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Description
薄膜トランジスタ表示板には、ゲート信号を伝送するゲート線と、データ信号を伝送するデータ線とが互いに交差して形成され、ゲート線及びデータ線と接続されている薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタと接続されている画素電極などが形成される。
対向表示板には、遮光部材、カラーフィルタ、及び共通電極などが形成される。場合によって遮光部材、カラーフィルタ、及び共通電極を薄膜トランジスタ表示板に形成してもよい。
また、本発明の他の目的は、一つの基板を利用しながらも、外部圧力によく耐えられる堅固な構造を有する表示装置を提供することにある。
前記柱は、前記屋根層と一体に形成されていることが好ましい。
前記柱は、前記第1方向に対して垂直な第2方向に沿って延びている棒形状であることが好ましい。
前記柱は、前記第1方向に対して垂直な第2方向に沿って所定の間隔を有して配置されることが好ましい。
前記柱は、円柱又は四角柱であることが好ましい。
前記柱は、前記第1方向、及び前記第1方向に対して垂直な第2方向に沿って延長され、互いに交差する格子形状であることが好ましい。
前記柱は、前記第1方向に平行な前記画素領域の境界部と、前記第1方向に対して垂直な前記画素領域の境界部とが互いに交差する地点に形成されることが好ましい。
前記柱は、「十」字形状であることが好ましい。
前記屋根層は、前記第1方向に隣接する画素領域にて互いに異なる色を示すカラーフィルタからなり、前記カラーフィルタは、前記画素領域の境界部で互いに重畳するように形成され、前記カラーフィルタの重畳部に前記柱を形成することが好ましい。
また、画素領域の境界部に屋根層の上に突出する柱を形成することによって、外部から表示装置に加えられる力が柱に伝達されて、画素電極と屋根層の間の空間が維持され、屋根層が崩れないようにすることができるという効果がある。
また、屋根層と柱をハーフトーンマスクまたはスリットマスクを利用して同時に形成することによって、工程を追加することなく柱を形成することができるという効果がある。
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるという時には、中間に他の部分がないことを意味する。
図1は、本発明の第1の実施形態による表示装置の一画素領域を示す平面図であり、図2は、図1のII−II線に沿って切断した本発明の第1の実施形態による表示装置の一画素を示す断面図であり、図3は、図1のIII−III線に沿って切断した本発明の第1の実施形態による表示装置の一画素を示す断面図であり、図4は、本発明の第1の実施形態による表示装置の複数の画素領域を示す平面図である。
基板110は、複数の画素領域を含み、複数の画素領域は、ゲート線121とデータ線171によって定義される。
ゲート線121及びゲート電極124と接続されないように画素領域内に維持電極133をさらに形成してもよい。
図に示したように、維持電極133は、ゲート線121及びデータ線171と平行な方向に形成してもよい。これとは異なって、ゲート線121と平行な方向にだけ形成してもよい。互いに隣接する画素領域に形成された複数の維持電極133は互いに接続されるように形成される。維持電極133には共通電圧などのような一定の電圧が印加される。
ゲート絶縁膜140は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質で形成してもよい。また、ゲート絶縁膜140は、単一膜又は多重膜で形成してもよい。
ゲート絶縁膜140の上には半導体層150が形成される。
半導体層150は、ゲート電極124の上に配置してもよい。また、図に示すように、データ線171の下まで延在して形成してもよい。半導体層150は、非晶質シリコン(amorpous silicon)、多結晶シリコン(polycystalline silicon)、及び金属酸化物(metal oxide)などで形成してもよい。
データ線171は、主に縦方向に延びて、データ信号を伝達する。データ線171に伝達されたデータ信号はソース電極173に印加される。
ゲート電極124、半導体層150、ソース電極173、及びドレイン電極175は、一つの薄膜トランジスタを構成する。
薄膜トランジスタがオンの状態である時、ソース電極173に印加されたデータ信号はドレイン電極175に伝達される。
保護膜180は、有機絶縁物質又は無機絶縁物質で形成してもよく、単一膜又は多重膜で形成してもよい。
保護膜180の上には、各画素領域内にカラーフィルタ230が形成される。
各カラーフィルタ230は、赤色、緑色、及び青色の三原色など基本色のうちの一つを表示することができる。カラーフィルタ230は、赤色、緑色、及び青色の三原色に限定されず、青緑色(cyan)、紫紅色(magenta)、イエロー(yellow)、ホワイト系の色などを表示することも可能である。
