JP6330675B2 - 車両用回転電機 - Google Patents

Description

本発明は、発電機能を有する車両用回転電機に関する。

回転電機の発電動作中、発電電力は、回転電機の出力端子と電気負荷やバッテリ等とを接続する配線を介して、電気負荷やバッテリ等に供給される。回転電機の発電動作中に、上記配線が出力端子から外れる出力端子外れや、上記配線がバッテリ端子から外れる負荷遮断が起こると、ロードダンプと呼ばれる過渡的な高電圧が発生する。このようなロードダンプの発生時には、ローサイドスイッチング素子をオンオフして、電力を消費しつつ出力電圧を所定範囲に維持する種々の技術が提案されている。

例えば、特許文献１に記載の車両用回転電機では、励磁中と判断した場合には、ローサイドスイッチング素子のオフ時間を長くしている。端子外れ発生時には、出力端子に出力端コンデンサが接続されていないため、レギュレータ回路内の小容量の内部コンデンサから励磁電流が流れる。そのため、オフ時間が短いと、内部コンデンサの端子間電圧である出力電圧が回復しないまま急低下して、発電を継続しようとし、ロードダンプの収束に要する時間が長くなる。上記車両用回転電機では、ローサイドスイッチング素子のオフ時間を長くすることにより、小容量の内部コンデンサから励磁電流が流れている場合でも、ロードダンプの収束に要する時間を抑制している。

特開２０１４−１６５９８３号公報

出力端コンデンサの容量が小さい場合、負荷遮断発生時において、ローサイドのスイッチング素子のオフ時間を長くすると、オフ時間中に出力端コンデンサの端子間電圧が大きく上昇する。負荷遮断発生時には、回転電機の出力端子に接続されている出力端コンデンサの端子間電圧が電気負荷に印加されるため、端子間電圧が大きく上昇すると、電気負荷を破損するおそれがある。そのため、出力端コンデンサの容量が小さい場合には、負荷遮断と出力端子外れとで、それぞれに適した制御を実施することが望ましい。

しかしながら、出力端コンデンサの容量が小さい場合、出力端コンデンサの容量が内部コンデンサの容量に近づくため、負荷遮断発生時における出力電圧の変化速度が、出力端子外れ発生時における出力電圧の変化速度に近くなる。よって、出力端コンデンサの容量が小さい場合、ロードダンプ発生時の出力電圧の変化速度から、負荷遮断と出力端子外れとを区別することは困難である。

本発明は、上記実情に鑑み、ロードダンプの原因を適切に判別して、それぞれに適した制御を実施可能な車両用回転電機を提供することを主たる目的とする。

本発明は、上記課題を解決するため、車両用回転電機であって、回転子の界磁極を磁化させる界磁巻線と、前記界磁極によって発生する回転磁界により交流電圧を発生する複数相の電機子巻線と、上アーム及び下アームを有し、前記下アームが前記電機子巻線に接続されたスイッチング素子により構成されたブリッジ回路であって、前記交流電圧を整流して出力する整流回路と、前記整流回路の出力電圧と調整電圧との比較に基づいて、前記界磁巻線に供給する励磁電流を調整する発電制御装置と、前記スイッチング素子のオンオフを制御するスイッチング制御装置と、を備え、前記スイッチング制御装置は、前記整流回路の出力電圧が、ロードダンプの発生を判別する第１閾値を超えた場合に、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオン状態に切り替える保護操作手段と、前記保護操作手段により前記スイッチング素子がオン状態に切り替えられた後、所定のオフ時間の間、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオフ状態にする解除操作手段と、前記整流回路から発電電力を出力中に、前記保護操作手段により前記スイッチング素子がオン状態に切り替えられた後、前記出力電圧が第２閾値未満になっている状態を落ち込み状態として検出するとともに、前記落ち込み状態の継続時間である落ち込み時間を検出する落ち込み検出手段と、前記落ち込み検出手段により検出された前記落ち込み時間に応じて、前記オフ時間の長さを設定するオフ時間設定手段と、を備える。

本発明によれば、ロードダンプが発生して、出力電圧が第１閾値を超えた場合に、下アームのスイッチング素子がオン状態にされ、出力電圧が低下させられる。その後、所定のオフ時間の間、下アームのスイッチング素子がオフされる。これにより、出力電圧が調整電圧よりも低くなることが抑制されるため、界磁巻線に励磁電流が流れることが抑制される。さらに、下アームのスイッチング素子がオン状態に切り替えられた後、出力電圧が第２閾値未満になっている状態が落ち込み状態として検出されるとともに、落ち込み状態の継続時間である落ち込み時間が検出される。

ここで、本発明者は、ロードダンプの原因に応じて、落ち込み状態の検出の有無、及び落ち込み時間が異なることに着目した。詳しくは、負荷遮断の場合には、発電電力の出力中に下アームがＯＮすることで、整流回路の出力端子とバッテリの端子とを接続する配線のインダクタンスにより、負サージが発生するため、出力電圧は一時的に急激に落ち込んだ後にコンデンサ電圧まで回復する。また、励磁中の端子外れの場合には、発電制御装置内のコンデンサから、発電制御装置及びスイッチング制御装置内の制御回路で消費される消費電流、及び励磁電流が流れるため、出力電圧は、急激に落ち込んだ後、回復しないままとなる。また、励磁していないときの端子外れの場合には、発電制御装置内のコンデンサから、制御回路で消費される消費電流が流れるだけなので、出力電圧は緩やかに低下して、落ち込み状態にはならない。したがって、落ち込み状態の有無及び落ち込み時間により、ロードダンプの原因を適切に判別して、それぞれに適したロードダンプ保護の制御を実施することができる。

