CN111258144A - 显示面板、显示装置 - Google Patents

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CN111258144A CN202010241619.7A CN202010241619A CN111258144A CN 111258144 A CN111258144 A CN 111258144A CN 202010241619 A CN202010241619 A CN 202010241619A CN 111258144 A CN111258144 A CN 111258144A
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electrode layer
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朱静
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd
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Abstract

本申请公开了一种显示面板、显示装置。该显示面板包括第一衬底、位于该第一衬底上的驱动电路层、及位于该驱动电路层上的像素电极层,该像素电极层包括至少一第一主干电极与至少一第二主干电极;该显示面板还包括与该驱动电路层同层设置的电容电极层,该电容电极层与部分该像素电极层构成存储电容;其中,该电容电极层至少包括第一电容单元,该第一电容单元在该像素电极层上的正投影位于该第一主干电极或/和该第二主干电极内,该第一主干电极与该第二主干电极为垂直设置。本申请通过将电容电极层在像素电极层的正投影位于主干电极内,增大了显示开口率。

Description

显示面板、显示装置
技术领域
本申请涉及显示领域,尤其涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板、显示装置。
背景技术
随着生活水平的提高,人民对于大尺寸高分辨率显示屏幕的需求越来越高。
现有技术中,大尺寸高分辨率显示屏幕的存储电容由公共电极与像素电极构成,其中不透光的公共电极会导致显示屏幕的显示开口率低。
因此,亟需一种显示面板、显示装置以解决上述技术问题。
发明内容
本申请提供了一种显示面板、显示装置,以解决现有技术中,大尺寸高分辨率显示屏幕的存储电容由公共电极与像素电极构成,其中不透光的公共电极会导致显示屏幕的显示开口率低的技术问题。
为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:
一种显示面板,所述显示面板包括第一衬底、位于所述第一衬底上的驱动电路层、及位于所述驱动电路层上的像素电极层,所述像素电极层包括至少一第一主干电极与至少一第二主干电极;
所述显示面板还包括与所述驱动电路层同层设置的电容电极层,所述电容电极层与部分所述像素电极层构成存储电容;
其中,所述电容电极层至少包括多个第一电容单元,所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极或/和所述第二主干电极内,所述第一主干电极与所述第二主干电极为垂直设置。
在本申请的显示面板中,所述第一电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内。
在本申请的显示面板中,所述第一电容单元与所述驱动电路层的栅极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第二主干电极内。
在本申请的显示面板中,所述第一电容单元与所述驱动电路层的遮光层为同层设置。
在本申请的显示面板中,所述第一电容单元与所述驱动电路层的半导体层为同层设置。
在本申请的显示面板中,所述电容电极层还包括多个第二电容单元;
所述第一电容单元与所述第二电容单元为并联连接;
所述第一电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内;
所述第二电容单元与所述驱动电路层中的遮光层、或所述驱动电路层中的半导体层中的任意一层为同层设置;
所述第二电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内。
在本申请的显示面板中,所述电容电极层还包括多个第三电容单元;
所述第三电容单元设置于所述显示面板的像素透光区内;
所述第三电容单元的材料为透明材料。
在本申请的显示面板中,所述第三电容单元与所述第一电容单元为并联连接;
所述第一电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内。
在本申请的显示面板中,所述第三电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元平行于所述第三电容单元。
一种显示装置,所述显示装置包括如任意一项上述的显示面板、位于所述显示面板上的偏光层及盖板层。
有益效果:本申请通过将电容电极层在像素电极层的正投影位于主干电极内,增大了显示开口率。
附图说明
下面结合附图,通过对本申请的具体实施方式详细描述,将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本申请的显示面板的第一种结构的俯视示意图;
图2为本申请的显示面板的第一种结构示意图;
图3为本申请的显示面板的第二种结构示意图;
图4为本申请的显示面板的第三种结构的俯视示意图;
图5为本申请的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
现有技术中,大尺寸高分辨率显示屏幕的存储电容由公共电极与像素电极构成,其中不透光的公共电极会导致显示屏幕的显示开口率低。
请参阅图1~图4,本申请公开了一种显示面板100,所述显示面板100包括第一衬底200、位于所述第一衬底200上的驱动电路层300、及位于所述驱动电路层300上的像素电极层400,所述像素电极层400包括至少一第一主干电极410与至少一第二主干电极420;
所述显示面板100还包括与所述驱动电路层300同层设置的电容电极层,所述电容电极层与部分所述像素电极层400构成存储电容;
其中,所述电容电极层至少包括多个第一电容单元510,所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410或/和所述第二主干电极420内,所述第一主干电极410与所述第二主干电极420为垂直设置。
本申请通过将电容电极层在像素电极层的正投影位于主干电极内,增大了显示开口率。
现结合具体实施例对本申请的技术方案进行描述。
请参阅图1~图4,所述显示面板100包括第一衬底200、位于所述第一衬底200上的驱动电路层300、及位于所述驱动电路层300上的像素电极层400,所述像素电极层400包括至少一第一主干电极410与至少一第二主干电极420。所述显示面板100还包括与所述驱动电路层300同层设置的电容电极层,所述电容电极层与部分所述像素电极层400构成存储电容。