遮光部材220は、画素領域の境界部と薄膜トランジスタの上に形成されて、光漏れを防止することができる。
カラーフィルタ230及び遮光部材220の上には第1絶縁層240をさらに形成してもよい。
第1絶縁層240は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質で形成してもよい。第1絶縁層240は、有機物質からなるカラーフィルタ230及び遮光部材220を保護する役割を果たし、必要に応じて省略することも可能である。
コンタクトホール181は、遮光部材220代わりにカラーフィルタ230に形成することも可能である。
第1絶縁層240の上にはコンタクトホール181によってドレイン電極175と接続される画素電極191が形成される。
画素電極191は、インジウム・スズ酸化物(ITO、Indium Tin Oxide)、インジウム・亜鉛酸化物(IZO、Indium Zinc Oxide)などのような透明な金属物質で形成される。
横幹部193は、ゲート線121と平行な方向に形成され、縦幹部192は、データ線171と平行な方向に形成される。横幹部193は、隣接した二つのゲート線121の間のほぼ中間に形成することができ、縦幹部192は、隣接した二つのデータ線171の間のほぼ中間に形成することができる。
第1副画素領域は、横幹部193の左側及び縦幹部192の上側に位置し、第2副画素領域は、横幹部193の右側及び縦幹部192の上側に位置する。第3副画素領域は、横幹部193の左側及び縦幹部192の下側に位置し、第4副画素領域は、横幹部193の右側及び縦幹部192の下側に位置する。
第1微細枝部194aは、横幹部193又は縦幹部192から左上方向に斜めに延びており、第2微細枝部194bは、横幹部193又は縦幹部192から右上方向に斜めに延びている。また、第3微細枝部194cは、横幹部193又は縦幹部192から左下方向に斜めに延びており、第4微細枝部194dは、横幹部193又は縦幹部192から右下方向に斜めに延びている。
図1に示す画素電極191の形状について上述したが、画素電極191の形状はこれに限定されず、多様に変形することが可能である。また、一つの画素領域が四つの副画素領域に分かれることと説明したが、より多くの領域に分かれることもでき、複数の副画素領域に分けないことも可能である。
画素電極191と共通電極270の間には空間200が形成される。空間200の幅と広さは、表示装置の解像度により多様に変更することができる。
液晶3は複数の液晶分子からなり、電界が印加されない状態で基板110に対して垂直方向に立つ。つまり、垂直配向が実現される。或いは、これに限定されず、水平配向を行ってもよい。
液晶3は、ネマチック(nematic)、スメクチック(smectic)、コレステリック(cholesteric)、キラル(chiral)、及びBMD液晶物質のいずれか一つで形成され得る。また、液晶3は、ネガティブ(negative)型の液晶物質又はポジティブ(positive)型の液晶物質で形成してもよい。
画素電極191と共通電極270が全て空間200を基準として下方に形成される場合もある。この時、画素電極191と共通電極270を同一の層に形成してもよく、絶縁層を介在して互いに異なる層に形成してもよい。この時、液晶3は、空間200内で基板110と平行な方向に傾くように形成してもよい。
第1配向膜11は、画素電極191によって覆われていない第1絶縁層240の上にも形成される。
第1配向膜11と対向するように共通電極270の下には第2配向膜21が形成される。
第1配向膜11と第2配向膜21は垂直配向膜で形成してもよく、ポリアミック酸(Polyamic acid)、ポリシロキサン(Polysiloxane)、及びポリイミド(Polyimide)などの物質で形成してもよい。第1配向膜11及び第2配向膜21は画素領域の周縁で互いに連結してもよい。
したがって、共通電極270は行方向に隣接した画素領域に沿って連結されている。
したがって、空間200の上側面と下側面には空間200が外部に露出するように液晶注入口201が形成される。つまり、液晶注入口201はゲート線121に沿って形成され、液晶注入口201を通して液晶3が空間200の内部に注入される。
例えば、共通電極270が空間200の上側面と下側面を覆い、左側面と右側面を覆わないように形成してもよい。この時、液晶注入口201はデータ線171に沿って形成することができる。
第2絶縁層280は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質で形成することができ、必要に応じて省略することも可能である。
屋根層285は、有機物質で形成され得る。屋根層285は、空間200の側面の一部と上部面を覆うように形成されて空間200の境界を形成し、空間200の形態を維持する役割を果たすことができる。