車両用発電機の構成を示す図。 発電制御装置の構成を示す図。 整流器モジュールの構成を示す図。 負荷遮断時における負サージの発生を示す図。 （ａ）負荷遮断時の出力電圧及び出力端コンデンサ電圧を示す図。（ｂ）負荷遮断時の出力電流を示す図。（ｃ）負荷遮断時の出力電圧と閾値Ｖ２との比較を示す図。（ｄ）負荷遮断時の出力電圧と閾値Ｖ３との比較を示す図。（ｅ）負荷遮断時の下スイッチの駆動信号を示す図。 端子外れ時における消費電流を示す図。 （ａ）励磁中Ｂ端子外れ時の出力電圧を示す図。（ｂ）励磁中Ｂ端子外れ時の出力電圧と閾値Ｖ２との比較を示す図。（ｃ）励磁中Ｂ端子外れ時の出力電圧と閾値Ｖ３との比較を示す図。（ｄ）励磁中Ｂ端子外れ時の下スイッチの駆動信号を示す図。 （ａ）励磁なしＢ端子外れ時の出力電圧を示す図。（ｂ）励磁なしＢ端子外れ時の出力電圧と閾値Ｖ２との比較を示す図。（ｃ）励磁なしＢ端子外れ時の出力電圧と閾値Ｖ３との比較を示す図。（ｄ）励磁なしＢ端子外れ時の下スイッチの駆動信号を示す図。 ロードダンプ保護動作の処理手順を示すフローチャート。 （ａ）負荷遮断時における出力電圧及び出力端コンデンサ電圧のタイムチャート。（ｂ）負荷遮断時における下スイッチの駆動信号を示すタイムチャート。 （ａ）励磁中端子外れ時における出力電圧のタイムチャート。（ｂ）励磁中端子外れ時における下スイッチの駆動信号を示すタイムチャート。 （ａ）励磁なし端子外れ時における出力電圧のタイムチャート。（ｂ）励磁なし端子外れ時における下スイッチの駆動信号を示すタイムチャート。

以下、車両用回転電機を具現化した実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態に係る車両用回転電機は、車両用発電機に適用することを想定している。

まず、本実施形態に係る車両用発電機の構成について、図１を参照して説明する。本実施形態に係る車両用発電機１０は、２つの電機子巻線１１，１２、界磁巻線１４、２つの整流器モジュール群１５，１６、発電制御装置１７、及びツェナーダイオード１８、を備えている。

電機子巻線１１は、複数相の固定子巻線、具体的にはＸ相巻線、Ｙ相巻線及びＺ相巻線からなる三相巻線であり、固定子鉄心（図略）に巻装されている。同様に、電機子巻線１２は、Ｕ相巻線、Ｖ相巻線及びＷ相巻線からなる三相の固定子巻線である。電機子巻線１２は、電機子巻線１１に対して、電気角３０度ずらした位置に巻装されている。本実施形態では、電機子巻線１１，１２及び固定子鉄心によって、固定子が構成されている。

界磁巻線１４は、固定子鉄心の内周側に対向配置された界磁極（図略）に巻装されて回転子を構成している。界磁巻線１４に励磁電流を流すことにおり、界磁極が磁化される。そして、磁化された界磁極により発生する回転磁界によって、電機子巻線１１，１２に交流電圧が発生する。

整流器モジュール群１５は、整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚから構成されている。整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚは、それぞれ、２個のＭＯＳトランジスタの直列体と、２つのＭＯＳトランジスタのオンオフを制御する制御回路とを含む。整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚは、それぞれ、電機子巻線１１のＸ相巻線，Ｙ相巻線，Ｚ相巻線に接続されている。整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚに含まれる６個のＭＯＳトランジスタから、上アーム及び下アームを有する三相のブリッジ回路であり、全波整流を行う整流回路１５Ａが構成される（図４，６参照）。この整流回路１５Ａは、電機子巻線１１から出力される交流電圧を整流して出力端子であるＢ端子から出力する。なお、整流器モジュール１５Ｘの詳細な構成は後述する。

同様に、整流器モジュール群１６は、電機子巻線１２のＵ相巻線，Ｖ相巻線，Ｗ相巻線に接続される整流器モジュール１６Ｕ，１６Ｖ，１６Ｗから構成されている。そして、整流器モジュール１６Ｕ，１６Ｖ，１６Ｗに含まれる６個のＭＯＳトランジスタから、上アーム及び下アームを有する三相のブリッジ回路である全波整流回路が構成される。この整流回路は、電機子巻線１２から出力される交流電圧を整流して出力端子Ｂから出力する。

発電制御装置１７は、車両用発電機１０の出力電圧Ｖｂ（整流器モジュール群１５，１６に含まれる整流回路の出力電圧）と、調整電圧Ｖｒｅｇとの比較に基づいて、Ｆ端子を介して接続された界磁巻線１４に供給する励磁電流を制御する励磁制御回路である。すなわち、発電制御装置１７は、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇになるように、励磁電流を調整する。なお、発電制御装置１７の詳細な構成は後述する。

ツェナーダイオード１８は、整流器モジュール群１５、１６の出力端子間、すなわちＢ端子とグランドに接続されたＥ端子との間に接続されている。詳しくは、ツェナーダイオード１８のカソードがＢ端子に接続されており、アノードがＥ端子に接続されている。

そして、車両用発電機１０の出力端子であるＢ端子には、配線２５の一端が接続されている。配線２５の他の一端は、バッテリ４０の正極端子に接続されている。すなわち、配線２５は、Ｂ端子とバッテリ４０の正極端子とを接続する電気配線である。配線２５には、出力端コンデンサ２０及び負荷３１の第１端が接続されている。また、バッテリ４０の正極端子には、配線２５とは異なる配線により負荷３２の第１端が接続されている。負荷３１，３２は、ワイパー、空調装置、ヘッドライト等の車載電気負荷である。バッテリ４０の負極端子、出力端コンデンサ２０及び負荷３１,３２の第２端は、グランドに接続されている。車両用発電機１０の出力電圧は、配線２５やその他の配線を介して、バッテリ４０や負荷３１,３２に供給される。

次に、発電制御装置１７について、図２を参照して説明する。発電制御装置１７は、ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子７１、還流ダイオード７２、抵抗７３、７４、電圧比較回路７５、励磁電流制御回路７６、回転検出回路７７、通信回路７８及、電源回路７９及びコンデンサ８０を備える。また、発電制御装置１７は、Ｂ端子（出力端子）、Ｆ端子（励磁駆動端子）、Ｐ端子（相電圧検出端子）、及びＬ端子（通信端子）を備える。

電源回路７９は、Ｂ端子の電圧を用いて、発電制御装置１７に含まれる各回路に動作電源を供給する。通信回路７８は、Ｌ端子を介して外部の制御装置であるＥＣＵ１００とシリアル通信を行い、ＥＣＵ１００から送信された調整電圧Ｖｒｅｇ等を受信する。

