KR20140074710A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

표시 장치 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20140074710A
KR20140074710A KR1020120142972A KR20120142972A KR20140074710A KR 20140074710 A KR20140074710 A KR 20140074710A KR 1020120142972 A KR1020120142972 A KR 1020120142972A KR 20120142972 A KR20120142972 A KR 20120142972A KR 20140074710 A KR20140074710 A KR 20140074710A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cover film
display device
cover
film
layer
Prior art date
Application number
KR1020120142972A
Other languages
English (en)
Inventor
이아람
성우용
김태균
채승연
최상건
차태운
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020120142972A priority Critical patent/KR20140074710A/ko
Priority to US13/861,002 priority patent/US9188814B2/en
Publication of KR20140074710A publication Critical patent/KR20140074710A/ko
Priority to US14/939,639 priority patent/US20160062159A1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1341—Filling or closing of cells
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305—Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133377—Cells with plural compartments or having plurality of liquid crystal microcells partitioned by walls, e.g. one microcell per pixel
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133528—Polarisers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/50—Protective arrangements
    • G02F2201/501—Blocking layers, e.g. against migration of ions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)

Abstract

본 발명은 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층; 상기 공간을 채우도록 형성되어 있는 액정층; 상기 공간의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 형성되어 있는 액정 주입구; 및, 상기 액정 주입구를 덮도록 상기 지붕층 위에 형성되어, 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하고, 상기 덮개막은 다중막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 현재 가장 널리 사용되고 있는 평판 표시 장치 중 하나로서, 화소 전극과 공통 전극 등 전기장 생성 전극이 형성되어 있는 두 장의 표시판과 그 사이에 들어 있는 액정층으로 이루어지며, 전기장 생성 전극에 전압을 인가하여 액정층에 전기장을 생성하고 이를 통하여 액정층의 액정 분자들의 배향을 결정하고 입사광의 편광을 제어함으로써 영상을 표시한다.
액정 표시 장치를 구성하는 두 장의 표시판은 박막 트랜지스터 표시판과 대향 표시판으로 이루어질 수 있다. 박막 트랜지스터 표시판에는 게이트 신호를 전송하는 게이트선과 데이터 신호를 전송하는 데이터선이 서로 교차하여 형성되고, 게이트선 및 데이터선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극 등이 형성될 수 있다. 대향 표시판에는 차광부재, 색필터, 공통 전극 등이 형성될 수 있다. 경우에 따라 차광 부재, 색필터, 공통 전극이 박막 트랜지스터 표시판에 형성될 수도 있다.
그러나, 종래의 액정 표시 장치에서는 두 장의 기판이 필수적으로 사용되고, 두 장의 기판 위에 각각의 구성 요소들을 형성함으로써, 표시 장치가 무겁고, 두꺼우며, 비용이 많이 들고, 공정 시간이 오래 걸리는 등의 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있는 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적에 따른 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 화소 영역을 포함하는 기판; 상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극; 상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층; 상기 공간을 채우도록 형성되어 있는 액정층; 상기 공간의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 형성되어 있는 액정 주입구; 및, 상기 액정 주입구를 덮도록 상기 지붕층 위에 형성되어, 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하고, 상기 덮개막은 다중막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 덮개막은 유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막; 및 무기 절연 물질로 이루어진 제2 덮개막을 포함할 수 있다.
상기 제1 덮개막은 페릴렌(Parylene), 실리콘(silicone), 및 자외선 경화형 시트(UV sheet) 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제2 덮개막은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)으로 이루어질 수 있다.
상기 제1 덮개막은 0.5㎛ 이상 1㎛ 이하일 수 있다.
상기 제2 덮개막은 20nm 이상 50nm 이하일 수 있다.
상기 제2 덮개막은 상기 제1 덮개막 위에 형성될 수 있다.
상기 제1 덮개막은 상기 제2 덮개막 위에 형성될 수 있다.
상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막 및 복수의 제2 덮개막으로 이루어지고, 상기 제1 덮개막과 상기 제2 덮개막은 교대로 형성될 수 있다.
상기 덮개막은 금속 산화물로 이루어진 제3 덮개막을 더 포함할 수 있다.
상기 제3 덮개막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 이루어질 수 있다.
상기 제2 덮개막은 상기 제1 덮개막 위에 형성되어 있고, 상기 제3 덮개막은 상기 제2 덮개막 위에 형성될 수 있다.
상기 제3 덮개막은 제1 덮개막과 제2 덮개막 사이에 형성될 수 있다.
상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막, 복수의 제2 덮개막, 및 복수의 제3 덮개막으로 이루어지고, 상기 제1 덮개막, 상기 제2 덮개막, 및 상기 제3 덮개막은 3교대로 형성될 수 있다.
상기 덮개막은 유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막; 및 금속 산화물로 이루어진 제3 덮개막을 포함할 수 있다.
상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막 및 복수의 제3 덮개막으로 이루어지고, 상기 제1 덮개막 및 상기 제3 덮개막은 교대로 형성될 수 있다.
상기 덮개막 위에 형성되어 있는 자기 조립 단분자층(SAM, Self Assmbled Monolayer)을 더 포함할 수 있다.
상기 덮개막 위에 형성되고, 유기 절연 물질로 이루어져 있는 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
상기 버퍼층 위에 형성되어 있는 자기 조립 단분자층(SAM, Self Assmbled Monolayer)을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법은 화소 영역을 포함하는 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 화소 영역 내에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 상기 화소 전극 위에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 위에 지붕층을 형성하는 단계; 상기 희생층의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 액정 주입구를 형성하는 단계; 상기 희생층을 제거하여 상기 화소 전극과 상기 지붕층 사이에 공간을 형성하는 단계; 상기 액정 주입구를 통해 액정을 주입하는 단계; 상기 지붕층 위에 덮개막을 형성하여 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 단계를 포함하고, 상기 덮개막은 다중막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 덮개막을 형성하는 단계는 유기 절연 물질을 이용하여 제1 덮개막을 형성하는 단계; 및 무기 절연 물질을 이용하여 제2 덮개막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막 및 복수의 제2 덮개막으로 이루어지고, 상기 제1 덮개막과 상기 제2 덮개막은 교대로 형성될 수 있다.
상기 덮개막을 형성하는 단계는 금속 산화물을 이용하여 제3 덮개막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 덮개막을 형성하는 단계는 유기 절연 물질을 이용하여 제1 덮개막을 형성하는 단계; 및 금속 산화물을 이용하여 제3 덮개막을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법은 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치 및 그 제조 방법은 하나의 기판을 이용하여 표시 장치를 제조함으로써, 무게, 두께, 비용 및 공정 시간을 줄일 수 있다.
또한, 덮개막을 유기 절연 물질, 무기 절연 물질, 금속 산화물 등을 이용하여 다중막으로 형성함으로써, 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 덮개막 위에 자기 조립 단분자층을 형성함으로써, 표시 장치 내부로 수분이 침투하는 것을 방지하고, 편광판 재부착 공정을 용이하게 할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이다.
도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 III-III을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타내는 단면도이다.
도 8 내지 도 27은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다.
이하에서 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
먼저, 도 1 내지 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 평면도이고, 도 2는 도 1의 II-II선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이며, 도 3은 도 1의 III-III선을 따라 나타낸 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 한 화소를 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 유리 또는 플라스틱 등과 같은 재료로 만들어진 기판(110) 위에 일 방향으로 형성되어 있는 게이트선(121) 및 타방향으로 형성되어 있는 데이터선(171)을 포함한다. 게이트선(121)과 데이터선(171)은 서로 교차하도록 형성될 수 있다.
