CN111025801A - 一种阵列基板及显示面板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种阵列基板及显示面板，所述阵列基板包括衬底基板以及阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元；所述像素单元包括公共电极以及位于所述公共电极上方的像素电极；其中，所述像素电极包括主电极和与所述主电极电连接的支电极，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。通过将公共电极的部分与主电极对应设置，利用主电极与公共电极形成存储电容，在不影响阵列基板的开口率的前提下，增加存储电容的电容量，从而降低漏电造成的电压变化，增加电位保持能力。

Description

一种阵列基板及显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
液晶显示面板一般由阵列基板、彩膜基板以及位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶层构成。在阵列基板中，一般会在像素电极下方设置公共电极，利用像素电极与公共电极形成的存储电容降低漏电造成的电压变化，增加电位保持能力，而为了增加存储电容的电容，一般采用增大公共电极的面积的办法。
然而，存储电容一般是以金属夹置绝缘层制成，公共电极不透光，公共电极的面积增大会造成开口率下降。
发明内容
本发明提供一种阵列基板，以解决公共电极不透光，公共电极的面积增大会造成开口率下降的技术问题。
为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：
一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板以及阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括：
公共电极；
位于所述公共电极上方的像素电极；
其中，所述像素电极包括主电极和与所述主电极电连接的支电极，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。
在一些实施例中，所述公共电极包括第一公共电极线，所述第一公共电极线与所述主电极对应设置。
在一些实施例中，所述第一公共电极线的形状和尺寸与所述主电极的形状和尺寸相同。
在一些实施例中，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述支电极在所述衬底基板上的正投影不重合。
在一些实施例中，每一所述像素单元包括主区和副区，所述像素电极包括位于所述主区的第一像素电极和位于所述副区的第二像素电极；
其中，所述第二像素电极包括第二主电极和第二支电极，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。
在一些实施例中，所述第二主电极包括交叉设置的第一分体和第二分体，所述第一分体沿横向设置，所述第二分体沿纵向设置，所述第二支电极倾斜设置且所述第二支电极的边缘线与所述第一分体和所述第二分体的边缘线形成夹角。
在一些实施例中，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一分体在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括：
设置于所述衬底基板上的第一金属层；
位于所述第一金属层与所述像素电极之间的第二金属层；
其中，所述公共电极与所述第一金属层同层设置。
在一些实施例中，所述第一金属层包括沿横向设置的扫描线，一条所述扫描线与一行所述像素单元对应设置；所述第二金属层包括沿纵向设置的数据线，一条所述数据线与一列像素单元对应设置，所述公共电极还包括靠近所述数据线设置且与所述数据线平行的第二公共电极线。
本发明还提供一种显示面板，所述显示面板包括彩膜基板以及如上述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
本发明的有益效果为：通过将公共电极的部分与主电极对应设置，利用主电极与公共电极形成存储电容，在不影响阵列基板的开口率的前提下，增加存储电容的电容量，从而降低漏电造成的电压变化，增加电位保持能力。
附图说明
下面结合附图，通过对本申请的具体实施方式详细描述，将使本申请的技术方案及其它有益效果显而易见。
图1为本发明第一种实施方式中阵列基板的第一种结构示意图；
图2为图1中去除像素电极后的示意图；
图3为本发明第一种实施方式中阵列基板的第二种结构示意图；
图4为本发明第二种实施方式中阵列基板的第一种结构示意图；
图5为图4中去除像素电极后的示意图；
图6为本发明第二种实施方式中阵列基板的第二种结构示意图；
图7为本发明中显示面板的结构示意图。
附图标记：