スイッチング素子７１及び還流ダイオード７２は、Ｂ端子とＥ端子との間に、直列に接続されている。抵抗７３，７４は、Ｂ端子とＥ端子との間に直列に接続されて分圧回路を構成し、出力電圧Ｖｂを分圧した電圧を、電圧比較回路７５へ入力する。電圧比較回路７５は、分圧された出力電圧Ｖｂと、調整電圧Ｖｒｅｇに対応する基準電圧とを比較する。

励磁電流制御回路７６は、電圧比較回路７５の比較結果に基づいて、スイッチング素子７１のオンオフを制御することにより、界磁巻線１４に供給する励磁電流を調整する。詳しくは、励磁電流制御回路７６は、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇよりも高い場合には、励磁電流の供給を停止又は低減し、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇ以下の場合には、励磁電流の供給を行う。また、励磁電流制御回路７６は、回転検出回路７７により回転子の回転停止が検出された場合には、励磁電流の供給を停止又は低減して、初期励磁状態へ移行させる。

回転検出回路７７（回転検出手段）は、電機子巻線１１、１２のいずれかの相電圧（例えばＸ相）に基づいて、回転子の回転数を検出する。Ｘ相巻線は、高インピーダンスの抵抗１３を介してＰ端子に接続されている。また、回転検出回路７７は、ロードダンプ保護動作中に、後述する整流器モジュール１５Ｘの信号出力部６２から回転検出信号を受信し、受信した回転検出信号に基づいて、回転子の回転を検出する。

コンデンサ８０は、Ｂ端子とＥ端子との間に接続されており、整流器モジュール群１５、１６の出力端子であるＢ端子から入力されるノイズを除去するものである。コンデンサ８０の容量Ｃｉｎは、出力端コンデンサ２０の容量Ｃｃｏｎよりも小さい。例えば、容量Ｃｉｎは数μＦ程度、容量Ｃｃｏｎは数ｍＦ程度である。

次に、整流器モジュール１５Ｘについて、図３を参照して説明する。整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚ，１６Ｕ，１６Ｖ，１６Ｗは、同じ構成となっているので、ここでは、代表して整流器モジュール１５Ｘについて説明する。

整流器モジュール１５Ｘは、上スイッチ５０、下スイッチ５１、及び制御回路５４を備える。また、整流器モジュール１５Ｘは、Ｂ端子（出力端子）、Ｐ端子（相電圧検出端子）、Ｅ端子（グランド）、及びＲＰ端子（回転検出端子）を備える。

上スイッチ５０は、整流回路１５Ａの上アーム（ハイサイド側）のスイッチング素子であり、下スイッチ５１は、整流回路１５Ａの下アーム（ローサイド側）のスイッチング素子である。本実施形態では、上スイッチ５０及び下スイッチ５１は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを用いている。上スイッチ５０は、ソース端子がＰ端子を介して電機子巻線１１のＸ相巻線に接続されており、ドレイン端子が出力端子であるＢ端子に接続されている。下スイッチ５１は、ドレイン端子がＰ端子を介して電機子巻線１１のＸ相巻線に接続されており、ソース端子がＥ端子に接続されている。すなわち、上スイッチ５０のソース端子と、下スイッチ５１のドレイン端子とは接続されている。

そして、上スイッチ５０のゲート端子は、制御回路５４の出力端子ＨＧに接続されており、下スイッチ５１のゲート端子は、制御回路５４の出力端子ＬＧに接続されている。上スイッチ５０及び下スイッチ５１は、制御回路５４からゲート端子に入力される駆動信号によりオンオフされる。また、上スイッチ５０及び下スイッチ５１のそれぞれのソース−ドレイン間には、寄生ダイオードが並列に接続されているが、別部品としてのダイオードをさらに並列接続するようにしてもよい。

制御回路５４（スイッチング制御装置）は、電源６３及び制御部５５を備える。電源６３は、Ｂ端子の電圧を用いて、制御回路５４に含まれる各素子に動作電源を供給する。電源６３は、制御部５５により起動及び停止が制御される。これにより、暗電流が低減されて、バッテリ４０のバッテリ上がりが防止される。

制御部５５は、ロードダンプが発生していない通常時には、上スイッチ５０及び下スイッチ５１に、オン状態又はオフ状態にする駆動信号を送信して、同期整流を行う。詳しくは、Ｐ端子に入力された相電圧Ｖｐが、Ｂ端子に入力された出力電圧Ｖｂを超えている期間に渡って、上スイッチ５０をオン状態にするとともに、下スイッチ５１をオフ状態とする。また、相電圧Ｖｐが負電圧となっている期間に渡って、上スイッチ５０をオフ状態とするとともに、下スイッチ５１をオン状態とする。

また、制御部５５は、ロードダンプが発生しているときには、電機子巻線１１に蓄積されたエネルギーが消滅するまで、上スイッチ５０をオフ状態にしたまま、下スイッチ５１のオンオフを繰り返すロードダンプ保護処理を行う。詳しくは、下スイッチ５１をオフにして、電機子巻線１１からグランドへ電流を流し、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇ以下になる前に、下スイッチ５１をオンにして、出力電圧Ｖｂを回復させることを繰り返す。

ここで、ロードダンプには、配線２５がバッテリ４０の正極端子から外れる負荷遮断と、配線２５が車両用発電機１０のＢ端子から外れるＢ端子外れとがある。負荷遮断は、図４に示すように、バッテリ４０の正極端子と負荷３１の第１端との間に、スイッチＳ２が接続されているとした場合に、スイッチＳ２が開状態（オフ状態）になることに相当する。また、Ｂ端子外れは、図６に示すように、Ｂ端子と配線２５とがスイッチＳ１を介して接続されているとした場合に、スイッチＳ１が開状態（オフ状態）になることに相当する。すなわち、Ｂ端子外れの場合は、Ｂ端子に何も接続されない状態となるが、負荷遮断の場合は、Ｂ端子に配線２５、出力端コンデンサ２０、及び負荷３１が接続されている状態となる。なお、図４及び図６では、整流器モジュール１５Ｙ，１５Ｚの制御回路５４、電機子巻線１２及び整流器モジュール群１６を省略している。