为方便理解,以下实施例以COA基板为例进行说明,并不对所述显示面板100作为限制。
本实施例中,所述驱动电路层300包括栅极层320、位于所述栅极层320上的栅绝缘层330、位于所述栅绝缘层330上的源漏极层340,具体请参阅图2、图3。
本实施例中,所述栅极层320包括多条平行设置的栅极线321,所述栅极线321沿第二方向设置,所述第二方向与所述第二主干电极平行,具体请参阅图1、图4。
本实施例中,所述源漏极层340包括多条平行设置的数据线341,所述数据线341与所述栅极线321为垂直设置,所述数据线341沿第一方向设置,所述第一方向与所述第一主干电极平行,具体请参阅图1、图4。
本实施例中,所述驱动电路层300还包括半导体层,所述半导体层为有源层,所述半导体层可以位于所述源漏极层340上,或者所述半导体层可以位于所述栅绝缘层330上,或者所述栅极层320位于所述半导体层上,所述半导体层位于所述第一衬底200上,在此不对所述半导体层的具体位置作限定。
本实施例中,所述显示面板100还包括位于所述像素电极层400上的彩膜层、液晶层。
本实施例中,所述像素电极层400包括多条像素电极,所述电容电极层可以与对应所述像素电极构成存储电容。
本实施例中,所述电容电极层至少包括多个第一电容单元510,所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410或/和所述第二主干电极420内,所述第一主干电极410与所述第二主干电极420为垂直设置,具体请参阅图1。所述第一主干电极410与所述第二主干电极420不发光,形成了阴影区域,通过将第一电容单元510设置在主干电极下,利用主干电极的暗纹遮挡第一电容单元510,减小了显示屏幕的边框,提高了显示面板100的显示开口率,改善了显示效果。
本实施例中,所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的源漏极层340为同层设置。所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410内,具体请参阅图2。所述源漏极层340包括多条数据线341,所述数据线341沿第一方向设置,为避免所述第一电容单元510与所述数据线341接触而导致短路,所以当所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的源漏极层340为同层设置时,所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410内。可以更好地利用源漏极层340的走线空间,避免所述第一电容单元510与所述数据线341接触而导致短路,同时避免了跳线等设置方式,简化了制程工艺。同时,所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的源漏极层340为同层设置时,所述电容电极层与部分所述像素电极层400构成存储电容,所述电容电极层与部分所述像素电极层400的间距小,即所述存储电容的两个电极板间距小,可以提供给所述存储电容更大的电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。
本实施例中,所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的栅极层320为同层设置。所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第二主干电极420内。栅极层320包括多条栅极线321,所述栅极线321沿第二方向设置,为避免所述第一电容单元510与所述栅极线321接触而导致短路,所以当所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的栅极层320为同层设置时,所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第二主干电极420内。可以更好地利用栅极层320的走线空间,避免所述第一电容单元510与所述栅极线321接触而导致短路,同时避免了跳线等设置方式,简化了制程工艺。
本实施例中,所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的遮光层310为同层设置。当所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的遮光层310为同层设置时,所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410或/和所述第二主干电极420内,可以根据具体遮光层310的图案,来将所述第一电容单设置在主干电极阴影内,利用主干电极的暗纹遮挡第一电容单元510,减小了显示屏幕的边框,提高了显示面板100的显示开口率,改善了显示效果。
本实施例中,所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的半导体层为同层设置。当所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的半导体层为同层设置时,所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410或/和所述第二主干电极420内,可以根据具体半导体层的图案,来将所述第一电容单设置在主干电极阴影内,利用主干电极的暗纹遮挡第一电容单元510,减小了显示屏幕的边框,提高了显示面板100的显示开口率,改善了显示效果。
本实施例中,所述电容电极层还包括多个第二电容单元520。所述第一电容单元510与所述第二电容单元520为并联连接。所述第一电容单元510与所述驱动电路层300的源漏极层340为同层设置。所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410内。所述第二电容单元520与所述驱动电路层300中的遮光层310、或所述驱动电路层300中的半导体层中的任意一层为同层设置。所述第二电容单元520在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410内。所述第一电容单元510与所述第二电容单元520可以通过过孔并联连接。以所述第二电容单元520与所述遮光层310为同层设置为例,具体请参阅图3。所述第一电容单元510在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410内,为方便所述第二电容单元520与所述第一电容单元510并联,所述第二电容单元520在所述像素电极层400上的正投影位于所述第一主干电极410内。通过所述第一电容单元510与所述第二电容单元520为并联连接,减小了电容电极层的电阻,从而减小了所述电容电极层的压降,提高了显示均匀性,使得所述存储电容有更大的电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。
