JP6329595B2 - 表面プラズモン共鳴センサチップ及びその製造方法、応用 - Google Patents

表面プラズモン共鳴センサチップ及びその製造方法、応用 Download PDF

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Description

本発明は、表面プラズモンセンサチップの製造分野に属し、具体的に、リポ多糖に対する検出に利用できる表面プラズモン共鳴センサチップ及びその製造方法、応用に関する。
リポ多糖（ｌｉｐｏｐｏｌｙｓａｃｃｈａｒｉｄｅ、ＬＰＳと略称する）は、ポリマーの一種であり、脂質及び多糖を共有結合で結ばれて構成される。リポ多糖はグラム陰性細菌外膜の主な構成成分であり、強力な細菌毒素であり、内毒素と称される。グラム陰性菌、例えば大腸菌及びサルモネラ・エンテリティディスは増殖又は溶菌されると、リポ多糖が放出される。人体内のグラム陰性菌から細胞壁内のリポ多糖が大量放出すると、人体の感染や炎症を引き起こし、さらに、人間の健康の深刻な脅威である主要な疾病−敗血症になり得る。リポ多糖の毒性が高いので、微生物汚染を効果的に制御するとともに細菌内毒素のレベルを制御するために、浄水、注射用水におけるＬＰＳの含有量を検出する必要があり、それにより水質の安全を確保する。従って、研究者は、高選択性を有し且つ水溶液におけるリポ多糖を超高感度にて検出できる方法の発明に力を注いでいる。今まで、ゲル法は、臨床において最も一般的に使用されるリポ多糖検出方法であり、リポ多糖を定性且つ半定量的に高感度にて検出することができるが、この方法は、古生物（カブトガニ）の血液を用いる必要があり、そのため、長期大量使用は一定の制限を受ける。また、この方法は、操作ステップが複雑で、環境の温度及びｐＨに敏感で、且つ他の複数の糖類物質にも陽性を示す。光化学センサは、高選択性、便利等のメリットを有するが、その感度が蛍光信号に制限され、リポ多糖の実際の検出要求（ｐＭ）を満たすことができない。そのため、水溶液におけるリポ多糖の含有量を検出するための高感度、高選択性、低コストを有する検出方法の開発は急務となっている。
表面プラズモン共鳴（Ｓｕｒｆａｃｅ Ｐｌａｓｍｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ、ＳＰＲと略称する）は、光波の作用で、金属と誘電体の界面に形成された、光波伝送を変更する共鳴波と指す。即ち、特定角度の入射光がガラスプリズム内に入る場合には全反射エバネセント波が生じ、このような波の透過距離が約３００ｎｍであり、金属表面の自由電子によって表面プラズモンの生成を引き起こす。表面プラズモンとエバネセント波との周波数が等しい時に、両者は共鳴し、入射光が吸収され、反射光のエネルギーが急激に低下し、このため、反射スペクトルに共鳴ピーク（即ち、反射強度最低値）が出現する。表面物質屈折率及びコンフォメーションの任意の微小変化が入射角度を変え、この変化が検知器に捕獲され、相応なスペクトログラムに転化される。表面プラズモン波は媒体の屈折率及びコンフォメーションの微小変化に対して非常に敏感であるため、被検出サンプルが表面プラズモン共鳴を生じる金属薄膜と接触し且つ相互に作用すると、薄膜の誘電率、屈折率及びコンフォメーションが変化し、そしてこの変化が共鳴条件に影響を与え、共鳴ピークをシフトさせる。ＳＰＲセンサの共鳴原理によって、このようなセンサは従来の生物検出手段或いは化学検出手段に比べて、明らかな優位を持ち、例えば、リアルタイム、動的、特に超高感度の検出を実現することができる。近年、ＳＰＲセンサは環境衛生、食品安全、疾病診断等の多くの分野に広く応用されている。主に生物分子と他の物質との間の相互作用及び動力学分子等の検出に適用される。しかしながら、リポ多糖の検出に適用できるＳＰＲセンサは出現しておらず、ＳＰＲ技術で水溶液におけるリポ多糖の含有量、特に注射用水におけるリポ多糖の含有量をリアルタイム、迅速、簡便、定量的に超高感度にて検出する方法も出現していない。
本発明が解決しようとする第一の技術的課題は表面プラズモン共鳴センサチップを提供することである。
本発明が解決しようとする第二の技術的課題は表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法を提供することである。ガラス基板上の金膜表面で生じられた表面プラズモン共鳴スペクトル技術を利用して、水溶液におけるリポ多糖の含有量を迅速、簡便、定量的に超高感度にて検出する。
本発明が解決しようとする第三の技術的課題は表面プラズモン共鳴センサチップの応用を提供することである。
本発明に係る表面プラズモン共鳴センサチップは、ガラス基板層、金膜層、及びプローブ分子層を含み、ガラス基板層に金膜層が設置され、金膜層にプローブ分子層が設置され、前記プローブ分子層は、構造が以下構造のうちの１種または２種以上の構造であるプローブ分子の層である。
式中、Ａｒ１はチオフェン、ピロール、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン、インドール、クマリン、フルオレセイン、カルバゾール、ローダミン、シアン染料、フルオレン、又はキノリンであり、
Ａｒ２は下記構造のうちの一種であり、
Ｘ、Ｙ、ＷはそれぞれＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ５又はＳｉ−Ｒ６Ｒ７であり、
Ｚ１、Ｚ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５はそれぞれ水素原子、炭素数が１〜１８のアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基、アミノ基、シアン基、第四級アンモニウム塩、スルホン酸塩、リン酸塩又はポリエチレングリコール基であり、