図６に示すように、Ｂ端子外れ発生時には、Ｂ端子に出力端コンデンサ２０及びバッテリ４０が接続されていないため、発電制御装置１７内のコンデンサ８０から、発電制御装置１７内の各回路及び整流器モジュール１５Ｘで消費される消費電流Ｉα、及び励磁電流Ｉβが供給される。そのため、励磁中にＢ端子外れが発生した場合、ロードダンプ保護動作において下スイッチ５１のオフ時間が短いと、コンデンサ８０の端子間電圧Ｖｉｎ、すなわち出力電圧Ｖｂが急低下する。出力電圧Ｖｂが急低下すると、発電を続けるために励磁電流の供給を継続しようとして、ロードダンプの収束に要する時間が長くなる。したがって、励磁中にＢ端子外れが発生した場合には、ロードダンプ保護処理において、下スイッチ５１のオフ時間を長くすることが望ましい。

一方、負荷遮断の発生時には、出力端コンデンサ２０の端子間電圧Ｖｃｏｎが負荷３１に印加される。出力端コンデンサ２０の容量Ｃｃｏｎは、コンデンサ８０の容量Ｃｉｎよりは大きいが、車両用発電機１０の出力電流Ｉｂに対して十分に小さい大きさである。そのため、ロードダンプ保護処理において下スイッチ５１のオフ時間を長くすると、オフ時間中に端子間電圧Ｖｃｏｎが大きく上昇し、負荷３１を破損するおそれがある。よって、励磁中Ｂ端子外れの発生と負荷遮断の発生とを判別して、それぞれに適したロードダンプ保護動作を実施することが望ましい。

従来、Ｂ端子外れの発生時と負荷遮断の発生時とは、出力電圧Ｖｂの変化速度に基づいて判別していた。コンデンサの端子間電圧をＶ、容量をＣ、充放電電流をＩとした場合、端子間電圧Ｖの変化速度はｄＶ／ｄｔ＝Ｉ／Ｃとなる。よって、充放電電流を同程度とした場合、容量Ｃｃｏｎと容量Ｃｉｎとの差が十分に大きいと、Ｖｃｏｎの変化速度とＶｉｎの変化速度との差が大きくなる。よって、容量Ｃｃｏｎと容量Ｃｉｎとの差が十分に大きい場合には、出力電圧Ｖｂの変化速度から、Ｂ端子外れの発生と負荷遮断の発生とを判別することができる。

しかしながら、本実施形態のように、容量Ｃｃｏｎが小さく、容量Ｃｃｏｎと容量Ｃｉｎとの差が十分に大きくない場合には、出力端コンデンサ２０の端子間電圧Ｖｃｏｎの変化速度と、コンデンサ８０の端子間電圧Ｖｉｎの変化速度との差が小さくなる。さらに、Ｂ端子外れは、機械的な外れ方のばらつきで出力電圧Ｖｂの変化速度が遅くなることがある。そのため、容量Ｃｃｏｎと容量Ｃｉｎとの差が十分に大きくない場合には、出力電圧Ｖｂの変化速度から、Ｂ端子外れの発生時と負荷遮断の発生時とを判別することは困難である。

そこで、本発明者は、ロードダンプの原因に応じて、ロードダンプ発生後の端子電圧Ｖｂの落ち込みの有無、及び落ち込み時間が異なることに着目した。以下、図４〜８を参照して、負荷遮断、励磁中Ｂ端子外れ、及び励磁なしＢ端子外れのそれぞれについて、端子電圧Ｖｂの落ち込みの有無、及び落ち込み時間について説明する。

負荷遮断が発生し、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ１（第１閾値）を超えると、上スイッチ５０がオフ状態、下スイッチ５１がオン状態にされる。上スイッチ５０のオフ状態及び下スイッチのオン状態が指示されてから、実際に上スイッチ５０がオフ状態、下スイッチ５１がオン状態にされるまでの間に、出力電圧Ｖｂは更に上昇し、出力電圧Ｖｂ＝ツェナー電圧Ｖｚとなる。そして、上スイッチ５０がオフ状態、下スイッチ５１がオン状態にされると、上スイッチ５０に並列接続されたダイオードよりも下スイッチ５１の方が、電流が流れやすいため、出力電流Ｉｂの流れが止まり、下スイッチ５１を通って電流が流れるようになる。これに伴い、Ｂ端子接続されている配線２５のインダクタンスＬにより、配線２５に負サージが発生して、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ３（第２閾値）よりも小さい値（０Ｖ）まで急激に落ち込む。

この負サージは、配線２５のインダクタンスＬによる一時的なものであり、配線２５に蓄えられているエネルギーがなくなると消失する。負サージが消失すると、出力電圧Ｖｂは出力端コンデンサ２０の端子間電圧Ｖｃｏｎまで回復する。その後、出力電圧Ｖｂは、配線２５のインダクタンスＬ、及び配線２５に近い位置に設置されている発電制御装置１７内のコンデンサ８０により振動しつつ下降する。よって、負荷遮断発生時に、発電電力の出力中において、上スイッチ５０をオフ状態且つ下スイッチをオン状態にすると、出力電圧Ｖｂは、図５（ａ）に示すようになる。なお、端子間電圧Ｖｃｏｎは、直接検出できないため、出力電圧Ｖｂから推定した推定値となっている。

一方、Ｂ端子外れが発生した場合は、Ｂ端子に配線２５が接続されていないため、配線２５のインダクタンスＬによる負サージは発生しない。励磁中のＢ端子外れが発生した場合に、上スイッチ５０がオフ状態、下スイッチ５１がオン状態されると、発電制御装置１７内のコンデンサ８０から、発電制御装置１７内の各回路及び整流器モジュール１５Ｘで消費される消費電流Ｉα、及び励磁電流Ｉβが供給される。そのため、図７（ａ）に示すように、出力電圧Ｖｂは、閾値Ｖ３よりも小さい値（０Ｖ）まで急激に落ち込み、回復しない。出力電圧Ｖｂが０Ｖまで落ち込むことにより、下スイッチ５１をオン状態に維持できなくなると、下スイッチ５１が強制的にオフされ、出力電圧Ｖｂは回復する。

また、励磁していないときにＢ端子外れが発生した場合に、上スイッチ５０がオフ状態、下スイッチ５１がオン状態にされると、発電制御装置１７のコンデンサ８０から、消費電流Ｉαのみが供給される。そのため、図８（ａ）に示すように、出力電圧Ｖｂは、緩やかに下降し、閾値Ｖ３よりも小さい値まで落ち込むことはない。