柱288は、屋根層285の上に突出するように形成されており、データ線171と重なり、棒形状に形成されている。
画素領域は、ゲート線121及びデータ線171によって境界が区分され、左右に隣接した画素領域の境界となるデータ線171の上に柱288が形成される。
また、これとは異なって、柱288がゲート線121と重なるように形成してもよく、ゲート線121及びデータ線171と全て重なるように格子状に形成してもよい。
柱288の両側面は、テーパ(taper)状を有するように形成されており、テーパの角度は、10度以上に形成するのが好ましい。
柱288は、屋根層285と重なるように形成され、行方向に隣接する画素領域Pの境界部に沿って形成される。図に示すように、第1行の画素領域Pの境界部に形成されている柱288と、第2行及び第3行の画素領域Pの境界部に形成されている柱288が連結されるように形成してもよい。
つまり、第1列の画素領域Pと第2列の画素領域Pを区分する境界部に沿って柱288が形成されており、第2列の画素領域Pと第3列の画素領域Pを区分する境界部に沿って柱288が形成される。
同様に、第2行の画素領域Pの境界部に形成されている柱288が、第3行の画素領域Pの境界部に形成されている柱288と連結されないように形成してもよい。
柱288は、屋根層285と同一の物質で形成してもよく、同一の工程によって形成してもよい。つまり、柱288と屋根層285は同一の層からなり、画素領域の境界部で高さが高く形成され、他の部分では平坦に形成される。
柱288の厚さが2μm以上に形成されるのが好ましく、柱288と屋根層285は、圧縮変形量が50%以下である物質からなるのが好ましい。
本発明では、空間200が形成されていない画素領域の境界部に柱288を形成することによって、外部から表示装置に加えられる力が柱288に伝達されて空間200が良好に維持され、屋根層285が崩れないようになる。
第3絶縁層290は、シリコン窒化物(SiNx)、シリコン酸化物(SiOx)などのような無機絶縁物質で形成される。第3絶縁層290は、屋根層285の上部面及び側面を全て覆うように形成される。第3絶縁層290は、有機物質からなる屋根層285を保護する役割を果たし、必要に応じて省略することも可能である。
蓋膜295は、空間200が外部に露出されている液晶注入口201を覆うように形成される。
つまり、空間200の内部に形成されている液晶3が外部に漏れないように、液晶注入口201を密封することができる。
蓋膜295は液晶3と接触するようになるので、液晶3と反応しない物質からなるのが好ましい。例えば、蓋膜295はフェリリンなどのような物質で形成してもよい。
蓋膜295の上に第2偏光板22を形成するとき、蓋膜295の上部を平坦にするのがさらに好ましい。
したがって、図では省略したが、蓋膜295の上部を平坦化できる層をさらに形成するか、又は蓋膜295を厚い有機膜で形成して、基板110の上を平坦化することもできる。
画素領域の境界部で互いに重なるように形成されているカラーフィルタ230が光を遮断する役割を果たすことができる。
この時、別途の屋根層285は形成されず、カラーフィルタ230と遮光部材220が屋根層285の役割を代わりに行うことができる。
画素領域の境界部で互いに重なるように形成されているカラーフィルタ230は、光を遮断する役割を代わりに行う。また、画素領域の境界部で互いに重なっているカラーフィルタ230は、画素領域に形成されているカラーフィルタ230より厚さが厚く形成されるので、柱288の役割を代わりに行う。したがって、遮光部材及び柱を別途に形成しなくてもよい。
本発明の第2の実施形態による表示装置は、第1の実施形態による表示装置と同様の部分が相当あるので、これに対する説明は省略して、相違する部分についてだけ以下で説明する。第1実施形態との最も大きい相違は柱の形状にあり、以下、さらに詳細に説明する。
本発明の第2の実施形態による表示装置は、第1の実施形態による表示装置と同一の順序で各構成要素が積層されている。
第1の実施形態においては、柱288が、行方向に隣接した画素領域Pを区分する境界部に沿って連結されるように形成され、平面図上で棒状に形成されている反面、第2の実施形態においては、柱288が平面図上で円形状に形成される。つまり、柱288の形態は、平面図上で円状に形成されるので、斜視図上で示せば、柱288の形態は円柱に形成される。
柱288は、行方向に隣接した画素領域Pを区分する境界部に沿って一定の間隔を有して離隔するように形成される。
ゲート線121とデータ線171とが交差する地点に一つの柱288が形成され、隣接した二つの交差地点の間には三つの柱288が形成される。
本発明はこれに限定されず、柱288は、一定でない間隔を有して離隔するように形成してもよく、隣接した二つの交差地点の間に形成される柱288の個数は多様に変更することができる。
