JP6328862B1 - 電源電圧に対する感度が制御されるリング発振器アーキテクチャ - Google Patents
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Abstract
Description
以下に本願発明の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
[C1]
リング発振器段の電源感度を制御するための装置であって、
受けた入力の反転バージョンを出力するように構成された反転モジュールと、
前記反転モジュールのトライオードPMOS縮退にバイアスをかけるように構成されたPMOSバイアスモジュールと、
前記反転モジュールのトライオードNMOS縮退にバイアスをかけるように構成されたNMOSバイアスモジュールと、
電源電圧に基づいて前記PMOSバイアスモジュールのための第1のバイアス信号を、及び前記電源電圧に基づいて前記NMOSバイアスモジュールのための第2のバイアス信号を生成するように構成された電圧バイアスモジュールと
を備え、
前記PMOSバイアスモジュールは、前記第1のバイアス信号に基づいて、前記反転モジュールの前記トライオードPMOS縮退にバイアスをかけ、
前記NMOSバイアスモジュールは、前記第2のバイアス信号に基づいて、前記反転モジュールの前記トライオードNMOS縮退にバイアスをかけ、
前記反転モジュールは、前記バイアスがかけられたトライオードNMOS縮退と前記バイアスがかけられたトライオードPMOS縮退とに基づいて、前記受けた入力の前記反転バージョンを出力する、
装置。
[C2]
前記反転モジュールは、
一次PMOSトランジスタと、
前記一次PMOSトランジスタに結合された一次NMOSトランジスタと
を備え、
前記一次PMOSトランジスタのゲート及び前記一次NMOSトランジスタのゲートは、前記リング発振器段の入力に結合され、
前記一次PMOSトランジスタのドレイン及び前記一次NMOSトランジスタのドレインは、前記リング発振器段の出力に結合される、
C1に記載の装置。
[C3]
前記PMOSバイアスモジュールは、第1の二次PMOSトランジスタと、第2の二次PMOSトランジスタと、第3の二次PMOSトランジスタと、第4の二次PMOSトランジスタとを備え、
前記一次PMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次PMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタのソース、前記第2の二次PMOSトランジスタのソース、前記第3の二次PMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々の抵抗は、前記電圧バイアスモジュールから前記第1のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第1のバイアス信号を受ける、
C2に記載の装置。
[C4]
前記NMOSバイアスモジュールは、第1の二次NMOSトランジスタと、第2の二次NMOSトランジスタと、第3の二次NMOSトランジスタと、第4の二次NMOSトランジスタとを備え、
前記一次NMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次NMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタのソース、前記第2の二次NMOSトランジスタのソース、前記第3の二次NMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのソースは、接地ノードに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタ528の各々の抵抗は、電圧バイアスモジュールから前記第2のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第2のバイアス信号を受ける、
C3に記載の装置。
[C5]
前記電圧バイアスモジュールは、
第1の三次PMOSトランジスタと、第2の三次PMOSトランジスタと、三次NMOSトランジスタと、電流源と
を備え、
前記第1の三次PMOSトランジスタのドレインは、前記三次NMOSトランジスタのドレインに結合され、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記第1の三次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の三次PMOSトランジスタのゲートは、前記第2の三次PMOSトランジスタのゲートに結合される、
C4に記載の装置。
[C6]
前記第2の三次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2の三次PMOSトランジスタのドレインは、前記電流源の第1のノード及び前記三次NMOSトランジスタのゲートに結合され、前記第2の三次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
C5に記載の装置。
[C7]
前記三次NMOSトランジスタのドレインは、前記第1の三次PMOSトランジスタの前記ドレインに結合され、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記三次NMOSトランジスタのソースは、前記接地ノードに結合され、
前記三次NMOSトランジスタのゲートは、前記電流源の前記第1のノードに結合され、前記第1の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
C6に記載の装置。
[C8]
前記電流源の前記第1のノードは、前記第2の三次PMOSトランジスタの前記ドレイン及び前記三次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記電流源の第2のノードは、前記接地ノードに結合される、