したがって、制御部５５は、下スイッチ５１をオン状態にした後における、出力電圧Ｖｂの落ち込みの状態の有無、及び落ち込み状態の継続時間から、ロードダンプ原因を判定して、ロードダンプ保護処理を行う。図３に示すように、制御部５５は、電圧検出部５６、保護操作部５７、落ち込み検出部５８、原因判定部５９、オフ時間設定部６０、解除操作部６１及び信号出力部６２の各機能を備える。以下に、各機能を説明する。

電圧検出部５６は、Ｂ端子の電圧である出力電圧Ｖｂを検出する。保護操作部５７（保護操作手段）は、電圧検出部５６により検出された出力電圧Ｖｂが、閾値Ｖ１を超えた場合に、上スイッチ５０をオフ状態且つ下スイッチ５１をオン状態に切り替える。閾値Ｖ１は、ロードダンプの発生を判別する閾値である。

落ち込み検出部５８（落ち込み検出手段）は、保護操作部５７により下スイッチ５１がオン状態い切り替えられた後、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ３未満になっている状態を落ち込み状態として検出するとともに、落ち込み状態の継続時間である落ち込み時間を検出する。

原因判定部５９（原因判定手段）は、落ち込み状態の有無、及び落ち込み時間に基づいて、ロードダンプの原因を判定する。詳しくは、原因判定部５９は、落ち込み状態が検出された場合、すなわち落ち込み時間が０よりも長い場合には、ロードダンプの原因を、負荷遮断又は励磁中Ｂ端子外れと判定する。また、原因判定部５９は、落ち込み状態が検出されなかった場合、すなわち落ち込み時間が０の場合には、ロードダンプの原因を、励磁なしＢ端子外れと判定する。さらに、原因判定部５９は、落ち込み時間が判定時間Ｔ１よりも短い場合には、ロードダンプの原因を負荷遮断と判定し、落ち込み時間が判定時間Ｔ１よりも長い場合には、ロードダンプの原因を励磁中Ｂ端子外れと判定する。例えば、判定時間Ｔ１は、下スイッチ５１をオフにした後、整流器モジュール１５Ｘの電源を維持できる電源維持時間とする。

オフ時間設定部６０（オフ時間設定手段）は、落ち込み検出部５８により検出された落ち込み時間に応じて、下スイッチ５１をオフ状態にするオフ時間の長さを設定する。詳しくは、オフ時間設定部６０は、原因判定部５９により、ロードダンプの原因が負荷遮断と判定された場合には、オフ時間を所定時間よりも短い時間ｔａ（第１時間）に設定する。

また、オフ時間設定部６０は、原因判定部５９により、ロードダンプの原因が励磁中Ｂ端子外れと判定された場合には、オフ時間を所定時間よりも長い時間ｔｂ（第２時間）に設定する。すなわち、オフ時間設定部６０は、負荷遮断時のオフ時間ｔａよりも、励磁中Ｂ端子外れ時のオフ時間ｔｂが長くなるように、オフ時間を設定する。このオフ時間ｔｂは、出力電圧Ｖｂが上昇して、励磁電流の供給が停止されるまでの時間よりも長い時間である。さらに、オフ時間設定部６０は、原因判定部５９により、ロードダンプの原因が励磁なしＢ端子外れと判定された場合には、オフ時間を所定時間よりも短い時間ｔｃ（第３時間）に設定する。時間ｔａと時間ｔｃは、どちらが長くてもよいし、同じ長さでもよい。

解除操作部６１（解除操作手段）は、保護操作部５７により下スイッチ５１がオン状態に切り替えられた後、オフ時間設定部６０により設定されたオフ時間の間、スイッチング素子をオフ状態にする。このとき、上スイッチ５０はオフ状態を維持する。上スイッチ５０をオフ状態に維持したまま、下スイッチ５１をオフ状態にすると、並列接続されたダイオードを通して電流が流れるため、出力電圧Ｖｂが再び上昇する。これにより、出力電圧Ｖｂが、調整電圧Ｖｒｅｇ以下になることが抑制される。

信号出力部６２（信号出力手段）は、保護操作部５７及び解除操作部６１によるロードダンプ保護動作中に、回転検出信号を、ＲＰ端子を介して発電制御装置１７のＰ端子へ送信する。これにより、ロードダンプ発生時でも、発電制御装置１７による回転検出不能状態が回避され、回転停止時の初期励磁状態へ移行することが防止される。なお、発電制御装置１７のＰ端子は、抵抗１３を介して、電機子巻線１１のＸ相巻線に接続されている。そのため、Ｘ相巻線から流れる電流よりも、整流器モジュール１５ＸのＲＰ端子からの回転検出信号の方が、発電制御装置１７のＰ端子に伝わりやすくなっており、発電制御装置１７のＰ端子で、回転検出信号を受信することが可能となっている。

次に、ロードダンプ保護動作の処理手順について、図９のフローチャートを参照して説明する。本処理手順は、制御部５５が所定間隔で繰り返し実行する。

まず、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ１よりも大きいか否か判定する（Ｓ１０）。すなわち、ロードダンプが発生しているか否か判定する。出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ１以下の場合は（Ｓ１０：ＮＯ）、Ｓ１０の処理を繰り返し実行する。

一方、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ１よりも大きい場合は（Ｓ１０：ＹＥＳ）、次に、車両用発電機１０が発電電力を出力しているか否か判定する（Ｓ１１）。発電電力を出力していない場合は（Ｓ１１：ＮＯ）、Ｓ１１の処理を繰り返し実行する。一方、発電電力を出力している場合は（Ｓ１１：ＹＥＳ）、ロードダンプが発生していると判定して、ロードダンプ保護処理を行う。まず、上スイッチ５０をオフ状態にするとともに、下スイッチ５１をオン状態にする（Ｓ１２）。

