JPH01128337A - 電子銃の放電洗浄装置 - Google Patents
電子銃の放電洗浄装置Info
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- JPH01128337A JPH01128337A JP28333887A JP28333887A JPH01128337A JP H01128337 A JPH01128337 A JP H01128337A JP 28333887 A JP28333887 A JP 28333887A JP 28333887 A JP28333887 A JP 28333887A JP H01128337 A JPH01128337 A JP H01128337A
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- JP
- Japan
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- electron gun
- filament
- wehnelt
- hot cathode
- anode
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- Pending
Links
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 235000002595 Solanum tuberosum Nutrition 0.000 description 1
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Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電子顕微鏡の電子銃に好適なセルフクリーニ
ング形の放電洗浄装置に関する。
ング形の放電洗浄装置に関する。
従来の電子銃は、「走査電子顕微鏡の基礎と応用」 (
共立出版)の第11頁に記載されているように、アノー
ドやウェーネルト等の電子銃構成部品が汚れた場合、装
置を停止させ、該構成部品を取り外して、溶剤等でクリ
ーニングしていた。また、従来の放電洗浄機構を組み込
むには、鏡筒内のスペースがなかった。
共立出版)の第11頁に記載されているように、アノー
ドやウェーネルト等の電子銃構成部品が汚れた場合、装
置を停止させ、該構成部品を取り外して、溶剤等でクリ
ーニングしていた。また、従来の放電洗浄機構を組み込
むには、鏡筒内のスペースがなかった。
上記のように、鏡筒内に放電洗浄機構をそのまま組み込
むことはスペースの関係で不可能であった。このため、
従来電子銃部品の洗浄は部品を取り出して行う定期的な
保守に依らざるを得なかった。
むことはスペースの関係で不可能であった。このため、
従来電子銃部品の洗浄は部品を取り出して行う定期的な
保守に依らざるを得なかった。
本発明の目的は、電子銃の構成部品を利用することによ
り、限られたスペースで鏡筒内の放電洗浄を行い、電子
銃のセルフクリーニングを達成することにある。
り、限られたスペースで鏡筒内の放電洗浄を行い、電子
銃のセルフクリーニングを達成することにある。
上記目的は、グローモードプラズマ源の熱陰極フィラメ
ントとして電子銃の熱陰極フィラメントを利用し、陽極
としては電子銃のウェーネルトを利用することにより、
達成される。ただし、ウェーネルトは電子ビーム通過孔
の周囲をメツシュ構造とし、プラズマが電子銃のアノー
ドまで達することができる構造とする。また、このメツ
シュは電子ビームの軸に対して対称形とし、通常のウェ
ーネルトと同一の電子ビーム集束作用を有する。
ントとして電子銃の熱陰極フィラメントを利用し、陽極
としては電子銃のウェーネルトを利用することにより、
達成される。ただし、ウェーネルトは電子ビーム通過孔
の周囲をメツシュ構造とし、プラズマが電子銃のアノー
ドまで達することができる構造とする。また、このメツ
シュは電子ビームの軸に対して対称形とし、通常のウェ
ーネルトと同一の電子ビーム集束作用を有する。
上記手段を採用したことにより、鏡筒内を高真空排気し
ている状態で、熱陰極フィラメントに加速電圧を印加し
、ウェーネルトには熱陰極フィラメントより少し低い電
圧を印加すると、フィラメントから放出された電子が、
ウェーネルトで集束されアノードまで加速され、通常の
電子ビーム照射状態となるが、ウェーネルトをアース電
位をアノードよりもわずかに高電位にし、熱陰極フィラ
メントを適当な電圧にし、鏡筒内にArガスを導入し約
10−’Paにすると、熱陰極フィラメントから放出さ
れた電子はウェーネルトにより加速され、このメツシュ
を通過して、Arガスを電離し、鏡筒内にグローモード
プラズマを発生させ、電子銃の洗浄が可能となる。この
結果、放電洗浄による電子銃のセルフクリーニングが可
能となる。
ている状態で、熱陰極フィラメントに加速電圧を印加し
、ウェーネルトには熱陰極フィラメントより少し低い電
圧を印加すると、フィラメントから放出された電子が、
ウェーネルトで集束されアノードまで加速され、通常の
電子ビーム照射状態となるが、ウェーネルトをアース電
位をアノードよりもわずかに高電位にし、熱陰極フィラ
メントを適当な電圧にし、鏡筒内にArガスを導入し約
10−’Paにすると、熱陰極フィラメントから放出さ
れた電子はウェーネルトにより加速され、このメツシュ
を通過して、Arガスを電離し、鏡筒内にグローモード
プラズマを発生させ、電子銃の洗浄が可能となる。この
結果、放電洗浄による電子銃のセルフクリーニングが可