기판(110)은 복수의 화소 영역을 포함하고, 복수의 화소 영역은 게이트선(121)과 데이터선(171)에 의해 정의될 수 있다.
게이트선(121)은 주로 가로 방향으로 뻗어있으며 게이트 신호를 전달한다. 또한, 게이트선(121)으로부터 돌출되어 있는 게이트 전극(124)이 형성되어 있다. 게이트 전극(124)에는 게이트선(121)을 통해 게이트 신호가 인가된다.
게이트선(121) 및 게이트 전극(124)과 연결되지 않도록 화소 영역 내에 유지 전극(133)이 더 형성될 수 있다. 도시된 바와 같이 유지 전극(133)은 게이트선(121) 및 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 이와 달리 게이트선(121)과 나란한 방향으로만 형성될 수도 있다. 서로 이웃한 화소 영역들에 형성된 복수의 유지 전극(133)들은 서로 연결되도록 형성되어 있다. 유지 전극(133)에는 공통 전압 등과 같은 일정한 전압이 인가된다.
게이트선(121), 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133) 위에는 게이트 절연막(140)이 형성되어 있다. 게이트 절연막(140)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 또한, 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
게이트 절연막(140) 위에는 반도체층(150)이 형성되어 있다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124) 위에 위치할 수 있다. 또한, 도시된 바와 같이 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성될 수도 있다. 반도체층(150)은 비정질 실리콘(amorpous silicon), 다결정 실리콘(polycystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등으로 이루어질 수 있다.
반도체층(150) 위에는 데이터선(171)으로부터 돌출되어 있는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되어 있는 드레인 전극(175)이 형성되어 있다.
데이터선(171)은 주로 세로 방향으로 뻗어 있으며, 데이터 신호를 전달한다. 데이터선(171)으로 전달된 데이터 신호는 소스 전극(173)에 인가된다.
게이트 전극(124), 반도체층(150), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 구성한다. 박막 트랜지스터가 온 상태일 때 소스 전극(173)에 인가된 데이터 신호는 드레인 전극(175)으로 전달된다.
데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150)의 위에는 보호막(180)이 형성되어 있다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
보호막(180) 위에는 각 화소 영역 내에 색필터(230)가 형성되어 있다. 각 색필터(230)는 적색, 녹색 및 청색의 삼원색 등 기본색(primary color) 중 하나를 표시할 수 있다. 색필터(230)는 적색, 녹색, 및 청색의 삼원색에 한정되지 아니하고, 청록색(cyan), 자홍색(magenta), 옐로(yellow), 화이트 계열의 색 등을 표시할 수도 있다.
이웃하는 색필터(230) 사이의 영역에는 차광 부재(220)가 형성되어 있다. 차광 부재(220)는 화소 영역의 경계부와 박막 트랜지스터 위에 형성되어 빛샘을 방지할 수 있다.
색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에는 제1 절연층(240)이 더 형성될 수 있다. 제1 절연층(240)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제1 절연층(240)은 유기 물질로 이루어진 색필터(230) 및 차광 부재(220)를 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제1 절연층(240), 차광 부재(220), 보호막(180)에는 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 접촉 구멍(181)이 형성되어 있다. 접촉 구멍(181)은 차광 부재(220) 대신 색필터(230)에 형성될 수도 있다.
제1 절연층(240) 위에는 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)은 각 화소 영역 내에 형성되고, 드레인 전극(175)과 연결되어 있어 박막 트랜지스터가 온 상태일 때 드레인 전극(175)으로부터 데이터 신호를 인가 받는다. 화소 전극(191)은 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질로 이루어질 수 있다.
화소 전극(191)은 가로 줄기부(193), 가로 줄기부(193)와 직교하는 세로 줄기부(192), 및 복수의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a, 194b, 194c, 194d)를 포함한다.
가로 줄기부(193)는 게이트선(121)과 나란한 방향으로 형성될 수 있고, 세로 줄기부(192)는 데이터선(171)과 나란한 방향으로 형성될 수 있다. 가로 줄기부(193)는 인접한 두 게이트선(121) 사이의 대략 중간에 형성될 수 있고, 세로 줄기부(192)는 인접한 두 데이터선(171) 사이의 대략 중간에 형성될 수 있다.
하나의 화소 영역은 가로 줄기부(193)와 세로 줄기부(192)에 의해 제1 부화소 영역, 제2 부화소 영역, 제3 부화소 영역, 및 제4 부화소 영역으로 나뉜다. 제1 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 좌측 및 세로 줄기부(192)의 상측에 위치하고, 제2 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 우측 및 세로 줄기부(192)의 상측에 위치한다. 제3 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 좌측 및 세로 줄기부(192)의 하측에 위치하고, 제4 부화소 영역은 가로 줄기부(193)의 우측 및 세로 줄기부(192)의 하측에 위치한다.
제1 미세 가지부(194a)는 제1 부화소 영역 내에 형성되고, 제2 미세 가지부(194b)는 제2 부화소 영역 내에 형성된다. 제3 미세 가지부(194c)는 제3 부화소 영역 내에 형성되고, 제4 미세 가지부(194d)는 제4 부화소 영역 내에 형성된다.
제1 미세 가지부(194a)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 좌상 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제2 미세 가지부(194b)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 우상 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다. 또한 제3 미세 가지부(194c)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)로부터 좌하 방향으로 비스듬하게 뻗어 있으며, 제4 미세 가지부(194d)는 가로 줄기부(193) 또는 세로 줄기부(192)에서부터 우하 방향으로 비스듬하게 뻗어 있다.
제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 게이트선(121) 또는 가로 줄기부(193)와 대략 45° 또는 135°각을 이루도록 형성될 수 있다. 또한, 이웃하는 부화소 영역의 제1 내지 제4 미세 가지부(194a-194d)는 서로 직각을 이루도록 형성될 수 있다.
상기에서 도 1에 도시되어 있는 화소 전극(191)의 형상에 대해 설명하였으나, 화소 전극(191)의 형상은 이에 한정되지 아니하고 다양하게 변형이 가능하다. 또한, 하나의 화소 영역이 네 개의 부화소 영역으로 나뉘어 지는 것으로 설명하였으나, 더 많은 영역으로 나뉘어질 수도 있고, 복수의 부화소 영역으로 나뉘어지지 않을 수도 있다.
화소 전극(191) 위에는 화소 전극(191)으로부터 일정한 거리를 가지고 이격되도록 공통 전극(270)이 형성되어 있다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270) 사이에는 공간(200)이 형성되어 있다. 공간(200)의 폭과 넓이는 표시 장치의 해상도에 따라 다양하게 변경될 수 있다.
공간(200) 내에는 액정(3)이 채워져 있다. 액정(3)은 복수의 액정 분자들로 이루어져 있으며, 전계가 인가되지 않은 상태에서 기판(110)에 수직한 방향으로 서 있을 수 있다. 즉, 수직 배향이 이루어질 수 있다. 또한, 이에 한정되지 아니하며, 수평 배향이 이루어질 수도 있다.
액정(3)은 네마틱(nematic), 스메틱(smetic), 콜레스테릭(cholesteric), 카이랄(chiral) 액정 물질 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 또한, 액정(3)은 네거티브(negative)형의 액정 물질 또는 포지티브(positive)형의 액정 물질로 이루어질 수 있다.