次に、下スイッチ５１のオン状態に切り替えたことに伴い、出力電圧Ｖｂの落ち込み状態が検出されたか否か判定する（Ｓ１３）。詳しくは、図５（ｃ），（ｄ）、図７（ｂ），（ｃ）、図８（ｂ），（ｃ）に示すように、フィルタ時間ｆ２を持ち閾値Ｖ２と出力電圧Ｖｂとを比較するＶ２コンパレータと、フィルタ時間ｆ３を持ち閾値Ｖ３と出力電圧Ｖｂとを比較するＶ３コンパレータとの出力から、落ち込み状態の有無、及び落ち込み時間を検出する。フィルタ時間ｆ２，ｆ３はコンパレータの出力を維持する遅延時間に相当し、フィルタ時間ｆ２はフィルタ時間ｆ３よりも長い時間となっている。この方法は、落ち込み状態を検出する方法の一例であって、別の方法により落ち込み状態を検出してもよい。なお、例えば調整電圧Ｖｒｅｇは、閾値Ｖ２と閾値Ｖ３の間になる。

また、落ち込み時間が予め予想できる場合には、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ３を下回ったことを検出した時点から、一定期間（予想した落ち込み時間以上）経過するまで待った後に、出力電圧Ｖｂと閾値Ｖ２との比較をしてもよい。

落ち込み状態が検出された場合（Ｓ１３：ＹＥＳ）、すなわち、落ち込み時間が０よりも長い場合は、次に、落ち込み時間が判定時間Ｔ１よりも短いか否かを判定する（Ｓ１４）。

落ち込み時間が判定時間Ｔ１よりも短い場合（Ｓ１４：ＹＥＳ）、すなわち、負荷遮断発生時は、オフ時間をｔａに設定し、下スイッチ５１をオフ時間ｔａの間オフ状態にする（Ｓ１５）。詳しくは、落ち込み時間が決まり、出力電圧Ｖｂが回復した後、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ２よりも小さくなったことを検出した時点で、下スイッチ５１をオフ状態に切り替える。

ここで、下スイッチ５１をオフ状態に切り替えて電流を遮断すると、大きなサージ電圧が発生する。下スイッチ５１の耐量が高い場合や出力端コンデンサ２０の容量Ｃｃｏｎが、下スイッチ５１の切替えに伴うサージ電圧を吸収できる容量であれば、サージ電圧を抑制するタイミングを待つことなく、下スイッチ５１をオフ状態にする。下スイッチ５１の耐量が低い場合や出力端コンデンサ２０の容量Ｃｃｏｎが不十分であれば、サージ電圧を抑制するタイミングを待って、下スイッチ５１をオフ状態にする（詳しくは、特開２０１４−１６５９８３号公報参照）。

そして、出力電圧Ｖｂが、閾値Ｖ４よりも高い電圧まで上昇したか否か判定する（Ｓ１８）。閾値Ｖ４は、閾値Ｖ１と閾値Ｖ３の間の値である。具体的には、閾値Ｖ４は、閾値Ｖ２よりも大きな値にするとよい。出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ４以下の場合は（Ｓ１８：ＮＯ）、下スイッチ５１をオフ状態にしたまま、本処理を終了する。

一方、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ４よりも高い場合は（Ｓ１８：ＹＥＳ）、Ｓ１１の処理に戻る。ロードダンプが継続している場合は、次のＳ１２の処理で、下スイッチ５１をオン状態に再度切り替える。

また、落ち込み時間がＴ１よりも長い場合（Ｓ１４：ＮＯ）、すなわち、励磁中Ｂ端子外れ時は、オフ時間をｔｂに設定し、下スイッチ５１をオフ時間ｔｂの間オフ状態にする（Ｓ１６）。このとき、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇ以下になることを回避するために、下スイッチ５１の切替えに伴うサージ電圧の発生を抑制するタイミングを待つことなく、下スイッチ５１をオフ状態に切り替える。Ｂ端子外れの場合、配線２５が外れているため、負荷３１,３２に対するサージ電圧の影響を気にする必要はない。

判定時間Ｔ１を電源維持時間とした場合、下スイッチ５１をオンに切り替えてから判定時間Ｔ１を経過した時点で、制御回路５４の電源を維持できなくなり、下スイッチ５１はオフ状態に切り替わっているので、切り替わった時点からオフ時間ｔｂの間、オフ状態を維持すればよい。なお、判定時間Ｔ１を、電源維持時間よりも短い時間にしてもよい。この場合、落ち込み状態がＴ１の間継続した時点で、下スイッチ５１をオフ状態にする。

そして、出力電圧Ｖｂが、閾値Ｖ４よりも高い電圧まで上昇したか否か判定する（Ｓ１８）。出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ４以下の場合は（Ｓ１８：ＮＯ）、下スイッチ５１をオフ状態にしたまま、本処理を終了する。一方、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ４よりも高い場合は（Ｓ１８：ＹＥＳ）、Ｓ１１の処理に戻る。ロードダンプが継続している場合は、次のＳ１２の処理で、下スイッチ５１をオン状態に再度切り替える。

また、落ち込み状態が検出されなかった場合（Ｓ１３：ＮＯ）、すなわち、落ち込み時間が０の場合は、励磁なし端子外れ発生時であり、オフ時間をｔｃに設定し、下スイッチ５１をオフ時間ｔｃの間オフ状態にする（Ｓ１７）。このとき、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇ以下になることを回避するために、下スイッチ５１の切替えに伴うサージ電圧の発生を抑制するタイミングを待つことなく、下スイッチ５１をオフ状態に切り替える。これにより、出力電圧Ｖｂが、閾値Ｖ２よりも低くなったことを検出した時点で、下スイッチ５１がオフ状態に切り替えられる。

そして、出力電圧Ｖｂが、閾値Ｖ４よりも高い電圧まで上昇したか否か判定する（Ｓ１８）。出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ４以下の場合は（Ｓ１８：ＮＯ）、下スイッチ５１をオフ状態にしたまま、本処理を終了する。一方、出力電圧Ｖｂが閾値Ｖ４よりも高い場合は（Ｓ１８：ＹＥＳ）、Ｓ１１の処理に戻る。ロードダンプが継続している場合は、次回のＳ１２の処理で、下スイッチ５１はオン状態に再度切り替えられる。