C7に記載の装置。
[C9]
リング発振器段の電源感度を制御するための方法であって、
電源電圧に基づいてPMOSバイアスモジュールのための第1のバイアス信号を、及び前記電源電圧に基づいてNMOSバイアスモジュールのための第2のバイアス信号を、電圧バイアスモジュールを介して、生成することと、
前記第1のバイアス信号に基づいて、前記反転モジュールのトライオードPMOS縮退に、前記PMOSバイアスモジュールを介して、バイアスをかけることと、
前記第2のバイアス信号に基づいて、前記反転モジュールのトライオードNMOS縮退に、前記NMOSバイアスモジュールを介して、バイアスをかけることと、
反転モジュールを介して入力を受けることと、
前記バイアスがかけられたトライオードNMOS縮退と前記バイアスがかけられたトライオードPMOS縮退とに基づいて、前記受けた入力の反転バージョンを、前記反転モジュールを介して、出力することと
を備える方法。
[C10]
前記反転モジュールは、
一次PMOSトランジスタと、
前記一次PMOSトランジスタに結合された一次NMOSトランジスタと
を備え、
前記一次PMOSトランジスタのゲート及び前記一次NMOSトランジスタのゲートは、前記リング発振器段の入力に結合され、
前記一次PMOSトランジスタのドレイン及び前記一次NMOSトランジスタのドレインは、前記リング発振器段の出力に結合される、
C9に記載の方法。
[C11]
前記PMOSバイアスモジュールは、第1の二次PMOSトランジスタと、第2の二次PMOSトランジスタと、第3の二次PMOSトランジスタと、第4の二次PMOSトランジスタとを備え、
前記一次PMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次PMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタのソース、前記第2の二次PMOSトランジスタのソース、前記第3の二次PMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々の抵抗は、前記電圧バイアスモジュールから前記第1のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第1のバイアス信号を受ける、
C10に記載の方法。
[C12]
前記NMOSバイアスモジュールは、第1の二次NMOSトランジスタと、第2の二次NMOSトランジスタと、第3の二次NMOSトランジスタと、第4の二次NMOSトランジスタとを備え、
前記一次NMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次NMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタのソース、前記第2の二次NMOSトランジスタのソース、前記第3の二次NMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのソースは、接地ノードに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタ528の各々の抵抗は、電圧バイアスモジュールから前記第2のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第2のバイアス信号を受ける、
C11に記載の方法。
[C13]
前記電圧バイアスモジュールは、
第1の三次PMOSトランジスタと、第2の三次PMOSトランジスタと、三次NMOSトランジスタと、電流源とを備え、
前記第1の三次PMOSトランジスタのドレインは、前記三次NMOSトランジスタのドレインに結合され、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記第1の三次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の三次PMOSトランジスタのゲートは、前記第2の三次PMOSトランジスタのゲートに結合される、
C12に記載の方法。
[C14]
前記第2の三次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2の三次PMOSトランジスタのドレインは、前記電流源の第1のノード及び前記三次NMOSトランジスタのゲートに結合され、前記第2の三次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
C13に記載の方法。
[C15]
前記三次NMOSトランジスタのドレインは、前記第1の三次PMOSトランジスタの前記ドレインに結合され、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記三次NMOSトランジスタのソースは、前記接地ノードに結合され、
前記三次NMOSトランジスタのゲートは、前記電流源の前記第1のノードに結合され、前記第1の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
C14に記載の方法。
[C16]
前記電流源の前記第1のノードは、前記第2の三次PMOSトランジスタの前記ドレイン及び前記三次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記電流源の第2のノードは、前記接地ノードに結合される、
C15に記載の方法。
[C17]
リング発振器段の電源感度を制御するための装置であって、
入力を受け、前記受けた入力の反転バージョンを出力するための反転手段と、
前記反転手段のトライオードPMOS縮退にバイアスをかけるためのPMOSバイアス手段と、
前記反転手段のトライオードNMOS縮退にバイアスをかけるためのNMOSバイアス手段と、
電源電圧に基づいて前記PMOSバイアス手段のための第1のバイアス信号を及び前記電源電圧に基づいて前記NMOSバイアス手段のための第2のバイアス信号を生成するための電圧バイアス手段と
を備え、