상기에서 화소 전극(191)은 공간(200)을 기준으로 아래에 형성되어 있고, 공통 전극(270)은 공간(200)을 기준으로 위에 형성되어 있는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 모두 공간(200)을 기준으로 아래에 형성될 수도 있다. 이때, 화소 전극(191)과 공통 전극(270)이 동일한 층에 형성될 수도 있고, 절연층을 사이에 두고 서로 다른 층에 형성될 수도 있다. 이때, 액정(3)은 공간(200) 내에서 기판(110)과 평행한 방향으로 누워있도록 형성될 수 있다.
화소 전극(191) 위에는 제1 배향막(11)이 형성되어 있다. 제1 배향막(11)은 화소 전극(191)에 의해 덮여있지 않은 제1 절연층(240) 위에도 형성될 수 있다.
제1 배향막(11)과 마주보도록 공통 전극(270) 아래에는 제2 배향막(21)이 형성되어 있다.
제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 수직 배향막으로 이루어질 수 있고, 폴리 아믹산(Polyamic acid), 폴리 실록산(Polysiloxane), 폴리 이미드(Polyimide) 등의 물질로 이루어질 수 있다. 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 화소 영역의 가장자리에서 서로 연결될 수 있다.
공간(200)은 제1 절연층(240), 화소 전극(191), 공통 전극(270)에 의해 둘러싸여 있다. 공통 전극(270)은 데이터선(171)과 중첩되는 부분에서 제1 절연층(240) 바로 위에 접촉되도록 형성되어, 데이터선(171)과 인접한 부분에서는 공통 전극(270)이 공간(200)의 좌측 면과 우측 면을 덮게 된다. 따라서, 공통 전극(270)은 행방향으로 인접한 화소 영역들을 따라 연결되어 있다.
공통 전극(270)은 게이트선(121)과 중첩되는 부분에는 형성되지 않아, 게이트선(121)과 인접한 부분에서는 공통 전극(270)이 공간(200)의 상측 면과 하측 면을 덮지 않는다. 따라서, 공간(200)의 상측 면과 하측 면에는 공간(200)이 외부로 노출되도록 액정 주입구(201)가 형성되어 있다. 즉, 액정 주입구(201)는 게이트선(121)을 따라 형성되고, 액정 주입구(201)를 통해 액정(3)이 공간(200)의 내부로 주입된다.
상기에서 공통 전극(270)이 공간(200)의 좌측 면과 우측 면을 덮고, 상측 면과 하측 면을 덮지 않는 것으로 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 공통 전극(270)이 공간(200)의 다른 측면을 덮도록 형성될 수도 있다. 예를 들면, 공통 전극(270)이 공간(200)의 상측 면과 하측 면을 덮고, 좌측 면과 우측 면을 덮지 않도록 형성될 수도 있다. 이때, 액정 주입구(201)는 데이터선(171)을 따라 형성될 수도 있다.
공통 전극(270) 위에는 제2 절연층(280)이 더 형성될 수 있다. 제2 절연층(280)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제2 절연층(280) 위에는 지붕층(285)이 형성되어 있다. 지붕층(285)은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 지붕층(285)의 아래에는 공간(200)이 형성되어 있고, 지붕층(285)에 의해 공간(200)의 형상이 유지될 수 있다. 공간(200)의 일부가 지붕층(285)의 외부로 노출되도록 하기 위해 액정 주입구(201)가 지붕층(285)에도 형성되어 있다.
지붕층(285) 위에는 제3 절연층(290)이 더 형성될 수 있다. 제3 절연층(290)은 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어질 수 있다. 제3 절연층(290)은 지붕층(285)의 상부면 및 측면을 모두 덮도록 형성될 수 있다. 제3 절연층(290)은 유기 물질로 이루어진 지붕층(285)을 보호하는 역할을 하며, 필요에 따라 생략될 수도 있다.
제3 절연층(290) 위에는 덮개막(295)이 형성될 수 있다. 덮개막(295)은 공간(200)이 외부로 노출되어 있는 액정 주입구(201)를 덮도록 형성된다. 즉, 제3 절연층(290)은 공간(200)의 내부에 형성되어 있는 액정(3)이 외부로 나오지 않도록 액정 주입구(201)를 밀봉할 수 있다. 덮개막(295)은 액정(3)과 접촉하게 되므로, 액정(3)과 반응하지 않는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다.
덮개막(295)은 이중막, 삼중막 등과 같이 다중막으로 이루어질 수 있다. 이중막은 서로 다른 물질로 이루어진 두 개의 층으로 이루어져 있다. 삼중막은 세 개의 층으로 이루어지고, 서로 인접하는 층의 물질이 서로 다르다.
덮개막(295)은 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이 유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막(295a) 및 무기 절연 물질로 이루어진 제2 덮개막(295b)을 포함한다.
제1 덮개막(295a)은 페릴렌(Parylene), 실리콘(silicone), 및 자외선 경화형 시트(UV sheet) 등과 같은 유기 절연 물질로 이루어진다. 제1 덮개막(295a)은 0.5㎛ 이상 1㎛ 이하로 이루어질 수 있다.
제2 덮개막(295b)은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질로 이루어진다. 제2 덮개막(295b)은 20nm 이상 50nm 이하로 이루어질 수 있다.
도시된 바와 같이 제1 덮개막(295a)이 제3 절연층(290) 바로 위에 형성되고, 제2 덮개막(295b)은 제1 덮개막(295a) 위에 형성될 수 있다. 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 반대로 제2 덮개막(295b)이 제3 절연층(290) 바로 위에 형성되고, 제1 덮개막(295a)은 제2 덮개막(295b) 위에 형성될 수도 있다.
덮개막(295)이 단일막으로 이루어진 경우와 다중막으로 이루어진 경우를 비교하여 살펴보면 다음과 같다.
표 1에 나타난 바와 같이 덮개막(295)이 페릴렌, 자외선 경화형 시트, 및 실리콘 등과 같은 유기 물질로 이루어진 단일막일 경우 상대적으로 투습도가 높으므로, 수분이 덮개막(295)을 통과하여 공간(200) 내부로 침투할 수 있다. 따라서, 공간(200) 내에 형성되어 있는 액정(3) 등이 수분에 의한 영향을 받을 우려가 있다.
표 1은 물질의 종류에 따른 투습도를 나타내고 있으며, 측정 조건을 함께 나타내었다.
물질 투습도(WVTR, g/m2/day) 조건
편광판(TAC, PVA, 보호필름) 10~35 60℃, 40% RH
실리콘 질화물(100nm) 7*10-3 38℃, 85% RH
페릴렌(5㎛) 8*10-2~5 40℃, 90% RH
자외선 경화형 시트 13.9 37℃, 90% RH
실리콘 1.7~47.5 37℃, 90% RH
배향막 0.4~21 40℃, 37.8% RH
실런트 20 38℃, 85% RH
기판 10-6~5*10-5 85℃, 85% RH
실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질은 유기 물질에 비하여 입자가 더 조밀하게 분포하므로 투습도가 상대적으로 낮다. 본 발명의 일 실시예에서는 페릴렌, 자외선 경화형 시트, 및 실리콘 등과 같은 유기 물질로 이루어진 제1 덮개막(295a)과 실리콘 질화물 등과 같은 무기 물질로 이루어진 제2 덮개막(295b)으로 이루어지므로, 제2 덮개막(295b)에 의해 투습도를 낮출 수 있다.