なお、図５（ｅ）、図７（ｄ）、図８（ｄ）は、制御回路５４のＬＧ端子から出力する下スイッチ５１の駆動信号を示している。図１０（ｂ）〜図１２（ｂ）も同様である。

上記処理を繰り返し実行すると、図１０（ａ）に示すように、負荷遮断発生時の出力電圧Ｖｂは、下スイッチ５１をオン状態にしたことにより落ち込み状態になる。そして、下スイッチ５１をオフ時間ｔａの間オフ状態にすると、ツェナー電圧Ｖｚまで上昇する。そして、オフ時間ｔａの間オフ状態にした後に、下スイッチ５１をオン状態にすると、再び落ち込み状態になる。また、図１２（ａ）に示すように、励磁なしＢ端子外れ時の出力電圧Ｖｂは、下スイッチ５１をオン状態にしたことにより、緩やかに下降する。そして、閾値Ｖ２になった時点で、下スイッチ５１をオフ状態にすると、ツェナー電圧Ｖｚまで上昇する。そして、オフ時間ｔｃの間オフ状態にした後に、下スイッチ５１をオン状態にすると、再び緩やかに下降する。

また、図１１（ａ）に示すように、励磁中Ｂ端子外れ時の出力電圧Ｖｂは、下スイッチ５１をオン状態にしたことにより落ち込み状態になる。そして、回復しないまま、下スイッチ５１をオフ時間ｔｂの間オフ状態にすると、ツェナー電圧Ｖｚまで上昇する。このオフ時間ｔｂの間に、励磁電流の供給は停止される。そのため、下スイッチ５１をオフ時間ｔｂの間オフ状態にした後に、下スイッチ５１をオン状態にすると、励磁なしＢ端子外れ時と同様に、出力電圧Ｖｂは緩やかに下降し、落ち込み状態にならない。よって、これ以降は、ロードダンプの原因が励磁なしＢ端子外れと判定され、励磁なしＢ端子外れと同様のロードダンプ保護処理が行われる。すなわち、オフ時間がｔｃに設定される。

以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏する。

・ロードダンプの原因に応じて、落ち込み状態の検出の有無、及び落ち込み時間が異なる。よって、落ち込み状態及び落ち込み時間を検出することにより、ロードダンプの原因を適切に判別して、それぞれに適したロードダンプ保護の制御を実施することができる。

・落ち込み状態が検出された場合には、ロードダンプの発生原因を、負荷遮断、又は励磁中Ｂ端子外れと判定できる。

・落ち込み時間が判定時間Ｔ１よりも短い場合には、ロードダンプの発生原因を負荷遮断と判定できる。

・ロードダンプの発生原因が負荷遮断と判定された場合には、オフ時間が所定時間よりも短いオフ時間ｔａに設定される。これにより、Ｂ端子に接続される出力端コンデンサ２０の容量Ｃｃｏｎが小さい場合でも、負荷遮断時に、出力端コンデンサ２０の端子間電圧Ｖｃｏｎが大きく上昇して、負荷３１を破損することを抑制できる。

・閾値Ｖ４を所定の値に設定することにより、出力端コンデンサ２０の端子間電圧Ｖｃｏｎを所望の電圧にすることができる。

・下スイッチ５１がオフ時間ｔａの間オフ状態にされ、出力電圧Ｖｂが上昇した後、下スイッチ５１が再度オン状態に切り替えられ、出力電圧Ｖｂが下降する。これにより、出力端コンデンサ２０の端子間電圧Ｖｃｏｎ、すなわち電気負荷に印加する電圧を、所定の範囲内に安定させることができる。ひいては、負荷３１を適切に保護することができる。

・落ち込み時間が判定時間Ｔ１よりも長い場合には、ロードダンプの発生原因を励磁中Ｂ端子外れと判定できる。

・ロードダンプの発生原因が励磁中Ｂ端子外れと判定された場合には、オフ時間が所定時間よりも長いオフ時間ｔｂに設定される。これにより、励磁中Ｂ端子外れ時に、界磁巻線の励磁が停止するまで、整流回路内部において電流が消費されない。よって、ロードダンプの収束に要する時間が長くなることを抑制できる。

・下スイッチ５１がオフ時間ｔｂの間オフ状態にされ、界磁巻線１４の励磁が停止した後に、下スイッチ５１がオン状態に切替えられる。これにより、安定したロードダンプ保護動作を実施できる。

・落ち込み状態が検出されなかった場合には、ロードダンプの発生原因を、励磁なしＢ端子外れと判定できる。

・ロードダンプの発生原因が励磁なしＢ端子外れと判定された場合には、オフ時間がオフ時間ｔｃに設定される。そして、下スイッチ５１は、オフ時間ｔｃの間オフ状態にされた後、オン状態に切り替えられる。これにより、励磁なしＢ端子外れに対応した、ロードダンプ保護制御を実施できる。

・励磁中Ｂ端子外れ及び励磁なしＢ端子外れと判定された場合には、サージ電圧発生の抑制タイミングまで待つことなく、下スイッチ５１がオフ状態に切り替えられる。これにより、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇ以下になることが抑制されるため、界磁巻線１４の励磁が開始されることを抑制できる。

（他の実施形態）
・出力電圧Ｖｂが落ち込んだ時に、下スイッチ５１の駆動電圧が維持できなくなることに対して、下スイッチ５１の駆動電圧を所定電圧（例えば５Ｖ）で維持するような駆動ドライバを、制御回路５４に設けるようにしてもよい。このようにすれば、励磁中Ｂ端子外れ時において、下スイッチ５１が強制的にオフ状態にされることがないので、意図したタイミングで下スイッチ５１をオフ状態にすることができる。

・励磁中Ｂ端子外れ時及び励磁なしＢ端子外れ時のロードダンプ保護処理において、出力電圧Ｖｂが調整電圧Ｖｒｅｇ以下とならなければ、サージ電圧を抑制するタイミングまで待ってから下スイッチ５１をオフ状態にしてもよい。

・整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚ，１６Ｕ，１６Ｖ，１６Ｗのそれぞれに、制御回路５４を設けなくてもよい。２つ以上の整流器モジュールに対して１個の制御回路５４を設けてもよい。すなわち、１個の制御回路５４で、複数相の電機子巻線に接続されたスイッチング素子のオンオフを制御するようにしてもよい。また、整流器モジュール１５Ｘ，１５Ｙ，１５Ｚ，１６Ｕ，１６Ｖ，１６Ｗの全てに共通の１個の制御回路を設けるようにしてもよい。このようにすると、コストを低減できる。