能となる。
以下、本発明の一実施例を第1図と第2図により説明す
る。第1図において、熱電子放出形電子銃が、フィラメ
ント1、ウェーネルト2、接地されたアノード4.鏡筒
5、これらを絶縁させるための碍子3、フィラメント回
路9、バイアス回路11及び加速電圧電源12から構成
される。さらに、本発明を実施するために、バイアス回
路10、グロー放電用電源13、切換スイッチ7及び8
、リークバルブ6を追加し、鏡筒5内全体にグローモー
ドプラズマを形成させるために、該ウェーネルト2の電
子線通過孔の周囲をメツシュ15構造とする(第2図に
ウェーネルト2の詳細を示す)。
る。第1図において、熱電子放出形電子銃が、フィラメ
ント1、ウェーネルト2、接地されたアノード4.鏡筒
5、これらを絶縁させるための碍子3、フィラメント回
路9、バイアス回路11及び加速電圧電源12から構成
される。さらに、本発明を実施するために、バイアス回
路10、グロー放電用電源13、切換スイッチ7及び8
、リークバルブ6を追加し、鏡筒5内全体にグローモー
ドプラズマを形成させるために、該ウェーネルト2の電
子線通過孔の周囲をメツシュ15構造とする(第2図に
ウェーネルト2の詳細を示す)。
該メツシュ15は電子線中心軸17に対して、放射状に
拡がる導線と同心円の導線から成っているため、ウェー
ネルト2のまわりに発生する静電ポテンシャルは軸対称
になり、通常のウェーネルトと同一の電子ビーム集束作
用がある。
拡がる導線と同心円の導線から成っているため、ウェー
ネルト2のまわりに発生する静電ポテンシャルは軸対称
になり、通常のウェーネルトと同一の電子ビーム集束作
用がある。
上記のような構成をとることにより、次のような鏡筒5
内での電子銃の放電洗浄の動作が可能になる。鏡筒5内
を10−2〜10−’Paに高真空排気し、切換スイッ
チ7及び8をa側に接続すると、フィラメント回路9に
より加熱されたフィラメント1から放出された熱電芋は
加速電圧電源12により、−1〜−30KVでアノード
4まで加速される。ウェーネルト2は、バイアス回路1
1によりフィラメント1に対してわずかに負の電圧が印
加され、熱電子ビームを集束させる。つまり、電子顕微
鏡の電子源となる。一方、放電洗浄を行う時は、リーク
バルブ6を開けて、Arガスを導入し鏡筒5内を10″
″IPa程度にし、切換スイッチ7及び8をa側に接続
すると、フィラメント1から放出された熱電子は、グロ
ー放電用電源13により一敗百V〜−IKVの電圧が印
加されたフィラメント1とバイアス回路10によりアー
ス14に対して70〜500Vの電圧が印加されたウェ
ーネルト2の間で加速され、メツシュ15を通過してA
rガスを電離する。こうして、鏡筒5内にグローモード
プラズマが形成され、Arイオンによる電子銃の放電洗
浄が達成される。
内での電子銃の放電洗浄の動作が可能になる。鏡筒5内
を10−2〜10−’Paに高真空排気し、切換スイッ
チ7及び8をa側に接続すると、フィラメント回路9に
より加熱されたフィラメント1から放出された熱電芋は
加速電圧電源12により、−1〜−30KVでアノード
4まで加速される。ウェーネルト2は、バイアス回路1
1によりフィラメント1に対してわずかに負の電圧が印
加され、熱電子ビームを集束させる。つまり、電子顕微
鏡の電子源となる。一方、放電洗浄を行う時は、リーク
バルブ6を開けて、Arガスを導入し鏡筒5内を10″
″IPa程度にし、切換スイッチ7及び8をa側に接続
すると、フィラメント1から放出された熱電子は、グロ
ー放電用電源13により一敗百V〜−IKVの電圧が印
加されたフィラメント1とバイアス回路10によりアー
ス14に対して70〜500Vの電圧が印加されたウェ
ーネルト2の間で加速され、メツシュ15を通過してA
rガスを電離する。こうして、鏡筒5内にグローモード
プラズマが形成され、Arイオンによる電子銃の放電洗
浄が達成される。
従って、本発明によれば、電子銃の電極を用いることに
より、熱電子放出形電子銃の放電洗浄が鏡筒内で可能と
なったため、アノード、ウェーネルト等の電子銃部品の
汚れも除去出来るので、これらを鏡筒から取り出して行
う従来のクリーニング作業が不要となり、クリーニング
が短時間化するという効果がある。また、ウェーネルト
はメツシュ構造としたため、汚れにくくなるという効果
がある。
より、熱電子放出形電子銃の放電洗浄が鏡筒内で可能と
なったため、アノード、ウェーネルト等の電子銃部品の
汚れも除去出来るので、これらを鏡筒から取り出して行
う従来のクリーニング作業が不要となり、クリーニング
が短時間化するという効果がある。また、ウェーネルト
はメツシュ構造としたため、汚れにくくなるという効果
がある。
第1図は本発明の一実施例の概略図、第2図は第1図に
示す実施例におけるウェーネルトの詳細図である。 1・・・フィラメント、2・・・ウェーネルト、3・・
・絶縁物、4・・・アノード、5・・・鏡筒、6・・・
リークバルブ、7・・・切換スイッチ、8・・・切換ス
イッチ、9・・・フィラメント回路、10・・・バイア
ス回路、11・・・バイアス回路、12・・・加速電圧
電源、13・・・グロー放電用電源、14・・・アース
、15・・・メツシュ、16・・・ウェーネルト取付用
孔、17・・・電子ビーム中心第1図
示す実施例におけるウェーネルトの詳細図である。 1・・・フィラメント、2・・・ウェーネルト、3・・
・絶縁物、4・・・アノード、5・・・鏡筒、6・・・
リークバルブ、7・・・切換スイッチ、8・・・切換ス
イッチ、9・・・フィラメント回路、10・・・バイア
ス回路、11・・・バイアス回路、12・・・加速電圧