10、阵列基板；11、衬底基板；12、像素电极；121、主电极；122、支电极；123、第一主电极；124、第一支电极；125、第二主电极；1251、第一分体；1252、第二分体；126、第二支电极；13、公共电极；131、第一公共电极线；132、第二公共电极线；133、第一公共电极；134、第二公共电极；14、扫描线；15、源漏极；16、数据线；17、高电位源线；18、主区；19、副区；20、彩膜基板；30、液晶层。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触，也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本申请。此外，本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母，这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外，本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
本发明针对现有的阵列基板中，存储电容一般是以金属夹置绝缘层制成，公共电极的面积增大会造成开口率下降的技术问题。本发明可以解决上述问题。
一种阵列基板，如图1和图2所示，所述阵列基板10包括衬底基板11以及阵列分布于所述衬底基板11上的多个像素单元。
其中，所述像素单元包括公共电极13以及位于所述公共电极13上方的像素电极12；所述像素电极12包括主电极121和与所述主电极121电连接的支电极122。
在第一种实施方式中，所述阵列基板10为4畴区阵列基板10，参见图1至图2，即主电极121将一个子像素区域划分为4个畴区。
具体的，所述公共电极13在所述衬底基板11上的正投影与所述主电极121在所述衬底基板11上的正投影的至少一部分重合。
需要说明的是，对于本领域人员可知，阵列基板10上设置主电极121的区域处为液晶倒向紊乱的暗区，此处不贡献开口率。
通过将公共电极13的部分与主电极121对应设置，利用主电极121与公共电极13形成存储电容，在不影响阵列基板10的开口率的前提下，增加存储电容的电容量，从而降低漏电造成的电压变化，增加电位保持能力。
在一实施方式中，所述公共电极13包括第一公共电极线131，所述第一公共电极线131与所述主电极121对应设置。
进一步的，所述第一公共电极线131的形状和尺寸与所述主电极121的形状和尺寸相同。从而利用第一公共电极线131与所述主电极121形成存储电容，同时避免第一公共电极线131造成阵列基板10的开口率下降。
进一步的，所述主电极121的整体形状呈“十”字形，所述第一公共电极线131呈与所述主电极121匹配的“十”字形，所述支电极122倾斜设置且所述支电极122的边缘线与所述主电极121的边缘线形成夹角。
如图3所示，在一实施方式中，所述公共电极13在所述衬底基板11上的正投影与所述支电极122在所述衬底基板11上的正投影不重合。
利用主电极121与公共电极13形成存储电容并保证存储电容的电容量时，去除所述公共电极13与所述支电极122重叠的部分，从而进一步提高阵列基板10的开口率。
具体的，所述阵列基板10还包括设置于所述衬底基板11上的第一金属层以及位于所述第一金属层与所述像素电极12之间的第二金属层。
具体的，所述第一金属层包括多条横向设置且间隔排布的扫描线14，每条扫描线14与一行所述像素单元对应设置，以为所述像素单元提供扫描信号。
其中，所述公共电极13与所述第一金属层同层设置，所述公共电极13与所述第一金属层可以通过同一种材料以及同一道工序形成，也可以通过不同的材料和工序形成。
具体的，所述第二金属层包括源漏极15以及多条沿纵向设置且间隔排布的数据线16，一条所述数据线16与一列所述像素单元对应设置，所述数据线16与所述源漏极15电性连接，以提供数据信号给所述源漏极15，所述像素电极12与所述源漏极15电性连接，以接收所述数据信号。
具体的，所述公共电极13还包括靠近所述数据线16设置且与所述数据线16平行的第二公共电极线132。
通过第二公共电极线132的设置，可以用于屏蔽数据线16与像素电极12间形成的耦合电容带来的电压变化，从而降低串扰等风险。
在第二种实施方式中，如图4和图5所示，所述阵列基板10为8畴区阵列基板10。
具体的，每一所述像素单元包括主区18和副区19，所述像素电极12包括位于所述主区18的第一像素电极和位于所述副区19的第二像素电极。
其中，所述第一像素电极包括第一主电极123和第一支电极124，所述第二像素电极包括第二主电极125和第二支电极126；所述第一主电极123将所述主区18划分为4个畴区，所述第二主电极125将所述副区19划分为4个畴区。
需要说明的是，所述第一像素电极和所述第二像素电极的尺寸不一致，导致所述主区18与所述副区19的驱动电压差不同，利用空间畴区，设置一定的电压差异，以增大液晶分子的多样性，从而可以改善大视角色偏特性。
在一实施方式中，所述第一主电极123和所述第二主电极125均呈“十”字型。
具体的，所述公共电极13在所述衬底基板11上的正投影与所述第二主电极125在所述衬底基板11上的正投影的至少一部分重合。
对于本领域技术人员可知，副区19的寄生电容较大，因此副区19也需要电容量更大的存储电容，通过将公共电极13的部分设置成与所述第二主电极125对应，从而在不影响副区19的开口率的前提下，提高副区19中存储电容的电容量。
具体的，所述第二主电极125包括交叉设置的第一分体1251和第二分体1252，所述第一分体1251沿横向设置，所述第二分体1252沿纵向设置。