ｍ、ｎ、ｏは０〜１００００であり且つ同時に０であることではない。
本文において、「炭素数が１〜１８のアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基」とは、アルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基の炭素数が１〜１８である。
前記金膜層の厚さは１０〜６０ｎｍであり、前記プローブ分子層の厚さは１〜１００ｎｍであり、金膜層におけるプローブ分子層の被覆率は５％〜１００％である。金膜層におけるプローブ分子の被覆率はＡＦＭによって半定量的に測定することができ、プローブ分子が金膜層に被覆された後、自己組織化して粒状構造を形成し、プローブ分子の表面修飾されたメルカプト基が金膜と接触する。
すべてのプローブ分子は、市販され或いは従来の文献により合成されるものである。
本発明はさらに表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法を提供し、
１）ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られたガラス基板を濃度が０．０１〜１０００ｍｇ／ｍＬのプローブ分子溶液に完全に浸漬させ、５分〜２４時間放置するステップと、
３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含み、
前記プローブ分子溶液は以下構造のうちの１種又は２種以上を有する物質の溶液であり、
式中、Ａｒ１はチオフェン、ピロール、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン、インドール、クマリン、フルオレセイン、カルバゾール、ローダミン、シアン染料、フルオレン又はキノリンであり、
Ａｒ２は下記構造のうちの一種であり、
Ｘ、Ｙ、ＷはそれぞれＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ５又はＳｉ−Ｒ６Ｒ７であり、
Ｚ１、Ｚ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５はそれぞれ水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基、アミノ基、シアン基、第四級アンモニウム塩、スルホン酸塩、リン酸塩又はポリエチレングリコール基であり、且つアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基の炭素数が１〜１８であり、
ｍ、ｎ、ｏは０〜１００００であり且つ同時に０であることではない。
前記金膜の厚さは１０〜６０ｎｍである。金膜におけるプローブ分子の被覆率は５％〜１００％である。
ステップ３）において、選択可能な水は、二次蒸留水、三次蒸留水、四次蒸留水、超純水等を含む。
水で１回または数回洗浄した後、高速液体クロマトグラフィーで洗浄液を分析し、プローブ分子の信号を検出できなくなったら、きれいに洗浄したとみなされる。洗浄の目的は、物理吸収方式で金膜の表面に吸着されたプローブ分子を除去することである。
プローブ分子の濃度、浸漬時間は、最終的に金膜におけるプローブ分子の被覆率に影響を与え、さらにチップの感度に影響を与える。
最終的に製造されたセンサチップを二次蒸留水に保存して使用に備える。
上記反応は室温で行えればよい。
ステップ１）において、金膜めっきは真空蒸着又はマグネトロンスパッタリング技術を採用する。金をめっきする実験装置に、真空度が１×１０−４Ｐａであり、膜厚計の周波数変化（１０〜６０Ｈｚ）及び蒸発速率を０．１Å／ｓに調整することによって、１０〜６０ｎｍ金膜の厚さを精確に制御することができる。
さらに、プローブ分子溶液の溶剤は生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝液、リン酸塩緩衝液であり、或いはメタノール、エタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤であり、或いは前記有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤と水とを任意比率で混合する混合物である。
本発明はさらに表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法を提供し、
（１）ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
（２）ステップ（１）で得られたガラス基板を０．０１〜１０００ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１溶液に浸漬し、１〜２４時間静置し、水で繰り返して洗浄して使用に備え、質量比１：０．１〜１００：０．１〜１００：１〜１０００でプローブ分子、ＮＨＳ、ＥＤＣ、溶剤を混合し、混合溶液を得て、前記ガラス基板を混合溶液に浸漬し、５分〜２４時間静置し、ガラス基板を取り出し、エタノール、水で繰り返して洗浄するステップと、
ただし、化合物Ｓ１の構造は以下のとおりである、
式中、Ｚ３、Ｒ１６はそれぞれ水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基、アミノ基、シアン基又はポリエチレングリコール基であり、且つアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基の炭素数が１〜１８である、