前記PMOSバイアス手段は、前記第1のバイアス信号に基づいて、前記反転手段の前記トライオードPMOS縮退にバイアスをかけるように構成され、
前記NMOSバイアス手段は、前記第2のバイアス信号に基づいて、前記反転手段の前記トライオードNMOS縮退にバイアスをかけるように構成され、
前記受けた入力の前記反転バージョンは、前記バイアスがかけられたトライオードNMOS縮退と前記バイアスがかけられたトライオードPMOS縮退とに基づいて、前記反転手段を介して、出力される、
装置。
[C18]
前記反転手段は、
一次PMOSトランジスタと、
前記一次PMOSトランジスタに結合された一次NMOSトランジスタと
を備え、
前記一次PMOSトランジスタのゲート及び前記一次NMOSトランジスタのゲートは、前記リング発振器段の入力に結合され、
前記一次PMOSトランジスタのドレイン及び前記一次NMOSトランジスタのドレインは、前記リング発振器段の出力に結合される、
C17に記載の装置。
[C19]
前記PMOSバイアス手段は、第1の二次PMOSトランジスタと、第2の二次PMOSトランジスタと、第3の二次PMOSトランジスタと、第4の二次PMOSトランジスタとを備え、
前記一次PMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次PMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタのソース、前記第2の二次PMOSトランジスタのソース、前記第3の二次PMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々の抵抗は、前記電圧バイアスモジュールから前記第1のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第1のバイアス信号を受ける、
C18に記載の装置。
[C20]
前記NMOSバイアス手段は、第1の二次NMOSトランジスタと、第2の二次NMOSトランジスタと、第3の二次NMOSトランジスタと、第4の二次NMOSトランジスタとを備え、
前記一次NMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次NMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタのソース、前記第2の二次NMOSトランジスタのソース、前記第3の二次NMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのソースは、接地ノードに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタ528の各々の抵抗は、電圧バイアスモジュールから前記第2のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第2のバイアス信号を受ける、
C19に記載の装置。
[C21]
前記電圧バイアス手段は、
第1の三次PMOSトランジスタと、第2の三次PMOSトランジスタと、三次NMOSトランジスタと、電流源とを備え、
前記第1の三次PMOSトランジスタのドレインは、前記三次NMOSトランジスタのドレインに結合され、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記第1の三次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の三次PMOSトランジスタのゲートは、前記第2の三次PMOSトランジスタのゲートに結合される、
C20に記載の装置。
[C22]
前記第2の三次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2の三次PMOSトランジスタのドレインは、前記電流源の第1のノード及び前記三次NMOSトランジスタのゲートに結合され、前記第2の三次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
C21に記載の装置。
[C23]
前記三次NMOSトランジスタのドレインは、前記第1の三次PMOSトランジスタの前記ドレインに結合され、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記三次NMOSトランジスタのソースは、前記接地ノードに結合され、
前記三次NMOSトランジスタのゲートは、前記電流源の前記第1のノードに結合され、前記第1の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
C22に記載の装置。
[C24]
前記電流源の前記第1のノードは、前記第2の三次PMOSトランジスタの前記ドレイン及び前記三次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記電流源の第2のノードは、前記接地ノードに結合される、
C23に記載の装置。
Claims (26)
- リング発振器段の電源感度を制御するための装置であって、
受けた入力の反転バージョンを出力するように構成された反転モジュールと、
前記反転モジュールに結合され、第1のバイアス信号に基づいてチューニング可能な抵抗を有する少なくとも1つの要素を備えるPMOSバイアスモジュールと、
前記反転モジュールに結合され、第2のバイアス信号に基づいてチューニング可能な抵抗を有する少なくとも1つの要素を備えるNMOSバイアスモジュールと、
電源電圧に基づいて前記PMOSバイアスモジュールのための前記第1のバイアス信号を、及び前記電源電圧に基づいて前記NMOSバイアスモジュールのための前記第2のバイアス信号を生成するように構成された電圧バイアスモジュールと
を備え、前記電圧バイアスモジュールは、第1のPMOSトランジスタと、NMOSトランジスタと、第2のPMOSトランジスタと、電流源とを備え、前記第1のPMOSトランジスタのドレインは、前記NMOSトランジスタのドレインに、及び前記PMOSバイアスモジュールに結合され、前記NMOSトランジスタのゲートは、前記NMOSバイアスモジュールに結合され、前記第1のPMOSトランジスタのゲートは、前記第2のPMOSトランジスタのゲートに結合され、