상기에서 덮개막(295)은 유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막(295a) 및 무기 절연 물질로 이루어진 제2 덮개막(295b)을 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 덮개막(295)은 제2 덮개막(295b) 대신 금속 산화물로 이루어진 제3 덮개막을 포함할 수도 있다. 제3 덮개막은 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 금속 산화물로 이루어질 수 있다. 덮개막(295)이 금속 산화물로 이루어진 층을 포함하도록 함으로써, 투습도를 더욱 낮출 수 있다.
덮개막(295) 위에는 유기 물질로 이루어진 버퍼층(300)이 더 형성될 수 있고, 버퍼층(300) 위에는 자기 조립 단분자층(310, SAM: Self Assmbled Monolayer)이 더 형성될 수 있다.
버퍼층(300)은 제1 덮개막(295a)과 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 예를 들면, 페릴렌, 자외선 경화형 시트, 및 실리콘 등과 같은 유기 물질로 이루어질 수 있다. 버퍼층(300)은 경우에 따라 생략될 수 있고, 자기 조립 단분자층(310)은 덮개막(295) 바로 위에 형성될 수도 있다.
자기 조립 단분자층(310)은 주어진 기질의 표면에 자발적으로 입혀진 규칙적으로 잘 정렬된 유기 분자막을 의미한다. 자기 조립 단분자층(310)의 제조에 이용되는 계면활성제 분자는 세 개의 부분으로 이루어져 있다. 먼저 기질과 결합하는 머리 부분의 반응기, 규칙적인 분자 막 형성을 가능하게 하는 몸통 부분의 긴 알칸 사슬, 그리고 분자 막의 기능을 좌우하는 꼬리 부분의 작용기로 나누어진다. 가장 간단한 작용기로는 알킬 그룹이 있으나 분자 막에 특수한 기능을 부여하기 위해서는 여러 가지 다른 그룹들 (예: NH2, OH, COOH등)이 이용되고 있다.
자기 조립 단분자층(310)의 표면은 소수성(hydrophobic)으로 이루어져 있으므로, 공간(200) 내부로의 투습도를 더욱 낮출 수 있다.
표시 장치의 상하부 면에는 편광판(12, 22)을 더 부착할 수 있다. 편광판(12, 22)은 제1 편광판(12) 및 제2 편광판(22)으로 이루어질 수 있다. 제1 편광판(12)은 기판(110)의 하부 면에 부착하고, 제2 편광판(22)은 기판(110) 위에 형성된 부재들 중 가장 마지막에 형성된 부재 위에 부착할 수 있다.
예를 들어, 기판(110) 위에 가장 마지막으로 형성된 부재가 덮개막(295)일 경우, 덮개막(295) 위에 제2 편광판(22)을 부착할 수 있다. 이때, 제2 편광판(22)을 다시 붙이기 위해 덮개막(295)으로부터 제2 편광판(22)을 떼어낼 경우 덮개막(295)도 함께 떨어질 우려가 있다.
기판(110) 위에 덮개막(295)을 형성하고, 덮개막(295) 위에 자기 조립 단분자층(310)을 형성할 경우, 자기 조립 단분자층(310) 위에 제2 편광판(22)을 부착할 수 있다. 이때, 제2 편광판(22)을 다시 붙이기 위해 자기 조립 단분자층(310)으로부터 제2 편광판(22)을 떼어낼 경우, 제2 편광판(22)은 자기 조립 단분자층(310)과 잘 분리될 수 있다. 즉, 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 자기 조립 단분자층(310)을 더 포함함으로써, 편광판 재부착 공정을 용이하게 할 수 있다.
다음으로, 도 4 및 도 5를 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 4 및 도 5에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 앞선 실시예와 가장 큰 차이점은 덮개막의 구조이며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 4 및 도 5는 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 4 및 도 5는 서로 다른 선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 기판(110) 위에 박막 트랜지스터 및 이에 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191) 위에 화소 전극(191)과 공간(200)을 사이에 두고 이격되도록 지붕층(285)이 형성되어 있다. 지붕층(285)에는 공간(200)의 일부가 노출되도록 액정 주입구(201)가 형성되어 있고, 공간(200)에는 액정(3)이 채워져 있다. 지붕층(285) 위에는 액정 주입구(201)을 덮도록 덮개막(295)이 형성되어 있고, 덮개막(295)은 화소 영역 별로 공간(200)을 밀봉한다.
앞선 실시예에서 덮개막(295)은 하나의 제1 덮개막(295a)과 하나의 제2 덮개막(295b)으로 이루어져 있으나, 본 실시예에서 덮개막(295)은 두 개의 제1 덮개막(295a, 295c)과 두 개의 제2 덮개막(295b, 295d)으로 이루어져 있다.
제1 덮개막(295a, 295c)과 제2 덮개막(295b, 295d)은 교대로 형성되어 있다. 제3 절연층(290) 위에 제1 덮개막(295a)이 형성되어 있고, 제1 덮개막(295a) 위에 제2 덮개막(295b)이 형성되어 있다. 제2 덮개막(295b) 위에 다시 제1 덮개막(295c)이 형성되어 있고, 제1 덮개막(295c) 위에 제2 덮개막(295d)이 형성되어 있다.
복수의 제1 덮개막(295a, 295c) 및 제2 덮개막(295b, 295d)이 교대로 형성되어 있으므로, 수분이 덮개막(295)을 통과하여 공간(200) 내부로 침투하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
도 4 및 도 5에서 덮개막(295)은 두 개의 제1 덮개막(295a, 295c)과 두 개의 제2 덮개막(295b, 295d)으로 이루어져 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 덮개막(295)은 세 개 이상의 제1 덮개막 및 제2 덮개막으로 이루어질 수도 있다.
또한, 덮개막(295)을 형성한 후 어닐링 공정을 추가로 진행할 수 있다. 어닐링 공정을 추가로 진행함에 따라 수분의 침투를 더욱 방지할 수 있다.
이하에서는 표 2를 참조하여 제1 덮개막 및 제2 덮개막의 물질 종류, 제1 덮개막 및 제2 덮개막 쌍의 개수, 어닐링 공정 여부에 따른 투습도를 살펴보면 다음과 같다.
물질 제1 및 제2 덮개막 쌍의 개수 투습도(WVTR, g/m2/day)
어닐링 공정을 하지 않은 경우 어닐링 공정을 한 경우
실리콘 질화물/페릴렌 1 (6±2.1)*10-3 (3±1.0)*10-3
2 (6±2.5)*10-4 (1±0.3)*10-4
3 (6±0.6)*10-4 (7±5.0)*10-6
4 (5±2.8)*10-5 (7±5.1)*10-6
실리콘 산화물/페릴렌 3 (7±3.0)*10-4 (7±3.1)*10-5
제1 및 제2 덮개막 쌍의 개수가 증가할수록 투습성이 더 낮아지는 경향을 보인다. 또한, 어닐링 공정을 하지 않은 경우보다 어닐링 공정을 진행한 경우 투습성이 더 낮게 나타난다.
상기에서 덮개막은 유기 절연 물질로 이루어진 복수의 제1 덮개막 및 무기 절연 물질로 이루어진 복수의 제2 덮개막을 포함하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고, 덮개막은 복수의 제2 덮개막 대신 금속 산화물로 이루어진 복수의 제3 덮개막을 포함할 수도 있다. 제3 덮개막은 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 금속 산화물로 이루어질 수 있다.
이때, 제1 덮개막과 제3 덮개막은 교대로 형성될 수 있다.