本発明の第3の実施形態による表示装置は、第2の実施形態による表示装置と同様の部分が相当あるので、これに対する説明は省略し、相違する部分だけについて以下で説明する。第2の実施形態との最も大きい相違は、柱の位置にあり、以下、さらに詳細に説明する。
本発明の第3の実施形態による表示装置は、第2の実施形態による表示装置と同一の順序で各構成要素が積層されている。
つまり、第3の実施形態では隣接した二つの交差地点の間には柱288が形成されない。
柱288の形状は、第2の実施形態と同様に円柱に形成され得る。
図7及び図8において、柱288は、ゲート線121とデータ線171の全ての交差地点に形成されるように示しているが、本発明はこれに限定されない。ゲート線121とデータ線171の交差地点の2つごとに一つの柱288を形成するか、又は三つ以上の交差地点ごとに一つの柱288を形成してもよい。
本発明の第4の実施形態による表示装置は、第3の実施形態による表示装置と同様の部分が相当あるので、これに対する説明は省略し、相違する部分だけについて以下で説明する。第3の実施形態との最も大きい相違は、柱の形状にあり、以下、さらに詳細に説明する。
本発明の第4の実施形態による表示装置は、第3の実施形態による表示装置と同一の順序で各構成要素が積層されている。
柱288が形成される位置は、第3の実施形態と同様にゲート線121とデータ線171とが互いに交差する地点である。
つまり、柱288が、ゲート線121とデータ線171の交差地点に「十」字形状に形成される。
以下に説明する表示装置の製造方法は、上述した第1の実施形態による表示装置を製造する方法に関するものであり、同様の方法でマスクの形態などを少しずつ変更して、第2〜第4実施形態による表示装置を製造することができる。
また、ゲート線及びゲート電極124と離隔するように維持電極133を形成する。維持電極133は、ゲート線及びゲート電極124と同一の物質で形成してもよい。
また、データ線171から半導体層150の上に突出するソース電極173、及びソース電極173と離隔するドレイン電極175を共に形成する。
金属物質は単一膜又は多重膜で形成してもよい。
ゲート電極124、半導体層150、ソース電極173、及びドレイン電極175は、一つの薄膜トランジスタを構成する。ゲート線とデータ線171は互いに交差して形成され、ゲート線とデータ線171との交差によって複数の画素領域が定義される。
上記で、カラーフィルタ230を形成した後、遮光部材220を形成するように説明したが、本発明はこれに限定されず、遮光部材220をまず形成した後、カラーフィルタ230を形成してもよい。
次に、ドレイン電極175の一部が露出するように、第1絶縁層240、遮光部材220、及び保護膜180をエッチングして、コンタクトホール181を形成する。
画素電極191は、コンタクトホール181を通してドレイン電極175と接続されるように形成する。
犠牲層210をパターニングして、第1の方向に隣接する画素領域の間が分離され(図20参照)、第2の方向に隣接する画素領域に沿って連結する(図20参照)ように形成する。例えば、犠牲層210が、行方向に隣接する画素領域の間が分離され、列方向に隣接する画素領域に沿って連結されるように形成してもよい。このために、データ線171の上に形成される犠牲層210を除去してもよい。
犠牲層210は、感光性高分子物質で形成し、フォト工程を行うことによって、犠牲層210をパターニングする。
次に、共通電極270の上にシリコン酸化物又はシリコン窒化物のような無機絶縁物質で第2絶縁層280を形成する。
屋根層285をパターニングして、ゲート線121と重なる屋根層285の一部を除去して、画素領域内に位置する屋根層285の厚さを薄くする。
屋根層285のパターニングに使用されるマスク500は、ハーフトーンマスク又はスリットマスクにしてもよい。マスク500は、透過部510、半透過部520、及び不透過部530からなる。マスク500の透過部510は、光の大部分が通過するように形成され、半透過部520は、光の半分程度が透過するようにスリットなどで形成され、不透過部530は、大部分の光が通過できないように形成される。
このようなマスク500を基板110の上に配置して露光した後、現像して、屋根層285が互いに異なる厚さを有するように形成する。
ゲート線121の上部に位置した屋根層285が除去されるので、屋根層285は、犠牲層210の上部面と左側面及び右側面を囲むように形成される。
データ線171の上部に位置した屋根層285は、画素領域内に位置した屋根層285よりその厚さが高く突出しており、この部分が柱288である。つまり、屋根層285と柱288を同一の工程で形成して、一体型に形成する。
つまり、屋根層285をまず形成した後、ゲート線121の一部に対応する屋根層285を除去し、屋根層285の上に他の物質を形成した後パターニングして、柱288を形成してもよい。
柱288の厚さは、2μm以上に形成するのが好ましく、柱288と屋根層285は、圧縮変形量が50%以下である物質で形成するのが好ましい。