其中，所述第二支电极126倾斜设置且所述第二支电极126的边缘线与所述第一分体1251和所述第二分体1252的边缘线形成夹角。
具体的，所述第二金属层还包括高电位源线17，所述高电位源线17在所述衬底基板11上的正投影与所述第二分体1252在所述衬底基板11上的正投影的至少一部分重合。
进一步的，所述公共电极13在所述衬底基板11上的正投影与所述第一分体1251在所述衬底基板11上的正投影的至少一部分重合。
具体的，所述公共电极13包括位于所述主区18的第一公共电极133以及位于所述副区19的第二公共电极134，所述第二公共电极134在所述衬底基板11上的正投影与所述第二主电极125在所述衬底基板11上的正投影的至少一部分重合。
需要说明的是，图5中仅示意了所述第一分体1251完全与所述公共电极13重叠的情况，实际实施中，如图6所示，也可以设置成所述第一分体1251的一部分与所述公共电极13重叠，即所述公共电极13的在所述衬底基板11上的正投影仅与所述第一分体1251在所述衬底基板11上的正投影的一部分重合。
需要说明的是，图5和图6中仅示意了仅有所述第二像素电极12与所述公共电极13重叠的情况，实际实施中，也可以将所述公共电极13的部分设置成与所述第一像素电极12重叠。
基于上述阵列基板10，本发明还提供一种显示面板，如图7所示，所述显示面板包括彩膜基板20以及如上述实施方式中任一项所述的阵列基板10，所述彩膜基板20与所述阵列基板10之间设置有液晶层30。
本发明的有益效果为：通过将公共电极13的部分与主电极121对应设置，利用主电极121与公共电极13形成存储电容，在不影响阵列基板10的开口率的前提下，增加存储电容的电容量，从而降低漏电造成的电压变化，增加电位保持能力。
在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。
以上对本申请实施例所提供的一种电子装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想；本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括衬底基板以及阵列分布于所述衬底基板上的多个像素单元，所述像素单元包括：
公共电极；
位于所述公共电极上方的像素电极；
其中，所述像素电极包括主电极和与所述主电极电连接的支电极，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极包括第一公共电极线，所述第一公共电极线与所述主电极对应设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一公共电极线的形状和尺寸与所述主电极的形状和尺寸相同。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述支电极在所述衬底基板上的正投影不重合。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每一所述像素单元包括主区和副区，所述像素电极包括位于所述主区的第一像素电极和位于所述副区的第二像素电极；
其中，所述第二像素电极包括第二主电极和第二支电极，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第二主电极在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。
6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第二主电极包括交叉设置的第一分体和第二分体，所述第一分体沿横向设置，所述第二分体沿纵向设置，所述第二支电极倾斜设置且所述第二支电极的边缘线与所述第一分体和所述第二分体的边缘线形成夹角。
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极在所述衬底基板上的正投影与所述第一分体在所述衬底基板上的正投影的至少一部分重合。
8.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
设置于所述衬底基板上的第一金属层；
位于所述第一金属层与所述像素电极之间的第二金属层；
其中，所述公共电极与所述第一金属层同层设置。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层包括沿横向设置的扫描线，一条所述扫描线与一行所述像素单元对应设置；所述第二金属层包括沿纵向设置的数据线，一条所述数据线与一列像素单元对应设置，所述公共电极还包括靠近所述数据线设置且与所述数据线平行的第二公共电极线。
10.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括彩膜基板以及如权利要求1至9中任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板之间设置有液晶层。
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