또한, 덮개막은 제1 덮개막 위에 제2 덮개막이 형성되고, 제2 덮개막 위에 다시 제1 덮개막이 형성되고, 제1 덮개막 위에 제3 덮개막이 형성되는 구조로 이루어질 수도 있다.
다음으로, 도 6 및 도 7을 참조하여 본 발명의 다른 일 실시예에 의한 표시 장치에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 6 및 도 7에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 도 1 내지 도 3에 도시된 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치와 동일한 부분이 상당하므로, 이에 대한 설명은 생략하고 차이점이 있는 부분에 대해서만 이하에서 설명한다. 앞선 실시예와 가장 큰 차이점은 덮개막의 구조이며, 이하에서 더욱 상세히 설명한다.
도 6 및 도 7은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치를 나타내는 단면도이고, 도 6 및 도 7은 서로 다른 선을 따라 나타낸 단면도이다.
본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치는 기판(110) 위에 박막 트랜지스터 및 이에 연결되는 화소 전극(191)이 형성되어 있다. 화소 전극(191) 위에 화소 전극(191)과 공간(200)을 사이에 두고 이격되도록 지붕층(285)이 형성되어 있다. 지붕층(285)에는 공간(200)의 일부가 노출되도록 액정 주입구(201)가 형성되어 있고, 공간(200)에는 액정(3)이 채워져 있다. 지붕층(285) 위에는 액정 주입구(201)을 덮도록 덮개막(295)이 형성되어 있고, 덮개막(295)은 화소 영역 별로 공간(200)을 밀봉한다.
앞선 실시예에서 덮개막(295)은 유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막(295a)과 무기 절연 물질로 이루어진 제2 덮개막(295b)으로 이루어져 있으나, 본 실시예에서 덮개막(295)은 제1 덮개막(295a), 제2 덮개막(295b), 및 제3 덮개막(295e)을 포함한다.
제1 덮개막(295a)은 유기 절연 물질로 이루어져 있고, 제2 덮개막(295b)은 무기 절연 물질로 이루어져 있으며, 제3 덮개막(295e)은 산화 알루미늄(Al2O3) 등과 같은 금속 산화물로 이루어져 있다.
덮개막(295)이 금속 산화물로 이루어진 제3 덮개막(295e)을 더 포함하여 이루어짐으로써, 수분이 덮개막(295)을 통과하여 공간(200) 내부로 침투하는 것을 더욱 효과적으로 방지할 수 있다.
도 6 및 도 7에서는 제3 절연층(290) 위에 제1 덮개막(295a)이 형성되어 있고, 제1 덮개막(295a) 위에 제2 덮개막(295b)이 형성되어 있으며, 제2 덮개막(295b) 위에 제3 덮개막(295e)이 형성되어 있다. 그러나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하며, 제1 덮개막(295a), 제2 덮개막(295b), 및 제3 덮개막(295e)의 순서는 변경될 수 있다. 예를 들면, 제1 덮개막(295a) 위에 제3 덮개막(295e)이 형성되고, 제3 덮개막(295e) 위에 제2 덮개막(295b)이 형성될 수도 있다.
또한, 도 6 및 도 7에서는 제3 절연층(290)이 하나의 제1 덮개막(295a), 하나의 제2 덮개막(295b), 및 하나의 제3 덮개막(295e)으로 이루어져 있는 것으로 도시되어 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 제3 절연층(290)은 복수의 제1 덮개막(295a), 복수의 제2 덮개막(295b), 및 복수의 제3 덮개막(295e)으로 이루어질 수 있다. 이때, 제1 덮개막(295a), 제2 덮개막(295b), 및 제3 덮개막(295e)은 3교대로 형성될 수 있다.
다음으로, 도 8 내지 도 27을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 8 내지 도 27은 본 발명의 일 실시예에 의한 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 공정 단면도이다. 도 8, 도 10, 도 12, 도 14, 도 16, 도 18, 도 20, 도 22, 도 24, 및 도 26은 동일한 선을 따라 나타낸 단면도이다. 또한, 도 9, 도 11, 도 13, 도 15, 도 17, 도 19, 도 21, 도 23, 도 25, 및 도 27은 동일한 선을 따라 나타낸 단면도이다.
먼저, 도 8 및 도 9에 도시된 바와 같이, 유리 또는 플라스틱 등으로 이루어진 기판(110) 위에 일방향으로 뻗어있는 게이트선(도시하지 않음) 및 게이트선으로부터 돌출되는 게이트 전극(124)을 형성한다. 또한, 게이트선 및 게이트 전극(124)과 이격되도록 유지 전극(133)을 형성한다. 유지 전극(133)은 게이트선 및 게이트 전극(124)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
이어, 게이트선, 게이트 전극(124), 및 유지 전극(133)을 포함한 기판(110) 위의 전면에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연 물질을 이용하여 게이트 절연막(140)을 형성한다. 게이트 절연막(140)은 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
도 10 및 도 11에 도시된 바와 같이, 게이트 절연막(140) 위에 비정질 실리콘(amorpous silicon), 다결정 실리콘(polycystalline silicon), 금속 산화물(metal oxide) 등과 같은 반도체 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 반도체층(150)을 형성한다. 반도체층(150)은 게이트 전극(124) 위에 위치하도록 형성할 수 있다.
이어, 금속 물질을 증착한 후 이를 패터닝하여 타방향으로 뻗어있는 데이터선(171)을 형성한다. 또한, 데이터선(171)으로부터 반도체층(150) 위로 돌출되는 소스 전극(173) 및 소스 전극(173)과 이격되는 드레인 전극(175)을 함께 형성한다. 금속 물질은 단일막 또는 다중막으로 이루어질 수 있다.
반도체 물질과 금속 물질을 연속으로 증착한 후 이를 동시에 패터닝하여 반도체층(150), 데이터선(171), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)을 형성할 수도 있다. 이때, 반도체층(150)은 데이터선(171)의 아래까지 연장되어 형성된다.
게이트 전극(124), 반도체층(150), 소스 전극(173), 및 드레인 전극(175)은 하나의 박막 트랜지스터를 구성한다. 게이트선과 데이터선(171)은 서로 교차하여 형성될 수 있으며, 게이트선과 데이터선(171)에 의해 복수의 화소 영역이 정의될 수 있다.
도 12 및 도 13에 도시된 바와 같이, 데이터선(171), 소스 전극(173), 드레인 전극(175), 소스 및 드레인 전극(173, 175) 사이로 노출되어 있는 반도체층(150) 위에 보호막(180)을 형성한다. 보호막(180)은 유기 절연 물질 또는 무기 절연 물질로 이루어질 수 있으며, 단일막 또는 다중막으로 형성될 수 있다.
이어, 보호막(180) 위의 각 화소 영역 내에 색필터(230)를 형성한다. 복수의 화소 영역의 열 방향을 따라 동일한 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다. 세 가지 색의 색필터(230)를 형성하는 경우 제1 색의 색필터(230)를 먼저 형성한 후 마스크를 쉬프트 시켜 제2 색의 색필터(230)를 형성할 수 있다. 이어, 제2 색의 색필터(230)를 형성한 후 마스크를 쉬프트시켜 제3 색의 색필터를 형성할 수 있다.
이어, 보호막(180) 위의 각 화소 영역의 경계부 및 박막 트랜지스터 위에 차광 부재(220)를 형성한다.
상기에서 색필터(230)를 형성한 후 차광 부재(220)를 형성하는 것으로 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니하고 차광 부재(220)를 먼저 형성한 후 색필터(230)를 형성할 수도 있다.