図25及び図26に示すように、第3絶縁層290、第2絶縁層280、共通電極270をパターニングして、ゲート線と重なる第3絶縁層290、第2絶縁層280、及び共通電極270を除去する。これによって、共通電極270が除去された部分の下に位置した犠牲層210が露出する。
犠牲層210が除去されれば、犠牲層210が位置したところに空間200が生じる。つまり、画素電極191と共通電極270が空間200を間に置いて互いに離隔する。
また、共通電極270が形成されていない部分を通して空間200は外部に露出しており、これを液晶注入口201という。
液晶注入口201は、ゲート線に沿って形成されている。これとは異なって、液晶注入口201をデータ線171に沿って形成してもよい。
配向液を空間200の内部に注入した後、硬化工程を行えば、溶液成分は蒸発して、配向物質が空間200の内部の壁面に残るようになる。
したがって、画素電極191の上に第1配向膜11を形成し、共通電極270の下に第2配向膜21を形成する。
共通電極270は、データ線171と隣接した部分でデータ線171と平行な方向に空間200の側面を覆うように側壁を形成する。これは、空間200の側壁の内面にも配向物質が残るためである。
この時、第1配向膜11及び第2配向膜21は、空間200の側面を除いては第1基板110に対して垂直方向に配向が行われる。
追加的に第1配向膜11及び第2配向膜21にUVを照射する工程を行うことによって、基板110に対して水平方向に配向が行われるようにしてもよい。
この時、液晶3を奇数番目ゲート線に沿って形成された液晶注入口201に滴下し、偶数番目ゲート線に沿って形成された液晶注入口201には滴下しなくてもよい。
これとは反対に、液晶3を偶数番目ゲート線に沿って形成された液晶注入口201に滴下し、奇数番目ゲート線に沿って形成された液晶注入口201には滴下しなくてもよい。
この時、偶数番目ゲート線に沿って形成された液晶注入口201を通して空間200の内部の空気が抜け出ることによって、液晶3が空間200の内部に良好に流入する。
蓋膜295は、空間200が外部に露出されている液晶注入口201を覆うように形成して、画素領域別に空間200を密封する。例えば、蓋膜295は、フェリリンなどのように液晶3と反応しない物質で形成され得る。
蓋膜295を厚く形成するか、又は蓋膜295の上に有機絶縁膜295’を別途に形成して、基板110の上を平坦化してもよい。
蓋膜295は、インクジェット方式によって液晶3と反応しない物質を第3絶縁層290の上に滴下した後、硬化して形成してもよい。
また、蓋膜295は、フィルム形状の物質を第3絶縁層290の上に付着して形成してもよい。
蓋膜295の上に第2偏光板22を形成する工程で、図に示すのは省略したが、蓋膜295の上部を平坦化させた後、第2偏光板22を付着するのが好ましい。
11 第1配向膜
12 第1偏光板
21 第2配向膜
22 第2偏光板
121 ゲート線
124 ゲート電極
133 維持電極
140 ゲート絶縁膜
150 半導体層
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
180 保護膜
181 コンタクトホール
191 画素電極
192 縦幹部
193 横幹部
194a 第1微細枝部
194b 第2微細枝部
194c 第3微細枝部
194d 第4微細枝部
200 空間
201 液晶注入口
210 犠牲層
220 遮光部材
230 カラーフィルタ
240 第1絶縁層
270 共通電極
280 第2絶縁層
285 屋根層
288 柱
290 第3絶縁層
295 蓋膜
295’ 有機絶縁膜
500 マスク
510 透過部
520 不透過部
Claims (9)
- 1つの基板からなる表示装置であって、
マトリックス状に配置された複数の画素領域を含む基板と、
前記基板上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに接続されて前記薄膜トランジスタの上方の前記画素領域内に形成された画素電極と、
前記画素領域内の行方向に隣接する画素領域を覆うように形成され、前記画素領域内で前記画素電極の上方に前記画素電極と離隔するように形成された屋根層と、
前記画素領域の境界部に沿って前記屋根層と一体に形成されて前記屋根層から上に突出した複数の柱と、
前記画素領域内の前記画素電極と前記屋根層との間に形成されて前記屋根層によって上部面及び側面の一部が覆われた空間と、
前記空間を満たした液晶と、
前記屋根層によって覆われない前記空間の残りの側面を覆うように形成された蓋膜と、を有することを特徴とする表示装置。
- 前記画素電極と離隔するように前記屋根層の下に形成された共通電極をさらに有することを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