電源、13・・・グロー放電用電源、14・・・アース
、15・・・メツシュ、16・・・ウェーネルト取付用
孔、17・・・電子ビーム中心第1図
Claims (1)
- 1、熱陰極フィラメント、該フィラメント加熱回路、加
速電圧電源回路、ウエーネルト、該ウエーネルトにフィ
ラメントに対して負電圧を印加するバイアス回路及びア
ノードで構成される熱電子放出形電子銃使用装置におい
て、該熱陰極フィラメントにグロー放電用電源回路を、
また、該ウエーネルトに該アノードに対して正電圧を印
加するバイアス回路を接続して該熱陰極フィラメントと
該ウエーネルトをそれぞれ、グロー放電のための陰極と
陽極とし、該ウエーネルトは電子線通過穴の周囲をメッ
シュ構造とし、且つ、気体導入源を設けたことを特徴と
する電子銃の放電洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28333887A JPH01128337A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 電子銃の放電洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28333887A JPH01128337A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 電子銃の放電洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01128337A true JPH01128337A (ja) | 1989-05-22 |
Family
ID=17664186
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28333887A Pending JPH01128337A (ja) | 1987-11-11 | 1987-11-11 | 電子銃の放電洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01128337A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100496809B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2005-09-06 | 인천광역시 | 플라즈마방전에의한배가스처리장치 |
US20110084219A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Method and apparatus of pretreatment of an electron gun chamber |
JP2013098143A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン源電極のクリーニング装置 |
WO2016039315A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子源ユニット及び帯電処理ユニット |
RU2777038C1 (ru) * | 2021-12-17 | 2022-08-01 | Публичное акционерное общество "Электромеханика" | Газоразрядная электронно-лучевая пушка |
-
1987
- 1987-11-11 JP JP28333887A patent/JPH01128337A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100496809B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2005-09-06 | 인천광역시 | 플라즈마방전에의한배가스처리장치 |
US20110084219A1 (en) * | 2009-10-13 | 2011-04-14 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Method and apparatus of pretreatment of an electron gun chamber |
US8878148B2 (en) * | 2009-10-13 | 2014-11-04 | Ict Integrated Circuit Testing Gesellschaft Fur Halbleiterpruftechnik Mbh | Method and apparatus of pretreatment of an electron gun chamber |
JP2013098143A (ja) * | 2011-11-07 | 2013-05-20 | Nissin Ion Equipment Co Ltd | イオン源電極のクリーニング装置 |
WO2016039315A1 (ja) * | 2014-09-12 | 2016-03-17 | 浜松ホトニクス株式会社 | 電子源ユニット及び帯電処理ユニット |
RU2777038C1 (ru) * | 2021-12-17 | 2022-08-01 | Публичное акционерное общество "Электромеханика" | Газоразрядная электронно-лучевая пушка |
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