이어, 색필터(230) 및 차광 부재(220) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 제1 절연층(240)을 형성한다.
이어, 드레인 전극(175)의 일부가 노출되도록 제1 절연층(240), 차광 부재(220), 및 보호막(180)을 식각하여 접촉 구멍(181)을 형성한다.
도 14 및 도 15에 도시된 바와 같이, 제1 절연층(240) 위에 인듐-주석 산화물(ITO, Indium Tin Oxide), 인듐-아연 산화물(IZO, Indium Zinc Oxide) 등과 같은 투명한 금속 물질을 증착한 후 패터닝하여 화소 영역 내에 화소 전극(191)을 형성한다. 화소 전극(191)은 접촉 구멍(181)을 통해 드레인 전극(175)과 연결되도록 형성한다.
도 16 및 도 17에 도시된 바와 같이, 화소 전극(191) 및 제1 절연층(240) 위에 유기 절연 물질로 희생층(210)을 형성한다. 희생층(210)을 패터닝하여 일방향으로 이웃하는 화소 영역들 사이가 분리되고, 타방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되도록 형성한다. 예를 들면, 희생층(210)이 게이트선 방향으로 이웃하는 화소 영역들 사이가 분리되고, 데이터선(171) 방향으로 이웃하는 화소 영역들을 따라 연결되도록 형성할 수 있다. 이를 위해, 데이터선(171) 위에 형성되어 있는 희생층(210)을 제거할 수 있다.
희생층(210)은 감광성 고분자 물질로 이루어질 수 있으며, 포토 공정을 진행하여, 희생층(210)을 패터닝할 수 있다.
도 18 및 도 19에 도시된 바와 같이, 희생층(210) 위에 금속 물질을 증착하여 공통 전극(270)을 형성한다.
이어, 공통 전극(270) 위에 실리콘 산화물 또는 실리콘 질화물과 같은 무기 절연 물질로 제2 절연층(280)을 형성한다.
이어, 제2 절연층(280) 위에 유기 물질로 지붕층(285)을 형성한다. 지붕층(285)을 패터닝하여 게이트선 위에 형성되어 있는 지붕층(285)은 제거할 수 있다.
도 20 및 도 21에 도시된 바와 같이, 지붕층(285) 위에 실리콘 질화물(SiNx), 실리콘 산화물(SiOx) 등과 같은 무기 절연 물질로 제3 절연층(290)을 형성할 수 있다. 제3 절연층(290)은 패터닝된 지붕층(285) 위에 형성되므로 지붕층(285)의 측면을 덮어 보호할 수 있다.
도 22 및 도 23에 도시된 바와 같이, 제3 절연층(290), 제2 절연층(280), 공통 전극(270)을 패터닝하여, 게이트선과 중첩되는 제3 절연층(290), 제2 절연층(280), 공통 전극(270)을 제거한다. 이에 따라 공통 전극(270)이 제거된 부분의 아래에 위치한 희생층(210)이 노출된다.
희생층(210)이 노출된 기판(110) 위에 산소 플라즈마를 공급하여 애싱하거나, 현상액을 공급하여 희생층(210)을 전면 제거한다. 희생층(210)이 제거되면 희생층(210)이 위치하였던 자리에 공간(200)이 발생한다. 즉, 화소 전극(191)과 지붕층(285)이 공간(200)을 사이에 두고 서로 이격된다.
또한, 지붕층(285)이 형성되어 있지 않은 부분을 통해 공간(200)은 외부로 노출되어 있으며, 이를 액정 주입구(201)라 한다. 액정 주입구(201)는 게이트선을 따라 형성되어 있다. 이와 달리 액정 주입구(201)를 데이터선(171)을 따라 형성할 수도 있다.
이어, 스핀 코팅 방식 또는 잉크젯 방식으로 배향 물질이 포함되어 있는 배향액을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 배향액이 액정 주입구(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다. 배향액을 공간(200)의 내부로 주입한 후 경화 공정을 진행하면 용액 성분은 증발하고, 배향 물질이 공간(200) 내부의 벽면에 남게 된다.
따라서, 화소 전극(191) 위에 제1 배향막(11)을 형성하고, 공통 전극(270) 아래에 제2 배향막(21)을 형성할 수 있다. 제1 배향막(11)과 제2 배향막(21)은 공간(200)을 사이에 두고 마주보도록 형성되고, 화소 영역의 가장자리에서는 서로 연결되도록 형성된다. 공통 전극(270)은 데이터선(171)과 인접한 부분에서 데이터선(171)과 나란한 방향으로 공간(200)의 측면을 덮도록 측벽을 형성하고, 측벽의 내면에도 배향 물질은 남아 있기 때문이다.
이때, 제1 및 제2 배향막(11, 21)은 공간(200)의 측면을 제외하고는 제1 기판(110)에 대해 수직한 방향으로 배향이 이루어진다. 추가로 제1 및 제2 배향막(11, 21)에 UV를 조사하는 공정을 진행함으로써, 기판(110)에 대해 수평한 방향으로 배향이 이루어지도록 할 수도 있다.
이어, 잉크젯 방식 또는 디스펜싱 방식으로 액정 분자들로 이루어진 액정(3)을 기판(110) 위에 떨어뜨리면, 액정(3)이 액정 주입구(201)를 통해 공간(200) 내부로 주입된다. 이때, 액정(3)을 홀수 번째 게이트선을 따라 형성된 액정 주입구(201)에 떨어뜨리고, 짝수 번째 게이트선을 따라 형성된 액정 주입구(201)에는 떨어뜨리지 않을 수 있다. 이와 반대로, 액정(3)을 짝수 번째 게이트선을 따라 형성된 액정 주입구(201)에 떨어뜨리고, 홀수 번째 게이트선을 따라 형성된 액정 주입구(201)에는 떨어뜨리지 않을 수 있다.
홀수 번째 게이트선을 따라 형성된 액정 주입구(201)에 액정(3)을 떨어뜨리면 모세관력(capillary force)에 의해 액정(3)이 액정 주입구(201)를 통과하여 공간(200) 내부로 들어가게 된다. 이때, 짝수 번째 게이트선을 따라 형성된 액정 주입구(201)를 통해 공간(200) 내부의 공기가 빠져나감으로써, 액정(3)이 공간(200) 내부로 잘 들어가게 된다.
도 24 및 도 25에 도시된 바와 같이, 제3 절연층(290) 위에 액정(3)과 반응하지 않는 물질을 증착하여 덮개막(295)을 형성한다. 덮개막(295)은 공간(200)이 외부로 노출되어 있는 액정 주입구(201)를 덮도록 형성되어 화소 영역 별로 공간(200)을 밀봉한다.
덮개막(295)은 이중막, 삼중막 등과 같은 다중막으로 형성할 수 있다.
먼저, 제3 절연층(290) 위에 페릴렌(Parylene), 실리콘(silicone), 및 자외선 경화형 시트(UV sheet) 등과 같은 유기 절연 물질을 이용하여 제1 덮개막(295)을 형성한다. 제1 덮개막(295)을 두껍게 형성함으로써, 액정 주입구(201) 주변에 움푹 패인 부분을 평탄화할 수 있다. 제1 덮개막(295a)의 두께는 0.5㎛ 이상 1㎛ 이하로 형성할 수 있다. 이때, 제1 덮개막(295a)의 두께는 제3 절연층(290) 위에 형성된 부분의 두께를 의미한다. 따라서, 액정 주입구(201) 주변에 형성되어 있는 제1 덮개막(295a)의 두께는 1㎛ 이상이 될 수 있다.