前記第1のPMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2のPMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2のPMOSトランジスタのドレインは、前記電流源の第1のノード及び前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、及び前記第2のPMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記PMOSバイアスモジュールは、前記第1のバイアス信号に基づいて、前記反転モジュールにバイアスをかけ、
前記NMOSバイアスモジュールは、前記第2のバイアス信号に基づいて、前記反転モジュールにバイアスをかけ、
前記反転モジュールは、前記NMOSバイアスモジュールバイアスと前記PMOSバイアスモジュールバイアスとに基づいて、前記受けた入力の前記反転バージョンを出力する、
装置。 - 前記反転モジュールは、
一次PMOSトランジスタと、
前記一次PMOSトランジスタに結合された一次NMOSトランジスタと
を備え、
前記一次PMOSトランジスタのゲート及び前記一次NMOSトランジスタのゲートは、前記リング発振器段の入力に結合され、
前記一次PMOSトランジスタのドレイン及び前記一次NMOSトランジスタのドレインは、前記リング発振器段の出力に結合される、
請求項1に記載の装置。 - 前記PMOSバイアスモジュールは、第1の二次PMOSトランジスタと、第2の二次PMOSトランジスタと、第3の二次PMOSトランジスタと、第4の二次PMOSトランジスタとを備え、
前記一次PMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次PMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタのソース、前記第2の二次PMOSトランジスタのソース、前記第3の二次PMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々の抵抗は、前記電圧バイアスモジュールから前記第1のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第1のバイアス信号を受ける、
請求項2に記載の装置。 - 前記NMOSバイアスモジュールは、第1の二次NMOSトランジスタと、第2の二次NMOSトランジスタと、第3の二次NMOSトランジスタと、第4の二次NMOSトランジスタとを備え、
前記一次NMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次NMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタのソース、前記第2の二次NMOSトランジスタのソース、前記第3の二次NMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのソースは、接地ノードに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々の抵抗は、電圧バイアスモジュールから前記第2のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第2のバイアス信号を受ける、
請求項3に記載の装置。 - 前記第1のPMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
請求項4に記載の装置。 - 前記NMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記NMOSトランジスタのソースは、前記接地ノードに結合され、
前記NMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第1の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
請求項5に記載の装置。 - 前記電流源の第2のノードは、前記接地ノードに結合される、
請求項6に記載の装置。 - 前記電源感度は、前記PMOSバイアスモジュールの前記少なくとも1つの要素の前記チューニングされた抵抗と、前記NMOSバイアスモジュールの前記少なくとも1つの要素の前記チューニングされた抵抗とに少なくとも部分的に基づく、請求項1に記載の装置。
- 前記PMOSバイアスモジュールの前記少なくとも1つの要素及び前記NMOSバイアスモジュールの前記少なくとも1つの要素は、前記反転モジュールに縮退を提供する、請求項1に記載の装置。
- 前記PMOSバイアスモジュール及び前記NMOSバイアスモジュールは各々、チューニング可能な抵抗を有する複数の要素を備え、前記複数の要素の各々は、スイッチと直列にトランジスタを備える、請求項1に記載の装置。
- 前記電流源の第2のノードは、前記NMOSトランジスタのソースに結合される、請求項1に記載の装置。
- 前記第1のNMOSトランジスタの前記ソースは、前記PMOSバイアスモジュール中の1つ以上のスイッチに更に結合され、前記NMOSトランジスタの前記ソースは、前記NMOSバイアスモジュール中の1つ以上のスイッチに更に結合される、請求項11に記載の装置。
- リング発振器段の電源感度を制御するための方法であって、
電源電圧に基づいてPMOSバイアスモジュールのための第1のバイアス信号を、及び前記電源電圧に基づいてNMOSバイアスモジュールのための第2のバイアス信号を、電圧バイアスモジュールを介して、生成することと、前記第1のバイアス信号は、前記電圧バイアスモジュール中のNMOSトランジスタのドレイン及び第1のPMOSトランジスタのドレインが結合される先のノードから供給され、前記第2のバイアス信号は、前記NMOSトランジスタのゲートに結合されたノードから供給され、前記第1のPMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1のPMOSトランジスタのゲートに接続されておらず、