（３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含む。
プローブ分子の構造に対する限定は上記段落における限定と同じである。ＮＨＳはＮ−ヒドロキシスクシンイミドであり、ＥＤＣは１−エチル−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミドである。
前記金膜の厚さは１０〜６０ｎｍである。金膜におけるプローブ分子の被覆率は５％〜１００％である。
ステップ（２）において、選択可能な水は、二次蒸留水、三次蒸留水、四次蒸留水、超純水等を含む。高速液体クロマトグラフィーで洗浄液を検出し、Ｓ１の信号を検出できなくなると、きれいに洗浄したとみなされる。きれいに洗浄しないと金膜におけるプローブ分子の被覆率に影響を与える。まず、浸漬されたガラス基板をエタノールで洗浄し、次に、水で洗浄する。Ｓ１化合物は、市販され或いは従来の文献により合成されるものである。
プローブ分子と他の物質の配合割合、浸漬時間等の変化は、最終的に金膜におけるプローブ分子の被覆率に影響を与え、さらにチップの感度に影響を与える。
上記反応は室温で行えればよい。
ステップ１）において、金膜めっきは真空蒸着又はマグネトロンスパッタリング技術を採用する。金をめっきする実験装置に、真空度が１×１０−４Ｐａであり、膜厚計の周波数変化（１０〜６０Ｈｚ）及び蒸発速率を０．１Å／ｓに調整することによって、１０〜６０ｎｍ金膜の厚さを精確に制御することができる。
さらに、前記化合物Ｓ１は、生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝液、リン酸塩緩衝液、或いはメタノール、エタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤、或いは前記有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤と水とを任意比率で混合する混合物に溶解して、化合物Ｓ１溶液を形成する。
さらに、前記溶剤は、生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝液、リン酸塩緩衝液であり、或いはメタノール、エタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等の有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤であり、或いは前記有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤と水とを任意比率で混合する混合物である。
本発明はさらに表面プラズモン共鳴センサチップの応用を提供し、水溶液におけるリポ多糖の検出に用いることができる。
さらに、前記応用は、該センサチップを角度変調型或いは波長変調型表面プラズモン共鳴センサ装置に取り付け、流通セルに異なる濃度のリポ多糖の水溶液を注入し、表面プラズモン共鳴ピークのシフトを検出することによってリポ多糖を検出する。
さらに、前記表面プラズモン共鳴ピークのシフト量と注入したリポ多糖の濃度とは相応な範囲で線形関係を有し、定量的にリポ多糖を検出することに用いることができる。
本発明は以下の利点を有する。
１）本発明は初めて表面プラズモン共鳴センサ技術で水溶液におけるＬＰＳを検出することを提案し、従来の検出方法に比べて、感度が高く、選択性に優れ、水溶液において検出するリポ多糖の濃度の線形範囲が１０−１４〜１０−１０Ｍであり、
２）本発明で用いられた、金膜の表面に修飾されたプローブ分子は、構造が明確であり、分子が合成しやすく、構造が制御可能なものであり、
３）本発明はＳＰＲチップ製造過程の操作ステップが簡単であり、コストが低く、製造されたチップの再現性が良く、産業化生産の大量製造の需要を満たし、実際の普及及び応用が非常に容易である。
本発明に係るセンサチップの構造模式図である。 本発明のマグネトロンスパッタリング技術でガラス基板にめっきした金膜の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）結像図である。 本発明に係るセンサチップによる波長型表面プラズモン共鳴センサ装置において水溶液におけるリポ多糖への選択的テストである。 本発明に係るセンサチップによる波長型表面プラズモン共鳴センサ装置において水溶液におけるリポ多糖への濃度滴定図であり、縦座標は共鳴波長が１２ｎｍブルーシフトした箇所の相対光強度値であり、横座標がリポ多糖の濃度である。 実施例６のセンサチップとリポ多糖の濃度の変化図である。 実施例１５のセンサチップとリポ多糖の濃度の変化図である。 実施例に関する数種のプローブ分子と化合物Ｓ１の分子構造図である。 実施例に関する数種のプローブ分子と化合物Ｓ１の分子構造図である。
以下、実施例と図面を参照して本発明をさらに説明する。
実施例１
表面プラズモン共鳴センサチップは、ガラス基板層、金膜層、及びプローブ分子層を含み、ガラス基板層に金膜層が設置され、金膜層にプローブ分子層が設置され、前記金膜層の厚さは１０〜６０ｎｍであり、前記プローブ分子層の厚さは１〜１００ｎｍであり、前記プローブ分子層は、構造が以下構造のうちの１種又は２種以上の構造であるプローブ分子の層である。
式中、Ａｒ１はチオフェン、ピロール、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ピレン、インドール、クマリン、フルオレセイン、カルバゾール、ローダミン、シアン染料、フルオレン又はキノリンであり、
Ａｒ２は下記構造のうちの一種であり、
Ｘ、Ｙ、ＷはそれぞれＯ、Ｓ、Ｎ−Ｒ５又はＳｉ−Ｒ６Ｒ７であり、