이어, 제1 덮개막(295) 위에 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx) 등과 같은 무기 절연 물질을 이용하여 제2 덮개막(295)을 형성한다. 제2 덮개막(295b)의 두께는 20nm 이상 50nm 이하로 형성할 수 있다.
도 24 및 도 25에는 덮개막(295)이 하나의 제1 덮개막(295)과 하나의 제2 덮개막(295)으로 이루어진 경우를 나타내고 있으나, 본 발명은 이에 한정되지 아니한다. 앞서 설명한 다양한 실시예에 따라 제1 덮개막(295a)과 제2 덮개막(295b)을 교대로 여러 층을 형성할 수도 있고, 제2 덮개막(295b) 대신 금속 산화물을 이용하여 제3 덮개막을 형성할 수도 있다. 또한, 제1 덮개막(295a), 제2 덮개막(295b)을 형성하고 추가로 금속 산화물을 이용하여 제3 덮개막을 추가로 형성할 수도 있다. 덮개막(295)을 이루는 물질층의 개수 및 순서는 다양하게 변형이 가능하다.
덮개막(295)을 형성한 후에는 어닐링 공정을 수행함으로써, 공간(200) 내부로의 투습도를 더 낮출 수 있다.
도 26 및 도 27에 도시된 바와 같이, 덮개막(295) 위에 유기 물질로 이루어진 버퍼층(300)을 더 형성할 수 있다. 버퍼층(300)은 제1 덮개막(295)과 동일한 물질로 형성할 수 있으며, 경우에 따라 생략할 수도 있다.
이어, 버퍼층(300) 위에 플루오르-실렌(Fluoro-silane) 계열의 물질을 약 10Å 내지 20Å얇은 두께로 진공 증착하여 자기 조립 단분자층(310)을 더 형성할 수 있다. 자기 조립 단분자층(310)의 표면은 소수성으로 이루어지므로 공간(200) 내부로의 투습도를 더 낮출 수 있다.
이어, 표시 장치의 상하부 면에 편광판(12, 22)을 더 부착할 수 있다. 편광판(12, 22)은 제1 편광판(12)과 제2 편광판(22)으로 이루어질 수 있다. 기판(110)의 하부 면에 제1 편광판(12)을 부착하고, 자기 조립 단분자층(310) 위에 제2 편광판(22)을 부착할 수 있다. 버퍼층(300) 및 자기 조립 단분자층(310)이 생략된 구조에서는 덮개막(295) 위에 제2 편광판(22)을 부착할 수 있다.
제2 편광판(22)을 다시 붙이기 위해 제2 편광판(22)을 떼어낼 경우에는 덮개막(295) 바로 위에 제2 편광판(22)을 부착하는 경우보다 자기 조립 단분자층(310) 바로 위에 제2 편광판(22)을 부착하는 경우가 더 잘 분리될 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
3: 액정 11: 제1 배향막
12: 제1 편광판 21: 제2 배향막
22: 제2 편광판 121: 게이트선
124: 게이트 전극 133: 유지 전극
140: 게이트 절연막 150: 반도체층
171: 데이터선 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 보호막
181: 접촉 구멍 191: 화소 전극
192: 세로 줄기부 193: 가로 줄기부
194a: 제1 미세 가지부 194b: 제2 미세 가지부
194c: 제3 미세 가지부 194d: 제4 미세 가지부
200: 공간 201: 액정 주입구
210: 희생층 220: 차광 부재
230: 색필터 240: 제1 절연층
270: 공통 전극 280: 제2 절연층
285: 지붕층 290: 제3 절연층
295: 덮개막 295a, 295c: 제1 덮개막
295b, 295d: 제2 덮개막 295e: 제3 덮개막
300: 버퍼층 310: 자기 조립 단분자층

Claims (24)

  1. 화소 영역을 포함하는 기판;
    상기 기판 위에 형성되어 있는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터에 연결되어 상기 화소 영역 내에 형성되어 있는 화소 전극;
    상기 화소 전극 위에 상기 화소 전극과 공간을 사이에 두고 이격되도록 형성되어 있는 지붕층;
    상기 공간을 채우도록 형성되어 있는 액정층;
    상기 공간의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 형성되어 있는 액정 주입구; 및,
    상기 액정 주입구를 덮도록 상기 지붕층 위에 형성되어, 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 덮개막을 포함하고,
    상기 덮개막은 다중막으로 이루어지는,
    표시 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 덮개막은,
    유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막; 및
    무기 절연 물질로 이루어진 제2 덮개막을 포함하는,
    표시 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 덮개막은 페릴렌(Parylene), 실리콘(silicone), 및 자외선 경화형 시트(UV sheet) 중 어느 하나로 이루어지는,
    표시 장치.
  4. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 덮개막은 실리콘 산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물(SiNx)으로 이루어지는,
    표시 장치.
  5. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 덮개막은 0.5㎛ 이상 1㎛ 이하인,
    표시 장치.
  6. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 덮개막은 20nm 이상 50nm 이하인,
    표시 장치.
  7. 제2 항에 있어서,
    상기 제2 덮개막은 상기 제1 덮개막 위에 형성되어 있는,
    표시 장치.
  8. 제2 항에 있어서,
    상기 제1 덮개막은 상기 제2 덮개막 위에 형성되어 있는,
    표시 장치.
  9. 제2 항에 있어서,
    상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막 및 복수의 제2 덮개막으로 이루어지고,
    상기 제1 덮개막과 상기 제2 덮개막은 교대로 형성되어 있는,
    표시 장치.
  10. 제2 항에 있어서,
    상기 덮개막은 금속 산화물로 이루어진 제3 덮개막을 더 포함하는,
    표시 장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 덮개막은 산화 알루미늄(Al2O3)으로 이루어지는,
    표시 장치.
  12. 제10 항에 있어서,
    상기 제2 덮개막은 상기 제1 덮개막 위에 형성되어 있고,
    상기 제3 덮개막은 상기 제2 덮개막 위에 형성되어 있는,
    표시 장치.
  13. 제10 항에 있어서,
    상기 제3 덮개막은 제1 덮개막과 제2 덮개막 사이에 형성되어 있는,
    표시 장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막, 복수의 제2 덮개막, 및 복수의 제3 덮개막으로 이루어지고,
    상기 제1 덮개막, 상기 제2 덮개막, 및 상기 제3 덮개막은 3교대로 형성되어 있는,
    표시 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 덮개막은,
    유기 절연 물질로 이루어진 제1 덮개막; 및
    금속 산화물로 이루어진 제3 덮개막을 포함하는,
    표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막 및 복수의 제3 덮개막으로 이루어지고,
    상기 제1 덮개막 및 상기 제3 덮개막은 교대로 형성되어 있는,
    표시 장치.
  17. 제1 항에 있어서,
    상기 덮개막 위에 형성되어 있는 자기 조립 단분자층(SAM, Self Assmbled Monolayer)을 더 포함하는,
    표시 장치.
  18. 제1 항에 있어서,
    상기 덮개막 위에 형성되고, 유기 절연 물질로 이루어져 있는 버퍼층을 더 포함하는,
    표시 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 버퍼층 위에 형성되어 있는 자기 조립 단분자층(SAM, Self Assmbled Monolayer)을 더 포함하는,
    표시 장치.