- 前記柱は、前記行方向に対して直交する列方向に沿って延びた棒形状であることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記柱は、前記行方向に対して直交する列方向に沿って所定の間隔を有して配置されることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記柱は、円柱又は四角柱であることを特徴とする請求項4に記載の表示装置。
- 前記柱は、前記行方向に平行な前記画素領域の境界部と、前記行方向に対して直交する前記画素領域の境界部とが互いに交差する地点に形成されることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。
- 前記柱は、「十」字形状であることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。
- 前記屋根層は、前記行方向に隣接する画素領域で互いに異なる色を示すカラーフィルタからなり、
前記カラーフィルタは、前記画素領域の境界部で互いに重畳するように形成され、
前記柱は、前記カラーフィルタの重畳部に形成されることを特徴とする請求項2に記載の表示装置。 - 前記基板から前記柱の上部面までの距離は、前記基板から前記空間の上部面を覆う屋根層の部分までの距離より遠いことを特徴とする請求項1に記載の表示装置。
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Family Cites Families (32)
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KR100414819B1 (ko) | 2001-08-31 | 2004-01-13 | 학교법인 영남학원 | 폴리자일렌 박막을 이용한 인캡슐레이션 유기발광소자의제조방법 |
JP4130753B2 (ja) | 2002-08-22 | 2008-08-06 | 三星エスディアイ株式会社 | 衝撃緩和構造を有する有機電子発光表示装置 |
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KR100945579B1 (ko) * | 2003-03-17 | 2010-03-08 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 표시판 및 그의 제조 방법과 그 표시판을포함하는 액정 표시 장치 |
KR100543420B1 (ko) | 2003-03-31 | 2006-01-20 | 김지영 | 확산장벽을 갖는 초고집적도 기억소자용 커패시터의하부전극 구조와 커패시터의 하부전극 형성방법 및커패시터의 형성방법 |
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KR20050049986A (ko) * | 2003-11-24 | 2005-05-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 배면노광을 이용한 컬러필터 기판 및 그 제조방법 |
KR100563466B1 (ko) | 2003-11-27 | 2006-03-23 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100663030B1 (ko) * | 2004-12-29 | 2006-12-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시장치용 컬러필터 기판 및 그 제조방법 |
KR20060082470A (ko) | 2005-01-12 | 2006-07-18 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 이를 포함하는 이동 통신 장치 |
US20060152648A1 (en) | 2005-01-12 | 2006-07-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Display device and portable display apparatus including the same |
EP1862845A4 (en) | 2005-03-18 | 2008-11-05 | Fujitsu Ltd | LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE |
KR20070007423A (ko) * | 2005-07-11 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | 표시기판 및 이를 구비한 액정표시패널 |
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