Ｚ１、Ｚ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５はそれぞれ水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基、アミノ基、シアン基、第四級アンモニウム塩、スルホン酸塩、リン酸塩又はポリエチレングリコール基であり、且つアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基の炭素数が１〜１８であり、
ｍ、ｎ、ｏは０〜１００００であり、且つ同時に０であることではない。
構造は図１に示す。
実施例２
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）真空蒸着技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が０．０１ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ１）溶液に完全に浸漬し、溶剤がＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドであり、室温で１時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
図２は、ガラス基板にめっきした金膜の原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）結像図である。（ａ）金膜表面、５μｍ範囲、（ｂ）金膜表面、１μｍ範囲。図２（Ｃ）における白色粒子はプローブ分子であり、その被覆率は約２０％である。
実施例２で得られた表面プラズモン共鳴センサチップを角度変調型或いは波長変調型表面プラズモン共鳴センサ装置に取り付け、流通セルに異なる濃度のリポ多糖の水溶液を注入し、反射角の変化を引き起こし、検出によってわかるように、角度の変化値と注入したリポ多糖の濃度は線形関係を有し、結果を図３に示す。表面プラズモン共鳴ピークのシフト量と注入したリポ多糖の濃度は１０−１４〜１０−１０Ｍ範囲で線形関係を有する。
このセンサチップを波長型表面プラズモン共鳴センサ装置に取り付け、流通セルに１０−１０Ｍのリポ多糖の水溶液を注入し、共鳴波長と相対光強度の大きな変化を引き起こす。同じ濃度の他の干渉物質の水溶液、例えば塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化カルシ
ウム、グルコース、ＡＴＰ、ＤＮＡ、ＲＮＡ、ＬＰＡ（リゾホスファチジン酸）、ＳＤＳ、ＬＴＡ（リポテイコ酸）等を注入し、引き起こした共鳴波長及び相対光強度の変化が小さい。結果を図４に示す。分かるように、本発明のセンサチップはリポ多糖に対して選択性を有する。
実施例３
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ１）溶液に完全に浸漬し、溶剤がアセトニトリルであり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例４
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１００ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ１）に完全に浸漬し、溶剤が１０％のテトラヒドロフランと９０％の水であり、室温で２０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例５
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）真空蒸着技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ２）溶液に完全に浸漬し、溶剤が１０％のアセトニトリルと９０％の水であり、室温で３時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例６
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が０．０１ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ３）溶液に完全に浸漬し、溶剤が３０％のジメチルスルホキシドと７０％の水であり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、三次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例６で得られた表面プラズモン共鳴センサチップを波長変調型表面プラズモン共鳴センサ装置に取り付け、流通セルに異なる濃度のリポ多糖の水溶液を注入し、共鳴波長の変化を引き起こし、検出によってわかるように、共鳴波長の変化値と注入したリポ多糖の濃度は線形関係を有し、結果が図５に示す。表面プラズモン共鳴ピークのシフト量と注入したリポ多糖の濃度は１０−１０〜１０−８Ｍ範囲で線形関係を有する。
実施例７
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）真空蒸着技術によって、厚さが５０ｎｍの金（２）をガラス基板（１）の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ２）溶液に完全に浸漬し、溶剤がリン酸塩緩衝溶液水であり、室温で１３時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、超純水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例８
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが６０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１５ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ４）溶液に完全に浸漬し、溶剤が生理食塩水であり、室温で１５時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例９
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）真空蒸着技術によって、厚さが６０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１００ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ４）溶液に完全に浸漬し、溶剤がヘペス緩衝溶液で、即ちＨＥＰＥＳであり、室温で５時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１０
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが６０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が０．０１ｍｇ／ｍＬのプローブ分子（ＰＴ５）溶液に完全に浸漬し、溶剤が５０％のメタノールと５０％の水であり、室温で１８時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１１
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが６０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２ａ）ステップ１）で得られたガラス基板を０．０１ｍｍｏ１／Ｌの化合物Ｓ１−１溶液に浸漬し、室温で１時間静置し、二次蒸留水で繰り返して洗浄するステップと、
２ｂ）１０ｍｇのプローブ分子（ＰＴ６）、１０ｍｇのＮＨＳ、１０ｍｇのＥＤＣを５０ｍＬリン酸塩緩衝水溶液に溶解するステップと、
２ｃ）２ａ）で製造されたガラス基板を２ｂ）で調製された混合溶液に浸漬し、室温で４時間静置し、それぞれエタノール、二次蒸留水でていねいに繰り返して洗浄するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１２
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５５ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２ａ）ステップ１）で得られたガラス基板を１ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１−２溶液に浸漬し、室温で４時間静置し、二次蒸留水で繰り返して洗浄するステップと、
２ｂ）１００ｍｇのプローブ分子（ＰＴ６）、５０ｍｇのＮＨＳ、５０ｍｇのＥＤＣを１００ｍＬの５％アセトニトリル−９５％リン酸塩緩衝水溶液に溶解するステップと、
２ｃ）２ａ）で製造されたガラス基板を２ｂ）で調製された混合溶液に浸漬し、室温で２０時間静置し、それぞれエタノール、二次蒸留水で慎重的に繰り返して洗浄するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１３
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）真空蒸着技術によって、厚さが４８ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２ａ）ステップ１）で得られたガラス基板を１０ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１−３溶液に浸漬し、室温で１０時間静置し、二次蒸留水で繰り返して洗浄するステップと、
２ｂ）５０ｍｇのプローブ分子（ＰＴ６）、５０ｍｇのＮＨＳ、５０ｍｇのＥＤＣを１００ｍＬの５％ジメチルスルホキシド−９５％生理食塩水溶液に溶解するステップと、
２ｃ）２ａ）で製造されたガラス基板を２ｂ）で調製された混合溶液に浸漬し、室温で１０時間静置し、それぞれエタノール、二次蒸留水で慎重的に繰り返して洗浄するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１４
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）真空蒸着技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２ａ）ステップ１）で得られたガラス基板を１ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１−４溶液に浸漬し、室温で１０時間静置し、二次蒸留水で繰り返して洗浄するステップと、
２ｂ）５０ｍｇのプローブ分子（ＰＴ７）、５０ｍｇのＮＨＳ、５０ｍｇのＥＤＣを９０ｍＬの５％ジメチルスルホキシド−９５％生理食塩水溶液に溶解するステップと、
２ｃ）２ａ）で製造されたガラス基板を２ｂ）で調製された混合溶液に浸漬し、室温で３時間静置し、それぞれエタノール、二次蒸留水で慎重的に繰り返して洗浄するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１５