  20. 화소 영역을 포함하는 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 화소 영역 내에 상기 박막 트랜지스터와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 화소 전극 위에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층 위에 지붕층을 형성하는 단계;
    상기 희생층의 일부가 노출되도록 상기 지붕층에 액정 주입구를 형성하는 단계;
    상기 희생층을 제거하여 상기 화소 전극과 상기 지붕층 사이에 공간을 형성하는 단계;
    상기 액정 주입구를 통해 액정을 주입하는 단계;
    상기 지붕층 위에 덮개막을 형성하여 상기 화소 영역 별로 상기 공간을 밀봉하는 단계를 포함하고,
    상기 덮개막은 다중막으로 이루어지는,
    표시 장치의 제조 방법.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 덮개막을 형성하는 단계는,
    유기 절연 물질을 이용하여 제1 덮개막을 형성하는 단계; 및
    무기 절연 물질을 이용하여 제2 덮개막을 형성하는 단계를 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 덮개막은 복수의 제1 덮개막 및 복수의 제2 덮개막으로 이루어지고,
    상기 제1 덮개막과 상기 제2 덮개막은 교대로 형성되어 있는,
    표시 장치의 제조 방법.
  23. 제21 항에 있어서,
    상기 덮개막을 형성하는 단계는,
    금속 산화물을 이용하여 제3 덮개막을 형성하는 단계를 더 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
  24. 제20 항에 있어서,
    상기 덮개막을 형성하는 단계는,
    유기 절연 물질을 이용하여 제1 덮개막을 형성하는 단계; 및
    금속 산화물을 이용하여 제3 덮개막을 형성하는 단계를 포함하는,
    표시 장치의 제조 방법.
KR1020120142972A 2012-12-10 2012-12-10 표시 장치 및 그 제조 방법 KR20140074710A (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120142972A KR20140074710A (ko) 2012-12-10 2012-12-10 표시 장치 및 그 제조 방법
US13/861,002 US9188814B2 (en) 2012-12-10 2013-04-11 Display device and method of manufacturing the same
US14/939,639 US20160062159A1 (en) 2012-12-10 2015-11-12 Display device and method of manufacturing the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120142972A KR20140074710A (ko) 2012-12-10 2012-12-10 표시 장치 및 그 제조 방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20140074710A true KR20140074710A (ko) 2014-06-18

Family

ID=50880601

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120142972A KR20140074710A (ko) 2012-12-10 2012-12-10 표시 장치 및 그 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
US (2) US9188814B2 (ko)
KR (1) KR20140074710A (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160010808A (ko) * 2014-07-18 2016-01-28 삼성디스플레이 주식회사 슬롯 다이 코터 및 이를 이용한 코팅 방법
KR20160147117A (ko) * 2015-06-11 2016-12-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
KR20160150236A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140087857A (ko) * 2012-12-31 2014-07-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140122884A (ko) * 2013-04-11 2014-10-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150058910A (ko) * 2013-11-21 2015-05-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP2015125182A (ja) 2013-12-25 2015-07-06 ソニー株式会社 表示装置
KR20150136685A (ko) * 2014-05-27 2015-12-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160106798A (ko) * 2015-03-02 2016-09-13 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN109686760B (zh) * 2018-12-13 2020-11-13 云谷（固安）科技有限公司 一种显示器件及其封装方法
US12067761B2 (en) * 2019-08-06 2024-08-20 Sony Group Corporation Information processing device, information processing method, and program

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5898041A (en) 1995-03-01 1999-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Production process of liquid crystal display panel, seal material for liquid crystal cell and liquid crystal display
US6141072A (en) 1997-04-04 2000-10-31 Georgia Tech Research Corporation System and method for efficient manufacturing of liquid crystal displays
JPH1195232A (ja) 1997-09-22 1999-04-09 Optrex Corp 液晶表示素子
US6825488B2 (en) * 2000-01-26 2004-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP2002088228A (ja) 2000-09-14 2002-03-27 Mitsui Chemicals Inc 液晶表示素子用シール剤組成物ならびに液晶表示素子の製造方法
KR100523990B1 (ko) 2001-11-29 2005-10-26 대우전자서비스주식회사 플라스틱 디스플레이 기판의 제조방법
KR101194558B1 (ko) 2003-05-21 2012-10-25 니폰 가야꾸 가부시끼가이샤 액정 실란트 및 그것을 사용하여 제조한 액정표시 셀
US20050253490A1 (en) 2004-05-11 2005-11-17 Ehrlich Donald J Filing cabinet with waterproof seal
JP2005116535A (ja) 2004-11-29 2005-04-28 Seiko Epson Corp アクティブマトリクス型装置、及びエレクトロルミネッセンス装置
KR20060100899A (ko) 2005-03-18 2006-09-21 엘지전자 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 제조장치
JP2007219364A (ja) 2006-02-20 2007-08-30 Seiko Epson Corp 液晶装置の製造方法、液晶装置及び電子機器
US20070215663A1 (en) 2006-03-15 2007-09-20 Chongson Ian S Water resistant case for electronic devices
KR101365088B1 (ko) 2007-05-04 2014-02-20 삼성디스플레이 주식회사 표시패널 및 이의 제조방법
KR20090032361A (ko) 2007-09-27 2009-04-01 동우 화인켐 주식회사 경화성 수지 조성물 및 액정표시장치
SG160254A1 (en) 2008-09-26 2010-04-29 Dragon Energy Pte Ltd Solar electric panel
KR101056071B1 (ko) 2009-03-20 2011-08-10 주식회사바텍 대면적 패널 및 그의 실링 방법
KR101094301B1 (ko) 2009-09-09 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 실링재 및 상기 실링재를 사용하는 표시 장치
US8294843B2 (en) 2010-03-19 2012-10-23 Balboa Instruments, Inc. Waterproof touch screen panel with protective film
KR101745644B1 (ko) 2010-05-28 2017-06-12 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR20120008360A (ko) 2010-07-16 2012-01-30 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이용 기판 및 그 제조 방법
KR101793047B1 (ko) 2010-08-03 2017-11-03 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 및 이의 제조 방법
KR101605821B1 (ko) * 2010-09-10 2016-03-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101430173B1 (ko) 2010-10-19 2014-08-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101746677B1 (ko) 2010-11-02 2017-06-13 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기전계발광소자
KR101255537B1 (ko) 2010-11-26 2013-04-16 삼성디스플레이 주식회사 평판 표시 장치 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160010808A (ko) * 2014-07-18 2016-01-28 삼성디스플레이 주식회사 슬롯 다이 코터 및 이를 이용한 코팅 방법
KR20160147117A (ko) * 2015-06-11 2016-12-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판
KR20160150236A (ko) * 2015-06-19 2016-12-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US9188814B2 (en) 2015-11-17
US20160062159A1 (en) 2016-03-03
US20140160419A1 (en) 2014-06-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20140074710A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101984873B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US8614781B2 (en) Liquid crystal display and manufacturing method thereof having particular capping layer
US9482917B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US9007550B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
KR20130124827A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140089015A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
US9595549B2 (en) Display device comprising a plurality of microcavities and an encapsulation layer that seals the plurality of microcavities and method of manufacturing the same
KR20140095120A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140082049A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150018241A (ko) 표시 장치
KR20150071317A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160001799A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101682079B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20140087857A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2016128906A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
KR102650552B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160044692A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20150085437A (ko) 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9477110B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
US9575349B2 (en) Liquid crystal display and method of manufacturing the same
KR20170083178A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160125583A (ko) 표시 장치
KR20160000965A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid