述框體中之收容有前述光電子放出體之空間係被作氣密密封。
  14. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，係更進而具備有：使前述特定波長之能量線透過之窗 材，在前述窗材之其中一面上，係被形成有構成透過型光電面並且具有導電性之薄膜，前述窗材，係以會使前述薄膜和前述光電子放出體成為同等之電位的方式，而被配置在前述能量線源和前述光電子放出體之間。
  15. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，前述光電子放出體，係具備有胴體部和底部，並呈現被形成有用以導入前述特定波長之能量線的開口之有底筒形狀。
  16. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，係更進而具備有：被配置在前述光電子放出體和前述電極部之間的用以控制前述光電子之光電子控制部。
  17. 如申請專利範圍第8項所記載之電子源單元，其中，前述光電子放出體，係具備被形成有放出光電子之開口的胴體部，前述電極部，係呈現筒形狀，並以包圍前述胴體部的方式而被配置在前述胴體部之外側。
  18. 一種帶電處理單元，係具備有如申請專利範圍第1項或第2項所記載之帶電處理裝置、和用以將前述框體之前述外側空間作為處理空間之處理部，前述處理部，係具備有將前述處理對象物導入至前述 處理空間中之導入部，並被設為前述所期望之電位。
  19. 如申請專利範圍第18項所記載之帶電處理單元，其中，前述處理部，係更進而具備有以與前述導入部相對向之方式而被作配置並將前述處理對象物從前述處理部導出之導出部。
  20. 如申請專利範圍第18項所記載之帶電處理單元，其中，前述處理部，係具備有以相互分離的方式所配置之2個的構件，從前述2個的構件之間來將前述處理對象物導入至前述處理空間中。
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