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２ａ）ステップ１）で得られたガラス基板を１００ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１−５溶液に浸漬し、室温で１０時間静置し、二次蒸留水で繰り返して洗浄するステップと、
２ｂ）５ｍｇのプローブ分子（ＰＴ７）、１０ｍｇのＮＨＳ、１０ｍｇのＥＤＣを２０ｍＬの５％メタノール−９５％生理食塩水溶液に溶解するステップと、
２ｃ）２ａ）で製造されたガラス基板を２ｂ）で調製された混合溶液に浸漬し、室温で３時間静置し、それぞれエタノール、二次蒸留水でていねいに繰り返して洗浄するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１５で得られた表面プラズモン共鳴センサチップを波長変調型表面プラズモン共鳴センサ装置に取り付け、流通セルに異なる濃度のリポ多糖の水溶液を注入し、共鳴波長の変化を引き起こし、検出によってわかるように、共鳴波長の変化値と注入したリポ多糖の濃度は線形関係を有し、結果を図６に示す。表面プラズモン共鳴ピークのシフト量と注入したリポ多糖の濃度は１０−１４〜１０−１０Ｍの範囲で線形関係を有する。
実施例１６
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが６０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２ａ）ステップ１）で得られたガラス基板を０．１ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１−６溶液に浸漬し、室温で２４時間静置し、二次蒸留水で繰り返して洗浄するステップと、
２ｂ）１５ｍｇのプローブ分子（ＰＴ７）、２０ｍｇのＮＨＳ、２０ｍｇのＥＤＣを４０ｍＬの１０％アセトニトリル−８０％リン酸塩緩衝溶液に溶解するステップと、
２ｃ）２ａ）で製造されたガラス基板を２ｂ）で調製された混合溶液に浸漬し、室温で１３時間静置し、それぞれエタノール、二次蒸留水でていねいに繰り返して洗浄するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１７
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＥ１溶液に完全に浸漬し、溶剤がアセトニトリルであり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１８
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが４５ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が２０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＥ２溶液に完全に浸漬し、溶剤がジメチルスルホキシドであり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例１９
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＰＶ１溶液に完全に浸漬し、溶剤がジクロロメタンであり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例２０
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＰＶ２溶液に完全に浸漬し、溶剤がテトラヒドロフランであり、室温で１時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例２１
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが４５ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＦ溶液に完全に浸漬し、溶剤が水であり、室温で３時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例２２
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５０ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＦ２溶液に完全に浸漬し、溶剤が水であり、室温で５時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例２３
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが４８ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＰＰ１溶液に完全に浸漬し、溶剤がジクロロメタンであり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例２４
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、具体的に、
１）マグネトロンスパッタリング技術によって、厚さが５２ｎｍの金をガラス基板の表面にめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られた金膜がめっきされたガラス基板を濃度が１０ｍｇ／ｍＬのプローブ分子ＰＰＰ２溶液に完全に浸漬し、溶剤が水であり、室温で１０時間放置するステップと、
３）完全に浸漬させた後、ガラス基板を取り出し、二次蒸留水でガラス基板を繰り返して洗浄し、チップを得て、二次蒸留水に保存して使用に備えるステップとを含む。