本实施例中,所述电容电极层还包括多个第三电容单元530。所述第三电容单元530设置于所述显示面板100的像素透光区内。所述第三电容单元530的材料为透明材料。透明材料的所述第三电容单元530可以不受开口率的限制,可以设置在像素透光区,从而降低制程复杂程度。所述第三电容单元530单独工作,与部分所述像素电极层400构成存储电容,增加存储电容电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。
本实施例中,所述第三电容单元530与所述第一电容单元510为并联连接。减小了电容电极层的电阻,从而减小了所述电容电极层的压降,提高了显示均匀性,使得所述存储电容有更大的电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。
本实施例中,所述第三电容单元530与所述第二电容单元520为并联连接。减小了电容电极层的电阻,从而减小了所述电容电极层的压降,提高了显示均匀性,使得所述存储电容有更大的电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。
本实施例中,所述第三电容单元530与所述第一电容单元510为并联连接。所述第三电容单元530与所述第二电容单元520为并联连接。所述第二电容单元520与所述第一电容单元510为并联连接。最大程度地减小了电容电极层的电阻,从而减小了所述电容电极层的压降,提高了显示均匀性,使得所述存储电容有更大的电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。
本实施例中,所述第一电容单元510与所述第三电容单元530为异层设置时,可以通过过孔并联连接。
本实施例中,所述第二电容单元520与所述第三电容单元530为异层设置时,可以通过过孔并联连接。
本实施例中,所述第三电容单元530与所述驱动电路层300的源漏极层340为同层设置。所述第一电容单元510平行于所述第三电容单元530,具体请参阅图4。可以更好地利用源漏极层340的走线空间,避免所述第一电容单元510与所述数据线341接触而导致短路,同时避免了跳线、过孔等设置方式,简化了制程工艺。所述第一电容单元510、所述第三电容单元530均与所述驱动电路层300的源漏极层340为同层设置时,所述电容电极层与部分所述像素电极层400构成存储电容,所述电容电极层与部分所述像素电极层400的间距小,即所述存储电容的两个电极板间距小,可以提供给所述存储电容更大的电容,两电极板电压差更大,所述存储电容充电更快,充电效率更高,显示效果更好。同时所述第一电容单元510平行于所述第三电容单元530避免了短路问题以及减少了跳线复杂的制程工艺。
本实施例中,所述第一电容单元、第二电容单元、及第一电容单元的材料均为导电材料。
本申请通过将电容电极层在像素电极层的正投影位于主干电极内,增大了显示开口率。
请参阅图1~图5,本申请还公开了一种显示装置10,所述显示装置10包括如任意一上述的显示面板100、位于所述显示面板100上的偏光层20及盖板层30。
本申请通过将电容电极层在像素电极层的正投影位于主干电极内,增大了显示开口率。
具体的显示装置10结构,请参阅所述显示面板100的结构,在此不再赘述。
本申请公开了一种显示面板、显示装置。该显示面板包括第一衬底、位于该第一衬底上的驱动电路层、及位于该驱动电路层上的像素电极层,该像素电极层包括至少一第一主干电极与至少一第二主干电极;该显示面板还包括与该驱动电路层同层设置的电容电极层,该电容电极层与部分该像素电极层构成存储电容;其中,该电容电极层至少包括第一电容单元,该第一电容单元在该像素电极层上的正投影位于该第一主干电极或/和该第二主干电极内,该第一主干电极与该第二主干电极为垂直设置。本申请通过将电容电极层在像素电极层的正投影位于主干电极内,增大了显示开口率。
在上述实施例中,对各个实施例的描述都各有侧重,某个实施例中没有详述的部分,可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括第一衬底、位于所述第一衬底上的驱动电路层、及位于所述驱动电路层上的像素电极层,所述像素电极层包括至少一第一主干电极与至少一第二主干电极;
所述显示面板还包括与所述驱动电路层同层设置的电容电极层,所述电容电极层与部分所述像素电极层构成存储电容;
其中,所述电容电极层至少包括多个第一电容单元,所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极或/和所述第二主干电极内,所述第一主干电极与所述第二主干电极为垂直设置。
2.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内。
3.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电容单元与所述驱动电路层的栅极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第二主干电极内。
4.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电容单元与所述驱动电路层的遮光层为同层设置。
5.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电容单元与所述驱动电路层的半导体层为同层设置。
6.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容电极层还包括多个第二电容单元;
所述第一电容单元与所述第二电容单元为并联连接;
所述第一电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内;
所述第二电容单元与所述驱动电路层中的遮光层、或所述驱动电路层中的半导体层中的任意一层为同层设置;
所述第二电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内。
7.根据权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述电容电极层还包括多个第三电容单元;
所述第三电容单元设置于所述显示面板的像素透光区内;
所述第三电容单元的材料为透明材料。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述第三电容单元与所述第一电容单元为并联连接;
所述第一电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元在所述像素电极层上的正投影位于所述第一主干电极内。
9.根据权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第三电容单元与所述驱动电路层的源漏极层为同层设置;
所述第一电容单元平行于所述第三电容单元。
10.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括如权利要求1~9中任意一项权利要求所述的显示面板、位于所述显示面板上的偏光层及盖板层。
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