前記電圧バイアスモジュールは、第2のPMOSトランジスタ及び電流源を更に備え、前記第1のPMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、前記第1のPMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第2のPMOSトランジスタのゲートに結合され、
前記第2のPMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2のPMOSトランジスタのドレインは、前記電流源の第1のノード及び前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第2のPMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
前記第1のバイアス信号に基づいて、前記PMOSバイアスモジュールの少なくとも1つの要素の抵抗をチューニングすることと、
前記第2のバイアス信号に基づいて、前記NMOSバイアスモジュールの少なくとも1つの要素の抵抗をチューニングすることと、
前記PMOSバイアスモジュールの前記少なくとも1つの要素の前記チューニングされた抵抗に基づいて、反転モジュールのPMOS縮退に、前記PMOSバイアスモジュールを介して、バイアスをかけることと、
前記NMOSバイアスモジュールの前記少なくとも1つの要素の前記チューニングされた抵抗に基づいて、前記反転モジュールのNMOS縮退に、前記NMOSバイアスモジュールを介して、バイアスをかけることと、
前記反転モジュールを介して入力を受けることと、
前記NMOS縮退と前記PMOS縮退とに基づいて、前記受けた入力の反転バージョンを、前記反転モジュールを介して、出力することと
を備える方法。 - 前記反転モジュールは、
一次PMOSトランジスタと、
前記一次PMOSトランジスタに結合された一次NMOSトランジスタと
を備え、
前記一次PMOSトランジスタのゲート及び前記一次NMOSトランジスタのゲートは、前記リング発振器段の入力に結合され、
前記一次PMOSトランジスタのドレイン及び前記一次NMOSトランジスタのドレインは、前記リング発振器段の出力に結合される、
請求項13に記載の方法。 - 前記PMOSバイアスモジュールは、第1の二次PMOSトランジスタと、第2の二次PMOSトランジスタと、第3の二次PMOSトランジスタと、第4の二次PMOSトランジスタとを備え、
前記一次PMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次PMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタのソース、前記第2の二次PMOSトランジスタのソース、前記第3の二次PMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々の抵抗は、前記電圧バイアスモジュールから前記第1のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第1のバイアス信号を受ける、
請求項14に記載の方法。 - 前記NMOSバイアスモジュールは、第1の二次NMOSトランジスタと、第2の二次NMOSトランジスタと、第3の二次NMOSトランジスタと、第4の二次NMOSトランジスタとを備え、
前記一次NMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次NMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタのソース、前記第2の二次NMOSトランジスタのソース、前記第3の二次NMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのソースは、接地ノードに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々の抵抗は、電圧バイアスモジュールから前記第2のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第2のバイアス信号を受ける、
請求項15に記載の方法。 - 前記第1のPMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
請求項16に記載の方法。 - 前記NMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記NMOSトランジスタのソースは、前記接地ノードに結合され、
前記NMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第1の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
請求項17に記載の方法。 - 前記電流源の第2のノードは、前記接地ノードに結合される、
請求項18に記載の方法。 - リング発振器段の電源感度を制御するための装置であって、
入力を受け、前記受けた入力の反転バージョンを出力するための反転手段と、
前記反転手段のPMOS縮退にバイアスをかけるためのPMOSバイアス手段と、前記PMOSバイアス手段は、第1のバイアス信号に基づいて、前記PMOSバイアス手段の抵抗をチューニングするための手段を備える、
前記反転手段のNMOS縮退にバイアスをかけるためのNMOSバイアス手段と、前記NMOSバイアス手段は、第2のバイアス信号に基づいて、前記NMOSバイアス手段の抵抗をチューニングするための手段を備える、
電源電圧に基づいて前記PMOSバイアス手段のための前記第1のバイアス信号を及び前記電源電圧に基づいて前記NMOSバイアス手段のための前記第2のバイアス信号を生成するための電圧バイアス手段と