実施例２５
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、
１）金膜の厚さが１０ｎｍとなるように、ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られたガラス基板を濃度が０．０１ｍｇ／ｍＬのプローブ分子溶液に完全に浸漬し、５分放置するステップと、
３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含む。
前記プローブ分子溶液の溶剤がＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである。
前記プローブ分子がΡΡΡ２である。
実施例２６
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、
１）金膜の厚さが６０ｎｍとなるように、ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
２）ステップ１）で得られたガラス基板を濃度が１０００ｍｇ／ｍＬのプローブ分子溶液に完全に浸漬し、２４時間放置するステップと、
３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含む。
前記プローブ分子溶液の溶剤がＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。
前記プローブ分子がＰＦ２である。
実施例２７
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、
（１）金膜の厚さが１０ｎｍとなるように、ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
（２）ステップ（１）で得られたガラス基板を０．０１ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１溶液中に浸漬し、１時間静置し、水で繰り返して洗浄して使用に備え、プローブ分子、ＮＨＳ、ＥＤＣ、溶剤を質量比１：０．１：０．１：１で混合し、混合溶液を得て、前記ガラス基板を混合溶液に浸漬し、５分静置し、ガラス基板を取り出し、エタノール、水で繰り返して洗浄するステップと、
ただし、化合物Ｓ１の構造は以下のとおりである、
式中、Ｚ３、Ｒ１６は水素原子である、
（３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含む。
前記化合物Ｓ１溶液の溶剤が生理食塩水である。
前記溶剤がＨＥＰＥＳ緩衝液である。
実施例２８
表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法は、
（１）金膜の厚さが６０ｎｍとなるように、ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
（２）ステップ（１）で得られたガラス基板を１０００ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１溶液に浸漬し、２４時間静置し、水で繰り返して洗浄して使用に備え、プローブ分子、ＮＨＳ、ＥＤＣ、溶剤を質量比１：１００：１００：１０００で混合し、混合溶液を得て、前記ガラス基板を混合溶液に浸漬し、２４時間静置し、ガラス基板を取り出し、エタノール、水で繰り返して洗浄するステップと、
ただし、化合物Ｓ１の構造は以下のとおりである、
式中、Ｚ３はシアン基であり、Ｒ１６はポリエチレングリコール基である、
（３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含む。
前記化合物Ｓ１溶液の溶剤がジメチルスルホキシドである。
前記溶剤がＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドである。
実施例２９
プローブ分子溶液濃度、浸漬時間等の金膜におけるプローブ分子の被覆率への影響を測定し、プローブ分子ΡΤ２を例として、結果を下記の表に示す。
上記表１からわかるように、浸漬時間の増加につれて、金膜におけるプローブ分子の被覆率も増加し、プローブ分子濃度の増加につれて、金膜におけるプローブ分子の被覆率も増加する。
本発明の上記実施例は単に本発明を詳細に説明するために挙げられる例であり、本発明の実施形態を限定するものではないことが明らかである。本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者は、上記の説明に基づいて様々な変化又は変更を加えることができる。ここで、すべての実施形態に対して例を徹底的に挙げることができない。本発明の技術案から容易になし得る変化又は変更はすべて本発明の保護範囲に属する。

Claims (10)

  1. 表面プラズモン共鳴センサチップであって、ガラス基板層、金膜層、及びプローブ分子層を含み、ガラス基板層に金膜層が設置され、金膜層にプローブ分子層が設置され、前記プローブ分子層は、構造が以下構造であるプローブ分子の層であることを特徴とする表面プラズモン共鳴センサチップ。
    式中、Ａｒ１ はベンゼン、ナフタレン、アントラセン、またはピレン、
    Ｘ、Ｙ、ＷはそれぞれＳ、Ｏ、Ｎ−Ｒ５又はＳｉ−Ｒ６Ｒ７であり、
    Ｚ１、Ｚ２、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ ７ はそれぞれ水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基、アミノ基、シアン基、第四級アンモニウム塩、スルホン酸塩、リン酸塩又はポリエチレングリコール基であり、且つアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基の炭素数が１〜１８であり、