・上スイッチ５０，下スイッチ５１は、ＭＯＳＦＥＴに限らず、ＩＧＢＴやバイポーラトランジスタ等の半導体スイッチでもよい。

・整流器モジュール群１５、１６の上アームを、ダイオードのみにより構成してもよい。

・電機子巻線１１，１２は一方だけ備えていてもよい。また、電機子巻線１１，１２は、三相に限らず、四相以上でもよい。

１０…車両用発電機、１１，１２…電機子巻線、１４…界磁巻線、１５，１６…整流器モジュール群、１７…発電制御装置、５１…下スイッチ、５４…制御回路。

Claims (14)

1. 回転子の界磁極を磁化させる界磁巻線（１４）と、
   前記界磁極によって発生する回転磁界により交流電圧を発生する複数相の電機子巻線（１１，１２）と、
   上アーム及び下アームを有し、前記下アームが前記電機子巻線に接続されたスイッチング素子（５１）により構成されたブリッジ回路であって、前記交流電圧を整流して出力する整流回路（１５Ａ）と、
   前記整流回路の出力電圧と調整電圧との比較に基づいて、前記界磁巻線に供給する励磁電流を調整する発電制御装置（１７）と、
   前記スイッチング素子のオンオフを制御するスイッチング制御装置（５４）と、を備え、
   前記スイッチング制御装置は、
   前記整流回路の出力電圧が、ロードダンプの発生を判別する第１閾値を超えた場合に、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオン状態に切り替える保護操作手段と、
   前記保護操作手段により前記スイッチング素子がオン状態に切り替えられた後、所定のオフ時間の間、前記下アームを構成する前記スイッチング素子をオフ状態にする解除操作手段と、
   前記整流回路から発電電力を出力中に、前記保護操作手段により前記スイッチング素子がオン状態に切り替えられた後、前記出力電圧が第２閾値未満になっている状態を落ち込み状態として検出するとともに、前記落ち込み状態の継続時間である落ち込み時間を検出する落ち込み検出手段と、
   前記落ち込み検出手段により検出された前記落ち込み時間に応じて、前記オフ時間の長さを設定するオフ時間設定手段と、
   を備える車両用回転電機。
2. 前記スイッチング制御装置は、
   前記落ち込み検出手段により前記落ち込み状態が検出された場合に、前記ロードダンプの発生原因を、前記整流回路の出力端子とバッテリ（４０）の端子との間を接続する配線（２５）が、前記バッテリの端子から外れた負荷遮断、又は、前記界磁巻線に前記励磁電流を供給中に、前記配線が前記整流回路の出力端子から外れた励磁中端子外れ、と判定する原因判定手段を備える請求項１に記載の車両用回転電機。
3. 前記原因判定手段は、前記落ち込み検出手段により検出された前記落ち込み時間が判定時間よりも短い場合に、前記ロードダンプの発生原因を、前記負荷遮断と判定する請求項２に記載の車両用回転電機。
4. 前記原因判定手段により前記負荷遮断と判定された場合に、
   前記オフ時間設定手段は、前記オフ時間を所定時間よりも短い第１時間に設定する請求項３に記載の車両用回転電機。
5. 前記解除操作手段は、前記出力電圧が、前記落ち込み状態から第２閾値よりも高い電圧まで回復した後に、前記第１時間の間、前記スイッチング素子をオフ状態にする請求項４に記載の車両用回転電機。
6. 前記保護操作手段は、前記解除操作手段により前記スイッチング素子が前記第１時間の間オフ状態にされた後、前記スイッチング素子をオン状態に切り替える請求項５に記載の車両用回転電機。
7. 前記原因判定手段は、前記落ち込み検出手段により検出された前記落ち込み時間が判定時間よりも長い場合に、前記ロードダンプの発生原因を、前記励磁中端子外れと判定する請求項２〜６のいずれかに記載の車両用回転電機。
8. 前記原因判定手段により前記励磁中端子外れと判定された場合に、
   前記オフ時間設定手段は、前記オフ時間を所定時間よりも長い第２時間に設定する請求項７に記載の車両用回転電機。
9. 前記解除操作手段は、前記第２時間の間、前記スイッチング素子をオフ状態にし、
   前記保護操作手段は、前記解除操作手段により前記スイッチング素子が前記第２時間の間オフ状態にされた後、前記スイッチング素子をオン状態に切り替える請求項８に記載の車両用回転電機。
10. 前記スイッチング制御装置は、
    前記落ち込み検出手段により前記落ち込み状態が検出されなかった場合に、前記ロードダンプの原因を、前記界磁巻線に前記励磁電流を供給していないときに、前記整流回路の出力端子とバッテリの端子との間を接続する配線が、前記整流回路の出力端子から外れた励磁なし端子外れ、と判定する原因判定手段を備える請求項１〜９のいずれかに記載の車両用回転電機。
11. 前記原因判定手段により前記励磁なし端子外れと判定された場合に、
    前記オフ時間設定手段は、前記オフ時間を第３時間に設定し、
    前記解除操作手段は、前記第３時間の間、前記スイッチング素子をオフ状態にし、
    前記保護操作手段は、前記解除操作手段により前記スイッチング素子が前記第３時間の間オフ状態にされた後、前記スイッチング素子をオン状態に切り替える請求項１０に記載の車両用回転電機。
12. 前記解除操作手段は、前記スイッチング素子を、サージ電圧の発生を抑制するタイミングを待つことなくオフ状態に切替える請求項９又は請求項１１に記載の車両用回転電機。
13. 前記スイッチング制御装置は、前記整流回路を構成する複数の相に対応するスイッチング素子のオンオフを制御する制御装置である請求項１〜１２のいずれかに記載の車両用回転電機。
14. 前記発電制御装置は、
    前記電機子巻線の相電圧に基づいて、前記回転子の回転を検出する回転検出手段を備え、
    前記スイッチング制御装置は、
    前記保護操作手段又は前記解除操作手段によるロードダンプ保護動作中に、回転検出信号を前記回転検出手段へ送信する信号出力手段を備え、
    前記回転検出手段は、前記保護操作手段又は前記解除操作手段によるロードダンプ保護動作中に、前記信号出力手段により送信された前記回転検出信号に基づいて、前記回転子の回転を検出する請求項１〜１３のいずれかに記載の車両用回転電機。

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