を備え、前記電圧バイアス手段は、第1のPMOSトランジスタと、NMOSトランジスタと、第2のPMOSトランジスタと、電流源を備える電流を供給するための手段を備え、前記第1のPMOSトランジスタのドレインは、前記NMOSトランジスタのドレインに、及び前記PMOSバイアス手段に結合され、前記NMOSトランジスタのゲートは、前記NMOSバイアス手段に結合され、前記NMOSトランジスタのソースは、前記電流を供給するための手段に結合され、
前記第1のPMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、前記第1のPMOSトランジスタの前記ゲートは、前記第2のPMOSトランジスタのゲートに結合され、
前記第2のPMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第2のPMOSトランジスタのドレインは、前記電流源の第1のノード及び前記NMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、前記第2のPMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記受けた入力の前記反転バージョンは、前記バイアスがかけられたNMOS縮退と前記バイアスがかけられたPMOS縮退とに基づいて、前記反転手段を介して、出力される、
装置。 - 前記反転手段は、
一次PMOSトランジスタと、
前記一次PMOSトランジスタに結合された一次NMOSトランジスタと
を備え、
前記一次PMOSトランジスタのゲート及び前記一次NMOSトランジスタのゲートは、前記リング発振器段の入力に結合され、
前記一次PMOSトランジスタのドレイン及び前記一次NMOSトランジスタのドレインは、前記リング発振器段の出力に結合される、
請求項20に記載の装置。 - 前記PMOSバイアス手段は、第1の二次PMOSトランジスタと、第2の二次PMOSトランジスタと、第3の二次PMOSトランジスタと、第4の二次PMOSトランジスタとを備え、
前記一次PMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次PMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次PMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタのソース、前記第2の二次PMOSトランジスタのソース、前記第3の二次PMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次PMOSトランジスタのソースは、前記電源電圧に結合され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々の抵抗は、前記電圧バイアスモジュールから前記第1のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次PMOSトランジスタ、前記第2の二次PMOSトランジスタ、前記第3の二次PMOSトランジスタ、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第1のバイアス信号を受ける、
請求項21に記載の装置。 - 前記NMOSバイアス手段は、第1の二次NMOSトランジスタと、第2の二次NMOSトランジスタと、第3の二次NMOSトランジスタと、第4の二次NMOSトランジスタとを備え、
前記一次NMOSトランジスタのソースは、前記第1の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第2の二次NMOSトランジスタのドレイン、前記第3の二次NMOSトランジスタのドレイン、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのドレインに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタのソース、前記第2の二次NMOSトランジスタのソース、前記第3の二次NMOSトランジスタのソース、及び前記第4の二次NMOSトランジスタのソースは、接地ノードに結合され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々の抵抗は、電圧バイアスモジュールから前記第2のバイアス信号をそれぞれ受けることで、前記電源電圧に基づいて制御され、
前記第1の二次NMOSトランジスタ、前記第2の二次NMOSトランジスタ、前記第3の二次NMOSトランジスタ、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの各々は、それぞれのゲートノードを介して前記第2のバイアス信号を受ける、
請求項22に記載の装置。 - 前記第1のPMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
請求項23に記載の装置。 - 前記NMOSトランジスタの前記ドレインは、前記第1の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次PMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次PMOSトランジスタの前記ゲートに結合され、
前記NMOSトランジスタのソースは、前記接地ノードに結合され、
前記NMOSトランジスタのゲートは、前記第1の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第2の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、前記第3の二次NMOSトランジスタの前記ゲート、及び前記第4の二次NMOSトランジスタの前記ゲートに結合される、
請求項21に記載の装置。 - 前記電流源の第2のノードは、前記接地ノードに結合される、
請求項25に記載の装置。
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