    ｍ、ｎ、ｏは０〜１００００であり且つそれぞれの式におけるｍ、ｎ、ｏの和が０であることではない。
  2. 前記金膜層の厚さは１０〜６０ｎｍであり、前記プローブ分子層の厚さは１〜１００ｎｍであり、金膜層におけるプローブ分子層の被覆率は５％〜１００％であることを特徴とする請求項１に記載の表面プラズモン共鳴センサチップ。
  3. 請求項１又は２に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法であって、
    １）ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
    ２）ステップ１）で得られたガラス基板を濃度が０．０１〜１０００ｍｇ／ｍＬのプローブ分子溶液に完全に浸漬させ、５分〜２４時間放置するステップと、
    ３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法。
  4. 前記金膜の厚さは１０〜６０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法。
  5. 前記プローブ分子溶液の溶剤は、生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝液、リン酸塩緩衝液であり、或いはメタノール、エタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤であり、或いは前記有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤と水とを任意比率で混合する混合物であることを特徴とする請求項３に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法。
  6. 請求項１又は２に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法であって、
    （１）ガラス基板の表面に金をめっきするステップと、
    （２）ステップ（１）で得られたガラス基板を０．０１〜１０００ｍｍｏｌ／Ｌの化合物Ｓ１溶液に浸漬し、１〜２４時間静置し、水で繰り返して洗浄して使用に備え、質量比１：０．１〜１００：０．１〜１００：１〜１０００でプローブ分子、ＮＨＳ、ＥＤＣ、溶剤を混合し、混合溶液を得て、前記ガラス基板を混合溶液に浸漬し、５分〜２４時間静置し、ガラス基板を取り出し、エタノール、水で繰り返して洗浄するステップと、
    ただし、化合物Ｓ１の構造は以下のとおりである、
    式中、Ｚ３は単結合、アルキレン基、又はポリエチレングリコール基であり、Ｒ１６は水素原子、アルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基、アミノ基、シアン基又はポリエチレングリコール基であり、且つアルキル基、ヒドロキシル基、メルカプト基、カルボキシル基、アミド、酸無水物、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、エステル基、エーテル基の炭素数が１〜１８である、
    （３）ガラス基板を取り出し、ガラス基板を水で繰り返して洗浄し、表面プラズモン共鳴センサチップを得るステップとを含むことを特徴とする、請求項１又は２に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法。
  7. 前記金膜の厚さは１０〜６０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法。
  8. 前記化合物Ｓ１は、生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝液、リン酸塩緩衝液、或いはメタノール、エタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤、或いは前記有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤と水とを任意比率で混合する混合物に溶解して、化合物Ｓ１溶液を形成し、
    前記溶剤は、生理食塩水、ＨＥＰＥＳ緩衝液、リン酸塩緩衝液であり、或いはメタノール、エタノール、アセトニトリル、ジクロロメタン、トリクロロメタン、テトラヒドロフラン、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドの有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤であり、或いは前記有機溶剤のうちの一種又は二種以上の混合溶剤と水とを任意比率で混合する混合物であることを特徴とする請求項６に記載の表面プラズモン共鳴センサチップの製造方法。
  9. 水溶液におけるリポ多糖の検出に用いられる請求項１又は２に記載の表面プラズモン共鳴センサチップ。
  10. 前記リポ多糖の検出は、前記センサチップを角度変調型或いは波長変調型表面プラズモン共鳴センサ装置に取り付け、流通セルに異なる濃度のリポ多糖の水溶液を注入し、表面プラズモン共鳴ピークのシフトを検出することによって行われることを特徴とする請求項９に記載の表面プラズモン共鳴センサチップ。
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